Corante sensibilizados clulas solares que incorporam camadas de

xido de titnio obliquamente depositados

INTRODUO
O rpido crescimento do mercado fotovoltaico tem estimulado
pesquisas em mais
tecnologias inovadoras e de baixo custo fotovoltaicos que podem
fornecer '' limpo ''
energia em relao aos combustveis fsseis [1]. Entre a nova
gerao de clulas fotovoltaicas a surgir o corante de clulas solares
sensibilizadas (DSSC). Estes dispositivos, primeiros relatados por O'regan e
Grtzel [2] so baseados em corantes fotoactivos molculas absorvidas na
superfcie de um semicondutor de largura de banda de fenda. DSSC
dispositivos consistem tipicamente de um elctrodo de TiO2 sensibilizadas
corante em contacto com um electrlito e completado por um contraelctrodo inerte. Devido sua alta eficincia de converso e fi, de baixo
custo de fabricao e tecnologia de clula simples, o interesse em DSSCs
tem crescido consideravelmente ao longo da ltima dcada. TiO2
nanocristalino de longe o band-gap largo mais comumente empregado em
dispositivos semicondutores DSSC porque sua energtica banda de
conduo animado corresponde ao estado de muitos tipos de corantes e
tambm por causa da sua composio qumica da superfcie do material e
propriedades teis [3]. Signi fi cativa progresso sobre a e fi cincia de
dispositivos DSSC tornou-se possvel atravs do emprego de TiO2
nanocristalino poroso preparado por mtodos sol-gel [2,4]. A rede porosa
das nanopartculas de TiO2 preparados por esta tecnologia
resultam em extremamente grande rea de superfcie, aumentando
grandemente a absoro da luz, em comparao com uma
monocamada de corante adsorvido num fl na superfcie no
estruturada do mesmo tamanho. Converso de energia deficincias e fi
de mais de 10% foram alcanados com DSSCs incorporando TiO2
nanocristalino filmes coloidal, que competitivo com clulas fotovoltaicas
de estado slido convencionais [4].
No entanto, a estrutura de elctrodo poroso aleatoriamente
TiO2 d origem a vrias caractersticas indesejveis. Estes incluem
baixa condutividade, porque o filme composto de matrizes de

minsculos cristais de medio de 10-30 nm de dimetro [5]. Alm

disso, o pequeno tamanho dos cristais no suportar a formao da
regio de carga espacial. Isto pensado para aumentar a taxa de
recombinao de electres injectados com fotografia, devido
ausncia de um barreira de energia na interface eletrodo /
eletrlito [6]. Outra caracterstica prejudicial do elctrodo TiO2
produzido de sol-gel a sua rede de nanopartculas aleatrio, o que
limita o acesso a toda a superfcie fi lm [7]. Assim, qualquer tcnica
capaz de fabricar grandes estruturas de TiO2 de rea de superfcie
e com boa condutividade um maior grau de ordem dentro da rede
porosa de interesse para a tecnologia DSSC. Recentemente, a
tcnica de crepitao de magnetro DC tem sido utilizada para depositar
TiO2 poroso filmes finos com grande rea de superfcie para utilizao neste
tipo de clula solar. Os filmes sputtered rendeu uma fotocorrente mais
elevado do que sol-gel produzido filmes de espessura semelhante, quando
forem incorporadas DSSC con fi gurao, mas deu a converso de clulas
solares mais baixo ef deficincias [8]. Este artigo relata os nossos esforos
iniciais para fabricao, caracterizao e implementao de titnio poroso
lms xido fi, depositado por evaporao reativa em oblqua fl uxo ngulos
de incidncia, como o eltron coleta eletrodo em DSSCs. Tem foi observado
que os filmes produzidos no incidente altamente oblquo fl uxo ngulos
durante o processo de deposio de vapor fsico tem uma microestrutura
porosa [9-13]. A porosidade desses filmes surge de reforo da autosombreamento durante o crescimento processo. Filmes obliquamente
depositadas tm uma morfologia colunar, e como tal, a sua recessos
interiores so altamente acessvel tanto para gs e lquidos suportados
espcies. Temos recentemente demonstrado em nosso laboratrio o
potencial do uso de filmes finos depositados em ngulos extremamente
oblquas em aplicaes que exigem materiais de elevada rea superficial
tais como sensores de umidade [14], supercapacitores [15], eletrocatlise
[16], e electroanalysis [17]. Neste estudo, estamos interessados com o
potencial de aplicao obliquamente depositado lms TiO2 fi como a coleta
eletrnica de camadas em dispositivos DSSC. A tcnica oblqua utilizada
neste estudo bem adequado para a deposio de filmes de TiO2 porque
permite um fcil controlo da porosidade e rea de superfcie. Nossos
resultados mostram que clulas solares que incorporam recozidos titnio

