Plano de Aula

Sistemas Eletroeletrnicos
Dispositivos e Aplicaes

Gilvan Antnio Garcia

Jos Luiz Antunes de Almeida

So Paulo
2014 - Editora rica Ltda.
1

Aula

Tema

Captulo

Diodo Semicondutor e LED

O diodo
1

O diodo em polarizao inversa

O diodo em polarizao direta

O diodo emissor de luz - LED
Curvas caractersticas ideal, terica e real
2

Aproximaes lineares

Reta de carga do circuito

Circuitos Retificadores
Retificadores monofsicos no controlados
Tenso alternada senoidal

Transformador
Retificador monofsico de meia-onda
Funcionamento do retificador monofsico de meia-onda
Retificador monofsico de onda completa com ponto central
Funcionamento do retificador monofsico de onda completa de ponto central

Retificador monofsico de onda completa em ponte de diodos

Funcionamento do retificador monofsico de onda completa em ponte de diodos.

Filtro capacitivo
5

Ao do capacitor

Retificadores com filtro capacitivo

Diodo Zener e Circuito Regulador de Tenso
O diodo Zener
Conduo do Zener no sentido inverso
6

Regio de operao do diodo Zener

3,2 e 1

Aproximao linear do diodo Zener

Reta de carga
Circuito regulador de tenso
Anlise do circuito regulador de tenso

Diodo Zener como proteo

Transistor Bipolar e Circuitos de Polarizao

O transistor bipolar de juno
8

Funo bsica

4e1

Situaes de polarizao possveis

Equacionamento das correntes no transistor bipolar de juno

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Aula
9

10

11

12

Tema
Circuitos de polarizao do transistor bipolar
Operao como chave eletrnica
Operao no modo linear
Circuitos de polarizao do transistor bipolar no modo linear
Operao no modo linear
Circuitos de polarizao do transistor bipolar no modo linear
Operao no modo linear
Circuitos de polarizao do transistor bipolar no modo linear

Captulo
4e1

Fontes de tenso ideal e real

13

Circuitos reguladores de tenso a transistor

5e3

Circuito regulador de tenso do tipo srie

14

15

Circuito regulador de tenso do tipo paralelo

Circuito regulador de corrente
Circuito regulador de tenso do tipo srie com transistor Darlington

5e3

5e3

Circuitos reguladores de tenso integrados

16

Circuitos reguladores de tenso integrados de valor fixo 78XX e 79XX

Circuitos reguladores de tenso integrados ajustvel 317 e 337

Dissipadores de calor
O transistor de efeito de campo
17

Transistor de efeito de campo de juno

Transistor de efeito de campo com porta isolada

Polarizao de transistores de efeito de campo
18

Reta de carga do circuito

Circuitos de polarizao de transistores de efeito de campo

19

Circuitos de polarizao de transistores de efeito de campo

Amplificadores de udio
20

Capacitores de acoplamento e de desvio

7e4

Circuitos equivalentes CC e CA do amplificador

Amplificador de udio bsico
21

Distoro do sinal de sada

Ganho de tenso e impedncias de entrada e de sada

Plano de Aula

Aula

Tema

Captulo

Ganho de tenso e impedncias de entrada e de sada

22

Resposta em frequncia

Frequncia de corte
Configurao dos amplificadores
Amplificadores de udio de potncia
23

Amplificador classe A

7e4

Amplificador classe B
Amplificador classe AB
24

Potncia nos amplificadores classes A e AB

Amplificadores de potncia de udio integrados

Amplificadores de radiofrequncia
25

Amplificador sintonizado

Amplificador classe C
Amplificador operacional
Caractersticas ideais e simbologia
26

Amplificador operacional como comparador de tenso

Curto-circuito virtual
Amplificador operacional real
Ligaes bsicas dos amplificadores operacionais
27

Amplificador operacional sem realimentao

Amplificador operacional com realimentao positiva

Amplificador operacional com realimentao negativa
28

Amplificadores lineares bsicos com amplificador operacional

Amplificador inversor

Amplificador no inversor
29

30

Amplificador diferencial ou subtrator

Amplificador de instrumentao
Amplificador somador no inversor
Amplificador somador inversor

Diferenciador e integrador
31

Amplificador diferenciador inversor

Amplificador integrador inversor

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Aula

Tema

Captulo

Conceitos bsicos - Osciladores e Multivibradores

32

Oscilador por deslocamento de fase

9e8

Oscilador em ponte de Wien com amplificador operacional

Osciladores com circuito sintonizado
33

Oscilador Colpitts
Oscilador Hartley

Osciladores com cristal

34

Multivibradores
Multivibradores astveis

9e4

Multivibradores com portas lgicas

35

Multivibrador astvel com CI 555

Multivibrador monoestvel com CI 555

Tiristores e Aplicaes
Caractersticas bsicas do SCR
36

Especificaes do SCR
Bloqueio do SCR

10

Caractersticas bsicas do TRIAC

Modos de disparo do TRIAC
Aplicaes com SCRs
37

Retificador monofsico controlado

Aplicaes com SCRs

10

Retificador trifsico controlado

Aplicaes com TRIACs
38

Controle de fase com TRIAC

Controle de luminosidade com TRIAC

10

Chave esttica com TRIAC

Interfaces de Potncia para Circuitos Digitais
39

Interfaces de potncia

11

Interface com transistor bipolar

Interface com transistor de efeito de campo MOSFET
40

Interface com circuito integrado

11

Acopladores pticos

Plano de Aula

Respostas dos
Exerccios

Sistemas Eletroeletrnicos
Dispositivos e Aplicaes

Gilvan Antnio Garcia

Jos Luiz Antunes de Almeida

So Paulo
2014 - Editora rica Ltda.
1

Captulo 1
1) a) Anlise da malha do circuito: V R1 ID V RD ID R2 ID = 0.
Corrente no diodo: ID =

10 0, 7
V V
ID =
ID = 3,1 mA.
1k +5+2 k
R1 + R D + R 2

Tenso no diodo: VD = Vo + RD ID VD = 0,7 + 5 (3,1 10-3) VD = 0,715 V.

b) Para a soluo do problema, pode-se utilizar qualquer mtodo de anlise. A soluo
apresentada utiliza o Teorema de Thvenin.
Definio dos pontos entre os quais ser determinado o circuito equivalente:

Definio do circuito a ser simplificado.

Aps a definio dos pontos, separam-se as duas partes, para a determinao de VTH
e RTH.

Tenso e resistncia equivalente do circuito entre os pontos A e B.

VTH = R2 I com I =

V
VTH = R 2
R1 + R 2

que resulta em: VTH = 6,67 V.

V
10

VTH = 1 k
,

R1 + R 2
1 k +2 k

1 k 2 k
R R
, que resulta em: RTH = 666,67 .
R TH = 1 2 R TH =
1 k + 2 k
R
+
R

2
1

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Determinado o equivalente de Thvenin, deve-se conectar a parte anteriormente desconectada.

RTH

R3

1 k

VTH

Circuito equivalente.

Calcula-se a corrente no diodo substitudo por seu equivalente adequado. No exemplo, V = 0,7 V e RD = 10 .

VTH

RTH

R3

666,67

1 k

6,67 V

ID

VD

VTH

RTH

R3

666,67

1 k

6,67 V

Diodo ideal
V
RD

Anlise final do circuito equivalente.

Anlise da malha do circuito equivalente: VTH RTH ID R3 ID V RD ID = 0.

Corrente no diodo: 6,67 666,67 ID 1000 ID 0,7 5 ID = 0 ID =
que resulta em: ID = 5,09 mA.

6, 67 0, 7
,
1171, 67

Tenso no diodo: VD = Vo + RD ID VD = 0,7 + 5 (5,09 103) VD = 0,725 V.

c) Para a soluo do problema, pode-se utilizar qualquer mtodo de anlise. A soluo
apresentada utiliza o Teorema de Thvenin.
Definio dos pontos entre os quais ser determinado o circuito equivalente:

Definio do circuito a ser simplificado.

Respostas dos Exerccios

Aps a definio dos pontos, separam-se as duas partes, para a determinao de VTH
e RTH.

Tenso e resistncia equivalente do circuito entre os pontos A e B.

V
V
15

VTH = R 2
VTH = 0, 5 k
,

1
0
,
5
+
k
k
+
R1 + R 2
R
R

1
2
que resulta em: VTH = 5 V.

VTH = R2 I com I =

R R
1 k 0, 5 k
R TH = 1 2 R TH =
, que resulta em: RTH = 333,33 .
1
0
5
k
+
,
k
+
R
R

2
1
Determinado o equivalente de Thvenin, deve-se conectar a parte anteriormente desconectada.
RTH

V2

R2

2 k

5V

VTH

Circuito equivalente.

Calcula-se a corrente no diodo substitudo por seu equivalente adequado. No exemplo, V = 0,7 V e RD = 10 .
RTH
333,33 
VTH

5V

R2
2 k

V2
5V
D

ID

VD

VTH

RTH

R2

333,33 

2 k

5V

V2
5V
Diodo ideal
V
RD

Anlise final do circuito equivalente.

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Anlise da malha do circuito equivalente: VTH RTH ID R2 ID V2 V RD ID = 0.

