3 - Semicondutores de Potencia

Escola de Engenharia
Departamento de Electrnica Industrial
Semicondutores de Potncia
Principais Semicondutores de Potncia
Dep. de Electrnica Industrial
Classificao dos dispositivos semicondutores quanto ao modo

como so controlados:

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 2


Dodos
Interruptores no-controlveis: o estado de conduo ou no conduo
determinado pelo circuito de potncia onde est inserido



Dodos
Tirstores
Ligados atravs dum impulso de disparo e desligado pelo circuito de
potncia



Dodos
Tirstores
potncia
Interruptores controlveis
Podem ser ligados e desligados atravs de sinais de comando

Semicondutores - Funcionamento como Interruptor
Interruptor ideal
Ligado resistncia nula
Desligado resistncia
infinita

Conduo bidireccional
Sem limite de tenso e de
corrente
Tempos de comutao
nulos

Entrada de controlo com
impedncia infinita (e sem

requerer energia)

Semicondutores - Funcionamento como Interruptor
Interruptor ideal Interruptor real

Ligado resistncia nula Pequena resistncia em
conduo queda de tenso
Desligado resistncia
Pequena corrente de fugas
infinita
quando desligado
Conduo bidireccional
A maior parte conduz num s
Sem limite de tenso e de sentido
corrente Apresentam limite de tenso e
Tempos de comutao de corrente
nulos Tempos de comutao finitos
Entrada de controlo com A entrada de controlo requer
impedncia infinita (e sem corrente ou carga
requerer energia)

Tipos de Semicondutores de Potncia

Aplicaes dos Semicondutores de Potncia

Aplicaes dos Semicondutores de Potncia

Dodo de Potncia
Caractersticas I-V
Dodo: (a) smbolo; (b) caracterstica I-V; (c) caracterstica ideal

Dodo de Potncia
Caractersticas I-V
Dodo: (a) smbolo; (b) caracterstica I-V; (c) caracterstica ideal

Dodo de Potncia
Princpios de Fsica dos Semicondutores

Funcionamento da juno P-N
Juno P-N
Tipo-P Tipo-N
Contacto de metal
+ + + n

+ + +
a + + + b
p+ + + Terminal
Zona de depleo

Dodo de Potncia

Juno P-N
Tipo-P Tipo-N
Contacto de metal
+ + + n

+ + +
a + + + b a b
p+ + + Terminal
Zona de depleo

Dodo de Potncia


Dodo de Potncia

Juno inversamente polarizada
+ + n
+ +
+ +
p+ +

Dodo de Potncia

Juno inversamente polarizada Juno directamente polarizada
+ + n n
+ +
+ +
p+ + p

Dodo de Potncia
Principais caractersticas
Caractersticas estticas
Queda de tenso em
conduo (directamente
polarizado) pequena (cerca
de 1V).
Corrente de fugas muito
pequena quando no VR VF
conduz (inversamente
polarizado)

Dodo de Potncia
Caractersticas dinmicas
(comutao)
Ao ligar o dodo comporta-se
como um dispositivo quase ideal
(liga muito rapidamente quando
Corrente no dodo ao desligar
comparado com os transitrios
associados as circuitos de
potncia)
Ao desligar o dodo conduz inversamente durante o tempo de
recuperao inversa trr (o que pode provocar sobretenses em
circuitos indutivos)

Dodo de Potncia
Tipos de Dodos
Dodos de rede ("line frequency diodes")
Tenso em conduo baixa trr maiores (alguns seg at poucas dezenas de seg )
Tenses inversas de vrios kV e correntes directas de vrios kA
Utilizados em aplicaes onde comutam frequncia da rede


Dodo de Potncia
Tipos de Dodos
Dodos de recuperao rpida ("fast recovery diodes")
trr desde a fraco do seg alguns (poucos) seg.
Centenas de volts/centenas de ampres
Circuitos com frequncias de comutao elevadas


Dodo de Potncia
Tipos de Dodos
Dodos de recuperao rpida ("fast recovery diodes")
trr desde a fraco do seg alguns (poucos) seg.
Centenas de volts/centenas de ampres
Circuitos com frequncias de comutao elevadas
Dodos "Schottky"
Queda de tenso directa muito baixa (tip. 0.4V)
Capacidade de bloqueio limitada (50 100V)
Tempos de comutao muito baixos (< seg.)
Utilizados em circuitos com baixas tenses