xido de fi lmes fabricadas em ngulos de deposio entre 60 e 75

produziram mais altas densidades de corrente de curto-circuito que DSSC
convencional baseado em coloidal lm TiO2 fi medida nas mesmas
condies. A clula solar otimizado incorporando obliquamente depositados
filmes de xido de titnio foi encontrado para ter um fotoeltrico ef
converso fi cincia de 4,1% em comparao com 5,3% medido em clulas
solares coloidal base de TiO2.
MEV revelaram diferenas significativas em fi lme morfologia entre os
filmes fabricados em diferentes ngulos de deposio. Na incidncia normal
(0), o filme aparece como um filme denso colunar com colunas verticais.
Como o ngulo de deposio aumentada, as colunas inclinar-se e tornamse mais amplamente separados, resultando em colunas isoladas em ngulos
elevados de deposio. Este efeito bem conhecido e constitui a base da
tcnica de deposio olhando ngulo [10,19]. Pode ser quanti fi cados
usando a regra tangente padro em baixos ngulos [20] ou a regra
geometricamente derivada da Tait [21] em ngulos maiores. Os parmetros
geomtricos dos filmes depositados como obtidos a partir do SEM
as imagens so apresentadas na Tabela 1.
Annealing dos filmes no induziu qualquer mudana significativa na
morfologia fi lme, com exceo do filme normalmente depositado, vistas
laterais amostra A. SEM dos filmes recozidos so apresentados na Fig. 2. As
micrografias electrnicas no mostram qualquer evidncia de encolhimento
ou perda das microcolunas inclinadas seguintes 3-h tratamento trmico a
500 C. Como fi lm pode ser visto na Fig. 3, Densi fi cao do tero superior
da amostra
Um facilmente perceptvel sugerindo laterais difuso fi lme. Este
ction Densi fi consistente
com a observada em outros lugares na literatura [22]. provvel que
a camada densa que cresceram com recozimento contnuo at que
englobava todo o filme. Cima para baixo imagens em Fig. 4 ilustra
claramente que a porosidade dos filmes aumenta com o aumento do ngulo
de deposio. Aumento do fi lme porosidade esperado para produzir um
melhor acesso para o eletrlito redox em DSSCs, ao mesmo tempo,
satisfazer a elevada rea superficial necessria para su fi ciente corante
adsoro. Anlise de microscopia eletrnica de transmisso revelou que