0, 7
, que
2338, 33
implica uma corrente contrria, que obviamente no possvel. Portanto, conclui-se
que o diodo no conduz, resultando em: ID = 0 mA.

Corrente no diodo: 5 333,33 ID 2000 ID 5 0,7 5 ID = 0 ID =

Tenso no diodo: VD = 0. No h diferena de potencial nos terminais do diodo.

2) V R ILED VLED = 0 ILED =
ILED = 18,89 mA.

V V L1
5 1, 6
ILED =
, que resulta em:
180
R

3) V R ILED VLED = 0 V = R ILED + VLED V = 100 (25 103) + 3,5 V = 6 V.

4) a) Montando uma tabela de combinaes para as entradas A e B, considerando os nveis
de 0 e 5 V, tem-se:
Entrada A

Entrada B

1)

0V

0V

2)

0V

5V

3)

5V

0V

4)

5V

5V

Situao 1 com VA = 0 V e VB = 0. Como no h tenso aplicada s entradas, os diodos D1 e D2 esto cortados. No h corrente no LED, portanto ele est apagado.
Situao 2 com VA = 0 V e VB = 5 V. Como h tenso na entrada A, com VA = 5 V, h
corrente no LED, portanto ele est aceso.
Situao 3 com VA = 5 V e VB = 0 V. Como h tenso na entrada B, com VB = 5 V, h
corrente no LED, portanto ele est aceso.
Situao 4 com VA = 5 V e VB = 5 V. Como h tenso na entrada A, com VA = 5 V e
tambm na entrada B, com VB = 5 V, h corrente no LED, portanto ele est aceso.
Resumindo, tem-se:
Entrada A

Entrada B

LED (L)

1)

0V

0V

Apagado

2)

0V

5V

Aceso

3)

5V

0V

Aceso

4)

5V

5V

Aceso

O circuito executa a funo lgica ou.

Respostas dos Exerccios

b) 
Montando uma tabela de combinaes para as entradas A e B, considerando os nveis
de 0 e 5 V, tem-se:
Entrada A

Entrada B

1)

0V

0V

2)

0V

5V

3)

5V

0V

4)

5V

5V

Situao 1 com VA = 0 V e VB = 0. Os diodos D1 e D2 esto conduzindo. No h tenso suficiente no LED, portanto ele est apagado.
Situao 2 com VA = 0 V e VB = 5 V. O diodo D1 est conduzindo, e o diodo D2 est
cortado. No h tenso suficiente no LED, portanto ele est apagado.
Situao 3 com VA = 5 V e VB = 0 V. O diodo D1 est cortado, e o diodo D2 est conduzindo. No h tenso suficiente no LED, portanto ele est apagado.
Situao 4 com VA = 5 V e VB = 5 V. Os diodos D1 e D2 esto cortados, e o LED est
aceso.
Resumindo, tem-se:
Entrada A

Entrada B

LED (L)

1)

0V

0V

Apagado

2)

0V

5V

Apagado

3)

5V

0V

Apagado

4)

5V

5V

Aceso

O circuito executa a funo lgica e.

Captulo 2
1)
D1
V1

RL

VRL

Sada
Vm

Tenso do primrio
do transformador
V2

D2

Tempo

Retificador de onda completa com ponto central com transformador.

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Durante os semiciclos positivos de V1 (e negativos de V2), o diodo D1 conduz, pois est

diretamente polarizado, portanto h tenso na carga RL. Ao mesmo tempo, D2 est cortado (sem conduzir).
Durante os semiciclos positivos de V2 (e negativos de V1), o diodo D2 conduz, enquanto o
diodo D1 est cortado, portanto h novo ciclo de tenso em RL.
2)
Entrada

Sada

Vm
D4

Vm

D1

Tempo
D3

D2

Tempo

RL VRL
-Vm

Retificador de onda completa em ponte de diodos.

Durante os semiciclos positivos da tenso alternada de entrada, apenas D1 e D3 esto

diretamente polarizados e, portanto, conduzem.
Durante os semiciclos negativos da tenso alternada de entrada, D1 e D3 permanecem
cortados, enquanto D2 e D4 conduzem.
Deve-se considerar o dobro da queda de tenso (2 V) provocada pelos diodos, uma vez
que sempre dois diodos conduzem, enquanto outros dois permanecem cortados.
3) a) C
 onsiderando os diodos com tenso de conduo V, a tenso mdia retificada na
carga determinada pela expresso Vo = 0,318 (Vm V) Vo = 0,318 (42,42
0,7) Vo = 13,26 V, em que Vm = 30 2 V Vm = 42,42 V o valor mximo no
secundrio do transformador.
V
13, 26
, que
A corrente mdia que circula pela carga calculada por: Io = o Io =
RL
5
resulta em: Io = 2,65 A.
Frequncia da tenso na carga: fcarga = fentrada fcarga = 60 Hz.
A corrente mdia Io que circula pela carga tem o valor igual ao da corrente mdia IDo
no diodo, portanto IDo = 2,65 A IDo > 2,65 A.
No caso do retificador de meia-onda, deve-se considerar, para a escolha do diodo,
uma tenso de ruptura VBR superior ao valor mximo da tenso no secundrio do
transformador, VBR > Vm, portanto VBR > 42,42 V.

Respostas dos Exerccios

Secundrio do transformador
42,42

Tempo

-42,42

(a) Tenso no secundrio do transformador

Carga
41,72

Tempo
(c) Tenso na carga RL

Formas de onda de tenso.

3) b) Considerando-se os diodos com tenso de conduo V, a tenso mdia retificada na

carga determinada pela expresso: Vo = 0,636 (Vm V) Vo = 0,636 (8,48
0,7) = Vo = 4,95 V.
Vm = tenso em cada seo do secundrio do transformador: Vm = 6 2 V Vm = 8,48 V.
A corrente mdia que circula pela carga : Io =

Vo
4, 95
Io =
= Io = 0,49 A.
RL
10

Frequncia da tenso na carga: fcarga = 2 fentrada fcarga = 120 Hz.

A corrente mdia Io que circula pela carga tem o dobro do valor da corrente mdia
I
0, 49
IDo em cada diodo, portanto IDo = o IDo =
= IDo = 0,245 A.
2
2
Para a especificao, deve-se considerar: IDo > 0,245 A.
No caso do retificador de onda completa com transformador de derivao central,
deve-se considerar, para a escolha do diodo, uma tenso de ruptura VBR superior ao
valor mximo da tenso total no secundrio do transformador; VBR > Vm, portanto
VBR > 16,97 V.

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes


Formas de onda de tenso.

3) c) Considerando-se os diodos com tenso de conduo V, a tenso mdia retificada na

carga determinada pela expresso: Vo = 0,636 (Vm 2 V) Vo = 0,636 (16,97
1,4) Vo = 9,9 V.
Vm = tenso total do secundrio do transformador: Vm = 12 2 Vm = 16,97 V.
V
9, 9
Io =
A corrente mdia que circula pela carga calculada por: Io = o Io =
RL
10
0,99 A.
Frequncia da tenso na carga: fcarga = 2 fentrada fcarga = 120 Hz.
A corrente mdia Io que circula pela carga tem o dobro do valor da corrente mdia
I
0, 99
IDo em cada diodo, portanto IDo = o IDo =
IDo = 0,49A. Para a especifi2
2
cao, deve-se considerar: IDo > 0,49 A.
No caso do retificador de onda completa em ponte de diodos, deve-se considerar,
para a escolha do diodo, uma tenso de ruptura VBR superior ao valor mximo da
tenso total no secundrio do transformador; VBR > Vm, portanto VBR > 16,97 V.

Respostas dos Exerccios

Secundrio do transformador
16,97

Tempo

16,97

(a) Tenso no secundrio do transformador

Carga
15,57

Tempo

(b) Tenso na carga RL

Tenso no diodo

Diodo conduzindo

0,7
Tempo

-16,27

Diodo cortado

(c) Tenso no diodo D1

Tenso no diodo

Diodo conduzindo

0,7
Tempo

-16,27

Diodo cortado

(d) Tenso no diodo D3

10

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Tenso no diodo
Diodo conduzindo
0,7
Tempo

Diodo cortado
-16,27

(e) Tenso no diodo D2

Tenso no diodo
Diodo conduzindo
0,7
Tempo

Diodo cortado
-16,27

(f) Tenso no diodo D4

Formas de onda de tenso.

Captulo 3
1) Corrente mxima no Zener: IZmx =
Corrente na carga: IRL =

PZmx
VZ

IZmx =

1
IZmx = 0,1 A.
10

VZ
10
IRL =
IRL = 20 mA.
RL
500

A faixa de valores de R determinada por:

V VZ
V VZ
<R<
.
IZmx + IRL
IZmn + IRL

25 10
25 10
Substituindo os valores na equao, tem-se
<R<
, que

3
0,1 + 20 10
10 103 + 20 103
resulta em: 125 < R < 500 .
2) Corrente mxima no Zener: IZmx =

Respostas dos Exerccios

PZmx
VZ

IZmx =

1
IZmx = 0,1 A.
10
11

VZ
10
IRL =
IRL = 100 mA.
100
RL
Conhecendo o valor de R, tem-se: V = R (IZ + IRL) + VZ.