Dodo de Potncia
Comparao entre Diferentes Tipos de Dodos

General Purpose Diodes Fast Recovery Diodes Schottky Diodes
Up to 6000V & 3500A Up to 6000V & 1100A Up to 100V & 300A
Reverse recovery time Reverse recovery time Reverse recovery time

High Low Extremely low.
trr 25 s trr 0.1 s to 5 s trr a few s
General Purpose Diodes Fast Recovery Diodes Schottky Diodes

Turn off time Extremely
Turn off time High Turn off time Low
low
Switching frequency Low Switching frequency High Switching frequency Very
(Max 1KHz) (Max 20KHz) high (Max 30KHz)
VF = 0.7 V to 1 V VF = 0.8 V to 1.5 V VF = 0.4 V to 0.6 V
Dodo de Potncia
Encapsulamentos de Dodos
Dodo de Potncia
Encapsulamentos de Dodos
Tirstor (SCR Silicon Controlled Rectifier)

Tal como o dodo, O SCR s conduz se estiver directamente
polarizado (nodo a um potencial positivo em relao ao ctodo), mas
necessrio ainda aplicar um impulso de corrente de caractersticas
adequadas na gate (por isso tambm designado por rectificador
controlado

controlado
Tal como o dodo, quando polarizado inversamente o SCR no
conduz) (est bloqueado), quer se aplique ou no tenso na gate.

controlado
Depois do SCR entrar em conduo pode suprimir-se o sinal na gate
que ele continua a conduzir

controlado
Depois do SCR entrar em conduo pode suprimir-se o sinal na gate
que ele continua a conduzir
O SCR s deixa de estar em conduo quando a corrente que o
percorre baixa para um valor inferior corrente mnima de
manuteno (IH), especificada pelo fabricante.
Tirstor
Caracterstica I-V
IF IF
Tirstor ligado Queda de tenso directa
(em conduo)
Liga aplicando Tenso de Tenso de

um impulso na Ruptura ruptura
inversa directa
gate
VF VF
Tirstor desligado Tirstor desligado
Corrente
(a) Corrente
de fugas de fugas
inversa directa
Tirstor: (a) smbolo; (b) caracterstica I-V; (c) caracterstica ideal

Tirstor
Caracterstica I-V (detalhe)

Tirstor
Caracterstica I-V (detalhe)
Quando polarizado directamente, quanto

maior for a corrente na gate menor a tenso
nodo-ctodo para a qual entra em conduo.
Tirstor
Caracterstica da gate
19
Tirstor
19
Tirstor
a durao do impulso de gate da ordem das dezenas de s at centenas de s

19
Tirstor
Constituio e princpio de funcionamento

+ nodo
Gate
IGT p
IF
nodo Ctodo
n
+ Gate
VF p
(a) n
(b)
Tiristor: (a) smbolo; (b) estrutura fsica Ctodo
Dispositivo constitudo por 4 camadas PNPN:

Gate ligada camada P mais prxima do ctodo
Pode-se considerar as camadas NP do meio partilhadas por 2 transstores:
NPN com emissor no ctodo
PNP com emissor no nodo

Tirstor
Princpio de funcionamento (analogia dos 2 transstores)

nodo
p
n
Gate
p
n
Ctodo

Tirstor

nodo
p
n n
Gate
p p
n
Ctodo

Tirstor

nodo nodo
IF
p
Gate
n n
IC2
IC1= IB2
p p Gate
n IG IB1
Ctodo Ctodo
Aplicando-se corrente na gate (base do transstor NPN), esta amplificada no

colector IC1=1IG
Mas o colector do transstor NPN est ligado base do PNP corrente do colector
do PNP IC2=21IG
Mas IC2 soma-se a IG IB1=(1+21)IG
Logo que 21>1 os transstores rapidamente entram em saturao baixando a
tenso nodo-ctodo (e mantendo-se em conduo)
Tirstor
Estrutura do tirstor
Cutaway view of four layers Top view of center Top view of involute
and terminal connections -gate geometry gate geometry
Tirstor
Princpio de funcionamento
vF
+
+
+ iG iL
vi
circuito de RL vL
comando

