Dissertação

INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA
rea Departamental de Engenharia Eletrotcnica de Energia e Automao
Comando e Proteo de IGBTs em Paralelo

MYKHAYLO VALERIYOVYCH ZAHYKA
(Licenciado)
Trabalho Final de Mestrado para obteno do grau de Mestre em
Engenharia Eletrotcnica - ramo Automao e Eletrnica Industrial
Orientadores:
Professor Doutor Lus Manuel dos Santos Redondo
Professor Doutor Jos Gabriel da Silva Lopes
Jri:
Presidente: Professor Doutor Joo Hermnio Ninitas Lagarto
Vogais:
Professor Doutor Lus Manuel dos Santos Redondo
Professor Doutor Hiren Canacsinh
Outubro 2015
INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA

rea Departamental de Engenharia Eletrotcnica de Energia e Automao
Comando e Proteo de IGBTs em Paralelo
Outubro 2015
RESUMO
Resumo
Neste trabalho realizou-se o comando e proteo dos IGBTs em paralelo.
Apresentou-se o estudo terico, o dimensionamento e a implementao experimental dos
circuitos com os IGBTs em paralelo, utilizando os circuitos de disparo, de proteo contra
sobrecorrentes e a tcnica para equilbrio de correntes.
Inicialmente realizou-se um estudo terico e definiram-se as tcnicas utilizadas neste
trabalho. Seguidamente dimensionaram-se os circuitos de disparo dos IGBTs, de proteo
contra sobrecorrentes e da tcnica de equilbrio de correntes. Posteriormente simularam-se
os circuitos dimensionados. Por fim, retiraram-se os resultados experimentais a partir da
implementao prtica dos circuitos.
Palavras chave: IGBTs em paralelo, proteo contra sobrecorrentes, proteo contra

sobretenses, equilbrio de correntes.
ABSTRACT
Abstract
In this work the control and protection techniques for IGBTs in parallel were applied.
In addition, the theoretical study, the experimental design and implementation of circuits with
the IGBTs in parallel was made, using the triggering circuits, protection against overcurrents
and a technique for current balance.
Initially, it was made a theoretical study and defined the techniques used in this work.
Also, it was designed the triggering circuits of IGBTs, protection against overcurrent and
current balancing technique which were subsequently simulated. Finally, experimental
results were taken from the practical implementation of the circuit.
Keywords: IGBTs in parallel, protection against overcurrent, overvoltage protection,

current balance.
II
AGRADECIMENTOS
Agradecimentos
Neste ponto queria expressar os meus sinceros agradecimentos s pessoas que me
apoiaram durante a minha vida acadmica e contriburam diretamente ou indiretamente para
a realizao deste trabalho.
Ao Prof. Lus Manuel dos Santos Redondo, orientador cientfico, ao Prof. Jos
Gabriel da Silva Lopes, coorientador cientfico e ao Prof. Hiren Canacsinh, pela participao
significativa, disponibilidade e ajuda na parte terica e prtica deste trabalho.
Prof. Teresa Pinto Pereira, Prof. Conceio Pereira e Prof. Judite Fidalgo, da
escola Secundria Professor Jos Augusto Lucas, pelo apoio, compreenso e ajuda enorme
na aprendizagem de lngua Portuguesa.
Aos meus colegas e amigos Jorge Miguel Duarte, Pedro Raimundo, Srgio Andr,
Alexandre Bento do Instituto Superior de Engenharia de Lisboa da rea departamental de
Engenharia de Sistemas de Potncia e Automao e Ana Filipa Pereira Loureno pela
amizade e apoio no s na realizao deste trabalho como tambm durante o meu percurso
acadmico.
s pessoas que conheci ao longo da minha vida, que tiveram um papel fundamental
na minha formao acadmica e pessoal.
Por fim, mas no menos importante, queria agradecer aos meus pais, Valeriy Zahyka
e Svitlana Zahyka e ao meu irmo Oleksandr Zahyka pelo apoio, compreenso e pacincia,
fundamentais durante a minha vida pessoal e acadmica.
III
NDICE
ndice
Captulo 1 - Introduo ......................................................................................................................1
1.1
Motivao ...........................................................................................................................2
1.2
Objetivos.............................................................................................................................2
1.3
Estrutura da Dissertao ....................................................................................................2
Captulo 2 - Utilizao de IGBTs em paralelo ...................................................................................3

2.1
Introduo ..........................................................................................................................3
2.2
Transstor bipolar de porta isolada (IGBT) ........................................................................3
2.2.1
Funcionamento do IGBT ............................................................................................6
2.2.2
Caractersticas dinmicas do IGBT ............................................................................7
2.3
Mtodos de disparo do IGBT .............................................................................................9
2.3.1
Sinal de comando no isolado ...................................................................................9
2.3.2
Sinal de comando isolado opticamente ...................................................................10
2.3.3
Sinal de comando isolado magneticamente ............................................................11
2.3.4
Bootstrap ..................................................................................................................12
2.4
Tcnicas de equilbrio de correntes nos semicondutores de potncia ligados em paralelo

..........................................................................................................................................13
2.4.1
Utilizao de resistncias para equalizao da corrente .........................................14
2.4.2
Utilizao de indutncias acopladas magneticamente ............................................15
2.4.3
Seleo de semicondutores de potncia com as caractersticas semelhantes ......18
2.4.4
Utilizao da tcnica de controlo ativo da porta ......................................................19
2.5
Proteo dos IGBTs contra sobrecorrentes e sobretenses ..........................................22
2.5.1
Proteo contra sobrecorrentes ...............................................................................22
2.5.2
Proteo Contra Sobretenses ................................................................................24
Captulo 3 - IGBTs em Paralelo ......................................................................................................26

3.1
Introduo ........................................................................................................................26
3.2
Descrio do circuito ........................................................................................................26
3.3
A tcnica utilizada para o disparo dos IGBTs ..................................................................27
3.3.1
Dimensionamento do transformador de impulsos ...................................................28
3.3.2
Circuito de disparo....................................................................................................30
3.4
A tcnica utilizada para proteo dos IGBTs contra sobrecorrentes ..............................35

IV
NDICE
3.4.1
3.5
Princpio de funcionamento do circuito de proteo contra sobrecorrentes ...........35
Equilbrio de correntes nos IGBTs em paralelo ...............................................................42
3.5.1
Dimensionamento de indutncias acopladas...........................................................42
Captulo 4 - circuito com dois IGBTs em paralelo...........................................................................48

4.1
Introduo ........................................................................................................................48
4.2
Dimensionamento de transformador de impulsos ...........................................................48
4.2.1
Circuito de disparo do IGBT .....................................................................................51
4.2.2
Disparo de dois IGBTs em paralelo .........................................................................53
4.3
Dimensionamento do circuito de proteo contra sobrecorrentes ..................................56
4.3.1
Dimensionamento do circuito de atraso RC.............................................................56
4.3.2
Dimensionamento do comparador com histerese no inversor ..............................59
4.3.3
Circuito de proteo contra sobrecorrentes resultante ............................................61
4.3.4
Resultados de simulao do circuito de proteo contra sobrecorrentes ...............61
4.4
Utilizao das indutncias acopladas para equilbrio de correntes nos IGBTs em paralelo
..........................................................................................................................................64
4.4.1
Dimensionamento das indutncias acopladas para equilbrio de correntes nos
IGBTs em paralelo ...................................................................................................................65

4.5
Simulao do circuito completo com dois IGBTs em paralelo ........................................67
4.5.1
Simulao com as indutncias acopladas ligadas aos emissores ..........................68
4.5.2
Simulao com as indutncias acopladas ligadas aos coletores ............................70
4.5.3
Escolha da posio das indutncias acopladas ......................................................72
4.6
Resultados experimentais dos circuitos de disparo ........................................................73
4.6.1
Teste do transformador de impulsos ........................................................................73
4.6.2
Resultados experimentais do disparo de um IGBT .................................................74
4.6.3
Sinais de disparo de dois IGBTs em paralelo ..........................................................75
4.7
Resultados experimentais da utilizao do circuito de proteo contra sobrecorrentes 77
4.7.1
Resultados experimentais em regime de funcionamento normal ............................77
4.7.2
Resultados experimentais na ocorrncia do curto-circuito ......................................78
4.8
Resultados experimentais de dois IGBTs em paralelo com circuito de proteo contra
sobrecorrentes .............................................................................................................................79
4.8.1
NDICE
4.8.2
4.9
Resultados experimentais na ocorrncia do curto-circuito ......................................80
Resultados experimentais de dois IGBTs em paralelo com circuito de proteo contra
sobrecorrentes e as indutncias acopladas ................................................................................82

4.9.1
Resultados experimentais com indutncias acopladas ligadas aos emissores ......82
4.9.2
Resultados experimentais com indutncias acopladas ligadas aos coletores ........84
Captulo 5 - Circuito com trs IGBTs em paralelo ..........................................................................86

5.1
Introduo ........................................................................................................................86
5.2
Dimensionamento do circuito com trs IGBTs em paralelo ............................................87
5.2.1
Circuitos de disparo de trs IGBTs em paralelo ......................................................87
5.2.2
Dimensionamento do condensador Ci .....................................................................88
5.2.3
Circuito de proteo contra sobrecorrentes .............................................................90
5.2.4
Dimensionamento de indutncias acopladas...........................................................91
5.3
Resultados de simulao do circuito com trs IGBTs em paralelo .................................92
5.3.1
Resultados de simulao em regime de funcionamento normal .............................93
5.3.2
Resultados de simulao na ocorrncia de um curto-circuito .................................94
5.4
Resultados experimentais ................................................................................................95
5.4.1
5.4.2
Resultados experimentais na ocorrncia de um curto-circuito ................................97
Captulo 6 - Concluses ..................................................................................................................98

6.1
Introduo ........................................................................................................................98
6.2
Acerca do trabalho realizado ...........................................................................................98
6.3
Perspetivas futuras.........................................................................................................100
Bibliografia .....................................................................................................................................101
Anexos ...........................................................................................................................................102
Anexo 1 - Circuito para verificar o disparo de um IGBT............................................................103
Anexo 2 - Circuito para verificar o funcionamento do circuito de proteo contra
sobrecorrentes ...........................................................................................................................104
Anexo 3 - Circuito com dois IGBTs em paralelo utilizando a tcnica de equilbrio de correntes e
de proteo contra sobrecorrentes............................................................................................105
Anexo 4 - Circuito com trs IGBTs em paralelo utilizando a tcnica de equilbrio de correntes e
de proteo contra sobrecorrentes............................................................................................107
VI
NDICE DE FIGURAS
ndice de Figuras
Figura 2.1 - a) Estrutura fsica de um MOSFET [1]. b) Estrutura fsica de um IGBT. ............4
Figura 2.2 - a) Circuito equivalente do IGBT [1]. b) Smbolo do IGBT. ..................................4
Figura 2.3 - Estrutura fsica de um IGBT assimtrico [1]. .......................................................5
Figura 2.4 - a) Caracterstica IC(VCE) de um IGBT simtrico. b) Caracterstica de transferncia
IC(VGE) de um transstor IGBT. .........................................................................................6
Figura 2.5 - Representao das capacidades parasitas equivalentes do IGBT. ...................7
Figura 2.6 - Representao qualitativa das caractersticas dinmicas do IGBT. ...................8
Figura 2.7 - Exemplo de ligao do IGBT ao driver [2] ...........................................................9
Figura 2.8 - Exemplo de ligao do IGBT ao optoacoplador [3]. ......................................... 10
Figura 2.9 - Exemplo de ligao do IGBT ao transformador de impulsos. .......................... 11
Figura 2.10 - Exemplo da tcnica bootstrap. ....................................................................... 12
Figura 2.11 - Exemplo de utilizao de resistncias para equalizao da corrente da
corrente. ........................................................................................................................ 14
Figura 2.12 - Exemplo de utilizao das indutncias acopladas para equilbrio de corrente
nos dois semicondutores em paralelo. ......................................................................... 15
nos trs semicondutores em paralelo. .......................................................................... 16
Figura 2.14 - Distribuio das tenses nos enrolamentos secundrios. ............................. 17
nos vrios semicondutores em paralelo. ...................................................................... 17
Figura 2.16 - a) Sinais de disparo dos IGBTs (completamente sincronizados). b) As correntes
que passam nos IGBTs.(formas de ondas das correntes nos IGBTs) ......................... 19
Figura 2.17 - a) Sinais de disparo dos IGBTs (desfasados no tempo). b) As correntes que
passam nos IGBTs. ....................................................................................................... 19
Figura 2.18 - Sinais de disparo dos IGBTs (com as amplitudes diferentes). b) As correntes
que passam nos IGBTs.(formas de ondas das correntes nos IGBTs) ......................... 20
Figura 2.19 - a) Sinais de disparo dos IGBTs. b) As correntes que passam nos IGBTs. ... 20
Figura 2.20 - Utilizao do mtodo de controlo ativo das portas dos IGBTs. ..................... 20
Figura 2.21 - Circuito de proteo do IGBT contra sobrecorrentes. .................................... 22
Figura 2.22 - Circuito de proteo do IGBT contra sobrecorrentes. .................................... 23
Figura 2.23 - a) Circuito de proteo contra sobretenses convencional; b) Circuito de
proteo contra sobretenses melhorado. ................................................................... 24
Figura 2.24 - Exemplo de utilizao do dodo TVS para proteo do IGBT contra
sobretenses. ................................................................................................................ 24
Figura 3.1 - Diagrama principal do circuito construdo. ....................................................... 26
Figura 3.2 - Ciclo histertico do ncleo do transformador. .................................................. 28
Figura 3.3 - Parte da histerese utilizada. ............................................................................. 29
VII
NDICE DE FIGURAS
Figura 3.4 - Circuito de disparo para um IGBT. ................................................................... 30
Figura 3.5 - Diagrama temporal do circuito de disparo. ....................................................... 31
Figura 3.6 - Forma de onda da tenso VP (V) e t (seg). ...................................................... 32
Figura 3.7 - Circuitos de disparo com os primrios dos transformadores de impulsos ligados
em paralelo.................................................................................................................... 33
Figura 3.8 - Circuitos de disparo com os primrios os transformadores de impulsos ligados
em srie. ........................................................................................................................ 34
Figura 3.9 - As curvas caractersticas do IGBT SKW15N120 para as temperaturas de 25C
e de 150C [5]. .............................................................................................................. 35
Figura 3.10 - a) Comparador com histerese no inversor; b) Caracterstica do comparador
com histerese no inversor. .......................................................................................... 36
Figura 3.11 - Circuito de disparo do IGBT com o circuito de proteo contra
sobrecorrentes incorporado e a parte da potncia. ............................................. 37
Figura 3.12 - Histerese do comparador da Figura 3.11. ...................................................... 37
Figura 3.13 - Diagrama temporal do funcionamento da Figura 3.11. .................................. 38
Figura 3.14 - O circuito de atraso RDCa. .............................................................................. 39
Figura 3.15 - Representao qualitativa da curva da tenso VCa ideal. .............................. 39
Figura 3.16 - Representao qualitativa da tenso V Ca....................................................... 40
Figura 3.17 - Representao qualitativa da tenso V C real. ................................................ 40
Figura 3.18 - Circuito de proteo com expanso. .............................................................. 41
Figura 3.19 - a) Indutncias acopladas ligadas aos emissores dos IGBTs. b) Indutncias
acopladas ligadas aos coletores dos IGBTs. ................................................................ 42
Figura 3.20 - Diferena nas caractersticas de tenso e corrente de dois IGBTs. .............. 42
Figura 3.21 - Utilizao das indutncias acopladas para o equilbrio de correntes nos IGBTs
em paralelo [6]............................................................................................................... 43
Figura 3.22 Exemplo de ligao de indutncias acopladas aos trs IGBTs em paralelo. 45
Figura 3.23 - Distribuio das tenses nos enrolamentos secundrios. ............................. 46
Figura 4.1 - Ciclo histertico do material ferromagntico 3E25 [7]. ..................................... 48
Figura 4.2 - Circuito de teste do transformador de impulsos. .............................................. 49
Figura 4.3 - A curva do sinal de comando, Vcomando, e a curva do impulso no secundrio
do transformador de impulsos, VS................................................................................ 50
Figura 4.4 - Circuito de disparo do IGBT. ............................................................................ 51
Figura 4.5 - a) Sinal na porta do IGBT. b) Tenso na carga (curva vermelha, 10 V/div.) e a
corrente na carga (curva verde, 10 A/div.). .................................................................. 52
Figura 4.6 - a) Tenso na carga. b) Corrente na carga. ...................................................... 52
Figura 4.7 - Disparo de dois IGBTs em paralelo, utilizando os transformadores de impulsos
com os primrios ligados em paralelo. ......................................................................... 53
Figura 4.8 - Curva de tenso da porta do: a) IGBT1; b) IGBT2. ........................................... 53
VIII
NDICE DE FIGURAS
Figura 4.9 - Disparo de dois IGBTs em paralelo, com os primrios dos transformadores de
impulsos ligados em srie. ............................................................................................ 54
Figura 4.10 - a) Curva de tenso da porta do IGBT1; b) Curva de tenso da porta do IGBT2.
....................................................................................................................................... 55
Figura 4.11 - Caracterstica da tenso do circuito RC. ........................................................ 56
Figura 4.12 - Circuito de disparo do IGBT com a malha para medio da tenso VCE....... 57
Figura 4.13 - Forma de onda da tenso VCa. ....................................................................... 57
Figura 4.14 - Caracterstica do comparador utilizado. ......................................................... 59
Figura 4.15 - Circuito do comparador com histerese utilizado. ........................................... 59
Figura 4.16 - Circuito de proteo contra sobrecorrentes. .................................................. 61
Figura 4.17 - Circuito de disparo do IGBT com circuito resultante de proteo contra
sobrecorrentes incorporado. ......................................................................................... 61
Figura 4.18 - a) Tenso VGE e Corrente IC. b) Tenso VCa. ................................................. 62
Figura 4.19 - Tenso na sada do comparador. ................................................................... 62
Figura 4.20 a) Tenso VGE e corrente Ic. b) Corrente Ic. .................................................... 63
Figura 4.21 - Tenso VCa medida pelo comparador. ........................................................... 63
Figura 4.22 - Tenso VCa (curva laranja) e tenso VO (curva azul). .................................... 64
Figura 4.23 - Tenso VGE (curva laranja) e tenso VO (curva azul)..................................... 64
Figura 4.24 - Dois IGBTs em paralelo, desequilbrio de correntes. ..................................... 65
Figura 4.25 - a) Curva da corrente IC1 do IGBT1 (curva laranja) e curva da corrente IC2 do
IGBT2 (curva azul); b) Diferena de quedas de tenso, VCE2-VCE1. ............................. 65
Figura 4.26 - Dois IGBTs em paralelo, indutncias acopladas ligadas aos emissores. ..... 66
Figura 4.27 - a) Curva da corrente IC1 do IGBT1 (curva laranja) e curva da corrente IC2 do
IGBT2 (curva azul). b) Diferena de correntes IC2 e IC1 (IC2-IC1). .................................. 67
Figura 4.28 - Circuito completo com dois IGBTs em paralelo. ............................................ 68
Figura 4.29 - a) Sinais de disparo do IGBT1 (curva laranja) e do IGBT2 (curva azul). b) Curva
da corrente IC1 do IGBT1 (curva laranja) e curva da corrente IC2 do IGBT2 (curva azul).
....................................................................................................................................... 68
....................................................................................................................................... 69
Figura 4.31 - Circuito completo com dois IGBTs em paralelo. ............................................ 70
....................................................................................................................................... 70
Figura 4.33 - Sinais de disparo do IGBT1 (curva laranja) e do IGBT2 (curva azul),
sobrepostos. .................................................................................................................. 71
Figura 4.34 - a) Curva da corrente IC1 do IGBT1. b) Curva da corrente IC2 do IGBT2. ........ 71
IX
NDICE DE FIGURAS
Figura 4.35 - Influncia das indutncias nas tenses VGE dos IGBTs................................. 72
Figura 4.36 - a) Impulso gerado pelo microcontrolador PIC18f2331. b) Tenso no secundrio
do transformador de impulsos. ..................................................................................... 73
Figura 4.37 - Sinal aplicado porta do IGBT, com a resistncia RG de 10 . .................... 74
Figura 4.38 - Sinal aplicado porta do IGBT, com a resistncia RG de 20 . .................... 74
Figura 4.39 - a) Tenso na carga e a corrente na carga b) Tenso na carga e ampliao da
corrente na carga. ......................................................................................................... 75
Figura 4.40 - a) Sinal de disparo dos IGBTs. b) Ampliao dos sinais de disparo dos IGBTs.
....................................................................................................................................... 75
Figura 4.41 - a) Sinal de disparo dos IGBTs. b) Ampliao dos sinais de disparo dos IGBTs.
....................................................................................................................................... 76
Figura 4.42 - Sinal de disparo do IGBT e corrente IC (0,1 V/ 1 A). ...................................... 77
Figura 4.43 - a) Curva de tenso VCa, medida pelo comparador. b) Curva de tenso VCa,
medida pelo comparador e curva de tenso VO, na sada do comparador. ................ 77
Figura 4.44 - a) Curva do sinal de disparo do IGBT e curva da corrente IC (0,1 V/ 1 A). b)
Curva da tenso VCa e curva da tenso da sada do comparador, VO......................... 78
Figura 4.45 - Circuito experimental com dois IGBTs em paralelo com proteo contra
sobrecorrentes. ............................................................................................................. 79
Figura 4.46 - a) Curvas do IGBT1. b) Curvas do IGBT2. ...................................................... 80
Figura 4.48 - a) Curva da corrente IC1 do IGBT1 (0,1 V/ 1 A). b) Curva da corrente IC2 do
IGBT2 (0,1 V/ 1 A). ........................................................................................................ 81
Figura 4.51 - a) Curva da corrente IC1 do IGBT1 (0,1 V/ 1 A). b) Curva da corrente IC2 do
IGBT2 (0,1 V/ 1 A). ........................................................................................................ 83
Figura 4.53 - a) Curva do sinal da porta do IGBT1. b) Curva da corrente IC1 do IGBT1 (0,1 V/
1 A). ............................................................................................................................... 84
Figura 4.54 - a) Curva do sinal da porta do IGBT2. b) Curva da corrente IC1 do IGBT2 (0,1 V/
1 A). ............................................................................................................................... 85
Figura 5.1 - Circuito completo com trs IGBTs em paralelo. ............................................... 86
Figura 5.2 - Disparo de trs IGBTs em paralelo, com os primrios dos transformadores de
impulsos ligados em paralelo. ....................................................................................... 87
Figura 5.3 - Curva de tenso da porta do IGBT1. ................................................................ 88
Figura 5.4 - Variao da tenso no condensador Ci ao longo do tempo. ........................... 89
Figura 5.5 - Trs IGBTs em paralelo com o circuito para medio da tenso VCE. ............ 90
Figura 5.6 - Forma de onda da tenso VCa. ......................................................................... 90
NDICE DE FIGURAS
Figura 5.7 - a) Caracterstica do comparador do circuito de proteo contra sobrecorrentes.
b)Circuito de proteo contra sobrecorrentes. ............................................................. 91
Figura 5.8 - Circuito com trs IGBTs em paralelo. ............................................................... 92
Figura 5.9 - a) Sinal aplicado porta do IGBT1. b) Curvas de correntes IC1 (laranja), IC2 (azul)
e IC3 (vermelha). ............................................................................................................ 93
Figura 5.10 - a) Sinal aplicado porta do IGBT1. b) Curvas de correntes IC1 (laranja), IC2
(azul) e IC3 (vermelha). .................................................................................................. 93
Figura 5.11 - a) Sinal aplicado porta do IGBT1. b) Curvas de correntes IC1 (laranja), IC2
(azul) e IC3 (vermelha). .................................................................................................. 94
Figura 5.12 - Circuito com trs IGBTs em paralelo.............................................................. 95
XI
ACRNIMOS
Acrnimos
- permeabilidade magntica absoluta
o - constante de permeabilidade do vcuo
AL - fator de indutncia (H)
B - densidade de fluxo magntico (T)
C - coletor do IGBT
Cboot - condensador de bootstrap (F)
CCE - capacidade parasita entre o coletor e o emissor (F)
CCG - capacidade parasita entre o coletor e a porta (F)
CGE - capacidade parasita entre a porta e o emissor (F)
Ci - condensador de armazenamento de energia (F)
D - dodo
Dboot - dodo de bootstrap
E - emissor do IGBT
e - fora eletromotriz (V)
ECif - energia no condensador apos o impulso (J)
ECii - energia inicialmente armazenada no condensador (J)
EP - energia libertada durante o impulso (J)
G - porta do IGBT
GND - ground (massa)
H - intensidade do campo magntico (A/m)
IC - corrente do coletor do IGBT (A)
ICa - corrente no condensador Ca (A)
Icarga - corrente na carga (A)
IDD - corrente no dodo DD (A)
ifb - corrente que passa atravs da resistncia Rfb (A)
XII
ACRNIMOS
IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor (transstor bipolar de porta isolada)
IL - corrente na indutncia (A)
IM - corrente de magnetizao (A)
IRD - corrente na resistncia RD (A)
ISe - corrente no semicondutor Se (A)
IT - corrente total (A)
IT - corrente total (A)
iTVS - corrente que passa no dodo TVS (A)
L - indutncia (H)
le - comprimento do caminho do fluxo magntico do nucleo (m)
LM - indutncia de magnetizao (H)
MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (transstor de efeito de
campo metal - xido - semicondutor )
N - Nmero de espiras
NC - contacto no utilizado
PWM - pulse with modulation (modulao por largura de impulso)
RB - resistncia da base do transstor TJB ()
RC - resistncia para limitar a corrente do condensador ()
Rcarga- resistncia de carga ()
Re - resistncia igualizadora de corrente ()
Rfb - resistncia ligada ao nodo do dodo zener ()
RG - resistncia ligada porta do IGBT ()
RGE - resistncia entre a porta e o emissor do IGBT ()
S - seco do ncleo (m 2)
tCCGf - tempo de descarga de capacidade CGC (s)
tCCGf - tempo de descarga de capacidade parasita CCG do IGBT (s)
tCCGr - tempo de carga de capacidade parasita CCG do IGBT (s)
XIII
ACRNIMOS
tCGEf - tempo de descarga de capacidade parasita CGE do IGBT (s)
tCGEr - tempo de carga de capacidade parasita CGE do IGBT (s)
tif - tempo de decrescimento da corrente IC (s)
tir - tempo de crescimento da corrente IC (s)
TJB - transstor de juno bipolar
TL - indutores acoplados
TL - par de indutores acoplados
tON - durao de impulso (s)
Tr - transistor TJB
ttali - tempo da corrente de cauda (s)
tvf - tempo de decrescimento da tenso VCE (s)
tvr - tempo de crescimento da tenso VCE (s)
TVS - Transient Voltage Suppressor (transorb)
VC - tenso aplicada aos primrios de transformadores de impulsos (V)
VCa - tenso no condensador Ca, medida pelo comparador (V)
Vcarga - tenso na carga (V)
VCC - fonte de alimentao ou a tenso de fonte de alimentao (V)
VCE - tenso entre o coletor e emissor do IGBT (V)
VCEsat - tenso de saturao entre o coletor e emissor do IGBT (V)
VCEtjb - tenso entre o coletor e emissor do TJB (V)
VCif - tenso no condensador, Cii, que aplicada carga no fim de impulso (V)
VCii - tenso no condensador, Ci, no incio do impulso (V)
Vcomando - Sinal de comando do microcontrolador (V)
VD - queda de tenso no dodo (V)
Vd - tenso diferencial do comparador (V)
VGE - tenso aplicada porta do IGBT (V)
VGeth - tenso limiar da porta do IGBT (V)
XIV
ACRNIMOS
Vi - tenso de entrada do comparador (V)
VO - tenso de sada do comparador (V)
VOUT - tenso de sada do circuito de disparo (V)
VP - tenso de alimentao dos primrios (V)
VP - tenso no primrio do transformador de impulsos (V)
Vpotncia - fonte de potncia (V)
VRe - queda de tenso na resistncia igualizadora (V)
Vref - tenso de referncia (V)
Vref - tenso de referncia do comparador (V)
VS - tenso no secundrio do transformador de impulsos (V)
VSe - queda de tenso no semicondutor Se conduo (V)
VT - tenso total (V)
VTH - limite superior da histerese do comparador (V)
VTL - limite superior da histerese do comparador (V)
VZ - tenso do dodo de zener (V)
- fluxo magntico (Wb)
XV
CAPTULO 1 - INTRODUO
Os conversores electrnicos de potncia so usados na comutao de potncias
cada vez mais elevadas, onde so chamados a conduzir correntes na ordem das centenas
e milhares de amperes, muitas vezes superiores s correntes mximas suportadas pelos
semicondutores. Quando os semicondutores de potncia disponveis no possuem as
caratersticas necessrias em termos de corrente, ou a utilizao de dispositivos com
corrente de conduo mais reduzida so uma opo menos dispendiosa, recorre-se
associao em paralelo de vrios semicondutores, comandados por sinais de disparo
sncronos. assim necessrio garantir, nestas montagens, alm da distribuio uniforme da
corrente pelos dispositivos, as protees habituais.
Com este intuito ser realizado um estudo sobre a utilizao de IGBTs em paralelo
e tcnicas utilizadas para o seu disparo. Ser tambm efetuado um estudo de equalizao
das correntes entre os dispositivos em paralelo, bem como os circuitos de proteo contra
as sobrecorrentes. Sero dimensionados circuitos com dois e trs IGBTs, e o seu
funcionamento experimental ser comparado com o comportamento em simulao no
PSpice.
1.1 Motivao
Esta dissertao inscreve-se na rea de investigao e desenvolvimento no seio da
seco de Automao e Eletrnica, com particular nfase no mbito de electrnica de
regulao e comando.
A possibilidade de perceber melhor o funcionamento do tipo de tecnologia em estudo
e a grande variedade de aplicaes um fator motivador predominante para
desenvolvimento deste trabalho.
1.2 Objetivos
Este trabalho tem os seguintes objetivos:
1) Dimensionar transformadores de impulsos, para disparo dos IGBTs com
isolamento galvnico, utilizando ncleos toroidais;
2) Disparo de IGBT recorrendo ao transformador de impulsos dimensionado;
3) Projetar uma montagem com dois e trs IGBTs em paralelo;
4) Projetar um circuito de proteo contra sobrecorrentes;
5) Utilizar tcnicas para equalizar as correntes nos IGBTs em paralelo.
1.3 Estrutura da Dissertao