Corrente na carga: IRL =

Tenso mnima de entrada: Vmn = R (IZmn + IRL) + VZ Vmn = 220 (10 103 + 100
103) + 10 Vmn = 34,2 V.
Tenso mxima de entrada: Vmx = R (IZmx + IRL) + VZ Vmx = 220 (100 103 + 100
103) + 10 Vmx = 54 V.
3) Clculo da variao da tenso da fonte: V = Vfonte 0,1 Vfonte.
Vmn = 20 0,1 (20) = 18 V e Vmx = 20 + 0,1 (20) = 22 V.
Corrente mxima no Zener: IZmx =
Corrente na carga: IRL =

PZmx

IZmx =

VZ

1
IZmx = 161,29 mA.
6, 2

VZ
6, 2
IRL =
IRL = 12,4 mA.
500
RL

A faixa de valores de R determinada por:

Vmx VZ

Substituindo os valores na equao, tem-se:

IZmx

<R<

Vmn VZ
.
IZmn + IRLmx

22 6, 2
18 6, 2
<R<
, que resulta em:

161, 29 10 + 12, 4 10
15 10 3 + 12, 4 103
90,96 < R < 430,65 .
4) Clculo da variao da tenso da fonte: V = Vfonte 0,05 Vfonte.
Vmn = 10 0,05 (10) = 9,5 V e Vmx = 10 + 0,05 (10) = 10,5 V.
Corrente mxima no Zener: I

Zmx

PZmx
VZ

IZmx =

0, 4
IZmx = 53,33 mA.
7, 5

Tenso mnima de entrada: Vmn = R (IZmn + IRLmx) + VZ Vmn = R IRmn + VZ,

Vmn VZ
9, 5 7, 5
pois IRmn = IZmn + IRLmx IRmn =
IRmn =
, que resulta em:
R
50
IRmn = 40 mA. Logo, IRLmx = Imn IZmn IRLmx = 40 103 5,33 103, que resulta
em: IRLmx = 34,67 mA.
Tenso mxima de entrada: Vmx = R (IZmx + IRLmn) + VZ Vmx = R IRmx + VZ,
V
VZ
pois IRmx = IZmx + IRLmn IRmx = mx
IRmx = 10, 5 7, 5 , que resulta em:
R
50
IRmx = 60 mA. Logo, IRLmn = IRmx IZmx IRLmn = 60 10-3 53,33 10-3, que resulta
em: IRLmn = 6,67 mA.

12

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Portanto, tem-se: R Lmn =

R Lmx =

VZ

IRmn

R Lmx =

VZ

IRmx

R Lmx =

7, 5
34, 67 103

RLmn = 216,32 e

7, 5
RLmx = 1124,43 .
6, 67 103

5) Clculo da variao da tenso da fonte: V = Vfonte 0,05 Vfonte.

Vmn = 12 0,05 (12) = 11,4 V e Vmx = 12 + 0,05 (12) = 12,6 V.
Como a tenso desejada na carga de 7,5 V, valor que atende condio calculada, pois
menor que a tenso mnima (Vmn), ento o diodo Zener deve ter VZ = 7,5 V (lembre-se
de que o diodo Zener e a carga RL esto em paralelo). Escolhendo o diodo Zener, encontramos as especificaes da tabela a seguir. Para definir o diodo Zener, calculamos a corP
rente mxima de cada um pela frmula: IZmx = Zmx e a corrente mnima estimada em
VZ
10% do valor do IZmx. Resumindo os dados na tabela, temos:
Especificaes de diodos zener
Diodo Zener

IZmx

IZmn

D1

66,67 mA

6,7 mA

D2

200 mA

20 mA

Para definir a escolha, deve-se saber o valor da corrente mxima nas condies do circuito, fazendo uma verificao para os dois diodos. Utilizamos a frmula:
V
VZ
IZmx( projeto) = mx
)
(I
+I
Vmn VZ Zmn RLmx
P
0, 5
Corrente na carga: IRL = RL IRL =
IRL = 66,67 mA.
VRL
7, 5
(12, 6 7, 5)
Para o diodo D1: IZmx( projeto) =
(6, 7 103 + 66, 67 103 ) , resultando em
(11, 4 7, 5)
IZmx(projeto) = 95,94 mA.
(12, 6 7, 5)
Para o diodo D2: IZmx( projeto) =
(20 103 + 66, 67 103 ) , resultando em
(11, 4 7, 5)
IZmx(projeto) = 113,33 mA.
Deve-se definir o diodo Zener D2, pois a corrente especificada nas folhas de dados
(data sheets) maior que a prevista no projeto: IZmx > IZmx(projeto). Definido o diodo Zener D2, calculamos a faixa de valores do resistor de polarizao R do circuiV
VZ
Vmn VZ
to regulador de tenso, utilizando a frmula: mx

<R<
IZmx
IZmn + IRLmx
12, 6 7, 5

11, 4 7, 5

200 103 < R < (20 103 + 66, 67 103 )

Respostas dos Exerccios

, que resulta em: 25,5 < R < 45 .

13

Escolhendo um valor no meio da faixa, tem-se: R = 33 .

A potncia do resistor calculada considerando a entrada Vmx : IR =

Vmx VZ

12, 6 7, 5
, que resulta em: IR = 154,54 mA.
33
A potncia do resistor deve ser maior que PR = R IR2 PR = 33 (154,54 103)2, que
resulta em: PR = 0,79 W.
IR =

Captulo 4
1) Os modos de operao do transistor bipolar so trs: corte, linear e saturao. Essas formas de trabalho definem a operao do transistor como chave (corte e saturao) ou a
operao como amplificador no modo linear.
2) o modo de trabalho do transistor bipolar na regio linear, isto , as correntes do transistor
bipolar esto relacionadas por meio de uma equao de primeiro grau. Essas equaes so:
IC = IE e IC = IB
As constantes e so parmetros conhecidos a partir das especificaes do transistor,

em que: =
e =
; e so conhecidos por ganhos de corrente.
+1
1
3) a) Anlise da malha coletor-emissor, considerando transistor saturado e LED aceso:
VCC RC ILED VLED VCEsat = 0 R C =

VCC VLED VCEsat

ILED

10 1, 5 0, 5
, que resulta em: RC = 533,33 .
15 103
Anlise da malha de entrada, considerando transistor saturado e LED aceso:

Ento, R C =

Vchave(k) RB IB VBE = 0 R B =

Vchave(k ) VBE
IB

Clculo da corrente IB que satura o transistor: IB =

ta em: IB = 1,5 mA, portanto R B =

ILED
15 103
IB =
, que resulsat
10

5 0, 7
RB = 2,86 k.
1, 5 103

b) Com o transistor cortado e o LED aceso, determina-se RC, que limita a corrente no LED.
VCC RC ILED VLED = 0 R C =
RC = 900 .

14

VCC VLED
15 1, 5
RC =
, que resulta em:
ILED
15 103

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Anlise da malha coletor-emissor, considerando transistor saturado e LED apagado,

para a determinao da corrente de saturao do transistor: 15 RC ICsat VCEsat = 0
15 VCEsat
15 0, 5
ICsat =
, que resulta em: ICsat = 16,11 mA.
RC
900
Anlise da malha de entrada, considerando LED apagado com transistor saturado:
ICsat =

Vchave(k) RB IB VBE = 0 R B =

Vchave(k ) VBE
IB

Clculo da corrente IB que satura o transistor: IB =

Resulta em IB = 1,61 mA, portanto R B =
4)

3
ICsat
I = 16,11 10 .
B
sat
10

15 0, 7
RB = 8882 .
1, 61 103

Para o circuito, analisando-se a malha base-emissor, tem-se: + VEE RE IE VEB = 0

3 0, 7
V VEB
IE =
, que resulta em: IE = 4,1 mA.
IE = EE
560
RE
Considerando-se a operao linear do transistor, a equao IC = IE permite determinar
a corrente de coletor, logo: IC = 0,95 (4,1 10-3) IC = 3,9 mA.
Analisando-se a malha base-coletor, pode-se escrever: VBC RC IC + VCC = 0
VBC = VCC RC IC VBC = 12 2 103 (3,9 10-3), que resulta em: VBC = 4,2V.
Analisando-se o transistor, pode-se escrever: VEC = VBC + VEB VEC = 4,2 + 0,7, que
resulta em: VEC = 4,9V.
Justificativa: com base nos resultados encontrados, o transistor opera no modo linear,
pois a regio entre base e emissor encontra-se polarizada diretamente, e a regio entre
base e coletor encontra-se inversamente polarizada, como necessrio para a operao
nesse modo.