(a)
23
Tirstor
Princpio de funcionamento
Vm
vF vL(t)
+
+ VL
+ iG iL
0 2 t
vi
circuito de RL vL vi(t)
comando

iG
impulsos
0 2 t
(a) (b)
Rectificador controlado: (a) circuito; (b) formas de onda
23
Tirstor
Princpio de funcionamento (aplicao)
vF
+
+ vL
+ iG iL
vi
circuito de RL vL
comando t
iG
t
(b)
(a)
Rectificador controlado: (a) circuito; (b) formas de onda
24
Tirstor
Principais caractersticas estticas


Tirstor

Corrente de fugas muito pequena quando no conduz (directa ou
inversamente polarizado). As tenses de bloqueio directa e inversa
so normalmente simtricas.


Tirstor

Queda de tenso em conduo (directamente polarizado) pequena
(cerca de 1V a 3V dependendo do valor da tenso de bloqueio).


Tirstor

Conduz por aplicao dum impulso na gate de baixo nvel de energia
(quando directamente polarizado).


Tirstor

Quando em conduo a corrente de gate pode ser removida


Tirstor

Quando em conduo a corrente de gate pode ser removida
Bloqueia quando a corrente no circuito de potncia se anula (tal como
o dodo).

Tirstor
Caractersticas dinmicas (comutao)
Tirstor: (a) circuito; (b) formas de onda; (c) "turn-off time" tq

Tirstor
Caractersticas dinmicas (comutao)
Ao desligar o tirstor conduz

inversamente durante o tempo
de recuperao inversa trr
a capacidade de bloquear s e
recuperada ao fim do intervalo
de tempo tq ("turn-off time")
durante o qual necessrio
manter o dispositivo
inversamente polarizado.

Tirstor
Tipos de Tirstores


Tirstor
Tipos de Tirstores
Tirstores para controlo de fase
Funcionam frequncia da rede
Valor mdio de corrente at 4000A /tenses de bloqueio de 5kV7kV
Quedas de tenso em conduo baixas: 1.5V para 1000V, 3V para 57kV

Tirstor
Tipos de Tirstores
Tirstores para inversores

Concebidos por forma a minimizar o valor de tq (desde alguns seg. at 100seg.)
sem comprometer a queda de tenso em conduo (superior dos tirstores para
controlo de fase)
Capacidades at 1000A/2500V

Tirstor
Tipos de Tirstores
Tirstores para inversores

Concebidos por forma a minimizar o valor de tq (desde alguns seg. at 100seg.)
sem comprometer a queda de tenso em conduo (superior dos tirstores para
controlo de fase)
Capacidades at 1000A/2500V
Tirstores activados por luz

Acoplamento ptico para o sinal de disparo (potncias do sinal de alguns mW)
At 3000A/4kV
Aplicaes de alta tenso (p. ex., transmisso de corrente contnua a alta tenso,
HVDC)

Tirstor
Encapsulamentos de Tirstores
Encapsulamentos para tirstores Tirstor para vrias centenas de

com capacidade at muitas amperes com 2 dissipadores, um
dezenas de amperes ligado ao ctodo outro ao nodo

Tirstor
Encapsulamentos de Tirstores
Tirstor para 1200V/100 A (repare-se na diferena entre os

terminais principais e os da gate)
Tirstor Aplicaes para Grandes Potncias (HVDC)
823 MVA 18 kV 3150 MW 600 kV

Triac
Constituio e funcionamento
Componente idntico ao tirstor mas com capacidade de conduzir em
ambas alternncias (positiva e negativa)
Equivalente a dois tirstores ligados costas com costas
nodo 1
nodo 1
n5 p n4
IF 2
n2
VF
p1
n3 n1
Gate
nodo 2 nodo 2
Gate
(a) (b)
Triac: (a) smbolo; (b) estrutura fsica
Triac
Caracterstica I-V
IF
IF
Queda de tenso
Triac ligado (em conduo)
Liga aplicando Corrente
um impulso na Tenso de
de fugas
Triac desligado gate ruptura
VF V
Tenso F
Liga aplicando Triac desligado Corrente
de ruptura
um impulso na de fugas
gate
(a) (b)
Caracterstica I-V do triac: (a) ideal; (b) real

