Eletronica de Potencia - Introducao PDF

Universidade Federal do Cear
Eletrnica de Potncia
Professor
Fernando Antunes
Semestre 2007.2
www.dee.ufc.br/~fantunes fantunes@dee.ufc.br 1
Programa da Disciplina
Unidade I Introduo
Objetivo, histrico e aplicaes da Eletrnica de potncia ;
Semicondutores de potncia: diodos, Transistor Bipolar e Tiristores;
Classificao dos conversores estticos;
Clculo trmico.
Unidade II Conversores CC-CC Abaixadores e Elevadores
Principio de operao;
Regulador CC-CC Abaixador (Conversor Buck);
Regulador CC-CC Elevador (Conversor Boost);
Regulador CC-CC Abaixador / Elevador (Conversor Buck / Boost);
Operao com cargas RLE.
Unidade III Retificadores Monofsicos a Diodo
Retificadores monofsicos de meia onda;
Retificadores Monofsicos de onda completa.
Unidade IV Retificadores Trifsicos no controlados
Retificadores em Meia Ponte e Ponte Completa;
Comutao
Unidade V Retificadores Controlados Monofsicos e Trifsicos
Retificadores em Meia ponte e Ponte Completa;
Fator de potncia
Comutao
Pontes mista
Unidade VI Transistor para Alta Freqncia
MOSFET;
IGBT.
Unidade VII Conversores CC-CA
Estrutura Bsica VSI;
Principio de modulao por largura de pulso PWM;
Estruturas monofsica
Estrutura trifsicas
Aulas de Laboratrio
Caracterstica de chaveamento de diodos e tiristores;
Conversores ca-cc monofsicos a diodo;
Conversores ca-cc trifsicos a diodo;
Conversores ca-cc de monofsico controlado a tiristor;
Conversores ca-cc trifsico controlado a tiristor;
Conversores ca-cc de 12 pulsos;
Conversor Buck a MOSFET/IGBT;
Conversor Boost a MOSFET/IGBT;
Inversor monofsico;
Inversor trifsico .
Unidade I - Introduo
Definio de Eletrnica de Potncia
uma nova tecnologia que trata da aplicao de dispositivos
eletrnicos e componentes associadas para converso, controle e
condicionamento da energia eltrica;
Controle da Energia Eltrica, meio usado para se obter controle de

grandezas no eltricas como: velocidade de maquinas girantes,
controles de temperatura de fornos, processo eletromecnicos,
intensidades de iluminamento, etc.
Definio de Eletrnica de Potncia
De uma maneira geral pode ser considerada como uma
tecnologia multidisciplinar que envolve:
Dispositivos Semicondutores de Potncia;
Circuitos Conversores;
Mquinas Eltricas;
Teoria de Controle;
Microprocessadores;
Sistemas Eltricos.
Histrico
Retificador a Arco de Mercrio inicio do sculo passado;

Estrutura Retificadoras Anos 30;
Tiristor Grande evoluo:
Laboratrio Bell, 1956;
Comercializado pela GE, 1958;
Anos 70 diodos, Transistores de potncia e GTO;
Anos 80 MOSFET e IGBT;
Anos 90 Encapsulamento de Potncia.
Aplicaes
Fontes Estabilizadas
Controles de Motores
Equipamentos de soldagem
Veculos Eltricos
Trao Eltrica
Controle de Trnsito
Utilizao de fontes no Convencionais de Energias
Utilizao Aeroespacial
Carregadores de bateria
Alimentao de Emergncia (UPS)
Sistema Eltricas de Potncia
Conversores Estticos
Circuito projetados para processamento da energia;

Convertem energia eltrica da forma como fornecida por
uma fonte, na forma requerida por uma carga;
Alto rendimento (99% em grandes conversores);
Usam semicondutores como chaves;
Estrutura formada basicamente por chaves, capacitores e
indutores.
Conversores Estticos
Conversores ca-cc (Retificadores)

Conversores cc-cc (Choppers e fontes cc chaveadas)
Conversores cc-ca (Inversores)
Conversores ca-ca (Chaves ca)
Vantagens : Desvantagens :
Espao fsico Harmnicos
Resposta rpida Interferncias
Baixa manuteno
Chaves Semicondutoras
Idealmente possuem apenas dois estados:
Apresentam completo bloqueio ou oferecem
irrestrita conduo passagem de corrente.
Podem ser:
Diodos;
Tiristores;
Chaves controladas:
BJT 1kV, 300A, 20kHz, 200kVA;
MOSFET 1kV, 100A, 50kHz;
IGBT 1,7kV e 2kA, 20kHz; 6,5kV, 600A, 800Hz
MCT.
IGCT
IGBT de alta potncia
VCE ICE Switching