A estrutura desta dissertao dividida em seis captulos.
No captulo 1, denominado por introduo, apresenta-se o enquadramento, os
objetivos do trabalho e a estrutura adotada para a dissertao.
No captulo 2 apresenta-se a descrio e o funcionamento do IGBT, as solues
mais comuns de proteo contra sobrecorrentes, sobretenses e as tcnicas de equilbrio
de correntes.
No captulo 3 apresenta-se o diagrama geral do circuito com trs IGBTs em paralelo,
utilizando uma das tcnicas de disparo dos IGBTs, de proteo contra sobrecorrentes e de
equilbrio de correntes, bem como o seu dimensionamento, que esto descritas no captulo
2.
No captulo 4 mostram-se os clculos numricos dos circuitos descritos no captulo
3, bem como os resultados de simulao em PSpice e os resultados experimentais do
circuito com dois IGBTs em paralelo.
No captulo 5 apresentam-se os clculos numricos do circuito com trs IGBTs em
paralelo, os resultados de simulao e os resultados experimentais obtidos.
No captulo 6 apresentam-se as concluses gerais e algumas perspetivas futuras do
trabalho.
2
CAPTULO 2 - UTILIZAO DE IGBTS EM PARALELO
CAPTULO 2 -
UTILIZAO
DE
IGBTS
EM
PARALELO
2.1 Introduo
Neste captulo apresenta-se de uma forma simplificada a descrio e o
funcionamento do IGBT, as solues mais comuns para o disparo do mesmo, os mtodos
de equalizao da corrente nos semicondutores em paralelo e os mtodos de proteo
contra sobrecorrentes e sobretenses.
Hoje em dia os IGBTs so cada vez mais utilizados como os dispositivos
semicondutores de potncia de excelncia num conjunto vasto de aplicaes, que vo da
trao, gerao de energias alternativas e Potncia Pulsada, onde as correntes podem
atingir milhares de amperes. Devido s suas limitaes, principalmente no que respeita
corrente mxima admissvel, estes dispositivos devem ser ligados em paralelo. Tendo em
conta que os IGBTs da mesma marca e com as mesmas caractersticas possuem algumas
tolerncias, deve-se prestar especial ateno aos tempos de passagem conduo e ao
corte, equalizao de corrente que passa atravs dos dispositivos em paralelo e s
tenses entre o coletor e o emissor. Adicionalmente, por norma os dispositivos de conduo
bipolar tm o coeficiente de temperatura negativo, pelo que a sua ligao em paralelo
acarreta problemas adicionais.
2.2 Transstor bipolar de porta isolada (IGBT)

O transstor bipolar de porta isolada (IGBT) um dispositivo semicondutor que rene
as caractersticas de tecnologia unipolar (MOSFET), no comando, e de tecnologia dos
transstores bipolares (TJB), na conduo. Estas duas tecnologias apresentam
caractersticas que se complementam.
Os transstores bipolares, especialmente os de potncia, comparativamente aos
MOSFETS equivalentes tm baixas quedas de tenso de conduo, suportam maiores
tenses e correntes, mas como inconveniente apresentam os tempos de comutao mais
elevados do que os MOSFETs, principalmente na passagem ao corte.
Os MOSFETs apresentam os tempos de comutao bastante menores do que os
TJBs e maior facilidade de comando da porta, visto que so comandados por tenso. Isto
implica um consumo reduzido da corrente durante a comutao e ausncia do consumo
durante a conduo, enquanto TJBs so comandados por corrente, que se deve manter
durante todo o tempo de conduo do mesmo. Por outro lado, comparativamente com os
TJBs, as tenses e as correntes mximas de funcionamento dos MOSFETs so mais baixas
e as quedas de tenso de conduo so mais altas.
Na Figura 2.1 b) apresenta-se a estrutura vertical de um IGBT. Verifica-se que muito

semelhante do MOSFET, Figura 2.1 a), onde foi substituda a camada N+ por uma camada
P+.
Esta alterao introduz uma nova juno PN, cuja camada P+ quando em conduo,
injeta os portadores minoritrios (lacunas) na regio deriva (fracamente dopada) N-. Com a
injeo dos portadores minoritrios na regio N-, aumenta a condutividade do canal drenofonte no MOSFET, reduzindo a resistncia de conduo deste, Figura 2.2 a), o que implica
a passagem do transstor TJB conduo. Portanto, o IGBT um dispositivo misto uma vez
que a conduo feita por portadores maioritrios (eletres do canal) e minoritrios (os
injetados pela juno PN). Devido nova juno PN do IGBT, o novo dodo vai poder
bloquear o dodo parasita j existente, Figura 2.1 b), permitindo bloquear as tenses
inversas com o mesmo valor da tenso direta. Este tipo do IGBT designa-se por simtrico
ou no atravessado, NPT-IGBT (non punch through), [1]. A estrutura da porta e do emissor
praticamente no sofreram alteraes.
MOSFET
IGBT
Fonte
Porta
N+
P+
N+
N+
P+
N+
N-
Emissor
Porta
N+
P+
N+
N+
P+
N+
Injeo de portadores
minoritrios
N-
N+
P+
Dreno
Coletor
a)
b)
Figura 2.1 - a) Estrutura fsic a de um MOSFET [1]. b) Estrutura fsic a de um IGBT .
Na Figura 2.2 apresentam-se o circuito equivalente e o smbolo do IGBT.

Coletor
C
Coletor
C
Porta
Porta
E
Emissor
a)
G
E
Emissor
b)
Figura 2.2 - a) Circuito equivalente do IGBT [1]. b) Smbolo do IGBT .

Para obter um IGBT assimtrico basta adicionar uma camada P+ ao MOSFET,
mantendo a camada N+, Figura 2.3.
IGBT assimtrico
Emissor
Porta
N+
P+
N+
N+
P+
N+
NN+
P+
Coletor
Figura 2.3 - Estrutura fsic a de um IGBT assimtric o [1].
O IGBT assimtrico no pode suportar tenses inversas maiores que cerca de 20 V,

devido alta concentrao de impurezas em ambos os lados da juno acrescentada. No
entanto, como a camada N+ pode bloquear a progresso da camada de carga espacial, a
espessura da zona N- pode ser reduzida. Diminuindo a zona N-, diminui a resistncia de
conduo e reduz-se o tempo de passagem ao corte do IGBT assimtrico relativamente ao
IGBT simtrico [1].
O IGBT rene as melhores caractersticas do MOSFET e do TJB, sendo um
compromisso entre as tecnologias unipolar e bipolar, dispositivo hbrido. Os tempos de
comutao dos IGBTs so mais baixos do que dos TJBs de potncia e funcionam com as
tenses e correntes mais altas do que dos MOSFETs, tendo a mesma facilidade de comando
da porta.
2.2.1 Funcionamento do IGBT

A passagem do IGBT conduo efetuada aplicando uma tenso positiva, VGE,
porta. Esta tenso deve ser superior ao valor da tenso limiar VGEth, (VGE > VGEth), a partir do
qual se comea a formar o canal de conduo do IGBT. Se a tenso aplicada porta, VGE,
for inferior tenso limiar VGeth, o IGBT estar ao corte, Figura 2.4.
Na Figura 2.4 apresentam-se as curvas caractersticas iC(VCE) e iC(VGE).
i C (A)
Zona de
Saturao
i C (A)
Zona Ativa
VGE6
VGE5
VGE4
VGE3
VGE2
VGEth
VGE1
VRM
VGE < VGEth

VCEsat
VCE (V)
Zona de Corte
a)
VGE (V)
b)
Figura 2.4 - a) Carac terstic a IC (V CE ) de um IGBT simtric o. b) Carac terstic a de transf ernc ia IC (V GE ) de
um trans stor IGBT.
Nas caractersticas IC(VCE) e IC(VGE) da Figura 2.4 apresentam-se trs regies

distintas de funcionamento do IGBT, Zona de Corte, Zona Ativa e Zona de Saturao.
O IGBT encontra-se na Zona de Corte quando VGE < VGEth, sendo a corrente de coletor
IC praticamente nula. Nesta zona, a tenso VCE imposta por um circuito exterior pode ser
negativa ou positiva. A amplitude da tenso inversa aplicvel depende do tipo de IGBT.
O IGBT encontra-se na Zona Ativa quando VGE > VGeth e VCE >> VCEsat. A potncia
dissipada nesta zona muito elevada, devendo-se evitar a utilizao desta zona no
funcionamento como interruptor devido s perdas elevadas.
O IGBT encontra-se na Zona de Saturao quando VGE > VGeth e VCE VCEsat. Esta
zona conjuntamente com a zona de corte, so usadas em aplicaes de potncia onde o
dispositivo funciona como interruptor.
Alem das trs regies mencionadas, existe ainda uma outra, designada por Zona de
Avalanche. O IGBT encontra-se nesta zona quando VGE > VGeth, a tenso VCE e a corrente IC
so muito elevados. Esta zona deve ser evitada, pois pode conduzir destruio do IGBT.
2.2.2 Caractersticas dinmicas do IGBT

As caractersticas dinmicas do IGBT so afetadas por injeo dos portadores
minoritrios pela camada P+, Figura 2.1 b) e pelas capacidades parasitas. A injeo dos
portadores minoritrios implica o tempo de recombinao destes, aumentando os tempos
de comutao do IGBT. Os tempos de comutao so tambm aumentados pelas
capacidades parasitas, Figura 2.5, devido ao tempo de carga e de descarga das mesmas.
Na Figura 2.5 apresentam-se as capacidades parasitas equivalentes do IGBT.
CGC
CCE
CGE
E
Figura 2.5 - Repres enta o das c apacidades parasitas equivalentes do IGBT.
A capacidade CGE a capacidade medida entre a porta e o emissor do IGBT com

VGE = 0 V, denominada pela capacidade de entrada. Para os IGBTs de 100 A e 1200 V, esta
capacidade vale cerca de uma dezena de nF. O valor da capacidade CGE depende da tenso
VCE aplicada.
A capacidade CCG a capacidade medida entre o coletor e a porta do IGBT,
denominada pela capacidade de transferncia inversa. O valor desta capacidade tambm
depende da tenso VCE e relativamente mais baixa do que o valor da capacidade CGE para
as mesmas condies.
A capacidade CCE a capacidade medida entre o coletor e emissor do IGBT,
denominada pela capacidade de sada. O valor desta capacidade depende do tempo mdio
de vida dos portadores minoritrios.
Estas capacidades resultam da proximidade fsica dos eltrodos e das zonas de
depleo, contribuindo para que a passagem do IGBT conduo/corte no seja
instantnea.

Na Figura 2.6 apresenta-se o diagrama temporal que representa a passagem
V GE (V)
tCGEr + tCCGr
tCGEr
tCGEr + tCCGr
t CCGf
conduo e a passagem ao corte do IGBT.
tCGEf + tCCGf t
CGEf
V GEth
t (s)
VCE (V)
t Don
V CEsat
t Doff
t vf
I C (A)
t ir
t (s)
t vr
t if t tail
t (s)
Figura 2.6 - Repres enta o qualitativa das c aracterstic as dinmic as do IGBT.
Como se pode verificar pela figura anterior, as capacidades parasitas CGC e CGE
possuem os tempos de carga (tCGEr e tCCGr) e os respetivos tempos de descarga (tCGEf e
tCCGf), o que impe um atraso de crescimento e decrescimento da tenso VGE, contribuindo
para a existncia dos tempos de crescimento (tvr) e dos tempos de decrescimento (tvf) da
tenso VCE.
Na passagem do estado de corte para a conduo, antes de entrar na saturao, o
transstor bipolar PNP (Figura 2.2 a)) deve atravessar a zona ativa, o que acontece algum
tempo depois de passagem completa conduo do MOSFET. Depois do MOSFET estar
completamente conduo, a tenso VCE passa para o valor da tenso VCEsat.
Na passagem ao corte, as capacidades parasitas CGE e CGC provocam o tempo de
atraso tDoff, descarregando at um valor de tenso a partir do qual a tenso VCE aumenta.
Depois de aumento da tenso VCE, verifica-se uma pequena diminuio inicial da corrente
IC, que se deve ao facto de passagem do MOSFET ao corte. A diminuio da corrente IC
durante os tempos tif e ttali deve-se recombinao dos portadores minoritrios (lacunas)
presentes na juno Emissor - Base do transstor PNP. A existncia de corrente de cauda,
que corresponde ao tempo ttali deve-se ao facto de a recombinao se processar com a base
em aberto (quando o MOSFET est ao corte, Figura 2.2).
8
2.3 Mtodos de disparo do IGBT

Habitualmente, os circuitos de disparo dos semicondutores colocados em conversores
de potncia so operados com baixas tenses (no ultrapassando os 24 V) e baixas
correntes (na ordem das dezenas de mA). Estes circuitos so designados por drivers.
Hoje em dia existem vrios mtodos de disparo dos IGBTs, sendo os mais utlizados: o
disparo recorrendo ao sinal de comando no isolado, sinal de comando isolado opticamente
e sinal de comando isolado magneticamente, que sero descritos nos pontos seguintes.
2.3.1 Sinal de comando no isolado

A utilizao do sinal de comando no isolado consiste na utilizao dos circuitos de
disparo dos semicondutores que no possuem o isolamento galvnico. Para ser possvel a
utilizao deste tipo de circuitos, o circuito de comando e o circuito de potncia devem ter o
mesmo referencial. Para realizao do comando dos IGBTs normalmente so utilizados os
circuitos de disparo que possuem internamente a configurao dos transstores em TotemPole como se ilustra na Figura 2.7. A escolha deste tipo de circuitos de disparo deve-se ao
facto de serem bastante rpidos, podendo comutar a frequncias que atingem centenas de
kHz, permitindo tambm manter o sinal de comando na sua sada durante o tempo prximo
do tempo do perodo.
Os transstores em Totem-Pole so normalmente colocados conduo
alternadamente devido s portas lgicas internas do driver. Quando aparece um sinal
positivo entrada, este processado de maneira a colocar o transstor Tr1, conduo o
que implica a passagem conduo do IGBT e o transstor Tr2 passa ao corte. O transstor
Tr1 passa ao corte quando desaparece o sinal de comando, neste instante o transstor Tr2
entra em conduo, ligando assim a porta do IGBT massa o que implica a passagem do
IGBT ao corte.
Figura 2.7 - Exemplo de liga o do IGBT ao driv er [2]

Tal como mencionado anteriormente, a velocidade de comutao e a possibilidade de
manter o sinal de disparo na sada durante o intervalo de tempo prximo do tempo do
perodo so duas grandes vantagens deste tipo de circuitos de disparo.
2.3.2 Sinal de comando isolado opticamente

Os circuitos de comando que operam com os sinais de comando isolados opticamente,
podem transmitir os sinais isolados por optoacopladores ou fibras-pticas, onde o
isolamento eltrico realizado por meio tico. Os optoacopladores convencionais no
possuem a blindagem de Faraday e no so adequados para aplicaes de comando de
transistores MOSFETs e IGBTs devido sua construo. Por esta razo existe outro tipo de
opoacopladores que se apresenta na Figura 2.8.
O optoacoplador pode ter uma configurao interna de transstores em Totem-Pole,
Figura 2.8. O isolamento galvnico deste tipo de dispositivos realizado recorrendo a um
emissor de sinal luminoso (como um led por exemplo) e um foto-dodo, que ao receber o
sinal luminoso o transstor Tr1 passa conduo ficando o transstor Tr2 ao corte. Do mesmo
modo, quando se extingue o sinal de comando, o transstor Tr1 passa ao corte e o transstor
Tr2 passa conduo. Estas situaes devem-se ao processamento do sinal no
optoacoplador. A blindagem de Faraday impede o aparecimento do rudo entre o emissor
luminoso e o foto-dodo que poder surgir devido capacidade parasita entre estes. O
condensador Cin serve para absorver os picos de tenso que podem surgir da fonte de
alimentao VCC, que alimenta a sada do optoacoplador, que por sua vez alimenta a porta
do IGBT quando o transstor Tr1 se encontra conduo.
Figura 2.8 - Exemplo de liga o do IGBT ao optoac oplador [3].
A utilizao dos optoacopladores para o comando dos IGBTs apresenta vrias

vantagens, nomeadamente, a presena do isolamento galvnico, a possibilidade de manter
o sinal de comando na sada durante o intervalo de tempo prximo do tempo do perodo,
facilidade de interligao com os microcontroladores e circuitos geradores de PWM, o que
10

torna este tipo de comando largamente utilizado no nosso quotidiano. Porm a utilizao
dos optoacopladores implica a utilizao de uma fonte de alimentao isolada, VCC, para
amplificao do sinal. Outra desvantagem existente na utilizao deste tipo de dispositivo
a existncia do tempo de propagao finito do sinal.
2.3.3 Sinal de comando isolado magneticamente