Triac
Aplicao (controlo de potncia em ca)
Vm
vF vL(t)
+
+
+ iL
0 2 t
vi Triac
vL
RL

iG
(a) impulsos
0 2 t
(b)
Controlo de potncia em ca: (a) circuito; (b) formas de onda

Triac
Aplicao (controlo de potncia em ca)
vF vL
+
+
+ iL
vi Triac
RL vL t

iG
(a)
t
(b)
Controlo de potncia em ca: (a) circuito; (b) formas de onda

Triac
Encapsulamentos


Dodos
Tirstores
potncia



Dodos
Tirstores
potncia
Interruptores controlveis
Podem ser ligados e desligados atravs de sinais de comando

Interruptores Controlveis
Caractersticas Desejveis


Bloquear tenses elevadas quer directas quer inversas (com correntes
desprezveis)


desprezveis)
Conduzir correntes elevadas apresentando uma queda de tenso em
conduo desprezvel (mesmo quando a tenso de bloqueio elevada)


desprezveis)
Apresentar tempos de comutao baixos (para ligar e desligar rapidamente
permitindo que seja utilizado para frequncias de comutao elevadas)


desprezveis)
Coeficiente de temperatura positivo em conduo (para facilitar a repartio
equitativa da corrente entre dispositivos ligados em paralelo)


desprezveis)
Requerer um sinal de comando de potncia desprezvel


desprezveis)
Capacidade de sustentar os valores nominais da tenso e da corrente
simultaneamente durante a comutao (para simplificar os "snubbers
circuitos auxiliares de comutao)


desprezveis)
Capacidade de sustentar os valores nominais da tenso e da corrente
simultaneamente durante a comutao (para simplificar os "snubbers
circuitos auxiliares de comutao)
Capacidade de suportar valores elevados de dv/dt e di/dt por forma a
minimizar os circuitos auxiliares doutra forma necessrios para limitar estes
valores

Caractersticas de comutao genricas
Durante o intervalo de
comutao uma carga
indutiva comporta-se aprox.
como uma fonte de corrente
Caractersticas da comutao genricas (aprox. linear das formas de onda):

(a) comutao de uma carga indutiva (circuito simplificado); (b) formas de onda
da tenso e da corrente; (c) forma de onda da potncia dissipada no interruptor

iD
1. O interruptor est inicialmente

desligado, pelo que I0 flui na
totalidade atravs do dodo (iD)

iD 2

2. O interruptor ligado

iD
1. O interruptor est inicialmente 3

3. Aps um pequeno atraso td(on)

iD
iT
4
4. A corrente no interruptor aumenta e a corrente no dodo diminui

iD
iT
5

4. A corrente no interruptor aumenta e a corrente no dodo diminui
5. At que iD = 0, o dodo est ligado, vD = 0, pelo que VT = Vd

iD=0
6. Quando iD = 0, (aps tri)

o dodo desliga e a tenso no
interruptor pode comear a cair

7
7. A tenso no interruptor cai para Von aps tfv e o processo de
comutao termina

7
7. A tenso no interruptor cai para Von aps tfv e o processo de
comutao termina
8. O processo repete-se pela ordem inversa quando o interruptor desliga

Perdas na comutao
Won

Perdas na comutao
1
Ws ( on ) Vd Io t c ( on )
2
Won

Perdas na comutao
1 1
Ws ( on ) Vd Io t c ( on ) Ws ( off ) Vd Io t c ( off )
2 2
Won

Perdas na comutao
1 1
Ws ( on ) Vd Io t c ( on ) Ws ( off ) Vd Io t c ( off )
2 2
Won
1
Ps Vd Io fs t c ( on ) t c ( off ) , Pon Von Io
2

Perdas na comutao
1
Ps Vd Io fs t c ( on ) t c ( off )
2
As perdas na comutao so proporcionais a:
Frequncia de comutao (fS)
Tempos de ligar e desligar (turn-on and turn-off times, tc(on) e tc(off))
Valor mximo da tenso aos terminais do interruptor (Vd)

Corrente de comutao (normalmente numa carga indutiva, Io)
As perdas na comutao so dissipadas no interruptor, e NO no
dodo
O tempo de recuperao inversa do dodo faz aumentar as perdas na
comutao