5)

Para o circuito mostrado, analisando-se a malha base-emissor, tem-se:

+ VEE RE IE VEB = 0 R =
E

VEE VEB
.
IE

Considerando-se o transistor operando na regio linear, tem-se: IC = IE, ento IE =

5 103
, que resulta em: IE = 5,26 mA.
0, 95
10 0, 7
que resulta em: RE = 1768 .
Logo, RE =
5, 26 103

IC

IE =

Respostas dos Exerccios

15

Analisando-se o transistor, pode-se escrever: VEC = VEB + VBC VBC = VEC VEB
VBC = 5 0,7, que resulta em: VBC = 4,3 V.
Analisando-se a malha base-coletor, pode-se escrever: VBC RC IC + VCC = 0
V VBC
40 4, 3
R C = CC
, que resulta em: RC = 7140 .
RC =
IC
5 103
6) a) Para o circuito mostrado, analisando-se a malha base-emissor, tem-se: + VBB RB IB

VBE = 0 R =
B

VBB VBE
.
IB

Considerando-se o transistor operando na regio linear, tem-se: IC = IB

I
15 103
IB = C IB =
, que resulta em: IB = 0,15 mA.

100
5 0, 7
, que resulta em: RB = 28,67 k.
Logo, R B =
0,15 103
Analisando-se a malha coletor-emissor, pode-se escrever: VCE + RC IC VCC = 0
VCC VCE
20 10
RC =
, que resulta em: RC = 0,67 k.
IC
15 103
b) Para o circuito mostrado, analisando-se a malha base-emissor, tem-se:
RC =

V VBE
+ VCC RB IB VBE = 0 R = CC
.
B
IB
Considerando-se o transistor operando na regio linear, tem-se: IC = IB
I
15 103
IB = C IB =
, que resulta em: IB = 0,15 mA.

100
20 0, 7
Logo, R B =
, que resulta em: RB = 128,67 k.
0,15 103
7) Anlise da malha coletor-emissor, considerando transistor saturado, para a determinao da corrente de saturao do transistor: + VCC RC ICsat VCEsat = 0
V VCEsat
5 0, 5
ICsat =
, que resulta em: ICsat = 4,5 mA.
ICsat = CC
1k
RC
I
4, 5
IB > 45 A.
Com = 100, a corrente que satura o transistor : IB > C IB >

100
Para o circuito mostrado, analisando-se a malha base-emissor, tem-se: + VCC RB IB
V VBE
5 0, 7
VBE = 0 R = BB
RB <
RB < 95,55 k.
B
45 106
IB

16

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

8) Adotando-se VRE = 0,1 VCC, resulta em: VRE = 1,5 V.

No modo linear de operao, vlido IC = IB IB =
Como IE = IC + IB IE = IC +
IE = 15,15 mA.
Como VRE = RE IE R E =

IC
.

IC
15 103
IE = 15 103 +
, que resulta em:

100

VRE
1, 5
RE =
, que resulta em: RE = 99 .
IE
15,15 103

Analisando-se a malha coletor-emissor, obtm-se: VCC = VCE + RC IC + VRE. Portanto,

VCC VCE VRE
15 7, 5 1, 5
RC =
, que resulta em: RC = 400 .
IC
15 103
Analisando-se a malha base-emissor, obtm-se: VRB2 = VBE + VRE, que resulta em:
VRB2 = 2,2 V.
RC =

Adotando-se o valor da corrente, IB2 = 10 IB resulta em: IB2 = 1,5 mA.

Com o valor de VRB2 obtido a partir de VBE e VRE, tem-se: RB2 IB2 = VBE + VRE. Portanto, R B2 =

VBE + VRE
2, 2
R B2 =
, que resulta em: RB2 = 1,46 k.
IB2
1, 5 103

Uma vez obtido o valor de VRB2, pode-se determinar o valor de RB1. Analisando-se
o divisor de tenso, obtm-se: VRB1 = VCC VRB2 VRB1 = 15 2,2, que resulta em:
VRB1 = 12,8 V.
A corrente atravs de RB1 ser a soma de IB2 e IB IB1 = 0,15 10-3 + 1,5 10-3, que resulta
em: IB1 = 1,65 mA.
Logo, R B1 =

VRB1
12, 8
R B1 =
, que resulta em: RB1 = 7,76 k.
IB1
1, 65 103

9) a) Aplicando-se o Teorema de Thvenin na base do transistor, tem-se:

VBB =
RB =

VCC
15
10 k , que resulta em: VBB = 2,27 V.
R 2 VBB =
56 k + 10 k
R1 + R 2

R1 R 2
56 k 10 k
RB =
, que resulta em: RB = 8,48 k. Logo, o circuito
56 k + 10 k
R1 + R 2

equivalente fica definido:

Respostas dos Exerccios

17

IC
RC
VRB
IB

VCB

RB

VCC

VCE
VBE

IE

VBB
RE

VRE

Circuito equivalente.

Vamos fazer a anlise do circuito equivalente:

Anlise da malha base-emissor: VBB RB IB VBE VRE = 0. Substituindo VRE =
RE IE na equao, ento: VBB RB IB VBE RE IE = 0.
A corrente de emissor igual soma de IB e IC, portanto: IE = IC + IB.
No modo linear de operao, IC = IB. Substituindo-se na equao anterior e simpliIE
.
+1
Substituindo-se IE na equao da malha base-emissor, tem-se:

ficando, tem-se: IE = IB + IB IE = IB ( + 1) IB =

V VBE
I
2, 27 0, 7
, que
VBB R B E VBE R E IE = 0 IE = BB
IE =
RB
8, 48 k
+1
+ 200
+ RE
(100 + 1)
+1
resulta em: IE = 5,53 mA.
Como IE = IB + IB IB =

IE
5, 53 103
IB =
, que resulta em: IB = 54,7 A,
+1
100 + 1

portanto IC = IB IC = 100 (54,7 10-6), que resulta em: IC = 5,47 mA.

Anlise da malha coletor-emissor: VCC RC IC VCE VRE = 0 VCE = VCC RC
IC VRE. Portanto, substituindo os valores na equao, a tenso entre coletor e emissor
vale: VCE = 15 1 103 (5,47 10-3) 200 (5,53 10-3), que resulta em: VCE = 8,42 V.
b) Aplicando-se o Teorema de Thvenin na base do transistor, tem-se:
VCC
12
4, 7 k , que resulta em: VBB = 2,11 V.
VBB =
R 2 VBB =
22 k + 4, 7 k
R1 + R 2
RB =

22 k 4, 7 k
R1 R 2
RB =
, que resulta em: RB = 3,87 k. Logo, o circuito
22 k + 4, 7 k
R1 + R 2

equivalente fica definido:

18

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

IC
RC
VRB
IB

VCB

RB

VCC

VCE
VBE

IE

VBB
RE

VRE

Circuito equivalente.

Vamos fazer a anlise do circuito equivalente:

Anlise da malha base-emissor: VBB RB IB VBE VRE = 0. Substituindo VRE =
RE IE na equao, ento: VBB RB IB VBE RE IE = 0.
A corrente de emissor igual soma de IB e IC, portanto: IE = IC + IB.
No modo linear de operao, IC = IB. Substituindo-se na equao anterior e simpliI
ficando, tem-se: IE = IB + IB IE = IB ( + 1) IB = E .
+1
Substituindo-se IE na equao da malha base-emissor, tem-se:
V VBE
I
2,11 0, 7
VBB R B E VBE R E IE = 0 IE = BB
, que
IE =
RB
3, 87 k
+1
+ 500
+ RE
(100 + 1)
+1
resulta em: IE = 2,62 mA.
IE
2, 62 103
IB =
, que resulta em: IB = 25,93 A,
+1
100 + 1
portanto IC = B IC = 100 (25,93 106), que resulta em: IC = 2,59 mA.

Como IE = IB + IB IB =

Anlise da malha coletor-emissor: VCC RC IC VCE VRE = 0 VCE = VCC RC

IC VRE. Portanto, substituindo os valores na equao, a tenso entre coletor e emissor
vale: VCE = 12 2 103 (2,59 103) 500 (2,62 103), que resulta em: VCE = 5,51 V.
10) Anlise da malha coletor-emissor:
IC

25 103
) I = 25,25 mA
100

V VCE
40 20
RC =
RC = 792,1
VCC RC I VCE = 0 R C = CC
25, 25 103
I
I = IE = (IC +

Respostas dos Exerccios

) I = (25 103 +

19

Anlise da malha base-emissor:

VCC RC (IC + IB) RB IB VBE = 0 R B =

RB =

VCC R C I VBE

IB

40 792,1 (25, 25 103 ) 0, 7

RB = 77,2 k
0, 25 103

Captulo 5
1) A tenso V diminui com o aumento da corrente. Essa condio real de funcionamento da
fonte de tenso denomina-se regulao de tenso na carga. Uma fonte ter boa regulao
de tenso se a variao da tenso nas condies de sada sem carga (em aberto) e de sada
com carga mxima (mxima corrente de sada) for pequena.
Re gulao =

V(aberto) V(carga mxima )

V(carga mxima )

A expresso permite calcular o fator de regulao de carga que qualifica a fonte como
tendo boa ou m regulao. Quanto menor o fator, melhor a regulao de tenso, isto ,
menor a diferena entre as tenses de sada sem carga e com carga mxima.
P
1, 5
IZmx = 0,2 A.
2) Corrente mxima no Zener: IZmx = Zmx IZmx =
7, 5
VZ
Tenso na carga: VRL = 7,5 V.
Corrente mxima na carga: IRLmx =
Corrente mnima na carga: IRLmn

VRL

IRLmx =

7, 5
IRLmx = 0,15 A.
50

R Lmn
7, 5
V
IRLmn = 75 mA.
= RL IRLmn =
100
R Lmx

Deve-se escolher um transistor com IC maior que o calculado: IC > IRLmx.