No. IGBT [V] [A] frequency [Hz]
1 FZ2400R17KE3 1700 2400 2000
2 FZ3600R17KE3 1700 3600 2000
3 CM2400HC-34H 1700 2400 2000
4 5SNA 2400E170100 1700 2400 2000
5 5SNA 3600E170300 1700 3600 2000
6 DS_FZ1500R33HE3* 3300 1500 1500
7 DS_FZ1500R33HL3* 3300 1500 1500
8 CM1200HA-66H 3300 1200 1500
9 5SNA 1500E330300* 3300 1500 1500
10 FZ 600 R 65 KF1 6500 600 800
Aplicaes tpicas da Eletrnica de Potncia
HVDC
10 00
TRAO
FO N T E S E L T R IC A
CHAVEADA S
AUTOMAO
IN D U S T R IA L
10 0
Corrente de Conduo, A
A C IO N A M E N T O
DE MOTO RES
10
B A L LA S T S D E
ILU M IN A O
1
E LE T R N IC A
EMBA RCADA
(A U T O M O T IV A )
0.1
10 10 0 10 00 1 0 0 00
T ens o d e B loq u eio, V
Caractersticas Potncia x Tenso
e Potncia x Freqncia
VA
VA
10 7 7
10
GTO
6 6
10 GTO 10
BJT IGBT
10 5 Transistor
Tiristor
105
Bipolar MOSFET
IGBT
4 BJT
10 104
3
10 MOSFET 103
2 3 4 Hz
10 10 10 V 102 103 104 105
Juno PN
Formam a base para o estudo dos diodos transistores e tiristores de potncia.
+4 +4 +4
+4 +4 +4
+4 +4 +4
Cristal de Silcio e Eltrons de Valncia

Cristal de Silcio:
Pureza em 10 9 tomos de silcio h apenas um tomo estranho;
Isolante em baixas temperaturas;
Apresentam eltrons livres em altas temperaturas;
Condutividade natural temperatura ambiente, cerca de 2 x 1010eltrons
livres(Buracos) por cm 3 ;
Quando sujeito a campo eltrico os buracos movimentam se na direo do campo
comportando-se como portadores de carga positiva.
Dopagem
tomos estranhos substituem os de silcio em varias posies da cadeia do

cristal alterando enormemente a habilidade de conduo do cristal. A
dopagem no deve alterar a estrutura original do cristal.
+4 +4 +4 +4 +4 +4
+4 +5 +4 +4 +3 +4
+4 +4 +4 +4 +4 +4
Cristal Tipo N Cristal Tipo P
Unio do Cristal P com o Cristal N
Na juno os eltrons do cristal N se difundem no cristal P
ocupando os buracos formando uma regio de depleo na
juno.
Campo eltrico na juno:
Fica mais forte medida que mais cargas atravessam a juno;
Atrasa o processo de formao da camada de depleo;
Age no sentido de empurrar os eltrons na regio de depleo de volta
para a camada N. P N
- +
- +
- +
- +
- +
Camada de depleo
Unio do Cristal P com o Cristal N
-
Juno PN inversamente polarizada
Aumento da camada de depleo; p
Ausncia de portadores majoritrios na juno;
Tenso reversa mxima determinada pela n
camada de depleo.
+
Reversamente Polarizada
Juno PN diretamente polarizada
+
Portadores majoritrios saturam a juno;
Colapso de camada de depleo cristal conduz;
p
Condutividade consideravelmente menor que dos
metais;
n
Perdas causam aquecimento excessivo para o
tamanho do cristal. -
Diretamente Polarizada
Diodo de Potncia
Regio de arrasto:
Camada n- no encontrada nos diodos se
Anodo
sinal;
Estabelece a tenso reversa mxima p+ 19 -3
Nd=1 cm
10 m
suportada pelo diodo; Regio de

n-
Alta resistividade devido baixa dopagem; Nd=10
14 -3
cm arrasto
Onde se estabelece a camada de depleo -3

Nd=1019cm 250m
n+
Resistividade reduz quando em polarizao
direta devido saturao da regio por
Catodo
portadores majoritrios;
Seo Transversal de
Esta modulao da condutividade reduz um Diodo de Potncia
bastante a perda por conduo.
Caracterstica V x I de um diodo de potencia
i
D
- V
RM
0 ,7 V v
AK
Com altas correntes a caracterstica hmica mascara a exponencial;

