23 UC5 Dispositivos Eletrônicos Analógicos

SÉRIE ELETROELETRÔNICA
DISPOSITIVOS
ELETRÔNICOS
ANALÓGICOS
DISPOSITIVOS
ELETRÔNICOS
ANALÓGICOS
CONFEDERAÇÃO NACIONAL DA INDÚSTRIA – CNI
Robson Braga de Andrade

Presidente
DIRETORIA DE EDUCAÇÃO E TECNOLOGIA - DIRET
Rafael Esmeraldo Lucchesi Ramacciotti

Diretor de Educação e Tecnologia
Julio Sergio de Maya Pedrosa Moreira

Diretor Adjunto de Educação e Tecnologia
SERVIÇO NACIONAL DE APRENDIZAGEM INDUSTRIAL – SENAI
Conselho Nacional
Robson Braga de Andrade

Presidente
SENAI – Departamento Nacional
Rafael Esmeraldo Lucchesi Ramacciotti

Diretor Geral
Julio Sergio de Maya Pedrosa Moreira

Diretor Adjunto de Educação e Tecnologia
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Diretor de Operações
DISPOSITIVOS
ELETRÔNICOS
ANALÓGICOS
© 2016. SENAI – Departamento Nacional
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mecânico, fotocópia, de gravação ou outros, somente será permitida com prévia autorização,
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de Santa Catarina, com a coordenação do SENAI Departamento Nacional, para ser utilizada
por todos os Departamentos Regionais do SENAI nos cursos presenciais e a distância.
SENAI Departamento Nacional

Unidade de Educação Profissional e Tecnológica – UNIEP
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Gerência de Educação e Tecnologia – GEDUT
FICHA CATALOGRÁFICA
S491d
Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial. Departamento Nacional

Dispositivos eletrônicos analógicos / Serviço Nacional de Aprendizagem
Industrial. Departamento Nacional, Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial.
Departamento Regional de Santa Catarina. - Brasília : SENAI/DN, 2016.
220 p. : il. ; 30 cm. - (Série eletroeletrônica)
Inclui índice e bibliografia

ISBN 9 788550 501888
1. Dispositivos eletrônicos. 2. Transistores. I. Serviço Nacional de

Aprendizagem Industrial. Departamento Regional de Santa Catarina II. Título. III.
Série.
CDU: 621.382
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Serviço Nacional de Setor Bancário Norte • Quadra 1 • Bloco C • Edifício Roberto
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Departamento Nacional Fax: (0xx61) 3317-9190 • http://www.senai.br
Lista de ilustrações
Figura 1 - Átomo de silício com quatro elétrons na camada de valência.....................................................20

Figura 2 - Ligação covalente para formação de cristal sólido de silício........................................................22
Figura 3 - Elétron livre deslocado para outra órbita devido à agitação dos átomos................................23
Figura 4 - Fluxo de elétrons e lacunas em determinado semicondutor.......................................................24
Figura 5 - Adição do átomo trivalente boro B ao silício......................................................................................25
Figura 6 - Adição do átomo pentavalente antimônio Sb ao silício.................................................................26
Figura 7 - Junção entre lacunas e elétrons de semicondutores P e N............................................................27
Figura 8 - Barreira de potencial formada entre a junção PN.............................................................................28
Figura 9 - Funcionamento do diodo ideal como chave em um circuito eletrônico..................................35
Figura 10 - Simbologia do diodo.................................................................................................................................36
Figura 11 - Polarização direta.......................................................................................................................................37
Figura 12 - Polarização reversa.....................................................................................................................................38
Figura 13 - Curva característica do diodo................................................................................................................39
Figura 14 - Seleção da escala de continuidade para identificação de terminais no diodo....................43
Figura 15 - Identificação dos terminais ânodo e catodo do diodo.................................................................44
Figura 16 - Teste de funcionamento em diodos....................................................................................................45
Figura 17 - Diagrama de blocos de uma fonte de alimentação.......................................................................46
Figura 18 - Representação de um sinal senoidal...................................................................................................47
Figura 19 - Circuito retificador de meia onda e seu sinal representativo.....................................................48
Figura 20 - Circuito retificador de onda completa e seu sinal representativo............................................49
Figura 21 - Circuito retificador de onda completa em ponte...........................................................................50
Figura 22 - Circuito retificador meia onda e onda completa com a utilização de filtro capacitivo.....52
Figura 23 - Diodo emissor de luz – LED e sua simbologia..................................................................................55
Figura 24 - Circuito com resistor para limitar a corrente elétrica.....................................................................56
Figura 25 - Display de sete segmentos......................................................................................................................58
Figura 26 - Acoplador óptico 4N25 (a) e sua representação em circuito eletrônico (b)..........................60
Figura 27 - Diodo zener e sua simbologia................................................................................................................61
Figura 28 - Região de operação do diodo zener....................................................................................................62
Figura 29 - Circuito com regulador zener.................................................................................................................64
Figura 30 - Transistor BC548 NPN e simbologias para transistores PNP e NPN..........................................66
Figura 31 - Principais tipos de encapsulamento de transistores.....................................................................67
Figura 32 - Polarização de transistor PNP e NPN...................................................................................................68
Figura 33 - Circuito base comum e representação da curva de entrada e curva de saída.....................71
Figura 34 - Circuito emissor comum e representação da curva de entrada e curva de saída...............72
Figura 35 - Regiões de operação do transistor.......................................................................................................73
Figura 36 - Exemplo de curva característica com reta de carga em relação às regiões de corte
e de saturação do transistor...................................................................................................................76
Figura 37 - Circuito eletrônico utilizando transistor como chave....................................................................76
Figura 38 - Circuito eletrônico utilizando transistor como amplificador......................................................79
Figura 39 - Gráfico de ganho de corrente - transistor BC548 NPN..................................................................85
Figura 40 - Representação das combinações (a) e (b) para teste de terminais em transistores...........87
Figura 41 - Representação das combinações (c) e (d) para teste de terminais em transistores...........88
Figura 42 - Teste de funcionamento em transistor NPN – polarização direta.............................................90
Figura 43 - Teste de funcionamento em transistor NPN – polarização reversa..........................................91
Figura 44 - Exemplo de um transistor de efeito de campo MOSFET IRF840...............................................95
Figura 45 - Transistor MOSFET de depleção: canal N (a) e canal P (b)............................................................97
Figura 46 - Transistor MOSFET de intensificação: canal N (a) e canal P (b)...................................................98
Figura 47 - Curva característica para um transistor MOSFET de depleção tipo N (a) e tipo P (b)..... 100
Figura 48 - Curva característica para um transistor MOSFET de intensificação tipo N (a) e
tipo P (b)...................................................................................................................................................... 101
Figura 49 - Regiões de operação de um transistor MOSFET pela relação de ID versus VDS................... 103
Figura 50 - Curva ID versus VGS ................................................................................................................................ 106
Figura 51 - Regulador de tensão a transistor....................................................................................................... 108
Figura 52 - Regulador de tensão com potenciômetro..................................................................................... 110
Figura 53 - Circuito regulador de tensão ajustável............................................................................................ 115
Figura 54 - Etapas de funcionamento de uma fonte de tensão regulável................................................ 117
Figura 55 - Fonte regulável de 5 V............................................................................................................................ 119
Figura 56 - Etapas de funcionamento de uma fonte de tensão chaveada................................................ 121
Figura 57 - SImbologia dos transistores IGBT (a) e MOSFET (b).................................................................... 122
Figura 58 - Pulso PWM com diferentes duty cycles.......................................................................................... 123
Figura 59 - Circuito integrado LM78S40................................................................................................................ 124
Figura 60 - Simbologias de um amplificador operacional.............................................................................. 126
Figura 61 - Pinagem do CI 741.................................................................................................................................. 127
Figura 62 - Fonte simétrica utilizando duas baterias de 9 V........................................................................... 130
Figura 63 - Correção do offset de saída.................................................................................................................. 131
Figura 64 - Distorção de uma onda senoidal....................................................................................................... 134
Figura 65 - Rise-time..................................................................................................................................................... 135
Figura 66 - Resposta em frequência do ganho de um AOP............................................................................ 140
Figura 67 - Amplificador em malha fechada........................................................................................................ 142
Figura 68 - Circuitos comparadores........................................................................................................................ 144
Figura 69 - Comparação de uma onda triangular com um sinal tensão CC............................................. 145
Figura 70 - Amplificador inversor............................................................................................................................. 146
Figura 71 - Análise nodal de um circuito com resistores................................................................................. 147
Figura 72 - Análise nodal de um amplificador inversor................................................................................... 149
Figura 73 - Amplificador inversor com o CI 741.................................................................................................. 152
Figura 74 - Amplificador não inversor.................................................................................................................... 153
Figura 75 - Circuitos buffer....................................................................................................................................... 155
Figura 76 - Amplificador somador........................................................................................................................... 157
Figura 77 - Amplificador somador não inversor................................................................................................. 159
Figura 78 - Amplificador subtrator ou diferencial.............................................................................................. 162
Figura 79 - Integração de diferentes ondas.......................................................................................................... 165
Figura 80 - Amplificador integrador........................................................................................................................ 165
Figura 81 - Tensões de entrada e de saída de um amplificador integrador.............................................. 168
Figura 82 - Amplificador diferenciador.................................................................................................................. 169
Figura 83 - Tensões de entrada e saída de um amplificador diferenciador.............................................. 171
Figura 84 - Filtro passa-baixas (PB).......................................................................................................................... 173
Figura 85 - Ondas de entrada e saída de um filtro PB....................................................................................... 175
Figura 86 - Filtro passa-altas (PA).............................................................................................................................. 176
Figura 87 - Ondas de entrada e saída de um filtro PA....................................................................................... 178
Figura 88 - Comparação entre um sinal analógico e um sinal digital......................................................... 179
Figura 89 - Etapas no processo de conversão de um sinal analógico e digital........................................ 181
Figura 90 - Conversor D/A de 3 bits, com amplificador operacional........................................................... 182
Figura 91 - Conversor A/D de 4 níveis.................................................................................................................... 184
Figura 92 - Exemplos de circuitos elétricos conduzindo e não conduzindo através do
interruptor eletrônico aberto e fechado......................................................................................... 186
Figura 93 - Camadas e circuito equivalente de um tiristor............................................................................. 188
Figura 94 - Camadas, circuito equivalente e símbolo do SCR........................................................................ 190
Figura 95 - Curva característica ideal do SCR....................................................................................................... 191
Figura 96 - Curva característica do SCR.................................................................................................................. 192
Figura 97 - Circuito elétrico e formas de onda.................................................................................................... 194
Figura 98 - Circuito empregando SCRs e formas de onda.............................................................................. 195
Figura 99 - Circuitos elétricos conduzindo e não conduzindo através do interruptor
eletrônico bidirecional........................................................................................................................... 197
Figura 100 - Camadas e simbologia do DIAC....................................................................................................... 198
Figura 101 - Curva característica do DIAC............................................................................................................. 199
Figura 102 - Circuito elétrico e formas de onda empregando o DIAC........................................................ 201
Figura 103 - Camadas, circuito equivalente e símbolo do TRIAC.................................................................. 203
Figura 104 - Curva característica ideal do TRIAC................................................................................................ 204
Figura 105 - Curva característica do TRIAC........................................................................................................... 205
Figura 106 - Circuito elétrico e formas de onda.................................................................................................. 207
Figura 107 - Configuração dos terminais do componente............................................................................. 209
Figura 108 - Símbolo do IGBT.................................................................................................................................... 212
Figura 109 - Curva característica de um IGBT...................................................................................................... 213
Figura 110 - Conversor CA-CA acionando um motor....................................................................................... 215
Figura 111 - Configuração dos terminais do componente............................................................................. 217
Quadro 1 - Materiais semicondutores, metais e gases utilizados para produção de cores em

