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ESCOLA DE EDUCAÇÃO PROFISSIONAL SENAI – PLÍNIO GILBERTO KROEFF

Manutenção de Circuitos
Elétricos
Módulo II
Material didático desenvolvido para o curso

Técnico em Eletrônica
Fábio de Castro Peña, Gabriel de Abreu Fernandes Rosa

SENAI-RS – SERVIÇO NACIONAL DE APRENDIZAGEM INDUSTRIAL


DEPARTAMENTO REGIONAL DO RIO GRANDE DO SUL

SENAI/CETEMP - Técnico em Eletrônica


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CONSELHO REGIONAL
Presidente Nato
Heitor José Müller – Presidente do Sistema FIERGS

Conselheiros Representantes das Atividades Industriais - FIERGS

Titulares Suplentes

Ademar De Gasperi Arlindo Paludo


Pedro Antônio Leivas Leite Eduardo R. Kunst
Paulo Vanzzeto Garcia Ricardo Wirth
Astor Milton Schmitt Nelson Eggers

Representantes do Ministério da Educação

Titular Suplente
Antônio Carlos Barum Brod Renato Louzada Meireles

Representante do Ministério do Trabalho e Emprego

Titular Suplente
Leonor da Costa Flávio Pércio Zacher

Representante dos Trabalhadores

Titular Suplente
Jurandir Damin Enio Klein

Diretor Regional e Membro Nato do Conselho Regional do SENAI-RS


José Zortea

DIRETORIA SENAI-RS

José Zortea – Diretor Regional


Carlos Artur Trein – Diretor de Operações

Carlos Heitor Zuanazzi – Diretor Administrativo e Financeiro

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SUMÁRIO
INTRODUÇÃO ...................................................................................................................................................... 6
CAPÍTULO I .......................................................................................................................................................... 7
1.3.2 Principais características operacionais ................................................................................... 12
1.4.2 Principais características operacionais ..................................................................... 14
2.1 SEMICONDUTOR INTRÍNSECO ........................................................................................................... 23
1.1 SEMICONDUTOR EXTRÍNSECO ............................................................................................. 26
1.1.1 Semicondutor tipo N ..................................................................................................... 26
1.1.2 Semicondutor tipo P ..................................................................................................... 27
1.2 JUNÇÃO PN.......................................................................................................................... 28
1.2.1 Junção PN com polarização reversa ......................................................................... 28
1.2.2 Junção PN com polarização direta ............................................................................ 29
1.3 DIODO DE JUNÇÃO ............................................................................................................... 30
1.3.1 Curva característica do diodo ..................................................................................... 30
1.3.2 Diodo polarizado diretamente ..................................................................................... 32
1.3.3 Diodo polarizado reversamente.................................................................................. 32
1.3.4 Modelos (circuitos equivalentes) para diodo ............................................................ 33
1.3.5 Teste de diodos ............................................................................................................ 36
2 APLICAÇÕES DE DIODOS SEMICONDUTORES ............................................................................. 37
2.1 RETIFICADOR DE MEIA ONDA ............................................................................................... 38
2.2 RETIFICADOR DE MEIA ONDA COM FILTRO CAPACITIVO ....................................................... 40
2.3 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA...................................................................................... 41
2.3.1 Retificador de onda completa com center tap .......................................................... 42
2.3.2 Retificador de onda completa em ponte ................................................................... 44
2.4 RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA COM FILTRO CAPACITIVO ............................................. 46
2.5 PONTE RETIFICADORA COMO COMPONENTE ....................................................................... 47
2.6 DOBRADOR DE MEIA ONDA................................................................................................... 47
2.7 DIODO ZENER ...................................................................................................................... 48
3 TRANSISTORES BIPOLARES .............................................................................................................. 51
3.1 CONSTRUÇÃO BÁSICA E PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO ................................................... 51
3.1.1 Funcionamento ............................................................................................................. 52
3.2 OPERAÇÃO DO TRANSISTOR ................................................................................................ 52
3.3 CURVAS CARACTERÍSTICAS DE COLETOR ........................................................................... 55
3.4 REGIÕES DE OPERAÇÃO: RETA DE CARGA .......................................................................... 56
3.5 POTÊNCIA DISSIPADA: DISSIPADORES ................................................................................. 60
3.6 CONEXÃO DARLINGTON ....................................................................................................... 61
3.7 CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO............................................................................................... 61
3.7.1 Polarização por corrente de base constante ............................................................ 62
3.7.2 Polarização por divisor de tensão na base ............................................................... 62
3.8 REGULADORES DE TENSÃO ................................................................................................. 65
3.8.1 Regulador de tensão em série ................................................................................... 65
3.8.2 Reguladores de tensão integrados de três terminais .............................................. 66
4 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO ............................................................................................... 70
4.1 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO ................................................................ 70
4.1.1 Curvas características de dreno ................................................................................. 72
4.1.2 Curva característica de transferência ........................................................................ 73
4.1.3 Exemplo de JFET comercial ....................................................................................... 74
4.2 TRANSISTOR MOSFET ....................................................................................................... 75
4.2.1 Funcionamento do MOSFET tipo crescimento ........................................................ 76
4.2.2 Funcionamento do MOSFET tipo depleção ............................................................. 79
4.2.3 MOSFET de potência................................................................................................... 81
5 AMPLIFICADORES OPERACIONAIS .................................................................................................. 82
5.1 TERMINAIS DE ENTRADA E RESPOSTA ASSOCIADA .............................................................. 84
5.2 CARACTERÍSTICAS PRINCIPAIS DOS APLIFICADORES OPERACIONAIS ................................ 85

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5.3 CARACTERÍSTICAS DE TRANSFERÊNCIA DOS AMPLIFICADORES OPERACIONAIS ............... 90


5.4 AMPLIAÇÃO DA REGIÃO LINEAR DE OPERAÇÃO ................................................................... 91
5.5 CIRCUITOS COM AMPLIFICADORES OPERACIONAIS ............................................................ 92
5.5.1 Amplificador Inversor ................................................................................................... 92
5.5.2 Amplificador Não Inversor ........................................................................................... 94
5.5.3 Amplificador Seguidor de Tensão .............................................................................. 96
5.5.4 Amplificador Somador .................................................................................................. 97
5.5.5 Amplificador Subtrator ................................................................................................. 99
5.5.6 Comparadores de tensão ............................................................................................ 99
5.6 CIRCUITOS OSCILADORES ................................................................................................. 102
5.6.1 Oscilador senoidal em Ponte de Wien com Amplificador Operacional .............. 102
5.6.2 Oscilador de onda quadrada com Amplificador Operacional ............................... 103
5.6.3 Geração de sinais triangulares ................................................................................. 103
5.6.4 Circuito Integrado temporizador 555 ....................................................................... 104
5.7 MODULAÇÃO POR LARGURA DE PULSO (PWM – PULSE W IDTH MODULATION).............. 109
6 SENSORES ............................................................................................................................................. 110
6.1 SENSORES DE PRESENÇA.................................................................................................. 111
6.1.1 Reedswitch .................................................................................................................. 111
6.1.2 Microchaves ................................................................................................................ 111
6.1.3 Sensores de presença Indutivos .............................................................................. 112
6.1.4 Sensores de presença Capacitivos ......................................................................... 113
6.1.5 Sensores Óticos.......................................................................................................... 114
6.1.6 Sensores Ultra-sônicos .............................................................................................. 115
6.2 SENSORES DE TEMPERATURA ........................................................................................... 116
6.2.1 Termorresistências ..................................................................................................... 116
6.2.2 Termopares ................................................................................................................. 118
6.3 SENSORES DE PRESSÃO .................................................................................................... 119
6.3.1 Sensores de pressão capacitivos ............................................................................ 120
6.3.2 Sensores de pressão piezo elétricos ....................................................................... 120
6.3.3 Sensores de pressão indutivos ................................................................................ 121
6.4 SENSORES DE LUMINOSIDADE ........................................................................................... 121
6.4.1 LDR ............................................................................................................................... 122

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Introdução

Manutenção de Circuitos Elétricos:

É a unidade curricular que compõe o currículo, no 2º módulo do curso de eletrônica,


constituída, numa visão interdisciplinar, por conjuntos coerentes e significativos de
fundamentos técnicos e científicos ou capacidades técnicas, capacidades sociais,
organizativas e metodológicas, conhecimentos, habilidades e atitudes profissionais,
independentes em termos formativos e de avaliação durante o processo de aprendizagem.
Nesta unidade curricular, os alunos terão que manter circuitos eletrônicos analógicos
através da elaboração de planos de manutenção, atendendo as especificações do
fabricante; elaboração de diagramas eletrônicos, utilizando ferramentas de desenho assistido por
computador; montagem de placas eletrônicas, atendendo as especificações do projeto;
Instalação e manutenção de circuitos eletrônicos analógicos, atendendo as especificações
do projeto, desenvolvendo a logística e realizando o comissionamento; aplicação de normas
técnicas e especificações de catálogos, manuais e tabelas na instalação de sistemas
eletrônicos.

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CAPÍTULO I
1 Medidas elétricas e instrumentos de medição
1.1 Conceitos básicos
Medir é estabelecer uma relação numérica entre uma grandeza e outra, de
mesma espécie, tomada como unidade. Medidas elétricas só podem ser realizadas
com a utilização de instrumentos medidores, que permitem a quantificação de
grandezas cujo valor não poderia ser determinado através dos sentidos humanos.
Padrão é a grandeza que serve de base ou referência para a avaliação da
quantidade ou da qualidade da medida; deve ser estabelecido de tal forma que
apresente as seguintes características:
• permanência, significando que o padrão pode se alterar com o passar do
tempo nem com a modificação das condições atmosféricas;
• reprodutibilidade, que é a capacidade de obter uma cópia fiel do padrão.

Erros são inerentes a todo o tipo de medidas e podem ser minimizados, porém
nunca completamente eliminados. Em medidas elétricas, costuma-se considerar três
categorias de erros:

a) Grosseiros

São sempre atribuídos ao operador do equipamento e, de uma maneira geral,


pode-se dizer que resultam da falta de atenção. A ligação incorreta do instrumento, a
transcrição equivocada do valor de uma observação ou o erro de paralaxe são
alguns exemplos.
Esses erros podem ser minimizados através da repetição atenta das medidas,
seja pelo mesmo observador ou por outros.

b) Sistemáticos

Devem-se a deficiências do instrumento ou do método empregado e às


condições sob as quais a medida é realizada. Costuma-se dividi-los em duas
categorias:

• instrumentais: inerentes aos equipamentos de medição, tais como escalas


mal graduadas, oxidação de contatos, desgaste de peças e descalibração; podem
ser minimizados usando-se instrumentos de boa qualidade e fazendo-se sua
manutenção e calibração adequadas.

• ambientais, que se referem às condições do ambiente externo ao aparelho,


incluindo-se aqui fatores tais como temperatura, umidade e pressão, bem como a
existência de campos elétricos e/ou magnéticos; para diminuir a incidência desses
erros pode-se trabalhar em ambientes climatizados e providenciar a blindagem dos
aparelhos em relação a campos eletromagnéticos.

c) Aleatórios

Também chamados erros acidentais, devem-se a fatores imponderáveis


(incertezas), como a ocorrência de transitórios em uma rede elétrica ou outros ruídos

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elétricos. Como não podem ser previstos, sua limitação é impossível.


No tratamento de erros, os termos exatidão e precisão - embora sejam muitas
vezes usados como sinônimos - têm significado diferentes:
• Exatidão: é a propriedade que exprime o afastamento que existe entre o valor
lido no instrumento e o valor verdadeiro da grandeza que se está medindo.
• Precisão: característica de um instrumento de medição, determinada através
de um processo estatístico de medições, que exprime o afastamento mútuo entre as
diversas medidas obtidas de uma grandeza dada, em relação à média aritmética
dessas medidas. A precisão é, portanto, uma qualidade relacionada com a
repetibilidade das medidas, isto é, indica o grau de espalhamento de uma série de
medidas em torno de um ponto.

Para ilustrar a diferença, imagine-se um atirador tentando atingir um alvo, como


ilustrado na Figura 1.1. Em (a) não houve exatidão nem precisão por parte do
atirador; em (b) pode-se dizer que o atirador foi preciso, pois todos os tiros atingiram
a mesma região do alvo, porém não foi exato, já que esta região está distante do
centro; em (c) conclui-se que o atirador foi exato, além de preciso.

2.1 - Exemplo da relação entre exatidão e


precisão.

Você sabia? A precisão é um pré-requisito da exatidão,


embora o contrário não seja verdadeiro. Assim, dizer que um
instrumento é preciso não implica, necessariamente, que seja exato.

1.2 Classificação dos instrumentos de medidas elétricas

Os instrumentos de medidas elétricas podem ser classificados de várias


formas, de acordo com o aspecto considerado. Os principais aspectos são:

a) Quanto à grandeza a ser medida:

• amperímetro: para a medida de corrente;


• voltímetro: adequado para a medida de tensão;
• wattímetro: capaz de medir potência ativa;
• varímetro: para a medida de potência reativa;
• fasímetro (ou cosifímetro): apropriado para a medida de defasagem (cos ϕ);
• ohmímetro: para a leitura de resistência;
• capacímetro: capaz de medir capacitância;

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• frequencímetro: que mede frequência, etc.

Muitos desses instrumentos são especificados para operação em corrente


contínua (CC) ou corrente alternada (CA).

b) Quanto à forma de apresentação dos resultados:

• analógicos, nos quais a leitura é feita de maneira indireta, usualmente através


do posicionamento de um ponteiro sobre uma escala, como o mostrado na figura
1.2a;
• digitais, que fornecem a leitura diretamente em forma alfa-numérica num
display, exemplificado na figura 1.2b.

2.2 - Exemplos de multímetros: (a)


analógico (Minipa Mod. ET-3021); (b)
digital (Fluke Mod. MT330).

Os instrumentos digitais ganham a cada dia destaque entre os dispositivos de


medidas elétricas. Dois fatores são apontados para seu sucesso:

• comodidade do operador – é muito mais fácil ler o resultado diretamente no


display do que deduzi-lo a partir da posição de um ponteiro sobre uma escala;
• queda dos preços – nos últimos anos o custo dos instrumentos digitais
reduziu-se vertiginosamente.
No entanto, a utilização de medidores analógicos ainda é muito intensa devido
a fatores tais como:
• grande número de instrumentos de oficinas e painéis de controle de indústrias
ainda têm por base instrumentos analógicos;
• de uma maneira geral, instrumentos analógicos são mais robustos que os
digitais, tornando aqueles mais apropriados em determinadas situações;
• em algumas aplicações onde há variações rápidas da grandeza a ser medida
(VU meters, por exemplo), é mais interessante observar o movimento de um ponteiro
do que tentar acompanhar a medida através de dígitos.

c) Quanto à capacidade de armazenamento das leituras:

• indicadores, capazes de fornecer somente o valor da medida no instante em


que a mesma é realizada;
• registradores, capazes de armazenar certo número de leituras;

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• totalizadores, que apresentam o valor acumulado da grandeza medida.

A Figura 1.3 mostra exemplos desses instrumentos.

2.3 - Exemplos de instrumentos classificados quanto à sua


capacidade de armazenamento de leituras: (a) indicador; (b)
registrador; (c) totalizador.

d) Quanto ao princípio físico utilizado para a medida:

• bobina móvel;
• ferro móvel;
• ferrodinâmico;
• bobinas cruzadas;
• indutivo;
• ressonante;
• eletrostático.

Esses tipos de medidores são tipicamente analógicos; os aparelhos digitais utilizam


majoritariamente circuitos eletrônicos comparadores.

e) Quanto à finalidade de utilização:

• para laboratórios: aparelhos que primam pela exatidão e precisão


• industriais: embora não sejam necessariamente tão exatos quanto os de
laboratório, têm a qualidade da robustez, mostrando-se apropriados para o trabalho
diário sob as mais diversas condições.

f) Quanto à portabilidade:

• de painel, fixos;
• de bancada, portáteis.

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1.3 Instrumentos Analógicos

O instrumento analógico tem como fundamentação básica a medida de


corrente (amperímetro); adaptações feitas neste medidor permitem que seja usado
para a medida de outras grandezas, como tensão e resistência.

1.3.1 Características construtivas

Os instrumentos analógicos baseiam sua operação em algum tipo de fenômeno


eletromagnético ou eletrostático, como a ação de um campo magnético sobre uma
espira percorrida por corrente elétrica ou a repulsão entre duas superfícies
carregadas com cargas elétricas de mesmo sinal. São, portanto, sensíveis a campos
elétricos ou magnéticos externos, de modo que muitas vezes é necessário blindá-los
contra tais campos.

O mecanismo de suspensão é a parte mais delicada de um instrumento


analógico. É ele quem promove a fixação da parte móvel (geralmente um ponteiro) e
deve proporcionar um movimento com baixo atrito.

A escala é um elemento importante nos instrumentos analógicos, já que é


sobre ela que são feitas as leituras. Entre suas muitas características podem-se
ressaltar as seguintes:

• Fundo de escala ou calibre: o máximo valor que determinado instrumento é


capaz de medir sem correr o risco de danos.
• Linearidade: característica que diz respeito à maneira como a escala é
dividida. Quando a valores iguais correspondem divisões iguais, diz-se que a escala
é linear (como as apresentadas na figura 1.4), caso contrário, a escala é chamada
não-linear, como a que aparece acima do espelho da Figura 1.5.
• Posição do zero: a posição de repouso do ponteiro, quando o instrumento não
está efetuando medidas (zero) pode variar muito: zero à esquerda, zero à direita,
zero central, zero deslocado ou zero suprimido (aquela que inicia com valor maior
que zero). Na Figura 1.4 são mostrados alguns tipos de escalas que se diferenciam
quanto à posição do zero.

2.4 - Classificação de escalas de acordo com a posição do


zero: (a) zero à direita; (b) zero central; (c) zero
suprimido; (d) zero deslocado.

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Costuma-se explicitar a posição do zero através da designação da escala. Por


exemplo:

0 – 200 mA – Miliamperímetro, escala com zero à esquerda.


120 – 0 – 120 V - Voltímetro, escala com zero central.
40 – 0 – 200 V – Voltímetro, escala com zero deslocado.
10 – 200 – Amperímetro, escala com zero suprimido.

• Correção do efeito de paralaxe: muitos instrumentos possuem um espelho


logo abaixo da escala graduada, como mostrado na Figura 1.5; neste caso, a
medida deverá ser feita quando a posição do observador é tal que o ponteiro e sua
imagem no espelho coincidam.

2.5 - Espelho para correção do erro


de paralaxe.

1.3.2 Principais características operacionais

• Sensibilidade: todos os instrumentos analógicos possuem uma resistência


interna, devida à existência dos enrolamentos, conexões e outras partes; portanto,
quando inseridos em um circuito, esses aparelhos causam uma mudança na
configuração original.

A sensibilidade (S) é uma grandeza que se relaciona à resistência interna dos


instrumentos; no caso de medidores analógicos, ela é calculada tomando-se como
base a corrente necessária para produzir a máxima deflexão no ponteiro (I máx).
Então:

Considerando a Lei de Ohm, para a qual , deduz-se que a sensibilidade


é dada em ohms por volts (Ω/V).

Quanto maior for a sensibilidade de um instrumento, melhor este será. De uma


maneira geral, os instrumentos de bobina móvel são aqueles que apresentam
melhor sensibilidade entre os medidores analógicos, podendo atingir valores da
ordem de 100KΩ/V.

• Resolução: determina a capacidade que tem um instrumento de diferenciar

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grandezas com valores próximos entre si. No caso de instrumentos analógicos, a


diferença entre esses valores é dada por duas divisões adjacentes em sua escala.
• Tensão de prova: é simbolizada por uma estrela encerrando um algarismo, o
qual indica a tensão (em KV) que deve ser aplicada entre a carcaça e o instrumento
de medida para testar a isolação do aparelho (figura 1.6). Na ausência de algarismo,
a tensão de prova é igual a 500V.

2.6 - Símbolo da tensão de prova.

1.4 Instrumentos Digitais


Se nos instrumentos analógicos o modelo básico é o amperímetro, a operação
dos aparelhos digitais tem como fundamento a medida de tensão (voltímetro). A
alteração da configuração inicial permite que sejam medidas outras grandezas,
como corrente, resistência, frequência, temperatura e capacitância.

1.4.1 Características construtivas

A característica básica dos instrumentos digitais é a conversão dos sinais


analógicos de entrada em dados digitais. Esta conversão também é chamada
análogico-digital ou A-D.
A parte mais evidente em um instrumento digital é seu display (visor), que pode ser
de 2 tipos:

a) Display de LEDs, dispositivos semicondutores capazes de emitir luz quando


percorridos por corrente elétrica. Esses displays têm fundo escuro, para proporcionar
maior destaque ao brilho dos LEDs.
b) Display de cristal líquido (LCD), constituídos por duas lâminas transparentes
de material polarizador de luz, com eixos polarizadores alinhados
perpendicularmente entre si; entre as lâminas existe uma solução de cristal líquido,
cujas moléculas podem se alinhar sob a ação da corrente elétrica, impedindo a
passagem da luz.

A Figura 1.7 mostra alguns modelos desses displays acima mencionados.

2.7 - Exemplos de displays de LEDs e


de cristal líquido (LCD).