Corrente na base do transistor: Como o transistor deve operar no modo linear, ento:
I
IB = E . com IE = IRL
+1
I
0,15
, que resulta em: IBmx =
Corrente mxima na base: IBmx = E IBmx =
+1
101
1,48 mA.
Corrente mnima na base: IBmn =

IE
75 103
IBmn =
, que resulta em: IBmn = 0,74 mA.
101
+1

Clculo da variao da tenso da fonte: V = Vfonte 0,05 Vfonte.

Vmn = 12 0,05 (12) = 11,4 V e Vmx = 12 + 0,05 (12) = 12,6 V.

20

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

A faixa de valores de R determinada por:

Vmx VZ

IZmx + IBmn

<R<

Vmn VZ
.
IZmn + IBmx

Substituindo os valores na equao, tem-se:

12, 6 7, 5
11, 4 7, 5
<R<
, resultando em: 25,4 < R < 339,57 .

3
0, 2 + 0, 74 10
10 103 + 1, 48 103
3) Corrente mxima no Zener: IZmx =
Tenso na carga: VRL = 5,6 V.

PZmx
VZ

IZmx =

1
IZmx = 178,57 mA.
5, 6

VRL
.
RL
Considerando a faixa definida de RL = 15 a 25 , tem-se:
Corrente na carga: IRL =

IRLmx =

VRL

R Lmn
VRL

IRLmx =

5, 6
IRLmx = 0,37 A
15

5, 6
IRLmn = 0,22 A
25
R Lmx
I
Corrente no resistor RB: IRB = IZ IB IRB = IZ C .

Considerando a situao crtica do Zener com IZmn e desprezando a corrente de base IB:
IRLmn =

IRLmn =

IC
IRB = IZmn, que resulta em: IRB = 15 mA.

V
0, 7
, que resulta em: RB = 46,67 .
Clculo de RB: R B = BE R B =
IRB
15 103
Corrente de coletor: ICmx = IBmx ICmx = (IZmx IRB)
IRB = IZ

ICmx = 80 (178,57 10-3 15 103) ICmx = 13,08 A. Deve-se escolher um transistor

com IC maior que o calculado: IC > ICmx.
ICmn = IBmn ICmn = (IZmn IRB) ICmn = 0.
Clculo da variao da tenso da fonte: V = Vfonte 0,05 Vfonte.
Vmn = 10 0,05 (10) = 9,5 V e Vmx = 10 + 0,05 (10) = 10,5 V.
A faixa de valores de R determinada por:
Vmx VZ VBE

IZmx + ICmx + IRLmn

Respostas dos Exerccios

<R<

Vmn VZ VBE
IZmn + ICmn + IRLmx.

21

Substituindo-se os valores na equao, tem-se:

10, 5 5, 6 0, 7
9, 5 5, 6 0, 7
<R<

3
178, 57 10 + 13, 08 + 0, 22
15 103 + 0 + 0, 37
Portanto, 0,31 < R < 8,31 .
4) Corrente mxima no Zener: IZmx =

PZmx
VZ

= IZmx =

1, 5
IZmx = 0,15 A.
10

Corrente na base do transistor: como o transistor deve operar no modo linear, ento
IB =

IE
.
+1

Na malha base-emissor, tem-se: VRE = VZ VBE VRE = 10 0,7 VRE = 9,3 V.

Corrente na carga: IRL = 500 mA.
Corrente na base do transistor: IB =
IB = 3,33 mA.

IC

e IRL = IC IB =

IC

IB =

500 103

150

Como IE = IC + IB IE = 500 m + 3,33 m IE = 503,33 mA.

Deve-se escolher um transistor com IC maior que o calculado: IC > IRLmx. Portanto,
V
6, 8
R E = RE R E =
RE = 67,32 .
IE
101 103
A faixa de valores de R determinada por:

Vmx VZ
IZmx + IB

<R<

Vmn VZ
.
IZmn + IB

Clculo da variao da tenso da fonte: V = Vfonte 0,05 Vfonte.

Vmn = 25 0,05 (25) = 23,75 V e Vmx = 25 + 0,05 (25) = 26,25 V.
Substituindo-se os valores na equao, tem-se:

26, 25 10
23, 75 10
, resultando em: 106 < R < 750 .
<R<

3
0,15 + 3, 33 10
15 103 + 3, 33 103
Considerando-se, por exemplo, um VCEmn = 0,5 V, tem-se: VRL = V VCE VRE = 0
VRLmx = Vmn VCE VRE = 0 VRLmx = 23,75 0,5 9,3 VRLmx = 13,95 V.
V
13, 95
, que resulta
Como VRLmx = RLmx IRL, ento: R Lmx = RLmx R Lmx =
3

500
10
I
RL
em: R
= 27,9 .
Lmx

22

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

5) O transistor Darlington um tipo especial de transistor de alto ganho. Trata-se, basicamente,

de dois transistores acoplados diretamente, como se mostra na figura. A principal caracterstica do transistor Darlington produzir um alto ganho de corrente que , aproximadamente, o
produto dos ganhos individuais de 1 e 2 dos transistores internos, isto : 1 2.
C

1

2

Transistor Darlington.

6) O dissipador de calor um dispositivo utilizado para aumentar a rea de contato com

o ar, facilitando a troca de calor do dispositivo com o meio ambiente, a fim de elevar a
potncia dissipada. Nas especificaes tcnicas fornecidas pelos fabricantes de semicondutores, um dos dados mais importantes a mxima dissipao de potncia, para que no
se destrua o componente por excesso de calor produzido durante o funcionamento. A
figura mostra o uso do dissipador.

Furo para fixao

CI - circuito integrado

Dissipador

Dissipador

Isolador eltrico

CI - circuito integrado

Utilizao do dissipador de calor.

7)
Entrada
D4

Sada
1

D1

78XX

2
Tenso do primrio
do transformador

+
D3

Terra
C1

C2

C3

RL

D2

Retificador com filtro capacitivo e regulador de tenso integrado.

Respostas dos Exerccios

23

VRL

8)
D1

Entrada

Sada
3

317
1

Tenso do primrio
do transformador

R2
Ajuste

C1

C2

RL

VRL

R1

D2

Retificador com filtro capacitivo e regulador de tenso integrado.

Captulo 6
1) Para o circuito considerado, analisando-se a malha porta-fonte, tem-se: como IG = 0,
ento VGG VGS = 0 VGS = VGG, que resulta em: VGS = 2 V.
2

Da Equao de Shockley, IDS

em: IDS = 1,8 mA.

2
V
2
GS

= IDSS 1
IDS = 5 10 1 , que resulta

Vp
5

Analisando-se a malha dreno-fonte, tem-se: + VDD RD IDS VDS = 0 e VDS = VD

VD = VDD RD IDS VD = 20 1,5 103 (1,8 10-3) VD = 17,3 V.
2) Para o circuito considerado, analisando-se a malha porta-fonte, tem-se: 0 VGS RS IDS
= 0 VGS = RS IDS R S =

VGS
IDS

. Portanto, R S =

1
2 103

, que resulta em: RS = 0,5 k.

Logo, RD + RS = 10 103 RD = 10 103 RS, que resulta em: RD = 8,8 k.

Analisando-se a malha dreno-fonte, tem-se: + VDD RD IDS VDS RS IDS = 0

RD =

VDD VDS R S IDS

15 7, 5 500 (2 103 )
RD =
RD = 3250 .
2 103
IDS

3) Anlise da malha porta-fonte: VGS = VDS.

Anlise da malha dreno-fonte: como ID = IS = IDS + VDD RD IDS VDS = 0. Portanto, R =

D

VDD VDS
R D = 20 3, 5 RD = 110 .
150 103
IDS

4) Clculo de k: k =

ID(on)

[VGS(on) VT ]2

k=

8 103
mA
k = 0, 5
.
2
[8 4]
V2

Para VGS = 6 V IDS = k (VGS VT)2 IDS = 0,5 103 (6 4)2 IDS = 2 mA.

24

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Analisando-se a malha dreno-fonte, tem-se: + VDD RD IDS VDS = 0 VDS = VDD

RD IDS VDS = 16 2 103 (2 103), portanto VDS = 12 V.
5) Aplicando-se o Teorema de Thvenin na porta do transistor, tem-se:
VGG =

VDD
6
R G2 VGG =
100 103 , que resulta em:
3
R G1 + R G2
900 10 + 100 103

VGG = 0,6 V.
RG =

R G1 R G2
900 103 100 103
RG =
, que resulta em: RG = 90 k. Logo, o circui900 103 + 100 103
R G1 + R G2

to equivalente fica definido:

IDS
RD
VDD

RG

VDS
VGS

VGG

RS

Circuito equivalente.