Outra soluo para comando do IGBT com o isolamento galvnico a utilizao do
transformador de impulsos, Figura 2.9. Os transformadores de impulsos designados para o
comando dos semicondutores de potncia conseguem fornecer picos de correntes
suficientes de modo a que a comutao dos IGBTs seja rpida, bem como os nveis de
tenso apropriados.
Quando se aplica um sinal na base do transstor Tr (Figura 2.9), o transstor passa
conduo. Neste instante a tenso do primrio VP do transformador igual ao valor da
tenso da fonte VCC, o que implica que a tenso do secundrio VS nVP, onde o valor de n
o valor de relao de transformao.
O dodo D e o dodo zener VZ garantem a desmagnetizao do ncleo do transformador
quando o transstor Tr passa ao corte. A resistncia RG serve para limitar a corrente de carga
e de descarga de capacidades parasitas da porta do IGBT e amortecer possveis oscilaes
que podero surgir devido s capacidades parasitas da porta do IGBT e indutncia do
circuito entrada. A resistncia RGE serve para descarregar as capacidades parasitas da
porta quando o IGBT se encontra ao corte e no permitir que o rudo induzido coloque o
IGBT conduo.
Carga
Vpotncia
RG
V CC
G
E
VZ
VP
VS
RGE
RB
V impulso
Tr
Figura 2.9 - Exemplo de liga o do IGBT ao transf ormador de impuls os .
A utilizao dos transformadores de impulsos nos circuitos de disparo traz vrias

vantagens, nomeadamente a existncia do isolamento galvnico, fornecimento no s do
sinal de disparo mas tambm da potncia necessria ao ataque da porta, o que implica a
11

no necessidade de utilizao da fonte de alimentao adicional, reduzido atraso na
propagao do sinal de comando do primrio para o secundrio.
A utilizao dos transformadores de impulsos tem como inconveniente o fluxo mximo
permitido pelo transformador usado, ou seja, os impulsos com uma certa amplitude no
podem exceder um determinado intervalo de tempo devido ao fluxo de saturao do ncleo,
=Vt, no havendo a possibilidade de manter o sinal de disparo, com uma determinada
amplitude, durante o tempo para qual no se dimensionou o transformador de impulsos.
2.3.4 Bootstrap
A tcnica de bootstrap utiliza-se para o comando dos IGBTs que possuem os
referenciais diferentes, por exemplo na topologia meia ponte, Figura 2.10.
Esta tcnica permite simular uma fonte de alimentao flutuante recorrendo a um
dodo Dboot, e um condensador Cboot auxiliares. Quando o IGBT1 se encontra ao corte e o
IGBT2 conduo, o condensador Cboot carregado pela fonte VCC atravs do dodo rpido
Dboot. Quando o IGBT1 passa conduo e o IGBT2 ao corte, o dodo Dboot encontra-se
inversamente polarizado, deste modo, o circuito de disparo superior encontra-se alimentado
pelo condensador Cboot.
Carga
Vpotncia
Dboot
Circuito de
disparo
superior
RG1
IGBT1
Circuito de
disparo
inferior
RG2
IGBT2
Cboot
V CC +
-
Figura 2.10 - Exemplo da tc nic a bootstrap.
A vantagem de utilizao desta tcnica a no necessidade de utilizao das fontes

de alimentao isoladas para o disparo dos IGBTs do nvel superior e do nvel inferior.
A desvantagem desta tcnica que devido descarga do condensador, Cboot, existe
uma limitao em relao ao tempo de conduo e corte do IGBT1 e IGBT2 respetivamente,
bem com frequncia de operao do circuito, de forma a manter o condensador auxiliar
sempre carregado.
12
2.4 Tcnicas de equilbrio de correntes nos semicondutores de

potncia ligados em paralelo
Nos prximos pontos, so descritas as tcnicas mais comuns para equilbrio de
correntes nos semicondutores de potncia ligados em paralelo.
Mesmo considerando semicondutores de potncia da mesma marca e modelo,
existem algumas tolerncias, principalmente no que respeita curva caracterstica de
tenso-corrente e ao tempo de passagem conduo e ao corte.
Outra caracterstica importante que se deve tomar especial ateno o coeficiente de
temperatura da resistncia de conduo dos semicondutores. Existem os semicondutores
com o coeficiente de temperatura negativo, por exemplo os transstores TJB, os IGBTs do
tipo PT (Punch Through) e os dodos de potncia, e com coeficiente de temperatura
positivo, por exemplo os MOSFETs e IGBTs do tipo NPT (Non Punch Through).
Os semicondutores de potncia, que possuem o coeficiente de temperatura positivo,
tem a ligao em paralelo simplificada. Quanto maior a corrente de um elemento em
paralelo, maior a potncia dissipada, logo, maior se torna a resistncia de conduo deste,
o que implica maior queda de tenso, limitando assim o crescimento da corrente, nesse
ramo. Deste modo, para o regime permanente deste tipo de dispositivos, no existe
necessidade de utilizao de resistncias ou indutncias em srie para equilibrar as
correntes. Porm, para as condies dinmicas, diferenas no tempo de comutao e
diferenas nas indutncias parasitas e externas, determina-se o desequilbrio em transitrios
de tenso e corrente, o que pode afetar a operao do dispositivo, neste caso necessrio
forar o equilbrio de correntes.
Nos semicondutores em paralelo, com o coeficiente de temperatura negativo, o
semicondutor no qual passa mais corrente, dissipa maior potncia. Isto implica a diminuio
de resistncia de conduo deste, reduzindo assim a queda de tenso, provocando maior
passagem de corrente e maior temperatura no mesmo (embalamento trmico). Desta forma,
estes componentes contribuem automaticamente para o desequilbrio das correntes,
quando conectados em paralelo, atingindo a sua temperatura mxima o que provoca a sua
destruio. Por esta razo deve aplicar-se uma tcnica para equilibrar as correntes para
este tipo de dispositivos em paralelo.
13
2.4.1 Utilizao de resistncias para equalizao da corrente

O mtodo mais simples e bvio de equilbrio de correntes consiste em inserir
resistncias, Re, em srie com os semicondutores Se, Figura 2.11.
IT
ISe1
ISe2
ISen
Se1
VSe1
Se2
VSe2
Sen
VSen
Re1
VRe1
Re2
VRe2
Ren
VRen
Figura 2.11 - Exemplo de utiliza o de resistnc ias para equaliza o da c orrente da c orrente.
Este mtodo deve ser utilizado principalmente para os semicondutores com o

coeficiente de temperatura negativo, de modo prevenir o embalamento trmico.
Num semicondutor Se, com o coeficiente de temperatura negativo, o aumento de
temperatura provoca a diminuio da queda de tenso VSe, aumentando a corrente ISe. Por
outro lado, na resistncia Re, que se encontra em srie com o semicondutor, a queda de
tenso VRe aumenta, compensando assim a diminuio da queda de tenso VSe. Deste
modo, utilizando as resistncias para equalizao da corrente, fora-se o equilbrio de
correntes nos dispositivos em paralelo.
A utilizao das resistncias para equalizao da corrente implica uma certa
potncia dissipada, diminuindo o rendimento do circuito, o que torna este mtodo pouco
utilizado nas aplicaes de potncia elevada.
14
2.4.2 Utilizao de indutncias acopladas magneticamente

Um dos mtodos mais eficientes para forar o equilbrio das correntes a utilizao
de indutncias acopladas magneticamente como se apresenta na Figura 2.12. Este mtodo
pode ser utilizado para associao de vrios tipos de semicondutores em paralelo, tais
como, os dodos de potncia, os tirstores, os IGBTs, etc.
Na Figura 2.12 apresenta-se uma associao em paralelo de dois semicondutores
com as indutncias acopladas ligadas em srie com estes. Como se pode verificar, as
bobinas so enroladas em sentidos opostos, modo subtrativo. No caso em que as correntes,
IL1 e IL2, que passam em ambos os ramos so iguais, a fora magnetomotriz induzida ser
nula. Neste caso as indutncias acopladas no afetam funcionamento do circuito.
No caso em que as correntes IL1 e IL2 que passam nos semicondutores Se1 e Se2 ,
respetivamente, no so iguais, a fora magnetomotriz induzida no ser nula, sendo assim
nas indutncias L1 e L2 aparecem as foras eletromotrizes induzidas e1 e e2 respetivamente
com sinais opostos.
IT
IL1
IL2
TL
L2
e1
e2
L1
Se1
Se2
Figura 2.12 - Exemplo de utiliza o das indutncias ac opladas para equilbrio de c orrente nos dois
semic ondutores em paralelo.
No semicondutor, por onde flui a menor corrente, a fora eletromotriz induzida possui
o sentido desta. Quanto ao semicondutor, onde a corrente superior relativamente ao outro,
a fora eletromotriz ope-se ao sentido da corrente, equilibrando assim as correntes nos
semicondutores. O funcionamento de indutncias acopladas, Figura 2.12, pode ser descrito
pelas seguintes equaes:
1 = 1
1
2
12
(2.1)
2 = 2
2
1
12
(2.2)
Onde, e1 = VL1 e e2 = VL2.
15

Na Figura 2.13 apresenta-se um exemplo de utilizao de indutncias acopladas
para trs semicondutores em paralelo.
IT
IL1
IL2
IL3
S e1
Se2
S e3
1:1
1:1
1:1
IS
L S1
VP1
L P1
L S2
VS1 VP2
L P2
L S3
VS2 VP3
L P3
VS3
Figura 2.13 - Exemplo de utiliza o das indutncias ac opladas para equilbrio de c orrente nos trs
O princpio de funcionamento do circuito da Figura 2.15 semelhante ao circuito da

Figura 2.12 e descreve-se pelas seguintes equaes:
1 = 1
(2.3)
2 = 2
(2.4)
3 = 3
(2.5)
Sabe-se que a soma das tenses, VP1, VP2 e VP3, zero, equao (2.6).
1 + 2 + 3 = 0
(2.6)
Se a corrente num dos ramos maior do que nos outros, a indutncia LP desse ramo
induz uma tenso, VS, na indutncia LS acoplada magneticamente a esse ramo. Esta tenso
dividida pelas indutncias LS acopladas magneticamente aos ramos onde as correntes so
menores, impondo as tenses, VP, no sentido da passagem de corrente.
Por exemplo, se a corrente IL1 no ramo do semicondutor Se1 maior do que nos
outros ramos, na indutncia LP1 aparece uma tenso VP1, que se ope ao sentido de corrente
desse ramo, induzindo uma tenso, VS1, na indutncia LS1, acoplada magneticamente.
16

A tenso VS1 aplicada s indutncias LS2 e LS3 em srie, Figura 2.14, dividindo-se entre as
mesmas e originando as tenses VS2 e VS3, equao (2.7).
1 = 2 3
(2.7)
IL1
S e1
1:1
L S2
IS
LS1
VP1
VS2
VS1
L P1
L S3
VS3
Figura 2.14 - Distribui o das tens es nos enrolamentos s ec undrios.
As indutncias LS2 e LS3 induzem as tenses VP2 e VP3, Figura 2.13. Sabendo que,
VP1 = VS1, VP2 = VS2 e que VP3 = VS3, a partir da equao (2.7) obtm-se:
1 = 2 3
(2.8)
O mesmo se verifica a partir da equao (2.6).

Deste modo, a tenso VP ope-se ao sentido da corrente no ramo onde a corrente
superior relativamente aos outros ramos, e nos ramos onde as correntes so inferiores as
tenses VP tomam os sentidos das mesmas, equilibrando assim as correntes.
Em situaes em que seja necessrio conectar mais do que trs semicondutores em
paralelo, pode se recorrer ao esquema da Figura 2.15.
IT
I2
I1
In
Se1
Se2
Sen
TL1
TL2
TLn
Figura 2.15 - Exemplo de utiliza o das indutncias ac opladas para equilbrio de c orrente nos vrios
Deste modo, como mostra a Figura 2.15, possvel conectar vrios semicondutores
em paralelo utilizando para o equilbrio da corrente a tcnica das indutncias acopladas.
17
2.4.3 Seleo de semicondutores de potncia com as caractersticas

semelhantes
Para garantir o melhor balanceamento de correntes nos semicondutores de potncia,
principalmente com o coeficiente de temperatura negativo, ligados em paralelo, estes so
individualmente selecionados de modo computacional, utilizando os sistemas de medida
computorizados, ou manualmente em laboratrio. Esta seleo efetua-se de modo a
escolherem-se os semicondutores com as caractersticas de tenso-corrente, passagem
conduo/corte mais prximas possveis, mesmo fazendo os ensaios para as temperaturas
diferentes, de modo a evitar o embalamento trmico.
Este mtodo torna-se bastante dispendioso devido complexidade de processo de
seleo e rejeio de muitos componentes. A vantagem deste mtodo deve-se ao facto de
no ser necessrio a utilizao dos elementos/circuitos adicionais que contribuem para o
equilbrio da corrente nos dispositivos em paralelo.
18
2.4.4 Utilizao da tcnica de controlo ativo da porta

Um dos mtodos de equilbrio da corrente utilizado para os IGBTs ligados em paralelo
o controlo ativo da porta [4]. Devido s tolerncias entre os parmetros dos IGBTs, ao
coeficiente de temperatura negativo e aos possveis atrasos com electrnica nos circuitos
de disparo no se garante a diviso simtrica da corrente entre os dispositivos em paralelo.
Na Figura 2.16 apresenta-se um exemplo do desequilbrio de correntes em trs
IGBTs em paralelo, disparados ao mesmo tempo, onde VGE a tenso aplicada porta do
IGBT e IC a corrente do coletor.
VGE (V)
I C (A)
I C3
VGE1 = VGE2 = VGE3
I C2
I C1
t (s)
a)
b)
t (s)
Figura 2.16 - a) Sinais de disparo dos IGBTs (c ompletamente sincronizados). b) As c orrentes que
pass am nos IG BTs.(formas de ondas das c orrentes nos IGBTs)
A utilizao da tcnica de controlo ativo da porta consiste na variao da amplitude

do sinal de disparo, VGE, e no instante do tempo em que este sinal aplicado porta do
IGBT, de modo a equilibrar as correntes, IC [4].
Na Figura 2.17 apresenta-se para o exemplo anterior de forma qualitativa a influncia
da variao dos sinais de disparo (VGE) no tempo, sobre as correntes IC, escolhendo
determinados instantes de tempo de disparo/corte dos IGBTs, de modo obter o sincronismo
dos impulsos de correntes que so gerados pelos IGBTs em paralelo [4].
VGE (V)
I C (A)
VGE1
VGE3
a)
I C3
I C2
I C1
VGE2
t (s)
b)
t (s)
Figura 2.17 - a) Sinais de disparo dos IGBTs (desf as ados no tempo). b) As c orrentes que pass am nos
IGBTs.
19

Na Figura 2.18 apresenta-se um exemplo da influncia da variao de amplitudes
dos sinais de disparo, de modo a equilibrar as amplitudes dos impulsos das correntes IC,
que so gerados pelos IGBTs em paralelo.
I C (A)
VGE (V)
I C3 I C2 I C1
VGE1
VGE2
VGE3
t (s)
t (s)
b)
a)
Figura 2.18 - Sinais de disparo dos IG BTs (c om as amplitudes dif erentes ). b) As c orrentes que pass am
nos IGBTs.(f ormas de ondas das c orrentes nos IGBTs)
Portanto, para o exemplo anterior, variando os sinais de disparo das portas, VGE, em
amplitude e no tempo, torna-se possvel obter um bom equilbrio das correntes, IC, nos ramos
(IGBTs) em paralelo, Figura 2.19 [4].
I C (A)
VGE (V)
I C1 ~I C2 ~ I C3
VGE1
VGE2
VGE3
t (s)
t (s)
b)
a)
Figura 2.19 - a) Sinais de disparo dos IGBTs. b) As c orrentes que pass am nos IGBTs.
Na Figura 2.20 apresenta-se o exemplo de um esquema de um circuito para

utilizao do mtodo de controlo ativo das portas dos IGBTs.
IT
IC1
Circuito de
Comando
Circuito de
medio de
correntes
VGE1
VGE2
VGE3
IC2
IGBT1
IGBT2
IC3
IGBT3
Transdutor
de corrente
Figura 2.20 - Utiliza o do mtodo de c ontrolo ativo das portas dos IGBTs.
20

Para ser possvel a utilizao do mtodo de controlo ativo das portas deve existir
uma malha de controlo, incluindo um circuito de comando programvel na cadeia de ao e
um circuito de medio de correntes na retroao.
O circuito de medio de correntes avalia as correntes que passam nos IGBTs, bem
como os tempos de crescimento e de decrescimento destas. O circuito de comando compara
esta informao com a informao obtida no perodo anterior, para calcular os novos
parmetros dos sinais de disparo, que sero aplicados s portas dos IGBTs no prximo
perodo.
A vantagem da utilizao desta tcnica serem desnecessrios os elementos
adicionais em srie com os IGBTs, tais como as bobinas e as resistncias. As desvantagens
da utilizao desta tcnica so, a necessidade de um circuito para medir a corrente e de um
circuito de comando das portas dos IGBTs programvel, sendo este bastante complexo.
21
2.5 Proteo dos IGBTs contra sobrecorrentes e sobretenses

Neste ponto explicam-se algumas das tcnicas existentes de proteo dos IGBTs
contra sobretenses e sobrecorrentes.
2.5.1 Proteo contra sobrecorrentes

No caso dos IGBTs, para a proteo contra sobrecorrentes prefervel a utilizao
dos circuitos ativos devido sua rapidez de funcionamento.
Na Figura 2.21 apresenta-se um circuito ativo de proteo contra curto-circuitos de
um IGBT. Tendo em conta que a queda de tenso, VCE, do IGBT proporcional corrente
do coletor, torna-se possvel detetar uma sobrecorrente medindo esta queda de tenso.
Carga
DD
RD
Ca
IC
V Ca
IGBT
RG
VCE
R2
R1
+
Vdisparo
Vref
Rb
R GE
VZ
Tr
Figura 2.21 - Circ uito de prote o do IGBT c ontra s obrec orrentes.
O circuito de proteo da Figura 2.21 mede a queda de tenso entre o coletor e o

emissor do IGBT atravs de um dodo rpido DD que comparada com a tenso de
referncia Vref. Quando VCE for superior a um certo limite (definido pela histerese do
comparador, Figura 2.21), o comparador comuta passando o transstor Tr conduo, o que
implica o desvio da corrente fornecida da porta do IGBT para a massa. O desvio da corrente
da porta do IGBT obriga a passagem deste ao corte at a situao permanecer.
O circuito de proteo encontra-se inativo quando a fonte do sinal Vdisparo contm a
informao do corte do IGBT, ou seja, apresenta na sada a tenso que inferior tenso
limiar da porta do IGBT.
Para prevenir os disparos indevidos do circuito de proteo, na altura de passagem
do IGBT conduo, quando a queda de tenso VCE, elevada deve-se introduzir um atraso
ao processamento de sinal de inibio. Para isso, coloca-se o condensador Ca, Figura 2.21,
que ao carregar impe um atraso ao processamento do sinal de inibio, resolvendo assim
o problema de disparos indevidos do circuito de proteo.
22

Na Figura 2.22 apresenta-se outro circuito ativo de proteo do IGBT contra
sobrecorrentes.
Carga
DD
RD
IC
IGBT
RG
Vdisparo
IZ1
VZ1
Ca
Rb
VCE
R GE
VZ2
Tr
Figura 2.22 - Circ uito de prote o do IGBT c ontra s obrec orrentes.
O princpio de funcionamento deste circuito semelhante ao circuito da Figura 2.21.

A tenso VCE neste caso comparada com a tenso do dodo zener VZ1 e quando for
superior, o transstor Tr passa conduo devido corrente IZ1. A passagem do transstor
Tr conduo provoca o desvio da corrente da porta do IGBT para a massa, obrigando o
IGBT passar ao corte (como no caso da Figura 2.22).
Outro mtodo de proteo contra sobrecorrentes baseia-se na utilizao do circuito
da Figura 2.20, onde o circuito de comando das portas dos IGBTs obtm a informao sobre
o estado das correntes recorrendo ao circuito de medio de correntes. Neste caso, o
circuito de comando deve ser programado para detetar as sobrecorrentes e reagir de uma
forma adequada na ocorrncia das mesmas.
Tendo a possibilidade de definir o comportamento do circuito de comando,
recorrendo programao do mesmo, possvel desenvolver um algoritmo que permite
comandar os IGBTs de melhor forma possvel na ocorrncia de sobrecorrente. Como
exemplo, este algoritmo poder ter em conta os tempos de passagem ao corte e a
dependncia da corrente do coletor da queda de tenso conduo de cada um dos IGBTs.
23
2.5.2 Proteo Contra Sobretenses

Um dos mtodos de proteo contra sobretenses mais utilizado, consiste na
utilizao do dodo zener que influencia diretamente a tenso da porta do IGBT.
Normalmente utiliza-se um dodo zener com tenso Vz elevada como se mostra na Figura
2.23 a), ou vrios dodos zener ligados em srie com a tenso Vz mais baixa.
i fbVZ
Carga
i fb
R fb
R fb
VZ
Carga
Vporta
Tr
R GE
R GE
a)
b)
Figura 2.23 - a) Circ uito de prote o c ontra s obretens es c onvenc ional ; b) Circuito de prote o c ontra
sobretens es melhorado.
Quando a tenso VCE ultrapassa a tenso do dodo zener Vz, aparece uma corrente
ifb que recarrega a capacidade da porta do IGBT, ou reduz a sua taxa de descarga que
depende do valor de resistncia RGE. Na maioria das situaes, a resistncia Rfb colocada
em srie com dodo zener, de modo a ser possvel ter um maior controlo sobre a corrente
ifb. Utilizando o transstor bipolar no circuito de proteo, como se mostra na Figura 2.23 b),
as perdas no dodo zener podem ser significativamente reduzidas, at se tornarem
desprezveis.
Outra tcnica de proteo dos IGBTs contra sobretenses baseia-se na utilizao
dos dodos TVS (Transient Voltage Suppressor), Figura 2.24. Os dodos TVS foram
desenvolvidos especialmente para proteger os semicondutores contra sobretenses em
regime transitrio. O funcionamento destes dodos semelhante ao funcionamento dos
dodos zener.
iTVS
IGBT
TVS
Figura 2.24 - Exemplo de utiliza o do dodo TVS para proteo do IGBT c ontra s obretens es.
24

Estes dispositivos devem ser ligados em paralelo com o circuito/componente que se
pretende proteger, como representado na Figura 2.24. A tenso de ruptura destes dodos
normalmente 10 % superior tenso inversa.
No regime de funcionamento normal, quando esto inversamente polarizados, os
dodos TVS apresentam uma grande impedncia passagem de corrente, iTVS. No regime
transitrio, na ocorrncia de uma sobretenso, quando a tenso ultrapassa a tenso de
ruptura do TVS, comea a fluir a corrente iTVS atravs do dodo. Deste modo a sobretenso
ser limitada mantendo o nvel da tenso imposto pelo TVS.
O atributo primrio dos dodos TVS o tempo de reao para as sobretenses, que
da ordem de alguns pico segundos, por esta razo estes dispositivos devem ser utilizados
em paralelo com os IGBTs e MOSFETs.
No prximo captulo so descritas as tcnicas para, disparo dos IGBTs em paralelo,
proteo contra sobrecorrentes e equalizao de correntes nos IGBTs em paralelo.
25
CAPTULO 3 IGBTS EM PARALELO
CAPTULO 3- IGBTS EM PARALELO

3.1 Introduo
Neste captulo apresenta-se a descrio, o funcionamento e as equaes para
dimensionamento de circuitos com IGBTs em paralelo. So apresentados os circuitos de
disparo dos IGBTs, o circuito de proteo contra sobrecorrentes e a soluo utilizada para
o equilbrio das correntes nos IGBTs em paralelo.
3.2 Descrio do circuito

O circuito estudado um circuito constitudo por trs IGBTs em paralelo, que geram
os impulsos positivos na carga, Figura 3.1.
Proteo
contra
CC
Vcomando
Circuitos
de
Disparo
Rc
Rcarga
IGBT1
IGBT2
IGBT3
Ci
TL1
TL2
TL3
+
V
- potncia
Figura 3.1 - Diagrama principal do circ uito c onstrudo.
O princpio de funcionamento deste circuito baseia-se na carga de um

condensador/bateria de condensadores Ci a partir de uma fonte Vpotncia, e a posterior
descarga do mesmo na carga, Rcarga, quando os circuitos de disparo aplicam os sinais de
disparo nas portas dos IGBTs, colocando-os conduo, gerando assim os impulsos
positivos de corrente na carga. A resistncia Rc serve para limitar a corrente de carga do
condensador Ci.
Os circuitos de disparo dos IGBTs utilizados nesta dissertao possuem isolamento
galvnico por meio de transformador de impulsos, e geram sinais com forma retangular, que
so posteriormente aplicados nas portas dos IGBTs, utilizando para o comando um nico
sinal Vcomando, gerado pelo microcontrolador.
No caso de uma anomalia causar uma sobrecorrente na carga, as correntes que
atravessam os IGBTs em paralelo aumentam, o circuito de proteo deteta esta anomalia e
limita as tenses das portas dos IGBTs antes da passagem ao corte, estrangulando os
canais de conduo e limitando as correntes que atravessam os mesmos. Nesta situao,
26

ao limitar as correntes dos IGBTs antes da passagem ao corte, reduz-se a sobretenso
causada entre os coletores e os emissores dos mesmos, provocada, esta sobretenso,
pelas indutncias parasitas equivalentes dos coletores dos IGBTs.
As indutncias acopladas ligadas aos emissores dos IGBTs, enrolados nos sentidos
opostos, Figura 3.1, garantem a simetria da corrente nos IGBTs/ramos em paralelo, devido
fora eletromotriz induzida. Esta fora eletromotriz possui o sentido da corrente no
IGBT/ramo em qual a corrente inferior relativamente aos outros IGBTs/ramos e ope-se
ao sentido da corrente onde esta superior relativamente aos outros IGBTs, como explicado
no captulo 2.
3.3 A tcnica utilizada para o disparo dos IGBTs