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A Tabela a seguir apresenta as principais vantagens e desvantagens de cada


um desses tipos de display. O conhecimento dessas características pode auxiliar na
tomada de decisão sobre qual tipo de visor é mais adequado às condições da
medida.

Tipo Vantagens Desvantagens


• pode ser visualizado
virtualmente de qualquer ângulo;
• proporciona leituras mais fáceis
à distância;
• via de regra é mais durável que
os LCDs;
• consumo de energia mais
• pode ser usado em ambientes
LED elevado que os LCDs;
com
• difícil leitura sob a luz solar.
pouca luz;
• seu tempo de resposta varia
muito pouco com a temperatura
ambiente;
• pode ser usados em condições
ambientais mais adversas.
• permite leituras em ambientes • uso em ambientes com pouca luz
externos, mesmo sob incidência exige iluminação de fundo
LCD direta de luz solar; (Backlight);
• consumo de energia muito • tempo de resposta decresce em
baixo. baixas temperaturas.

1.4.2 Principais características operacionais

• Resolução: como no caso dos instrumentos analógicos, esta característica


está relacionada à capacidade de diferenciar grandezas com valores próximos entre
si. Em um instrumento digital, a resolução é dada pelo número de dígitos ou
contagens de seu display.

Um instrumento com 3½ dígitos tem 3 dígitos “completos” (isto é, capazes de


mostrar os algarismos de 0 até 9) e 1 “meio dígito”, que só pode apresentar 2
valores: 0 (nesse caso o algarismo está “apagado”) ou 1; portanto, este instrumento
pode contar até 1999. Outro instrumento de 4½ dígitos tem maior resolução, pois
pode apresentar 19999 contagens.

• Exatidão: de forma semelhante aos instrumentos analógicos, a exatidão dos


medidores digitais informa o maior erro possível em determinada condição de
medição. É expresso através de percentual da leitura do instrumento. Por exemplo,
se um instrumento digital com 1% de exatidão está apresentando uma medida de
100 unidades em seu display, o valor verdadeiro estará na faixa de 99 a 101
unidades.
• Categoria: esta característica diz respeito à segurança, tanto do instrumento
em si como de seu operador. Não basta que a proteção se dê pela escolha de
instrumento com escalas com ordem de grandeza suficiente para medir o que se
quer: é necessário levar-se em consideração, ainda, a possibilidade da existência de
transientes de tensão, que podem atingir picos de milhares de volts em

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determinadas situações.

Os instrumentos digitais são hierarquizados em categorias numeradas de I a


IV, cada uma delas abrangendo situações às quais o medidor se aplica, como
mostra a figura 1.8.

2.8 - Categorias dos instrumentos digitais de medidas elétricas


(Fluke do Brasil).

• True RMS: a maioria dos medidores de tensão e corrente fornecem


indicações bastante exatas quando operam grandezas constantes (CC) ou formas
sinusoidais puras (CA); no entanto deixam a desejar quando a grandeza sob análise
tem outra forma de onda. Nesse caso, somente os instrumentos classificados com
True RMS darão a indicação exata.

1.5 Instrumentos básicos de medidas elétricas

Neste trabalho, denominamos básicos os instrumentos destinados à medida das


grandezas elétricas básicas: corrente e tensão. Outras grandezas elétricas – como
potência, resistência, e capacitância – podem ser determinadas a partir de
adaptações feitas nesses medidores básicos.

1.5.1 Amperímetro

Utilizado para medir intensidade de corrente elétrica, sempre é ligado em série

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com elemento cuja corrente quer-se medir; isto significa que um condutor deverá ser
“aberto” no ponto de inserção do instrumento, como mostra a Figura 1.9a. O símbolo
do amperímetro está mostrado no diagrama esquemático da Figura 1.9b.

2.9 - Medida de corrente com amperímetro: (a) conexão do


instrumento; (b) diagrama da ligação.

Se a interrupção do circuito é impraticável pode-se usar um amperímetro-


alicate (figura 1.10), capaz de medir a corrente pelo campo magnético que esta
produz ao passar no condutor.

2.10 - Instrumento digital “de alicate”.

A resistência interna de um amperímetro deve ser a menor possível, a fim de


que o instrumento interfira minimamente no circuito sob inspeção. Um amperímetro
ideal é aquele que tem resistência interna igual a zero, ou seja, equivale a um curto-
circuito. Na prática, a menos que se busque grande exatidão em uma medida, pode-
se considerar que os amperímetros são ideais.
Por vezes faz-se necessário medir correntes de magnitudes superiores às de
fundo de escala do amperímetro; para isso, liga-se em paralelo com o instrumento
um resistor (chamado derivação ou shunt), que desviará a parcela de corrente que
excede o fundo de escala. Este procedimento, chamado multiplicação de escala, é
mostrado na figura 1.11a; a figura 1.11b mostra dois tipos de resistores de
derivação.

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2.11 - Processo de multiplicação de escala de um amperímetro: (a)


esquema de ligação; (b) resistores de derivação (shunt).

Em muitos modelos de amperímetros analógicos deve-se atentar para a


ligação, relativamente ao sentido da corrente, pois uma inversão na mesma fará com
que o ponteiro se desloque no sentido errado da escala; quando isso acontece,
devem-se inverter os terminais da conexão.

1.5.2 Voltímetro

Instrumento destinado à medida de tensões, o voltímetro deve ser ligado em


paralelo com o elemento cuja tensão quer-se determinar (figuras 1.12a e 1.12b).

2.12 - Medida de tensão com o voltímetro: (a) conexão do


instrumento; (b) diagrama de ligação.

Também no caso dos voltímetros é possível a ampliação de escalas, isto é,


utilizar um voltímetro com fundo de escala inferior à tensão que se quer medir. Para
tanto, conecta-se em série com o instrumento um resistor cujo valor seja apropriado
para receber o “excesso” de tensão (figura 1.13).

A mesma observação relativa à ligação dos amperímetros analógicos vale para


os voltímetros: a inversão na conexão do instrumento ocasiona a inversão do sentido
de deslocamento do ponteiro.

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2.13 - Esquema de ligação para a ampliação de escala de um voltímetro.

1.6 Multímetro

Multímetros ou multitestes como os exemplos apresentados na figura 1.14 são


instrumentos projetados para medir diversas grandezas. Todo o multímetro é capaz
de medir, pelo menos, tensão (CC e AC), corrente (normalmente só CC) e
resistência.

2.14 - Multímetro analógico (esquerda) e digital (direita),


com seus componentes principais.

Multímetros analógicos são baseados nos amperímetros; a inserção de


resistores em série permite a medida de tensão e a adição de uma fonte externa
(uma bateria de 9V, por exemplo), permita que se meçam resistências. Por
convenção, a ponta de prova preta é ligada ao terminal – (COMUM) e a vermelha ao
terminal + (“vivo”); alguns instrumentos têm terminais apropriados para medidas
específicas, como por exemplo, valores mais elevados de corrente.

1.7 Osciloscópio

O osciloscópio é um instrumento que permite visualizar graficamente sinais


elétricos. Na maioria das aplicações, o osciloscópio mostra de que forma um

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determinado sinal elétrico varia no tempo. Neste caso, o eixo vertical (YY)
representa a amplitude do sinal (tensão) e o eixo horizontal (XX) representa o tempo.
A intensidade (ou brilho) do traço é por vezes chamada de eixo dos ZZ (figura 1.15).

2.15 - Eixos X-Y-Z num osciloscópio (Tektronics, 1997).

Um gráfico deste tipo poderá dizer-nos diversas coisas sobre determinado


sinal, tais como:
• Permite determinar valores de tensão e temporais de um sinal;
• Permite determinar a frequência de um sinal periódico;
• Permite determinar a componente contínua (CC) e alternada (CA) de um
sinal;
• Permite detectar a interferência de ruído num sinal e, por vezes, eliminá-lo;
• Permite comparar dois sinais num dado circuito, nomeadamente a entrada e a
saída, permitindo tirar as mais variadas conclusões, tais como se um dado
componente está avariado.

Outras potencialidades surgem na utilização do modo ‘xy’, bem como nos


osciloscópios digitais, que incorporam muitas funcionalidades adicionais.

O painel frontal do osciloscópio possui comandos divididos em grupos,


organizados segundo a sua funcionalidade. Existe um grupo de comandos para o
controle do eixo vertical (amplitude do sinal), outro para o controle do eixo horizontal
(tempo) e outro ainda para controlar os parâmetros do traço (intensidade, focagem,
etc).

2.16 - Exemplo de osciloscópio digital (Tektronics, 1997).

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Os sinais periódicos, também denominados de ondas, representam a variação


de grandezas que se repetem (periodicamente) no tempo. São exemplos típicos as
ondas as senoidais, quadradas (ou retangulares) e as triangulares (ou dente-de-
serra).

1.7.1 Grandezas elétricas mensuráveis

Entre as grandezas elétricas que podem ser medidas a partir da utilização de


um osciloscópio, as mais comuns são as dos tópicos seguintes.

1.7.1.1 Período e Frequência


Se um sinal se repete no tempo, ele tem uma frequência de repetição. Esta
frequência (f) é medida em Hertz (Hz) e é igual ao número de vezes que o sinal se
repete por segundo (número de ciclos por segundo). Analogamente, um sinal
periódico tem um período (T), que é o tempo que o sinal leva a completar um ciclo.

O período e a frequência são inversos um do outro, isto é, f = 1/T. A Figura


1.17 serve como exemplo, onde a onda senoidal tem um período de 1/3 de segundo,
correspondendo a uma frequência de 3Hz (3 ciclos por segundo).

2.17 - Período e frequência (Tektronics, 1997).

1.7.1.2 Amplitude (de tensão)

Com um osciloscópio podem medir-se amplitudes de sinais, denominadas


amplitudes de pico e pico-a-pico. A forma de onda apresentada como exemplo na
figura 1.18 tem uma amplitude (de pico) de 1V e uma amplitude de pico-a-pico igual
a 2V.

2.18 - Amplitude de uma onda senoidal (Tektronics, 1997).

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MEDIÇÃO DE TENSÃO CONTÍNUA

Uma tensão contínua aparece na tela do osciloscópio como uma linha


contínua. Para medir seu valor, conta-se na tela o numero de divisões, a partir da
referência zero, e multiplica-se esse número por volts/divisão:

Para realizar a medição, deve-se obter a linha contínua ajustando a base de


tempo, manter a entrada em GND e deslocar o traço para uma posição adequada –
na primeira linha, por exemplo.

Escolhe-se um ganho vertical compatível com o valor a ser medido. Em geral, a


tela tem oito divisões. Portanto, a máxima tensão que pode ser medida se o ganho
vertical for 1V/div será 8V; qualquer valor acima de 8V fará com que o traço saia da
tela (levando em conta que o zero está na primeira linha). Deve-se evitar utilizar um
valor muito pequeno, pois se torna difícil ler o número de divisões.

2.19 - Medindo 5V: (a) 5V/div, (b) 1V/div e (c) 2,5V/div.

De acordo com a figura 1.19, para obter-se a máxima precisão, deve-se


escolher o menor escala de volts/div possível que permita o surgimento do traço na
tela (figura 1.19a).

MEDIÇÃO DE TENSÃO ALTERNADA


A tensão alternada apresenta duas variáveis básicas que podem ser
mensuradas: a tensão de pico-a-pico e o período.

O procedimento para medir a tensão alternada é semelhante ao utilizado para


medir-se a tensão contínua, ou seja, escolher adequadamente o ganho vertical
(volts/div) e a base de tempo (ms/div). A figura 1.20 mostra uma tensão senoidal de
10VP (20VPP) e frequência de 1KHz para diferentes ajustes do ganho vertical. Em
todos os casos a base de tempo está fixada em 0,2ms/div e o ganho vertical varia
em 5V/div (figura 1.20a), 20V/div (figura 1.20b) e 2V/div (figura 1.20c).

Claramente o melhor ajuste do ganho vertical é o primeiro, em que o sinal


ocupa a maior parte da tela sem perda de informação.

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2.20 - Três representações medindo uma tensão senoidal


de 20Vpp/1KHz com ganho vertical ajustado em: (a) 5V/div, (b)
20V/div e (c) 2V/div.

Para a medição do período, ou seja, o inverso da frequência, a escolha da


base de tempo é fundamental. Na figura 1.21, em todos os casos o ganho vertical
está fixado em 5V/div e a base de tempo varia em 0,2ms/div, 2ms/div e 50μs/div.

Observe que a figura 1.21a permite melhor visualização para efetuar medidas
de tempo e tensão.

2.21 - Três representações medindo período de senoide de


1KHz com ganho horizontal ajustado em: (a) 0,2ms/div, (b) 2ms/div e
(c) 50μs/div.

2. Semicondutores

De maneira bem simples, a classificação dos materiais em relação a seu


comportamento elétrico é feita dividindo-os em isolantes e condutores.

Os condutores são materiais que permitem a passagem da corrente elétrica em


seu interior quando submetidos a uma diferença de potencial, pois possuem cargas
elétricas livres. Exemplos: alumínio, cobre, ferro, etc.

Os isolantes são materiais que, em condições normais, não permitem a


passagem da corrente elétrica em seu interior, pois não possuem cargas elétricas
livres. Exemplos: madeira, plásticos, porcelana, fenolite, etc.

Existe outro tipo de material que apresenta características elétricas


intermediárias entre os isolantes e os condutores: os semicondutores (que também

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poderiam ser chamados de semi-isolantes).

Os principais semicondutores são o silício e o germânio, apesar de existir


grande variedade de outros materiais.

A classificação dos materiais quanto a capacidade de conduzir ou não a


corrente elétrica pode ser feita de acordo com sua condutividade ou resistividade. A
figura a seguir mostra a classificação dos materiais segundo sua condutividade.

2.22 - Classificação dos materiais segundo sua condutividade.

2.1 Semicondutor Intrínseco

O semicondutor em seu estado puro é chamado de intrínseco, tendo pouca ou


nenhuma utilidade quando está nessas condições. Como já foi citado, os principais
semicondutores usados são o silício (Si) e o germânio (Ge), apesar de existirem
outros.
O estudo de semicondutores pode ser feito de duas maneiras: por meio do
conceito de bandas de energia (análise que utiliza conceitos da Física) ou por meio
do conceito de ligação covalente (que é uma abordagem da Química). Usaremos a
segunda por apresentar significado mais concreto.
A figura a seguir mostra, de maneira simplificada, a estrutura do átomo de Si,
que possui quatro elétrons na última camada, conhecida como camada de valência.
Para facilitar o entendimento, representamos na figura o átomo de silício
somente com o núcleo e a camada de valência.

2.23 - Estrutura simplificada do átomo de Si (a) com todas


as camadas e (b) com o núcleo e a camada de valência.

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Como o número de elétrons é igual ao número de prótons, o átomo é dito


neutro. Muitas vezes refere-se ao silício como “cristal de silício”, porque o arranjo
geométrico de seus átomos é feito de forma simétrica e regular em todas as
direções, motivo pelo qual e chamado de cúbico. Nesse arranjo um átomo de Si se
liga a quatro átomos vizinhos por ligações covalentes, em que cada átomo fornece
um elétron, formando, na última camada, oito elétrons, o que configura uma situação
estável. A figura a seguir ilustra, no plano, o arranjo espacial dessa configuração.

2.24 - Estrutura cristalina do Si à temperatura de 0ºK


(–273 ºC) - Comportamento de isolantes.

É importante notar que, nas condições indicadas na figura anterior, o silício se


comporta como isolante, pois não existem cargas livres. No entanto, com o aumento
da temperatura, a energia térmica fornecida ao cristal provoca a “quebra” de
algumas ligações covalentes, liberando, assim, elétrons de valência. Os espaços
vazios deixados por causa de tais rompimentos se comportam como cargas elétricas
positivas, denominadas lacunas ou buracos.

A figura 2.4 representa a mesma estrutura da figura 2.3, mas com algumas das
ligações covalentes rompidas. A quantidade de energia necessária para quebrar
uma ligação depende do tipo do semicondutor; no caso do Ge, e 0,72 eV e, no do Si,
1,1 eV.

2.25 - Estrutura do Si a uma temperatura acima de 0K


(acima de –273 ºC): Geração de pares elétron-lacuna.

A aplicação de uma diferença de potencial na estrutura do silício possibilita o


movimento dessas cargas elétricas (elétron livre e lacuna): os elétrons se dirigem
para o polo positivo da fonte externa e as lacunas, para o polo negativo.
Para entendermos o mecanismo de condução de elétrons e lacunas,
consideremos as figuras 2.5, 2.6 e 2.7. Na figura 2.5, o elétron livre está
representado por um ponto preto e sua ausência (a lacuna), na ligação covalente,

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por um ponto branco. O sentido do campo elétrico é tal que o elétron se movimenta
para a esquerda, onde esta o polo positivo da bateria que fornece a ddp.

2.26 - Cristal de Si submetido a um campo


elétrico (tensão elétrica) em um instante t1.

A figura 2.6 mostra o instante seguinte, em que um elétron de valência com


energia suficiente pode preencher a lacuna, demonstrando que ela se deslocou para
a direita, no sentido do polo negativo da bateria.

2.27 - Cristal de Si submetido a um campo


elétrico (tensão elétrica) num instante t2 > t1.

Esse fenômeno se repete para outro elétron de valência, como ilustra a figura
2.7. Assim, existe no semicondutor uma corrente de elétrons livres da direita para a
esquerda e uma corrente de lacunas da esquerda para a direita, e essas correntes
se somam. E importante notar que os elétrons de valência que se deslocam para a
esquerda eventualmente encontrarão a borda do cristal e, portanto, o polo positivo
da bateria, transformando-se em elétrons livres. A corrente total no cristal será a
soma do fluxo de elétrons com o fluxo de lacunas:

2.28 - Cristal de Si submetido a um campo elétrico


(tensão elétrica) em um instante t3 > t2.

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1.1 Semicondutor Extrínseco

Na prática, não usamos o semicondutor intrínseco, e sim o extrínseco. O


semicondutor extrínseco e obtido pela adição de elementos chamados de impurezas
(tipos de átomos), cuja principal finalidade e alterar algumas propriedades elétricas,
principalmente a resistividade em relação ao fluxo de elétrons. Existem dois tipos de
semicondutores extrínsecos: o material N e o material P.

1.1.1 Semicondutor tipo N

É obtido adicionando ao cristal puro (de silício ou germânio) um material


pentavalente, isto é, que tem em sua última camada cinco elétrons de valência. Em
geral, o material mais utilizado e o fósforo (P).
O que acontece, então, quando átomos de fósforo são adicionados ao cristal
do semicondutor? Tomemos como exemplo um semicondutor de silício. Alguns de
seus átomos serão substituídos pelo átomo do fósforo, e, como o número de átomos
da impureza é muito menor que o de átomos do semicondutor, essa impureza se
ligará a quatro átomos de silício, conforme ilustra a figura 2.8a. Observe que cada
átomo de silício contribui com um elétron para que ocorra uma ligação
compartilhada, sobrando um elétron. Esse quinto elétron está fracamente ligado ao
átomo, bastando uma energia diminuta para torná-lo livre. O importante dessa
situação é que não foi gerada nenhuma lacuna (figura 2.8b).

2.29 - (a) Átomo de fósforo ligado a quatro


átomos de silício; (b) o quinto elétron livre gera um
íon positivo preso à estrutura cristalina.

Esse processo pode ser mais bem compreendido se imaginarmos a


temperatura variando do zero absoluto. A partir desse valor, o quinto elétron está
preso; portanto, não existe portador de carga livre e o material se comporta como
isolante.
Aumentando gradativamente a temperatura, o quinto elétron é liberado e o
material passa a conduzir corrente elétrica. Quanto mais a temperatura aumenta,
mais ligações covalentes começam a se quebrar, gerando mais elétrons livres e
lacunas. Assim, o material torna-se neutro, motivo pelo qual recebe o nome de
semicondutor tipo N. Observe na figura 2.8 que o cristal é neutro, pois para cada
quinto elétron liberado a impureza fica ionizada positivamente.
Como os elétrons estão em maioria no material, são chamados de portadores

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majoritários e as lacunas, de portadores minoritários. É extremamente importante


notar que a quantidade de impureza adicionada determina a principal característica
elétrica, que é a condutividade, pois, quanto maior o número de elétrons livres
existentes, maior a capacidade de conduzir. Outro ponto fundamental é que a
temperatura afeta significativamente essa propriedade, porque, quanto maior a
temperatura, maior o número de elétrons e de lacunas.
Dependendo da aplicação, essa é uma condição indesejável. Nos
computadores, por exemplo, uma falha no cooler (responsável por evitar o
superaquecimento dos componentes semicondutores) pode causar travamento.
Essa é uma desvantagem do semicondutor quando comparado com a válvula
termiônica, mas mesmo assim os pontos positivos superam de longe os negativos.