diodos emissores de luz...........................................................................................................................57
Quadro 2 - Representação elétrica para ânodo comum e catodo comum...................................................59
Quadro 3 - Informações técnicas do diodo zener 1N4737 da general semiconductor............................63
Quadro 4 - Funcionamento do transistor de acordo com a configuração PNP e NPN.............................69
Quadro 5 - Características de tensão e corrente para regiões de corte e saturação..................................78
Quadro 6 - Identificação PNP e NPN em transistores............................................................................................89
Quadro 7 - Teste de resistência elétrica entre coletor-emissor para um transistor NPN..........................92
Quadro 8 - Simbologia dos transistores MOSFETs, de acordo com o tipo de canal e modo..................94
Quadro 9 - Regiões de operação transistores MOSFETs.................................................................................... 104
Quadro 10 - Relação do transistor MOSFET como chave.................................................................................. 107
Quadro 11 - Tipos de fontes chaveadas.................................................................................................................. 120
Quadro 12 - Controle e comparação de uma fonte chaveada........................................................................ 123
Quadro 13 - Comparação do interruptor eletrônico em relação ao interruptor mecânico................. 186
Quadro 14 - Análise do chaveamento dos IGBTs................................................................................................. 216
Tabela 1 - Propriedades dos semicondutores germânio e silício......................................................................22