Nesta dissertao foram utilizados os transformadores de impulsos para o disparo
dos IGBTs.
Para construo de ncleos para transformadores de impulsos utilizam-se materiais
que podem ser facilmente magnetizados ou desmagnetizados, visto que se utilizam em
aplicaes de alta frequncia. Um dos tipos materiais que possui as caractersticas
pretendidas so as ferrites macias, que apresentam o ciclo da histerese bastante estreito e
alta permeabilidade magntica. As ferrites so uma classe de materiais cermicos
magnticos que se obtm misturando o xido de ferro com outros xidos e carbonetos na
forma de p. Outra caracterstica importante deste material, do ponto de vista de construo
de transformadores, a alta resistividade do mesmo. importante notar que nem todas as
ferrites so facilmente magnetizadas, dividindo-se assim em dois tipos, ferrites macias e
ferrites duras.
Existem vrias geometrias de ncleos para os transformadores de impulsos. Neste
trabalho utilizado o transformador de impulsos de ncleo toroidal que para alm de
comandar o IGBT isola galvanicamente o circuito de comando do circuito de potncia. A
vantagem significativa dos transformadores toroidais o facto de praticamente no existir
interao com os componentes adjacentes do circuito, ou seja, o fluxo de fugas
minimizado.
27
3.3.1 Dimensionamento do transformador de impulsos

No dimensionamento de um transformador que possui um ncleo admite-se que a
distribuio do campo magntico praticamente definida pela geometria do ncleo.
Considerando a variao do fluxo com a sua seco:
(3.1)
Para o dimensionamento supe-se que a seco S e a intensidade do fluxo

magntico dentro do ncleo so constantes. Deste modo, o fluxo magntico em qualquer
seco ser igual ao produto da seco S e da densidade de fluxo magntico B:
=
(3.2)
O campo magntico criado pelas N espiras enroladas sobre o ncleo produz o fluxo
total descrito pela equao (3.3), onde o fluxo total, i o fluxo produzido por cada
espira.
(3.3)
= =
Segundo a Lei de Faraday tem-se:
=
(3.4)
Logo,
(3.5)
=
onde, V a tenso de entrada da fonte de alimentao.
Ao dimensionar o transformador de impulsos deve-se ter em conta a curva

caracterstica do ncleo deste, Figura 3.2.
B (T)
BS
Br
-H C
3
2
+H C
H (A/m)
Figura 3.2 - Cic lo histertic o do ncleo do transf ormador.
28

Nos materiais ferromagnticos a curva de desmagnetizao no igual curva de
magnetizao, sendo este fenmeno denominado por histerese. No grfico da Figura 3.2 o
eixo das abcissas indica a intensidade do campo magntico H no ncleo do material
ferromagntico, e o eixo das ordenadas indica a densidade de fluxo B do ncleo.
Supondo que o material se encontra desmagnetizado, a primeira magnetizao do
ncleo representada pela curva 0 - 1, cuja origem no incio do referencial, quando H = 0
A/m, e fim no valor de saturao BS.
O ponto 2 representa o magnetismo remanescente do ncleo, que aparece aps a
primeira magnetizao deste. Para anular o magnetismo remanescente necessrio aplicar
um valor negativo da corrente (ponto 3), campo coercivo.
Como nesta dissertao o transformador de impulsos ser utilizado para gerar os
impulsos positivos, a corrente aplicada ao primrio ter sempre o mesmo sentido. Por esse
motivo, apenas ser utilizada a parte positiva do ciclo de histerese, Figura 3.3.
B (T)
BS
2
B
Br
1
+HC
H (A/m)
Figura 3.3 - Parte da histeres e utilizada.
Para garantir a no saturao do ncleo, a densidade do fluxo magntico deve variar

entre os pontos 1 e 2, Figura 3.2.
Sendo assim, a equao (3.5) representa-se da seguinte forma:
(3.6)
onde, VP a tenso aplicada ao primrio do transformador, NP nmero de espiras do

primrio do transformador e tON a durao do impulso.
A partir da equao (3.6) calcula-se o nmero de espiras do primrio:
=
(3.7)
29
3.3.2 Circuito de disparo

Na Figura 3.4 apresenta-se o circuito de disparo de um IGBT com a parte da
potncia.
R carga
IC
RC
+
Vcarga
Circuito de disparo
RG
V CE
NP : NS
VC
Ci
+V
potncia
-
V Z2
V Z1
VP
R GE
VS
V Z3
D1
RB
Vcomando
T r1
VCEtjb
Figura 3.4 - Circuito de dis paro para um IGBT.
No primrio do transformador, o dodo zener VZ1, e o dodo D1, encontram-se ligados

em anti-srie constituindo a malha de desmagnetizao do ncleo. O dodo D1 serve para
inibir a passagem de corrente atravs do dodo zener, quando o transstor, Tr1, se encontra
conduo. O dodo zener VZ1 aplica uma tenso negativa ao primrio, para desmagnetizar
o ncleo quando o transstor, Tr1, est ao corte.
Tendo em conta que na porta do IGBT podem existir sobretenses que danificam o
xido isolante, necessrio colocar um dodo zener, VZ2, para a sua proteo. A tenso do
dodo zener, VZ2, deve ser igual ou inferior tenso mxima da porta do IGBT e possuir um
valor que permite manter o canal de conduo completamente aberto.
Para alm destas protees colocada uma resistncia RG em srie com a porta,
cuja funo limitar a corrente de carga e descarga da capacidade de entrada da porta,
bem como o amortecimento do sinal de disparo que normalmente um escalo de tenso,
que, em virtude do circuito de entrada apresentar indutncias, Lp, e capacidades, Cp,
parasitas, pode oscilar com uma frequncia perto da frequncia de ressonncia
. Para
o clculo desta resistncia necessrio saber os valores dos parmetros parasitas da

entrada considerando um fator de qualidade timo de 0,707, onde,
1,41
(3.8)
A resistncia RG normalmente apresenta os valores entre 10 a 20 .
30

A resistncia RGE, ligada entre a porta e o emissor, serve para descarregar as
capacidades parasitas da porta do IGBT e no permitir que rudo induzido coloque o IGBT
conduo quando este estiver ao corte.
Na Figura 3.5 apresenta-se o diagrama temporal do circuito de disparo da Figura
3.4.
Vcomando (V)
VCEtjb (V)
t(s)
t ON
VC + VZ1 + VD1
VC
t(s)
V P (V)
V C - VCEsat
A
t(s)
- V Z1 - V D1
Vcarga (V)
V potncia - VCE
t(s)
I C (A)
t(s)
Figura 3.5 - Diagrama temporal do c ircuito de disparo.
Para comandar o circuito aplica-se uma tenso base do transstor Tr1, Vcomando, cuja
forma de onda um impulso com durao tON, o transstor Tr1 passa conduo, a tenso
VP aplicada aos terminais do primrio de transformador de impulsos, Figura 3.5, vale VP =
VC - VCEsat, onde a VCEsat a tenso de saturao entre o coletor e o emissor do transstor
Tr1.
31

A tenso VP induz uma tenso VS aos terminais do secundrio, que depende da
relao de transformao do transformador de impulsos, NP / NS, e deve ter uma amplitude
suficiente para colocar o IGBT conduo, o que vai impor uma tenso na carga Vcarga e
uma corrente IC, Figura 3.4. Quando a tenso Vcomando se anula o transstor Tr1 passa ao
corte, passando a tenso aos seus terminais para VCEtjb = VC + VZ1 + VD1, Figura 3.4. A
tenso aplicada ao primrio vale VP = - VZ1 - VD1, que provoca a desmagnetizao do ncleo
do transformador, ficando neste valor at a rea B ser igual rea A, Figura 3.4.
Na Figura 3.6 apresenta-se qualitativamente a curva ideal da tenso do primrio, o
tempo de magnetizao do ncleo (tMAG), o tempo de desmagnetizao (tDESM), o tempo de
conduo do transstor Tr1 (tON) e o tempo quando o transstor Tr1 est ao corte (tOFF).
t ON
V P (V)
V C - VCEsat
A
t MAG
0
t(s)
- V Z1 - V D1
tDESM
t OFF
Figura 3.6 - Forma de onda da tens o V P (V) e t (s eg).
Sabendo que para desmagnetizar o ncleo a rea B deve ser igual rea A, Figura
3.6, a soma das mesmas representa-se pela equao:
+ = 0
(3.9)
Portanto,
(1 1 ) = 0
(1 + 1 )
= (1 + 1 )
(3.10)
(3.11)
(3.12)
Atravs da equao (3.12) pode-se calcular o tempo de desmagnetizao, de modo

a verificar se o ncleo desmagnetiza quando o transstor Tr1 se encontra ao corte, atribuindo
um valor do dodo zener, VZ1, ou atribuindo um tempo de desmagnetizao escolhe-se um
valor do dodo zener VZ1 mais apropriado. importante salientar que o tempo de
desmagnetizao no pode ser superior ao tOFF, Figura 3.6, caso contrrio o ncleo no
desmagnetiza completamente.
32

Na Figura 3.7 apresentam-se trs circuitos de disparo dos IGBTs, com os primrios
dos transformadores de impulsos ligados em paralelo. Cada um dos secundrios fornece
um sinal de disparo para cada um dos IGBTs, Figura 3.7.
Carga
NP1:NS1
VC
RG1
IGBT1
IGBT2
IGBT3
V Z2
V Z1
V P1
VS1
R GE1
D1
NP2 :NS2
V Z3
RG2
V Z4
V P2
VS2
NP3 :NS3
R GE2
V Z5
RG3
V Z6
V P3
RB
Vcomando
VS3
R GE3
V Z7
T r1
Figura 3.7 - Circuitos de dis paro c om os primrios dos transformadores de impuls os ligados em paralelo.
Neste caso, os transformadores de impulsos esto ligados em paralelo, onde as

tenses dos primrios, VP1, VP2 e VP3, valem VC, Figura 3.7. Tendo em conta que todos os
primrios so comandados atravs de um transstor Tr1, os sinais de disparo aplicados s
portas dos IGBTs em paralelo so sincronizados.
33

Na Figura 3.8 apresentam-se trs circuitos de disparo dos IGBTs, com os primrios
dos transformadores de impulsos ligados em srie.
Carga
NP1:NS1
VC
RG1
IGBT1
IGBT2
IGBT3
V Z2
V P1
NP2 :NS2
V Z1
R GE1
VS1
V Z3
RG2
V Z4
V P2
R GE2
VS2
V Z5
NP3 :NS3
D1
RG3
V Z6
V P3
VS3
R GE3
V Z7
RB
Vcomando
T r1
Figura 3.8 - Circuitos de dis paro c om os primrios os transf ormadores de impuls os ligados em s rie.
A ligao dos primrios dos transformadores de impulsos em srie, implica o valor da tenso
de cada enrolamento do primrio, VP1, VP2 e VP3, valer VC /3. Nesta configurao dos circuitos
de disparo, como na configurao do circuito da Figura 3.7, no existe assincronismo entre
os sinais de disparo aplicados s portas dos IGBTs.
34
3.4 A tcnica utilizada para proteo dos IGBTs contra

sobrecorrentes
Nos prximos pontos, sero descritos o funcionamento e o dimensionamento do
circuito de proteo contra sobrecorrentes.
3.4.1 Princpio de funcionamento do circuito de proteo contra

sobrecorrentes
Para a proteo dos IGBTs contra sobrecorrentes prefervel a utilizao de
circuitos ativos analgicos, devido sua rapidez de funcionamento. Como objetivo definiuse a construo de um circuito de proteo simples, robusto e rpido.
Nos transstores IGBT, quanto maior for a corrente IC, maior ser a queda de tenso
VCE. Na Figura 3.9 apresentam-se as curvas caractersticas para as temperaturas de juno
de 25 C e 150 C do IGBT (do tipo NPT) utilizado neste trabalho.
Figura 3.9 - As c urvas c aracterstic as do IGBT SKW 15N120 para as temperaturas de 25C e de 150C
[5].
A partir da Figura 3.9 verifica-se que o valor da queda de tenso entre o coletor e o
emissor VCE depende da corrente IC, que passa no IGBT, e que o valor da corrente IC
depende da tenso aplicada porta. Tendo em conta esta dependncia conclui-se que,
medindo a queda de tenso VCE possvel detetar as sobrecorrentes e limit-las atravs da
tenso aplicada porta. Sendo assim, definiu-se que o circuito de proteo deve detetar as
sobrecorrentes e atuar de maneira a limitar a tenso aplicada porta do IGBT,
estrangulando assim o canal de conduo durante toda a largura do impulso, o que por sua
vez limitar a sobrecorrente detetada.
35

O circuito escolhido, que obedece s caractersticas descritas no pargrafo anterior,
um circuito comparador com histerese no inversor, Figura 3.10 a).
R2
VO (V)
VCC
R1
VCC
Vi
VO
Vd
Vref
VTL Vref VTH
VCC
Vi (V)
VCC
a)
b)
Figura 3.10 - a) Comparador c om histeres e no invers or; b) Carac terstic a do c omparador c om histeres e
no invers or .
Na caracterstica do comparador, Figura 3.10 b), apresentam-se duas tenses de

limiar, VTL e VTH, e uma tenso de referncia Vref. A tenso de referncia Vref define a posio
do centro da histerese, as tenses VTH e VTL definem os valores das tenses da entrada Vi ,
a partir das quais a tenso de sada VO transita para um dos valores da tenso de saturao,
nomeadamente +VCC ou -VCC.
Caso o valor da tenso de entrada Vi for superior ao valor da tenso de limiar VTH, a
tenso diferencial Vd ser maior que zero (Vd > 0), obtendo-se na sada do comparador, a
tenso de saturao +VCC.
Caso contrrio, quando o valor da tenso de entrada Vi for inferior ao valor da tenso
de limiar VTL, a tenso diferencial Vd ser menor que zero (Vd < 0), obtendo-se, na sada do
comparador a tenso de saturao -VCC.
Estas condies podem ser representadas pelas equaes matemticas (3.13) e
(3.14). Admitindo que a tenso VO = +VCC, a condio de transio para a tenso VO = -VCC
a tenso diferencial Vd ser inferior a 0 (Vd < 0),
1
2
+
< 0
1 + 2
1 + 2
(3.13)
Admitindo que a tenso VO = -VCC, a condio de transio para a tenso VO = +VCC a

tenso diferencial Vd ser superior a 0 (Vd > 0),
1
2
( ) +
> 0
1 + 2
1 + 2
(3.14)
importante notar que os valores das tenses de saturao positiva ou negativa,

+VCC e -VCC respetivamente, dependem das tenses de alimentao do amplificador
operacional.
36

Na Figura 3.11 representa-se o circuito de comando do IGBT com circuito ativo de
proteo contra sobrecorrentes incorporado.
Curto - Circuito
Rcarga
RD
DD
Ca
VCa
IC
VDD
RG
VCE
N P :N S
VC
V Z1
D1
RB
V Z2
R2
VP
VS
D2
+VCC
T r1
Ci
+
-
Vpotncia
V Z3
R1
Vcomando
RC
V ref
Rb
VD2
Tr2
R GE
V Z4
VCEtjb
-VCC
Figura 3.11 - Circ uito de disparo do IGBT c om o circuito de prote o c ontra s obrec orrentes inc orporado
e a parte da potncia.
O amplificador operacional alimentado com tenso +VCC de 15 V e a tenso -VCC

de 0 V, visto no ser necessrio utilizar a tenso negativa na sada do comparador, deste
modo, a histerese do comparador ter o aspeto da Figura 3.12.
Vo (V)
+VCC
-VCC
VTL
Vref
VTH
Vi (V)
Figura 3.12 - Histeres e do c omparador da Figura 3.11.
37

Na Figura 3.13 apresenta-se o diagrama temporal de funcionamento do circuito da
Figura 3.11, em que no primeiro perodo apresenta o funcionamento normal do circuito e no
segundo a ocorrncia de um defeito na carga que provoca uma sobrecorrente.
Vcomando (V)
t(s)
t ON
V S (V)
VZ2
t(s)
I C (A)
t(s)
VCa (V)
VTH
VD + VCE
D
VTL
t(s)
VO (V)
+VCC
t(s)
Figura 3.13 - Diagram a temporal do funcionamento da Figura 3.11.
No circuito da Figura 3.11, a tenso VCE medida atravs de um dodo rpido DD,
que possui uma queda de tenso VDD. Sendo assim, a tenso medida pelo comparador VCa
a soma da queda de tenso do dodo VDD com queda da tenso entre o coletor e o emissor
do IGBT (VCE), como se mostra pela equao (3.15).
= +
(3.15)
Logo, perante uma sobrecorrente ou um curto-circuito, a tenso VCa torna-se

superior ao valor da tenso VTH, Figura 3.13. Neste caso, o comparador com histerese
apresenta na sada a tenso +VCC passando o transstor Tr2 conduo, o que liga o nodo
do dodo zener (VZ2) massa, limitando assim a tenso da porta do IGBT. Deste modo, a
tenso aplicada porta corresponde soma da tenso do dodo zener (VZ2) com queda de
38

tenso do dodo D2 (VD2) e a queda de tenso entre coletor e emissor (VCEtjb) do transstor
Tr2, o que por sua vez estrangula o canal de conduo do IGBT, limitando assim a
sobrecorrente, Figura 3.13, o que por sua vez limita a sobretenso causada pela indutncia
parasita equivalente na passagem ao corte do IGBT. Quando a tenso VCa for inferior
tenso VTL, a tenso sada do comparador zero, ficando o transstor Tr2 ao corte.
No incio de cada impulso na carga, de modo a impedir os disparos indevidos do
circuito de proteo, que surgem devido ao IGBT neste instante apresentar uma queda de
tenso VCE elevada, por no estar na zona de saturao, necessrio colocar um circuito
de atraso do sinal visto pelo comparador. O circuito de atraso constitudo pela resistncia
RD e o condensador Ca, Figura 3.15.
Carga
IRD
IDD
RD
1 k ICa
C a VCa
DD
VDD
RG
VCE
10
VC
V Z1
R GE
V Z3
Figura 3.14 - O circ uito de atras o R D C a .
No incio de cada impulso na porta do IGBT, o condensador Ca demora algum tempo

ao carregar devido resistncia RD. O tempo que o condensador Ca demora para carregar
completamente deve ser suficiente para o IGBT passar do estado de corte para o estado de
conduo. Ao fim deste tempo, a tenso VCa resulta na soma da queda de tenso VCE com
a queda de tenso VDD (equao (3.15)), que estar dentro dos limites da histerese do
comparador. Sendo assim, garante-se a ausncia dos disparos indevidos do circuito de
proteo.
Supondo que as caractersticas dinmicas do IGBT so ideais (o IGBT passa do
estado de conduo para o corte e vice-versa instantaneamente) e o modo de
funcionamento do circuito normal (sem sobrecorrentes), a tenso medida no condensador
Ca apresentar uma forma de onda semelhante Figura 3.15.
VCa (V)
VCE+VD
t (s)
Figura 3.15 - Repres enta o qualitativa da curva da tens o V Ca ideal.
39

A existncia da parte negativa da curva da tenso VCa deve-se existncia da malha
de desmagnetizao, que por sua vez impe uma tenso negativa ao primrio do
transformador, para desmagnetizar o ncleo.
Tendo em conta os tempos de crescimento e de decrescimento da tenso VCE descritos no
ponto 2.2.2, a curva de tenso VCa medida pelo comparador ter um aspeto semelhante
Figura 3.16. Esta tenso vista pelo comparador quando flui uma corrente atravs da
resistncia RD, dodo DD e o IGBT, como se mostra na Figura 3.14.
VCa (V)
VCE+VD
t (s)
Figura 3.16 - Repres enta o qualitativa da tens o V Ca .
Para o correto funcionamento do circuito de proteo, o valor da tenso limiar da

histerese VTH, deve ser igual ou superior ao valor do primeiro pico da tenso VCE, e o valor
VTL deve ser inferior ao valor da tenso VCE durante a conduo, como se representa pela
Figura 3.17.
VCa (V)
VTH
VTL
t (s)
Figura 3.17 - Repres enta o qualitativa da tens o V C real.
Tendo definido os limites da histerese, VTL e VTH, do comparador (Figura 3.17),

garante-se que o circuito de proteo deteta uma sobrecorrente. O desarme garantido
quando a tenso VCa fr inferior ao valor do limite inferior da histerese VTL, garantindo a
limitao da sobrecorrente durante toda a largura de impulso.
Uma vantagem considervel deste circuito a possibilidade de expanso para que
seja possvel atuar nos vrios IGBTs em paralelo, emissores dos quais encontram-se ligados
mesma massa.
40

Uma possvel expanso do circuito utilizado encontra-se representada na Figura 3.18.
Porta 1
V Z1
R2
R1
Vi
V ref
+
-
Porta 2
V Z2
Porta n
V Zn
D
Rb
Tr
Emissor
Figura 3.18 - Circ uito de prote o c om expans o.
41
3.5 Equilbrio de correntes nos IGBTs em paralelo

Neste trabalho, para o equilbrio de correntes nos IGBTs em paralelo, estudou-se a
utilizao das indutncias acopladas magneticamente, ligadas em srie com os IGBTs.
As indutncias acopladas podem ser ligadas aos coletores ou aos emissores dos
IGBTs, Figura 3.19.
TL1
IGBT1
IGBT2
IGBT3
TL1
TL2
TL3
IGBT1
TL2
TL3
IGBT2
a)
IGBT3
b)
Figura 3.19 - a) Indutnc ias ac opladas ligadas aos emiss ores dos IGBTs. b) Indutncias ac opladas
ligadas aos c oletores dos IGBTs.
Deste modo ser obtida a simetria de correntes nos IGBTs em paralelo, como foi descrito
no ponto 2.4.2.
3.5.1 Dimensionamento de indutncias acopladas

Na Figura 3.20 apresentam-se qualitativamente duas curvas de tenso-corrente de
dois IGBTs iguais conduo.
I C (A)
I C1
I C
I C2
I carga = I C1 + I C2
VCE
VGE1 =V GE2
V CE1 V CE2
V CEsat (V)
Figura 3.20 - Dif eren a nas c arac terstic as de tens o e c orrente de dois IGBTs.
Como se verifica a partir da Figura 3.20, existe um erro associado s caractersticas de

tenso-corrente dos IGBTs conduo, visto que para a mesma tenso aplicada s portas
as quedas de tenso conduo, VCEsat, so diferentes, provocando um desequilbrio de
42

correntes. O que origina, quando os dispositivos esto em paralelo que para a mesma
tenso emissor-coletor resultam correntes diferentes nos IGBTs.
Para mitigar o problema de desequilbrio de correntes nos IGBTs em paralelo
utilizaram-se as indutncias acopladas magneticamente, ponto 2.4.2.
Na Figura 3.21 apresenta-se o circuito com as indutncias acopladas, ligadas aos
emissores de dois IGBTs em paralelo, incluindo a indutncia de magnetizao das mesmas
[6]. Este circuito utiliza-se para dimensionamento de indutncias acopladas, cujas ligaes
aos coletores ou emissores no introduzem alteraes aos clculos.
IT
I C1
I C2
VCE1
VCE2
IGBT1
IGBT2
VT
1:1
L1
IM
-
V2
L2
V1
LM
Figura 3.21 - Utiliza o das indutnc i as ac opladas para o equilbrio de c orrentes nos IGBTs em paralelo
[6].
Considerando os IGBTs da Figura 3.21 conduo e as quedas de tenso entre os

coletores e os emissores VCE1 VCE2, retiram-se as equaes (3.16), (3.17) e (3.18).
= 1 + 1
(3.16)
= 2 2
(3.17)
1 = 2 +
(3.18)
= 1 + 1 = 2 + 2 1 + 2 = 2 1
(3.19)
logo,
Portanto, como a relao de transformao das indutncias acopladas 1:1, as tenses V1

e V2 so iguais, V1 = V2.
43

Sabendo que V1 + V2 = VCE2 - VCE1, o valor das tenses nas indutncias, L1 e L2, calculado
a partir da equao (3.20) [6].
1 = 2 =
2 1
2
(3.20)
O valor de desequilbrio de correntes calcula-se a partir da equao (3.18). Este valor

igual corrente de magnetizao, IM, equao (3.21).
= 1 2
(3.21)
Para o clculo do valor de indutncia de magnetizao, Figura 3.21, sabe-se:

1 =
1 =
(3.22)
(3.23)
(3.24)
portanto,
=
seguidamente,
=
Substituindo o valor da tenso V1, equao (3.20), na equao (3.24) obtm-se a equao
(3.25).
=
(2 1 )
2
(3.25)
Portanto, substituindo os valores das quedas de tenso, VCE1 e VCE2, nos

semicondutores para uma determinada corrente e admitindo um desequilbrio de correntes
ICE1 e ICE2 (corrente IM), obtm-se o valor necessrio da indutncia de magnetizao.
A equao (3.25) pode ser escrita em funo da diferena entre a maior e menor
quedas de tenso dos IGBTs.
=
( )
2
(3.26)
onde, VCEmax a queda de tenso maior, de um IGBT conduo, VCEmin a queda de

tenso menor, de um outro IGBT conduo, e tON a durao de impulso.
44

Para o clculo do nmero de espiras sobre um ncleo podem-se utilizar as equaes
(3.27) e (3.28).
=
(3.27)
= 2
(3.28)
Na Figura 3.22 apresenta-se um exemplo de ligao de indutncias acopladas aos

trs IGBTs em paralelo.
IT
IC1
IC2
VCE1
VCE2
IGBT1
IGBT3
IS
VT
+
VP2
VS2
VP3
VS3
1:1
VS1
1:1
IM
VCE3
IGBT2
1:1
VP1 L M
IC3
Figura 3.22 Exemplo de liga o de indutncias ac opladas aos trs IGBTs em paralelo.
Para dimensionamento do valor de indutncias retirou-se o sistema de equaes (3.29).