1.1.2 Semicondutor tipo P

É obtido adicionando quantidades controladas de impureza trivalente ao


material puro (semicondutor intrínseco). Um exemplo desse tipo de impureza é o
boro (B). Como o boro é trivalente, seus três elétrons de valência serão
compartilhados com quatro átomos de silício das vizinhanças, porém uma das
ligações não se completará. A ausência de um elétron nessa ligação poderá se
comportar como lacuna (figura 2.9). E como isso acontece?
Inicialmente, em temperaturas próximas do zero absoluto, os elétrons de
valência de um átomo vizinho ao da impureza não tem energia suficiente para
preencher a ligação, e, portanto, o material se comporta como isolante. Conforme a
temperatura aumenta, um elétron de valência do átomo vizinho recebe energia
suficiente para se deslocar e ocupa a vaga na ligação não completada com um dos
elétrons do boro. Desse modo, como o átomo estava neutro e passa a ter um elétron
a mais, torna-se um íon negativo. A vaga deixada por esse elétron pode se
comportar como lacuna. Então, foi gerada lacuna sem o aparecimento de elétron
livre, e por isso o material e chamado de P.

2.30 - (a) Átomo de boro ligado a quatro átomos de


Si abaixo da temperatura de ionização; (b) a vaga (lacuna) é
preenchida por um elétron de valência de um átomo
próximo, gerando um íon negativo preso à estrutura
cristalina acima da temperatura de ionização.

Se a temperatura aumentar mais ainda, além da temperatura de ionização,


serão gerados os pares elétron-lacuna. Nesse caso, as lacunas são portadores
majoritários e os elétrons livres, portadores minoritários.

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1.2 Junção PN

Se uma barra de material P é ligada metalurgicamente a uma barra de material


N, cria-se uma junção PN, cujas características permitem a produção de todos os
dispositivos eletrônicos.
A diferença de concentração de lacunas e elétrons livres entre as duas regiões
da junção PN possibilita a ocorrência de um fenômeno chamado de difusão:
deslocamento (corrente elétrica) de lacunas do lado P para o N e de elétrons livres
do lado N para o P.
A difusão não e um processo contínuo, pois o deslocamento de elétrons e
lacunas faz surgir uma região de cargas negativas (átomos de impurezas receptoras
que aceitaram esses elétrons) e positivas fixas (figura 2.10). Nessa região,
denominada região de cargas espaciais (RCE) ou região de depleção, não existem
cargas livres, uma vez que, em razão do campo elétrico gerado pelas cargas
espaciais, caso apareça uma carga livre (elétron livre ou lacuna), ela será acelerada
por esse campo, deslocando-se para o lado N ou P. As cargas fixas criam uma
barreira de potencial que se opõe a difusão de mais portadores majoritários –
lacunas no lado P e elétrons livres no lado N. Essa corrente é representada por
IDifusão.
Os portadores minoritários de ambos os lados da junção estão movimentando-
se aleatoriamente por causa da temperatura. Se algum dos portadores minoritários
(aqueles gerados pela temperatura) – elétrons livres no lado P ou lacunas no lado N
– se aproximar da RCE, será acelerado pelo campo elétrico existente nessa região e
passará para o outro lado da junção. Essa corrente e chamada de corrente de deriva
(IDeriva).
As duas correntes podem ser observadas na figura 2.10. Quando a junção está
em equilíbrio, a soma das correntes da junção é zero, isto é, IDeriva = IDifusão.

2.31 - Junção PN em aberto


mostrando as duas correntes: de
difusão e de deriva.

1.2.1 Junção PN com polarização reversa

Quando a tensão aplicada tem polaridade como a indicada na figura 2.11, isto
é, o lado P negativo em relação ao lado N, a largura da região de depleção
aumentará, elevando a altura da barreira de potencial e dificultando a passagem dos
portadores majoritários de um lado da junção para o outro.
Através da junção existirá uma corrente constituída de portadores minoritários,

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os quais dependem apenas da temperatura. Essa corrente e chamada de corrente


reversa de saturação (IS) e sua intensidade é da ordem de nA (Si) ou μA (Ge).

2.32 - Junção PN com polarização reversa.

1.2.2 Junção PN com polarização direta

O que acontece se invertermos a polaridade da tensão na figura 2.11? Imagine


a tensão da bateria começando de zero. Inicialmente, como a corrente e desprezível,
toda a tensão externa é aplicada na junção, diminuindo a barreira. No entanto, a
corrente começa a aumentar quando a tensão aplicada na junção for
aproximadamente 0,6 V.
Em princípio, toda a tensão estará aplicada diretamente na região da junção,
baixando a barreira de potencial e tornando desprezível a queda de tensão no
material N e no P. Desse modo, a corrente e controlada pela variação da altura da
barreira (região não linear da curva característica). À medida que a corrente
aumenta, a tensão externa se distribui entre o material e a barreira. Nesse instante a
corrente começa a ser controlada pela resistência direta do material, passando a ter
comportamento aproximadamente linear com a tensão.
A corrente total através da junção (I) é constituída de duas correntes: a de
saturação e a de difusão (figura 2.12). A corrente de difusão é muito maior que a de
saturação.

2.33 - Junção PN com polarização direta.

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Da figura 2.12, podemos concluir que:

em que ID é a corrente de difusão.


A equação da corrente através da junção é dada por:

em que:
• IS é a corrente reversa de saturação;
• VD é tensão aplicada na junção;
• η é uma constante que vale aproximadamente 1 para Ge e 2 para Si;
• VT é uma constante que depende da temperatura, valendo 26mV à
temperatura ambiente (T = 300K).
Com a junção polarizada diretamente (VD > 0), I é positiva; com a junção
polarizada reversamente (VD < 0), I é negativa.

1.3 Diodo de junção

Diodo de junção é um componente constituído de uma junção PN, tendo todas


as suas características, ou seja, permite a passagem da corrente em um único
sentido quando adequadamente polarizado (polarização direta) e bloqueia a corrente
quando a polaridade da tensão inverte (polarização reversa).
A figura 2.13 mostra a representação esquemática do diodo de junção com
seus terminais ôhmicos – anodo (A) e catodo (K) –, seu símbolo e exemplos de
diodos comerciais.

2.34 - (a) Diodo de junção com terminais


ôhmicos, (b) símbolo do diodo de junção e (c) diodos
de uso geral.

1.3.1 Curva característica do diodo

O gráfico da figura 2.14 mostra a curva característica de um diodo de junção de


Silício:

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2.35 - Curva característica de um


diodo de junção de Silício.

O comportamento anotado nesse gráfico corresponde à seguinte equação:

No gráfico da figura 2.14, é possível observar a corrente resultante da tensão


aplicada no diodo em três regiões bem definidas:

1. Região de polarização direta: VD > 0,6 V


2. Região de polarização reversa: VD < 0 V
3. Região de ruptura: VD < –VBK

Quando em polarização direta, a expressão matemática que representa o


comportamento do diodo é a mesma equação dada para a corrente através da
junção, ou seja:

em que:
• IS é a corrente reversa de saturação;
• VD é a tensão aplicada no diodo;
• η é uma constante que depende da forma como o diodo foi construído;
• VT é uma constante que depende da temperatura, valendo aproximadamente
26mV a 20 °C.
Portanto, para VD > 0 e VD >> 26mV, o termo negativo dentro dos parênteses é
desprezado:

Para VD < 0 e em modulo muito maior que 26mV, a expressão da corrente será
aproximadamente igual –IS.
Existe um valor de tensão que provoca a ruptura da junção, destruindo o diodo
por efeito Joule (aumento excessivo de calor). Essa tensão de ruptura (breakdown) é
representada por VD < VBK, que na literatura costuma aparecer como VBR e no
manual dos fabricantes como VRRM (máxima tensão reversa de pico repetitiva). Em

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alguns casos, o diodo é construído especialmente para operar nessa região, como o
diodo Zener.
A figura 2.15 apresenta os dados de diodos de uso geral, para 1A (I F(AV)) e de
diferentes tensões reversas.

2.36 - Folha de dados parcial – diodos de uso geral.

1.3.2 Diodo polarizado diretamente


O comportamento é similar ao da junção PN. Em condução, um diodo de silício
apresenta queda de tensão de aproximadamente 0,7V. Assim, por exemplo,
podemos estimar a corrente de um circuito de 10V e 1kΩ simplesmente escrevendo
a equação da malha:

O circuito do exemplo esta ilustrado na figura 2.15.


É importante observar que, para efeito de cálculo, consideramos que a queda
de tensão, no caso de diodo polarizado diretamente, é 0,7V. Alguns autores adotam
0,6V, mas na prática não faz muita diferença.

2.37 - Circuito com


diodo polarizado diretamente.

1.3.3 Diodo polarizado reversamente

Quando o diodo está polarizado reversamente, a corrente que se estabelece


através dele é da ordem de nA, ou seja, praticamente nula (figura 2.17). Essa
corrente reversa, também chamada de corrente de fuga, depende de aspectos
físicos do material, como dopagem e dimensões, e de fatores externos, entre eles a

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temperatura de trabalho (o valor dobra a cada aumento de 10ºC). Importante:


quando o diodo está polarizado reversamente, a tensão da fonte está aplicada nos
terminais do diodo, o qual deve ter capacidade para suportar a tensão reversa; caso
contrário, pode ocorrer um fenômeno denominado avalanche, que, em geral, causa
a ruptura da junção.

2.38 - Circuito com diodo polarizado reversamente.

A corrente de fuga e a soma da corrente reversa de saturação com a corrente


superficial. A corrente de saturação depende da dopagem do semicondutor e da
temperatura de trabalho; a corrente superficial, das dimensões físicas do diodo,
variando de acordo com a tensão aplicada. Por essa razão, observando a curva do
diodo em polarização reversa, é possível notar uma ligeira inclinação, que indica um
pequeno aumento na corrente quando a tensão aumenta.

1.3.4 Modelos (circuitos equivalentes) para diodo

Estabelecer um modelo para um componente eletrônico (resistor, fonte de


tensão, fonte de corrente, capacitor e indutor) significa representá-lo em um circuito
por meio de componentes básicos, o que permite usar as leis de circuito para
analisá-lo.
Além do modelo adotado pelo fabricante do simulador, existem modelos
simples que o projetista de circuitos pode utilizar, dependendo da complexidade e da
precisão que ele deseja obter.
Por exemplo, no caso do diodo, quando polarizado reversamente, é
representado por um circuito aberto (chave aberta); quando ligado em polarização
direta, utiliza-se um dos modelos ou circuitos equivalentes descritos a seguir.

MODELO 1 – DIODO IDEAL

É o circuito equivalente (modelo) mais simples. Consiste em representar o


diodo por uma chave fechada (curto-circuito), quando polarizado diretamente, e por
um circuito aberto, quando polarizado reversamente.
O gráfico da figura 2.18 representa a curva característica para esse modelo e o
circuito equivalente.

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2.39 - Diodo ideal (chave): (a) curva


característica e (b) circuito equivalente.

A figura 2.19a representa um circuito com um diodo real (1N4001) ligado a uma
bateria de 100V e a figura 2.19b mostra o mesmo circuito, porém com o diodo
substituído por uma chave fechada. No primeiro caso, a corrente vale 99,2mA e, no
segundo, 100mA, mas na prática essa diferença de valores é desprezada, o que
significa que o modelo pode ser usado.

2.40 - (a) Simulação e (b) circuito com o modelo 1.

Existe alguma limitação no uso desse modelo? Essa forma de representar um


diodo pode sempre ser usada? Na figura 2.20, ao invés de 100V, a bateria utilizada
é de 1,5V. Nesse caso, a diferença entre as duas medidas é alta (66%), o que
significa que o modelo não é adequado.

2.41 - (a) Simulação e (b) circuito com o modelo 1


(inadequado).

Então, conclui-se que, se o valor da tensão da bateria for da mesma ordem de


grandeza da barreira de potencial (0,6V), o modelo de chave não pode ser usado.

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MODELO 2 – BATERIA

Um modelo mais elaborado considera o diodo conduzindo corrente elétrica


como se fosse uma pequena bateria de 0,6V (valor a partir do qual o diodo inicia a
condução). Portanto, se a tensão aplicada no diodo for menor que 0,6V, ele se
comportará como uma chave aberta; se a tensão estiver acima de 0,6V, o diodo será
substituído por uma bateria de 0,6V. A figura 2.21 mostra a curva característica
representativa desse modelo e o circuito equivalente.

2.42 - Modelo com bateria: (a) curva característica e


(b) circuito equivalente.

Na figura 2.22, pode-se verificar que os valores obtidos no diodo real e no


modelo são muito próximos.

2.43 - (a) Simulação e (b) circuito com o modelo 2.

O modelo com bateria deve ser usado quando a tensão de polarização for
maior que 0,6V e da mesma ordem de grandeza.

MODELO 3 – BATERIA E RESISTÊNCIA (MODELO LINEARIZADO POR


TRECHOS DE RETA)

Pode-se obter maior precisão levando em conta a resistência do diodo quando


está em condução. A figura 2.23a ilustra a curva característica linearizada por dois
trechos de reta, que representa a bateria em série com resistência de baixo valor.

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2.44 - Modelo que considera resistência direta: (a) curva


característica e (b) circuito equivalente.

A figura 2.24a mostra o valor da corrente em um diodo real e no circuito com o


modelo, com resistência direta de 5Ω e resistência de carga de 1kΩ.

2.45 - (a) Simulação e (b) circuito com o modelo


3.

A figura 2.25 reproduz a mesma análise, porém com uma resistência de carga
menor, 100Ω.

2.46 - (a) Circuito com diodo simulação no


MicroCap e (b) circuito com o modelo que representa dois
trechos de reta.

Podemos observar que, nos dois casos (1kΩ e 100Ω), os valores das correntes
são muito próximos; no primeiro (1kΩ), a diferença se deve ao fato de que o trecho
linearizado não coincide com a curva. Assim, quanto maior o valor da corrente, mais
ocorre coincidência da curva com a reta.

1.3.5 Teste de diodos

Em muitas situações de trabalho na área eletrônica, é necessário realizar


testes em semicondutores para saber quais são seus terminais (anodo e catodo) e

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verificar se estão com defeito (aberto, em curto-circuito ou com fuga). O teste de


semicondutores baseia-se no fato de que, sob polarização direta, uma junção PN
apresenta resistência baixa (10Ω, por exemplo) e, sob polarização reversa,
resistência alta (> 1MΩ).
O teste de semicondutores pode ser realizado com um multímetro digital ou
analógico. A figura 2.26 mostra como realizar o teste usando o multímetro digital,
com a chave posicionada no símbolo do diodo. Quando o diodo está em boas
condições, em polarização direta, o display exibe um valor de tensão de 650mV a
700mV e, em polarização reversa, uma barra vertical do lado esquerdo, indicando
resistência muito alta (figura 2.26a). Se no display aparecem zeros, o diodo está em
curto-circuito (figura 2.26b). Quando se vê a barra vertical nos dois sentidos, o diodo
está aberto (figura 2.26c).

2.47 - Teste com multímetro


digital: (a) diodo em bom estado, (b) diodo
em curto-circuito e (c) diodo aberto.

2 Aplicações de diodos semicondutores


A alimentação de todos os circuitos eletrônicos é feita por meio de tensão
contínua, porém a tensão na rede é alternada. Os circuitos que convertem tensão
CA em CC são chamados de conversores ou retificadores. Sua função é converter a
tensão senoidal em pulsante, que, em seguida, é filtrada e eventualmente aplicada
em um regulador de tensão. O dispositivo utilizado para obter a retificação é o diodo
de junção, estudado no capítulo anterior.

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2.1 Retificador de meia onda

O circuito retificador de meia onda é composto por um único diodo acoplado na


saída de um transformador. Em virtude dessa configuração, após a passagem pelo
diodo, observam-se somente semiciclos positivos, pois durante o semiciclo negativo
a tensão na carga é nula.
Quando a tensão de entrada (Ve) for positiva, o diodo conduzirá e a tensão na
carga será igual à tensão de entrada descontados 700mV da queda de tensão no
diodo. Se a tensão de pico de entrada (VP) for muito maior do que 0,7V, a tensão na
carga será praticamente igual a Ve. No semiciclo negativo (Ve < 0), o diodo estará
cortado e toda a tensão estará aplicada entre seus terminais; por isso, o diodo deve
ter uma tensão de ruptura maior que VP. A figura 3.1 apresenta situações do circuito
e formas de onda.

2.1 - (a) Circuito retificador de meia onda; (b) circuito equivalente no


semiciclo positivo; (c) circuito equivalente no semiciclo negativo; (d) formas de
onda de entrada, na carga e no diodo.

A função de um retificador é manter uma tensão contínua na saída. A tensão


na carga tem um componente contínuo, aqui denominado V CC (VDC, em inglês), que
se calcula por:

Portanto, a corrente na carga vale:

Obs.: A tensão média (Vcc) deve ser medida a partir de um voltímetro CC.
Para essa mesma forma de onda, o valor da tensão eficaz é dado por:

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As expressões anteriores são verdadeiras quando o valor de pico é muito maior


do que 0,7V; caso contrário, deve-se subtrair 0,7V de VP (figura 3.2). Nesse caso, os
valores da tensão média e da tensão eficaz são calculados, respectivamente, por:

2.2 - Formas de onda de entrada e saída quando a entrada é


da ordem de grandeza da barreira de potencial.

É importante lembrar que o diodo deve ser dimensionado de acordo com seus
valores de corrente e tensão.

DIMENSIONAMENTO DO DIODO

Os principais limites elétricos encontrados no Datasheet (folha de dados) de


um diodo são:
• VRRM = máxima tensão de pico reversa
• VRMS = máxima tensão eficaz
• VCC = máxima tensão CC reversa
• IAV = máxima corrente contínua
Para esse retificador de meia onda, os valores das tensões e corrente do diodo
devem ter no mínimo os seguintes limites:
• VRRM > VP
• IAV>VP/RL.π
• VRMS > VP/2
• VCC > VP/π
Para o diodo 1N4001, por exemplo, os limites são:

VRRM = 50V IAV = 1A VRMS = 35V VCC = 50V

Consideremos que no circuito da figura 3.1 VP = 17V e o diodo 1N4001 com RL


= 100Ω.
Os valores são:

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Pode-se observar que esses valores estão bem abaixo dos limites.

2.2 Retificador de meia onda com filtro capacitivo

Esse tipo de retificador apresenta, além do diodo retificador, um capacitor


associado em paralelo com a carga. A função do capacitor e diminuir o ripple.
Quanto menor for o ripple da tensão de saída de um retificador, melhor será sua
qualidade.
A figura 3.3 ajuda a entender o que é o ripple. Nela, uma tensão senoidal de 1V
de pico está sobreposta a uma tensão CC (também chamada de nível de offset) de
4V. Se usarmos um voltímetro CC para medir essa tensão, ele indicará exatamente
4V.

2.3 - Tensão senoidal com nível de offset


ilustrando o conceito de ripple.

Para uma tensão retificada de meia onda, se o valor de pico for muito maior
que o ripple, este pode ser estimado aproximadamente por:

em que:
• VP é o valor da tensão de pico alternada (em Volt);
• C é o valor da capacitância do capacitor (em Farad);
• f é a frequência (em Hertz) do ripple (meia onda = 60 Hz e onda completa =
120 Hz);
• R é o valor da carga (em Ohm).
A figura 3.4 mostra o circuito e as formas de onda da tensão na carga (R L) e na
entrada do retificador, para uma tensão senoidal de alimentação.

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2.4 - Retificador de meia onda com filtro capacitivo: (a) circuito


e (b) formas de onda da tensão na carga e de entrada
(secundário do transformador).

Na figura 3.4b, durante o intervalo de tempo T 1, o diodo conduz, porque o valor


da tensão de entrada é maior que o valor da tensão na carga. Desse modo, o
capacitor se carrega até atingir o valor de pico da tensão de entrada.
Durante o intervalo de tempo T2, a tensão de entrada é menor que a tensão na
carga. Assim, o diodo corta a corrente e o capacitor se descarrega na carga RL (na
prática, a carga é um circuito qualquer que consome corrente). Quando novamente a
tensão de entrada passa a ser maior do que a tensão na carga, o diodo volta a
conduzir, repondo a carga perdida durante o intervalo T 2.
Observe que, ao aumentar a capacitância, o tempo de carga diminui e,
consequentemente, o valor de pico da corrente no diodo aumenta. Por isso, é
preciso ter cuidado ao projetar circuitos com valores de capacitância elevados.

2.3 Retificador de onda completa

Um retificador de onda completa é formado por dois diodos, aproveitando,


portanto, os dois semiciclos da tensão senoidal da rede. Em consequência, o valor
da tensão contínua na carga aumenta e o ripple diminui, em comparação com o
circuito de meia onda.
Nos retificadores de onda completa, a conexão dos diodos pode ser feita de
duas maneiras, resultando em dois tipos de retificadores com características
distintas: com center tap e em ponte.

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2.3.1 Retificador de onda completa com center tap

Esse tipo de retificador utiliza um transformador com tomada central (center


tap). Os diodos são ligados em cada uma das saídas opostas ao center tap e, como
resultado, obtêm-se duas tensões defasadas de 180° entre si.
Ao aplicar tensão no primário do transformador, observa-se que, durante o
semiciclo positivo da tensão de entrada, o diodo D1 conduz e o D2 corta. No
semiciclo negativo da tensão de entrada, invertem-se as condições: D2 conduz e D1
corta.
As figuras 3.5b, 3.5c, 3.5d e 3.5e mostram as formas de onda no secundário do
transformador e na carga.

2.5 - (a) Circuito do retificador de onda completa


com center tap; (b) tensão de entrada Vsec1; (c)
tensão no diodo D1; (d) tensão de entrada Vsec2; (e)
tensão na carga.