Tabela 2 - Tensão nominal em situação reversa para diodos da série 1N40xx.............................................41
Tabela 3 - Valores nominais de tensão elétrica - transistor BC548 NPN..........................................................83
Tabela 4 - Valores nominais de corrente elétrica e temperatura de operação-
transistor BC548 NPN....................................................................................................................................84
Tabela 5 - Ganho de corrente – transistor BC548 NPN........................................................................................85
Tabela 6 - Parâmetros nominais de um transistor MOSFET............................................................................ 105
Tabela 7 - - Reguladores de tensão L7800.............................................................................................................. 113
Tabela 8 - Características elétricas do regulador de tensão L7812............................................................... 113
Tabela 9 - Códigos de CIs de AOPs........................................................................................................................... 128
Tabela 10 - Tensão de saída em malha aberta..................................................................................................... 132
Tabela 11 - Níveis de tensão elétrica presente em alguns comparadores com AOPs........................... 144
Tabela 12 - Cálculo de Vout de um amplificador não inversor......................................................................... 154
Tabela 13 - Exemplo de diferentes ganhos para amplificadores somadores........................................... 158
Tabela 14 - Diferentes tensões de entrada para um amplificador subtrator de ganho 3.................... 163
Tabela 15 - Número de bits, sinal binário e níveis correspondentes............................................................ 180
Tabela 16 - Conversão analógica de 3 bits.......................................................................................................... 183
Tabela 17 - Funcionamento de um conversor A/D de 4 níveis...................................................................... 185
Tabela 18 - Exemplo de tabela de dados de um componente...................................................................... 210
Tabela 19 - Exemplo de tabela de dados de um componente...................................................................... 218
Sumário
1 Introdução.........................................................................................................................................................................15
2 Semicondutores..............................................................................................................................................................19
2.1 Cristais de silício...........................................................................................................................................20
2.2 Semicondutor intrínseco ..........................................................................................................................23
2.3 Portadores de corrente (elétrons livres e lacunas).................................................................................. 24
2.4 Dopagem e junção PN ..............................................................................................................................25
2.5 Barreira de potencial e temperatura ....................................................................................................28
2.6 Ruptura ...........................................................................................................................................................29
3 Circuitos analógicos.......................................................................................................................................................33
3.1 Diodo................................................................................................................................................................35
3.1.1 Polarização ..................................................................................................................................37
3.1.2 Curva característica...................................................................................................................39
3.1.3 Folha de dados............................................................................................................................40
3.1.4 Técnicas de identificação de terminais..............................................................................43
3.2 Circuitos com diodo em CA......................................................................................................................46
3.2.1 Retificador de meia onda........................................................................................................48
3.2.2 Retificadores de onda completa..........................................................................................49
3.2.3 Retificadores com filtro capacitivo......................................................................................51
3.3 Dispositivos optoeletrônicos...................................................................................................................54
3.3.1 Diodo emissor de luz (LED)....................................................................................................54
3.3.2 Displays de sete segmentos...................................................................................................57
3.3.3 Acopladores ópticos.................................................................................................................59
3.4 Diodo zener....................................................................................................................................................61
3.4.1 Características de tensão, corrente e potência...............................................................62
3.4.2 Regulador zener sem carga e com carga..........................................................................63
3.5 Transistor de junção bipolar.....................................................................................................................65
3.5.1 Construção...................................................................................................................................66
3.5.2 Polarização ..................................................................................................................................68
3.5.3 Curvas características...............................................................................................................70
3.5.4 Regiões de operação................................................................................................................73
3.5.5 Operação como chave.............................................................................................................75
3.5.6 Operação na região ativa........................................................................................................79
3.5.7 Folha de dados............................................................................................................................83
3.5.8 Técnicas de identificação de terminais..............................................................................86
3.5.9 Teste de funcionamento..........................................................................................................90
3.6 Transistor de efeito de campo (MOSFET) ...........................................................................................93
3.6.1 Construção...................................................................................................................................96
3.6.2 Curvas características...............................................................................................................99
3.6.3 Regiões de operação............................................................................................................. 102
3.6.4 Parâmetros................................................................................................................................ 104
3.6.5 Operação como chave.......................................................................................................... 106
3.6.6 Reguladores de tensão......................................................................................................... 107
3.6.7 Reguladores de tensão a transistores.............................................................................. 107
3.6.8 Reguladores de tensão com circuitos integrados....................................................... 112
3.7 Fontes............................................................................................................................................................ 116
3.7.1 Fontes reguláveis.................................................................................................................... 117
3.7.2 Fontes chaveadas.................................................................................................................... 120
3.8 Amplificador operacional...................................................................................................................... 125
3.8.1 Simbologia................................................................................................................................ 126
3.8.2 Tensão de alimentação......................................................................................................... 129
3.8.3 Tensão de offset ...................................................................................................................... 131
3.8.4 Ganho em malha aberta....................................................................................................... 132
3.8.5 Fator de rejeição de modo comum.................................................................................. 136
3.8.6 Slew-rate..................................................................................................................................... 137
3.8.7 Resposta em frequência....................................................................................................... 140
3.9 Circuitos com amplificador operacional .......................................................................................... 142
3.9.1 Comparadores.......................................................................................................................... 143
3.9.2 Inversor....................................................................................................................................... 146
3.9.3 Não inversor.............................................................................................................................. 152
3.9.4 Buffer............................................................................................................................................ 155
3.9.5 Somador..................................................................................................................................... 156
3.9.6 Subtrator.................................................................................................................................... 161
3.9.7 Integrador.................................................................................................................................. 164
3.9.8 Diferenciador............................................................................................................................ 168
3.9.9 Filtros ativos.............................................................................................................................. 172
3.9.10 Conversores AD/DA............................................................................................................. 179
3.10 Tiristores..................................................................................................................................................... 185
3.10.1 Construção.............................................................................................................................. 188
3.10.2 Retificador controlado de silício (SCR) ......................................................................... 189
3.10.3 Bidirecionais (DIAC e TRIAC) ............................................................................................ 196
3.10.4 Folha de dados...................................................................................................................... 209
3.11 Transistor bipolar com porta isolada (IGBT).................................................................................. 210
3.11.1 Construção.............................................................................................................................. 211
3.11.2 Operação................................................................................................................................. 212
3.11.3 Folha de dados...................................................................................................................... 217
3.12 Elementos de radiofrequência (RF) .................................................................................. 218
3.12.1 Transmissores......................................................................................................................... 219
3.12.2 Receptores.............................................................................................................................. 219
Referências
Minicurrículo dos autores
Índice
Introdução
Prezado aluno
Seja bem-vindo a este livro que traz conhecimentos relacionados aos Dispositivos
Eletrônicos Analógicos. A partir do estudo desse conteúdo, você desenvolverá capacidades
técnicas referentes à montagem, medições, elaboração de circuitos, além de saber dimensionar
e validar circuitos eletrônicos analógicos, bem como adquirir capacidades sociais, organizativas
e metodológicas, de acordo com a atuação do técnico no mundo do trabalho. Nesta unidade,
você será capaz de desenvolver e montar circuitos eletrônicos, além de realizar a manutenção
de circuitos e sistemas eletrônicos, seguindo normas técnicas, ambientais, de qualidade, de
saúde e segurança no trabalho.
A parte inicial do livro aborda alguns fundamentos relacionados aos elementos
semicondutores, proporcionando uma visão geral das principais características dos dispositivos
eletrônicos analógicos. Este conteúdo embasa os circuitos eletrônicos em sua essência física,
trazendo uma abordagem teórica sobre os conceitos base da eletrônica. Inicialmente, será
possível identificar o comportamento atômico das estruturas eletrônicas, como a dinâmica dos
elétrons nos materiais semicondutores.
A segunda parte deste livro traz uma abordagem mais técnica, fortalecendo o funcionamento
de cada componente eletrônico, suas características técnicas, simbologias e gráficos. Você terá
a oportunidade de estudar cada componente eletrônico de maneira isolada, para, em seguida
compreendê-los em circuitos mais complexos. Dessa forma, você será capaz de desenvolver,
através dos circuitos eletrônicos, projetos que viabilizem soluções para aplicações industriais.
Também serão apresentados os componentes mais simples, como o diodo, diversos tipos de
transistores, até chegar às aplicações mais avançadas, como amplificadores operacionais a
elementos de radiofrequência.
O estudo da eletrônica analógica contempla circuitos que operam, principalmente, em
corrente contínua. Entretanto, serão apresentados, no decorrer destas seções, diversos circuitos
que realizam a ponte entre a corrente alternada e a corrente contínua. Além disso, você terá a
oportunidade de analisar circuitos polarizados em CC, mas que condicionam sinais oscilantes
semelhantes aos sinais CA.
DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS ANALÓGICOS
16
Destacam-se aqui os conhecimentos voltados aos transistores. Você terá a oportunidade de observar
que componentes eletrônicos são circuitos amplamente utilizados, não somente de maneira isolada, mas
também em circuitos mais complexos. O transistor foi o componente que mudou a história da eletrônica,
pois sua tecnologia fundamenta até hoje circuitos analógicos, digitais e a grande maioria dos circuitos
integrados produzidos em escalas comerciais e industriais.
Outro destaque está nos circuitos amplificadores operacionais. O estudo destes amplificadores é de real
importância no desenvolvimento de projetos eletrônicos. A vasta aplicação destes dispositivos possibilitou
aos desenvolvedores de circuitos integrados, formas mais eficientes e práticas de modificar, amplificar, filtrar
e traduzir os sinais analógicos. Os amplificadores operacionais são atualmente os circuitos mais presentes
em sistemas puramente analógicos. Entretanto, sua aplicação atinge também os circuitos digitais.
Este livro apresenta uma série de exemplos, fórmulas, imagens, curiosidades, casos e relatos, tabelas,
orientações, procedimentos e explicações que proporcionarão a você uma densa quantidade de
conhecimentos capazes de desenvolver diferentes habilidades no futuro profissional na área de eletrônica.
No decorrer deste estudo, é fundamental que os principais conceitos sejam devidamente compreendidos,
pois os conhecimentos presentes no livro evoluem de maneira gradual, possibilitando ao leitor um
aprendizado sólido e dinâmico.
A partir do estudo destes conteúdos, certamente você compreenderá os principais temas da eletrônica
analógica. Com os conceitos nele apresentados, é possível perceber a importância que a eletrônica
analógica possui em diferentes aplicações industriais e comerciais. A eletrônica analógica contempla os
principais conceitos da eletrônica pura e fundamenta a tecnologia como ela é conhecida hoje.
De agora em diante, o conhecimento está em suas mãos.
Bons estudos!
Semicondutores
Você sabia que o nível atômico de um material define suas propriedades de ser condutor,
isolante ou semicondutor de eletricidade?
Os materiais semicondutores compõem a maioria dos componentes eletrônicos, tais como
diodos, transistores e também os circuitos integrados. O princípio de funcionamento destes
componentes é referenciado de acordo com as propriedades do material que o constitui. Neste
capítulo, você irá conhecer os principais elementos semicondutores, sua estruturação atômica
e onde a presença de elétrons e lacunas define o comportamento dos componentes citados
anteriormente.
Quimicamente, todo material pode sofrer alterações em sua estrutura. Este processo é
caracterizado por inserir elementos chamados de impurezas, que modificam a estruturação de
elétrons e lacunas dos semicondutores, podendo estes serem compartilhados entre os átomos.
Neste capítulo, você irá estudar a diferença entre semicondutores intrínsecos e extrínsecos.
Esses conceitos estão atrelados aos semicondutores quanto à definição do excesso de elétrons
e lacunas, que podem caracterizar os elétrons como portadores majoritários e as lacunas como
portadoras minoritárias em um semicondutor.
Assim, ao final deste capítulo, você terá subsídios para:
a) analisar diagramas e esquemas de circuitos analógicos;
b) dimensionar componentes eletrônicos de acordo com especificações técnicas;
c) aplicar procedimentos de testes aos componentes e circuitos.
A partir de agora, você terá a oportunidade de conhecer diversos temas sobre esse assunto
que farão a diferença em suas práticas.
Bons estudos!
20
2.1 CRISTAIS DE SILÍCIO
Atualmente, os cristais de silício são elementos de suma importância para o desenvolvimento de

equipamentos e dispositivos eletroeletrônicos. Essa característica é dada pela sua formação atômica,
conforme figura a seguir.
Camada de Valência
- -
-
-
-
-
- +14 -
-
-
-
Gustavo Oldenburg (2016)

-
- - Núcleo
Elétrons
Figura 1 - Átomo de silício com quatro elétrons na camada de valência
Fonte: adaptado de Malvino (1995)
É possível observar que esse átomo é formado por 14 prótons e 14 elétrons, ou seja, partindo do
núcleo, têm-se uma camada com 2 elétrons, outra com 8 elétrons e, por fim, a camada de valência com 4
elétrons. Desta forma, um átomo de silício é chamado de átomo quatro, caracterizando-o como material
semicondutor, pois possui quatro elétrons na camada de valência, se comparado aos materiais condutores
que possuem apenas um elétron na camada de valência e aos materiais isolantes, que possuem 8 elétrons
na camada de valência.
A estruturação de um átomo está relacionada a três elementos principais:
a) prótons: cargas positivas ligadas ao núcleo do átomo;
b) nêutrons: sem valor de carga, podendo estar ou não ligados ao núcleo;
c) elétrons: cargas negativas dispersas nas camadas ou órbitas do átomo.
A quantidade de quatro elétrons na camada de valência é dada como característica única nos
semicondutores, sendo, assim, comparado com os diversos elementos existentes na natureza. O germânio
e o silício são materiais que se enquadram como semicondutores.
2 SEMICONDUTORES
21
CASOS E RELATOS
Os semicondutores e a temperatura
O silício e o germânio são os mais importantes semicondutores utilizados para fabricação de
diferentes tipos de componentes eletrônicos. Mas, qual a característica principal que diferencia estes
elementos de um material condutor ou isolante de eletricidade? Essa pergunta está diretamente
associada aos níveis de temperatura sobre estes elementos, cuja relação pode resultar no aumento
significativo de condutividade de um material.
Durante a aula de eletrônica, o professor Francisco explicou que existem materiais com excelente
propriedade de conduzir eletricidade e outros com a propriedade de serem isolantes. Nesta
explicação, afirmou ainda que existe outro tipo de material com propriedades únicas, que são
classificados entre condutores e isolantes, denominados de materiais semicondutores. Diante
destas afirmações, o professor enfatizou que, a baixas temperaturas, os semicondutores possuem
a característica de serem isolantes. Comentou também que estes materiais adquirem energia
térmica com o aumento dos níveis de temperatura.
Essa característica normalmente é típica dos semicondutores puros, ou seja, um material
semicondutor, antes isolante, pode se tornar também condutor de eletricidade. Com base nestas
afirmações, os alunos compreenderam que o silício e o germânio, quando puros e submetidos
a diferentes níveis de temperatura, apresentam comportamento distintos, que, dependendo da
energia térmica, são considerados condutores ou isolantes de eletricidade.
Para efeitos de comparação entre os dois principais semicondutores, componentes semicondutores