= 1 1
{ = 2 2
= 3 3
(3.29)
Sabe-se que,
1 + 2 + 3 =
( + 2 + 3 ) = 0
1
(3.30)
onde, NP o nmero de espiras do primrio e NS o nmero de espiras do secundrio. Visto

que a relao de transformao 1:1, tem-se:
1 + 2 + 3 = 1 + 2 + 3 = 0
(3.31)
1 + 2 + 3 = 0 1 + 2 + 3 = 0
(3.32)
Portanto,
45

onde,
1 = 1
{2 = 2
3 = 3
(3.33)
Para pior caso do dimensionamento de indutncias acopladas, considera-se que o

IGBT1 (por exemplo) possui a queda de tenso conduo maior que o IGBT 2 e IGBT3 e
que as quedas de tenso dos IGBT2 e IGBT3 so iguais (VCE2 = VCE3).
Neste caso, a partir das equaes (3.32) e (3.33), a tenso VP1 ser, VP1 = VS1 = VS2 - VS3, Figura 3.23.
IC1
VCE1
IGBT1
IS
VS2
VS1
IM
VP1 L M
1:1
VS3
Figura 3.23 - Distribui o das tens es nos enrolamentos s ec undrios.
Portanto, neste caso (quando VCE1 > VCE2, VCE1 > VCE3 e VCE2 = VCE3), VS2 = VS3= - VS1,
sabendo que VP1 = VS1, segue, VS2 = VS3 = - VP1. Devido relao de transformao ser
1:1, sabe-se que VS2 = VS3 = VP2 = VP3 = - VP1.
Substituindo os valores VP2 e VP3 no sistema de equaes (3.29), obtm-se:
= 1 1
1
= 2 + 1
2
1
{ = 3 + 2 1
(3.34)
Resolvendo o sistema de equaes (3.34) em ordem a VP1, obtm-se:

2
1 = (1 3 )
3
1 + 23
=
3
{
2 = 3
(3.35)
46

A partir da Figura 3.23 sabe-se que:
1 =
1 =
(3.36)
portanto,
(3.37)
(3.38)
1 =
A partir da equao (3.37) segue:
=
A partir da Figura 3.22 sabe-se que, ICE1 = IS1+IM e IS= IT/3, logo, IM = ICE1 - IT/3. Deste
modo, demonstra-se que, neste caso o valor da corrente IM representa o valor do desvio da
corrente IC do valor da corrente que deveria passar nos IGBTs, no caso da diferena de
quedas de tenso conduo, VCE1, VCE2 e VCE3, ser nula (VCE1 = VCE2 = VCE3).
Substituindo na equao (3.38) o valor de VP1 obtido no sistema de equaes (3.35),
obtm-se:
=
2(1 3 )
3
(3.39)
onde, VCE3 = VCE2. Portanto, a equao (3.39) pode ser escrita de outra forma:
=
2( )
3
(3.40)
onde, VCEmax a queda de tenso maior, de um IGBT conduo, e VCEmin a queda de

tenso menor, de um outro IGBT conduo, e tON a durao de impulso.
Para o clculo do valor das indutncias necessrio para equilbrio de correntes, nos
IGBTs em paralelo, deve-se medir as quedas de tenso de conduo dos mesmos,
selecionando dois valores com maior discrepncia (pior caso) e atribuir o valor de desvio
mximo admissvel de corrente IM.
Para o clculo de nmero de espiras para as indutncias, utiliza-se uma das
equaes, (3.27) ou (3.28). Do mesmo modo, possvel calcular o valor das indutncias
para n IGBTs em paralelo:
=
( 1)( )
(3.41)
onde, o valor n o numero de IGBTs em paralelo.

No Captulo 4 mostram-se os dimensionamentos, os resultados de simulao e
resultados experimentais das tcnicas descritas neste captulo.
47
CAPTULO 4 CIRCUITO COM DOIS IGBTS EM PARALELO
CAPTULO 4 - CIRCUITO COM DOIS IGBTS EM

PARALELO
4.1 Introduo
Neste captulo apresentam-se os clculos para os circuitos utilizados nesta
dissertao bem como os resultados de simulao em PSpice e os resultados experimentais
dos mesmos.
4.2 Dimensionamento de transformador de impulsos

Para comandar o IGBT necessrio um impulso com amplitude prxima dos 15 V.
Considerando uma durao de impulso de 10 s escolheu-se um ncleo toroidal
TN/26/15/10 com a seco 55,9 mm2, cujo material ferromagntico 3E25. Este material
ferromagntico possui as seguintes caractersticas: AL = 6420 25% [nH] e i = 5500. Onde,
AL fator de indutncia, ou por outras palavras, o valor da indutncia dividido pelo quadrado
do nmero de espiras, AL = L/N2 e i a permeabilidade magntica inicial.
Segundo o ciclo histertico, Figura 4.1, do ncleo utilizado, para evitar a saturao
deste, utilizou-se o valor de variao da densidade de fluxo magntico de 150 mT. Depois
de ser efetuada a primeira magnetizao, o ncleo ficar com o magnetismo remanescente
de 100 mT, sendo assim a densidade do fluxo varia entre 100 mT e 250 mT garantindo a
no saturao do mesmo.
Figura 4.1 - Cic lo histertic o do material f erromagntic o 3E25 [7].
Substituindo os valores na equao (3.7) obtm-se o nmero mnimo das espiras do

primrio do transformador de impulsos:
=

15 10 106
=
18
55,9 106 0,15
48

Para disparo de um IGBT utilizou-se um transformador de impulsos com a relao
de transformao de 1:1, o nmero de espiras do primrio igual ao nmero de espiras no
secundrio.
Para validar o funcionamento do transformador dimensionado simulou-se o circuito
da Figura 4.2, onde para o efeito de carga se colocou uma resistncia de 1 k.
1:1
VC
+15 V
V Z1
5,1 V
VP
VS
1 k
R1
D1
RB
Vcomando
+5 V
1 k
T r1
Figura 4.2 - Circuito de teste do transf ormador d e impuls os.
Para gerao do sinal de comando utilizou-se o microcontrolador PIC18f2331, que

gera uma onda quadrada, Vcomando, com amplitude de 5 V no pino RB0, cujo duty cycle
de 10 s e a frequncia de 100 Hz. Quando o valor lgico do pino RB0 1 (Vcomando = 5
V), o transstor Tr1 (2n2219A) passa conduo, alimentando o primrio do transformador,
que por sua vez, induz a tenso no enrolamento do secundrio. O dodo zener e o dodo
que esto ligados em anti srie do lado do primrio constituem a malha de desmagnetizao
do ncleo.
Para a desmagnetizao do ncleo escolheu-se o dodo zener com a tenso VZ1
igual a 5,1 V, portanto o tempo de desmagnetizao do ncleo calcula-se atravs da
equao (3.12), onde VP = 15 V (desprezando a queda de tenso do transstor Tr1, VCEsat),
tON = tMAG = 10 s, VD1 = 0,7 V e VZ1 = 5,1 V. Substituindo os valores na equao (3.12)
obtm-se o tempo de desmagnetizao do ncleo:
15 10 106 = (0,7 + 5,1) 26
Portanto, o tempo de desmagnetizao do ncleo de 26 s. Sabe-se que a
frequncia dos impulsos 100 Hz e a durao dos impulsos de 10 s, portanto o perodo
vale T = 1/f = 1/100 = 10 ms, deste modo, o tempo de corte do Tr1, tOFF representado pela
Figura 3.6, vale tOFF = T - tON = 10 10 - 0,01 10 = 9,99 ms. Portanto o tempo de
desmagnetizao no superior ao tempo de corte do Tr1, tOFF > tDESM, deste modo o ncleo
no satura.
49

Na Figura 4.3 apresentam-se os resultados de simulao do circuito da Figura 4.2.
A curva do sinal de comando, gerado pelo microcontrolador, Vcomando, corresponde curva
de cor amarela e a curva do impulso do secundrio, VS, corresponde curva azul.
Figura 4.3 - A c urva do sinal de c omando, V c o ma n d o , e a curva do impuls o no s ec undrio do transf ormador
de impuls os, V S .
A partir da simulao verificou-se que a forma de onda de impulso no secundrio do

transformador apresenta a durao e a amplitude pretendida, bem como o tempo de
desmagnetizao do ncleo apresenta a durao aproximadamente de 26 us.
50
4.2.1 Circuito de disparo do IGBT

Utilizando o transformador de impulsos dimensionado no ponto 3.3.1, simulou-se o
circuito de disparo do IGBT representado na Figura 4.4, com tenso de alimentao do lado
da potncia de 100 V em corrente contnua e a resistncia de carga de 10 .
O IGBT utilizado nesta dissertao da marca INFINEON cujo modelo
SKW15N120.
R carga
- 10 +
RC
100
Vcarga
IC
Circuito de disparo
RG
1:1
VC
10
+15 V
V Z1
5,1 V
VP
VCE
VS
1 k
RB
+5 V
1 k
18 V
V Z3
9,1 V
+ Vpotncia
- 100 V
R GE
D1
Vcomando
V Z2
Ci
7 F
T r1
Figura 4.4 - Circuito de dis paro do IGBT.
Tendo em conta que na porta do IGBT podem existir sobretenses que danificam o
xido isolante e que a tenso mxima de comando aplicada porta do IGBT no pode
ultrapassar 20 V, colocou-se um dodo zener com a tenso VZ de 18 V porta do IGBT.
Os valores das resistncias RG e RGE utilizados so de 10 e de 1 k
respetivamente.
Para efeitos de carga utilizou-se uma resistncia, Rcarga, de 10 . A bateria de
condensadores de 7 F, Ci, serve para armazena a energia, que fornecida carga quando
o IGBT est conduo. Para limitar a corrente de carga da bateria de condensadores, Ci,
colocou-se uma resistncia RC de 100 .
51

Na Figura 4.5 e na Figura 4.6 apresentam-se os resultados de simulao do circuito
da Figura 4.4.
Figura 4.5 - a) Sinal na porta do IGBT. b) T ens o na c arga (curva vermelha , 10 V/div.) e a c orrente na
carga (c urva verde, 10 A/div.).
Figura 4.6 - a) T ens o na c arga. b) Corrente na c arga.
Na Figura 4.6 apresenta-se a tenso e a ampliao da corrente na carga. Tal como

era de esperar, devido ao carcter resistivo da carga, a corrente proporcional tenso.
Tambm se verificou a influncia de capacidades parasitas do IGBT na durao de impulso
quer da porta quer da corrente e da tenso na carga, visto que aproximadamente 11 s.
A influncia das capacidades parasitas dos IGBTs sobre as caractersticas
dinmicas destes foi descrita no ponto 2.2.2.
52
4.2.2 Disparo de dois IGBTs em paralelo

O disparo de IGBTs em paralelo, recorrendo utilizao dos transformadores de
impulsos, pode ser feito de duas maneiras, com os primrios dos transformadores de
impulsos ligados em paralelo, Figura 3.7, ou em srie, Figura 3.8.
Para o disparo de dois IGBTs em paralelo simularam-se dois circuitos, da Figura 4.7
e da Figura 4.9, onde os primrios dos transformadores de impulso encontram-se ligados
em paralelo e em srie respetivamente.
Os transformadores de impulsos, dos circuitos de disparo dos IGBTs da Figura 4.7,
so iguais ao transformador de impulsos dimensionado no ponto 4.2, com a relao de
transformao de 1:1 e 18 espiras do lado do primrio e do lado do secundrio.
R carga
10
RC
100
Circuitos de disparo
RG1
1:1
VC
IGBT1
+15 V
V Z1
5,1 V V
P1
IGBT2
Ci
7 F
10
V Z2
18 V
V Z3
9,1 V
V Z4
18 V
V Z5
9,1 V
+Vpotncia
- 100 V
R GE1
VS1
1 k
D1
RG2
1:1
V P2
RB
Vcomando
+5 V
1 k
10
VS2
R GE2
1 k
T r1
Figura 4.7 - Dis paro de dois IG BTs em paralelo, utilizando os transf ormadores de impuls os c om os
primrios ligados em paralelo.
Na Figura 4.8 apresentam-se as curvas das tenses aplicadas s portas dos IGBTs
da Figura 4.7.
Figura 4.8 - Curva de tens o da porta do: a) IGBT 1 ; b) IGBT 2 .
53

Como se pode verificar a partir da simulao, os impulsos aplicados s portas dos
IGBTs possuem os parmetros prximos daqueles que se pretendem (as amplitudes
prximas dos 15 V e a durao de 10 s).
Na Figura 4.9 apresentam-se os circuitos de disparo dos IGBTs, utilizando os
transformadores de impulsos com os primrios ligados em srie.
R carga
10
RC
100
RG1
1:2
VC
IGBT1
Ci
7 F
10
+15 V
V P1
IGBT2
V Z2
18 V
V Z3
9,1 V
V Z4
18 V
V Z5
9,1 V
+ Vpotncia
- 100 V
R GE1
VS1
1 k
V Z1
5,1 V
RG2
D1
1:2
V P2
RB
Vcomando
+5 V
1 k
10
VS2
R GE2
1 k
T r1
Figura 4.9 - Dis paro de dois IG BTs em paralelo, c om os primrios dos transf ormadores de impuls os
ligados em s rie.
Neste circuito, como no circuito da Figura 4.7, a tenso de alimentao dos primrios de
transformadores de impulsos, VC, de 15 V. Como os primrios esto ligados em srie, as
quedas de tenso, em cada dos primrios, VP1 e VP2, de 7,5 V, por isso, o valor da tenso
VP utilizado na equao (3.7) de 7,5V.
Para o dimensionamento de transformadores de impulsos com os primrios em srie
utilizou-se a variao da densidade do fluxo, B, 0,15 T, como no caso do circuito da Figura
4.7.
Substituindo os valores na equao (3.7), obtm-se o nmero de espiras do primrio
de cada transformador de impulsos:
=

7,5 10 106
=
9 .
0,15 55,9 106
Logo, cada primrio possui 9 espiras. Tendo em conta que a amplitude do impulso
aplicado s portas dos IGBTs deve ser de prxima dos 15 V e a queda de tenso em cada
um dos primrios quando o transstor Tr1 se encontra conduo de 7,5 V, a relao de
transformao do transformador de impulsos neste caso deve ser de 1:2. Tendo a relao
54

de transformao dos transformadores de impulsos de 1:2 e sabendo que cada primrio
possui 9 espiras conclui-se que cada secundrio deve ter 18 espiras.
Na Figura 4.10 apresentam-se os resultados da simulao das tenses das portas
dos IGBTs do circuito representado pela Figura 4.9.
Figura 4.10 - a) Curva de tens o da porta do IGBT 1 ; b) Curva de tens o da porta do IGBT 2 .
A partir dos resultados da simulao verifica-se que as curvas medidas nas portas
dos IGBTs so completamente idnticas e as partes positivas das curvas possuem as
amplitudes bastante prximas dos 15 V, que necessrio para colocar os IGBTs
conduo.
55
4.3 Dimensionamento
do
circuito
de
proteo
contra
sobrecorrentes
Neste ponto apresentam-se o dimensionamento e os resultados de simulao para o
circuito de proteo contra sobrecorrentes.
4.3.1 Dimensionamento do circuito de atraso RC

Sabe-se que o sinal de comando de porta do IGBT (sinal no secundrio do
transformador de impulsos) tem forma de um escalo. Para este tipo de sinal a resposta de
um circuito RC tpico possui o aspeto apresentado pela Figura 4.11.
100%
90%
80%
Vca (%)
70%
63% Vca
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%
0
Constante de tempo ()
Figura 4.11 - Caracterstic a da tens o do circuito RC.
A constante de tempo () o tempo que a tenso do condensador (VCa) demora a

atingir aproximadamente 63% da amplitude do escalo da tenso e calcula-se segundo a
equao (4.1).
=
(4.1)
Supondo a constante de tempo () de 200 ns e a resistncia RD de 1 k, o valor do

condensador Ca segundo equao (4.1) de 0,2 nF.
56

Tendo os valores da resistncia RD e do condensador Ca, simulou-se o circuito da
Figura 4.12 e tirou-se a curva da tenso no condensador (VCa), Figura 4.13, para ser utilizada
na definio dos limites da histerese do comparador.
R carga
10
RD
1 k
IC
Ca
V Ca
0,2 nF
10
V Z1
VP
VS
D1
RB
Vcomando
+5 V
1 k
VCE
Ci
7 F
+15 V
5,1 V
100
DD
RG
1:1
VC
RC
1 k
V Z3
18 V
V Z4
9,1 V
+ Vpotncia
- 100 V
R GE
T r1
Figura 4.12 - Circ uito de disparo do IGBT c om a malha para medi o da tens o V CE .
Figura 4.13 - Forma de onda da tens o V Ca .
Segundo o resultado da Figura 4.13, nota-se que a amplitude do primeiro pico de tenso
de 6 V, o valor utilizado como o valor de limite superior da histerese do comparador ser
igual a 7 V, para ter uma margem de segurana de modo evitar os disparos indevidos. Deste
modo torna-se possvel calcular o tempo aps o qual o circuito de proteo deteta uma
sobrecorrente, este caso acontece s no incio de impulso, quando a tenso VCa de 0 V.
Sabe-se que a tenso no condensador (VCa) descreve-se pela equao (4.2), onde
a constante de tempo o resultado da equao (4.1).
= (1 )
(4.2)
57

A amplitude do escalo de tenso no secundrio, VS de 15 V, a constante de tempo
utilizada de 200 ns, tambm se sabe que o circuito de proteo atua quando a tenso VCa
for superior a 7 V (limite superior da histerese do comparador).
Substituindo os valores na equao (4.2), obtm-se o tempo de atraso mximo, para
o pior caso (ocorrncia de curto-circuito no inicio do impulso), aps o qual o circuito de
proteo deteta a sobrecorrente.
= (1 ) 7 = 15 (1
200109 )
126
Logo, o tempo de atraso mximo de deteo de curto-circuito de 126 ns.

O amplificador operacional utilizado para construo do circuito de proteo contra
sobrecorrentes LM311. Este amplificador, aps detetar uma sobrecorrente, atua na sada
com o tempo de atraso mnimo de 200 ns.
58
4.3.2 Dimensionamento do comparador com histerese no inversor

Segundo o resultado da Figura 4.13 escolheu-se a histerese com a tenso de limite
inferior de 1 V, a tenso de limite superior de 7 V e com a tenso de referncia de 4 V, como
se representa pela Figura 4.14.
O amplificador operacional utilizado, LM311, alimentado com tenses de 0 V e +15
V, desta forma as tenses de saturao so -VCC e +VCC sero prximas de 0 V e de 15 V
respetivamente.
Vo (V)
+VCC
-VCC
1V
VTL
4V
Vref
7V
VTH
Vi (V)
Figura 4.14 - Caracterstic a do c omparador utilizado.
Devido impossibilidade de dimensionamento do comparador com a largura da histerese

de 6 V, utilizou-se a soluo representada pela Figura 4.15.
R1
V Ca
V ref
+
-
R2
D1
R3
D2
VO
Figura 4.15 - Circ uito do c omparador c om histeres e utilizado.
Neste circuito existem duas retroaes que definem as fronteiras da histerese. A passagem
da tenso VO de 0 V para +15 V, quando a tenso da entrada superior tenso 7 V, definese pela retroao da resistncia R3. A passagem da tenso VO de +15 V para 0 V, quando
a tenso da entrada inferior a 1 V, define-se pela retroao da resistncia R2.
Para dimensionamento do circuito da Figura 4.15, seguiu-se as condies de
passagem de tenso VO de +15 V para 0 V e de 0 V para +15 V, como foi descrito no ponto
3.4.1 pelas equaes (3.13) e (3.14). Sabe-se que a queda de tenso VD nos dodos D1 e
D2 de 0,7 V.
59

Logo:
Passagem da tenso VO de +15V para 0V:
< 0
1
2
(0 ) +
< 0
1 + 2
1 + 2
1
2
(15 0,7) +
14<0
1 + 2
1 + 2
2 = 3,4 1
Admitindo o valor da resistncia R1 de 1 k, R2 = 3,4 k.

Passagem da tenso VO de 0V para +15V:
> 0
1
3
( ) +
> 0
1 + 3
1 + 3
1
3
0,7 +
74> 0
1 + 3
1 + 3
3 = 1,1 1
Sabendo que o valor da resistncia R1 de 1 k, R3 = 3,1 k.