Observe que as duas tensões dos terminais em relação ao terra (terminal


central do secundário) estão defasadas de 180° entre si. Consideraremos como
tensão de entrada cada uma das tensões no secundário, entre uma extremidade e o
terra (center tap), com valor de pico igual a VP e defasadas de 180°, isto é:

Calcula-se a tensão contínua na carga por:

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Note que ela é o dobro da tensao CC no caso de meia onda.


A corrente média na carga é obtida por:

Para essa mesma forma de onda, o valor eficaz (tensão medida por um
voltímetro RMS) é calculado por:

DIMENSIONAMENTO DO DIODO

Para esse circuito, o diodo deve ter no mínimo os seguintes limites:


• VRRM > 2 · VP
• Como a corrente média por diodo é a metade da corrente média na carga:

• Máxima tensão eficaz:


• Máxima tensão contínua reversa:

As figuras 3.6 e 3.7 mostram o comportamento dos diodos nos semiciclos


positivo e negativo. Para facilitar a compreensão, eles estão representados no
modelo simplificado (chave fechada e chave aberta).
No semiciclo positivo, o diodo D1 conduz e o diodo D2 corta (figura 3.6).

2.6 - Retificador de onda completa com


center tap – condução no semiciclo positivo.

No semiciclo negativo, o diodo D2 conduz e o diodo D1 corta, mas o sentido da


corrente na carga não muda (figura 3.7).

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2.7 - Retificador de onda completa com center tap –


condução no semiciclo negativo.

2.3.2 Retificador de onda completa em ponte

O retificador de onda completa apresentado na figura 3.8 não necessita de


transformador com tomada central (somente quando há intenção de transformar a
tensão) e utiliza quatro diodos. A tensão de entrada (Ve) pode ser tanto a tensão da
rede como a do secundário de um transformador.

2.8 - Retificador de onda


completa em ponte.

Observando a tensão senoidal aplicada na entrada, pode-se perceber que,


durante o semiciclo positivo da tensão de entrada, os diodos D 1 e D4 estão
polarizados diretamente e os diodos D2 e D3 cortados. Como existem dois diodos
conduzindo ao mesmo tempo e eles estão em série, a queda de tensão será igual a
1,4V. Isso significa que, para haver tensão na carga, a tensão de entrada deve ser
maior do que 1,4V.

2.9 - Retificador de onda completa em


ponte – condução no semiciclo positivo.

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Como mostra a figura 3.10, no semiciclo negativo, invertem-se as condições:


os diodos D2 e D3 conduzem e os diodos D1 e D4 estão cortados; o sentido da
corrente na carga continua o mesmo.

2.10 - Retificador de onda completa em


ponte – condução no semiciclo negativo.

A máxima tensão de pico inversa que cada diodo deve suportar é


aproximadamente igual a -VP, onde VP é o valor de pico da tensão senoidal de
entrada.
A figura 3.11 ilustra as formas de onda de entrada e na carga. Observe a perda
de tensão (1,4V) ao longo do caminho da corrente. Esse valor deve ser descontado
no cálculo da tensão média e da tensão eficaz na carga.

2.11 - Formas de onda: (a) de entrada e (b) na carga.

Calcula-se a tensão contínua na carga por:

Para essa mesma forma de onda, o valor eficaz (tensão medida por um
voltímetro RMS) é obtido por:

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DIMENSIONAMENTO DO DIODO

Para esse circuito, o diodo deve ter no mínimo os seguintes limites:


• VRRM > VP
•A máxima corrente contínua:

• Máxima tensão eficaz:


• Máxima tensão contínua reversa:

2.4 Retificador de onda completa com filtro capacitivo

Como apresentado no retificador de meia onda, a adição de um capacitor


diminui o ripple e aumenta o valor da tensão contínua. A figura 3.12 mostra os
gráficos das tensões no secundário e na carga para um valor de pico de tensão de
entrada igual a 100V, em circuito meia onda com capacitor.

2.12 - Retificador de onda completa com filtro capacitivo: (a) circuito


e (b) formas de onda da tensão na carga e de entrada (secundário do
transformador).

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Observando a figura 3.12, é possível notar o aumento em relação aos valores


médio e eficaz, assim como a diminuição do ripple, em comparação com o retificador
de meia onda, que utiliza valores semelhantes de capacitor e carga.

2.5 Ponte retificadora como componente

Para construir um retificador em ponte, podem ser utilizados quatro diodos ou


um único componente com os quatro diodos conectados internamente. A figura 3.13
mostra o aspecto físico de um tipo de ponte retificadora.

2.13 - Ponte
retificadora.

2.6 Dobrador de meia onda

É um circuito eletrônico utilizado para obter valores elevados de tensões CC a


partir de tensão CA. No circuito da figura 3.14a, a entrada e senoidal, com V P de
pico. No semiciclo negativo, o capacitor (C1) se carregará com o valor de pico da
tensão de entrada e, com a polaridade indicada na figura 3.14b, o diodo D1
conduzirá e o D2 estará cortado. No semiciclo positivo (figura 3.14c), o diodo D 1
cortará e o D2 conduzirá, fazendo C2 se carregar até aproximadamente 2 · VP.

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2.14 - (a) Dobrador de meia onda; (b) carga de C1 durante o


semiciclo negativo; (c) carga de C2 durante o semiciclo
positivo.

2.7 Diodo Zener

Os diodos Zener são projetados para operar na região de ruptura, onde


grandes variações de corrente produzem pequenas variações de tensão, permitindo,
assim, que se construa um regulador de tensão. A figura 3.15 mostra a curva
característica com a região de operação, no joelho, o símbolo e o aspecto físico do
diodo Zener.

2.15 - Diodo Zener: (a) curva característica, (b) símbolo e


(c) aspecto físico.

A região de trabalho do diodo Zener está compreendida entre IZmín (menor


corrente que mantém a regulagem) e IZmáx (máxima corrente antes de ocorrer a
destruição do componente por efeito Joule). Estão associados aos valores de
corrente máxima e mínima os valores de tensão (que são muito próximos). A tensão
nominal e a tensão de especificação (VZnom). Outra especificação importante é a
potência máxima que o diodo pode dissipar (PZmáx). Esse valor está relacionado à
tensão aproximadamente por:

PZmáx = VZnom × IZmáx (visto que VZnom é aproximadamente igual a VZmáx).

Desta forma, podemos determinar:

E em geral, podemos estimar IZmín por:

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Os valores de potência mais conhecidos são: 0,25W, 0,5W, 1W, 5W, 10W e
50W.
Os valores de tensão Zener estão compreendidos entre 3,3 V e 75 V.
Exemplos de diodos Zener comerciais: 1N4729A para 3,6V, 1N4730A para
3,9V e 1N4735A para 6,2V.
Se escolhermos o 1N4735A de 1W, a máxima corrente que ele pode conduzir
é:

e a mínima corrente é aproximadamente 16 mA.

2.16 - Circuito regulador com


Zener.

No circuito da figura 3.16, a resistência RS deve ser dimensionada


considerando que o circuito mantenha a regulação mesmo que a carga varie entre
valores máximo e mínimo e ao mesmo tempo a tensão de entrada varie entre dois
limites (Vemáx e Vemín) e a potência dissipada no Zener não exceda o limite (PZmáx).
Para que o Zener regule de maneira correta, a corrente não pode cair abaixo de um
mínimo (IZmín) nem superar um valor máximo, pois nesses casos o Zener sofrerá
danos.

EXEMPLO

Considere o diodo Zener 1N4735 de 0,5W (VZ = 6,2V, I Zmáx = 80mA e IZmín =
8mA) instalado no circuito da figura 3.17. Determine os limites que pode ter RL para
que o Zener opere na região de regulação.

2.17 - Circuito regulador com


Zener.

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Solução:
Considerando que o Zener está operando normalmente (VL = VZ = 6,2V), a
corrente IS valerá sempre:

2.18 - Circuito regulador


com Zener.

O que acontece se RL diminuir seu valor? Passará a drenar maior valor de


corrente, fazendo diminuir a corrente no Zener. Portanto, pode-se admitir que RLmín
está associado à menor corrente no Zener. Vamos impor entao I Z = IZmín = 8mA.
Nessas condições, a corrente na carga RL vale:

o que significa uma resistência de:

No entanto, se RL aumentar seu valor, consequentemente a corrente na carga


diminuirá e a corrente no Zener aumentará. Por exemplo, se R L for infinito (circuito
aberto), toda a corrente em RS (96,6mA) circulará no Zener, o que resultará em sua
destruição. Para evitar isso, é necessário que exista uma resistência de carga que
drene o excesso de corrente. Consideremos agora o caso limite superior de corrente
no Zener.

2.19 - Circuito regulador


com Zener.

A corrente na carga será igual a: IL = 96,6mA – 80mA = 16,6mA, o que significa


uma resistência de:

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3 Transistores bipolares
O transistor foi desenvolvido nos laboratórios da Bell em Murray Hill, New
Jersey, Estados Unidos em 1947, pelos cientistas John Bardeen, Walter Brattain e
William Shockley. O desenvolvimento desse componente semicondutor foi de grande
relevância para a história da eletrônica e da informática, pois ele está presente em
inúmeras invenções eletroeletrônicas, modificando vertiginosamente nossa
sociedade.

3.1 Construção básica e princípio de funcionamento

O termo “transistor” é a contração de duas palavras em inglês: transfer resistor


(resistor de transferência). Existem dois tipos básicos de transistores de acordo com
o tipo de dopagem de cada terminal (base, coletor e emissor), NPN e PNP.
A figura 4.1 ilustra, de maneira simplificada, a simbologia e a estrutura interna
de um transistor bipolar. A construção física é diferente.
Analisando a figura 4.1, é possível observar que não existe simetria, isto é, as
regiões NPN não possuem as mesmas dimensões, como às vezes a literatura
sugere, e, portanto, não é possível confundir o emissor com o coletor. As áreas cinza
de cada lado da junção representam as regiões de carga espacial ou de depleção.

3.1 - Tipos de transistor e simbologia: (a) NPN e


(b) PNP.

Cada uma das regiões do transistor apresenta características próprias:


A base é a região mais estreita, menos dopada (com menor concentração de
impurezas) e extremamente fina.
O emissor é a região mais dopada (com maior concentração de impurezas),
onde são emitidos os portadores de carga (elétrons no caso de transistor NPN e
lacunas no caso de transistor PNP).
O coletor é a região mais extensa, porque é nesta que a potência se dissipa.

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3.1.1 Funcionamento

Vamos entender como um transistor funciona, tomando como exemplo o


transistor NPN, por ser o mais utilizado. De maneira simplificada, para compreender
a operação de trabalho do PNP, basta inverter o sentido das tensões e correntes.
Consideremos uma situação em que as duas junções foram polarizadas
diretamente, assim as correntes que circulam serão altas (da ordem de mA). Se as
duas junções estiverem polarizadas reversamente, todas as correntes serão
praticamente nulas. No entanto, se a junção da base com o emissor for polarizada
diretamente e a outra junção polarizada reversamente, também as correntes de
coletor e emissor serão altas, aproximadamente de mesmo valor. Como se explica
isso? Em polarização normal (como amplificador), a junção base-emissor e
polarizada diretamente e a junção base-coletor reversamente.

Na configuração ilustrada na figura 4.2, como a junção base-emissor está


polarizada diretamente, os elétrons são emitidos no emissor (que possui alta
dopagem), isto é, passa a existir uma corrente (de elétrons) indo do emissor para a
base. Os elétrons atingem a base e, por ela ser muito fina e pouco dopada, quase
todos atingem a região de carga espacial (região de depleção) da junção base-
coletor, onde são acelerados pelo campo elétrico e direcionados para o coletor. Dos
elétrons emitidos no emissor, apenas pequena parcela (1% ou menos) consegue se
recombinar com as lacunas da base, formando a corrente de base; os outros (99%
ou mais) atingem a junção do coletor. Observe que externamente o sentido indicado
e o convencional para as três correntes: de base (IB), de coletor (IC) e de emissor
(IE). A maneira como o transistor está conectado é chamada de ligação base
comum.

3.2 - Transistor: ligação base comum.

3.2 Operação do transistor

Na estrutura definida na figura 4.2 – ligação base comum –, a junção base-


emissor é polarizada diretamente e a junção base-coletor reversamente. A
polarização direta faz aparecer um fluxo de elétrons indo do emissor para a base e,
como essa região é muito estreita e com baixa dopagem, poucos elétrons se
recombinam com lacunas existentes na base (1% ou menos dos elétrons emitidos).
Quase todos os elétrons emitidos conseguem atingir a região de carga espacial da
junção base-coletor, onde são acelerados em direção ao coletor. A corrente de base
é originada da corrente das lacunas, que se difunde no emissor, e dos elétrons, que
se recombinam com lacunas na base. A corrente de base apresenta valor muito
pequeno, normalmente 200 vezes menor que a de emissor. Retorne a figura 4.2 e

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observe a indicação das três correntes do transistor, considerando o sentido


convencional.
Em um transistor podemos adotar a seguinte relação entre as três correntes:

Define-se:

como o ganho de corrente na ligação base comum. Importante: o parâmetro a


e um número sem unidade, menor que 1, porém próximo de 1 (ex.: a = 0,99).
A configuração ilustrada na figura 4.2 está agora representada pelo circuito
elétrico da figura 4.3, com o símbolo usual do transistor NPN.

3.3 - Representação por meio de


esquema elétrico de um transistor NPN do
circuito da figura 4.2.

Em um transistor podemos adotar a seguinte relacao entre as tres tensoes:

Note que a tensão é abreviada por V e que a primeira letra do índice


representa o ponto de maior potencial; por exemplo, no caso da tensão entre a base
e o emissor (VBE), a base é mais positiva. Em um transistor PNP, a notação para
essa mesma tensão é VEB.
Podemos representar o transistor como indicado na figura 4.4. Nesse caso, a
ligação é chamada de emissor comum. A polarização das duas junções continua
como antes, junção base-emissor polarizada diretamente e junção base-coletor
reversamente. A operação é a mesma da ligação base comum.

3.4 - Transistor: ligação emissor


comum.

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Para essa configuração, define-se o ganho de corrente como:

Nesse caso, o valor do parâmetro é muito maior do que 1 e também não tem
unidade (ex.: = 300).
A relação entre os dois parâmetros é dada por:

A configuração ilustrada na figura 4.4 está agora representada pelo circuito


elétrico da figura 4.5, com o símbolo usual do transistor NPN.

3.5 - Representação por meio de


esquema elétrico de um transistor
NPN do circuito da figura 4.4.

A relação entre as tensões continua valendo, ou seja:

A figura 4.6 apresenta alguns exemplos de transistores comerciais.

3.6 - Transistores comerciais.

A tabela 4.1 mostra parte da folha de dados dos transistores BC546, BC547 e
BC548 (NPN) com os principais limites.

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3.7 - Características elétricas máximas.

3.3 Curvas características de coletor

São gráficos que relacionam a corrente de coletor com a tensão entre coletor e
emissor, considerando como parâmetro a corrente de base. Essas representações
são chamadas também de curvas características de saída. No circuito representado
no gráfico da figura 4.7a, a corrente de base é fixada em determinado valor – por
exemplo, 1mA. A tensão entre coletor e emissor é variável e, para cada valor de V CE,
é atribuída uma medida de corrente de coletor. Em seguida, esses valores são
colocados em um gráfico (IC · VCE), como mostra a figura 4.7b.

3.8 - Curvas características de coletor do transistor MJE240.

Analisando o primeiro gráfico, é possível notar que na região de saturação,


para uma pequena variação em VCE, ocorre aumento demasiado de IC. Quando a
junção base-coletor passa a ser polarizada reversamente, o transistor entra na
região ativa, também chamada de região de amplificação. A partir desse ponto, a
corrente de coletor praticamente não varia quando V CE aumenta. Nessa região, o
transistor se comporta como fonte de corrente constante. Na prática, ocorre aumento
na corrente de coletor quando VCE se eleva por efeito Early. Como a polarização
reversa da junção base-coletor aumenta, a largura da região de carga espacial
avançará mais na base e, portanto, mais elétrons emitidos poderão ser capturados
em direção ao coletor.

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Para IB = 1mA, IC = 150mA, o que significa um ganho de aproximadamente:

Nessas condições, poderíamos esperar que, se IB aumentasse para 2mA, o


valor da corrente de coletor também dobraria. Isso, porem, não acontece, pois I C
aumenta aproximadamente para 260mA. Outra expectativa seria em relação às
curvas características, que deveriam estar espaçadas igualmente, mas o que se
verifica é que a separação diminui à medida que as correntes aumentam. A
explicação para esse fato é que o ganho de corrente não se mantém constante, e
sim varia conforme a corrente de coletor.
O gráfico da figura 4.9 foi obtido da folha de dados do transistor BC548 e
mostra a dependência do ganho com a corrente de coletor para dada temperatura e
tensão coletor-emissor. Observação: Muitas vezes o ganho de corrente vem com a
notação hFE, isto é, β = hFE.

3.9 - Dependência do ganho de


corrente com a corrente de coletor.

Como é possível observar na figura 4.9, o ganho de corrente β (hFE) varia com
a corrente de coletor, temperatura e tensão coletor-emissor. O gráfico do ganho de
corrente é normalizado, isto é, para a corrente de 4mA, o ganho é 100%. Para
correntes menores ou maiores que 4mA, o ganho apresenta outros valores: para
0,4mA, por exemplo, o ganho será 70% do ganho a 4mA.

3.4 Regiões de operação: reta de carga

O circuito da figura 4.10 simboliza um transistor com as curvas características


apresentadas na figura 4.8b.

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3.10 - Ligação emissor comum.

Na figura 4.9, o equacionamento do circuito de coletor resulta em:

Essa é a equação de uma reta, denominada reta de carga, que é representada


no plano IC x VCE das curvas características de coletor.

Para traçarmos essa reta, utilizamos dois pontos:

Primeiro ponto: igualando IC = 0 na equação anterior, obtemos VCE = VCC, o


que fisicamente representa o corte. Como no corte as duas junções estão
polarizadas reversamente e, portanto, todas as três correntes são muito pequenas
(nA), podemos admitir que nessas condições o transistor se comporta como uma
chave aberta (figura 4.11b).
Obs.: para cortar um transistor de Si, basta fazer VBE < 0 V; para um transistor
de Ge, VBE < –0,4V.

3.11 - Transistor no corte: (a) circuito e (b)


modelo simplificado.

Segundo ponto: fazendo VCE = 0, obtemos , o que fisicamente


representa a saturação. Na saturação, o transistor se comporta como uma chave
fechada e as duas junções estão polarizadas diretamente. Para garantirmos que o
transistor sature, temos de impor algumas condições, uma delas considerar .
No entanto, para obtermos essa condição, devemos ter IC < β · IB; como o ganho de
corrente de um transistor varia entre um mínimo e um máximo, usamos o valor
mínimo (βmín); portanto, IC < βmín · IB.

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A figura 4.12a mostra o circuito de um transistor na saturação e a figura 4.12b,


o modelo simplificado para ele (chave fechada).

3.12 - Transistor na saturação: (a) circuito e (b)


modelo simplificado.

Após a determinação desses dois pontos, devemos uni-los, traçando a reta de


carga.
Obrigatoriamente, o ponto de operação, também chamado de ponto
quiescente, representado por Q (valores de IBQ, ICQ, VCEQ), estará sempre sobre a
reta de carga.

3.13 - Curvas característica de coletor com a reta de


carga.

No gráfico da figura 4.13, observe que, no ponto Q, temos I BQ = 2mA, ICQ =


273mA e VCEQ = 4,6V. Os limites da reta de carga são a saturação, quando V CE = 0,
e o corte, quando IB = 0. Entre esses dois pontos (saturação e corte), o transistor
opera como amplificador, isto é, a relação entre IC e IB é dada por IC = β · IB. Nessa
região (região ativa), o transistor é usado como amplificador.
Para entender como o transistor passa a funcionar como amplificador,
considere o circuito apresentado na figura 4.14a. Nessa situação, um pequeno valor
de tensão alternada é somado à tensão de polarização V BB. Desse modo, no
semiciclo positivo, a corrente de base se eleva acima de IBQ, fazendo a corrente de
coletor aumentar proporcionalmente e a tensão de coletor diminuir. A tensão obtida
no coletor costuma ser maior do que a tensão aplicada na base, ou seja, houve

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amplificação de tensão. Além disso, essa configuração causa defasagem de 180° na


tensão de saída em relação à de entrada. O gráfico da figura 4.14b mostra essa
operação.

3.14 - Amplificação: (a) circuito e (b) análise


gráfica.

Com base nessa análise, podemos concluir que o ponto de operação (Q) deve
ser bem localizado para que seja possível obter a máxima saída de pico a pico sem
distorção. A melhor localização é no meio da reta de carga ( , pois permite
um valor VCC de máxima saída. Observe os três casos representados na figura
4.15. No primeiro (figura 4.15a), a máxima saída de pico a pico possível é de 10V,
antes que ocorra o ceifamento (distorção) por saturação ou corte; nos outros dois
(figuras 4.15b e 4.15c), é de 4V – em ambos os casos, se a entrada aumentar, o
sinal de saída distorcerá.

3.15 - Influência da localização do


ponto Q: (a) meio da reta, (b) próximo da
saturação e (c) próximo do corte.

