Artigo

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Sntese de nanocristais de xido de estanho para

deposio de filmes finos com potencial
aplicao em sensor de gs
SYNTHESIS OF TIN OXIDE NANOCRYSTALS FOR THIN
FILMS DEPOSITION WITH POTENTIAL APPLICATION AS
GAS SENSOR
ISSN: 2447-5580
Michael Rodrigues Silva1; Cleocir Jos Dalmaschio2.

1
Graduando em Licenciatura em Qumica. Bolsista de Iniciao Cientfica pela Fapes.

UFES, 2016. Centro Universitrio Norte do Espirito Santo CEUNES. So Mateus, ES.
michaelrodrigues-99@hotmail.com
Mestre e Doutor em Cincias, rea de Concentrao Fsico-Qumica (UFSCar). 2012,

Professor do Departamento de Cincias Naturais. UFES, 2016. Centro Universitrio Norte
do Espirito Santo CEUNES. So Mateus, ES.Cleocir.dalmachio@ufes.br
Recebido em: 30/06/2016 - Aprovado em: 16/08/2016 - Disponibilizado em: 30/09/2016

RESUMO: Nos ltimos anos, tem-se aumentado o interesse por materiais na escala nanomtrica e pesquisas
evidenciam que estes materiais tm muitas vantagens se comparado a materiais micromtricos. Com o grande
avano da tecnologia foi preciso desenvolver snteses para obteno de materiais na escala nanomtrica, dentre
estas rotas, as que se destacam so as rotas qumicas de sntese, com especial notoriedade rotas que utilizam
meios lquidos e que possuem um grande potencial de produo de nanopartculas, com baixo custo de reagentes
e equipamentos. Utilizando processo de hidrlise do cloreto de estanho em soluo alcolica, nanocristais do
semicondutor dixido de estanho podem ser obtidos em escala nanomtrica com excelente controle de
propriedades como tamanho e polidisperso das nanoestruturas, se comparado a rotas de snteses mais
elaboradas. Assim, o objetivo deste trabalho sintetizar e caracterizar nanocristais de dixido de estanho e
depositar filmes finos de SnO2, avaliando o potencial para aplicao como sensor de gases.
PALAVRAS-CHAVE: Nanotecnologia, dixido de estanho, nanocristais.
ABSTRACT: In recent years, there has been increased interest in the nanoscale materials and research show that
these materials have many advantages compared to micrometric materials. With the breakthrough technology was
necessary to develop syntheses for obtaining materials at nanometric scale, of these routes, which stand out are
the chemical synthesis routes, with special notoriety routes using liquid media and have a large potential for
production nanoparticles, with a low cost of reagents and equipment. Using hydrolysis process tin chloride in
alcoholic, nanocrystals tin dioxide semiconductor solution can be obtained at the nanoscale with excellent control
properties such as size and polydispersity of nanostructures, compared to more elaborate synthesis routes. The
objective of this work is to synthesize and characterize tin dioxide nanocrystals and deposit thin films of SnO 2,
evaluating the potential for use as a gas sensor.
KEYWORDS: Nanotechnology, tin dioxide, nanocrystals.
___________________________________________________________________________
1. INTRODUO
de materiais nanomtricos em
geral possurem
propriedades diferentes daquelas apresentadas por

Pesquisas na rea de nanomateriais, tem sido de
grande interesse de estudos nas ltimas dcadas. O
materiais macro e/ou micromtricos (MACIEL et al.

2003). Apesar do atual despertar para a nanocincia,
expressivo interesse pela rea est associado ao fato

Brazilian Journal of Production Engineering, So Mateus, Suplemento Especial 4 Workshop de Engenharia Qumica, Vol. 2, N. 2 (Setembro). p. 60-65.
(2016).
Editora CEUNES/DETEC. Disponvel em: http://periodicos.ufes.br/BJPE
61
possvel notar que seu desenvolvimento j se iniciou
Com o grande avano da tecnologia, foi preciso
a aproximadamente dois sculos, com os estudos de
desenvolver snteses para obteno destes materiais,
Michael Faraday sobre interaes da luz com
dentre estas rotas, as rotas que se destacam so as
partculas de Au, publicado em 1857 (FARADAY,
rotas qumicas de snteses, com destaque para rotas
1857). A partir de ento, os estudos sobre o
aquosas, Figura 1.
comportamento de nanocristais (NCs) em escala

Rota Qumica
manomtrica tem recebido grande importncia. Com o

avano das tcnicas experimentais, principalmente as
microscopias eletrnicas, muitos trabalhos comearam
Rotas Aquosas
Vantagens
a se importar com otimizao dos parmetros, por

exemplo, espessura de filmes, da morfologia, baixa
distribuio de tamanho e em alguns casos evitando

aglomeraes
das
partculas,
como
formas
de
Grande produo de nanoparticulas;

Reagentes com baixos custos;
Equipamentos baratos.
obteno de nanomateriais inovadores.