Dissipadores (Heatsinks)
Conceitos bsicos
T j Ta Pd ja
Pd ( j c c s c a )
Pd potncia dissipada
Tj temperatura mxima
admissvel para a juno
( 150C para a juno de
silcio)
Ta temperatura ambiente
j-a resistncia trmica juno-ambiente
j-c resistncia trmica juno-caixa
c-s resistncia trmica caixa-dissipador
s-a resistncia trmica dissipador-ambiente
Dissipadores
caixa TO-220 caixa TO-202

Dissipadores

Tipos
Tirstores Transstores
GTO (Gate Turn-Off Thyristor) BJT (Bipolar Junction Transistor)
MCT (MOS-Controlled Thyristor) MD (Darlington)
MOSFET (Metal Oxide Field Efect
FCT (Field-Controlled Thyristor)
Semiconductor Transistor)
MTO (MOS Turn-Off Thyristor) IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
EST (Emitter-Switched Thyristor)
IGTT (Insulated Gate Turn-off Thyristor)
IGT (Insulated Gate Thyristor)
GCT (Gate-Commutated Thyristor)
IGCT (Integrated Gate-Commutated
Thyristor)

Transstores Bipolar (BJT)
Caracterstica de sada
Transstor bipolar (NPN): (a) smbolo; (b) caracterstica I-V;

(c) caracterstica ideal

Transstor Bipolar
Estrutura e Princpio de Funcionamento do Transstor Bipolar
C C
Colector C Colector C
p n
n p
B Base B B Base B
p n
Emissor E Emissor E
E E
PNP NPN

Transstor Bipolar
+ C
+
Juno C
inversamente IC
++
polarizada n I IB 6V
p VCE
B B +
0.6V
Juno VBE
n
directamente
polarizada E

E

Transstor Bipolar
++ C
Juno
inversamente IC
++
polarizada n IB 6V
Sentido I
+ VCE
B p convencional +
da corrente 0.6V
Juno VBE
n
directamente
polarizada
Fluxo de
electres
E

http://www.learnabout-electronics.org/bipolar_junction_transistors_05.php
Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 52
Transstores Bipolar
Principais Caractersticas


Transstores Bipolar
Dispositivos controlados por corrente. Na zona activa (ou linear),
IC = hFE.IB


Transstores Bipolar
IC = hFE.IB
No conduz na ausncia de corrente de base (a juno base-emissor
deve ser inversamente polarizada por forma a levar o transstor ao
corte)


Transstores Bipolar
IC = hFE.IB
corte)
Conduz plenamente se (e enquanto) a corrente de base for
suficientemente elevada: hFEmin.IB > IC (valores de hFEmin entre 510)


Transstores Bipolar
IC = hFE.IB
corte)
Queda de tenso em conduo (VCEsat) entre 1 V e 2 V (as perdas em
conduo so pequenas)


Transstores Bipolar
IC = hFE.IB
corte)
conduo so pequenas)
At 1400 V / (poucas centenas de amperes)


Transstores Bipolar
IC = hFE.IB
corte)
conduo so pequenas)
At 1400 V / (poucas centenas de amperes)
Tempos de comutao entre poucas centenas de seg. e alguns seg

Transstores Bipolar
Darlingtons (MDs) - para aumentar o ganho em corrente so

frequentemente ligados em duplo e triplo Darlington (com sacrifcio dos
tempos de comutao e de VCEsat)

Encapsulamentos de BJTs/ Darlingtons
High Power Modules

MOSFET Metal Oxide Field Effect Transistor"
Caracterstica I-V
MOSFET: (a) smbolo; (b) caracterstica I-V; (c) caracterstica ideal

MOSFET
(Outros Smbolos)
D D
B G B
G
S S
D D
G G
Smbolo simplificado que
S S
supe o terminal do
corpo ligado fonte
D D
G G
S
(a) (b)
Smbolos do MOSFET do tipo intensificao: (a) NMOS; (b) PMOS

MOSFET
Estrutura
Metal
Oxido (SiO2)
Regio da fonte
Substrato tipo-p
(corpo)
Canal
Regio do dreno
Estrutura fsica de um transstor NMOS do tipo intensificao