recozimento tinha efeitos sobre a estrutura de fi lme. Imagens fi eld

brilhantes dos filmes (Fig. 5) mostrou que microcolunas individuais tm
estrutura ner fi do que revelado pelo SEM. Cada Microcoluna parece ser
composta de feixes de fibras que bifurcam como o crescimento progride,
proporcionando a estrutura de um '' penas '' aparecimento [23]. Esta
estrutura de fi ne leva a um aumento signi fi cativo na rea de superfcie
dos filmes mais que previstos a partir das imagens de SEM. No entanto,
quando estabilizados, esta estrutura ner fi pareceu ligeiramente
conglomerado, que conduz a uma estrutura mais densa para a Microcoluna
individual e rea de superfcie reduzida. Este conglomerado de a estrutura
de penas foi mais perceptvel em trabalhos anteriores com mais finos filmes
[24].
Imagem de campo escuro e anlise dos padres de difraco de
electres mostram a maior mudana causada pelo processo de recozimento.
Como depositados filmes produzidos difusa padres de difrao amorfos.
Este confirmados pela literatura, em que se verifica que com feixe de
electres evaporada formas camadas de xido de titnio amorfo, quando
no est presente aquecimento substrato [25]. Em contraste, todas as
amostras tratadas foram encontradas
produzir padres de difrao anel policristalino parciais. Aps a
anlise, esses padres foram identificados para ser produzida pela fase de
anatase do dixido de titnio.
As imagens escuras campo mostrou pequenos cristais de tamanhos
variados. Como mostrado na Fig. 6, difrao de raios X anlise confirmadas
a natureza amorfa dos filmes como-depositadas ea natureza policristalino
anatase dos filmes recozidos.
O desempenho dos DSSCs construdos converso solar foi encontrada
a variar muito com as condies de deposio e tratamento de recozimento.
Todas as amostras recozidas
signi fi cativamente realizado melhor do que seus anlogos comodepositado em termos de tenso de circuito aberto Voc; curto-circuito
Jsc densidade de corrente; e a converso global
EF eficincia fi das clulas. A Tabela 2 apresenta os resultados de
caracterizao de clulas resumidos
de DSSCs incorporem filmes de TiO2 recozido. Figo. 7 mostra uma
parte dos dados representativos das medies fotovoltaicas utilizadas para

gerar os valores indicados no Quadro 2 sob as condies descritas na

seco experimental. Os resultados do padro DSSC incorporando um filme
de TiO2 fi coloidal, medida nas mesmas condies so tambm mostrados
na Tabela 1 e Fig. 7 para comparao. A tenso em circuito aberto (Voc)
encontrado para ser altamente dependente do tratamento de recozimento.
Em mdia, os DSSCs incorporando recozido filmes de TiO2 produzido Voc
mais de 150 mV maior do que os seus anlogos como-depositadas. O
fotovoltagem mximo obtenvel a partir deste tipo de clula solar
dependente da posio relativa da extremidade da banda de conduo
(CCV) de elctrodo de TiO 2 e o potencial redox da Vred electrlito; como
mostrado na Eq. (1) [26]. Annealing dos filmes promove estequiometria
completa e, assim, levanta a banda de conduo do elctrodo.
O Vred no esperada variar significantemente desde o mesmo
electrlito foi empregue em todas as DSSCs construdos. Como mostrado na
Tabela 2, as clulas que incorporam obliquamente depositados filmes de
TiO2, em geral, tambm produziu maior do que Voc clula solar contendo
TiO2 coloidal.
Voc VCB Vred 1
As densidades de corrente de curto-circuito (Jsc) foram encontrados
para ser altamente dependente das condies de deposio e tratamento
de recozimento. Todos os DSSCs incorporando recozido
Filmes de TiO2 foram encontrados para produzir Jsc vrias ordens de
grandeza mais elevadas do que os seus
homlogos como depositados. Isto atribudo a diferenas no fi lme
cristalinidade. Calor
tratamento aumentou ordenao dos filmes como mostrado nas Figs.
5 e 6, o que provavelmente melhora o transporte de electres injectados.
Isso resulta em recombinao reduzida com o eletrlito e maior quantum ef
deficincias. Os valores de Jsc tambm so encontrados para ter um
mximo na gama de ngulos de deposio entre 60 e 75. Isso pode
ser explicados no que diz respeito quantidade de corante adsorvido.
Para um filme homogneo, a quantidade de corante adsorvido ser
proporcional rea de superfcie acessvel. Isto
evidente a partir da Fig. 2 que medida que o ngulo de deposio
aumentado de 0, a espessura colunar e espaamento aumenta tambm.
Assim, a rea de superfcie eficaz tambm muda com o ngulo de