de silício podem operar em temperaturas elevadas, próximas a 200 °C. Já os fabricados de germânio são
limitados a temperatura de 100 °C.
O núcleo do átomo de germânio é composto de 32 prótons. Inicialmente, este material era utilizado com
frequência, porém, com o avanço da popularização do silício e sua abundância na natureza, o germânio
tornou-se um material de custo elevado, sendo utilizado em aplicações eletrônicas militares e na fabricação
de circuitos integrados.
22
A tabela, a seguir, apresenta algumas características dos semicondutores germânio (Ge) e silício (Si).
PROPRIEDADES GE SI
Número atômico 32 14
Peso atômico 72,6 28,1
Densidade, g/cm³ 5,32 2,33
Constante dielétrica (relativa) 16 12
Átomos/cm³ 4,4 x 10²² 5,0 x 10²²
Resistividade Intrínseca, Ω-cm, a 300 K 45 230000
Tabela 1 - Propriedades dos semicondutores germânio e silício
Fonte: adaptado de Millman (1981)
A formação de um cristal sólido é feita quando um átomo de silício isolado se junta a outro, ou seja,
caracterizando assim o compartilhamento de elétrons, denominado ligação covalente, em que cada átomo
isolado cede um elétron para o outro, e assim sucessivamente, respeitando a camada de valência de modo
que o compartilhamento totalize oito elétrons sobre um átomo, sendo quatro adicionais.
SAIBA Os elétrons estão distribuídos em níveis, conhecidos também como camadas K, L, M,

N, O, P e Q. Pesquise em sites na internet a respeito do número máximo de elétrons por
MAIS camada.
O compartilhamento de elétrons de um átomo isolado com átomos adjacentes é representado na figura,

a seguir. A partir dessa representação, é possível compreender os átomos de cristal unidos, compondo
assim um cristal sólido de silício.
Si Si Si
Guilherme Luiz Marquardt (2016)
Si Si Si
Figura 2 - Ligação covalente para formação de cristal sólido de silício

Fonte: SENAI (2016)
2 SEMICONDUTORES
23
A junção dos átomos antes isolados é dada pelo par de elétrons que são atraídos com forças iguais,
porém opostas entre eles, ou seja, um átomo cede um elétron e ao mesmo tempo recebe, caracterizando
uma força de atração, além de sustentar os átomos de silício agora agrupados pelos elétrons de ligação.
Átomos com oito elétrons na camada de valência são considerados quimicamente estáveis, tendo como
característica a saturação, pois sua camada de valência não permite mais de oito elétrons em sua órbita.
Fixos pelos átomos, os elétrons de ligação, quando submetidos a determinada temperatura, podem
apresentar características únicas aos cristais de silício semicondutores intrínsecos. Acompanhe o estudo
sobre eles na próxima seção.
2.2 SEMICONDUTOR INTRÍNSECO
Um semicondutor que contenha apenas átomos de silício é chamado de semicondutor intrínseco.

Quando um semicondutor em sua composição conter apenas um elemento, ele é denominado intrínseco,
pois é puro. Desta forma, o cristal de silício mantém-se estável com oito elétrons na camada de valência a
uma temperatura ambiente, próximo de 25 °C, comportando-se como um material isolante.
Quando submetido ao aumento da temperatura ambiente, mais precisamente acima de zero absoluto
(-273 °C), ocorre a agitação dos átomos do cristal de silício, fazendo com que os átomos vibrem. Como
efeito desta agitação dos átomos, ocasionalmente pode fazer com que um elétron se solte da camada de
valência e se desloque para uma camada maior, caracterizando-se como um elétron livre, denominado
portador intrínseco.
O índice de vibrações dos átomos é correspondente ao nível de temperatura. Desta forma, quanto
maior a incidência de temperatura sobre o condutor, maiores serão suas vibrações. A liberação de elétron
para outra órbita é representada pela figura, a seguir.
Elétron
livre
Si Si Si
Si Si Si
Figura 3 - Elétron livre deslocado para outra órbita devido à agitação dos átomos
Fonte: SENAI (2016)
24
O deslocamento de elétrons para outra órbita admite um vazio na camada de valência, surgindo então
uma lacuna. Essa lacuna possui um comportamento característico de cargas positivas, ou seja, comporta-
se atraindo elétrons livres. Desta forma, um elétron livre, ao sair de uma camada de valência, é atraído para
uma lacuna de outro átomo, e assim sucessivamente, ocasionando o fluxo de elétrons livres pelas lacunas.
A variação térmica pode deslocar elétrons para outra órbita, sendo então um elétron
livre. A movimentação de elétrons livres é temporária e muito rápida antes que ele
CURIOSI seja atraído por uma lacuna. Da geração de um elétron livre até sua aproximação com
DADES uma lacuna, o elétron possui um tempo de vida, que pode variar de nanossegundos
até microssegundos. O tempo de vida é dependente de diversos fatores, tais como
do nível de pureza do cristal.
Leia, a seguir, a característica que os elétrons e lacunas recebem devido ao fluxo de elétrons dentro de
um semicondutor.
2.3 PORTADORES DE CORRENTE (ELÉTRONS LIVRES E LACUNAS)
O fluxo de elétrons e lacunas dentro de um semicondutor caracteriza os elétrons e lacunas como

portadores de corrente. Suponha um cristal de silício posicionado entre dois terminais carregados, um
positivamente e outro negativamente. Assim, os elétrons livres são atraídos pelo terminal positivo, gerando
um fluxo de elétrons no sentido positivo, sendo que as lacunas atraem os elétrons. Dessa forma, tem-se
então o fluxo contínuo de elétrons e lacunas dentro do semicondutor, pois as lacunas irão se mover em
sentido oposto, sendo cargas positivas atraídas pelo terminal negativo. A figura, na sequência, retrata o
fluxo de elétrons e lacunas em determinado semicondutor.
Elétrons
Lacunas
Figura 4 - Fluxo de elétrons e lacunas em determinado semicondutor

Fonte: SENAI (2016)
2 SEMICONDUTORES
25
Deste modo, existem dois tipos de fluxos de corrente: o fluxo de elétrons, em que os elétrons livres
se movimentam na camada de condução; e o fluxo de lacunas, em que as lacunas se movimentam na
camada de valência dos átomos. Como a quantidade de elétrons livres é igual a quantidade de lacunas,
estes recebem o nome de portadores de corrente, pois conduzem cargas iguais para ambos os sentidos.
Conheça, a seguir, a técnica para aumentar a capacidade de condutibilidade de um material
semicondutor.
2.4 DOPAGEM E JUNÇÃO PN
A dopagem é caracterizada como um processo químico e físico para alterar as características de

condutibilidade dos semicondutores. Esta técnica adiciona impurezas ao cristal intrínseco, ou seja, adiciona
outros elementos em sua composição. Para dopar um semicondutor, é necessário quebrar suas ligações
covalentes, ou seja, transformá-lo do estado sólido para o estado líquido, sendo o semicondutor cristal de
silício fundido.
A dopagem consiste em aumentar as quantidades de elétrons livres e lacunas em um semicondutor
antes intrínseco (puro). Com o processo de dopagem, passa a ser chamado de semicondutor extrínseco.
O aumento de lacunas acontece de modo a dopar o átomo de silício com elemento trivalente, que
tenha três elétrons na camada de valência, sendo caracterizado como semicondutor tipo P, em que P
está relacionado a positivo. Nesse tipo de dopagem, o átomo de silício tem apenas três elétrons para fazer
ligação covalente formando lacunas. Como o número de lacunas é maior, elas são chamadas de portadoras
majoritárias e os elétrons de portadores minoritários.
Na figura, a seguir, observa-se a dopagem nos cristais de silício, adicionando o elemento trivalente boro
B.
Silício Si
Camada de Valência
Si Lacuna
Si
Si B Si
Si
Elemento Boro B
B Elétrons
Si
Si compartilhados
Figura 5 - Adição do átomo trivalente boro B ao silício

Fonte: adaptado de Texas Instruments Incorporated (2016)
26
Já o aumento de elétrons livres consiste na adição de um elemento pentavalente ao átomo de

silício, ou seja, um elemento com cinco elétrons na camada de valência. Os átomos de silício farão as
quatro ligações covalentes e ainda restará um elétron livre. Então, tem-se um semicondutor com excesso
de elétrons, caracterizando os elétrons como portadores majoritários e as lacunas como portadoras
minoritárias. Semicondutores com essas características são chamados semicondutores tipo N, sendo N
relacionado ao negativo. De acordo com a figura a seguir, pode-se observar a dopagem nos cristais de
silício, em que ocorre a adição do elemento pentavalente Antimônio Sb.
Silício Si
Camada de Valência Elétron livre

Si
Si
Si Sb Si
Si

Elemento Antimônio Sb Elétrons
Sb
Si
Si compartilhados
Figura 6 - Adição do átomo pentavalente antimônio Sb ao silício