Quando polarizado inversamente, apenas uma pequena corrente de
fuga circula;
Requer tempo finito para mudar estado bloqueio / conduo;
Tempo de transio e formas de ondas so afetadas pela
caracteristica intrnseca do diodo.
Caracterstica de chaveamento de um diodo de potncia
D I0 Carga indutiva
V C
Comando Ic
da chave
Circuito para anlise na caracterstica de

chaveamento do diodo de potncia
Caracterstica de chaveamento de um diodo de potencia
i(t)
Conduo: I0
t1 Remoo da carga armazenada na

camada de depleo com o t
aumento da conduo. Camada Q rr
de depleo ainda presente, queda v(t)
Irr
hmica na regio de arrasto e

indutncias presentes no circuito t3 t4 t5
so causas da sobretenso; trr
t2 Saturao da juno
(neutralizao da camada de Von
depleo) e da regio de arrasto e
estabelecimento da corrente em t
regime fazem a tenso cair para V

Von.
t1 t2
Caracterstica de chaveamento de um diodo de potncia
Bloqueio:
A carga em excesso na regio i(t)
t3 de arrasto passa a ser
removida por recombinao e I0
arrasto. Cessada a
recombinao i(t) reduz a t
zero; Q rr
Irr
v(t)
Fluxo de minoritrios na
t4 formao da camada de t3 t4 t5
depleo inverte+ i(t).
- As - +
trr
junes p n n n
permanecem polarizadas
diretamente devido excesso Von
de portadores nas junes;
Retirados os portadores em t
t5 excesso da juno, esta V
polariza inversamente e logo

adquire substancial valor t1 t2
negativo. Os minoritrios
passam a ter crescimento
negativo reduzindo a corrente
reversa a zero.
Transistor de potncia
Base Emissor
C C
19-3
n+ Nd=10 cm 10 m
p 16 -3
Nd=10 cm 520 m B Ic B Ic
-3
n- Nd=10 14cm 50200 m
E E
-3
n+ Nd=10 19cm 250 m
NPN PNP
Coletor
Nvel de dopagem influencia as caractersticas do dispositivos;

Regio de arrasto possui dopagem leve e determina a tenso de
ruptura do transistor;
A espessura da base feita menor possvel, para maior ganho
de corrente;
Uma menor espessura de base limita a tenso reversa mxima
que pode ser aplicada ao transistor.
Transistor de potncia
Junes PNP e NPN p
Emissor cristal de alta dopagem;
n
Base cristal de media dopagem;
Coletor - cristal de alta dopagem. p
Processo de conduo:
Pequena corrente introduzida na base atravs de circuito de controle;
Algumas cargas alcanam a camada de depleo (ausente de carga)
coletor-base e so arrastados para o circuito externo atravs do coletor,
iniciando se uma conduo;
A corrente de base satura a juno coletor-base tornando o transistor
condutor;
Para um certo valor de corrente de base o transistor comporta-se como
uma chave fechada, para corrente de base nula comporta-se com uma alta
resistncia .
Introduo Transistor NPN
Conduo no transistor NPN (O mais

usado):
Inicio de conduo - os eltrons fluem do Coletor +
emissor para base (sentido real de
corrente). n
Base
A grande maioria dos eltrons atingem a p
camada de depleo base-coletor n
(inversamente polarizada).
O campo eltrico da tenso de polarizao Emissor
-
externa atrai os eltrons para camada de
depleo, saturando-a.
Inicia-se um fluxo de eltrons no sentido
emissor coletor, isto corrente eltrica no
sentido coletor emissor.
Caracterstica V x I do transistor de potncia
quasi-
saturao ruptura
saturao
plena secundria
I +
C Coletor
I B4
n
ruptura
I B3 primria n- Base
I
B2
p
I B1
n
I IB=0
B0
V
Emissor
0 Vsus VBCE0 CE -
Vsus: tenso mxima emissor-coletor
quando o dispositivo esta conduzindo;
Ruptura primria: avalanche convencional
na juno;
Ruptura secundria: alta dissipao de
potncia em pontos localizados no cristal
Caracterstica de chaveamento de um transistor de potncia
I0 Carga
D
indutiva
V C
circuito Ic
de base
Circuito para anlise na caracterstica de

chaveamento do transistor bipolar
Conduo: iB(t)
IB(on)
Inicio do processo de retirada da 0
camada de depleo. Vce no t
alterada; vBE(t)
VBE(on)
Vce na se altera pois o diodo em 0