deposio. A rea da superfcie do filme continua a aumentar com ngulo de

deposio at que todas as colunas ficam isoladas. Depois disso, a rea da
superfcie diminui uma vez que a densidade do nmero de colunas diminui
devido ao aumento no espaamento da coluna. Um efeito semelhante
maximizao tem sido relatado previamente sobre a atividade fotocataltica
dos filmes [27], um outro processo dependente de rea de superfcie, e em
simulaes [28]. DSSCs incorporando amostras recozidas B, C, D e todos
produziram significativamente melhores valores de Jsc do que o obtido com
o DSSC baseado no filme de TiO2 fi coloidal medido sob as mesmas
condies.
As deficincias fi ef globais de dispositivos DSSC incorporem filmes
obliquamente depositados foram dominados pelas tendncias da densidade
de corrente. Como tal, as clulas com electres recozido recolha de
camadas de TiO2 signi fi cativamente superou aqueles com camadas como
depositados. Sob as condies de iluminao medidos, a clula solar de
melhor desempenho com as-depositados filmes de TiO2 resultou em uma
converso fotoeltrica ef fi cincia de B0.03%. Por outro lado, a fi cincia de
clulas solares implementados com os filmes recozidos variou de 0,3% a
4,1%. Filmes recozidos de amostras B, C, e D produzidos com todas as
clulas ef deficincias acima de 3%, mostrando a largura da janela de
potencial processo. Alm disso, estes trs filmes tambm produzidos Jsc
maior do que a clula solar base coloidal sob as mesmas condies de
ensaio. Esta diferena em parte atribudo a uma maior rea de superfcie
interna acessvel associada com filmes obliquamente depositados. A
natureza colunar dos filmes oblquas provvel melhora a acessibilidade da
superfcie fi lm inteiro para o electrlito e tambm leva a um caminho mais
direto para os eltrons injetados. No que diz respeito ao acesso do
electrlito, a morfologia colunar apresenta poros maiores e mais ligados
entre si para a penetrao do que o electrlito de rede aleatria de
pequenas partculas interligados. Por outro lado, a presena de um caminho
directo para os resultados do transporte de electres em tempos de trnsito
mais curtos de electres e possibilidades reduzidas para recombinao dos
electres injectados com espcies do electrlito. Como mostrado na Tabela
2, a base DSSC-coloidal deu uma clula ef fi cincia mais elevada do que as
clulas tratadas termicamente com filmes de TiO2. Isto atribudo
superior ll fi

fator do DSSC baseada coloidal em comparao com clulas que

incorporam filmes obliquamente depositados. O menor fator ll fi para as
clulas incorporem filmes obliquamente depositados pode ser devido
maior resistncia interna dos filmes. Mais estudos esto sendo realizados
em nosso laboratrio para reduzir a resistncia interna do obliquamente
depositados filmes de TiO2 com o objectivo de obter uma melhor clula
solar ef deficincias.
CONCLUSAO
Tem sido relatada a fabricao, caracterizao e aplicao de titnio
poroso lms xido fi, depositado por evaporao reativa em oblqua influxo
ngulos de incidncia, como camadas de eltrons coleta em DSSC.
Annealing de obliquamente depositados filmes resulta em melhoria
significante fi na cristalinidade fi lm e seu desempenho como camadas de
eltrons coleta em DSSC. As clulas solares que incorporam recozidos
titnio xido de fi lmes fabricadas em ngulos de deposio entre 60 e 75
produzem densidades de corrente de curto-circuito mais elevadas do que
um convencional baseado em DSSC coloidal lm TiO2 fi. Filmes recozidos
depositados nesta faixa de ngulos de deposio de produzir clulas solares
com
fotoeltricos ef converso deficincias fi superiores a 3%, o que
mostra o potencial de aplicao obliquamente depositados filmes de TiO2
em DSSCs. Estamos investigando o efeito de doping obliquamente
depositados filmes de TiO2. Doping desses filmes reduziria sua resistncia
interna e susceptvel de conduzir a clulas com fatores fi ll mais elevados e,
consequentemente, maior converso fotoeltrica ef deficincias.