Para o circuito considerado, analisando-se a malha porta-fonte, tem-se: + VGG RG IG

VGS RS IDS = 0 + VGG VGS RS IDS = 0, pois RG IG = 0; logo, + 0,6 VGS 240
0, 6 VGS
IDS = 0 IDS =
.
240
V
1
A equao da reta de carga pode ser escrita da seguinte forma: IDS = VGS + GG ,
RS
RS
1
0, 6
portanto IDS =
.
VGS +
240
240
2
2
V
VGS
GS

3
IDS = 4 10 1
Da Equao de Shockley: IDS = IDSS 1
.

Vp

Igualando as equaes, tem-se: 0, 6 VGS = 4 103 1 VGS .

240
2

Desenvolvendo, chega-se a: 0, 6 VGS

V
= 0, 96 1 GS . Simplificando, tem-se:
2

0,96 VGS2 + 7,84 VGS + 1,44 = 0.

Resolvendo, encontra-se, como resposta possvel (valor negativo menor ou igual a Vp),
VGS = 0,188 V, portanto IDS = 3,28 mA.

Respostas dos Exerccios

25

Analisando-se a malha dreno-fonte, tem-se: + VDD RD IDS VDS RS IDS = 0

VDS = VDD (RD + RS) IDS; logo, VDS = 6 (500 + 240) 3,28 103, que resulta em:
VDS = 3,57 V.
6) Aplicando-se o Teorema de Thvenin na porta do transistor, tem-se:
VGG =

VDD
12
R G2 VGG =
1,1 106 , que resulta em:
6
6
10 10 + 1,1 10
R G1 + R G2

VGG = 1,19 V.
RG =

R G1 R G2
10 106 1,1 106
RG =
, que resulta em: RG = 0,99 M. Logo, o cir10 106 + 1,1 106
R G1 + R G2

cuito equivalente fica definido:

+VDD
RD
RG

VGG

Circuito equivalente.

Para o circuito considerado, analisando-se a malha porta-fonte, tem-se: como IG = 0,

ento VGG VGS = 0 VGS = VGG, que resulta em: VGS = 1,19 V.
2

Da Equao de Shockley: IDS

em: IDS = 6,13 mA.

2
V
1,19
GS

3
IDS = 4 10 1
= IDSS 1
, que resulta

5
Vp

Analisando-se a malha dreno-fonte, tem-se: + VDD RD IDS VDS = 0 VDS = VDD

RD IDS; logo, VDS = 12 (1,2 103) 6,13 103, que resulta em: VDS = 4,64 V.

26

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Captulo 7
1) Anlise do circuito em corrente contnua:
RC
RB1

RC
IB

VCC

RB

VCE

VCC

IE
Equivalente

RB2

RE

VBB

VBE
RE

Circuito equivalente CC.

VBB =

VCC
15
10 k VBB = 2,27 V
R 2 VBB =
56 k + 10 k
R1 + R 2

RB =

R1 R 2
56 k 10 k
RB =
RB = 8,48 k
56 k + 10 k
R1 + R 2

Anlise da malha base-emissor:

VBB RB IB VBE VRE = 0 VBB RB IB VBE RE IE = 0
Para o transistor operando no modo linear, pode-se escrever: IE = IB + IB. Como
I
IE = IC + IB IE = IB ( + 1) IB = E . Substituindo IB na equao da malha
( + 1)
V VBE
I
base-emissor, tem-se: VBB R B E VBE R E IE = 0 IE = BB
. Logo,
RB
+1
+ RE
(

+
1
)
2, 27 0, 7
, que resulta em: IE = 5,16 mA.
IE =
8, 48 k
+ 220
(100 + 1)
Supondo operao a 25 C, a resistncia CA do emissor (resistncia dinmica do emissor)
: re =

25 mV
25 mV
re =
, que resulta em: re = 4,84 .
IE
5,16 mA

O ganho de tenso calculado por:

vo
R R
R
1 k 1 k
,
, em que R = C L R =
1 k +1 k
vi
re
RC + RL

que resulta em: R = 0,5 k v o 0, 5 k v o 103, 3 , resultando, por sua vez, em:
4, 84
vi
vi
Av = 103,3.
Impedncia de entrada do circuito: Zi = RB1 // RB2 // Zi(base).

Respostas dos Exerccios

27

Zi(base) = re Zi(base) = 100 (4,84), que resulta em: Zi(base) = 484 . Portanto, Zi = 56 k
// 10 k // 484 Zi = 457,86 .
Impedncia de sada: Zo = RC // Zo(coletor), mas Zo(coletor) = (impedncia da fonte ideal
de corrente em aberto). Portanto, Zo RC Zo = 1 k.
2) VBB =
RB =

VCC
15
10 k VBB = 2,27 V
R 2 VBB =
56 k + 10 k
R1 + R 2

R1 R 2
56 k 10 k
RB =
RB = 8,48 k
56 k + 10 k
R1 + R 2

Anlise do circuito em corrente contnua:

RC
RB1

RC
IB

VCC

RB

VCE

VCC

IE
RB2

Equivalente
RE

VBE

VBB

RE

Circuito equivalente CC.

Anlise da malha base-emissor: VBB RB IB VBE VRE = 0.

Substituindo VRE = RE IE na equao anterior: VBB RB IB VBE RE IE = 0.
A corrente de emissor igual soma de IB e IC, portanto: IE = IC + IB.
No modo linear de operao, IC = IB. Substituindo-se na equao anterior e simplificando, tem-se: IE = IB + IB IE = IB ( + 1).
Substituindo-se IE na equao da malha base-emissor, tem-se: VBB RB IB VBE
RE IB ( + 1) = 0 IB =
IB =

VBB VBE
. Portanto, a corrente de emissor vale:
R B + R E ( + 1)

2, 27 0, 7
IB = 51,14 A.
8, 48 k + 220 (101)

No modo linear de operao: IC = IB IC = 100 (51,14 106) IC = 5,11 mA.

Com Vpp = 2 ICQ rc, em que rc = RC // RL rc = 1 k // 1 k rc = 0,5 k.
Vpp2
(5,11)2
Vpp = 2 (5,11 103) 0,5 103 Vpp = 5,11 V. Portanto, PL =

PL =
8 (1 k )
8 RL
PL = 3,26 mW.

28

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Potncia fornecida pela fonte e rendimento: a potncia fornecida pela fonte igual ao produto da tenso e da corrente mdia fornecida, portanto: PF = VCC IC PF = 15 (5,11
103) PF = 76,65 mW.

PL
3, 26 103

=
O rendimento do amplificador classe A , portanto,
PF
76, 65 103
0,0425, ou, percentualmente, % = 4,25 %.
3) Anlise CC do circuito: a tenso de polarizao entre coletor e emissor de cada transistor
igual a VCC, pois a tenso total do circuito igual a duas vezes VCC, portanto Vpp = 40 V.
Potncia na carga: PL =

Vpp2
8 RL

PL =

(40)2
, que resulta em: PL = 12,5 W.
8 (16)
I

RB1

VCEQ
RB

VCC

VB
I
VCEQ

VCC

RB2

Amplificador de udio classe AB.

Potncia fornecida pela fonte: PF = V Imdio.

VCC
20
Vmdio = 6,36 V.
Vmdio =

6, 36
V
, que resulta em:
= mdio Imdio =
16
RL

Tenso mdia de meio ciclo senoidal: Vmdio =

A corrente mdia de meio ciclo : Imdio

Imdio 0,4 A. Portanto, a potncia fornecida pela fonte : PF = 40 (0,4) PF = 16 W.

PL
12, 5
= 0,78, ou,
=
O rendimento do amplificador classe AB , portanto, =
PF
16
percentualmente, 78 %.

Captulo 8
1) Equao do amplificador operacional: Vo = Av (V+ V) 15 = 104 (10 V)
15
= 10 V V = 10 + 0,0015 V = 10,0015 V, portanto maior que a referncia.
104
Vo
15
R 2 VR2 =
5 k ,
10 k + 5 k
R1 + R 2
portanto: VR2 = +5 V. A tenso de sada uma onda quadrada com tenso de pico igual a
+15 V.

2) A tenso de sada em R2 calculada por: VR 2 =

Respostas dos Exerccios

29

Entrada

+5 V

Tempo
-5 V

Sada
+15 V

Tempo
-15 V

Formas de onda da tenso de entrada e sada.

15 k
R
V Vo = 7,5 Vi, por Vi Vo =
2k i
Ri
tanto a tenso de sada : Vo = 7,5 (1,5) Vo = 11,25 V.

3) A tenso de sada calculada por: Vo =

R
10 k
V Vo = 6 Vi,
4) A tenso de sada calculada por: Vo = 1 + Vi Vo = 1 +
2 k i

Ri
portanto a tenso de sada : Vo = 6 (1) Vo = 6 V.
5) A tenso de sada calculada por: Vo = Vi Vo = 2 V.
R
15 k
V Va = 3 Vi Va =
6) A tenso na sada do inversor : Va = 2 Vi Va =
5k i
R1
3 (0,3) Va = 0,9 V.
R
10 k
A tenso de sada do no inversor : Vo = 1 + 4 Va Vo = 1 +
(0, 9) Vo = 1,8 V.
10
k
R

V V
7) A tenso de sada do primeiro somador inversor : Va = R 3 1 + 2
R1 R 2
0
15
0
2
,
(

,
)

Va = 40 k
+
Va = 0,2 V.
10 k 20 k
V V
A tenso de sada do segundo somador inversor : Vo = R 6 a + 3
R 4 R5
(0, 2) (0, 25)
+
Vo = 20 k
Vo = 0,15 V.
20 k
10 k
R
20 k
8) Com R1 = R3 e R2 = R4, tem-se: Vo = 2 ( V2 V1 ) Vo =
( 5 3) Vo = 16 V.
10 k
R1

30

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

9) A tenso de sada calculada por:

2 RA
Vo = 1 +
R

10)

2 20 k
( V2 V1 ) Vo = 1 + 10 k ( 3 2 ) Vo = 5 V.