VBE(off) t
paralelo com a carga esta
conduzindo; iC(t) I0
O diodo em paralelo deixa de 0

t
conduzir;
O ganho do transistor diminui vCE(t)
Vd VCE(sat)
reduzindo a taxa de queda de 0
Vce. t=0
t d(on) t s t
t f1 t f2
td(on)
ts
tf1
tf2
i B(t)
IB(on)
0
t
vBE(t)
VBE(on)
0
VBE(off) t
i C(t) I0
0
t
vCE(t)
Vd
VCE(sat)
0
ts t t f1 td(on) t
f2
Bloqueio: t=0
Para bloquear um transistor tem se que remover toda carga armazenada na

juno;
Aps ts o transistor deixa a regio de saturao e passa a de quase
saturao;
Reduo de carga na regio de arrasto
catodo gatilho
Tiristor
Anodo
19 -3 19 -3
10 cm n+ 10 cm 10 m +
n+
p 17 -3 30 - 100 m catodo p
10 cm J1
n
n- 17 14 -3 J2
10 -5 x 10 cm
50 - 1000 m p Gatilho
gatilho
J3 +
17 -3 n
p 10 cm 30-50 m
19 -3
p+ 10 cm 30-50 m Anodo -
Catodo
Anodo (b)
(a)
Tambm chamado de SCR;

Mais antigo dispositivo de potncia em estado slido
um dispositivo de quatro camadas
Junes PNPN
+ Anodo a
p E
n n B
Gatilho C C v ak
p p B
n g v gk E
k
Catodo -
NPN inicia a conduo;
Circula corrente pela juno base-emissor do transistor PNP;
H uma realimentao positiva;
Corrente atravs do dispositivo autosustentada.
Junes PNPN
Anodo
J1 e J3 so polarizadas diretamente
e J2 inversamente; +
A ao dos dois emissores saturam
a juno J2; p
J1
A camada n absorve a camada de n
depleo; J2
Logo J2 determina a tenso p Gatilho
mxima aplicvel ao tiristor. n
J3 +
-
Catodo
Caracterstica V x I de um tiristor
Sob tenso inversa o tiristor i

A
comporta-se similarmente a um
diodo polarizado inversamente, que Estado de conduo direta
conduz pouca corrente at que
avalanche ocorra.
A regio de alta tenso e baixa IH i g>0
i g=0
corrente a regio de bloqueio em -V
RM
IB0
VH Estado de bloqueio VB0 v

polarizao direta em polarizao
direta
AK
Caracterstica de chaveamento
Conduo:
Durante td(on) a corrente de i g(t)=0 t
gatilho injeta portadores na

camada p2; di/dt
I
0
Conduo inicia se em torno de iK (t)=0 t

gatilho devido excesso de
portadores na regio;
Excesso de portadores na regio
do gatilho reduz sensivelmente a vAK(t)=0 td (on)
t
capacidade de bloqueio do
tiristor;
di/dt em torno do gatilho pode ter efeito destruidor;
Finalmente o plama se espalha por toda seco transversal do tiristor;
Grande quantidade de energia liberada nas adjacncias do gatilho;
Deve se controlar a taxa de crescimento da corrente de anodo.
Bloqueio:
Bloquear um tiristor requer a aplicao de uma tenso negativa entre
anodo e catodo por um perodo de tempo mnimo;
Processo similar ao de um diodo;
Dispositivo bloqueia quando J1 ou J3 ficar inversamente polarizada.
Conduo acidental do tiristor:

O tempo que o tiristor mantido sob tenso reversa deve ser
suficientemente longo para garantir um real bloqueio;
A taxa de crescimento dv/dt da tenso de polarizao direta deve ser
mantida abaixo de um mximo valor especificado pelo fabricante.
Transistor MOSFET
Metal Oxide Semiconductor G

Fiel- Effect Transistor; S
Acionados por tenso; ----------
++++++ D
----------
n + n+
Operam em altas freqncias.
Canal Tipo n
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET

Tipo e caracterstica de conduo
D
I
D
I
D
V =12V
GS
V V =7V
DS GS
V =5V
GS
G
V =3V
GS
S
V
DS
Essencialmente resistivo em conduo;