A junção PN é caracterizada pela dopagem de um cristal de forma que exista uma extremidade do tipo
P e outra extremidade do tipo N, ou seja, a junção PN.
Um semicondutor de junção PN é considerado eletricamente neutro quando a quantidade de lacunas e
elétrons livres forem iguais, caracterizando uma junção estável. Desta forma, conforme a adição de átomos
trivalentes e pentavalentes nos semicondutores, tem-se em sua composição o aumento de lacunas e
elétrons, respectivamente.
Como visto anteriormente, cada átomo pentavalente em um cristal de silício fornece um elétron livre
ao semicondutor do tipo N. Já nos semicondutores do tipo P, a adição de átomos trivalentes em cristais de
silício gera uma lacuna na camada de valência. Ou seja, quando realizada a junção destes dois tipos, ocorre a
repulsão dos elétrons livres que compõem o semicondutor N, difundindo-se por meio da junção na direção
da região P. Logo, quando o elétron atravessa para outra região, ele passa a ser portador minoritário.
2 SEMICONDUTORES
27
Como existem diversas lacunas, o elétron rapidamente é absolvido, caracterizando-o como um elétron
da camada de valência, ou seja, íon negativo, conforme pode ser observado na sequência.
Átomo trivalente Átomo pentavalente
P N
Lacunas Elétrons

P N
Figura 7 - Junção entre lacunas e elétrons de semicondutores P e N
Fonte: SENAI (2016)
Como ilustrado na figura anterior, com a junção PN, cria-se uma recombinação de elétrons com as
lacunas formando uma região com dois tipos de cargas, positivas na região N e negativa na região P, pois
ocorre a diminuição da quantidade de elétrons livres em N. Devido às ligações covalentes, os íons estão
presos à estrutura do cristal e, com o passar do tempo, não existem mais lacunas ou elétrons livres na região
de proximidade da junção, que é chamada de região de depleção. Assim, a transposição de elétrons é
paralisada, pois existe uma barreira de cargas negativas no lado oposto. A mesma situação acontece para
as lacunas, sendo repelidas pelas cargas positivas.
As técnicas de dopagem e junção PN permitem a fabricação de componentes, tais como diodos e
transistores, cujo funcionamento é caracterizado pela estruturação até aqui estudada dos semicondutores.
O funcionamento destes componentes basicamente consiste em interromper ou permitir a passagem de
cargas elétricas de acordo com diferença de potencial aplicada em seus terminais. Outro fator que pode
impactar em seu funcionamento está relacionado à temperatura, que você estudará na próxima seção.
28
2.5 BARREIRA DE POTENCIAL E TEMPERATURA
Com a região de depleção formada, a movimentação de elétrons e lacunas no interior de um semicondutor

é interrompida, formando então um equilíbrio por meio de íons positivos e negativos. Assim, na junção
criada existe uma diferença de potencial entre as regiões P e N. Essa diferença de potencial é denominada
barreira de potencial.
O valor da barreira de potencial é dependente de dois fatores:
a) do material do qual é formado o semicondutor;
b) do valor da temperatura na junção.
Conforme citado no início do capítulo, os semicondutores podem ser fabricados dos dois materiais
usualmente encontrados atualmente, semicondutores de germânio e silício. Para o germânio, o valor da
barreira de potencial é de aproximadamente 0,3 V; e nos semicondutores de silício, de aproximadamente
0,7 V. Ambos os valores são considerados a uma temperatura ambiente de 25 °C. Assim, o semicondutor,
quando submetido à variação de temperatura, as partículas de seu interior, mais precisamente, na junção
entre as regiões P e N, apresentam comportamento distinto, como pode ser observado a seguir.
Junção PN
+ - + - + - + - + - + - + -
+ - + - + - + - + - + - + -
+ - + - + - + - + - + - + -
N P
Barreira de Potencial
Figura 8 - Barreira de potencial formada entre a junção PN
Fonte: SENAI (2016)
Como já estudado no início deste capítulo, como consequência do aumento da temperatura, os

átomos são agitados e acabam gerando elétrons livres. Alinhados com a barreira de potencial, os elétrons
livres, juntamente com as lacunas, interferem na dimensão da camada de depleção, alterando então na
diminuição da barreira de potencial.
2 SEMICONDUTORES
29
A energia solar, em conjunto com materiais semicondutores, proporciona um exemplo de aplicação típica
e renovável, em que células fotovoltaicas são compostas de semicondutores de silício, que, na exposição
à luz solar, ocasionam o aquecimento. Neste caso, conforme já visto anteriormente, o comportamento
atômico dos cristais de silício, quando expostos ao aumento de potencial, promove no semicondutor o
aparecimento de cargas elétricas sendo movimentadas em seu interior, comportando-se como condutor
de eletricidade.
A condução de cargas elétricas nos terminais de um semicondutor condiz fortemente em relação a
sua polarização e ao nível de potencial aplicado, podendo a barreira de potencial ser rompida. A seguir,
conheça essa caraterística.
2.6 RUPTURA
O nível de potencial aplicado junto aos terminais de um componente semicondutor, como o diodo, é
caracterizado por suas limitações, assim como em qualquer outro componente eletrônico. Desta forma, o
excesso, condizendo com sua polarização reversa em suas extremidades (regiões P e N), possui uma faixa
limite de operação.
Quando polarizado reversamente, em uma fonte de tensão cujo valor exceda o limite do componente,
tem-se o aumento muito grande da barreira potencial, fazendo com que a junção seja rompida. Esse
processo é conhecido como ruptura e o valor de tensão que faz com que ela ocorra é chamada tensão de
ruptura.
Há inúmeros componentes à base de semicondutores. O diodo é um deles, sendo

muito aplicado em circuitos para transformação de corrente alternada para corrente
FIQUE contínua. Desta forma, deve-se respeitar os níveis de tensão dentro dos limites de
ALERTA operação. Em caso de tensão reversa, o diodo possui uma tolerância antes de sua
ruptura.
Com o rompimento da barreira de potencial, surge na camada de depleção o excesso de portadores

minoritários oriundos do aumento dos níveis de tensão, fazendo com que o componente semicondutor
perca suas funções no circuito, ou seja, conduza cargas elétricas.
30
RECAPITULANDO
Neste capítulo, você estudou que o nível de condutividade de um material semicondutor é

caracterizado pela temperatura ambiente de operação, ou seja, conforme sua estruturação
atômica, um semicondutor possui comportamento de isolante ou condutor de eletricidade. Os
componentes semicondutores, como diodos, circuitos integrados e transistores, podem ser
fabricados de silício ou germânio. Usualmente, os componentes são comercializados de material
de silício, pela sua abundância na natureza, em comparação com o germânio, que, devido a sua
estruturação atômica, é um material extremamente sensível à variação de temperatura.
Você compreendeu que, de acordo com a estruturação atômica dos semicondutores, a corrente
elétrica pode ser dada pelos elétrons na camada de condução e pelos elétrons na camada de
valência. Dessa forma, há dois caminhos para circulação de corrente, caracterizando o fluxo de
elétrons e lacunas dentro de um semicondutor como portadores de corrente.
Além disso, você estudou que o processo de dopagem consiste na alteração das características
de condutibilidade, por meio da adição de impurezas trivalentes e pentavalentes nos átomos
intrínsecos. Desta forma, o aumento de lacunas é caracterizado pela dopagem de elementos com
três elétrons na camada de valência, caracterizando o tipo P nos semicondutores, em que ocorre
a incidência do aumento de lacunas majoritárias. Já a dopagem para aumento de elétrons livres é
dada pela adição de elementos com cinco elétrons de valência, caracterizando um semicondutor
como tipo N, com excesso de elétrons, sendo este portador majoritário e as lacunas portadoras
minoritárias.
A compreensão dos semicondutores e suas características relacionadas à variação dos níveis
de potencial em seus terminais é de extrema importância, pois os principais dispositivos e
componentes eletrônicos são formados por componentes dessa natureza.
Circuitos Analógicos
Você sabia que a junção de semicondutores do tipo P e tipo N caracterizam a formação de