Entrada

Tempo

Vi

Ic

R
Sada

A
Vo
+

Tempo

Circuito diferenciador inversor.

Formas de onda da tenso de entrada e sada.

11)
Ic
I
Vi

Entrada

A
Vo

Tempo

Sada
Tempo

Circuito integrador inversor.

Formas de onda da tenso de entrada e sada.

Captulo 9
1) Em relao ao exemplo dado no texto, para a Figura 9.4, como a frequncia praticamente
dobrou, podem-se manter todos os componentes iguais, alterando-se apenas os capacitores para o valor comercial 120 nF.
A frequncia de oscilao resultaria:
fo =

Respostas dos Exerccios

1
2 390 120 109

1
1000
6+4.
390

= 843, 5 Hz

31

2) Para a frequncia de oscilao de 1 kHz, dos valores oferecidos, podemos selecionar

RA = RB = 6,8 k e calcular C = 22 nF, o que resulta em uma frequncia de 1064 Hz. Para
os resistores de ganho atenderem restrio de ganho igual a 2, podemos escolher R2 =
150 k e R1 = 75 k.
Outra soluo possvel seria escolher os resistores com valor de 3,3 k e os capacitores
com valor de 47 nF.
3) Com os diodos 1N4733, que tm 5,1 V de tenso Zener, colocados em srie, a sada fica
limitada em aproximadamente (5,1 + 0,7) = 5,8 V. Se colocarmos os diodos em antiparalelo com a sada do operacional, a sada ficar limitada em aproximadamente 0,5 V, pois,
quando a tenso de sada fica positiva, em vez de o diodo Zener que est polarizado negativamente conduzir, antes dele, o outro diodo entra em conduo no sentido direto. Para
evitar esse problema, podemos colocar diodos retificadores normais em srie com os diodos Zener, ficando a sada limitada em um nvel maior de tenso. Teoricamente, como na
figura, a sada deveria ficar limitada em (5,1 + 0,7 + 0,7) = 6,5 V. O resultado da simulao
indica limitao em 6,64 V. O valor de limitao pode ser ajustado conforme desejado,
acrescentando-se mais diodos, se necessrio.

Oscilador em ponte de Wien com limitao de tenso de sada.

4) A frequncia de oscilao seria:

fo =

32

1
2 L C

=
eq

1
2 5 103 165 109

= 5, 54 kHz

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

5) Analisando-se um kit comercial de desenvolvimento de microcontroladores, encontramos

um exemplo de frequncia de oscilao do cristal de 4,000 MHz, o que significa uma preciso at a casa de milsimo de MHz.
Mais informaes sobre como os cristais so cortados para determinada frequncia de
oscilao podem ser obtidas, por exemplo, no site do Prof. Newton Braga: <http://www.
newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/3081-art423>. H tambm muita informao disponvel em outros sites da Internet. Outro exemplo, de um fabricante de microcontrolador, o AN820, da Microchip, disponvel no site do fabricante.

U1: A
Q 1

5 D

S 6

6 J

S 7

6) Um flip-flop um multivibrador biestvel que pode ser utilizado em diferentes aplicaes.

Um dos mais estudados o flip-flop do tipo JK, cujo smbolo mostrado na figura (a).
U2: A
Q 1

3
CLK

CLK

4 R

4 R

5
Q

4027
4013

(a) Flip-flop tipo JK
(b) Flip-flop tipo D

Tipos mais utilizados de flip-flops.

O flip-flop JK possui duas entradas J e K e duas sadas complementares Q e Q# (muitas

vezes, tambm indicado, como no desenho, por uma barra sobrescrita, ou seja, Q). A sada Q pode estar no nvel lgico 1 ou no 0, enquanto a sada Q# ter, a cada instante, um
valor complementar (respectivamente, 0 ou 1). A tabela-verdade mostra o funcionamento do flip-flop JK:
J

Qf

Qa

Qa

Quando as entradas forem ambas nulas, o flip-flop permanecer em seu estado anterior
(o ndice a em Qa significa justamente anterior). Se forem ambas iguais a 1, a sada ser
o complemento do estado anterior. Quando J = 1, a sada ser 1, e quando K = 1, a sada
ser 0. As entradas S (set) e R (reset) servem para definir um estado inicial conhecido
para o flip-flop.
Com os flip-flops, podem ser projetados diversos circuitos digitais com muitas aplicaes,
por exemplo, contadores.
A figura (b) mostrou um flip-flop tipo D que possui apenas uma entrada. Na transio do
clock, a entrada copiada na sada. Os flip-flops tipo D so a base para a construo de
memrias RAM estticas, utilizadas nos computadores.

Respostas dos Exerccios

33

7) Usando duas portas NOR com as entradas em curto-circuito, teremos implementado um

inversor, pois (0 + 0) = 1 e (1 + 1) = 0 . O circuito ficar como na figura:

Oscilador com portas NOR.

8) Em um amplificador operacional conectado como comparador, suponha que o capacitor esteja descarregado e que a tenso de sada tenha ido para +VCC = 15 V. A tenso no
pino 3 do amplificador operacional ser dada pelo divisor formado pelos resistores R2 e
R3, sendo calculada por:
V3 =

VCC R 3
R2 + R3

15 . 47 . 103
82 . 103 + 47 . 103

= 5, 47 V

Analogue analysis
20.0 U1 (OP)
C1 (2)

10.0

0.00

-10.0

-20.0
150 M

160 M

170 M

180 M

Astvel com amplificador operacional.

34

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Desse modo, o capacitor inicia sua carga no sentido de +VCC, enquanto o comparador
permanece em seu estado atual, uma vez que a entrada + (pino 3) mais positiva que
a entrada (pino 2). Pouco aps o capacitor atingir 5,47 V, a entrada ficar mais
positiva do que a entrada +, e a sada do comparador ir para o outro extremo, VCC. O
capacitor passar a descarregar-se, e assim continuar, at que sua tenso se inverta e atinja
5,47 V, quando voltar a repetir-se a inverso de estado do comparador. As oscilaes
so permanentes, e o perodo dado por (MILMAN; HALKIAS, p 136, 1981):
T = 2 R1 C1 ln

1+
1

O valor de a relao entre a tenso realimentada no pino 3 e a tenso de sada, no caso,

= 5,47/15 = 0,365.
Substituindo os valores, obtemos:
T = 2 82 103 100 109 ln

1 + 0, 365
= 12, 6 ms
1 0, 365

Isso resulta em uma frequncia de 79,7 Hz. Esse um valor prximo do exibido no grfico (aproximadamente 79,36 Hz).
9) Para 5 kHz, o perodo de 200 s. O intervalo de permanncia em VCC = 15 V de 160 s
(que corresponde carga do capacitor), e o de permanncia em 0 V de 40 s (que corresponde descarga do capacitor).
Usando a expresso de descarga e considerando um capacitor de 15 nF, o valor de R2 pode
ser calculado por:
t desc arg a = 0, 695 (R 2 ) C1

R2 =

t desc arg a
0, 695 C1

40 106
= 3837
0, 695 15 109

Podemos escolher um valor comercial de 3900 .

Com esse valor, podemos calcular R1 a partir do tempo de carga:
t c arg a = 0, 695 (R1 + R 2 ) C1
R1 =

t c arg a
0, 695 C1

R2 =

160 106
3, 9 103 = 11, 45 103
9

0, 695 15 10

Escolhendo valores comerciais de R1 = 11 k e R2 = 3,9 k, alm do capacitor de 15 nF,

obtm-se como resultado um perodo de 196 s, com um tempo de permanncia em 0 V
de 42 s, alcanando uma boa aproximao dos valores pedidos. O circuito e a simulao
mostram os resultados:

Respostas dos Exerccios

35

Astvel com CI 555.

10) Para o multivibrador monoestvel, com tempo de permanncia em nvel alto de 200 s, os
valores podem ser escolhidos de modo que atendam expresso:
tON = 1,1 R1 C1

Escolhendo para o capacitor o valor de 47 nF, podemos calcular o R1 dessa expresso,

resultando em:
R1 =

200 106
t ON
=
= 3868
1,1 C1 1,1 47 109

Aqui tambm podemos escolher o valor comercial de 3,9 k, resultando na simulao

com o valor pedido de 200 s de permanncia em nvel alto.

Monoestvel com CI 555.