(a) (b)
Resistncia de conduo relativamente alta.
D VD
I I0
D DF
C
GD D
C C GD
DS
RDR
G
G
C
GS VDR CGS
S
S
Capacitncias parasitas Modelo para anlise de

chaveamento
V v (t)
DR GS
V V
v (t) DR V
V GS GS,Io th
GS,Io
V
th
0 t
i (t)
G
i (t)
t G
V
D v
v (t)
DS
(t) i (t) DS
D
i (t) V
G Io d
Io
t
V 0 t
DS(ON)
Forma de onda
Forma de onda durante a conduo
durante o bloqueio
Isolated Gate Bipolar Transistor - IGBT
C
Transistor Bipolar de Gatilho Isolado;

Atuao rpida (transitrio efeito de campo);
Alta capacidade de potncia (Transistor Bi-polar);
Controle por tenso;
Caracterstica I-V
VGS-4
VGS-3
VGS-2
VGS-1
VRM
VnsS
Formas de onda da Corrente e da Tenso no

IGBT em Conduo
Formas de onda da Corrente e da Tenso no

IGBT em Bloqueio
Futuro das chaves
Dispositivos a base de carbono de silcio;
Suportam altos gradientes de tenso;
Reduzida queda de tenso em conduo.
Evoluo
Especificao de chaves semicondutoras
Corrente mdia de conduo direta, Id

Valor mdio da corrente que o dispositivo pode conduzir
continuamente repetidas as condioes de resfriamento.
Corrente eficaz de conduo direta, Irms
Valor mximo permitido para corrente eficaz. Isto limita a potncia
mxima dissipada devido i.R.
Corrente de pico repetitiva, Ifrm
Valor mximo da corrente que pode ser aplicada repetitivamente,
geralmente especificada para um pico a cada meia senoide.
Corrente de pico no repetitiva, Ifsm
Valor mximo da corrente que pode ser aplicada, a repetio
permitida apenas aps um intervalo de tempo que permita resfriar a
juno.
Especificao de chaves semicondutoras
Tenso de pico inversa, Vrpm

Valor instantneo de tenso mxima permitida da direo positiva ou
negativa do dispositivo.
Queda de tenso em conduo direta, Vf
Queda de tenso apresentada pelo dispositivo quando em conduo
direta.
Temperatura da juno, Tj(max)
Valor mximo de temperatura que o dispositivo pode operar, acima
deste valor o dispositivo pode danificar se por avalanche trmica.
Perdas e Clculo Trmico
A perda total de um dispositivo dada por:

Perda durante a conduo;
Perda no chaveamento;
Perda no estado de bloqueio.
Estas perdas que se transforma em calor, devem ser liberadas
par ao meio ambiente, caso contrrio a temperatura da juno
se elava acima do limite permitido, provocando destruio de
dispositivo.
A elevao de temperatura na juno provoca mudanas
qumicas e metlicas no dispositivos. Estas mudanas variam
exponencialmente com a temperatura.
Perda durante a conduo
Seja uma juno de um dispositivo qualquer, aqui representada por
um diodo
T
1
Pon = iv.dt
To
v = rd i + E0
T
1
a i rd Eo k Pon = i (rd i + E0 )dt
To
T T
1 2 1
Pon = i rd dt + E0 .i.dt
To To
Pon = ief2 rd + E0 imed
Para no danificar o semicondutor, Pon deve ser transferida para o
ambiente. Como que esta potncia transferida?
Perdas nos dispositivos semicondutores
Quando duas superfcies slidas paralelas a temperaturas
uniformes, Tj e To, so justapostas, uma certa quantidade de
calor Q (joules/s-m) fluir por unidade de rea da superfcie
de maior temperatura (Tj) para a de menor temperatura (To).
Q = 1/K (Tj - To) [Joules/s-m]
No caso de um dispositivo semicondutor, a corrente atravs da

juno inversamente polarizada produz calor quando os
portadores majoritrios perdem energia ao atravessar a barreira
de potencial. A energia eltrica na juno se transforma em
energia trmica no cristal.
A potncia dissipada na juno por segundo fluir para o ambiente segundo a