MOSFET
Construo e Princpio de Funcionamento

Elctrodo
da gate
Canal tipo-n
xido (SiO2) induzido
Substrato tipo-p
Regio de depleo
Transstor NMOS do tipo intensificao:
com vGS > Vt (tenso limiar) um canal n
induzido no topo do substrato (junto gate)

MOSFET
(pequeno)
Canal-n induzido
Substrato tipo-p
Transstor NMOS com vGS > Vt e um vDS de pequeno

valor aplicado. O dispositivo comporta-se como uma
resistncia cujo calor depende de vGS (a corrente iD
proporcional a vGSVt

MOSFET
Caracterstica ID-VDS para pequenos valores de VDS
Caracterstica iD-vDS do MOSFET de intensificao para pequenos valores de vDS:

o dispositivo comporta-se como uma resistncia linear controlada pela tenso vGS.

MOSFET
Canal-n
Substrato tipo-p
Funcionamento do MOSFET de intensificao quando vDS

aumenta: O canal induzido torna-se afunilado e a sua
resistncia aumenta. Supe-se que vGS. mantido
constante (maior do que Vt)

MOSFET
Caracterstica ID-VDS para VGS > Vt
Trodo Saturao
A curva inclina-se
porque a resistncia
do canal aumenta A corrente satura porque o
com VDS canal fica estrangulado do
lado do dreno (VDS deixa de
afectar a largura do canal)
Quase uma linha
recta com uma
inclinao
proporcional a
(VGS VDS)
MOSFET de intensificao: corrente de dreno iD versus vDS para vGS.> Vt

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/mosfet.html
Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 64

MOSFET
Caracterstica ID-VDS
Trodo Saturao
Caracterstica iD-vDS de um n-MOSFET

de intensificao com Vt = 1 V
(Corte)

MOSFET
Funcionamento do MOSFET como Interruptor

VDD VDD
RD iD
VDD RD iD
VDD
RD RD
rDS
vDS 0 V vDS 0 V (para rDS<< RD)
vGS > vDS+ Vt
(a) (b)
MOSFET ligado
Funcionamento um nvel de tenso de entrada (vGS) elevado:
(a) circuito com vGS > vDS+Vt ; (b) circuito equivalente

MOSFET
Funcionamento do MOSFET como Interruptor

VDD VDD
RD RD
iD = 0 iD = 0
vDS = VDD vDS = VDD

vGS < Vt
(a) (b)
MOSFET desligado
Funcionamento para um nvel de tenso de entrada (vGS) baixo:
(a) circuito com vGS< Vt ; (b) circuito equivalente

MOSFET


MOSFET
Dispositivos controlados por tenso


MOSFET
No conduz enquanto a tenso entre gate e source ultrapassar a
tenso limiar de conduo VGS(th)


MOSFET
Requer para conduzir a aplicao contnua duma tenso
gate-source de valor apropriado


MOSFET
A corrente que flui na gate nula excepto nas comutaes (a
potncia necessria para o seu comando desprezvel)


MOSFET
Possuem tempos de comutao muito curtos da ordem das dezenas
de nseg. at poucas centenas de seg.


MOSFET
Possuem tempos de comutao muito curtos da ordem das dezenas
de nseg. at poucas centenas de seg.
A resistncia entre dreno e fonte em conduo aumenta rapidamente
com a sua capacidade de bloqueio:
rDS ( on ) k BVDSS
2 .5 a 2 .7

MOSFET
Principais Caractersticas (cont.)

Por isso apenas os dispositivos para muito baixas tenses possuem
resistncias em conduo pequenas, ou seja, pequenas perdas em
conduo)


MOSFET

conduo)
Capacidades de bloqueio at 1000 V (mas para baixas correntes)


MOSFET

conduo)
Correntes at 100A (mas para baixas tenses)


MOSFET

conduo)
Interessantes sobretudo para baixas tenses e altas frequncias
(30 kHz 100 kHz ou mais)


MOSFET

conduo)
Interessantes sobretudo para baixas tenses e altas frequncias
(30 kHz 100 kHz ou mais)
Podem ser facilmente ligados em paralelo (a resistncia em conduo
possui um coeficiente de temperatura positivo)

Encapsulamentos de MOSFETs
Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia

IGBTs "Insulated Gate Bipolar Transistors"
Caracterstica I-V
IGBT: (a) smbolo; (b) caracterstica I-V; (c) caracterstica ideal

IGBT
IGBT: (a) estrutura; (b) circuito equivalente simplificado

IGBT
Combinam num mesmo dispositivo algumas das vantagens dos
BJTs, dos MOSFETs e dos GTOs


IGBT
Tal como o MOSFET, o IGBT possui uma gate de alta impedncia
pelo que a quantidade de energia necessria para o fazer comutar
muito baixa
Circuitos de comando mais simples
Perdas de comutao mais baixas


IGBT
Tal como o MOSFET, o IGBT possui uma gate de alta impedncia
pelo que a quantidade de energia necessria para o fazer comutar
muito baixa
Circuitos de comando mais simples
Perdas de comutao mais baixas
Tal como o BJT apresenta uma queda de tenso em conduo baixa
mesmo para dispositivos com uma grande capacidade de bloqueio
(p. ex. Von = 23V para um IGBT de 1000V)

IGBT
Principais caractersticas (cont.)

Apresentam tempos de comutao da ordem do seg
Podem operar a frequncias de comutao superiores s dos BJTs
(embora inferiores s dos MOSFETs)


IGBT

Maior capacidade em termos de tenso/corrente que os BJTs e que
os MOSFETs
Existem componentes para at tenses at 3000V e centenas de amperes


IGBT

Maior capacidade em termos de tenso/corrente que os BJTs e que
os MOSFETs
Existem componentes para at tenses at 3000V e centenas de amperes
Substituram o BJT na maior parte das aplicaes e concorrem com o
GTO em muitas outras

IGBT
MOSFET ou IGBT?
Gama de utilizao para MOSFETs e IGBTs (sem ter em conta a potncia)

Encapsulamentos de IGBTs
GTO Gate-Turn-Off Thyristor
Caractersticas terminais
GTOs: (a) smbolo; (b) caracterstica I-V; (c) caracterstica ideal

GTO


GTO
Tal como o tirstor pode bloquear tenses nodo-ctodo positivas ou
negativas

GTO
negativas
Tal como o tirstor pode ser ligado por aplicao dum impulso de
pequena durao na gate


GTO
negativas
Ao contrrio do tirstor pode ser desligado por aplicao duma tenso
gate-ctodo negativa, desde que a corrente (inversa) resultante seja
suficientemente elevada. Esta corrente, que dura apenas alguns seg.
pode ser da mesma ordem de grandeza da corrente no circuito de
potncia


GTO
negativas
potncia
gate- cathode de valor apropriado


GTO
negativas
potncia
gate- cathode de valor apropriado
A corrente que flui na gate nula excepto nas comutaes (a potncia
necessria para o seu comando desprezvel)
GTO

Apresenta quedas de tenso em conduo entre 2 V e 3 V (um pouco
superiores s dos tirstores)

GTO

Os tempos de comutao so da ordem dos poucos seg. at

25 seg.

GTO


25 seg.
Tenses at cerca de 5 kV / 2 kA

GTO


25 seg.
Tenses at cerca de 5 kV / 2 kA
Utilizados para aplicaes requerendo o controlo de tenses e

correntes elevadas para frequncias de comutao at 10kHz

GTO

No podem ser utilizados para comutar cargas indutivas sem circuitos
auxiliares de comutao (snubbers) destinados a limitar o dv/dt (tal
como acontece com os tirstores em situaes de bloqueio forado)
Comportamento do GTO na comutao: (a) circuito auxiliar de

comutao; (b) caracterstica do GTO ao desligar
IGCT Integrated Gated Control Thyristor
Estrutura e caractersticas muito
semelhantes s do GTO mas


Menores perdas em conduo


Capacidade de suportar valores de dv/dt
mais elevados (permitindo evitar os
snubbers


snubbers
Mais rpido (menores tempos de
comutao)


snubbers
comutao)
Corrente de gate para desligar superior
corrente nodo ctodo


snubbers
comutao)
corrente nodo ctodo
Circuito de comando integrado com o
semicondutor


snubbers
comutao)
corrente nodo ctodo
Circuito de comando integrado com o
semicondutor
Tenses at 10kV; correntes at 4kA