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3.5 Potência dissipada: dissipadores

Em um transistor, a maior parte da potência é dissipada no coletor. A potência


dissipada é calculada aproximadamente por:

Em relação à capacidade de dissipar potência, os transistores podem ser


classificados em três tipos: de baixa potência (ex.: BC548 e BC109), de média
potência (ex.: BD140 e TIP41) e de alta potência (ex.: 2N3055). A figura 4.16 mostra
os principais encapsulamentos de transistores de baixa, média e alta potência.
Observe que os encapsulamentos preveem local para a colocação do dissipador –
alguns apresentam furos que facilitam a união entre o transistor e o dissipador.

3.16 - Encapsulamentos usuais.

Como vimos, os semicondutores são sensíveis às variações de temperatura.


Uma das maneiras de amenizar a ação do excesso de temperatura nesses
dispositivos é fixar ao corpo do transistor uma placa metálica chamada dissipador de
calor. Os dissipadores de calor usados em eletrônica são feitos de alumínio ou
cobre. Os dissipadores de alumínio são mais baratos, porém menos eficientes que
os de cobre.
Por vezes, o dissipador está acoplado a um pequeno ventilador, chamado
cooler, que auxilia na retirada do ar quente para o meio externo. A figura 4.17 mostra
o sistema de arrefecimento da CPU de um computador. Observe que esse sistema é
constituído de um dissipador fixado à CPU por parafusos e pasta de silicone, que
facilita a transferência de calor e elimina as bolhas de ar, e de um cooler, que aspira
o ar quente próximo ao dissipador.

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3.6 Conexão Darlington

Conexão Darlington é uma ligação realizada entre dois transistores quando se


deseja obter um transistor equivalente com valor de ganho de corrente elevadíssimo.

3.18 - (a) Conexão Darlington


e (b) transistor equivalente.

O transistor equivalente tem ganho de corrente igual a β = β1 · β2 , em que β 1


e β2 são os ganhos dos transistores TR1 e TR2, respectivamente. A tensão base-
emissor quando em condução vale VBE = VBE1 + VBE2.
Esse tipo de conexão é usado na saída de estágios de potência, em fontes de
alimentação e em qualquer situação em que for necessário obter variações de
corrente extremamente baixas com fornecimento de grandes correntes.

3.7 Circuitos de polarização

Polarizar um transistor significa determinar valores de tensão e corrente que se


mantenham estáveis de acordo com a temperatura de trabalho, o desgaste das
partes internas características de vida útil do componente e a própria substituição do
componente. Ao polarizar um transistor, é preciso levar em conta que valores de
ponto de operação (ponto Q, quiescente) estabelecidos devem garantir baixo grau

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de distorção, de modo a não prejudicar o sinal amplificado.


Considerando amplificadores de pequenos sinais, a melhor localização do
ponto Q é no meio da reta de carga, isto é, a tensão coletor-emissor (VCE) deve
medir aproximadamente metade da tensão da fonte (V CC). Isso garantirá que a saída
de pico a pico seja a máxima possível e sem distorção do sinal. A seguir
apresentam-se dois tipos de polarização: por corrente de base constante e por
divisor de tensão na base.

3.7.1 Polarização por corrente de base constante

É o circuito de polarização mais simples e consiste em aplicar uma corrente


constante na base, como exemplificado na figura 4.19.

3.19 - Circuito de
polarização por corrente de
base constante.

O cálculo dessa corrente é determinado por:

Como a corrente de coletor é dada por IC = β· IB, então:

Como o ganho de corrente de uma família de transistor pode variar entre um


valor mínimo e um valor máximo, podemos concluir que esse tipo de polarização é
altamente instável com a troca de transistor e temperatura.

3.7.2 Polarização por divisor de tensão na base

O circuito de polarização por corrente de base constante explicado na seção


anterior apresenta algumas características importantes que devem ser levadas em
conta. Esse tipo de polarização, além de depender muito do valor β, apresenta alta
instabilidade com o aumento de temperatura. Isso pode acarretar um efeito
conhecido por disparo térmico, ou seja, um ciclo em que, a cada aumento de
temperatura, ocorre uma elevação de corrente e, consequentemente, outro aumento

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de temperatura.
É possível, porém, polarizar o transistor de maneira que não fique vulnerável à
variação de β. Na configuração da figura 4.20, chamada de circuito de polarização
por divisor de tensão na base, a realimentação negativa em CC estabiliza o ponto Q,
isto é, quando a temperatura aumenta, a corrente de emissor e a tensão V E também
aumentam. No entanto, como a tensão na base (VB) é constante, obrigatoriamente
VBE diminui, despolarizando a base e reduzindo as correntes que tinham aumentado
com a temperatura. Claramente, o circuito possui um controle interno por causa
dessa realimentação.

3.20 - (a) Circuito de polarização por divisor de


tensão na base e (b) circuito com equivalente na base.

Para analisar o circuito, tomemos o equivalente Thevenin na base (figura


4.20a):

Observando o circuito equivalente da figura 4.20b, temos as seguintes


equações na malha de entrada:

e, como e :

resultando:

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Se calcularmos os componentes de forma que , então:

Portanto, teremos um circuito no qual o ponto de operação (corrente de coletor)


não depende de β.
A seguir, descrevem-se os passos para determinar os valores das resistências
do circuito de polarização de divisor de tensão na base. Essas orientações são de
caráter essencialmente prático, e pode-se ate afirmar que constituem uma “receita”,
com fundamentação teórica nas expressões anteriores.
Em geral, são especificados a tensão de alimentação (VCC), a corrente
quiescente de coletor e o transistor que será utilizado; portanto, são conhecidos βmín
e βmáx.
Para que toda a “receita” tenha validade, devemos admitir que o valor da
corrente de base é muito menor que o da corrente através do divisor de tensão,
como se a base estivesse “aberta”.

PASSOS PARA DETERMINAR OS VALORES DO DIVISOR


1. Adotar os seguintes percentuais da tensão de alimentação:
VCE = 0,5 · VCC, VRE = 0,1 · VCC e VRC= 0,4 · VCC
2. Como IC é conhecido, é possível calcular RE:

3. Como IC = IE e VRC = 4 · VRE, então RC = 4 · RE.


4. R2 ≤ 0,1 · βmín · RE (em geral, escolhe-se um valor igual a 0,1 · βmín · RE. Em
momento oportuno vamos avaliar que a escolha de um valor muito baixo para R 2
leva a uma diminuição na impedância de entrada). Não faremos a dedução dessa
expressão, mas ela é intuitiva, ou seja, R2 não pode ser de grande valor, pois nesse
caso a condição de corrente de base desprezível não seria verdadeira.
5. Conhecido o valor de R2 para calcular R1, é preciso lembrar que os dois
resistores estão em série, portanto:

em que U2 = 0,7 + VRE e U1 = VCC – U2.

Exemplo
Projete um circuito de polarização por divisor de tensão na base, considerando
os valores da tensão de alimentação, o tipo de transistor e o valor da corrente de
coletor.

Dados: VCC = 12V, βmín = 100 e ICQ = 5mA.

Solução:
VRE = 0,1 · VCC = 0,1 · 12V = 1,2V

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Então:

Valores adotados: RE = 220Ω, RC = 820Ω, R2 = 2k2 e R1 = 12kΩ.


Esses valores são comerciais e próximos dos valores calculados.

3.8 Reguladores de tensão

Na maioria dos casos, a tensão senoidal deve ser retificada e filtrada antes de
alimentar um circuito com componentes eletrônicos. Hoje, as fontes retificadoras
fornecem tensão de saída com baixos valores de ripple, porém alguns componentes
eletrônicos não suportam nenhum valor mínimo de ripple. Nesses casos,
recomenda-se a utilização de reguladores de tensão para amenizar a variação da
tensão contínua que alimenta o circuito eletrônico. Os circuitos reguladores de
tensão podem ser construídos utilizando-se transistores e circuitos integrados
específicos.

3.8.1 Regulador de tensão em série

Sabe-se que o diodo Zener é um regulador de tensão que pode ser instalado
em paralelo com a carga. Nessas condições, enquanto a corrente no Zener estiver
dentro da faixa de regulação, a tensão de saída na carga se mantêm praticamente
constante.
O regulador de tensão em série consiste basicamente no regulador Zener da
figura 4.21a, acrescido de um seguidor de emissor (amplificador coletor comum).
As figuras 4.21b e 4.21c ilustram o circuito desse regulador. Observe que o
circuito da figura 4.21c é essencialmente o mesmo da figura 4.21b.

3.21 - (a) Regulador com Zener; (b) e (c) circuitos de


regulador de tensão em série com transistor.

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Os reguladores de tensão em série apresentam vantagens quando


comparados aos reguladores de tensão em paralelo, principalmente considerando
que nos circuitos em série somente o Zener utilizado pode ser de menor potência e o
valor de impedância de saída, baixo, características técnicas importantes para uma
fonte retificadora.

Exemplo
A figura 4.22 apresenta um circuito com regulador de tensão em série.
Considerando os dados a seguir, calcule VL, VCE, IZ, PZ, PTR, PRs e IC.
Dados: VBE = 0,7V e β = 100.

3.22 - Regulador de
tensão em série com
transistor.
Solução:
A tensão em RS é 15V – 6V = 9V; portanto, o valor da corrente sobre RS será:

A tensão na carga é 6V – 0,7V = 5,3V; portanto, a corrente na carga vale:

A corrente de base vale e a corrente no Zener, IZ = 60mA


– 0,53mA = 59,47mA.
A potência dissipada é PZ = 6V · 59,47mA = 356,82mW.
A tensão entre coletor e emissor vale VCE = 15V – 5,3V = 9,7V e a potência
dissipada, PTR = 9,7V · 53mA = 514,1mW. A potência dissipada em R S é PRs = 9V ·
60mA = 540mW.

3.8.2 Reguladores de tensão integrados de três terminais

São reguladores que requerem poucos ou nenhum componente externo para


viabilizar sua operação. Estão disponíveis em diversos valores de tensão e corrente,
e em vários modelos de encapsulamento; o mais comum é o TO-220.

REGULADOR DE TENSÃO FIXA


O regulador integrado de três terminais é um circuito que fornece uma tensão
altamente regulada a partir de uma tensão qualquer (em geral, é utilizado na saída
de um retificador com filtro). Esse componente pode fornecer tensões reguladas
positivas ou negativas com valores entre 5V e 24V. Uma de suas aplicações é na

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construção de um regulador no local, pois ele elimina problemas associados à


distribuição das tensões quando existe uma única fonte de alimentação. Os
reguladores integrados possuem proteção interna contra sobrecarga de corrente e
elevação de temperatura. Estão disponíveis em vários encapsulamentos. Os
modelos mais conhecidos são o TO-220 e o TO-3, com capacidade de corrente de
ate 2A (deve-se consultar o datasheet, pois, dependendo do fabricante, esse valor
pode mudar).
As principais famílias de reguladores integrados de três terminais são:
• 78XX: reguladores de tensão fixa positiva;
• 79XX: reguladores de tensão fixa negativa.
Observação: XX representa o valor de tensão regulada na saída. Por exemplo:
7805 fornece na saída uma tensão regulada de 5V e 7912, tensão regulada de –
12V.
A figura 4.23 mostra a pinagem para encapsulamento TO-220 para reguladores
da família 78XX e 79XX. Os reguladores 78XX e 79XX têm pinagem diferente um do
outro e, caso a corrente solicitada esteja próxima da máxima, deve ser usado um
dissipador de calor.

3.23 - Encapsulamentos TO -220 para reguladores


(a) 78XX e (b) 79XX.

A figura 4.24a apresenta a configuração básica para esses reguladores. É


importante enfatizar que, para funcionamento adequado, a tensão mínima de
entrada deve ser 2,5V maior do que a tensão nominal do regulador. Assim, no caso
do regulador 7805, para obter 5V na saída, o valor de entrada mínimo tem de ser
7,5V. Existe também um valor de tensão de entrada máximo, que, em geral, não
pode exceder 30V (é importante consultar o valor exato no datasheet do fabricante).
Recomenda-se o uso dos capacitores C1 e C2, porém, sem eles, o circuito funciona.
O C1 deve ser utilizado quando o capacitor do filtro do retificador estiver fisicamente
distante do regulador e o capacitor C2 melhora a resposta transiente de proteção
contra ruídos.
O circuito da figura 4.24b apresenta um regulador para tensão positiva com
reforço de corrente na saída. Nesse modelo, a corrente de saída (I L) é calculada por:

em que β é o ganho de corrente do transistor (média ou alta potência) e I REG a


corrente no regulador.

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3.24 - (a) Circuito básico para reguladores de saída fixa positiva


ou negativa e (b) saída de alta corrente.

A figura 4.30 mostra uma aplicação do regulador KA78XXE como fonte de


corrente. Observe que a tensão regulada (VXX) fornecida pelo componente é
aplicada no resistor R1, e, portanto, a corrente e a tensão em R1 são constantes.
Desse modo, a corrente na carga também será constante e valerá:

em que VXX é a tensão regulada – para o circuito integrado 7805, por exemplo,
VXX = 5V – e IQ a corrente de polarização, normalmente da ordem de μA.

3.25 - Regulador de corrente


constante.

REGULADOR DE TENSÃO AJUSTÁVEL

Esse regulador (figura 4.26) fornece uma tensão de referência da ordem de


1,25V e é indicado para a construção de fontes ajustáveis. Existe grande variedade
de modelos, entre os quais o mais conhecido é o LM317, que fornece até 1A de
corrente (dependendo do encapsulamento) na faixa de tensão entre 1,25V e 35V.
Esse modelo necessita de um circuito com dois resistores e possui proteção
contra sobrecorrente e sobrecarga térmica.

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O LM317 gera uma tensão de referência fixa de 1,25V entre o terminal de


saída (OUT) e o terminal de ajuste (ADJ). Em uma primeira análise, se
considerarmos a corrente de polarização (IADJ) desprezível em relação às outras
correntes, podemos afirmar que I1 = I2. Então, equacionando na malha de saída,
temos:

Se levarmos em conta IADJ, devemos incluir na expressão acima o termo R2 ·


IADJ. É importante ressaltar que as resistências R1 e R2 devem ter valores baixos
para garantir que a corrente de polarização seja desprezível. Uma aproximação
razoável é considerar que a soma das duas resistências não exceda 5kΩ.
As funções dos demais componentes do circuito apresentado na figura 4.26b
são as seguintes:
C1: não é funcional, mas recomendado, em especial se o filtro do retificador
não estiver próximo do regulador.
C2: melhora a resposta transiente e deve ser usado, principalmente, para
prevenir que ruídos prejudiquem o funcionamento de dispositivos ligados na saída
do regulador.
C3: melhora a rejeição ao ripple da fonte, sobretudo quando o ajuste é feito
com ganho elevado. Caso esse capacitor seja usado, é melhor colocar os diodos de
proteção.
D1 e D2: são utilizados para providenciar um caminho de baixa impedância
caso a entrada seja zero, evitando que os capacitores se descarreguem na saída do
circuito integrado.

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4 Transistor de Efeito de Campo


O transistor efeito de campo (FET, Field Effect Transistor) é um dispositivo que
controla o fluxo de corrente por meio da tensão aplicada em um de seus terminais,
diferentemente do transistor bipolar (BJT, Bipolar Junction Transistor), em que o
fluxo de corrente depende da corrente aplicada em seus terminais. O princípio de
funcionamento desse dispositivo está baseado na modulação aplicada em seus
elementos (portas), que vai controlar a corrente que circulará em uma região
denominada canal.
Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo: MOSFET (Metal-
Oxide-Semiconductor FET), também chamado de IGMOS (Insulated Gate MOS) ou
transistor MOS, e JFET (Junction FET). Os MOSFETs são mais usados,
principalmente em circuitos integrados e como dispositivos de potência. Esses
transistores podem ser encontrados com polaridades de canal N e canal P.
Existem muitas diferenças entre o transistor de efeito de campo e o transistor
bipolar; as principais são:
• Controle do fluxo da corrente: no FET é por tensão e no BJT por corrente.
• Impedância de entrada: no FET é muito alta (> 1 MΩ) e no BJT baixa (por
causa da junção PN polarizada diretamente).
• Tipo de portador: no FET é um elétron livre ou lacuna e no BJT são elétrons e
lacunas.
• Ganho de tensão: no FET é menor do que no BJT.

4.1 Transistor de Efeito de Campo de Junção

A figura 5.1a mostra, de maneira simplificada, a estrutura física de um


Transistor de Efeito de Campo de Junção canal N. As figuras 5.1b e 5.1c ilustram a
simbologia para canal N e canal P, respectivamente. Observe que o dispositivo tem
três terminais: o dreno (D, drain em inglês), a fonte (S, source) e a porta (G, gate). A
dopagem da região da porta é muito maior do que a do canal; desse modo, a região
de depleção (região de carga espacial) será muito maior do lado do canal.
Observe nas figuras 5.1b e 5.1c que a posição da seta no meio ou próxima à
fonte pode sugerir que é possível trocar o dreno pela fonte, o que é permitido em
alguns modelos, mas não em todos; a simbologia em que a seta está mais próxima à
fonte identifica os dispositivos que permitem essa troca. Na literatura sobre o tema, é
possível encontrar as duas simbologias. O sentido da seta indica o sentido de
condução, como em um diodo comum de junção ponte-canal (PN).

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4.1 - a) Estrutura física de JFET canal N,


b) simbologia para JFET canal N e c)
simbologia para JFET canal P.

Para entendermos o funcionamento, vamos analisar o modelo JFET canal N.


Para o modelo JFET canal P, basta inverter o sentido da corrente e das tensões.
Consideremos inicialmente, na figura 5.2a, a tensão V DS = 0 e a tensão VGS
polarizando reversamente a junção PN. Nessas condições, o canal entre o dreno e a
fonte está totalmente aberto e com determinado valor de resistência. Como a tensão
aplicada nessa resistência é zero, a corrente também é zero (ID = 0). Se elevarmos a
tensão de porta, a polarização reversa aumenta, o que faz a região de carga
espacial avançar no canal até fechá-lo totalmente (figura 5.2b). Observe que a
região de depleção avança mais no canal do que no lado da porta, porque a
dopagem da porta é maior.

4.2 - a) Polarização da porta com tensão negativa e b)


fechamento total do canal.

O valor da tensão de porta (VP) que provoca o fechamento total do canal é


chamada de tensão de pinçamento (pinch-off, em inglês), apresentando valor
negativo para canal N e positivo para canal P.
Agora, vamos considerar VGS = 0 e aplicar uma tensão entre o dreno e a fonte
com a polaridade indicada na figura 5.3. O que acontece com a corrente quando V DS
varia?
Inicialmente, como o valor de VDS é baixo, a região do canal praticamente não
se altera e, dentro de certos limites, o dispositivo se comporta como resistência

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(figura 5.3a). À medida que VDS aumenta (figura 5.3b), a corrente de dreno se eleva,
causando queda de tensão ao longo do canal e seu afunilamento. A corrente de
dreno provoca entre o ponto A e a fonte uma tensão VA e entre o ponto B e a fonte
uma tensão VB, ou seja, VA > VB. Essas tensões são aplicadas na junção de maneira
reversa, e no ponto onde a tensão reversa é maior a região de carga espacial
avança mais no canal, isto é, o estreitamento é maior próximo ao dreno.

4.3 - a) Polarização do dreno com tensão pequena (0,1V) e b)


pinçamento atingido (Vp).

O estreitamento máximo ocorre quando o valor da tensão de dreno é igual (em


módulo) à de pinçamento. Se a tensão de dreno continua aumentando, o dispositivo
passa a se comportar como fonte de corrente constante. Isso porque as regiões de
carga espacial não se unem e o estreitamento aumenta ao longo do canal (figura
5.4). Desse modo, a corrente de dreno se mantém aproximadamente constante em
IDSS. Na prática, existe pequeno aumento em ID quando VDS se eleva além de VP. Se
a tensão de dreno continuar aumentando, provocará a ruptura da junção, destruindo
o dispositivo. Essa tensão é designada por BVDSS.

4.4 - Aspecto do canal quando a


tensão de dreno aumenta além de
Vp.

4.1.1 Curvas características de dreno

A figura 5.5 ilustra o gráfico do comportamento do JFET canal N com VP = –2V,


VGS = 0 e tensão de dreno variando. Quando V DS = 0, a corrente de dreno ID também
é zero. Conforme VDS aumenta e se mantém com valor menor que V P, o

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comportamento é o de um resistor, isto é, se a tensao de dreno se eleva, o valor da


corrente de dreno aumenta proporcionalmente. A região de operação é chamada de
região ôhmica. À medida que a tensão de dreno se aproxima da tensão de
pinçamento, o canal se aproxima do estreitamento máximo e a curva começa a se
inclinar. Se a tensão aumenta além desse valor, a variação da corrente de dreno
praticamente não existe. Diz-se que o dispositivo entrou na região de saturação ou
de amplificação. O significado de saturação no FET é diferente do que no transistor
bipolar. O valor da tensão de dreno para a qual ocorre o pinçamento máximo é V DS =
2V = |VP|.
Vamos considerar um exemplo em que a tensão de porta e V GS = –1V e a
tensão de dreno está variando. Nesse caso, obtêm-se uma curva semelhante à da
figura 5.5, porém com valor de corrente na saturação menor do que IDSS.

