Tiristores

Nikolas Libert

Aula 5A
Eletrônica de Potência ET53B
Tecnologia em Automação Industrial
Tiristores

 Dispositivos semicondutores que operam como

chaves.
 Dois estados: corte e condução.
 Utilizados para controlar grandes quantidades de
potência em sistemas CA e CC.
 Tipos:
– SCR (Silicon Controlled Rectifier). Chave unidirecional.
– GTO (Gate Turn-Off). Chave unidirecional com controle
de corte.
– TRIAC (Triode AC). Chave bidirecional.
– DIAC (Diode AC). Chave bidirecional utilizada para
controle de outros tiristores.
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Retificador controlado de Silício (SCR)

 Um dos dispositivos de potência mais utilizados.

 Funciona como um diodo com uma porta adicional
para controle do início de condução.
 Opera em baixas frequências A (ânodo)
 Estrutura PNPN A
P
N
G (porta)
P
G
N
K

K (cátodo)

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Retificador controlado de Silício (SCR)

 Modelo Equivalente
A A

P P A

N N N
G P G P P G
N N
K
K K

+ +
0,7 0,7
I=0 - -
R

R
R

R
+ +
0,7 0,7
1 2 - 3 -
Chave Aberta Chave Fechada Chave Aberta
SCR Bloqueado SCR Conduzindo SCR Conduzindo
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Retificador controlado de Silício (SCR)

 Aplicações
– Fontes de tensão reguladas.
– Controle de motores.
– Conversores de frequência.
– Controle de iluminação e de aquecedores.
– Conversão de alta potência em sistemas CC e CA.

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Retificador controlado de Silício (SCR)

 Exemplos de encapsulamento:

TO209
TO200 TO208

500V 5300V 500V

100A 1800A 24A

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Retificador controlado de Silício (SCR)

 Exemplos de encapsulamento:

TO92 TO220

A KA
KG
G
200V 700V
0,5A 12A
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 Retificador Controlado de Silício

 SCR Ideal
IA A
+
Condições para início de condução:
- Aplicação de corrente de gatilho na porta. VAK

- Tensão positiva entre ânodo e cátodo. G -

IA(A) K
Condições para fim de condução:
Estado ligado Região de
- Passagem da corrente por zero (mesmo condução direta
que a corrente de gatilho seja removida!).
- Corte é sempre natural. Mudança de estado
(IG aplicado)

Estado desligado Estado desligado

VAK(V)
Região de Região de
bloqueio reverso bloqueio direto

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Retificador Controlado de Silício

 O que ocorre com a lâmpada em cada etapa?

12V 12V 12V

4k7
4k7

4k7
1k

1k

1k
Etapa 1 Etapa 2 Etapa 3

12V 12V
4k7

4k7
1k

1k

Etapa 4 Etapa 5
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Retificador Controlado de Silício
Vi
 E com fonte CA?
ωt

+ + IG

Vi IG IL Vo
ωt
- -
Vo

ωt

- O pulso de corrente controla o início da condução, mas não

controla a interrupção.
- O pulso de corrente pode ser de curta duração (isso reduz
perdas).

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 Retificador Controlado de Silício

 SCR Real
IA(A)
IA A Região de condução
+ direta (estado ligado)

Corrente de
VAK sustentação (IH) IG2>IG1>IG0
IG2 IG1
G Corrente de IG0
-fuga reversa (I )
R 1/r0
K

VAK(V)
Tensão reversa
Máxima (VBR) VT0 Tensão de disparo
Direta (VDRM)
Região de Região de bloqueio
Bloqueio reverso direto (estado desligado)

Ruptura reversa

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Retificador Controlado de Silício

 Principais parâmetros:
– VDRM: Tensão de disparo direto
– IT(RMS): Máxima corrente RMS de condução.
– ITSM: Máxima corrente de surto.
– IGT: Máxima corrente de porta.
– VGT: Máxima tensão na porta.
– IH: Corrente de ânodo de sustentação.
– IL: Corrente mínima de ânodo para início de condução.
– VT0: Queda mínima de tensão na condução.
– r0: Resistência interna na condução.

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Retificador Controlado de Silicio

 O SCR em condução IA A
+
IA(A)
VAK

G -
Região de condução K
direta (estado ligado)
VT0
IA r0
1/r0
VAK(V) A K
VT0

Perdas no SCR: P SCR=I A (med)⋅V T 0 +r 0⋅I 2A (rms)

devido à queda devido à resistência

de tensão VT0 interna r0

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Retificador Controlado de Silício

 Variação abrupta de corrente pode queimar o tiristor.

– Inserção de indutor para retardar aumento de corrente.
vp
L≥
R (di / dt )max
L

vp: Máxima tensão de entrada

(di / dt )max : Máxima variação de corrente

aceitável (parâmetro do datasheet).

 Fatores que podem levar um tiristor ao disparo:

– Corrente de Gatilho.
– Aquecimento (Indesejado).
– Tensão elevada (Indesejado).
– Variação abrupta de tensão (Indesejado).
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Retificador Controlado de Silício

 Circuito Snubber.
– Para evitar disparo por variação abrupta de tensão.
– Capacitor se opõe à variação de tensão.
RL

√
v DRM v DRM
C≥ R S≥
R L⋅(dv /dt )max
RS
(di /dt )max

Capacitor: evita disparo por variação de tensão.

Resistor: evita queima por sobrecorrente devido à descarga do

capacitor quando o SCR entra em condução.

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Característica de transição do SCR

 Características de Transição do SCR.

R
+

vT
E
rG
-
V iG iG
Disparo Rápido (rG menor)

Disparo Lento (rG menor)

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Característica de transição do SCR
vG

t
iG
IG ton depende da corrente de gatilho
10% IG
t
vT ton = td + tr
90% E
1 μs < ton < 5 μs
10% E
t
td tr
ton

td: tempo de retardo do crescimento da corrente de anodo.

tr: tempo de crescimento da corrente de anodo.

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TRIAC

 Um TRIAC funciona como dois SCRs em

antiparalelo.
 Pode conduzir independente da polaridade da tensão
entre os terminais T1 e T2.
 Disparo por pulsos negativos e positivos.
T2
T2

G
T1
T1

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TRIAC

 O sentido da corrente de porta do TRIAC em relação

à polaridade da tensão entre os terminais T1 e T2
define o quadrante de operação.
 Os parâmetros do TRIAC, presentes no datasheet,
podem mudar dependendo do quadrante utilizado.

T2

G
T1

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TRIAC

Quadrantes de
operação do TRIAC

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TRIAC
vL

π 2π
t

iG RL
- +
vL
T2
t vE
+
α
G
T1
-

iG

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DIAC

 Como um Triac, porém sem pino de gatilho.

 A tensão de disparo direto é bem definida.
 Quando VDRM é extrapolada, o DIAC conduz.
 Utilizado como dispositivo de disparo para TRIACS.

A1

A2

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Referências

 BARBI, Ivo. Eletrônica de Potência, 6ª Edição, Ed. do

Autor, Florianópolis, 2006.
 AHMED, Ashfaq. Eletrônica de Potência, Prentice
Hall, 1ª ed., São Paulo, 2000
 ALMEIDA, José Luiz Antunes de. Dispositivos
Semicondutores: Tiristores - Controle de Potência em
CC e CA, 13ª ed., Érica, São Paulo, 2013.
 Datasheet: BTA08-600CW3G, Semiconductor
Components Industries, LLC, 2012

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