Durante o tempo de arranque do IGBT a tenso do condensador VCa, Figura 3.11,
no pode ultrapassar tais 7 V do limite superior da histerese, caso contrrio o transstor Tr2
passar conduo no incio de disparo do IGBT, o que limitar a tenso da porta durante
toda a largura do impulso.
60
4.3.3 Circuito de proteo contra sobrecorrentes resultante

O circuito de proteo contra sobrecorrentes resultante representado pela Figura
4.16.
Porta
D1
R3 1,1 k
D2
R1
V Ca
1 k
V ref
V Z2
R2 3,4 k
6,2 V
D3
Rb
3,3 k
4V
T r2
Emissor
Figura 4.16 - Circ uito de prote o c ontra s obrec orrentes.
Para que seja possvel adaptar os limites da histerese, VTL e VTH e(Figura 4.14)
devem ser utilizados os potencimetros ao invs das resistncias R2 e R3.
4.3.4 Resultados de simulao do circuito de proteo contra

sobrecorrentes
Neste ponto apresentam-se os resultados de simulao do circuito de disparo do
IGBT com o circuito resultante de proteo contra sobrecorrentes, Figura 4.17.
t = 12 s
Rcarga
RD
DD
1 k
Ca
RG 10
R2 3,4 k
V Z1
5,1 V
V CC
R1
RB
1 k
D1
R3 1,1 k
D1
+5 V
100
VCE
1:1
+15 V
Vcomando
10
VCa
0,2 nF
VC
IC
RC
T r1
V ref
4V
1 k
2
3
V Z2
Ci
6,2 V
7 F
D2
LM311
Rb
18 V
V Z4
9,1 V
R GE
D3
1 k
5
V Z3
V
+ potncia
- 100 V
1 k
T r2
3,3 k
Figura 4.17 - Circ uito de disparo do IGBT c om circ uito resultante de prote o c ontra s obrec orrentes
inc orporado.
Os resultados de simulao apresentam-se para duas situaes, nomeadamente

para a situao de funcionamento normal e para a situao do curto-circuito na carga.
61

Simulao no modo de funcionamento normal
Na Figura 4.18 apresentam-se os resultados da simulao no modo de
funcionamento normal. As curvas da Figura 4.18 a) apresentam a corrente, IC, que passa no
IGBT, curva azul, e a tenso na porta do IGBT, curva laranja. Na Figura 4.18 b) apresentase a forma de onda da tenso, VCa, medida pelo comparador com histerese.
Figura 4.18 - a) T ens o V GE e Corrente I C . b) T ens o V Ca .
Como a tenso VCa, da Figura 4.18 b), na passagem do IGBT conduo no ultrapassou
o limite superior da histerese do comparador, 7 V, a tenso da sada do comparador igual
a 0 V, durante o tempo de conduo do IGBT, de 10 s a 20 s, Figura 4.19. O pico positivo
na sada do comparador aparece quando este deteta o segundo pico da tenso VCa, cujo
valor superior ao limite mais alto da histerese do comparador, Figura 4.19.
Figura 4.19 - T ens o na s ada do c omparador.
A seguir do pico da tenso na sada do comparador, Figura 4.19, observa-se a

tenso cujo valor aproximadamente 8,5 V, que existe devido parte negativa da curva
VGE, Figura 4.18 a), que aparece devido malha de desmagnetizao do transformador de
impulsos.
62

Simulao com ocorrncia do curto-circuito
Nesta simulao provocou-se um curto-circuito na carga no instante de tempo de 12 s.
Na Figura 4.20 apresentam-se duas curvas, a curva laranja a tenso entre a porta
e o emissor do IGBT e a curva azul a corrente que passa no IGBT. A representao da
curva da corrente ao pormenor encontra-se na Figura 4.20 b).
Figura 4.20 a) T ens o V GE e c orrente Ic . b) Corrente Ic .
Como se pode verificar, quando ocorre um curto-circuito na carga, a corrente que

passa no IGBT atinge um valor aproximadamente 70 A, Figura 4.20 b). Esta subida de
corrente do IGBT provoca a subida de tenso VCa medida pelo comparador, que atinge e
ultrapassa um valor superior tenso VTH (limite superior de histerese, 7 V), Figura 4.21.
Figura 4.21 - T ens o V Ca medida pelo c omparador .
63

O comparador ao detetar a subida da tenso VCa para alm do limite superior da
histerese, 7 V, atua na sada impondo uma tenso VO que prxima da tenso de
alimentao +VCC, Figura 4.22.
Figura 4.22 - T ens o V Ca (curva laranja) e tens o V O (c urva azul).
A tenso sada do comparador, VO, coloca o transstor Tr2 conduo. Estando o transstor
Tr2 conduo, o nodo do dodo zener VZ2 fica ligado massa. Deste modo, a tenso da
porta do IGBT passa para um valor de aproximadamente de 7 V devido soma da queda
de tenso do dodo D3 e do transstor Tr2 com a tenso do dodo zener VZ2, Figura 4.23.
Figura 4.23 - T ens o V GE (c urva laranja) e tens o V O (curva azul).
Tendo a tenso da porta limitada estrangula-se o canal de conduo do IGBT, o que

limita a corrente de curto-circuito, Figura 4.19, o que tambm provoca a diminuio da tenso
VCa, Figura 4.22.
4.4 Utilizao das indutncias acopladas para equilbrio de

correntes nos IGBTs em paralelo
Neste ponto apresentam-se os clculos numricos para dimensionamento de
indutncias acopladas e os resultados de simulao obtidos.
64
4.4.1 Dimensionamento das indutncias acopladas para equilbrio de

correntes nos IGBTs em paralelo
Para verificar o funcionamento da tcnica de equilbrio de correntes nos IGBTs em
paralelo simularam-se dois circuitos, sem e com os indutores acoplados, Figura 4.24 e
Figura 4.26, onde se provocou um desequilbrio de correntes num dos IGBTs com uma
resistncia Rd em srie, a durao dos sinais de disparo, tON, de 10 s.
O circuito da Figura 4.24 no possui as indutncias acopladas ligadas em srie com
os IGBTs. Este circuito tem como objetivo apresentar um possvel desequilbrio de correntes
nos IGBTs em paralelo.
R carga
IC1
IC2
IGBT 1
VCE2
VGE2
VGE1
t ON =10 s
100
IGBT 2
VCE1
VGE1 = VGE2 = 15 V
10
RC
Ci
7 F
+ Vpotncia
- 100 V
Rd
0,1
Figura 4.24 - Dois IGBTs em paralelo, des equilbrio de c orrentes .
Na Figura 4.25 apresentam-se as formas de onda de correntes, IC1 e IC2, obtidas a partir da
simulao do circuito da Figura 4.24.
Figura 4.25 - a) Curva da c orrente IC1 do IGBT 1 (curva laranja) e curva da c orrente I C2 do IGBT 2 (curva
azul); b) Dif eren a de quedas de tens o, V CE2 -V CE1 .
65

Como se pode verificar a partir dos resultados obtidos, a curva da corrente que flui
atravs do IGBT1 possui amplitude mais baixa do que a curva da corrente do IGBT 2, o que
era expectvel neste caso.
Para calcular o valor das indutncias utiliza-se a equao (3.26). Admitindo o valor
de diferena de correntes (ICE1 e ICE2) IM, igual 0,1 A, e utilizando o valor de diferena de
quedas de tenso (VCE1 e VCE2) igual a 0,45 V, Figura 4.25 b), obtm-se:
=
( )
0,45 10 106
0,1 =
= 22,5
2
2
Utilizando a equao (3.28) calcula-se o nmero de espiras dos enrolamentos das

indutncias acopladas. O ncleo utilizado para as indutncias acopladas o mesmo que se
utilizou para os transformadores de impulsos, ponto 4.2, com AL = 6420 nH.
= 2 =
22,5 106
=
2
6420 109
Na Figura 4.26 apresenta-se o circuito com as indutncias acopladas, ligadas aos

emissores dos IGBTs. Cada enrolamento possui duas espiras.
R carga
IC1
IC2
IGBT 1
VCE2
VGE2
VGE1
t ON =10 s
100
IGBT 2
VCE1
VGE1 = VGE2 = 15 V
10
RC
Ci
7 F
Rd
+ Vpotncia
- 100 V
0,1
1:1
L1
2
espiras
2
espiras
L2
Figura 4.26 - Dois IGBTs em paralelo, indutnc ias ac opladas ligadas aos emiss ores .
66

Na Figura 4.27 apresentam-se os resultados obtidos da simulao do circuito da
Figura 4.26.
Figura 4.27 - a) Curva da c orrente IC1 do IGBT 1 (curva laranja) e curva da c orrente I C2 do IGBT 2 (curva
azul). b) Dif eren a de c orrentes IC2 e I C1 (IC2 -I C1 ).
Como se verifica a partir da Figura 4.27 a), as correntes IC1 e IC2 apresentam as
formas de onda bastante idnticas, cujas amplitudes so muito prximas. Tambm se
verifica que a diferena entre as correntes, IC2 - IC1, no superior a 0,1 A, Figura 4.27 b).
4.5 Simulao do circuito completo com dois IGBTs em paralelo

Neste ponto apresentam-se os resultados de simulao, mais relevantes, do circuito
com dois IGBTs em paralelo, utilizando o circuito de proteo contra sobrecorrentes e as
indutncias acopladas para o equilbrio de correntes.
Visto que os sinais aplicados s portas dos IGBTs (tenses VGE) obtidos nas
simulaes dos circuitos de disparo, com os primrios dos transformadores de impulsos em
paralelo e em srie, ponto 4.2.2, apresentam resultados praticamente iguais, para as
simulaes neste ponto escolheu-se o circuito com os primrios em paralelo. Utilizando os
transformadores de impulsos com a relao de transformao de 1:1 tambm se reduz a
influncia das capacidades parasitas sobre o sinal de disparo dos IGBTs, ponto 4.6.3.
A tcnica de proteo contra sobrecorrentes e a tcnica de equilbrio de correntes,
utilizadas na simulao, foram dimensionadas nos pontos 4.3 e 4.4 respetivamente.
67
4.5.1 Simulao com as indutncias acopladas ligadas aos emissores

Na Figura 4.28 apresenta-se o circuito com dois IGBTs em paralelo, onde as
indutncias acopladas se encontram ligadas aos emissores.
Curto - Circuito
t = 12 s
R carga
RD1
IC1
Ca
0,2 nF
Porta 1
RG1
1:1
5,1 V V
P1
10
VS1
V Z2
RD2
R GE1
2 k
1 k
9,1 V
RG2
1:1
V P2
Vcomando
+5 V
1 k
18 V
V Z3
D1
RB
IGBT1
10
VS2
IC2
IGBT2
VCE1
Rd
0,1
L1
L2
2 espiras
2 espiras
Porta 1
Porta 2
V Z4
18 V
V Z5
9,1 V
R2 3,4 k
D1
R3 1,1 k
D2
R GE2
1 k
VCC
R1
V Ca
V ref
T r1
+ Vpotncia
- 100 V
Ci
VCE2
7 F
+15 V
V Z1
100
DD
2 k
VC
RC
10
VCa
1 k
4V
2
3
V Z3
6,2 V
6,2 V
D3
1 k
5
LM311
Porta 2
V Z2
Rb
3,3 k
T r2
2n2219A
2n2219A
Figura 4.28 - Circ uito c ompleto c om dois IGBTs em paralelo.
Para que cada secundrio contribua para a carga do condensador Ca, utilizaram-se
as resistncias, RD de 2 k, para manter a constante de tempo, (ponto 4.3.1), igual a 200
ns.
Na Figura 4.29 apresentam-se as curvas dos sinais aplicados s portas dos IGBTs,
VGE1 e VGE2, e das correntes, IC1 e IC2, obtidas na simulao do circuito da Figura 4.28 em
regime de funcionamento normal.
Figura 4.29 - a) Sinais de disparo do IGBT 1 (curva laranja) e do IGBT 2 (curva azul). b) Curva da c orrente
IC1 do IG BT 1 (curva laranja) e curva da c orrente IC2 do IGBT 2 (curva azul).
68

VGE1 e VGE2, e das correntes, IC1 e IC2, obtidas na simulao, do circuito da Figura 4.28, com
ocorrncia de um curto-circuito na carga no instante t = 12 s.
A partir dos resultados obtidos, Figura 4.29 e Figura 4.30, verifica-se o

funcionamento correto do circuito de proteo contra sobrecorrentes e das indutncias
acopladas, visto que as curvas IC1 e IC2 so praticamente iguais (curvas sobrepostas).
69
4.5.2 Simulao com as indutncias acopladas ligadas aos coletores

Na Figura 4.31 apresenta-se o circuito com dois IGBTs em paralelo, onde as
indutncias acopladas se encontram ligadas aos coletores.
Curto - Circuito
t = 12 s
R carga
10
2
espiras
2 k
DD
Ca
0,2 nF
Porta 1
RG1
1:1
VC
R GE1
2 k
1 k
1:1
V P2
1 k
+ Vpotncia
- 100 V
Ci
Rd
0,1
10
VS2
T r1
2n2219A
Porta 1
Porta 2
V Z4
R2 3,4 k
D1
R3 1,1 k
D2
18 V
R GE2
1 k
VCC
V Z5
+5 V
VCE2
9,1 V
RG2
Vcomando
VCE1
V Z3
D1
RB
IGBT2
IGBT1
18 V
RD2
VS1
IC2
V Z2
+15 V
5,1 V V P1
L2
IC1
7 F
10
V Z1
100
2
espiras
L1
VCa
RD1
RC
9,1 V
R1
V Ca
V ref
1 k
4V
2
3
V Z3
6,2 V
6,2 V
D3
1 k
5
LM311
Porta 2
V Z2
Rb
3,3 k
T r2
2n2219A
Figura 4.31 - Circ uito c ompleto c om dois IGBTs em paralelo.
Neste ponto, do mesmo modo como no ponto 4.5.2, utilizaram-se as resistncias,

RD de 2 k, para manter a constante de tempo, (ponto 4.3.1), igual a 200 ns.
VGE1 e VGE2, e das correntes, IC1 e IC2, obtidas na simulao do circuito da Figura 4.28 em
regime de funcionamento normal (sem curto-circuito na carga).
70

VGE1 e VGE2 e na Figura 4.34 apresentam-se as formas de onda das correntes IC1 e IC2. Estes
resultados obtiveram-se a partir da simulao, do circuito da Figura 4.31, com ocorrncia de
um curto-circuito na carga no instante t = 12 s.
Figura 4.33 - Sinais de disparo do IGBT 1 (curva laranja) e do IGBT 2 (curva azul), s obrepostos.
Figura 4.34 - a) Curva da c orrente IC1 do IGBT 1 . b) Curva da corrente I C2 do IGBT 2 .
Como se representa pela Figura 4.34, existe um grande desequilbrio de correntes,

IC1 e IC2, com as indutncias acopladas ligadas aos coletores dos IGBTs.
No ponto 4.5.1 obtiveram-se melhores resultados de equilbrio de correntes nos
ramos em paralelo, com as indutncias acopladas ligadas aos emissores dos IGBTs. No
prximo ponto justifica-se a escolha de posio das indutncias acopladas magneticamente.
71
4.5.3 Escolha da posio das indutncias acopladas

Analisando os resultados obtidos nos pontos 4.5.1 e 4.5.2, verifica-se que, os
melhores resultados para o funcionamento do circuito com dois IGBTs em paralelo foram
obtidos com as indutncias acopladas ligadas aos emissores dos mesmos.
Na Figura 4.35 apresenta-se a influncia nas tenses, VL, das indutncias ligadas
aos emissores dos IGBTs sobre as tenses VGE dos mesmos.
IC1
IC2
VGE2
VGE1
Vi1
VCE2
VCE1 R
G2
R G1
VL1
Vi2
VGE = Vi - VL
VL2
Figura 4.35 - Influncia das indutnc ias nas tens es V GE dos IGBTs.
O aumento da corrente IC num dos IGBTs provoca um aumento de tenso, VL, da

indutncia em srie com o IGBT, que se ope ao sentido da mesma. Portanto, como as
indutncias so acopladas magneticamente e enroladas nos sentidos opostos, a tenso VL
induzida ao ramo da menor corrente toma o sentido da mesma. Sabendo que Vi = VGE + VL,
Figura 4.35, a tenso VGE = Vi - VL. Logo, quando varia uma das correntes, IC1 ou IC2, variam
as tenses VL1 e VL2, provocando as variaes das tenses VGE1 e VGE2. Sendo assim as
indutncias acopladas magneticamente contribuem para o equilbrio de correntes,
influenciando s tenses VGE1 e VGE2 dos IGBTs.
Quando as indutncias acopladas encontram-se ligadas aos coletores dos IGBTs as
tenses VL1 e VL2 provocadas pelo desequilbrio de correntes no influenciam as tenses
VGE1 e VGE2. Como no caso das indutncias acopladas ligadas aos emissores, no ramo de
maior corrente a tenso VL ope-se ao sentido da mesma e no ramo de menor corrente toma
o sentido da mesma, provocando o desequilbrio de correntes, representado pela Figura
4.34. A colocao das indutncias nos circuitos das gates tem como consequncia a
introduo da dinmica da corrente principal no circuito de disparo, o que traz vantagens na
equalizao das correntes.
Portanto, escolhe-se a configurao do circuito com as indutncias acopladas ligadas
aos emissores dos IGBTs.
72
4.6 Resultados experimentais dos circuitos de disparo

Neste ponto apresentam-se os resultados experimentais mais relevantes dos circuitos
de disparo dos IGBTs.
4.6.1 Teste do transformador de impulsos

Na Figura 4.36 a) apresenta-se o sinal de comando gerado pelo microcontrolador
PIC18f2331 e a curva da tenso do secundrio, Figura 4.36 b), do circuito da Figura 4.2,
obtidas experimentalmente.
a)
b)
Figura 4.36 - a) Impuls o gerado pelo microc ontrolador PIC 18f2331. b) T ens o no s ec undrio do
transformador de impuls os.
Devido ao atraso do transstor Tr1 (2n2219A), de 1 s, na passagem ao corte,

reduziu-se para 9 s o sinal gerado pelo microcontrolador, Figura 4.36 a), de forma a
conseguir-se obter o impulso no secundrio do transformador com durao de 10 s, Figura
4.36 b), e amplitude prxima dos 15 V.
Na Figura 4.36 b), o tempo de desmagnetizao do ncleo apresenta a durao
aproximadamente de 26 s, como se calculou no ponto 4.2. Tambm se verifica o resultado
experimental, Figura 4.36 b), e o resultado obtido na simulao, Figura 4.3, so bastante
prximos.
O sinal de comando do transstor Tr1, sada do microcontrolador, utilizado neste
trabalho nos prximos ensaios, de 9 s.
73
4.6.2 Resultados experimentais do disparo de um IGBT

Na Figura 4.37 apresenta-se a curva do sinal aplicado porta do IGBT da Figura
4.4, obtida experimentalmente.
Figura 4.37 - Sinal aplic ado porta do IGBT , c om a resistncia R G de 10 .
A partir da Figura 4.37 constata-se a presena de oscilaes no incio e no fim do

impulso. A presena destas oscilaes deve-se ao facto da existncia das capacidades
parasitas da porta do IGBT, que originam um circuito ressonante com a indutncia do
transformador de impulsos. Tal como mencionado no ponto 3.3.2, para minimizar esse efeito
pode ser utilizada uma resistncia da porta com o valor de 20 .
Deste modo, foi realizado um novo ensaio experimental em que se substituiu a
resistncia RG de 10 por uma resistncia de 20 . O novo sinal de disparo aplicado a
porta dos IGBT, do circuito da Figura 4.4, encontra-se representado na figura 4.38.
Figura 4.38 - Sinal aplic ado porta do IGBT, c om a resistncia R G de 20 .
Analisando o sinal obtido (Figura 4.38) possvel verificar que com a resistncia da
porta, RG, de 20 , as oscilaes do sinal de disparo do IGBT reduziram-se
significativamente. Portanto, neste trabalho todos os ensaios experimentais sero feitos com
as resistncias da porta, RG, de 20 .
74

Para verificar o disparo do IGBT, com o sinal de disparo da Figura 4.38 mediram-se
as curvas da corrente Ic, curva verde (0,1 V/ 1 A), e da tenso Vcarga, curva vermelha (50
V/div.), Figura 4.39, do circuito da Figura 4.4.
a)
b)
Figura 4.39 - a) T ens o na c arga e a c orrente na c arga b) T ens o na c arga e amplia o da c orrente na
carga.
Comparando os resultados obtidos na simulao, Figura 4.6, e os resultados obtidos

na prtica, Figura 4.39,verifica-se que estes so bastante semelhantes.
4.6.3 Sinais de disparo de dois IGBTs em paralelo

Na Figura 4.40 apresentam-se os sinais de disparo aplicados s portas dos IGBTs,
do circuito da Figura 4.7, obtidos experimentalmente, onde, as resistncias RG1 e RG2 de 10
, foram substitudas por resistncias de 20 . A curva de cor laranja corresponde ao sinal
de disparo do IGBT1 e a curva azul corresponde ao sinal de disparo do IGBT2.
a)
b)
Figura 4.40 - a) Sinal de disparo dos IGBTs. b) Amplia o dos sinais de dis paro dos IGBTs.
Analisando os resultados obtidos verifica-se que, ao utilizar as resistncias RG1 e

RG2 de 20 , a amplitude de oscilaes reduziu. Por este motivo, para disparo dos IGBTs
em paralelo sero utilizadas as resistncias de portas, RG, de 20 .
75

Na Figura 4.41 apresentam-se os sinais de disparo aplicados s portas dos IGBTs,
do circuito da Figura 4.9, obtidos experimentalmente com as resistncias de portas, RG1 e
RG2 de 20 . Neste caso os primrios dos transformadores de impulsos, utilizados em
circuitos de disparo, so ligados em srie. A curva de cor laranja corresponde ao sinal de
disparo do IGBT1 e a curva azul corresponde ao sinal de disparo do IGBT2.
a)
b)
Figura 4.41 - a) Sinal de disparo dos IGBTs. b) Amplia o dos sinais de dis paro dos IGBTs.
A partir dos resultados obtidos, da Figura 4.40 e da Figura 4.41, conclui-se que, ao
utilizar os primrios dos transformadores de impulsos ligados em paralelo, obtm-se uma
melhor forma de onda dos sinais de disparo, visto que com uma relao de transformao
de 1:1, como neste caso, reduz-se a capacidade parasita entre as espiras do transformador,
reduzindo as oscilaes indesejveis. Por este motivo, a configurao dos primrios dos
transformadores de impulsos utilizada neste trabalho ser em paralelo.
76
4.7 Resultados experimentais da utilizao do circuito de

proteo contra sobrecorrentes
Neste ponto apresentam-se os resultados experimentais do circuito da Figura 4.17 em
regime de funcionamento normal e em curto-circuito. Para provocar um curto-circuito carga
foi utilizado um outro IGBT com o circuito de disparo igual aos circuitos de disparo descrito
no ponto 4.2.1.
4.7.1 Resultados experimentais em regime de funcionamento normal

Na Figura 4.42 apresentam-se, o sinal de disparo do IGBT (curva laranja) e a curva
da corrente IC (curva azul).
Figura 4.42 - Sinal de disparo do IGBT e c orrente I C (0,1 V/ 1 A) .
Como se pode verificar a partir da Figura 4.42, na ausncia de uma sobrecorrente,

a amplitude do sinal de disparo prxima dos 15 V e a corrente IC semelhante corrente
representada pela Figura 4.39 b).
Na Figura 4.43 apresentam-se, a curva de tenso medida pelo comparador, VCa
(curva laranja), e a tenso da sada do comparador, VO (curva violeta).
a)
b)
Figura 4.43 - a) Curva de tens o V Ca , medida pelo c omparador. b) Curva de tens o V Ca , medida pelo
comparador e curva de tens o V O , na s ada do c omparador.
77

Pela anlise da Figura 4.43 possvel verificar que as curvas obtidas
experimentalmente so semelhantes s curvas obtidas a partir da simulao (Figura 4.19).
4.7.2 Resultados experimentais na ocorrncia do curto-circuito

Na Figura 4.44 mostram-se os resultados experimentais, do circuito da Figura 4.17,
no caso de ocorrncia de um curto-circuito na carga. Na Figura 4.44 a), apresentam-se a
curva do sinal de disparo do IGBT (curva laranja) e a curva da corrente IC (curva azul). Na
Figura 4.44 b), apresenta-se a curva de tenso medida pelo comparador, VCa (curva violeta),
e a curva da tenso de sada do comparador, VO (curva laranja).
a)
b)
Figura 4.44 - a) Curva do sinal de disparo do IGBT e curva da c orrente I C (0,1 V/ 1 A ). b) Curva da
tens o V Ca e c urva da tens o da s ada do c omparador , V O .
Comparando os resultados experimentais, da Figura 4.44, com os resultados obtidos

atravs da simulao, Figura 4.20 e Figura 4.22, verifica-se que os mesmos so
semelhantes.
78
4.8 Resultados experimentais de dois IGBTs em paralelo com

circuito de proteo contra sobrecorrentes
Na Figura 4.45 apresenta-se o circuito utilizado para os ensaios experimentais com
dois IGBTs em paralelo, utilizando a tcnica de proteo contra sobrecorrentes.
Curto - Circuito
t = 2 s
R carga
10
VCa
RD1
IC1
Ca
0,2 nF
1:1
10
VS1
R GE1
2 k
1 k
Ci
+ Vpotncia
- 100 V
18 V
9,1 V
1:1
V P2
+5 V
VCE2
V Z3
Porta 2
RG2
RB
VCE1
V Z2
RD2
D1
Vcomando
IGBT2
7 F
+15 V
5,1 V V
P1
IC2
IGBT1
Porta 1
RG1
V Z1
100
DD
2 k
VC
RC
10
V Z4
18 V
V Z5
9,1 V
R GE2
VS2
1 k
T r1
1 k
Porta 1
2n2219A
R2 3,4 k
D1
R3 1,1 k
V CC
R1
V Ca
V ref
1 k
4V
2
3
V Z2
V Z3
6,2 V
6,2 V
D2
D3
1 k
5
LM311
Porta 2
Rb
3,3 k
T r2
2n2219A
Figura 4.45 - Circ uito experimental c om dois IGBTs em paralelo c om prote o c ontra s obrec orrentes .
Nos prximos pontos, sero apresentados os resultados experimentais mais

relevantes do circuito da Figura 4.45 em modo de funcionamento normal e na ocorrncia de
um curto-circuito.
79