36

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Captulo 10
1) As semelhanas bsicas so:
tanto um diodo quanto um SCR funcionam como retificadores, ou seja, permitem a
passagem da corrente eltrica em apenas um sentido, de anodo para catodo;
tanto um diodo quanto um SCR permanecem bloqueados quando polarizados reversamente, com anodo negativo em relao ao catodo.
As diferenas bsicas so:
Em um diodo, quando a tenso de anodo se torna ligeiramente mais positiva que a
de catodo, ele passa a conduzir corrente. Num SCR, mesmo com tenso positiva do
anodo em relao ao catodo, ele permanece bloqueado. Para que o SCR conduza,
necessrio que, alm da polarizao direta, seja injetada corrente no terminal de gatilho. Uma vez disparado, o SCR comporta-se como um diodo, podendo ser retirada a
corrente de gatilho.
Em um diodo, o bloqueio ocorre com tenso reversa. Num SCR, o bloqueio pode
ocorrer tanto com tenso reversa quanto pela queda da corrente entre anodo e catodo
abaixo de um valor mnimo de manuteno.
2) Para disparar um SCR, necessrio que ele esteja polarizado diretamente (anodo positivo em relao ao catodo) e que seja aplicado em pulso de corrente no gatilho. Esse pulso
deve ter a amplitude correta para garantir o disparo do dispositivo.
3) Alm de poder conduzir corrente em ambos os sentidos e, portanto, ser apropriado para
controle de cargas em corrente alternada, o TRIAC pode ser disparado tanto por pulso
positivo quanto por pulso negativo. O SCR s pode ser disparado por pulso positivo.
4) Uma lmpada de 127 V/100 W tem resistncia de:
R=

V2 1272
=
= 161
P
100

a) Para garantir o disparo em qualquer quadrante, devemos garantir a corrente mnima

necessria para o disparo nas piores condies. Considerando IGT = 10 mA e VGT = 2 V,
resulta em:
Rx =

Vp sen VGT
IGT

127 2 sen 2
10 103

R x = 17960 sen 200

Para os diversos valores de , podemos montar a tabela:

Respostas dos Exerccios

37

Valores de Rx para disparo em um dado ngulo

(graus)

(graus)

RX()

182

1365

20

200

5943

45

225

12500

60

240

15354

90

270

17760

b) Formas de onda para os diversos ngulos de disparo:

38

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

Respostas dos Exerccios

39

c) O valor mdio da tenso na carga sempre zero, pois a tenso simtrica em relao
ao eixo horizontal. Para o valor eficaz, vale a frmula:
1 sen2

+
2 2
4

Veficaz = Vp .
Observao: ngulos em radianos.

Para a potncia, vale a frmula tradicional:

P=

V2eficaz
R

Para os ngulos fornecidos, podemos montar a tabela:

Valores mdio e eficaz da tenso e potncia na carga para disparo em um dado ngulo
(graus)

(radianos)

Vm(V)

Veficaz(V)

P(W)

/36

127

100

20

/9

126,4

99,2

45

/4

121,1

91,1

60

/3

113,9

80,6

90

/2

89,8

50,1

5) Tanto no SCR quanto no TRIAC existe uma juno polarizada reversamente que possui
carga armazenada. como se existisse um capacitor nessa juno. Se houver uma variao brusca da tenso, como ocorre quando se energiza um circuito, na inexistncia de um
circuito de proteo, esse capacitor parasita gera uma corrente de gatilho que pode disparar indevidamente o dispositivo. Assim, esse circuito para-choque amortece essa variao
de tenso e evita o disparo do SCR ou do TRIAC (ALMEIDA, p. 36, 2014).

Captulo 11
1) Os circuitos digitais tm de ser interfaceados com os circuitos de potncia porque, normalmente, trabalham com baixos valores de tenso e corrente. Assim, para acionar uma
carga em um dado instante, necessria uma chave controlada para ligar ou desligar um
circuito externo. Um motor, por exemplo, que trabalhe em 220 V, no pode ser acionado diretamente por um circuito digital que trabalhe em 5 V. O mesmo motor, que possui
corrente nominal de 5 A, tambm no pode ser alimentado por um circuito que pode
fornecer algumas dezenas de mA. Desse modo, devem ser previstas interfaces com rels,
transistores ou tiristores, para adequar os nveis de tenso e corrente do circuito digital e
do circuito de potncia controlado.

40

Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes

2) Um motor de 1 CV tem potncia de 736 W e, sendo alimentado em 220 V, possui corrente nominal de:
P 736 W
=
= 3, 35 A
V 220 V
Os valores nominais de corrente e tenso do rel so, portanto, adequados para alimentar
o motor.
Imotor=

A alimentao da bobina de 12 V; assim, um transistor com VCEmx = 20 V adequado.

Ademais, a corrente de 100 mA da bobina bem inferior corrente de coletor do transistor.
Considerando-se VCESAT = 0,5 V e calculando a resistncia da bobina do rel como
V
12 V
R bobina = =
= 120 , a corrente de saturao do transistor ser:
I 100 mA
V VCESAT 12 0, 5
ICSAT = CC
=
= 95, 8 mA,
R bobina
120
que resulta em uma corrente de base mnima dada por:
IBmn =

ICSAT 95, 8 mA
=
= 1,13 mA.

85

Supondo 5 V de alimentao do microcontrolador, resulta, para RB:

RB =

Ventrada 0, 7
= 3, 81 k.
IB mn

Escolhendo um valor comercial inferior a esse, por exemplo, RB = 3,6 k, o problema est
resolvido.
3) O diodo colocado em antiparalelo com a bobina do rel chamado de diodo de retorno
ou diodo de freewheeling (roda livre). Tem a funo de criar um caminho de retorno da
corrente da indutncia da bobina, quando o transistor cortado.
Normalmente, uma bobina alimentada possui energia armazenada, que proporcional ao
quadrado da corrente (E = (L i2)/2). Essa energia no pode se extinguir instantaneamente no desligamento do transistor. Se no existisse o diodo de retorno em antiparalelo com
a bobina, haveria a tendncia de essa energia gerar uma sobretenso (para tentar manter a
corrente fluindo na bobina) no transistor, o que certamente iria danific-lo.
Existindo o diodo, ele causar curto-circuito na bobina, e a corrente circular pelo diodo
e pela bobina. Como a bobina real tem uma resistncia interna, essa energia ir dissipar-se na resistncia da bobina, gerando calor.

Respostas dos Exerccios

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4) Com 8,85 uA de corrente de base, o transistor bipolar inicia a saturao, com tenso de
VCE = 1,29 V. A corrente de coletor, nessa situao, de 2,14 mA. A tenso de dreno de
12 V, e a carga est desligada.
Para 24 A de corrente de base de Q2, a corrente de coletor sobe pouco, para 2,36 mA, e a
tenso de VCE se estabiliza em 0,18 V.
No sentido oposto, a tenso de dreno cai para 0 quando a corrente de entrada cai abaixo de
8,85 A. Quando a tenso de gatilho do IRF630 passa de 1,29 V, este entra em conduo.
Em simulao, os primeiros valores lidos so: corrente de base de 5,31 A, VCE = 4,99 V,
tenso de dreno de 0,48 V e corrente de carga de 524 mA.
Quando o transistor bipolar corta, a tenso de gatilho vai para 12 V, a tenso a tenso de
dreno de 0,21 V de 0,21 V e a corrente de carga de 536 mA.
No caso do texto, com BC337, a transio ocorre em aproximadamente 17,5 A, quando
a corrente de coletor 2,07 mA, e a tenso de gatilho, de 1,64 V, com a tenso de dreno
ainda em 12 V. Com valor maior para a corrente de base (21,3 A), o MOSFET entra em
corte, e a tenso de dreno passa a 12 V. Valores abaixo de 13,7 A para a corrente de base
fazem o transistor bipolar caminhar para o corte, e o MOSFET entra em conduo, com
tenso de gatilho de 3,68 V.
Comparando-se com o caso do texto, com BC337 e IRF530, conclui-se que, como os transistores substitutos tm praticamente as mesmas caractersticas, poucas mudanas ocorreram no ponto de transio.
5) Um acoplador ptico, como o prprio nome deixa transparecer, acopla dois circuitos
de forma ptica, ou seja, sem haver circulao de corrente entre eles. Normalmente, um
diodo emissor de luz e um dispositivo de chaveamento (um transistor, um SCR ou um
TRIAC) so encapsulados em um mesmo invlucro, mas isolados eletricamente. H entre
eles apenas uma barreira transparente, que permite luz emitida pelo diodo atingir o dispositivo de chaveamento, que deve ser sensvel a essa luz.
A Figura 11.7 do texto ilustra essas possibilidades em um arranjo com diodo e transistor e
com diodo e TRIAC.
Quando se leva o diodo de entrada conduo, ele emite um feixe de luz que, no caso do
transistor, gerar uma corrente de base. Havendo alimentao CC e carga no coletor, essa
corrente de base poder levar o transistor saturao, fechando a chave, que poder acionar uma carga (a bobina de um rel, diretamente, ou a base de outro transistor de maior
potncia). No caso de TRIAC, o feixe de luz produz uma corrente de gatilho que o leva
a disparar. A vantagem, nesse caso, que o TRIAC pode ser alimentado diretamente de
uma fonte CA e at fornecer corrente de gatilho para outro TRIAC de maior potncia.

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Sistemas Eletroeletrnicos - Dispositivos e Aplicaes