Dentre as rotas de obteno de nanomateriais, as
rotas
qumicas
se
tornaram
importante,
pois
Figura 1 - Vantagens da sntese de nanoparticulas de

dixido de estanho pela Rota Aquosa.
apresentam resultados relevantes que envolvem

custos menos elevados de reagentes e equipamentos,
Na ltima dcada diferentes reas de tecnologia veem
se comparada a rotas fsicas de obteno dos
explorando de forma cada vez mais intensa as
mesmos materiais nanomtricos. Nas rotas qumicas
nanoestruturas, especialmente na rea de eletrnica
de sntese, quando realizadas de forma sistemtica e
graas
considerando os estgios de formao de cluster,
miniaturizao de dispositivos e equipamentos at
muitos materiais podem ser obtidos com adequado
ento nunca experimentada. Um campo que ganhou
controle de tamanho (MURRAY et al. 2000; MACIEL et
significativo incremento foi a rea de sensores.
al. 2003).
Atualmente usamos sensores no cotidiano em grande
O termo nano vem do grego nnnos e significa
nmero, sendo muito comum nos veculos, nas
ano ou algo de pequeno tamanho. S para se ter
construes modernas e mesmo nos dispositivos
ideia, um nanmetro (10-9 m) algo quase 100 mil
smartphones. Dentre os materiais mais empregados
vezes menor que um fio de cabelo em termos de
como elemento sensor para gases est o dixido de
espessura. O termo nanotecnologia tem definio de
estanho, suas caractersticas de comportamento
criao ou manipulao de materiais que apresentem
eltrico e variao de condutividade quando exposto a
escala nanomtrica (entre 1 a 100 nanmetro). Os
gases redutores e oxidantes o faz como o material
materiais na escala nanomtrica tem
tipos de
mais explorado para tal aplicao seja em nveis
classificao, como: 1) materiais nanomtricos 2D,
comerciais ou de pesquisa bsica (RIBEIRO, 2004).
onde uma de suas dimenses est entre 1 e 100 nm
Assim os nveis de deteco avanaram e nos
(filmes finos). 2) materiais nanomtricos 1D, onde por
possibilitam monitoramento ambiental e domstico
sua vez possuem duas dimenses entre 1 e 100 nm
cada vez mais preciso, confivel e em ndices de
(nanofitas) e 3) materiais na escala nanomtrica 0D,
menor concentrao.
nanotecnologia
possibilitou
uma
que tem todas as trs dimenses (X, Y, Z) entre 1 e

100 nm (nanopartculas) (XIA et. al. 2003).
(2016).
62
1.1. SENSOR DE GS A BASE DE SNO2
temperatura do sensor, os eltrons transitam de forma
A forma de funcionamento do sensor consiste em uma
mais fcil pelas fronteiras dos gros de xido de
mudana de condutividade, a qual depende de
estanho. Em atmosfera que contenha apenas o
interaes qumicas e fsicas muito forte entre o gs
oxignio, o material sensor adsorve este gs e forma
em determinada atmosfera e o material sensor.
uma camada de depleo na superfcie dos gros.
Sensor de gs a base de xido de estanho so
Esta camada de depleo dificulta a transio de
atualmente os dispositivos mais aplicados em alarmes
eltrons causando assim o aumento da resistncia
de deteco de gases em vrios tipos de ambientes.
eltrica (GASPARETTI, 2007).
O dixido de estanho policristalino atualmente o
O objetivo desse trabalho foi sintetizar nanocristais de
mais utilizado como sensores de gs e a mudanas
dixido de estanho, para a obteno de filmes finos e
de suas propriedades resulta da adsoro do gs
seu posterior processo de caracterizao, para
sobre a superfcie do material. A condutncia eltrica
aplicao de sensores de gs.
depende
de
vrios
fenmenos
que
ocorre
na
superfcie do material. A mesma depende ainda do