um componente cujo funcionamento permite conduzir e bloquear a corrente elétrica?
Neste capítulo, você conhecerá os principais componentes semicondutores utilizados em
circuitos analógicos, como diodos, transistores, amplificadores operacionais e tiristores. Estu-
dará como estes componentes são construídos, compreendendo seu princípio de funciona-
mento por meio de curvas características de operação, as técnicas de identificação de seus
terminais, para a correta utilização de circuitos eletrônicos, como também, saber interpretar e
identificar os principais parâmetros de operação e valores nominais de tensão e corrente elé-
trica destes componentes.
Você compreenderá, por meio do princípio de funcionamento do diodo semicondutor, que
o componente é amplamente utilizado em circuitos eletrônicos com a finalidade de permitir
a passagem de corrente elétrica em um único sentido. Conhecerá aplicações de circuitos
em corrente alternada e o funcionamento de uma fonte de alimentação e como a mesma é
estruturada internamente, associando diversos elementos eletrônicos, como transformadores,
diodos e capacitores.
Um componente semicondutor, como o transistor, por exemplo, pode ser aplicado em
circuitos com a finalidade de exercer diferentes funções, dentre elas, sua operação como
chave. Deste modo, você irá estudar que, conforme a polarização do componente em um
circuito eletrônico, o fluxo de corrente elétrica em seus terminais pode apresentar variação,
de modo que o componente possa ser utilizado para chaveamento de circuitos. Conhecerá
alguns dispositivos aplicados em sistemas de eletrônica de potência, responsáveis pela função
de chaveamento controlado de circuitos – SCR, DIAC, TRIAC e IGBT. Atualmente estes circuitos
representam a maioria dos dispositivos utilizados e seus conceitos poderão ser estendidos
para vários outros análogos.
Você terá a oportunidade de conhecer dispositivos práticos, capazes de regular tensões de
circuitos, como os reguladores de tensão a transistor e os reguladores com circuitos integrados.
Estes reguladores exercem grande influência na construção de fontes reguláveis. Ainda neste
capítulo, é possível conhecer uma abordagem mais complexa sobre as fontes de tensão, explo-
rando o funcionamento de fontes de tensão chaveadas.
34
Neste livro, será detalhado o funcionamento de circuitos conhecidos como amplificadores operacionais.
Estes circuitos são capazes de amplificar, somar, subtrair, inverter, filtrar e modificar formas de onda, com
o propósito de adequar o sinal analógico de acordo com a aplicação. Conhecidos como circuitos ativos,
exercem grande participação em diversos dispositivos analógicos. Neste mesmo capítulo, você verá que os
amplificadores operacionais realizam uma ponte entre a eletrônica analógica e a digital.
Diante de tantos conhecimentos, você encontrará vários exemplos, fórmulas, diagramas, estruturas de
circuitos encapsulados, folhas de dados e diversas outras informações para que você seja capaz de aplicar
estes conhecimentos na prática.
Ao final deste capítulo, você terá subsídios para:
a) efetuar medidas em circuitos analógicos;
b) analisar diagramas e esquemas de circuitos analógicos;
c) elaborar circuitos eletrônicos analógicos de acordo com normas técnicas;
d) dimensionar componentes eletrônicos de acordo com especificações técnicas;
e) montar circuitos analógicos de acordo com diagramas eletrônicos;
f ) aplicar procedimentos de testes aos componentes e circuitos.
O conhecimento deste capítulo agregará muito à sua vida profissional.
Siga em frente, e bons estudos!
3 CIRCUITOS ANALÓGICOS
35
3.1 DIODO
O diodo é um componente constituído de material semicondutor, mais precisamente pela junção de

semicondutores tipo P e tipo N. Além disso, possui muitas aplicações em diversos circuitos eletrônicos. Seu
funcionamento está relacionado à região de depleção, ou seja, a região de cargas criada pela junção PN,
como estudado no capítulo anterior. Com o aparecimento destas cargas, tem-se uma barreira de potencial
em que elétrons da região N não fluem para a região oposta. Esta mesma situação ocorre com as lacunas
da região P, tendo então cargas positivas e negativas repelidas.
A essência do diodo é conduzir naturalmente uma corrente em um único sentido e bloquear no
sentido oposto. Esta característica é dada sem a necessidade de qualquer comando externo. Dessa forma,
a condução de corrente obedece aos fundamentos estudados anteriormente.
A aplicação de diodos é comum em fontes de alimentação, atuando na conversão de corrente alternada
em corrente contínua e em sistemas de iluminação, conhecido popularmente como Diodo Emissor de Luz,
ou LED (Light Emitting Diode).
A principal função de um diodo em uma aplicação é a sua característica de atuar como um
interruptor unidirecional em corrente e unidirecional em tensão. Estas definições serão abordadas mais
detalhadamente ao longo deste capítulo. Antes de você conhecer os detalhes deste componente vital em
circuitos eletrônicos, é importante iniciar os estudos referentes aos diodos compreendendo a sua forma
ideal, ou seja, o diodo ideal.
O funcionamento do diodo ideal é notado pela sua curva de operação. Nela, pode-se observar o
funcionamento idealmente do diodo como chave, atuando em um circuito, permitindo ou não a passagem
de corrente elétrica. Observe a figura a seguir.
+
ID
ID > 0
- VD < 0
VD
Patricia Marcilio (2016)
-
Figura 9 - Funcionamento do diodo ideal como chave em um circuito eletrônico
Fonte: SENAI (2016)
36
De acordo com a polarização de seus terminais, o diodo atua como circuito fechado ou circuito aberto.
Pela curva de funcionamento referenciada pela tensão e corrente, observa-se a região de operação deste
componente em sua forma ideal, porém, no decorrer deste capítulo, você irá descobrir o funcionamento
do componente diodo real, sendo a diferença principalmente entre o diodo ideal e o diodo real dada pela
curva característica.
Como qualquer componente eletrônico, o diodo possui uma simbologia que é utilizada para sua
representação em circuitos. Por meio da simbologia, é possível identificar seus terminais. Conheça, a seguir,
a simbologia do diodo.
SIMBOLOGIA
A simbologia do componente diodo é apresentada na figura da sequência. Este símbolo é comumente
utilizado para representar um diodo em circuitos eletrônicos.
Terminal Ânodo ( + ) Terminal Catodo ( - )
Figura 10 - Simbologia do diodo

Fonte: SENAI (2016)
Em seus terminais, a simbologia consiste em dois polos distintos de sua junção, o terminal ânodo,
que representa o lado da junção P, e o terminal catodo, representa o lado da junção N. A sua simbologia
respeita uma polaridade, sendo o fluxo de corrente elétrica compreendido da seguinte forma:
a) sentido convencional da corrente: fluxo do terminal P para N;
b) sentido real da corrente: fluxo do terminal N para P.
É comum os fabricantes de diodos representarem o terminal catodo com um anel impresso no
encapsulamento do componente, facilitando a sua identificação e utilização em circuitos eletrônicos.
Diferente dos resistores, uma vez que esses componentes não possuem cores para indicar suas
características. Assim, existe um código também impresso no componente. Por meio deste código, pode-
se consultar as folhas de dados do componente, também conhecidas como datasheets.
Como a junção PN cria uma barreira de potencial, existe então uma polarização que define seu modo de
operação em um circuito. Acompanhe.
37
3.1.1 POLARIZAÇÃO
A polarização de um diodo consiste na aplicação de uma diferença de potencial elétrico entre seus
terminais. Sendo uma fonte de tensão que possui terminais positivos e negativos, ao conectá-la em um
diodo semicondutor o mesmo pode se comportar de duas formas de acordo com a polaridade conectada
nos terminais P e N do componente. Assim, um diodo pode ser polarizado de forma direta ou reversa.
POLARIZAÇÃO DIRETA
Polarizar um diodo de forma direta significa alimentá-lo da seguinte forma: o terminal negativo da fonte
é conectado à junção do tipo N e o terminal positivo da fonte é conectado à junção do tipo P. Assim, quanto
ao fluxo de elétrons que você estudou no capítulo anterior (semicondutores), o componente apresenta
a seguinte característica de funcionamento: a diferença de potencial faz com que a corrente elétrica flua
com facilidade na direção posta, sendo assim o elétron livre ao sair do terminal negativo, além de circular
até a extremidade da região N do diodo. Com facilidade, ele flui toda a região N até alcançar a barreira
de potencial, precisamente, na junção das regiões. Ali o elétron livre é atraído por uma lacuna, ou seja, já
dentro da região P, o elétron agora pertence à camada de valência, percorrendo então toda a região P até
o terminal positivo da fonte de tensão.
A diferença de potencial impulsiona os elétrons e lacunas a se moverem até a junção das duas regiões,
onde, na região N, os elétrons são forçados a fluir até a junção, encontrando as lacunas da região P, também
ali forçadas. Desta forma, a região de depleção perde força, pois elétrons livres são atraídos por cargas de
íons positivos gerados no lado oposto, permitindo então que elétrons livres se recombinem com lacunas.
Observe a polarização direta na figura, a seguir.
n
Figura 11 - Polarização direta

Fonte: SENAI (2016)
E, o que acontece ao inverter a polaridade da fonte de tensão conectada ao diodo? Esta situação é
característica da polarização reversa. Acompanhe.
38
POLARIZAÇÃO REVERSA
A polarização reversa em um diodo é caracterizada pela inversão dos terminais da fonte de alimentação
em comparação com a polarização direta: o terminal negativo da fonte é conectado à junção do tipo P, e o
terminal positivo da fonte é conectado à junção do tipo N.
Quando polarizado reversamente, a região de depleção tende a ficar maior. Essa característica é dada,
porque o terminal negativo da fonte de tensão atrai lacunas da região P e o terminal positivo da fonte atrai
os elétrons livres da região N. Dessa forma, na junção PN, os elétrons e lacunas se afastam um do outro.
Em virtude disso, a região de depleção aumenta. Esse aumento está relacionado diretamente ao nível
de tensão aplicado aos terminais do componente. Com o afastamento de elétrons e lacunas, novos íons
aparecem nesta região, aumentando a diferença de potencial.
A variação da diferença de potencial é proporcional ao tamanho da região de depleção. Isso quer dizer
que, quanto maior a região de depleção, maior é a diferença de potencial. Quando a variação de potencial
atingir o mesmo valor da fonte de alimentação, o aumento da região de depleção é paralisado, sendo os
elétrons e lacunas afastados da junção PN do componente, como mostra a figura a seguir.
n
Figura 12 - Polarização reversa