Na Figura 4.46 mostram-se os resultados experimentais do circuito da Figura 4.45
em modo de funcionamento normal. As curvas dos sinais das portas dos IGBTs
correspondem s curvas de cor laranja e as curvas de correntes, IC, correspondem s curvas
de cor azul (0,1 V/ 1 A).
a)
b)
Figura 4.46 - a) Curvas do IGBT 1 . b) Curvas do IGBT 2 .
Analisando os resultados da Figura 4.46, possvel verificar que os sinais de disparo

do IGBT1 e do IGBT2 so semelhantes. As formas de onda das correntes, IC1 e IC2,
apresentam uma diferena mnima.
4.8.2 Resultados experimentais na ocorrncia do curto-circuito

Na Figura 4.47 apresentam-se os resultados experimentais do circuito da Figura 4.45
na ocorrncia de um curto-circuito na carga, provocado 2 s aps o disparo dos IGBTs. As
curvas dos sinais das portas dos IGBTs correspondem s curvas de cor laranja e as curvas
de correntes, IC, corresponde s curvas de cor azul (0,1 V/ 1 A).
a)
b)
80

Analisando os resultados experimentais da Figura 4.47 verifica-se o correto
funcionamento do circuito de proteo contra sobrecorrentes, visto que as correntes IC1 e IC2
so limitadas aps de ocorrncia do mesmo.
Nota-se tambm que, na altura do curto-circuito, existem os picos de tenso nos
sinais das portas dos IGBTs. Estes picos devem-se ao facto de existir um aumento das
quedas de tenso, VCE, conduo, recarregando assim as capacidades parasitas
equivalentes, CGC, dos IGBTs.
Comparando as curvas de correntes, IC1 e IC2, obtidas no ensaio com curto-circuito,
constata-se que existe uma diferena nas amplitudes das mesmas, Figura 4.48.
a)
b)
Figura 4.48 - a) Curva da c orrente IC1 do IGBT 1 (0,1 V/ 1 A). b) Curva da c orrente IC2 do IGBT 2 (0,1 V/ 1
A).
A diferena entre os picos de correntes, IC1 e IC2, de 6 A, visto que o ganho da

sonda de corrente de 0,1 V/A, que cada diviso vale 500 mV e a diferena de amplitudes
de 1,1 por diviso.
O desequilbrio de correntes deve-se ao facto de existirem diferentes quedas de
tenso VCE, dos IGBTs. Neste caso, a curva da corrente IC1 apresenta menor amplitude
relativamente a curva da corrente IC2. Portanto, a queda de tenso entre o coletor e o emissor
do IGBT1, VCE1, maior do que a queda de tenso entre o coletor e o emissor do IGBT2,
VCE2.
81
4.9 Resultados experimentais de dois IGBTs em paralelo com

circuito de proteo contra sobrecorrentes e as indutncias
acopladas
Neste ponto so apresentados os resultados experimentais do circuito com dois
IGBTs em paralelo, utilizando o circuito de proteo contra sobrecorrentes e as indutncias
acopladas para equilbrio de correntes. Estes resultados foram obtidos para os casos das
indutncias acopladas ligadas aos emissores e aos coletores dos IGBTs, em regime de
funcionamento normal e na ocorrncia de um curto-circuito na carga, provocado 2 s aps
o disparo dos IGBTs.
Os resultados experimentais apresentados neste ponto foram obtidos utilizando os
circuitos da Figura 4.28 e da Figura 4.31, utilizando as indutncias acopladas com um valor
de 10 H (1 espira) e sem utilizao de resistncia para desequilbrio de correntes.
4.9.1 Resultados experimentais com indutncias acopladas ligadas aos

emissores
Os resultados experimentais obtidos em regime de funcionamento normal do circuito
com as indutncias acopladas ligadas aos emissores dos IGBTs encontram-se
apresentados na Figura 4.49. As curvas dos sinais das portas dos IGBTs correspondem s
curvas de cor laranja e as curvas das correntes, IC, correspondem s curvas de cor azul (0,1
V/ 1 A).
a)
b)
Como se pode verificar a partir dos resultados da Figura 4.49, os sinais de disparo
dos IGBTs e as curvas de corrente so praticamente iguais, semelhana dos resultados
obtidos na Figura 4.46.
82

Na Figura 4.50 apresentam-se os resultados experimentais na ocorrncia de um
curto-circuito na carga, provocado 2 s aps o disparo dos IGBTs. As curvas dos sinais
das portas dos IGBTs correspondem s curvas de cor laranja e as curvas de correntes, IC,
correspondem s curvas de cor azul (0,1 V/ 1 A).
a)
b)
Analisando a Figura 4.50 possvel verificar que a amplitude dos sinais de disparo
dos IGBTs na ocorrncia do curto-circuito limitada, passando para o valor
aproximadamente de 7 V.
Na Figura 4.51 encontram-se apresentadas as curvas de correntes, IC1 e IC2, do
IGBT1 e IGBT2 respetivamente, retiradas do ensaio com as indutncias acopladas ligadas
aos emissores dos IGBTs.
a)
b)
Figura 4.51 - a) Curva da c orrente IC1 do IGBT 1 (0,1 V/ 1 A). b) Curva da c orrente IC2 do IGBT 2 (0,1 V/ 1
A).
Analisando as formas de onda de correntes IC1 e IC2 obtidas, verifica-se que as

mesmas apresentam as amplitudes praticamente iguais, o que no se verificou nos
resultados da Figura 4.48 (resultados sem as indutncias acopladas). Comparando com os
83

resultados da Figura 4.48, verifica-se que a presena das indutncias acopladas, ligadas
aos emissores dos IGBTs, aumentou o tempo de decrescimento de correntes IC1 e IC2.
4.9.2 Resultados experimentais com indutncias acopladas ligadas aos

coletores
Na Figura 4.52 apresentam-se os resultados experimentais, em regime de
funcionamento normal, do circuito com as indutncias acopladas magneticamente, ligadas
aos coletores dos IGBTs. As curvas laranjas correspondem s curvas dos sinais aplicados
s portas dos IGBTs e as curvas azuis correspondem s correntes que atravessam os IGBTs
com ganho (0,1 V/ 1 A).
a)
b)
A partir dos resultados experimentais representados na Figura 4.52, possvel

verificar que, os sinais de disparo dos IGBTs e as curvas de corrente so praticamente
iguais, tal como nos resultados obtidos na Figura 4.46 e na Figura 4.49.
As curvas de sinal da porta e da corrente, IC1 do IGBT1 na ocorrncia de um curtocircuito na carga encontram-se representadas na Figura 4.53.
a)
b)
Figura 4.53 - a) Curva do sinal da porta do IGBT 1 . b) Curva da c orrente IC1 do IGBT 1 (0,1 V/ 1 A ).
84

Na Figura 4.54 apresentam-se as curvas de sinais da porta, VGE, e de correntes, IC1
e IC2, do IGBT1 e IGBT2, respetivamente, na ocorrncia de um curto-circuito na carga.
a)
b)
Figura 4.54 - a) Curva do sinal da porta do IGBT 2 . b) Curva da c orrente IC1 do IGBT 2 (0,1 V/ 1 A ).
Comparando os resultados experimentais da Figura 4.53 e da Figura 4.54 verificase que os sinais das portas dos IGBTs so semelhantes e as correntes IC1 e IC2 so
desequilibradas. O efeito semelhante das indutncias acopladas magneticamente, ligadas
aos coletores dos IGBTs, sobre as correntes IC1 e IC2, encontram-se representados nos
resultados de simulao da Figura 4.34.
85
CAPTULO 5 CIRCUITO COM TRS IGBTS EM PARALELO
CAPTULO 5 - CIRCUITO COM TRS IGBTS EM

PARALELO
5.1 Introduo
Neste captulo apresentam-se os dimensionamentos, resultados das simulaes do
circuito com trs IGBTs em paralelo, Figura 5.1, e os resultados experimentais utilizando as
tcnicas de disparo, de proteo contra sobretenses e de equilbrio de correntes.
R carga
RD1
DD
1 k
V Ca
Ca
I C1
20
V Z1
+15 V
5,1 V
RD2
VS1
V P1
VS2
RD3
L1
RB
+5 V
1 k
L3
+ Vpotncia
- 500 V
VCE3
VCE2
L2
Ci
100 F
L5
L4
L6
Porta 2
V Z4
18 V
V Z5
9,1 V
1 k
Porta 3
RG3
20
Vcomando
9,1 V
I C3
IGBT3
R GE2
1 k
1:1
V Z6
18 V
V Z7
9,1 V
R GE3
VS3
V P3
V Z3
1 k
20
V P2
18 V
RG2
1:1
VCE1
V Z2
R GE1
1 k
D1
I C2
IGBT2
IGBT1
Porta 1
RG1
1:1
10
I carga
0,68 nF
VC
RC
VCa
1 k
T r1
Porta 1
2n2219A
R2 1,6 k
D1
R3 1 k
VCC
R1
V Ca
V ref
1 k
6V
2
3
V Z2
V Z3
V Z4
6,2 V
6,2 V
6,2 V
D3
1 k
LM311
Porta 3
D2
Porta 2
Rb
3,3 k
T r2
2n2219A
Figura 5.1 - Circuito c ompleto c om trs IGBTs em paralelo.
Para o circuito da Figura 5.1, admitiu-se a corrente da carga, Icarga, de 100 A, a fonte
de alimentao, Vpotncia, de 500 V, portanto, a resistncia de carga, Rcarga, de 5 . Sendo
assim, as correntes que atravessam os IGBTs, IC1, IC2 e IC3 so aproximadamente de 33 A.
A durao dos sinais aplicados s portas dos IGBTs, tON, manteve-se igual a 10 s.
86
5.2 Dimensionamento do circuito com trs IGBTs em paralelo

Neste ponto apresenta-se o dimensionamento do circuito da Figura 5.1.
5.2.1 Circuitos de disparo de trs IGBTs em paralelo

Para o disparo de trs IGBTs em paralelo simulou-se a configurao dos circuitos de
disparo, com os primrios dos transformadores de impulsos ligados em paralelo, visto que
apresentou os melhores resultados, ponto 4.6.3, com dois primrios em paralelo.
Na Figura 5.2 apresenta-se a situao dos transformadores de impulsos com os
primrios ligados em paralelo, para o disparo de trs IGBTs em paralelo. Estes
transformadores possuem a relao de transformao 1:1, 18 espiras do lado primrio e do
lado secundrio (dimensionamento no ponto 4.2). As resistncias das portas utilizadas so
de 20 , visto que, com as mesmas se conseguiu obter melhores resultados experimentais
para o ponto 4.6.3.
R carga
5
I C1
VC
+15 V
RG1
1:1
20
V Z1
5,1 V
VCE1
1 k
D1
20
1 k
20
RB
+5 V
1 k
9,1 V
V Z4
18 V
V Z5
9,1 V
V Z6
18 V
V Z7
9,1 V
VCE3
RG3
1:1
Vcomando
V Z3
+ Vpotncia
- 500 V
R GE2
VS2
VS3
V P3
18 V
VCE2
100 F
RG2
1:1
V P2
V Z2
Ci
IGBT3
R GE1
VS1
V P1
I C3
I C2
IGBT2
IGBT1
RC
10
R GE3
1 k
T r1
2n2219A
Figura 5.2 - Dis paro de trs IGBTs em paralelo, c om os primrios dos transf ormadores de impuls os
ligados em paralelo.
87

Na Figura 5.3 apresenta-se a forma de onda da tenso aplicada porta do IGBT1,
visto que a partir da simulao, os sinais aplicados s portas dos IGBTs so completamente
iguais (sobrepostos).
Figura 5.3 - Curva de tens o da porta do IGBT 1 .
A partir da Figura 5.3 verifica-se que, o sinal de disparo obtido a partir da utilizao
dos transformadores de impulsos com os primrios ligados em paralelo, possui a amplitude
e a durao bastante prxima da pretendida.
5.2.2 Dimensionamento do condensador Ci

O condensador Ci, Figura 5.1, deve ser escolhido de modo que, a energia armazenada
neste seja maior do que a energia do impulso, equao (5.1).
=
(5.1)
onde, ECii a energia inicialmente armazenada no condensador, EP a energia libertada

durante o impulso e ECif a energia restante acumulada no condensador aps o impulso.
Portanto,
=
2
2
(5.2)
(5.3)
( )2
2
(5.4)
( )
=
(5.5)
=
em que, V
=
88

onde, VCii a tenso no condensador, Ci, com valor de Vpotncia, aplicada carga no inicio
de impulso e VCif a tenso no condensador, Cii, que aplicada carga no fim de impulso,
Figura 5.4.
VCi (V)
VCii
VCif
t ON
t(s)
Figura 5.4 - Varia o da tens o no c ondens ador C i ao longo do tempo.
A partir da equao (5.1) segue:

2 2
( )2
=
2
(5.6)
A partir da equao (5.6) deduz-se o valor da capacidade do condensador necessrio:

=
2
(1 2 )
(5.7)
Supondo que a variao de tenso na carga mxima admissvel de 5%, tem-se:

=
( ) 500 (500 0.05 500)

=
= 0,95
500
(5.8)
Logo, o valor da capacidade do condensador neste caso :

2
(1 2 )
(5.9)
Substituindo os valores na equao (5.9) tem-se:

2 10 106
41
5 (1 0,952 )
(5.10)
Logo, o valor da capacidade do condensador, Ci, deve ser maior ou igual a 41 F. Portanto,
o valor da capacidade do condensador, Ci, escolhido de 100 F.
89
5.2.3 Circuito de proteo contra sobrecorrentes

Para o dimensionamento do circuito de proteo contra sobrecorrentes, de trs IGBTs
em paralelo, simulou-se o circuito da Figura 5.5 para medir a tenso VCE dos IGBTs, de
modo escolher o limite superior da histerese do comparador, como descrito no ponto 3.4.1.
R carga
VCa
RD1
DD
1 k
V Ca
I C1
RC
10
I C3
I C2
Ca
0,68 nF
IGBT2
IGBT1
VC
RG1
1:1
20
V Z1
+15 V
5,1 V
VS1
V P1
D1
RD2
1 k
VS2
1 k
RD3
RB
+5 V
V Z4
18 V
1 k
V Z5
9,1 V
V Z6
18 V
V Z7
9,1 V
R GE2
1 k
20
1 k
9,1 V
VCE3
RG3
1:1
Vcomando
V Z3
VCE2
+ Vpotncia
- 500 V
R GE1
20
VS3
V P3
18 V
100 F
RG2
1:1
V P2
VCE1
V Z2
Ci
IGBT3
R GE3
1 k
T r1
2n2219A
Figura 5.5 - Trs IG BTs em paralelo c om o circuito para medi o da tens o V CE .
De forma a manter a constante de tempo, , mais prxima possvel dos 200 ns, ponto
4.3.1, utilizaram-se as resistncias, RD1, RD2, e RD3, de 1 k e o condensador Ca de 0,68 nF.
Na Figura 5.6 apresenta-se a forma de onda da tenso no condensador, VCa,
resultante da simulao do circuito da Figura 5.5.
Figura 5.6 - Forma de onda da tens o V Ca .
Segundo o resultado da simulao, Figura 5.6, nota-se que a amplitude do primeiro

pico de tenso VCa aproximadamente 10 V. Neste caso, para evitar os disparos indevidos
90

do circuito de proteo, definiu-se o valor do limite superior da histerese do comparador,
VTH, de 11 V, Figura 5.7 a), garantindo assim uma margem de segurana aproximadamente
de 1 V. O valor do limite inferior da histerese, VTL, manteve-se igual a 1 V, ponto 4.3.2, e a
tenso de referncia, Vref, ajustou-se para o valor de 6 V.
O dimensionamento das resistncias que definem a largura da histerese do
comparador, R2 e R3, Figura 5.7, semelhante ao efetuado no ponto 4.3.2.
As resistncias R1, R2 e R3 so de 1 k, 1,6 k e 1 k respetivamente, como se
apresenta na Figura 5.7b.
Vo (V)
+VCC
Porta 1
R2 1,6 k
D1
R3 1 k
VCC
R1
V Ca
V ref
1 k
6V
-VCC
1V
VTL
6 V 11 V
Vref VTH
2
3
V Z4
6,2 V
6,2 V
6,2 V
D3
1 k
LM311
Porta 3
V Z3
D2
Porta 2
V Z2
Rb
3,3 k
T r2
2n2219A
V Ca (V)
a)
b)
Figura 5.7 - a) Carac terstic a do c omparador do circuito de prote o c ontra s obrec orrentes. b)Circ uito de
prote o c ontra s obrec orrentes.
5.2.4 Dimensionamento de indutncias acopladas

Para o circuito da Figura 5.1 admitiu-se o desequilbrio mximo das quedas de tenso
VCE igual a 0,5 V, VCEmax - VCEmin = 0,5 V, e um desequilbrio mximo de correntes, IMmax, de
0,5 A, ponto 3.5.1.
Substituindo os valores na equao (3.39), obtm-se o valor da indutncia necessrio
=
2 ( )
2 0,5 10 106
0,5 =
3
3
(5.11)
6,67
Substituindo os valores na equao (3.28) calcula-se o nmero de espiras necessrio
= 2 6,67 106 = 6420 109 2
(5.12)
1
Logo, as indutncias, L1 - L6, da Figura 5.1 possuem 1 espira.
91
5.3 Resultados de simulao do circuito com trs IGBTs em

paralelo
Neste ponto apresentam-se os resultados de simulao do circuito da Figura 5.8.
R carga
RD1
DD
1 k
V Ca
Ca
0,68 nF
VC
+15 V
20
V Z1
5,1 V
RD2
VS1
V P1
RD3
RB
+5 V
L3
100 F
+ Vpotncia
- 500 V
VCE3
VCE2
L2
Ci
IGBT3
L5
L4
L6
Porta 2
V Z4
18 V
V Z5
9,1 V
1 k
Porta 3
RG3
20
1 k
0,0075
I carga
10
R GE2
1 k
1:1
Vcomando
9,1 V
L1
20
VS2
V Z6
18 V
V Z7
9,1 V
R GE3
VS3
V P3
V Z3
RG2
1:1
V P2
18 V
I C3
IGBT2
VCE1
V Z2
1 k
I C2
R d2
0,015
R GE1
1 k
D1
I C1
R d1
IGBT1
Porta 1
RG1
1:1
RC
VCa
1 k
T r1
Porta 1
2n2219A
R2 1,6 k
D1
R3 1 k
V CC
R1
V Ca
V ref
1 k
6V
2
3
V Z2
V Z3
V Z4
6,2 V
6,2 V
6,2 V
D3
1 k
LM311
Porta 3
D2
Porta 2
Rb
3,3 k
T r2
2n2219A
Figura 5.8 - Circuito c om trs IGBTs em paralelo.
Para validar a tcnica de equilbrio de correntes utilizada, desequilibraram-se as

quedas de tenso a conduo, VCE, dos IGBTs com as resistncias Rd1 e Rd2, do circuito da
Figura 5.8. Admitiu-se a diferena de quedas de tenso conduo entre IGBT3 e IGBT1 de
0,5 V, VCE3 - VCE1 = 0,5 V, e a diferena de quedas de tenso conduo entre IGBT3 e
IGBT2 de 0,25 V, VCE3 - VCE2 = 0,25 V. O desequilbrio de quedas de tenso conduo dos
IGBTs provoca o desequilbrio de correntes, IC.
Nos prximos pontos apresentam-se os resultados de simulao mais relevantes do
circuito da Figura 5.8, sem e com utilizao de indutncias acopladas, L1 - L6, provocando o
desequilbrio de correntes.
92
5.3.1 Resultados de simulao em regime de funcionamento normal

Na Figura 5.9 apresentam-se os resultados de simulao do circuito da Figura 5.8
sem utilizao das indutncias, L1 - L6, acopladas magneticamente.
Na Figura 5.9 a) apresenta-se a curva do sinal de disparo aplicado porta do IGBT 1
e na Figura 5.9 b) mostram-se as curvas de correntes, IC, que passam nos IGBTs. As curvas
aplicadas s portas do IGBT2 e do IGBT3 so iguais curva da Figura 5.9 a).
Figura 5.9 - a) Sinal aplic ado porta do IGBT 1 . b) Curvas de c orrentes I C1 (laranja), IC2 (azul) e I C3
(vermelha).
A partir da Figura 5.9 b), verifica-se um desequilbrio de correntes, IC1, IC2 e IC3, dos
IGBTs considervel, provocado pelas resistncias Rd1 e Rd2, do circuito da Figura 5.8. A
diferena de correntes , IC3 - IC1 5 A, IC3 - IC2 2,5 A e IC2 - IC1 2,5 A.
utilizando as indutncias, L1 - L6, acopladas magneticamente. Na Figura 5.10 a) apresentase a curva do sinal de disparo aplicado porta do IGBT1, visto que as curvas dos sinais de
disparo dos IGBTs so praticamente iguais. As curvas de correntes, IC, que passam nos
IGBTs so apresentadas na Figura 5.10 b).
Figura 5.10 - a) Sinal aplic ado porta do IGBT 1 . b) Curvas de c orrentes IC1 (laranja), I C2 (azul) e IC3
(vermelha).
93

Analisando o resultado de simulao obtido na Figura 5.10 b), verifica-se o equilbrio
de correntes IC1, IC2 e IC3 do circuito da Figura 5.8, visto que as curvas das mesmas so
praticamente sobrepostas. Portanto, valida-se o funcionamento de indutncias acopladas
magneticamente para trs IGBTs em paralelo.
5.3.2 Resultados de simulao na ocorrncia de um curto-circuito

utilizando as indutncias, L1 - L6, acopladas magneticamente.
Na Figura 5.11 a) apresenta-se a curva do sinal de disparo aplicado porta do
IGBT1, visto que as curvas dos sinais de disparo dos IGBTs na simulao so praticamente
iguais. As curvas de correntes, IC, que passam nos IGBTs so apresentadas na Figura 5.11
b).
Figura 5.11 - a) Sinal aplic ado porta do IGBT 1 . b) Curvas de c orrentes IC1 (laranja), I C2 (azul) e IC3
(vermelha).
Analisando a curva do sinal de disparo aplicado porta do IGBT1 e a curva de

corrente IC1, Figura 5.11 valida-se o funcionamento do circuito de proteo contra
sobrecorrentes, visto que se limitou a amplitude do sinal da porta do IGBT1 e da corrente IC1,
verificando-se o mesmo para as correntes IC2 e IC3.
Tambm se verifica que as curvas de correntes, IC1, IC2 e IC3, Figura 5.11 b) so
praticamente sobrepostas, o que mais uma vez valida o funcionamento de indutncias, L1 L6, acopladas magneticamente, utilizadas para equilbrio de correntes.
94
5.4 Resultados experimentais

Neste ponto apresentam-se os resultados experimentais do circuito da Figura 5.12.
R carga
RD1
DD
1 k
RC
10
VCa
V Ca
I C1
I C2
I C3
I carga
10
Ca
0,68 nF
VC
+15 V
RG1
1:1
20
V Z1
5,1 V
RD2
VS1
V P1
VS2
RD3
RB
+5 V
1 k
9,1 V
L1
L3
+ Vpotncia
- 100 V
VCE3
VCE2
L2
100 F
L5
L4
L6
Porta 2
V Z4
18 V
V Z5
9,1 V
1 k
Porta 3
RG3
20
Vcomando
V Z3
Ci
IGBT3
R GE2
1 k
1:1
V Z6
18 V
V Z7
9,1 V
R GE3
VS3
V P3
18 V
1 k
20
V P2
V Z2
RG2
1:1
VCE1
R GE1
1 k
D1
IGBT2
IGBT1
Porta 1
1 k
T r1
Porta 1
2n2219A
R2 3,4 k
D1
R3 1,1 k
V CC
R1
V Ca
V ref
1 k
4V
2
3
V Z2
V Z3
V Z4
6,2 V
6,2 V
6,2 V
D3
1 k
LM311
Porta 3
D2
Porta 2
Rb
3,3 k
T r2
2n2219A
Figura 5.12 - Circ uito c om trs IGBTs em paralelo.
Os resultados experimentais do circuito com trs IGBTs em paralelo foram obtidos

utilizando uma resistncia de carga de 10 e uma tenso de alimentao de 100V, Figura
5.12 visto no ter sido possvel subir a mesma, devido ao rudo no circuito experimental,
implementado numa breadboard. A largura da histerese do comparador do circuito de
proteo contra sobrecorrentes manteve-se igual ao ponto 4.8.
95