comportamento intrnseco do material e pode ser
analisado visualizando alguns defeitos qumicos.
2. METODOLOGIA
2.1. SNTESE DO DIXIDO DE ESTANHO
O motivo de estudar este tipo de material, porque o
Para a sntese do dixido de estanho partiu-se de uma
mesmo possui uma capacidade de sustentar em
reao de hidrlise do cloreto de estanho (II)
temperaturas
de
dihidratado (1,50g) em soluo alcolica (66 ml de
oxidao com substncias gasosas, seja de forma
lcool absoluto e 60 ml de gua destilada), esta
direta ou por meio de um ativante, envolvendo assim
soluo ficou sob agitao por 15 minutos. Nesta
ons negativos de oxignio e/ou compostos hidrxidos
etapa ocorreu a substituio do ligante cloro por gua
(LICZNERSKI, 2004).
seguido por um processo oxidativo do estanho do
elevadas,
reaes
reversveis
estado de oxidao (II) para o estado de oxidao (IV)
1.2.FUNCIONAMENTO NA DETECO DE GS
A camada de xido, que um material semicondutor,
podendo ser de estanho ou de outro xido, pode ser
descrito em forma de adsoro de um certo gs,
podendo se difundir ou reagir quimicamente. Em
condies normais de atmosfera a camada do xido
adsorve o oxignio, tirando assim, todos os eltrons
para a banda de conduo. Com a injeo de uma
espcie gasosa (agentes redutores) inicia uma difuso
dentro do material semicondutor e reao com o
oxignio da superfcie, liberando assim, os eltrons
que foram capturados.
resultando na formao de nanocristais de SnO2 em

uma suspenso turva esbranquiada (MACIEL et al.
2003). Para eliminao de ons cloretos do meio
reacional a suspenso foi submetida a processo de
dilise at completa eliminao dos ons, substituindo
a gua do processo de dilise a cada 24horas. Em
cada troca, um ensaio de adio de nitrato de prata
(AgNO3) foi realizada para a deteco de ons cloreto.
Aps o fim da dilise, o material encontra-se na forma
de uma soluo coloidal, obtida pela reduo da fora
inica do meio. A Figura 2 abaixo demonstra de forma
sistemtica o procedimento realizado em laboratrio.
Com isso, os eltrons que foram liberados penetram

na banda de conduo do semicondutor, causando
uma mudana na resistncia eltrica do material, ou
seja, sem a presena do oxignio e aumentando a
(2016).
63
2.3. DEPOSIO DOS FILMES FINOS DE SNO2
A soluo coloidal de SnO2 ser utilizada para
deposio de filmes finos por processo DipCoating.
Para controle da espessura a concentrao da
soluo ser ajustada para valor em torno de 1% em
massa de xido e ento depositada sobre substrato de
silcio. Para deposio foi utilizado um aparelho de
dipcoating desenvolvido pelo grupo que permite a
imerso e emerso do substrato na soluo com
velocidade controlada, neste caso velocidade de 9
mm/segundo. Possibilitando assim, o controle na
espessura do filme.
Figura 2 - Procedimento para sntese das
nanocristais de dixido de estanho.
Para que a soluo se espalhe de forma homognea

sobre o substrato, as laminas de Si/SiO 2 a ser
utilizadas como substrato sero lavados por processo
Para caracterizao uma alquota da soluo coloidal
de limpeza RCA. Esta limpeza permite a eliminao
contendo NCs de SnO2 foi seca a temperatura
de impurezas orgnicas e inorgnicas da superfcie
ambiente e posteriormente analisada por difrao de
dos
raios-X, com o intuito de identificar a fase cristalina do
hidroxilao da superfcie do xido de silcio, o que
xido e o tamanho de cristalito resultante.
possibilita uma melhor molhabilidade da soluo com
substratos
adicionalmente
resulta
na
o substrato resultando em filmes mais uniformes.
2.2. TCNICAS DE CARACTERIZAO
Sendo assim, a deposio de filmes de SnO2 sobre o
2.2.1. DIFRAO DE RAIOS-X
substrato
Os NCs sintetizados foram caracterizados por difrao
de
silcio
seguiu
procedimento
apresentado na Figura 3 abaixo.
de raios-X (DRX) para identificao de fase cristalina e