IGCT

IGCT
IGCT versus IGBT


IGCT
IGCT versus IGBT

Os IGBTs podem operar a frequncias de comutao mais elevadas
(so mais rpidos)


IGCT
IGCT versus IGBT

(so mais rpidos)
Os IGCTs so construdos com dispositivos em forma de disco
Valores elevados de emisses electromagnticas
problemas de arrefecimento


IGCT
IGCT versus IGBT

(so mais rpidos)
Os IGBTs so construdos em mdulos so mais robustos (os seus
tempos de vida so da ordem das 10x superiores aos dos IGCTs)


IGCT
IGCT versus IGBT

(so mais rpidos)
Os IGBTs so construdos em mdulos so mais robustos (os seus
tempos de vida so da ordem das 10x superiores aos dos IGCTs)
IGCTs apresentam uma queda de tenso em conduo mais baixa
As perdas em conduo so cerca de 2x mais baixas quando
comparadas com as dos IGBTs

MCT MOS Controlled Thyristor
Caractersticas terminais
O MCT: (a) smbolos; (b) caracterstica i - v; (c) caracterstica ideal

MCT
Inclui muitas das propriedades do
GTO (nomeadamente, pequena
queda de tenso em conduo),
mas:
muito mais rpido
controlado por tenso (requer
nveis de energia idnticos aos de
um MOSFET ou IGBT)
Tenses de bloqueio at 1500 V
Correntes de 50 A at poucas
centenas de amperes

Comparao entre as Diferentes Tecnologias
Desempenho relativo dos principais semicondutores de potncia

Desempenho relativo dos principais semicondutores de potncia
Gama de potncia e frequncia de comutao

para diferentes semicondutores de potncia


Resumo (potencialidades dos principais semicondutores de potncia

(wikipedia, 2010)

3 - Semicondutores de Potencia

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3 - Semicondutores de Potencia

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Escola de Engenharia

Departamento de Electrnica Industrial

Classificao dos dispositivos semicondutores quanto ao modo

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 2

Classificao dos dispositivos semicondutores quanto ao modo

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 2

Classificao dos dispositivos semicondutores quanto ao modo

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Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 3

Interruptor ideal Interruptor real

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 3

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 4

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 5

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 6

Dodo: (a) smbolo; (b) caracterstica I-V; (c) caracterstica ideal

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 7

Dodo: (a) smbolo; (b) caracterstica I-V; (c) caracterstica ideal

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 7

Princpios de Fsica dos Semicondutores

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 8

Princpios de Fsica dos Semicondutores

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 8

Princpios de Fsica dos Semicondutores

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 9

Princpios de Fsica dos Semicondutores

Juno inversamente polarizada

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 9

Princpios de Fsica dos Semicondutores

Juno inversamente polarizada Juno directamente polarizada

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 9

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 10

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 11

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 12

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 12

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 12

Comparao entre Diferentes Tipos de Dodos

Reverse recovery time Reverse recovery time Reverse recovery time

trr 25 s trr 0.1 s to 5 s trr a few s

General Purpose Diodes Fast Recovery Diodes Schottky Diodes

Liga aplicando Tenso de Tenso de

Tirstor: (a) smbolo; (b) caracterstica I-V; (c) caracterstica ideal

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 17

Caracterstica I-V (detalhe)

Caracterstica I-V (detalhe)

Quando polarizado directamente, quanto

a durao do impulso de gate da ordem das dezenas de s at centenas de s

Constituio e princpio de funcionamento

Tiristor: (a) smbolo; (b) estrutura fsica Ctodo

Dispositivo constitudo por 4 camadas PNPN:

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 20

Princpio de funcionamento (analogia dos 2 transstores)

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 21

Princpio de funcionamento (analogia dos 2 transstores)

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 21

Princpio de funcionamento (analogia dos 2 transstores)

Aplicando-se corrente na gate (base do transstor NPN), esta amplificada no

Princpio de funcionamento (aplicao)

Rectificador controlado: (a) circuito; (b) formas de onda

Principais caractersticas estticas

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 25

Principais caractersticas estticas

Jlio Martins, Fev. 2011 Electrnica de Potncia - Semicondutores de Potncia 25