Na Figura 5.13 encontram-se representados os resultados experimentais mais
relevantes, obtidos em regime de funcionamento normal do circuito da Figura 5.12. Estes
resultados foram obtidos a partir de um dos IGBTs, visto que as curvas dos restantes IGBTs
so semelhantes.
A curva do sinal de disparo do IGBT (curva laranja) e a curva da corrente IC (curva
azul) encontram-se apresentadas na Figura 5.13 a). A curva de tenso medida pelo
comparador, VCa (curva laranja), e a curva tenso da sada do comparador, VO (curva violeta)
apresentam-se na Figura 5.13 b).
a)
b)
Figura 5.13 - a) Curva do sinal de disparo do IG BT e curva da c orrente I C (0,1 V/ 1 A). b) Curva da
tens o V Ca e c urva da tens o da s ada do c omparador, V O .
Analisando os resultados experimentais obtidos, verificou-se que o impulso da

corrente, que atravessa o IGBT apresenta uma durao pretendida, prxima dos 10 s, e
amplitude constante, devido ao aumento da capacidade do condensador Ci. Tambm
verifica-se o funcionamento pretendido do circuito de proteo contra sobrecorrentes, visto
que o mesmo no limita a tenso da porta do IGBT na ausncia de sobrecorrente.
96
5.4.2 Resultados experimentais na ocorrncia de um curto-circuito

Os resultados experimentais na ocorrncia de um curto-circuito na carga, provocado
2 s aps o disparo dos IGBTs apresentam-se na Figura 5.14. Estes resultados foram
retirados do mesmo IGBTs, que os resultados do ponto 5.4.1.
A curva da tenso da porta do IGBT e a curva da corrente IC encontram-se
representadas na Figura 5.14 a) a laranja e a azul respetivamente. Na Figura 5.14 b) a curva
a laranja representa a curva de tenso medida pelo comparador, VCa e a violeta, a curva da
tenso da sada do comparador, VO.
a)
b)
Figura 5.14 - a) Curva do sinal de disparo do IGBT e curva da c orrente I C (0,1 V/ 1 A). b) Curva da
tens o V Ca e c urva da tens o da s ada do c omparador, V O .
Analisando os resultados experimentais obtidos na ocorrncia de um curto-circuito

na carga, verifica-se que o circuito de proteo contra sobrecorrentes limita a tenso
aplicada porta do IGBT na ocorrncia de um curto-circuito, limitando deste modo a corrente
do mesmo. Tambm possvel verificar um aumento do tempo de decrescimento da
corrente do IGBT comparando com o ponto 4.9.1. Este aumento do tempo de decrescimento
da corrente deve-se ao aumento das indutncias parasitas equivalentes do circuito bem
como das indutncias acopladas, utilizadas para o equilbrio de correntes.
97
CAPTULO 6 CONCLUSES
CAPTULO 6 - CONCLUSES
6.1 Introduo
Neste captulo apresentam-se as concluses que decorrem do estudo terico
realizado, das simulaes e da implementao experimental. Tambm se apresentam
algumas perspetivas futuras.
6.2 Acerca do trabalho realizado

O objetivo deste trabalho consistiu no estudo, simulao e teste experimental de
tcnicas para equalizar as correntes em IGBTs ligados em paralelo, tanto em funcionamento
normal como em condies de sobrecorrentes.
Ao longo deste trabalho foi descrita a estrutura fsica do IGBT bem como o seu
princpio de funcionamento. Foram igualmente abordadas vrias tcnicas de disparo, de
proteo contra sobrecorrentes, sobretenses e de equilbrio de correntes nos
semicondutores em paralelo, largamente utilizadas hoje em dia nos circuitos de eletrnica
de potncia.
Apresentaram-se todas as etapas de dimensionamento, simulao e de construo
do circuito com os IGBTs em paralelo, recorrendo tcnica, de disparo com utilizao dos
transformadores de impulsos, de proteo contra sobrecorrentes, e de equilbrio de
correntes.
Para o sincronismo completo dos circuitos de disparo utilizados neste trabalho,
utilizou-se um nico sinal de comando, gerado pelo microcontrolador PIC18F2331, que foi
amplificado recorrendo a um transstor TJB, 2n2219A, que modulou a tenso no primrio de
transformadores de impulsos, usados para transmitir o sinal aos IGBTs com isolamento
galvnico. Com intuito de melhorar a qualidade da forma de onda dos sinais de disparo,
aplicados s portas dos IGBTs, foram utilizados os transformadores de impulsos com uma
relao de transformao de 1:1, visto que no caso em estudo a influncia de capacidades
e indutncias parasitas equivalentes sobre os sinais de disparo menor.
Para proteo contra sobrecorrentes foi usada a tcnica de leitura da tenso aos
terminais dos IGBTs e posterior comparao com um sinal de referncia, utilizando um
amplificador comparador. Para o correto funcionamento do circuito de proteo alargou-se
a histerese do comparador, de modo a evitar a sua ativao indevida, visto que a comutao
dos IGBTs no instantnea, o que provoca picos na tenso medida pelo comparador (VCa),
ponto 3.4.1. Houve tambm a preocupao de, nas situaes de sobrecorrente na carga, os
IGBTs no passarem imediatamente ao corte antes de baixar a corrente que atravessa os
mesmos, devido sobretenso causada pela indutncia parasita equivalente do coletor do
98
CAPTULO 6 CONCLUSES
IGBT. Portanto, antes da passagem dos IGBTs ao corte, o circuito de proteo limita a
amplitude do sinal aplicado porta, estrangulando o canal de conduo do IGBT, e
consequentemente limitando a corrente que atravessa o mesmo.
A tcnica de indutncias acopladas magneticamente foi utilizada para o equilbrio de
correntes nos IGBTs em paralelo. A escolha desta tcnica justificada com o facto de ser
mais simples de implementar que a tcnica de controlo ativo de portas e de se obter menores
perdas comparativamente s obtidas quando utilizadas resistncias para equilbrio de
correntes.
Aps o estudo terico, procedeu-se simulao em PSpice e realizaram-se ensaios
experimentais de forma a validar circuitos estudados. Pela anlise dos resultados
experimentais apresentados possvel concluir que so muito semelhantes com os obtidos
em simulao. De salientar que, as diferenas existentes se devem essencialmente devido
ao rudo introduzido nos contactos da breadboard e s capacidades e indutncias externas
parasitas existentes no circuito.
Relativamente ao trabalho realizado importante referir que, diferentes quedas de
tenso dos IGBTs conduo, ligados em paralelo, provocam um desequilbrio de correntes
considervel, contribuindo para a diminuio da vida do circuito. Utilizando as indutncias
acopladas ligadas aos emissores dos IGBTs, obtiveram-se bons resultados de equilbrio de
correntes na simulao e na prtica, validando o mtodo de dimensionamento apresentado
no ponto 3.5.1.
As capacidades e indutncias equivalentes parasitas presentes nos circuitos de
disparo implicam a presena de oscilaes nos sinais de disparo dos IGBTs. Verificou-se
que estas oscilaes podem ser significativamente reduzidas utilizando as resistncias de
portas, RG, de 10 20 .
A utilizao do comparador com histerese no circuito de proteo contra sobrecorrentes
demonstrou vrias vantagens, nomeadamente, a rapidez de funcionamento e a presena de
histerese facilmente ajustvel de modo impedir a ativao indevida do mesmo.
Analisando todo o estudo terico, simulaes e trabalho experimental, possvel
concluir que a utilizao dos IGBTs em paralelo, aplicando as tcnicas de equilbrio de
correntes e de proteo contra sobrecorrentes, permite a utilizao segura dos IGBTs em
aplicaes de correntes elevadas, prolongando a sua vida til, bem como a possibilidade de
utilizao destes semicondutores em circuitos com correntes muita acima das suas
capacidades.
99
CAPTULO 6 CONCLUSES
6.3 Perspetivas futuras

Este trabalho pode ter continuidade em dois campos distintos, um na melhoria dos
circuitos de disparo e outra na criao de um software para controlo de largura do impulso
gerado pelo microcontrolador via computador.
Relativamente aos circuitos de disparo, os transstores de juno bipolar, 2n2219A,
podero ser substitudos por MOSFETs, IRLZ44N. Este MOSFET possui uma tenso de
threshold da porta, VGth, de 1 V e poder ser controlado por microcontrolador, sem
necessidade de recorrer aos circuitos adicionais para amplificar o sinal aplicado porta.
Para uma tenso VGS de 5 V o IRLZ44N apresenta uma resistncia conduo de 0,025 ,
o que neste caso implicar uma queda de tenso VDS reduzida.
De forma a ser possvel o controlo de largura do sinal de disparo, aplicado s portas
dos IGBTs, pode ser adicionado um rgo de controlo, tal como um potencimetro ou um
conjunto de interruptores, para monitorizar a largura do sinal de disparo dos IGBTs pode-se
utilizar um display LCD ou um indicador de sete segmentos ligado ao microcontrolador.
Outra soluo possvel o desenvolvimento de um software do lado do microcontrolador e
do lado do computador para estabelecer a comunicao via USB, (Universal Serial Bus).
Neste caso seria necessrio utilizar um conversor USB - UART para estabelecer a
comunicao entre o microcontrolador utilizado PIC18f2331 e o computador, ou substituir
este microcontrolador por um outro com o mdulo USB incorporado, por exemplo,
PIC18f2550, PIC18f4550 ou outros.
100
BIBLIOGRAFIA
BIBLIOGRAFIA
[1]
J. F. A. Silva, "Eletrnica Industrial", Fundao Calouste Gulbekian, 2013.
[2]
R. P. T. Bascop, . S. Gomes, N. R. M. Fontenele e T. N. G. Oliveira, Circuitos de
Comando para MOSFETs e IGBTs de Potncia, Universidade Federal do Cear 2013.

[3]
V.
Semiconductors,
IGBT/MOSFET
Gate
Drive
Optocoupler,
VISHAY
SEMICONDUCTORS, 2011.
[4]
D. Bortis, J. Biela e J. W. Kolar, Active Gate Control for Current Balancing of Parallel-
Connected IGBT Modules in Solid-State Modulators, IEEE 2008.

[5]
INFINEON, Datasheet SKW15N120, Infineon 2013.
[6]
Y. Hu e M. M. Jovanovic, A New Current-Balancing Method for Paralleled LED
Strings, Power Electronic Systems Laboratory, ETH Zurich, 2011.

[7]
FEROXCUBE, Soft Ferrites and Accessories, 2013.
[8]
L. Redondo, Apontamentos sobre Amplificadores Operacionais para Engenharia
Electrotcnica, 2008.
[9]
L. Redondo, Apontamentos sobre Semicondutores de Potencia para Engenharia
Electrotcnica, 2008.
[10]
H. A. C. Braga, Conversores Multinveis em Corrente, 1996.
101
ANEXOS
ANEXOS
Apresentam-se os esquemas eltricos mais relevantes
simulados em PSpice, que foram utilizados para a
construo dos circuitos experimentais.
102
V1 = 0
V2 = 5
TD = 10u
TR = 0.1n
TF = 0.1n
PW = 10u
PER = 10m
V4
PIC_pino_RB0
15Vdc
PIC_pino_RB0
V1
0.01
R1
1k
R2
2N2219A
Q5
D1
1N4148
L1
18
D2
1N4733
K K1
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
L2
18
10
R3
1k
R4
D4
1N4739
D3
1N4746
C1
7u
100
10
SKW15N120/L2/INF
Z3
R6
R5
V3
100Vdc
ANEXOS
Anexo 1 - Circuito para verificar o disparo de um IGBT
Figura A - Disparo de um IGBT.
Circuito utilizado para verificar o disparo do IGBT, simulado no ponto 4.2.1.
103
ANEXOS
Anexo 2 - Circuito para verificar o funcionamento do circuito de

proteo contra sobrecorrentes
R8
0.01
D6
1N4733
PIC_pino_RB1
L3
18
V1 = 0
V2 = 5
TD = 12u
TR = 0.1n
TF = 0.1n
PW = 10u
PER = 10m
R10
10
L4
18
V4
D7
1N4148
V3
15Vdc
R9
R11
1k
K K2
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
Q7
PIC_pino_RB1
1k 2N2219A
D9
D8
1N4739
1N4746
R12
V1 = 0
V2 = 5
TD = 10u
TR = 0.1n
TF = 0.1n
PW = 10u
PER = 10m
Z4
1
SKW15N120/L2/INF
PIC_pino_RB0
V2
R5
Vc
R7
R6
10
D5
100
1k
C3
0.2n
K K1
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
R1
0.01
R3
D2
1N4733
BY V95B
Z3
L1
18
C4
7u
SKW15N120/L2/INF
10
D3
1N4746
L2
18
V8
100Vdc
Vg
R4
1k
D1
1N4148
V1
D4
1N4739
Ve
15Vdc
R2
Q5
PIC_pino_RB0
0
1k
2N2219A
Figura B - Circ uito de teste do circuito de prote o c ontra s obrec orrentes.
R14
D10
Vg
3.4k
1N4148
D11
R15
D12
1N4735
1.1k
1N4148
+VCC
D13
1N4148
Vc
R13
2
+VCC
U4 8 5
+
1k
V7
OUT
3
15Vdc
V5
V+B
B/S
LM311
R16
1k
R17
7
1
3.3k
Q6
2N2219A
V-
4Vdc
Ve
Figura C - Circ uito de prote o c ontra s obrec orrentes.
Na Figura B apresenta-se o circuito de Disparo de um IGBT utilizando um circuito para

provocar sobrecorrente na carga, de modo a testar o circuito de proteo contra sobtecorrentes,
Figura C, simulado no ponto 4.3.4.
104
ANEXOS
Anexo 3 - Circuito com dois IGBTs em paralelo utilizando a

tcnica de equilbrio de correntes e de proteo contra
sobrecorrentes
R8
Vc
K K1
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
R1
2k
R4
V1
V1
IGBT_g1
0.01
10
D1
1N4148
V1
15Vdc
D2
1N4733
L1
18
D3
1N4746
L2
18
R5
1k
D4
1N4739
IGBT_e
Vtjb
Vc
R9
D5
Vcol_IGBT
K K2
2k
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
R2
0.01
C7
0.2n
R6
IGBT_g2
10
D6
1N4746
PIC_pino_RB0
Vtjb
V1 = 0
V2 = 5
TD = 10u
TR = 0.1us
TF = 0.1us
PW = 10u
PER = 10m
R3
1k
V2
L3
18
L4
18
R7
1k
D7
1N4739
Q7
PIC_pino_RB0
2N2219A
IGBT_e
Vtjb
BY V95B
R10
0.01
D8
1N4733
PIC_pino_RB1
L7
18
V1 = 0
V2 = 5
TD = 12u
TR = 0.1us
TF = 0.1us
PW = 10u
PER = 10m
V9
V8
D9
1N4148
15Vdc
R11
L8
18
Q11
PIC_pino_RB1
1k
R12
10
R13
1k
K K4
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
D11
D10
1N4739
1N4746
2N2219A
R14
Z4
SKW15N120/L2/INF
R15
R16
10
Vcol_IGBT
Z1
100
Z2
IGBT_g1
IGBT_g2
SKW15N120/L2/INF
SKW15N120/L2/INF
Vpotencia
R17
0.1
L5
2
K K3
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
C5
7u
100Vdc
L6
2
IGBT_e
Figura D - Disparo de dois IGBTs em paralelo utilizando as indutnc ias ac opladas, circ uito de prote o
contra s obrec orrentes e circuito para provoc ar o curto -circuito.
105
ANEXOS
R19
D16
3.4k
1N4148
R20
D15
1.1k
1N4148
IGBT_g1
D13
1N4735
IGBT_g2
D24
1N4735
+VCC
D14
1N4148
Vc
R18
2
+VCC
U4 8 5
+
1k
V10
OUT
3
15Vdc
V5
V+B
B/S
LM311
R21
1k
R22
7
1
3.3k
Q8
2N2219A
VIGBT_e
4Vdc
Figura E - Circ uito de prote o c ontra s obrec orrentes para dois IGBTs em paralelo.
Na Figura D apresenta-se o circuito com dois IGBTs em paralelo, utilizando um circuito

para provocar sobrecorrentes na carga e a tcnica para equilbrio de correntes. Na Figura E
encontra-se apresentado o circuito de proteo contra sobrecorrentes para o circuito da Figura
D. Os resultados de simulao apresentam-se no ponto 4.5.1.
106
ANEXOS
Anexo 4 - Circuito com trs IGBTs em paralelo utilizando a

tcnica de equilbrio de correntes e de proteo contra
sobrecorrentes
K K1
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
R1
R5
V1
IGBT_g1
0.01
D1
1N4148
20
L1
18
D3
1N4746
L2
18
R6
1k
D2
1N4733
R11
1k
D4
1N4739
IGBT_e
V1
Vtjb
Vc
R12
D9
Vcol_IGBT
V1
K K2
1k
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
15Vdc
R2
20
L3
18
PIC_pino_RB0
BY V95B
0.01
C7
0.68n
R7
L4
18
IGBT_g2
D5
1N4746
R8
R13
1k
1k
D6
1N4739
V2
V1 = 0
V2 = 5
TD = 10u
TR = 0.1us
TF = 0.1us
PW = 10u
PER = 10m
IGBT_e
Vtjb
K K3
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
R3
R9
IGBT_g3
0.01
20
D7
1N4746
Vtjb
R4
1k
L5
18
L6
18
R10
1k
Q7
D8
1N4739
PIC_pino_RB0
2N2219A
IGBT_e
Vtjb
R14
0.01
D10
1N4733
PIC_pino_RB1
L7
18
V1 = 0
V2 = 5
TD = 12u
TR = 0.1us
TF = 0.1us
PW = 10u
PER = 10m
V9
V8
R34
R16
D11
1N4148
15Vdc
R15
L8
18
R17
1k
1k
K K4
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
Q11
PIC_pino_RB1
D13
D12
1N4739
1N4746
2N2219A
R18
0
Z4
SKW15N120/L2/INF
R19
R20
Vcol_IGBT
Z1
Z2
IGBT_g1
Z3
IGBT_g2
SKW15N120/L2/INF
10
IGBT_g3
SKW15N120/L2/INF
R21
0.015
SKW15N120/L2/INF
R22
0.0075
C5
100u
L12
1
L13
1
23
L14
1
L15
1
0.01
K K6
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
IGBT_e
K K7
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
24
0.01
L16
1
L17
1
Vpotencia
500Vdc
R25
0.01
K K8
TN26_15_10_3E25
COUPLING= 1
0
0
Figura F - Disparo de trs IGBTs em paralelo utilizando as indutncias acopladas, circuito de proteo contra
sobrecorrentes e circuito para provocar o curto-circuito.
107
ANEXOS
R27
D14
1.66k
1N4148
IGBT_g1
R28
IGBT_g2
IGBT_g3
D15
1.06k
D16
1N4735
1N4148
D17
1N4735
D18
1N4735
+VCC
D19
1N4148
2
+VCC
U4
V+
B
R26
8
5
Vc
B/S
1k
V10
OUT
3
15Vdc
V5
LM311
R29
1k
R30
7
1
3.3k
Q8
2N2219A
V-
6Vdc
IGBT_e
Figura G - Circuito de proteo contra sobrecorrentes para trs IGBTs em paralelo.
Na Figura F encontra-se apresentado o circuito com trs IGBTs em paralelo, utilizando

um circuito para provocar sobrecorrentes na carga, um circuito de proteo contra
sobtecorrentes, Figura G, e a tcnica para equilbrio de correntes. Os resultados de simulao
apresentam-se no ponto 5.3.
108

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INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA

rea Departamental de Engenharia Eletrotcnica de Energia e Automao

Comando e Proteo de IGBTs em Paralelo

INSTITUTO SUPERIOR DE ENGENHARIA DE LISBOA

Comando e Proteo de IGBTs em Paralelo

Palavras chave: IGBTs em paralelo, proteo contra sobrecorrentes, proteo contra

Keywords: IGBTs in parallel, protection against overcurrent, overvoltage protection,

Estrutura da Dissertao ....................................................................................................2

Captulo 2 - Utilizao de IGBTs em paralelo ...................................................................................3

Transstor bipolar de porta isolada (IGBT) ........................................................................3

Funcionamento do IGBT ............................................................................................6

Caractersticas dinmicas do IGBT ............................................................................7

Mtodos de disparo do IGBT .............................................................................................9

Sinal de comando no isolado ...................................................................................9

Sinal de comando isolado opticamente ...................................................................10

Sinal de comando isolado magneticamente ............................................................11

Tcnicas de equilbrio de correntes nos semicondutores de potncia ligados em paralelo

Utilizao de resistncias para equalizao da corrente .........................................14

Utilizao de indutncias acopladas magneticamente ............................................15

Seleo de semicondutores de potncia com as caractersticas semelhantes ......18

Utilizao da tcnica de controlo ativo da porta ......................................................19

Proteo dos IGBTs contra sobrecorrentes e sobretenses ..........................................22

Proteo contra sobrecorrentes ...............................................................................22

Proteo Contra Sobretenses ................................................................................24

Captulo 3 - IGBTs em Paralelo ......................................................................................................26

Descrio do circuito ........................................................................................................26

A tcnica utilizada para o disparo dos IGBTs ..................................................................27

Dimensionamento do transformador de impulsos ...................................................28

A tcnica utilizada para proteo dos IGBTs contra sobrecorrentes ..............................35

Princpio de funcionamento do circuito de proteo contra sobrecorrentes ...........35

Equilbrio de correntes nos IGBTs em paralelo ...............................................................42

Dimensionamento de indutncias acopladas...........................................................42

Captulo 4 - circuito com dois IGBTs em paralelo...........................................................................48

Dimensionamento de transformador de impulsos ...........................................................48

Circuito de disparo do IGBT .....................................................................................51

Disparo de dois IGBTs em paralelo .........................................................................53

Dimensionamento do circuito de proteo contra sobrecorrentes ..................................56

Dimensionamento do circuito de atraso RC.............................................................56

Dimensionamento do comparador com histerese no inversor ..............................59

Circuito de proteo contra sobrecorrentes resultante ............................................61

Resultados de simulao do circuito de proteo contra sobrecorrentes ...............61

Dimensionamento das indutncias acopladas para equilbrio de correntes nos

IGBTs em paralelo ...................................................................................................................65

Simulao do circuito completo com dois IGBTs em paralelo ........................................67

Simulao com as indutncias acopladas ligadas aos emissores ..........................68

Simulao com as indutncias acopladas ligadas aos coletores ............................70

Escolha da posio das indutncias acopladas ......................................................72

Resultados experimentais dos circuitos de disparo ........................................................73

Teste do transformador de impulsos ........................................................................73

Resultados experimentais do disparo de um IGBT .................................................74

Sinais de disparo de dois IGBTs em paralelo ..........................................................75

Resultados experimentais da utilizao do circuito de proteo contra sobrecorrentes 77

Resultados experimentais em regime de funcionamento normal ............................77

Resultados experimentais na ocorrncia do curto-circuito ......................................78

Resultados experimentais de dois IGBTs em paralelo com circuito de proteo contra

Resultados experimentais em regime de funcionamento normal ............................80

Resultados experimentais na ocorrncia do curto-circuito ......................................80

Resultados experimentais de dois IGBTs em paralelo com circuito de proteo contra

sobrecorrentes e as indutncias acopladas ................................................................................82

Resultados experimentais com indutncias acopladas ligadas aos emissores ......82

Resultados experimentais com indutncias acopladas ligadas aos coletores ........84

Captulo 5 - Circuito com trs IGBTs em paralelo ..........................................................................86

Dimensionamento do circuito com trs IGBTs em paralelo ............................................87

Circuitos de disparo de trs IGBTs em paralelo ......................................................87