Fonte: SENAI (2016)
Mesmo que reversamente polarizado e com a região de depleção estabilizada, o diodo em seu interior
pode permitir a passagem de corrente elétrica. Porém, essa corrente é extremamente baixa, próxima de zero e
recebe o nome de corrente reversa. Diodos fabricados de material semicondutor de silício possuem corrente
reversa menor, comparado a diodos de germânio. A corrente reversa, mesmo que baixa, é gerada, porque
todo semicondutor posto ao aumento de temperatura contribui para o surgimento de elétrons livres e
lacunas, como você já estudou no capítulo anterior. Assim, nas regiões P e N existem ainda alguns portadores
minoritários se recombinando com portadores majoritários, existindo então essa pequena corrente.
Sendo o diodo conectado a fonte de alimentação contínua de forma direta ou reversa, seu funcionamento
pode ser expresso por uma curva característica de tensão e corrente. Acompanhe.
39
3.1.2 CURVA CARACTERÍSTICA
O diodo, conceitualmente, é um interruptor eletrônico. Para empregá-lo em circuitos eletrônicos, é

necessário avaliar as suas características de condução. As características de corrente em função da tensão
aplicada no componente que auxiliem na compreensão de sua funcionalidade podem ser representadas
pela curva característica de tensão e corrente.
Graficamente, ao se analisar a curva característica de um diodo, há duas regiões de operação. A primeira
é denominada de região de condução, em que o diodo está polarizado diretamente. Na segunda,
denominada de região de bloqueio, o diodo está polarizado de forma reversa. A curva característica de
tensão e corrente do diodo está apresentada na figura a seguir.
ID
Diodo na região direta
Ruptura Corrente de fuga
VR VD
Tensão de joelho
Diodo na região reversa
IR
Figura 13 - Curva característica do diodo
Fonte: SENAI (2016)
A região de condução é traçada pela tensão direta VD em relação à corrente direta ID. Assim, nesta região,
há uma tensão de valor zero e uma corrente possível de zero a infinito. Na região de bloqueio, traçada pela
tensão reversa VR em relação à corrente reversa IR, há uma corrente de valor zero e uma tensão possível de
zero a infinito no instante da ruptura. Ou seja, neste mesmo gráfico, são representados o comportamento
de corrente e a tensão elétrica no diodo quando posto na situação de polarização direta e reversa.
A compreensão da curva característica de operação é dada pela análise do comportamento da corrente
elétrica quando o diodo está polarizado de forma direta e reversa. Essa característica é apresentada a
seguir, considerando o funcionamento do diodo real.
40
CURVA: POLARIZAÇÃO DIRETA

Quando polarizado diretamente, o diodo conduz corrente elétrica. Assim, na região de condução, é
possível notar que a corrente elétrica possui elevação apenas em certo ponto. Esse ponto é chamado tensão
de joelho, quando a corrente elétrica se torna constante na junção do componente; essa característica
é dada pela tensão direta de 0,7 V, para diodos de silício, e a 0,3 V, para diodos de germânio. Ou seja,
aproximadamente nesses valores de tensão é que ocorre o aumento da corrente elétrica pelos terminais
do componente.
CURVA: POLARIZAÇÃO REVERSA

Na região de bloqueio, quando o diodo está polarizado reversamente, como você já estudou
anteriormente, existe uma corrente, mesmo que baixa, que circula na junção do componente, conhecida
como corrente reversa. Isto se deve pelo surgimento de elétrons livres e lacunas na junção PN, portadores
minoritários, recombinando-se com portadores majoritários, quando ocorre então o aumento da corrente
de saturação até a ruptura da junção.
Através da interpretação do gráfico de comportamento do diodo nas suas duas polaridades, é
compreensível que o diodo é um componente não linear, devido a sua barreira de potencial. Desta forma,
ultrapassada a barreira de potencial, o aumento de corrente elétrica incidente sobre o diodo faz com que
o componente perca suas funcionalidades no circuito, sendo assim, por meio da folha de dados, é possível
encontrar informações essenciais relacionadas à operação do diodo. Entre elas, está a corrente máxima de
atuação.
3.1.3 FOLHA DE DADOS
A folha de dados consiste em um documento com todas as informações relevantes do componente:

características de trabalho, dimensões, identificação dos terminais, curvas de operação, níveis de tensão e
corrente máximas e outras, que o fabricante julgar necessárias a respeito do componente.
A utilização da folha de dados, também conhecida como datasheet, é importante na etapa de projeto.
Por exemplo, para saber se o comportamento do diodo no circuito eletrônico irá condizer com suas
características de operação, deve-se consultar a folha de dados, identificando a especificação com base
nas informações e características da aplicação.
Cabe destacar que a consulta na folha de dados do componente é também importante para o
dimensionamento de leiaute de placas de circuito impresso. Neste caso, são consultadas as dimensões
físicas para distribuição do componente na placa, respeitando a área disponível para o projeto. Também
constam informações elétricas do componente, como a tensão máxima que o diodo suporta antes de
ocorrer a ruptura e o componente ser danificado, afetando o funcionamento do circuito.
41
A folha de dados de componentes eletrônicos, como diodos, é facilmente encontrada

SAIBA em sites de busca na internet. Um exemplo é o mundialmente conhecido Datasheet
MAIS Catalog (http://www.datasheetcatalog.net/pt/), em que se encontra disponível uma
ampla biblioteca de folha de dados de diversos componentes eletrônicos.
Para você conhecer e interpretar a folha de dados, é necessário ter um diodo como referência. Considere
o diodo 1N4007, componente comum em circuitos eletrônicos, que é utilizado em circuitos de retificação
para conversão de corrente alternada em corrente contínua, sendo sua aplicação comum em fontes de
alimentação. O diodo 1N4007 pertence à série 1N40xx, composta por 7 diodos, série 01 a 07. Para efeitos
de comparação, o diodo 1N4007 é projetado para suportar maiores condições de polarização reversa que
o diodo 1N4001. Essa situação pode ser observada na tabela, a seguir, que demonstra a tensão nominal em
situação reversa.
DIODO 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007

TENSÃO (V) 50 100 200 400 600 800 1000
Tabela 2 - Tensão nominal em situação reversa para diodos da série 1N40xx
Fonte: adaptado de Motorola (1996)
Existem diversos fabricantes de componentes eletrônicos, em que cada um possui sua folha de dados
com a especificação do componente, de acordo com seus testes e medições. Neste caso, as características
do diodo 1N4007 aqui apresentadas estão de acordo com o fabricante Motorola Semiconductor Technical
Data, sendo este diodo retificador utilizado para aplicações de baixa potência e de uso geral.
Outro fator importante a respeito da folha de dados refere-se a sua linguagem técnica, sendo apresentada
usualmente em inglês, requisitando um conhecimento prévio desta língua para sua interpretação.
TENSÃO ELÉTRICA
A informação de tensão elétrica nominal corresponde a três condições de operação do diodo em um
circuito. Desta forma, a tensão elétrica corresponde aos valores nominais de tensão de ruptura quando o
componente é posto sob a condição de polarização reversa. Assim, os valores nominais de tensão nominal
de ruptura sob condição reversa para o diodo 1N4007 correspondem a três situações:
a) tensão de Pico Inverso Repetitivo, VRRM: 1000 volts (V);
b) tensão de Pico Inversor de Trabalho, VRWM: 1000 volts (V);
c) tensão de Bloqueio em corrente contínua: VR: 1000 volts (V).
42
Portanto, a tensão elétrica de ruptura do diodo 1N4007 é de 1000 volts para as três situações
apresentadas. Durante sua operação, o diodo não pode ser posto acima desta faixa de tensão, sendo
passível de ruptura, danificando o circuito eletrônico, bem como o componente.
CORRENTE ELÉTRICA
A informação de corrente elétrica corresponde a duas situações em que o diodo pode ser submetido em
um circuito eletrônico. Como você já sabe, o diodo pode permitir o fluxo de corrente elétrica em apenas um
sentido. Assim, é necessário saber a corrente nominal de operação máxima que o componente suporta
(corrente direta). Além disso, sob a condição de polaridade reversa, é preciso conhecer a corrente nominal
de operação, quando reversamente polarizado (corrente reversa). Assim, de acordo com a folha de dados
do diodo 1N4007: Corrente Direta Retificada Média, IO: 1 ampere (A).
Dessa forma, o diodo 1N4007 suporta uma corrente elétrica de até 1 ampere, quando polarizado de
forma direta. Seguindo a mesma situação de tensão elétrica, o diodo não deve ser posto em condições
em que sua corrente nominal direta chegue próximo de 1 ampere. Sob condições de polaridade reversa, a
corrente nominal do diodo 1N4007 possui comportamento relativo à temperatura ambiente de operação
TJ na junção do diodo. Observe a corrente reversa máxima em duas situações:
a) corrente Reversa Máxima, IR sendo TJ a 25 °C: 0,05 µA;
b) corrente Reversa Máxima, IR sendo TJ a 100 °C: 1,0 µA.
Considerando a tensão elétrica nominal de 1000 volts, quando polarizado reversamente a uma
temperatura ambiente de 25 °C, o diodo 1N4007 é submetido a uma corrente reversa de 0,05 µA. Já a
uma temperatura ambiente de 100 °C, a corrente sobe para 1,0 µA. Esses valores são típicos de operação
reversa. Em situações extremas, a corrente reversa pode chegar a 10 µA a 25 °C e a 50 µA a 100 °C, ou
seja, a temperatura incidente sobre a junção do componente em condição reversa altera rigorosamente
sua corrente elétrica de operação, sendo a faixa de temperatura de operação do componente também
informada na folha de dados: o diodo 1N4007 pode operar à temperatura ambiente TJ, que varie de -65 °C
a 175 °C.
Conhecidas as características de operação do diodo, é importante você saber também que, ao projetar
um circuito eletrônico, os níveis de tensão e corrente sobre o componente serão projetados com fator
de segurança, ou seja, todas as condições de operação do circuito são projetadas para que o diodo
nunca opere próximo de seus valores nominais ou em condições que possam implicar em sua ruptura e
destruição. Não existe uma regra ou norma que proporcione margens de segurança para operação destes
componentes. Porém, existem situações em que a tensão reversa máxima sobre o diodo seja a metade do
valor nominal, sendo o circuito eletrônico projetado para essa condição.
Todo componente eletrônico, incluindo o diodo, quando posto em operação

