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Resenha do Seminrio:
O seminrio apresentado pelo professor Thonimar teve como temtica as tcnicas para
caracterizao de cristais 2D, sendo possvel obter informaes estruturais, seu nmero de
camadas, ngulo de empilhamento entre camadas e o tempo de relaxamento dos eltrons, que
ao serem bombardeados por energia atravs de pulsos de laser, saltam para um nvel de maior
de energia, assim utilizando um novo pulso laser de menor potencial, sendo ento possvel
observar a interao do material com a luz. Este processo de emisso de energia atravs de
pulsos laser e a resposta do material para esse processo permite observar caractersticas
especficas de cada material.
Dessa forma a caracterizao de cristais ocorre ento para compreender a estrutura dos
nanomateriais, com interesse em respostas fotossensveis em escalas de tempo na escala de
femtosegundos, na dcada de 80 o qumico Ahmed Zewail e colaboradores desenvolveram a
tcnica de produo e deteco de pulsos de laser ultra rpidos.
Essa tcnica chamada de pump-probe, consiste em um sistema de laser que utiliza um
pulso pump que bombeia o material e em seguida um pulso de probe que funciona como
uma sonda. O primeiro pulso excita os eltrons da amostra, fazendo com que mudem sua
dinmica, passando para um nvel de maior energia. O segundo pulso no interage com os
eltrons pois os mesmos j se encontrar em um nvel maior, assim mede-se a interao com a
luz. Dessa forma, o pump excita a amostra, os eltrons vo de menor energia para maior energia
e em seguida vem o pulso de probe que far a leitura da resposta do material fotoexcitado.
Uma observao feita se refere ao decaimento de energia que depende do material,
fazendo com essa tcnica fique limitada a absolvio do laser pelo material, assim foi utilizado
o grafeno, que possui grande material de pesquisa e tem tima absolvio da regio de luz
visvel.
Como se trata de uma tcnica experimental, pode-se testar vrias caractersticas
utilizando a tcnica de lasers pulsados, como criar defeitos na estrutura do grafeno (queim-
lo) com os pulsos laser, assim pode-se estudar a relao entre o decaimento e a interferncia
dos defeitos, utilizando para anlise a espectroscopia RAMAN, que baseia-se na anlise da luz,
possuindo alta resoluo para obteno de dados estruturais do grafeno, foi ento possvel fazer
o modelamento da relao das bandas e defeitos, como tambm quantificar a quantidade de
defeitos estruturais produzidos.
Uma descoberta inesperada foi a de que quanto mais defeitos eram produzidos no
material, mas rpido era o seu decaimento. Diferentemente dos semicondutores que quanto mais
defeitos em sua regio mais lentamente o seu decaimento.
Assim estrutura cristalina do grafeno possibilitou a compreenso de como os eltrons
interagem, os principais mecanismos de dissipao de energia e como as propriedades fsicas
dos materiais so alteradas sobre determinas condies, assim como a fotoluminescncia do
grafeno, que constatou-se ocorrer nestas condies de forma parecida com a emisso de
radiao do corpo negro.
Tambm foram demonstrados as possveis aplicaes em dispositivos pticos do MoS2
atravs da microscopia de imagens do segundo harmnico (SHG) na monocamada e tricamada,
como tambm uma forma de caracterizar a estrutura cristalina de vrios cristais 2D, com a
possibilidade de buscar melhorias nas propriedades destes cristais.
Os resultados dos experimentos mostraram a relao entre o nmero de camadas e a
intensidade do segundo harmnico produzido pelas camadas de metais de transio
dicalcogenados como o MoS2. Os metais de transio dicalcogenados (TMDC) apresentam
um elevado potencial de interao ftons-eltrons pois sua rede atmica possui uma
caracterstica quntica que torna os eltrons muito sensveis a perturbaes externas, como
a incidncia de ftons.
REFERNCIAS