estimativa de tamanho preferencial do cristal. O
equipamento utilizado para a caracterizao foi um
Miniflex 600 da Fabricante Rigaku tendo como anodo
emissor de radiao um tubo de cobre operando com
os parmetros de 40 Kv e 30 mA.
2.2.2. CARACTERIZAO ELTRICA
Caracterizao
eltrica do filme depositado em
substrato de silcio foi realizada em equipamento

multmetro de bancada, tipo SourceMeter modelo
2400 da fabricante Keithley. Nestas medidas foram
tomadas curvas de tenso por corrente as quais
permitem avaliar o tipo de contato eltrico formado
entre o filme e o circuito de medida.
Figura 3 - Deposio dos filmes de dixido de estanho

nanocristalino.
(2016).
64
3. RESULTADOS E DISCUSSO
radiao eletromagntica, o ngulo de difrao e
O dixido de estanho sintetizado, aps seco, foi
(2) a largura na metade da altura do pico de
caracterizado por Difrao de Raios-X (DRX), com o
difrao.
objetivo de visualizar as caractersticas estruturais do

material. Deste modo, a Figura 4 apresenta o
difratograma de raios-X do dixido de estanho em p.
Logo, a partir desta equao calculou-se que o

tamanho mdio estimado do nanocristalino de SnO2 foi
de 2,29 nm, indicando assim, um resultado positivo,
pois a qualidade do sensor de SnO2 aumenta com a
diminuio do tamanho do cristalino.
Alm disso, as caracterizaes eltricas dos filmes
depositados
foram
realizadas
em
equipamento
multmetro de bancada, tipo SourceMeter. Nestas

medidas foram tomadas curvas de tenso por corrente
as quais permitiram avaliar o tipo de contato eltrico
formado entre o filme e o circuito de medida, onde a
partir da pode ser observado que o filme apresentou
Figura 4 Difratograma de raios-X para
caracterizao estrutural do dixido de estanho.
um comportamento hmico, tendo ento um grande

potencial de ser aplicado como sensor de gs,
Conforme estar apresentado na Figura 5.
Observa-se que todos os picos cristalogrficos so

referentes a fase de dixido de estanho (SnO2). Esses
valores foram indexados de acordo com o arquivo de
difrao de p (powder diffraction file) PDF n 411445. Sendo que cada um dos picos cristalogrficos
estar relacionado a um conjunto de planos nos cristais
de dixido de estanho, ou seja, cada pico tem uma
direo especifica no cristal.
Alm disso, utilizando-se o difratograma e a Equao
de Scherrer (Equao 1), pode-se estimar o tamanho
mdio do cristalito. Esta equao descreve uma
Figura
5 -Caracterizao
eltrica
dos filmes uma
de
Pode-se
perceber
que as medidas
apresentam
dixido de estanho.
relao entre o alargamento dos picos em relao ao

tamanho do cristalino.
Desta forma pode se observar uma certa linearidade

entre as medidas, ou seja, uma uniformidade,
favorecendo desta forma qualidade nas medidas, com
uma Resistncia de 24 megaOhm (M), e um
coeficiente de determinao (R2) igual a 0,99644, este
valor varia de 0 a 1, e quanto mais prximo do 1 mais
Onde: D o dimetro mdio das nanopartculas, K a
prximo curva experimental do ajuste, no caso
constante que depende da forma das nanoparticulas
linear. E com o aumento da concentrao do gs,
(esfera = 0,94), o comprimento de onda da

(2016).
65
muda-se a resistncia, logo a resistncia tem que
apresentar um comportamento o mais linear possvel
com a concentrao o que permite correlacionar de
forma mais precisa mudanas de atmosfera gasosa
com o sinal eltrico do xido que atua como elemento
sensor em um dispositivo.
4. CONCLUSO
Os resultados demonstram que a rota aquosa para
sntese do SnO2 que foi feita de forma sistemtica
para
um
melhor
controle
do
tamanho
do
nanocristalino, demonstrou uma efetividade neste