equao abaixo:
Pon = 1/Rja (Tj - Ta) [joules/s]
- Tj Temperatura na juno
- Tj Temperatura ambiente
- Rja resistncia trmica entra a juno e o ambiente
Fazendo se uma analogia com um circuito eltrico:
Quando o semicondutor no est
Pon Rja conduzindo, Pon = 0, logo Tj=Ta. A
temperatura da juno se eleva
Ta acima da ambiente e h um fluxo
de calor para o ambiente. Quando
0C menor Rja, menor ser T
Para uma certa resistncia trmica Rja e temperatura ambiente
Ta, h uma mxima potncia Pon que pode ser dissipada, Pon
max. sem que se exceda mxima temperatura admissvel na
juno, Tjmax.
Desprezando se a influncia da resistncia interna.
Pon = I.Von
I
Pon 1 > Pon max
Pon max
Von
Hiprbole de dissipao de potncia
I
Pon Rja Pon 1 > Pon max
Ta
Pon max
0C
Von
Para a temperatura ambiente Ta, qualquer combinao de Von e
I que fique de Pon max no danificar o dispositivo.
Um ventilador ou qualquer refrigerao que venha a reduzir a
temperatura ambiente Ta nas proximidades do dispositivo,
uma potncia Pon 1 maior que Pon max pode ser dissipada sem
risco para p dispositivo.
Dissipao do calor
Falha na operao de um dispositivo semicondutor est, quase
que sempre, ligada elevao de temperatura do dispositivo.
O fabricante normalmente especifica a mxima temperatura para
a juno, mesmo nos piores transitrios.
A dissipao de calor nos semicondutores est diretamente ligada
aos trocadores de calor.
Um trocador de calor um metal irradiador de calor projetado
para retirar do dispositivo o excesso de calor por conveco.
O calor flui da juno para a carcaa do semicondutor, da carcaa
para o trocador de calor atravs de uma pasta trmica, e do
trocador de calor para o ambiente.
Dissipao do calor
A transferncia de calor pode ser Rjc
representada pelo circuito eltrica ao
lado. Pon Rch
A temperatura da juno depender

Rja
da potncia dissipada e das Rha
resistncias trmicas associadas ao

dispositivos.
Ta
Um clculo adequando do trocador de 0C
calor permitir ao projetista

determinar a mxima potncia que T j Ta = R ja .Pon
poder ser dissipada pelo dispositivo,
e, ainda conservar a temperatura R ja = R jc + R ch + R ha
mxima na juno a baixo de um R ha = R ja R jc R ch
valor escolhido

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Universidade Federal do Cear

Controle da Energia Eltrica, meio usado para se obter controle de

Retificador a Arco de Mercrio inicio do sculo passado;

Circuito projetados para processamento da energia;

Conversores ca-cc (Retificadores)

IGBT de alta potncia

VCE ICE Switching

Cristal de Silcio e Eltrons de Valncia

tomos estranhos substituem os de silcio em varias posies da cadeia do

Cristal Tipo N Cristal Tipo P

suportada pelo diodo; Regio de

Onde se estabelece a camada de depleo -3

Com altas correntes a caracterstica hmica mascara a exponencial;

Circuito para anlise na caracterstica de

t1 Remoo da carga armazenada na

hmica na regio de arrasto e

so causas da sobretenso; trr

regime fazem a tenso cair para V

t5 excesso da juno, esta V

polariza inversamente e logo

Nvel de dopagem influencia as caractersticas do dispositivos;

Conduo no transistor NPN (O mais

Circuito para anlise na caracterstica de

Inicio do processo de retirada da 0

camada de depleo. Vce no t

Vce na se altera pois o diodo em 0

O diodo em paralelo deixa de 0

Para bloquear um transistor tem se que remover toda carga armazenada na

Tambm chamado de SCR;

Sob tenso inversa o tiristor i

VH Estado de bloqueio VB0 v

gatilho injeta portadores na

Conduo inicia se em torno de iK (t)=0 t

Conduo acidental do tiristor:

Metal Oxide Semiconductor G

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET

Essencialmente resistivo em conduo;

Resistncia de conduo relativamente alta.

Capacitncias parasitas Modelo para anlise de

Transistor Bipolar de Gatilho Isolado;

Formas de onda da Corrente e da Tenso no

Formas de onda da Corrente e da Tenso no

Corrente mdia de conduo direta, Id

Tenso de pico inversa, Vrpm

A perda total de um dispositivo dada por:

Q = 1/K (Tj - To) [Joules/s-m]

No caso de um dispositivo semicondutor, a corrente atravs da

A potncia dissipada na juno por segundo fluir para o ambiente segundo a

Pon 1 > Pon max

Pon Rja Pon 1 > Pon max

A temperatura da juno depender

da potncia dissipada e das Rha

resistncias trmicas associadas ao

Um clculo adequando do trocador de 0C

calor permitir ao projetista

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