4.5 - Curva característica de dreno para VGS = 0 V para


JFET com Vp = –2V.

A figura 5.6 mostra a curva característica de dreno para alguns valores de


VGS. Observe que elas não são equidistantes nem lineares.

4.6 - Curva característica de dreno para diversos


valores de VGS.

4.1.2 Curva característica de transferência

Consideremos, para o gráfico da figura 5.7a, um dispositivo com VDS = 4 V.


Associado a cada valor de VGS existe um valor de ID. Se desenharmos o gráfico de ID

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· VGS, obteremos a curva característica de transferência, pois os valores de entrada


são transferidos para a saída. A figura 5.7a mostra como obter nas curvas
características de dreno os dados para traçar o gráfico da figura 5.7b.

4.7 - Curvas características de dreno.

A equação que relaciona corrente de dreno com tensão de porta é dada


aproximadamente por:

em que IDSS é a corrente de dreno na saturação para VGS = 0 e VP a tensao de


pinçamento.

4.1.3 Exemplo de JFET comercial

Vamos considerar apenas um exemplo de JFET comercial, o BF245A. A figura


5.8 mostra a pinagem e o aspecto desse dispositivo; na tabela da figura 5.9,
encontram-se os limites máximos; e a tabela da figura 5.10 apresenta algumas
características elétricas.

4.8 - Aspecto
físico do JFET BF245A,
com encapsulamento TO-
92.

4.10 - Limites máximos do JFET BF245A (TC = 25°C).

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4.2 Transistor MOSFET

Como já visto, existe mais de um tipo de transistor de efeito de campo. O


transistor de junção (JFET) usa a tensão reversa aplicada em uma junção PN para
variar a largura da região de carga espacial na região do canal, alterando, desse
modo, sua condutividade. O outro tipo de transistor de efeito de campo é o MOSFET
(Metal-Oxide-Semiconductor FET) ou IGFET (Insulated Gate FET). Esse dispositivo
controla também a condutividade do canal condutor por meio da tensão aplicada
entre o canal e a porta, criando um caminho que conecta o dreno e a fonte com um
isolante. Assim, mesmo invertendo a tensão, não haverá corrente de porta.
Existem basicamente dois tipos de MOSFET: depleção e intensificação;
crescimento ou acumulação (enhancement), cada um deles podendo ter canal N ou
canal P.
A figura 5.11 mostra a estrutura simplificada e a simbologia de dois MOSFETs
tipo intensificação, um canal N e outro canal P.
O MOSFET é fabricado com uma base chamada substrato (no caso de
MOSFET canal N, essa região é P). Duas regiões fortemente dopadas tipo N são
criadas no substrato, originando o dreno e a fonte. Uma camada isolante de dióxido
de silício ultrapuro com espessura entre 3nm e 20nm é depositada sobre a região do
substrato entre o dreno e a fonte. No início da indústria eletrônica, aplicava-se uma
camada de metal (o M de MOSFET) sobre a camada de dióxido.
Atualmente, para atender as necessidades tecnológicas, essa camada é de
silicio policristalino.

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Na maior parte das aplicações, o substrato é ligado à fonte (S), o que não
altera o funcionamento do circuito. Existem casos em que o substrato pode funcionar
como uma segunda porta, fazendo com que uma tensão aplicada no substrato altere
a corrente de dreno. Em nossas análises, consideraremos o substrato sempre ligado
à fonte.

4.2.1 Funcionamento do MOSFET tipo crescimento

Para entendermos a operação desse dispositivo, vamos considerar o MOSFET


tipo crescimento canal N da figura 5.12, que mostra a polaridade das tensões (V GS e
VDS) e o sentido da corrente de dreno (ID).
Com a aplicação de uma tensão positiva na porta, os elétrons (minoritários) do
substrato são atraídos para a região abaixo do óxido de porta e as lacunas livres do
substrato se movem para baixo. Na região de silício abaixo da porta, quando a
densidade de cargas livres negativas for maior do que a de positivas, será induzido
um canal condutor, ligando a região da fonte à do dreno. Nessa condição, o valor da
tensão de porta resultante é chamado de tensão de limiar (threshold voltage, V T). O
valor de VT é controlado durante a fabricação do dispositivo, podendo variar de 1V a
5V. Quanto maior a diferença de tensão entre os valores de V GS e de VT, maior será
a indução de cargas negativas no canal, o que, consequentemente, aumentará a
condutividade do canal, ou seja, a condutividade do canal é proporcional a V GS – VT.
Portanto, a corrente de dreno é controlada pelo valor da tensao de porta.

4.12 - MOSFET tipo


crescimento com tensões de
polarização.

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Se levarmos em conta o aumento da tensão V DS, a corrente de dreno se


elevará, e, inicialmente para pequenos valores de V DS, a corrente de dreno será
proporcional à tensao de dreno. O transistor, então, se comportará como resistência
controlada por tensão. Aumentando o valor de VDS, para VDS = VGS – VT = VDSsat
(tensão de saturação), o canal próximo ao dreno ficará muito estreito (figura 5.13).

4.13 - MOSFET tipo


crescimento com VGS VT e
VDS = VGS – VT = VDSsat.

Continuando a análise, vamos considerar a tensão de dreno aumentando além


da tensão de saturação. Nesse caso, observaremos o estreitamento aumentando no
sentido da fonte (figura 5.14), e, a partir desse valor, a corrente de dreno ficará
praticamente constante.

4.14 - MOSFET tipo crescimento


com VGS > VT e VDS > VGS –
VT.

A figura 5.15 mostra a curva de dreno para um valor de VGS e as três regiões
de operação (triodo, saturação e corte).

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4.15 - Regiões de operação do


MOSFET.

A figura 5.16a apresenta as curvas de dreno para um transistor com V T = 1V, e


a figura 5.16b, a operação com baixo VDS, demonstrando que é possivel utilizar esse
dispositivo como resistência controlada por tensão.

4.16 - a) Curvas características de dreno MOSFET tipo crescimento


canal N e b) operação do MOSFET como resistência controlada por
tensão.

A figura 5.17 mostra a curva de transferência ou de transcondutância. A parte


inicial da curva representa o momento em que VGS = VT. Quando VGS é menor do
que VT, a corrente de dreno é praticamente nula. Quando é maior, o dispositivo entra
em condução e a corrente de dreno passa a ser controlada pela tensão de porta.
A corrente para VGS ≤ 0 é muito pequena, da ordem de alguns nA. Quando V GS
> 0, a corrente de dreno se eleva devagar e depois acentuadamente com o aumento
de VGS. O fabricante indica um valor de tensão de porta para o qual a corrente de
dreno atinge determinado valor – por exemplo, 20μA. A corrente ID (on) representa o
valor máximo da corrente de dreno e VGS (on), o valor de tensão de porta
correspondente. A relação entre a corrente de dreno e a tensão de dreno é
aproximadamente quadrática, isto é:

em que a constante K está relacionada com parâmetros físicos.

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4.17 - Curva característica de


transferência.

4.2.2 Funcionamento do MOSFET tipo depleção

Quando estudamos o JFET, vimos que a condutividade do canal pode ser


alterada aumentando a polarização reversa, isto é, fazendo com que a região de
depleção (região desprovida de portadores de cargas livres) avance sobre o canal.
A figura 5.18 mostra a estrutura simplificada e a simbologia de dois MOSFETs
tipo depleção, um canal N e outro canal P. Observe que eles possuem um canal
ligando o dreno à fonte, isto é, mesmo sem tensão de porta haverá corrente de
dreno.

4.18 - Estrutura física de MOSFETs tipo depleção: a) canal N e


b) canal P, com as respectivas simbologias.

A figura 5.19 ilustra a operação de acordo com VGS no modo depleção.

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4.19 - MOSFET tipo depleção canal N operando com: a) VGS = 0, b) VGS >
0 e c) VGS < 0.

Quando a porta é positiva em relação ao canal, os elétrons são atraídos do


substrato, aumentando a condutividade do canal (figura 5.19). Quando a porta é
negativa, os elétrons são repelidos para fora do canal, diminuindo a condutividade
deste. Se a tensão de porta é suficientemente negativa, o estreitamento do canal
pode atingir o valor máximo, anulando a corrente de dreno. A figura 5.20 apresenta
as curvas características de dreno. Analisando-as, é possível verificar como ocorre a
variação de tensão nos modos depleção e crescimento.

4.20 - Curvas características de dreno


MOSFET tipo depleção canal N.

A figura 5.21 mostra a curva de transferência ou de transcondutância.

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4.21 - Curva característica de


transferência.

4.2.3 MOSFET de potência

A invenção do MOSFET de potencia veio suprir a deficiência dos transistores


bipolares de potência utilizados em eletrônica (transistores de potência são aqueles
que suportam correntes de no mínimo 1A).
Os transistores bipolares de potência sao controlados por corrente. Assim, para
controlar uma corrente de valor elevado, e necessaria uma corrente de base
relativamente alta. Para cortar o transistor com rapidez, a corrente reversa de base
deve ter valor elevado, porém, por possuir lacunas como portadores de carga, o
tempo para mudança de estado também aumenta. Os MOSFETs podem operar com
grandes velocidades de comutação quando ligados em tensões abaixo de 200V.
Os MOSFETs de potência têm aparência diferente dos outros transistores e,
por isso, são chamados de MOSFETs verticais (V-MOS, do inglês vertical MOSFET).
Há vários tipos de MOSFETs, projetados para diversas aplicações. Um deles,
por exemplo, de estrutura similar à do transistor tradicional, é usado especificamente
nos estágios de saída de amplificadores de áudio.
A figura 5.22 mostra a pinagem, o aspecto e algumas características elétricas
do MOSFET de potência IRF2804S-7P, para uso automotivo, e a tabela da figura
5.23, os limites máximos do componente.

4.22 - Aspecto físico e algumas características elétricas do


IRF2804S-7P.

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5 Amplificadores Operacionais
Os amplificadores operacionais, também denominados AO’s ou AMPOP’s são
circuitos eletrônicos com características que se aproximam às de um amplificador de
sinais ideal. O amplificador operacional (AO) foi desenvolvido na década de 1960.
De início montado em uma placa com componentes discretos (transistores,
resistores e capacitores), hoje, com o avanço da indústria eletrônica e o
desenvolvimento de dispositivos minúsculos, é construido em circuitos integrados,
conhecidos por chips (pastilhas de silício), com dezenas de transistores e outros
componentes de pequenas dimensões.

5.1 - Aspecto de um CI amplificador


operacional genérico.

Os amplificadores operacionais têm diferentes aplicações em eletrônica, como:


• Amplificadores lineares – Trata-se de sua principal aplicação, nos casos em
que é necessário obter ganho estável independentemente da temperatura, tempo e
mudanças no ganho de tensão em malha aberta.

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• Amplificadores não lineares – Amplificam o sinal de uma polaridade e não da


outra – por exemplo, em retificadores de precisão.
• Comparadores – Por apresentarem altíssimo ganho, possibilitam que a saída
seja alterada de nível alto para baixo ou vice-versa, quando as tensões de entrada
estão em valores próximos a décimos de mV.
• Filtros – Permitem maior seletividade do filtro, pois é possível obter
atenuações maiores do que 20dB/década, impedância de entrada muito alta e de
saída muito baixa, não havendo, portanto, necessidade de efetuar casamentos de
impedância. Possibilidade de ganho de tensão.
• Amplificadores logarítmicos – Usados quando na malha de realimentação há
dispositivos não lineares, como diodos e transistores, proporcionando relação
logarítmica entre a saída e a entrada. Esses circuitos são chamados muitas vezes
de compressores e expansores (comuns em circuitos de áudio ou vídeo).
• Multivibradores – São basicamente os circuitos biestável, monoestável e
estável.
A grande vantagem em relação aos circuitos digitais é que a alimentação pode
ser maior, oferecendo, portanto, a possibilidade de adicionar potência.
• Geradores de forma de onda – Geram diferentes formas de onda: senoidais,
quadradas (tempos alto e baixo variáveis) e triangulares (inclinações positiva e
negativa variáveis).
A denominação “Amplificador Operacional” origina-se do fato de que estes
circuitos eletrônicos foram utilizados inicialmente para realizar operações
matemáticas como adição, subtração e multiplicação.
O símbolo utilizado para representar o Amplificador Operacional é um triângulo
que aponta no sentido do fluxo do sinal. Ao triângulo são acrescentados terminais
que representam os pontos de conexão com o circuito externo, de acordo com a
figura 6.2.

5.2 - Terminais do Amplificador


Operacional.

Os Amplificadores Operacionais na maioria das aplicações são alimentados por


duas tensões simétricas, por exemplo +15V e -15V:

5.3 - Alimentação do Amplificador


Operacional.

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Isto está relacionado com a necessidade que o Amplificador Operacional tem


de produzir sinais positivos ou negativos. Contudo, internamente o Amplificador
Operacional obtém o 0V, como apresentado na figura 6.4:

5.4 - Geração de 0V
internamente ao Amplificador
Operacional.

Independente disso, os componentes ou circuito externos ao Amplificador


Operacional podem estar conectados ao 0V (GND ou terra), o que pode ser obtido
no terminal 0V da fonte simétrica, de acordo com a figura 6.5.

5.5 - Exemplo de circuito com


Amplificador Operacional.

5.1 Terminais de entrada e resposta associada

A principal finalidade de um Amplificador Operacional é realizar uma


amplificação tanto de tensões contínuas quanto alternadas. Em relação às duas
entradas de sinais dos Amplificadores Operacionais, podemos definí-las da seguinte
forma:

ENTRADA INVERSORA (-)


Para sinais aplicados à essa entrada, o Amplificador Operacional se comporta
como um amplificador com RELAÇÃO DE FASE DE 180O entre saída e entrada, isto
é, se o sinal aplicado na entrada inversora (-) torna-se mais positivo, o sinal da
saída torna-se mais negativo.

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5.6 - Resposta associada a um sinal de entrada aplicado à entrada


inversora.

ENTRADA NÃO INVERSORA (+)


Para sinais aplicados à essa entrada, o Amplificador Operacional se comporta
como um amplificador com RELAÇÃO DE FASE DE 0O entre saída e entrada, isto é,
se o sinal aplicado na entrada inversora (-) torna-se mais positivo, o sinal da saída
torna-se mais positivo.

5.7 - Resposta associada a um sinal de entrada


aplicado à entrada não inversora.

5.2 Características principais dos Aplificadores Operacionais

IMPEDÂNCIA DE ENTRADA
O Conceito de impedância nos traz que essa é a carga resistiva total de um
circuito em corrente alternada.
A impedância de entrada de um Amplificador Operacional é a impedância que
existe entre os terminais de entrada do dispositivo, à que se denomina Z i:

5.8 - Representação da impedância de


entrada de um Amplificador
Operacional.

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Um Aplificador Operacional ideal deve apresentar impedância de entrada


infinita ( ). Essa característica determina que as entradas do Amplificador
Operacional não absorvem corrente.

Como :

IMPEDÂNCIA DE SAÍDA
Pode ser representada como um resistor em série com a saída do Amplificador
Operacional, à que é denominada Zo:

5.9 - Representação da
impedância de saída de um
Amplificador Operacional.

Um Amplificador Operacional ideal deve apresentar impedância de saída nula,


comportando-se como uma fonte de tensão ideal para a carga, sem resistência
interna.

GANHO DE TENSÃO DIFERENCIAL


O sinal a ser amplificado pode ser aplicado ao Amplificador Operacional de três
formas: Entre a entrada (-) e GND; Entre a entrada (+) e GND; Entre as duas
entradas (+) e (-).
Quando o sinal é aplicado entre as duas entradas, o Amplificador Operacional
atua como amplificador diferencial, amplificando a diferença entre as duas tensões
de entrada:

5.10 - Sinal aplicado entre as


entradas (+) e (-) do Amplificador
Operacional.

Nesta situação, o ganho obtido é denominado ganho de tensão diferencial, e


ainda pode ser definido em malha aberta ou malha fechada.
Nas folhas de dados, os fabricantes fornecem o ganho de tensão diferencial em
malha aberta, que é a amplificação fornecida pelo Amplificador Operacional sem
realimentação, ou seja, quando não há ligação externa entre o terminal de saída e
qualquer das entradas.

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Representa-se o ganho diferencial em malha aberta como A d ou AVO, e


idealmente esse valor deve ser infinito.
Os Amplificadores Operacionais modernos apresentam Ad que variam entre 103
e 109. Esse ganho normalmente é expresso em decibéis (dB) nos manuais:

O ganho propiciado por um Amplificador Operacional pode ser reduzido e


determinado por uma malha de realimentação, que são componentes externos ao
Amplificador Operacional que interligam a saída com a entrada, conforme
apresentado na figura 6.11.

5.11 - Malha de realimentação


aplicada ao Amplificador
Operacional.

TENSÃO DE OFFSET DE SAÍDA


É a tensão presente na saída de um Amplificador Operacional quando suas
duas entradas estão com potencial nulo, assim como na figura 6.12:

5.12 - Entradas do Amplificador


Operacional com potencial nulo.

Um Amplificador Operacional ideal deve ter uma tensão de OFFSET nula,


contudo, nos dispositivos reais esta é da ordem de poucos mV.
Alguns Amplificadores Operacionais possuem terminais que possibilitam
através de circuito externo, ajustar a tensão de saída para zero quando as entradas
estiverem ao potencial de terra. Este ajuste é denominado OFFSET NULL:

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5.13 - Representação dos terminais de


ajuste de OFFSET do Amplificador
Operacional.

REJEIÇÃO DE MODO COMUM


Quando as entradas do Amplificador Operacional recebem sinais, o dispositivo
deve atuar como amplificador diferencial, amplificando a diferença entre as duas
tensões:

5.14 - Circuito com tensões


aplicadas às duas entradas do
Amplificador Operacional.

Onde Ad é o ganho diferencial.

Se não existe diferença entre as tensões, a saída deve ser igual a zero.

Logo:

Denomina-se rejeição de modo comum (CMRR) a capacidade de um


Amplificador Operacional de não amplificar tensões que sejam comuns às duas
entradas do dispositivo.
Um Amplificador Operacional ideal deve ter uma rejeição de modo comum
infinita ( ).

Exemplos
Supondo-se um Amplificador Operacional ideal, com ganho Ad = 100:

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5.15 - Circuito com tensões


aplicadas às duas entradas do
Amplificador Operacional.

Calcule Vo para as situações a) e b):


a) Va = 1,1V b) Va = 6,1V
Vb = 1,0V Vb = 6,0V
Va – Vb = 0,1V Va – Vb = 0,1V
Vo = Ad.(0,1V) = 10V Vo = Ad.(0,1V) = 10V

Diz-se que nos dois casos, o Amplificador Operacional rejeitou o valor comum
às duas entradas, e amplificou apenas a diferença. Este Amplificador Operacional
tem .
Um Amplificador Operacional real amplifica também as tensões comuns aos
dois terminais de entrada, mas com ganho muito menor, o que por exemplo pode
resultar em valores de Vo maiores do que 10V no caso acima (V O = 10,01V; VO =
10,06V; etc).
Diz-se nesse caso que o Amplificador Operacional não rejeitou completamente
os valores de tensão comuns às duas entradas.
O valor de CMRR para os Amplificadores Operacionais reais é dado em
decibéis (dB).

BANDA DE PASSAGEM
Os Amplificadores Operacionais podem apresentar ganhos diferenciais em
malha aberta (Ad) da ordem 100.000 a 200.000.
Contudo, esse ganho diferencial não é constante ao longo de toda a faixa de
frequências. O gráfico da figura 6.16 apresenta a resposta em frequência genérica
dos Amplificadores Operacionais:

5.16 - Gráfico de banda de passagem (resposta


em frequência) de um Amplificador Operacional.

A banda de passagem é a faixa de frequências em que o ganho se mantém


maior do que 70% do ganho máximo, o que corresponde a uma redução de -3dB.

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5.3 Características de transferência dos Amplificadores


Operacionais

O ganho de um Amplificador Operacional em malha aberta é altíssimo e atinge


valores da ordem de 100.000. Isto significa que para uma diferença de 10mV entre
as duas entradas, a saída será por exemplo:

Contudo, a tensão de saída nunca se estabelece acima das tensões de


alimentação, como pode-se notar no exemplo da figura 6.17.

5.17 - Amplificador
Operacional alimentado com
fonte simétrica +/-15V.

Quando a tensão de saída de um Amplificador Operacional atinge valores


iguais (ou próximos) às tensões de alimentação, diz-se que o Amplificador
Operacional atingiu a saturação positiva ou negativamente.
Na prática, a saturação sempre fica ligeiramente menor do que a alimentação.
O gráfico sobre o comportamento dos Amplificadores Operacionais nesse contexto é
o apresentado na figura 6.18.

5.18 - Regiões de operação do


Amplificador Operacional: saturação e linear.

No gráfico, quando está entre –VCC e +VCC, a tensão de saída VO


obedece a equação:

Isso caracteriza uma operação linear nessa região, que por consequência é
denominada região linear de operação.
Um Amplificador Operacional operando como amplificador de sinais, deve
trabalhar na região linear.