controle, pois pode-se obter atravs da sntese do
dixido de estanho, nanocristais de tamanho mdio
estimado de 2,29 nm. Alm disso, observou-se
apenas uma fase cristalina de SnO2 de acordo com o
pdf n 41-1445. Na deposio dos filmes finos de
dixido de estanho nanocristalino pode-se observar
uma
certa
uniformidade
das
nanoparticulas
depositadas no substrato resultando assim em um

filme fino com um comportamento hmico durante as
medidas de tenso versus corrente, caracterizando
desta forma a sua potencial utilizao em sensores de
gases futuramente.
5. AGRADECIMENTOS
Agradecemos a Universidade Federal do Esprito
Santo UFES e ao Centro Universitrio Norte do
Esprito Santo CEUNES pelo espao fsico.
Agradecemos tambm a CNPq e a FAPES pelo apoio
financeiro aos projetos desenvolvidos.
Faraday, M., Experimental Relations of Gold (and

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Disponivel
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de ago. 2016.
(2016).

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Michael Rodrigues Silva1; Cleocir Jos Dalmaschio2.

Graduando em Licenciatura em Qumica. Bolsista de Iniciao Cientfica pela Fapes.

Mestre e Doutor em Cincias, rea de Concentrao Fsico-Qumica (UFSCar). 2012,

Recebido em: 30/06/2016 - Aprovado em: 16/08/2016 - Disponibilizado em: 30/09/2016

propriedades diferentes daquelas apresentadas por

materiais macro e/ou micromtricos (MACIEL et al.

expressivo interesse pela rea est associado ao fato

Com o grande avano da tecnologia, foi preciso

a aproximadamente dois sculos, com os estudos de

desenvolver snteses para obteno destes materiais,

Michael Faraday sobre interaes da luz com

dentre estas rotas, as rotas que se destacam so as

partculas de Au, publicado em 1857 (FARADAY,

rotas qumicas de snteses, com destaque para rotas

1857). A partir de ento, os estudos sobre o

comportamento de nanocristais (NCs) em escala

manomtrica tem recebido grande importncia. Com o

a se importar com otimizao dos parmetros, por

distribuio de tamanho e em alguns casos evitando

Grande produo de nanoparticulas;

obteno de nanomateriais inovadores.

Figura 1 - Vantagens da sntese de nanoparticulas de

apresentam resultados relevantes que envolvem

Na ltima dcada diferentes reas de tecnologia veem

se comparada a rotas fsicas de obteno dos

explorando de forma cada vez mais intensa as

mesmos materiais nanomtricos. Nas rotas qumicas

nanoestruturas, especialmente na rea de eletrnica

de sntese, quando realizadas de forma sistemtica e

considerando os estgios de formao de cluster,

miniaturizao de dispositivos e equipamentos at

muitos materiais podem ser obtidos com adequado

ento nunca experimentada. Um campo que ganhou

controle de tamanho (MURRAY et al. 2000; MACIEL et

significativo incremento foi a rea de sensores.

Atualmente usamos sensores no cotidiano em grande

O termo nano vem do grego nnnos e significa

nmero, sendo muito comum nos veculos, nas

ano ou algo de pequeno tamanho. S para se ter

construes modernas e mesmo nos dispositivos

ideia, um nanmetro (10-9 m) algo quase 100 mil

smartphones. Dentre os materiais mais empregados

vezes menor que um fio de cabelo em termos de

como elemento sensor para gases est o dixido de

espessura. O termo nanotecnologia tem definio de

estanho, suas caractersticas de comportamento

criao ou manipulao de materiais que apresentem

eltrico e variao de condutividade quando exposto a

escala nanomtrica (entre 1 a 100 nanmetro). Os

gases redutores e oxidantes o faz como o material

materiais na escala nanomtrica tem

mais explorado para tal aplicao seja em nveis

classificao, como: 1) materiais nanomtricos 2D,

comerciais ou de pesquisa bsica (RIBEIRO, 2004).

onde uma de suas dimenses est entre 1 e 100 nm

Assim os nveis de deteco avanaram e nos

(filmes finos). 2) materiais nanomtricos 1D, onde por

possibilitam monitoramento ambiental e domstico

sua vez possuem duas dimenses entre 1 e 100 nm

cada vez mais preciso, confivel e em ndices de

(nanofitas) e 3) materiais na escala nanomtrica 0D,

que tem todas as trs dimenses (X, Y, Z) entre 1 e