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5.4 Ampliação da região linear de operação

Devido ao alto ganho em malha aberta, a região linear de operação de um


Amplificador Operacional é muito estreita.
Se um Amplificador Operacional sem realimentação fosse utilizado como
amplificador de sinais, o sinal de entrada deveria estar limitado a poucos mV.
Entretanto, a região linear de operação pode ser ampliada através da redução
do ganho do Amplificador Operacional, usando de realimentação negativa.
A realimentação negativa consistem em retornar uma parte do sinal de saída
para a entrada inversora, através de um circuito externo.

5.19 - Amplificador
Operacional realimentado
negativamente.

Supondo-se que o circuito com a realimentação da figura 6.19 estabeleça um


ganho de tensão Ad = 1000 e considerando-se que VCC = +15V/-15V, podemos
determinar a região linear de operação:

Supondo-se agora uma redução ainda maior de ganho, para A d = 100, têm-se
um aumento da região linear de operação:

Comparando-se graficamente os resultados:

5.20 - Aumento da região linear ocasionado


pela realimentação negativa implementada.

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5.5 Circuitos com Amplificadores Operacionais

Os circuitos que utilizam Amplificadores Operacionais na região linear são


denominados circuitos lineares. As principais configurações que podem ser adotadas
com Amplificadores Operacionais são apresentadas nos tópicos seguintes.

5.5.1 Amplificador Inversor

Nessa topologia o sinal é aplicado na entrada inversora (-), o que implicará na


inversão de fase (ou defasagem) de 180o entre saída e entrada.

5.21 - Inversão de fase de 180º entre saída e entrada


no amplificador inversor.

Para que o Amplificador Operacional trabalhe na região linear se faz


necessário acrescentar uma malha de realimentação negativa ao circuito:

5.22 - Topologia do
amplificador inversor.

Para analisarmos o ganho nessa topologia, precisa-se admitir que a


impedância de entrada do Amplificador Operacional é infinita tal como no ideal,
dessa forma, não há circulação de corrente entre as entradas do dispositivo, e a
queda de tensão na impedância de entrada é igual a zero.

5.23 - Representação
da impedância de entrada do
Amplificador Operacional.

Verifica-se que tanto a entrada não inversora (+) (ligada ao terra) quanto a
entrada inversora (-) têm potencial de 0V, embora a entrada inversora não esteja
conectada fisicamente ao terra.

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5.24 - Terra virtual do Amplificador


Operacional.

Este ponto é denominado terra virtual do circuito.

FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO
Ao aplicar-se uma tensão à entrada do amplificador inversor, circula sobre R 1
uma corrente dada por , já que o terra virtual tem potencial de 0V:

5.25 - Corrente nula na entrada


do Amplificador Operacional.

Uma vez que a entrada do Amplificador Operacional não absorve corrente, a


mesma corrente que circula por R1, circula através de R2.
Como R2 está ligado entre a saída do Amplificador Operacional e ao terra
virtual (0V), a tensão sobre R2 é igual à tensão de saída VO. Essa tensão pode ser
calculada pela Lei de Ohm:

Dispondo-se das equações de VO e Vi, pode-se determinar o ganho do circuito


amplificador inversor:

O sinal negativo “-“ que antecede a equação acima indica a inversão de fase do
sinal de saída em relação à entrada.
Simplificando-se a equação acima, temos:

Por essa equação pode-se perceber que o ganho do circuito depende apenas
dos componentes que compõem a malha de realimentação.

Exemplo
Calcule o ganho do circuito:

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5.26 - Amplificador
inversor exemplo.

IMPEDÂNCIA DE ENTRADA DO AMPLIFICADOR INVERSOR


Admitindo-se que o terminal de entrada inversora é um terra virtual, a
impedância de entrada do circuito (Zi) será o próprio valor do resistor onde se aplica
o sinal:

5.27 - Impedância de
entrada do amplificador
inversor.

IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO AMPLIFICADOR INVERSOR


A impedância de saída (ZO) do amplificador inversor é sempre muito menor do
que a impedância de saída do próprio Amplificador Operacional.

Valores típicos de ZO são menores do que 1Ω.

5.5.2 Amplificador Não Inversor

Para obtenção de um amplificador não inversor, utiliza-se a entrada não


inversora do Amplificador Operacional, o que resulta em um sinal de saída V O em

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fase com o sinal de entrada Vi:

5.28 - Relação de fase entre saída e entrada no


amplificador não inversor.

A malha de realimentação (R1 e R2) é necessária para manter o Amplificador


Operacional na região linear de funcionamento.
O ganho do amplificador não inversor normalmente é determinado
considerando-se o Amplificador Operacional como sendo ideal, dessa forma a
impedância de saída é nula ( ), a impedância de entrada é infinita ( ), e
o ganho diferencial é infinito ( ).
Com estas aproximações (que não prejudicam o resultado prático), a equação
do ganho do amplificador pode ser deduzida. Como entre as entradas não circula
corrente, a mesma tensão Vi aparece na entrada inversora e têm-se:

Da mesma forma, como as entradas do Amplificador Operacional não


absorvem corrente, , assim:

Como , então:

Finalmente:

Pode-se perceber que neste caso não há sinal negativo, o que indica que a
saída está em fase com a entrada.

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IMPEDÂNCIA DE ENTRADA DO AMPLIFICADOR NÃO INVERSOR

Como nesta topologia o sinal de entrada é aplicado à entrada não inversora do


Amplificador Operacional, a impedância de entrada (Zi) é a própria impedância de
entrada do Amplificador Operacional.

IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DO AMPLIFICADOR NÃO INVERSOR

A impedância de saída (ZO) do amplificador não inversor também é sempre


menor do que a impedância de saída do próprio Amplificador Operacional.

Valores típicos de ZO são menores do que 1Ω.

5.5.3 Amplificador Seguidor de Tensão

O circuito Seguidor de Tensão , também conhecido como Buffer, é um


amplificador com ganho unitário.

5.29 - Amplificador Operacional em topologia Seguidor de


Tensão (Buffer).

Esta topologia representa um tipo particular de amplificador não inversor (com


e ). Dessa forma, o ganho do Buffer é dado por:

IMPEDÂNCIAS DO CIRCUITO SEGUIDOR DE TENSÃO

Em relação às impedâncias de entrada e saída, o Buffer se comporta da


mesma forma que o amplificador não inversor:

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O Buffer é utilizado para isolar e conectar um estágio de alta impedância de


saída a uma carga de baixa impedância de entrada.

5.5.4 Amplificador Somador

É um circuito com Amplificador Operacional capaz de fornecer na saída uma


tensão igual à soma das tensões aplicadas às entradas:

5.30 - Topologia do
Amplificador Somador.

Considerando-se que a entrada inversora não absorve corrente e que esta é


um terra virtual, pode-se analisar o comportamento do somador.
Ao aplicar-se as tensões V1 e V2 às entradas, por R1 e R2 circularão
respectivamente as correntes I1 e I2:

Essas correntes se somam no nó A a seguir e circulam através do resistor R3,


uma vez que a entrada inversora (-) não absorve corrente.

5.31 - Correntes somadas no nó


A no Amplificador Somador.

A tensão de saída pode ser dada pela Lei de Ohm:

Ou ainda:

Se os valores de R1, R2 e R3 forem iguais, tem-se:

Assim,

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A tensão de saída é numericamente igual à soma de V 1 e V2, porém com sinal


negativo, relativo à inversão de fase.

Observação 1: Se for necessário obter-se a soma de V1 e V2 com sinal correto


da operação matemática, pode-se utilizar um amplificador inversor com ganho 1 na
saída do circuito somador.

Observação 2: Quando uma das tensões a ser somada for negativa, a


corrente nessa entrada será diminuída das demais:

5.32 - Circuito somador com tensão


negativa em uma das entradas.

O circuito somador pode ser implementado com qualquer número de entradas:

5.33 - Circuito somador com


múltiplas entradas de sinal.

Se R1 = R2 = R3 = ... = Rn, então:

Observação 3: Quando o circuito somador possui todos os resistores com


valores de igual resistência, todas as tensões têm pesos iguais no somatório. Se os
resistores não tiverem igual valor, devemos utilizar a equação:

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5.5.5 Amplificador Subtrator

O Amplificador Operacional pode configurar um circuito que realiza a subtração


entre tensões. O efeito de subtração é obtido aplicando-se uma tensão na entrada
inversora e outra na não inversora.

5.34 - Topologia para o


Amplificador Subtrator.

Se todos os resistores forem de igual valor, a tensão de saída do circuito será


dada por:

O sinal negativo indica a inversão do sinal do resultado da subtração e pode


ser eliminado da mesma forma que no circuito somador.
Este tipo de circuito pode ainda ser implementado de tal forma que R 1 = R2 e
R3 = R4. Neste caso, o circuito realiza a subtração e amplifica o resultado conforme a
razão R4/R1. A equação se torna:

5.5.6 Comparadores de tensão

Os circuitos comparadores com Amplificadores Operacionais operam nas


regiões de saturação positiva e negativa do dispositivo, por não contar com a
realimentação negativa que limita o ganho do circuito. Nesse tipo de topologia é
comum utilizar-se o terra (0V) como alimentação negativa (-VCC).

5.35 - Comparador de tensão com referência


estabelecida na entrada não inversora.

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5.36 - Comparador de tensão com referência


estabelecida na entrada inversora.

Como o ganho em malha aberta do Amplificador Operacional é muito alto,


qualquer diferença de tensão entre as entradas faz com que o dispositivo sature
positiva ou negativamente, dependendo apenas dos níveis de tensão nas entradas.
Se aplica-se na entrada não inversora uma tensão maior do que na entrada
inversora, a relação é positiva. Aplicando a essa o ganho de malha aberta
infinito, temos que o Amplificador Operacional satura positivamente.
Por sua vez, se na entrada não inversora aplica-se uma tensão menor do que
na entrada inversora, a relação é negativa. Aplicando agora o ganho de
malha aberta infinito, temos então nessas condições o Amplificador Operacional em
saturação negativa.

Exemplo de aplicação
Sensor de nível de tanque com bomba de enchimento.

5.37 - Exemplo de aplicação para circuito comparador de


tensão.

Considerando que o Sensor de nível da figura 6.37 conta com uma boia que é
fixada mecanicamente ao cursor da resistência variável (deslizante), de modo que a
tensão na entrada inversora do Amplificador Operacional (Vin) seja diretamente
proporcional ao nível de combustível contido no tanque.
Enquanto o nível de líquido no tanque é alto, V in se mantém próximo ao valor
de +VCC. Nessas condições, a tensão na entrada inversora é maior do que a tensão
de referência na entrada não inversora, e o Amplificador Operacional está em
saturação negativa, no caso em 0V.
Quando o nível de líquido no tanque decresce, a tensão V in também decresce
proporcionalmente até o momento em que a tensão na entrada inversora seja menor
do que a tensão de referência na entrada não inversora, e o Amplificador
Operacional passará à saturação positiva, em +VCC.

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Imagine que ao sinal de saída VO comande o acionamento do motor M.


Enquanto VO estiver saturado negativamente, o motor estará desligado. Quando V O
estiver em saturação positiva, o motor é ligado e inicia-se enchimento do tanque, até
que o nível de líquido seja correspondente a uma tensão V i maior do que a tensão
de referência da entrada não inversora. O gráfico da figura 6.38 apresenta a
resposta do sistema em relação à tensão Vi.

5.38 - Representação gráfica


da resposta do sistema.

Percebe-se que quanto mais rápida a atuação do motor, mais rápido o nível do
tanque aumenta e maior é a frequência de chaveamento da saída, podendo então
ocorrer o problema de chaveamento infinito. Nesse contexto se insere a idéia da
topologia do comparador com histerese.

COMPARADOR COM HISTERESE


O circuito comparador com histerese elimina a frequência infinita de
chaveamento, gerada no ponto de VRef do circuito comparador simples. Essa
topologia utiliza realimentação positiva, o que possibilita ter-se uma referência
dinâmica, variando com o nível de tensão na saída, que pode estar saturada positiva
ou negativamente.

5.39 - Circuito e gráfico de resposta do


comparador com histerese.

O gráfico apresentado na figura 6.39 representa a janela de histerese do


comparador. A tensão de referência pode ser dada por pela equação:
( )

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E a saída VO dependerá da tensão , dada por:

5.6 Circuitos Osciladores

Em muitas aplicações é necessário gerar um sinal que pode ter as mais


diversas formas, retangular, senoidal, triangular, etc. Contudo, o único sinal
disponível é contínuo da própria alimentação do circuito.
Os osciladores podem ser compostos das mais diversas formas, porém, por via
de regra utilizam realimentação positiva, a fim de compensar a energia consumida
na geração do ciclo anterior.

5.6.1 Oscilador senoidal em Ponte de Wien com Amplificador


Operacional

Uma topologia clássica entre os osciladores senoidais é a Ponte de Wien, que


consegue fornecer um sinal senoidal com baixíssima distorção.

5.40 - Oscilador Ponte de Wien com


Amplificador Operacional.

A frequência de oscilação desse circuito é dada pela equação:

O circuito é de difícil implementação pois opera no limite da estabilidade, daí a


necessidade de ter-se um dos resistores da malha de realimentação negativa
variável, para ajuste do ponto de oscilação, a partir do ajuste do ganho do circuito. O
ganho do circuito não pode ser tão baixo a ponto do circuito deixar de oscilar, e nem
tão alto a ponto de saturar a saída e deformar a senóide.

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5.6.2 Oscilador de onda quadrada com Amplificador Operacional

Essa topologia é muito comum para produzir sinais de Clock para circuitos
digitais.

5.41 - Oscilador de onda quadrada com Amplificador


Operacional.

O tempo de comutação do circuito da figura 6.41 é dado através da


realimentação negativa, onde o capacitor C carrega-se exponencialmente até atingir
a referência positiva UTP, nesse ponto o capacitor começa a descarregar até atingir
a referência LTP. Percebe-se a semelhança dessa operação com o comparador com
histerese.
O tempo de ciclo é dado pela equação:
( )

5.6.3 Geração de sinais triangulares

Para geração de sinais triangulares, devemos contar com um circuito oscilador


de onda quadrada, e então aplicar esse sinal à entrada de um circuito chamado
integrador. Este circuito é apresentado na figura 6.42.

5.42 - Circuito Integrador: geração de sinal


triangular a partir de onda quadrada.

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Quando um sinal constante positivo é aplicado no capacitor C, ele produz uma


rampa linear descendente, e se o sinal for constante e negativo, a rampa será
ascendente. Essa inversão ocorre devido ao fato do circuito integrador ser inversor.

5.6.4 Circuito Integrado temporizador 555

O Circuito Integrado 555 é utilizado basicamente como temporizador em


diversas aplicações industriais e em projetos simples com finalidades educativas.
Esse dispositivo foi desenvolvido inicialmente como NE-5555 pela Signetics na
década de 1970. Hoje é fabricado por muitas empresas, como a Fairchild (NE555), a
National Semiconductor (LM555) e a Philips (NE555).
Para entendermos o funcionamento desse circuito, vamos usar o diagrama de
blocos da figura 6.43.

5.43 - Diagrama de blocos do Circuito


Integrado 555.

Os pinos do dispositivo 555 são representados pelos terminais numerados de 1


a 8 na figura 6.44 e apresentam as seguintes finalidades:
1. GND (terra)
2. Trigger (disparo)
3. Saída
4. Reset
5. Control (controle de tensão)
6. Threshold (limiar)
7. Descarga
8. VCC

Entre os vários tipos de encapsulamento para esse dispositivo, o mais utilizado


é o DIP (Dual in Line Package) com quatro pares de pinos de acordo com a figura
6.44.

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5.44 - CI 555 encapsulamento


DIP-8.

Existe um dispositivo denominado 556, que armazena no encapsulamento dois


circuitos integrados 555 (figura 6.45). Essa versão tem 14 pinos (DIP-14).

5.45 - Dispositivo 556,


equivalente a dois circuitos
integrados 555.

Retomando a figura 6.43, podemos observar o divisor de tensão formado pelos


três resistores de 5KΩ. Foram esses componentes que deram origem ao nome 555.
Os blocos indicados na figura citada são:

1 e 2: Comparadores de tensão – São elementos que promovem uma


resposta na saída a partir da comparação das entradas: se V+ > V–, a saída terá
nível alto; se V+ < V–, a saída terá nível baixo.
3: Flip-flop RS (FF RS) – É um biestável que muda de estado de acordo com o
nível estabelecido nas entradas e responde de acordo com a tabela verdade
respectiva.
4: Buffer de saída – É o estágio de potência do 555, responsável pela
razoável capacidade de corrente que esse dispositivo pode fornecer ou consumir
(aproximadamente 200 mA).
5: Transistor de descarga – Opera como chave nas seguintes situações:
quando Q = 1, satura descarregando o capacitor externo; quando Q = 0, atua como
chave aberta.

5.6.4.1Circuito integrado 555 como monoestável

A figura 6.46 mostra o circuito básico para a operação monoestável, a que

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necessita apenas dois resistores e dois capacitores para complementar a topologia.

5.46 - CI 555 em
topologia monoestável:
circuito básico.
A figura 6.47, apresenta a mesma topologia, porém de forma que seja
mostrada juntamente com o diagrama de blocos interno do circuito integrado 555, o
que torna a análise de funcionamento mais fácil.

5.47 - CI 555 como monoestável: circuito com


diagrama de blocos interno.

Observe, na figura 6.47, as tensões de referência nas entradas dos


comparadores. A tensão de valor está aplicada na entrada inversora (pino 5)
do comparador 1 e é comparada com a tensão não inversora (pino 6), que é a
tensão no capacitor. A tensão de referência de valor está aplicada na entrada
não inversora do comparador 2 e é comparada com a tensão no pino 2 do circuito
integrado.
Para o circuito em análise, a condição estável ocorre quando V S = 0, pois
nesse caso a base do transistor TR está com nível alto e o transistor saturado;
portanto, o capacitor C não consegue se carregar. Se a chave CH está aberta, a
tensão no pino 2 passa a ser igual a VCC, maior que ; logo, S = 0.
Como estamos admitindo que a saída é igual a zero, podemos concluir que o
transistor interno está saturado, e, assim, a tensão nos pinos 6 e 7 é igual a 0V,
apresentando valor menor que ; portanto, R = 0. Como as entradas do FF são
iguais a zero, o estado é mantido, e a saida permanece em zero indefinidamente.
Se a chave CH é pressionada momentaneamente, o pino 2 passa a nível baixo,
o que faz com que a saída do comparador 2 e, portanto, a entrada S tenham nível
alto.
Essas condições (S = 1 e R = 0) levam o Flip Flop a ter valor 1 e, logo, Q = 0,

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cortando TR e impondo 1 (VCC) na saída. Observe que, mesmo quando a chave e


aberta, S = R = 0, o que mantém o estado atual.
A partir daí, o capacitor começa a se carregar com constante de tempo R · C, o
que leva a tensão a tender para +VCC. Quando a tensão no capacitor, que é a
mesma do pino 6, e superior a , temos R = 1 e S = 0, o que impõe Q = 0 e,
portanto, Q = 0. Como consequência, TR satura, descarregando de modo
instantâneo o capacitor e fazendo a saída reduzir a zero. A figura 6.48 mostra
graficamente a operação do monoestável.

5.48 - Formas de onda


para a configuração monoestável.

A duração do estado instável é determinada por:

Observações
1. O fabricante recomenda que o valor do resistor de temporização (R) não seja
baixo R ≥ 1KΩ, por questões de segurança), para evitar a saturação do transistor,
pois quando o TR está saturado, a corrente que circula por ele é determinada por:

2. A duração do pulso de disparo (tempo que o pino 2 fica em zero) deve ser
menor do que a duração da temporização T.

5.6.4.2Circuito integrado 555 como astável

O circuito básico é apresentado na figura 6.49a, e seu diagrama de blocos


internos, na figura 6.49b.
Como o circuito da figura 6.49 é um oscilador, devemos considerar uma saída
em cada instante e analisar o circuito a partir desse ponto. Nessa análise, vamos
levar em conta as seguintes informações: saída alta (Q = 1); capacitor carregando-
se (Q = 0); transistor interno cortado com tensão tendendo a +VCC (figura 6.50a).
Quando há tensão em C, existe tensão nos pinos 2 e 6. Nesse momento, se a
tensão em C é maior do que , então R = 1 e S = 0, o que impõe: Q = 0 (Reset)
e Q = 1.

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Com isso, a saída (pino 3) vai a zero e o transistor TR satura, fazendo com que
o capacitor se descarregue por meio de RB e do transistor interno (figura 6.50b).
Quando a tensão em C fica abaixo de , então R = 0 e S = 1, o que impõe:
Q = 1 e Q = 0. Desse modo, o transistor interno é levado à condição de corte e o
capacitor volta a se carregar (a partir de ), e o ciclo se repete.

5.50 – Situações para o capacitor: a)


carga e b) descarga.

A figura 6.51 mostra as formas de onda no capacitor e na saída do circuito da


figura 6.49a.
O período das oscilações é dado por:

em que TH é o tempo alto e TL o tempo baixo. Assim:

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5.51 - Formas de onda da tensão na


saída (Vs) e no capacitor (Vc) do circuito da
figura 6.49a.

Observação
Se , os tempos alto e baixo serão aproximadamente iguais. Lembre
que a resistência RA deve ser maior que 1KΩ para proteger o transistor interno.

5.7 Modulação por Largura de Pulso (PWM – Pulse Width


Modulation)

Também conhecida por PWM, do inglês Pulse Width Modulation, este tipo de
modulação mantém a amplitude dos pulsos constantes e varia-se a sua largura, a
fim de variar o valor médio de amplitude do sinal.

5.52 - Sinal modulado por largura


de pulso.

Dessa forma, seja um sinal modulado em largura de pulso, o valor médio de


tensão é dado por:

A principal vantagem do uso da modulação PWM como controladores contra os


circuitos resistivos está relacionada à eficiência. Enquanto o PWM trabalha com
eficiência quase igual a 1, um circuito resistivo por exemplo apresenta perdas por
consumo de corrente para funcionamento, além das perdas por efeito Joule
(aquecimento nos resistores).
Uma outra grande vantagem é que, na modulação de largura de pulso, os
pulsos estão com o valor nominal de pico, gerando um maior torque nos motores.
Um controlador resistivo, já que deverá ter uma tensão reduzida, poderá causar
parada de um motor devido ao torque reduzido.

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Uma das desvantagens do PWM é a complexidade e a possibilidade de gerar


interferência de rádio freqüência. A interferência de RF pode ser minimizada
colocando o controlador perto da carga e em alguns casos, usando filtros adicionais.
Os sinais triangulares podem ser utilizados como meio intermediário de
controle na modulação PWM, conforme a proposta mostrada na figura 6.53 a seguir:

5.53 - Circuito para modulação PWM com


comparador de tensão.

O circuito apresentado é capaz de atuar na velocidade do ventilador


modulando a largura do pulso, alterando dessa forma a tensão média sobre o
dispositivo. O transistor serve como driver para o circuito, e o diodo opera como
Diodo de Roda Livre conectado aos terminais do ventilador.

5.54 - Alteração do valor médio de tensão a partir


da variação da tensão de referência.

Percebe-se pela figura 6.54 que a alteração da tensão de referência varia


diretamente a tensão média da saída, a partir da modulação da largura de pulsos.
Para a topologia apresentada na figura 6.53, quanto maior a tensão de referência
Vref, maior é a tensão média sobre o ventilador, portanto maior será a velocidade do
dispositivo.

6 Sensores
Existem diversos tipos de sensores utilizados em equipamentos eletrônicos.
Podemos usar simples chaves ou dispositivos de acionamento momentâneo do tipo
mecânico, até transdutores especiais que convertem alguma grandeza física numa
grandeza elétrica como, por exemplo, uma tensão. Esses sensores servem para
informar um circuito eletrônico a respeito um evento que ocorra externamente, sobre

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o qual ele deva atuar, ou a partir do qual ele deva comandar uma determinada ação.
Equipamentos mais simples podem usar apenas um sensor, mas um robô, uma
máquina industrial ou um equipamento médico complexo podem empregar muitos
sensores e de tipos diferentes.
Nos tópicos seguintes, serão relacionados os principais tipos de sensores que
encontramos nas aplicações eletrônicas, com suas respectivas características.

6.1 Sensores de presença

São dispositivos que verificam a existência de determinado objeto numa


posição, sem efetuar a medição dimensional da posição em que o objeto se
encontra.
Os sensores de presença são largamente utilizados em processos industriais e
manufatura, algumas vezes aplicados como dispositivos de segurança.
Existem diversos tipos nessa família de sensores, cada tipo possui
características próprias de construção e funcionamento, tal como detalhado nos
tópicos a seguir.

6.1.1 Reedswitch

Consistem de um bulbo de vidro com duas lâminas metálicas, ligadas por


terminais ao circuito elétrico de acionamento. A presença do campo magnético move
as lâminas de sua posição, possibilitando o fechamento do contato. A figura 7.1
representa essa ação.

6.1 - Representação do acionamento do sensor do tipo Reedswitch.

Os sensores do tipo Reedswitch têm larga aplicação em sensores de alarme de


portas, bóias, sensores de fim de curso de cilindros pneumáticos ou hidráulicos. São
de custo bastante baixo e sua grande vantagem é que não necessita de contato
mecânico para operar, já que o acoplamento é realizado de forma magnética.

6.1.2 Microchaves

São chaves bastante robustas que exigem baixo esforço mecânico para
acionamento, e por isso muito utilizadas como dispositivos sensores. A figura 7.2
apresenta um exemplo desse tipo de sensor.

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6.2 - Exemplo de
microchave.

Uma vantagem desse dispositivo é que existem opções de mercado com


capacidade suficiente de corrente para acionamento elétrico direto de outros
dispositivos.

6.1.3 Sensores de presença Indutivos

O sensor do tipo indutivo aé formado por um oscilador, um circuito de disparo,


um circuito de saída e um indutor que fica posicionado na extremidade.
Quando uma peça metálica aproxima-se do campo gerado pelo indutor, ela
absorve a energia. O oscilador passa a trabalhar em outro regime de oscilação. O
circuito de disparo detecta a mudança de comportamento e aciona o sinal de saída.

6.3 - Esquema genérico dos sensores indutivos.

Os sensores indutivos são robustos e têm resposta muito rápida, contudo, eles
detectam apenas a presença de materiais metálicos, que são os que modificam o
fluxo magnético entre as bobinas do sensor. Têm também a vantagem de não
necessitar contato mecânico para acionamento. A alimentação desses sensores em
geral é realizada com 24Vdc, e eles podem ser encontrados nas versões NPN e
complementar PNP. Os diagramas de ligação e o aspecto físico real dos sensores
indutivos podem ser vistos a seguir na figura 7.4.

6.4 - Sensores indutivos: (a) aspecto real; (b)


esquema genérico de ligações NPN e PNP.

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6.1.4 Sensores de presença Capacitivos

O sensor é formado por duas placas metálicas dispostas na extremidade do


sensor, de tal modo que representem um capacitor. Além disso, o sensor é
constituído de um oscilador, um circuito de disparo e um circuito de saída.

6.5 - Esquema genérico dos


sensores capacitivos.

Quando um objeto é posicionado de forma que altere o campo elétrico do


capacitor, o oscilador passa a trabalhar em outra frequência. Isso ocorre porque a
inserção do objeto representa uma alteração do material dielétrico entre as placas do
capacitor. O circuito de disparo detecta a mudança de comportamento e aciona o
sinal de saída.
Os sensores capacitivos são robustos como os sensores indutivos, porém, têm
resposta mais lenta. Eles detectam a presença de qualquer tipo de material que
modifique a constante capacitiva do meio, inclusive deve-se tomar cuidado com a
limpeza do sensor, pois o acúmulo de resíduos pode fazê-lo operar indevidamente.
Têm também a vantagem de não necessitar contato mecânico para acionamento. A
alimentação desses sensores em geral é realizada com 24Vdc, e eles podem ser
encontrados nas versões NPN e complementar PNP. Os diagramas de ligação e o
aspecto físico real dos sensores indutivos podem ser vistos a seguir na figura 7.6.

6.6 - Sensores capacitivos: (a) aspecto real;


(b) esquema genérico de ligações NPN e PNP.

Os sensores capacitivos são largamente utilizados na indústria, pois detectam


qualquer tipo de material. Um exemplo de aplicação é a detecção de nível de líquido
contido em um tanque, tal como mostrado na figura 7.7.

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6.7 - Exemplo de
aplicação do sensor
capacitivo.

6.1.5 Sensores Óticos

Os sensores óticos são de forma geral, constituídos de um elemento emissor e


um receptor.
Uma configuração possível de aplicação é a dita “barreira”, na qual um feixe
ótico infravermelho percorre a distância entre os dois elementos, e se o feixe é
interrompido, a presença é detectada e o sinal de saída é ativado, bem como
apresentado na figura 7.8.

6.8 - Aplicação "barreira"


para o sensor ótico.

Outra configuração possível é a chamada “difuso-reflexiva”. Nessa, os


elementos emissor e receptor estão montados num só dispositivo. Um feixe
direcional é emitido, e parte dessa emissão é retornada, dependendo da presença
ou não de um objeto à frente do sensor. A figura 7.9 esboça essa aplicação.

6.9 - Aplicação "difuso-reflexiva"


para o sensor do tipo ótico.

Os sensores óticos conceitualmente não necessitam contato mecânico para


acionamento, e detectam qualquer tipo de material, inclusive opacos. São sensores
muito robustos, rápidos e precisos onde essa precisão é fruto do estreito feixe
emitido. Por esse motivo, para muitas aplicações, são necessários ajustes elétricos e
mecânicos do sistema.
A figura 7.10 apresenta o aspecto físico real de vários modelos de sensores

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óticos existentes no mercado.

6.10 - Exemplos de modelos de


sensores óticos existentes.

6.1.6 Sensores Ultra-sônicos

Os sensores de presença ultra-sônicos podem ser usados como dispositivos de


detecção sem contato em muitas áreas da automação. Permitem detectar de forma
precisa, flexível e confiável objetos de materiais, formas, cores e texturas diversos.
As possibilidades de aplicação são diversas tais como: detecção de nível e
altura, medida de separação, medida de diâmetro em bobinas, contagem de objetos
materiais transparentes, independentes de cor e presentes em ambientes sujos ou
com vapores, podendo até mesmo estar em estado líquido, podem ser detectados
com total segurança.
O princípio de funcionamento dos sensores ultra-sônicos está baseado na
emissão de uma onda sonora de alta frequência, e na medição do tempo levado
para a recepção do eco produzido quando esta onda se choca com um objeto capaz
de refletir o som.
Eles emitem pulsos ultra-sônicos ciclicamente. Quando um objeto reflete estes
pulsos, o eco resultante é recebido e convertido em um sinal elétrico.

6.11 - Princípio de funcionamento dos sensores


ultra-sônicos.

A detecção do eco incidente, depende de sua intensidade e esta da distância


entre o objeto e o sensor ultra-sônico. Os sensores ultra-sônicos funcionam medindo
o tempo de propagação do eco. Isto é, o intervalo de tempo medido entre o impulso
sonoro emitido e o eco do mesmo. A construção do sensor faz com que o feixe ultra-
sônico seja emitido em forma de um cone.

A figura 7.12 apresenta os modos possíveis de operação dos sensores do tipo


ultra-sônico.

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6.2 Sensores de temperatura

São ditos sensores de temperatura, os dispositivos transdutores que alteram


uma ou mais de suas propriedades físicas de acordo com a variação da temperatura
do meio onde estão inseridos.
Se estes dispositivos alteram diretamente ou indiretamente propriedades
elétricas, podemos considerá-los sensores eletrônicos de temperatura. Os tópicos a
seguir apresentarão alguns dos mais importantes tipos de sensores eletrônicos de
temperatura, conceitos e aplicações que os envolvem.

6.2.1 Termorresistências

Os Termorresistores ou termistores tal como o nome sugere, são dispositivos


que têm sua propriedade principal – a resistência – alterada com a variação de
temperatura do meio. São em geral, construídos com materiais que tenham altos
coeficientes de variação da resistência em relação à temperatura, e obedecem
equações do tipo:

Onde:

E a1 e a2 são os coeficientes de temperatura relativos aos materiais de


construção dos dispositivos, que podem ser positivos ou negativos.
Os termistores podem ser classificados em dois tipos, dependendo do sinal dos
coeficientes. Se os coeficientes de temperatura são positivos, a resistência aumenta
com o aumento da temperatura e o dispositivo é denominado PTC (Positive
Temperature Coefficient). Se os coeficientes de temperatura são negativos, a
resistência diminui quando há um aumento da temperatura e o dispositivo é
denominado NTC (Negative Temperature Coefficient). Dessa forma, pode-se afirmar
que a medição realizada com termistores é do tipo absoluta, onde cada valor de

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temperatura está relacionado a uma resistência que obedece certa proporção.


Os resistores comuns (que não são termistores) são desenhados para ter
coeficientes com valores muito próximos a zero, assim, mantêm sua resistência
praticamente constante, para uma larga faixa de temperaturas.
Um modelo comercial muito comum no mercado é o PT100. O comportamento
da resistência desse componente pode ser notado na tabela da figura 7.13.

6.13 - Comportamento do PT100: Tabela


Resistência X Temperatura.

O PT100 é assim denominado, pois oferece uma resistência igual a 100Ω


quando exposto a uma temperatura igual a 0 oC. Em forma gráfica, o comportamento
do PT100 pode ser notado na figura 7.14.

6.14 - Comportamento do PT100:


Gráfico Resistência X Temperatura.

Os termistores são utilizados nas mais diversas aplicações, tais como na


indústria química, farmacêutica, alimentares e bebidas, uso doméstico, entre outras.
Para essa ampla utilização, os termistores podem ser montados em vários tipos de
poços de medição, adaptando-os ao tipo de utilização.

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6.15 - Exemplos de poços de medição


para os termistores.

6.2.2 Termopares

Os dispositivos chamados termopares têm funcionamento baseado no efeito


Seebeck (1821). Dois fios construídos com metais diferentes são soldados e
dispostos tal como apresenta a figura 7.16. Se as extremidades dos materiais são
expostas a temperaturas T1 e T2, surge entre as extremidades soltas dos fios, uma
tensão elétrica ΔV, que depende da natureza dos metais envolvidos e da diferença
de temperatura (T2 – T1).

6.16 - Efeito Seebeck.

Os terminais que estão expostos à temperatura T 1 comumente são conhecidos


como “junta fria”, que é normalmente referenciada à temperatura ambiente. A junta
que está exposta à T2, é dita “junta quente”, e refere-se ao ponto que se quer medir.
Dessa forma, tem-se que a medição de temperatura realizada com termopares
é do tipo relativa, já que representa a diferença (T 2 – T1). Deve-se então, considerar
a temperatura da junta fria T1 para obtenção da temperatura absoluta T 2. Assim, a
tensão decorrente do efeito Seebeck pode ser representada por:

Os valores de tensão decorrente do efeito são muito pequenos, da ordem de


mV. Cada liga metálica oferece uma variação de tensão dentro de uma faixa de
temperaturas, por isso, para cada aplicação deve-se utilizar a liga metálica
apropriada. A tabela da figura 7.17 apresenta os tipos de ligas mais comuns
existentes, bem como suas principais características.

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6.17 - Principais ligas metálicas dos termopares e suas


respectivas características principais.

Assim como os termistores, os termopares são utilizados em diversos tipos de


aplicação. Dessa forma, podem ser montados em vários tipos de poços de medição,
adaptando-os ao tipo de utilização, bem como apresenta a figura 7.18.

6.18 - Exemplos de poços de


medição para os termopares.

6.3 Sensores de pressão

A medição de pressão é uma medição do tipo relativa, já que há uma


referência à pressão atmosférica. A pressão pode ser positiva ou negativa em
relação à pressão atmosférica, no segundo caso, diz-se que tende ao vácuo. A
figura 7.19 mostra essa relação.

6.19 - Medição relativa da pressão.

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6.3.1 Sensores de pressão capacitivos

De forma simplificada, pode-se considerar o sensor de pressão capacitivo


como um conjunto que utiliza um diafragma dielétrico e duas placas metálicas.
Quando há uma diferença de pressão através do conjunto, o diafragma se deforma
alterando a distância entre as placas e, consequentemente, modificando a
capacitância do circuito.

6.20 - Capacitor
genérico.

De modo mais específico, nos sensores capacitivos de pressão, é medida a


capacitância elétrica entre o diafragma e duas cavidades, onde são aplicadas as
pressões. A cavidade de medição é preenchida com um líquido com determinada
capacitância específica. Todo o conjunto é isolado do meio onde será efetuada a
medição por intermédio de dois selos mecânicos.

6.21 - Sensor de
pressão capacitivo.
As vantagens dos sensores capacitivos de pressão incluem a sua alta
sensibilidade, resposta rápida, boa resistência a atmosferas adversas, ausência de
aquecimento por efeito Joule e largas faixas de operação. As desvantagens incluem
respostas não-lineares, erros de medição devidos a ruídos de capacitância e a
necessidade de circuitos sofisticados.

6.3.2 Sensores de pressão piezo elétricos

Os sensores piezo elétricos podem ser utilizados para medição da pressão


através da deformação de cristais piezo elétricos, os quais geram uma diferença de
potencial ou carga eletrostática quando submetidos a tensões ou pressões ao longo
de planos específicos.

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Os cristais mais utilizados para construção de sensores piezo elétricos são o


quartzo, o Sal de Rochelle, o ADP (amônia dihidrogenada de fosfato) e o titanato de
bário. A carga elétrica induzida sobre o cristal é proporcional à força ou pressão
aplicada.
A principal vantagem dos sensores piezo elétricos é a boa resposta em
frequências até 200Hz. Em contraste, são muito sensíveis às variações de
temperatura, vibração mecânica e ao ruído externo. São inadequados para a
medição de pressão estática.

6.3.3 Sensores de pressão indutivos

O transdutor de indutância variável utiliza uma bobina primária, uma bobina


secundária e um núcleo magnético que fica entre as duas bobinas. O núcleo é
conectado mecanicamente a um diafragma, de forma que quando ocorre uma
variação da pressão, este núcleo se movimenta e altera o fluxo magnético entre as
bobinas. Devidamente configuradas, para uma tensão fixa no primário, irá haver
variação de tensão no secundário, que será proporcional à pressão aplicada.

6.22 - Esquema
simplificado do sensor de
pressão indutivo.

O tipo mais comum de transdutor de indutância variável é o LVDT


(transformador diferencial linear variável). Tem a vantagem de possibilitar o
monitoramento contínuo da pressão e ter a capacidade de indicar uma alteração da
pressão com uma pequena deflexão do diafragma, podendo assim medir diferenças
bem reduzidas de pressão se utilizado um diafragma de baixa espessura.

6.4 Sensores de luminosidade

O sensor eletrônico de luminosidade é um dispositivo que tem suas

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características alteradas de forma proporcional à quantidade de luz incidente sobre o


mesmo. Este tipo de sensor tem vasta aplicação na eletrônica, temos como
exemplos:
• Economia de energia;
• Iluminação pública;
• Controle de iluminação em ambientes abertos ou fechados;
• Ativação de dispositivos eletrônicos de pequeno porte (diretamente);
• Ativação de dispositivos elétricos de médio e grande porte (indiretamente).

6.4.1 LDR

O LDR (do inglês Light Dependent Resistor ou em português Resistor


Dependente de Luz) é um tipo de resistor cuja resistência varia de acordo com a
intensidade de radiação do espectro visível que incide sobre ele.

6.23 -
Simbologia do
LDR.

Um LDR é feito de sulfeto de cádmio (CdS) ou seleneto de cádmio (CdSe). Sua


resistência diminui quando a luz é muito alta, e quando a luz é baixa, a resistência
no LDR aumenta. Um ohmímetro pode ser usado para encontrar a resistência na
escuridão ou na presença de luz intensa. Estes são os resultados típicos para um
LDR padrão:
• Escuridão : resistência máxima, geralmente acima de 1MΩ;
• Luz muito brilhante : resistência mínima, aproximadamente 100Ω.
Existem LDRs das mais diversas dimensões, de 5mm a 1300mm, o aspecto
físico é apresentado na figura 7.24.

6.24 - Aspecto físico


do LDR.

LDRs podem ser soldados de maneira simples, nenhuma precaução especial é


requerida ao fazê-lo. Apenas deve-se ficar atento com aquecimento excessivo, como
com qualquer outro componente.
O LDR é muito frequentemente utilizado nas chamadas fotocélulas que
comandam o acionamento da iluminação pública e luzes em prédios.

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REFERÊNCIAS

Granner, Alfred D. Análise de Circuitos Transistorados. Rio de Janeiro: Livros


Técnicos e Científicos, 1973;

Cipelli, Antônio Marcos V.. Teoria e Desenvolvimento de Projeto de Circuitos


Eletrônicos. Otávio Markus, Waldir João Sandrini – 23º Edição. São Paulo – Érica
2002.

Senai SP. Divisão de Material Didático. Revisão de Eletrônica, Rev. Oswaldo


Lohaz Maia e Ricardo Figueirado Terra. São Paulo, 1986. 314 p.

Malvino, Albert Paul. Eletrônica: Volume 1. São Paulo: Persona Makran Books,
1997.

Malvino, Albert Paul. Eletrônica: Volume 2. São Paulo: Persona Makran Books,
1997.

L. W. Turner. Bibliotéca Profissionalizante de Eletrônica. Circuitos e


Dispositivos Eletrônicos. São Paulo, Editora Hemus.

Boylestad, Robert L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos, 8ª Edição.


São Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004.

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MINICURRÍCULO DOS AUTORES

Gabriel de Abreu Fernandes Rosa

O autor Organizador é graduando em Engenharia Elétrica – Unisinos – Universidade


do Vale dos Sinos, possui formação técnica em Eletrônica, já atuou em automação
industrial, automação bancária e eletromedicina. Atualmente é docente de eletrônica
e automação no Centro Tecnológico de Mecânica de Precisão – SENAI CETEMP.

Gabriel de Abreu Fernandes Rosa

O autor colaborador é graduando em Engenharia Elétrica – Unisinos – Universidade


do Vale dos Sinos e graduando em Engenharia da Computação – Unilasalle – Centro
Universitário La salle, possui formação técnica em Eletrônica Industrial, já atuou em
automação industrial, manutenção de hardware, pesquisa e desenvolvimento de
hardware e software, atualmente é docente de eletrônica e automação no Centro
Tecnológico de Mecânica de Precisão – SENAI CETEMP.

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