FIQUE com seus valores de tensão e corrente acima da nominal, ou seja, sua faixa limite,
ALERTA pode apresentar problemas em seu funcionamento, como também a vida útil do
componente é reduzida devido a essas condições.
43
Em suma, o diodo 1N4007 é utilizado em diversas aplicações eletrônicas, sendo a principal em circuitos
retificadores. O componente suporta tensões de ruptura até 1000 volts, corrente máxima direta de 1
ampere, sendo a faixa de temperatura de operação entre -65 °C a 175 °C, podendo apresentar uma queda
de tensão máxima, quando operando reversamente a uma temperatura de 25 °C de 0,93 V a 1,1 V, sendo a
corrente de fuga máxima de 50 µA.
A seguir, veja o procedimento com técnicas para identificação dos terminais do diodo.
3.1.4 TÉCNICAS DE IDENTIFICAÇÃO DE TERMINAIS
Você já sabe que o diodo é um componente formado pela junção de duas regiões, P e N. Assim, a
polaridade do componente define seu funcionamento, de permitir a passagem de corrente elétrica ou
bloqueá-la. A técnica para identificação de seus terminais ânodo e catodo, ou seja, junção P e N é útil
quando a informação não está disponível fisicamente no corpo do componente. Assim, além da folha
de dados do componente indicar a polaridade de seus terminais, pode-se utilizar um equipamento de
medição, como o multímetro, para esta identificação.
O diodo é um componente que permite a identificação de sua polaridade por meio de seus terminais
e, com um multímetro em mãos, é possível identificar a polaridade do diodo. Desta forma, são necessários
alguns procedimentos básicos antes de realizar a identificação, ação simples que não exige o componente
energizado.
ESCALA DO MULTÍMETRO
Por ser um equipamento que realiza diversas medições de grandezas elétricas, é necessário ajustar
a escala apropriada do multímetro para medição dos terminais do diodo. Usualmente, a escala de
continuidade é simbolizada por dois sinais, sendo um representando a simbologia do diodo, como pode
ser visto na figura seguinte.
iStock([20--?]), Patricia Marcilio (2017)
Figura 14 - Seleção da escala de continuidade para identificação de terminais no diodo

44
Selecionada a escala de continuidade no multímetro, por meio das pontas de prova do equipamento,
pode-se realizar o teste de continuidade curto-circuitando as pontas. Desta forma, ao juntar uma ponta
com a outra, fechando contato, pode-se observar que no display do equipamento é mostrado valor zero.
Isso significa que o circuito se encontra fechado e a corrente elétrica está circulando entre as ponteiras, ou
seja, o equipamento está apto para realizar a identificação.
Quando o circuito for aberto, sendo as ponteiras separadas (não havendo contato entre elas), a corrente
elétrica deixa de circular. Então, o equipamento indica em seu display a condição OL, que significa que o
circuito se encontra aberto.
As ponteiras de prova do multímetro devem estar conectadas para condição de medição de
continuidade. Desta forma, a ponteira preta de prova deve estar conectada no terminal comum do
multímetro e a ponteira vermelha no terminal de continuidade. Assim como na seleção da escala, a
simbologia de continuidade no terminal vermelho do multímetro é representada por um diodo.
TERMINAIS DO DIODO
Como você sabe, os terminais do diodo indicam duas situações de polarização: direta e reversa. Assim,
com o componente em mãos para identificar os seus terminais ânodo e catodo, é necessário conectar as
pontas de prova nos terminais do componente.
O procedimento para identificação da polarização direta é ilustrado na figura (a) e o procedimento para
identificação da polarização reversa em (b).
0,677 OL
Paco Giordani Mora (2016)
Polarização direta (a) Polarização reversa (b)

Figura 15 - Identificação dos terminais ânodo e catodo do diodo
Fonte: SENAI (2016)
Conforme ilustrado na figura anterior (a), o diodo, quando polarizado diretamente, indica em seu
display o valor de 0,677. Isso significa que existe uma pequena oposição à passagem de corrente elétrica
que circula entre os terminais do semicondutor. Para semicondutores fabricados de material de silício, o
valor é próximo de 0,7 volts. Já para semicondutores de germânio, o valor é próximo de 0,3 volts. Ou seja,
na condição de polarização direta, a ponteira vermelha está conectada ao terminal ânodo (+) do diodo e a
ponteira preta no terminal catodo (-).
45
Quando identificada a polarização reversa, figura anterior (b), é indicado no display do multímetro
a situação de circuito aberto “OL”, que caracteriza o bloqueio da circulação de corrente elétrica, sendo a
ponteira vermelha do multímetro conectada ao terminal catodo (-) do diodo e a ponteira preta no terminal
ânodo (+).
Estas duas situações indicam o funcionamento do diodo, na qual sua polarização permite ou não a
passagem de corrente elétrica. Cabe ressaltar que a representação OL indicada no display do multímetro
pode variar conforme o fabricante do equipamento, podendo a condição de circuito aberto ser representada
de outra maneira. Dessa forma, é indicada uma consulta junto ao manual do equipamento de medição em
caso de dúvida. Com o multímetro, é possível realizar também testes de funcionamento com o diodo, além
das técnicas apresentadas anteriormente, que, neste caso, utiliza a escala de continuidade (ou diodo). Na
sequência, será descrito outro método utilizado. Acompanhe.
TESTE DE FUNCIONAMENTO
O teste de funcionamento consiste em verificar se o diodo está funcionando corretamente, sendo
necessário utilizar um equipamento ohmímetro digital ou analógico, ou seja, no teste de funcionamento
de diodos, é necessário verificar o valor de resistência do componente. O multímetro é um equipamento
digital e pode ser utilizado para testar diodos, sendo necessária a seleção da escala de resistência elétrica
em ohms.
O procedimento é similar à técnica de identificação dos terminais do diodo. Porém, o equipamento
de medição deve estar na escala de resistência elétrica, em que as ponteiras de prova do multímetro são
conectadas aos terminais do diodo, conforme apresenta a figura a seguir.
Ω Inverter o diodo
Figura 16 - Teste de funcionamento em diodos

Fonte: SENAI (2016)
A medição de resistência no diodo deverá ser realizada duas vezes, levando em consideração a sua
polaridade. Ao permitir continuidade em um único sentido, o diodo deve indicar um valor de resistência
elétrica baixo, sendo a primeira medição realizada. Na segunda medição, invertendo as ponteiras de prova
do multímetro em relação aos terminais do componente, o multímetro deve indicar um valor de resistência
elétrica elevado. Essas duas características indicam que o componente está funcionando conforme
desejado, ou seja, seu funcionamento está correto.
46
Mas, como saber que o diodo se encontra danificado, com problema de funcionamento? Ao realizar as
duas medições anteriormente citadas, caso o multímetro indique no display valores de resistência elétrica
baixos em ambos os sentidos, ou seja, na primeira medição indicou um valor baixo de resistência elétrica
e ao inverter as ponteiras de prova, novamente indique um valor baixo, significa que o componente se
encontra em curto.
Nesta mesma situação, caso nas duas medições o valor de resistência elétrica medido seja muito elevado,
significa que o componente está aberto. Sendo constatadas essas duas situações no componente, em
curto ou aberto, o diodo apresenta problemas em seu funcionamento, sendo plausível a sua substituição.
Até aqui, você teve a oportunidade de conhecer assuntos extremamente relevantes a respeito de
componentes semicondutores, o diodo é um exemplo típico de componente que, por meio de sua junção,
oferece características fundamentais a circuitos eletrônicos. A seguir, você conhecerá o comportamento
deste componente quando aplicado em circuitos de corrente alternada.
3.2 CIRCUITOS COM DIODO EM CA
Os diodos em circuitos de corrente alternada possuem a função de retificadores de tensão. Imagine

você, que todo aparelho eletroeletrônico como televisores, carregadores, computadores e videogames
possuem circuitos que funcionam apenas em corrente contínua, sendo necessário então uma fonte de
alimentação com circuito retificador para alimentá-los.
Retificar a tensão de entrada em circuitos utilizando o diodo significa transformar circuitos de corrente
alternada para corrente contínua. Assim, a fonte de alimentação de qualquer eletroeletrônico que
apresente essas necessidades em seu funcionamento tem um circuito retificador. Dessa forma, existem
basicamente dois tipos de circuitos retificadores com diodos: retificadores de meia onda e retificadores de
onda completa.
Existem também retificadores com filtro, em que componentes reativos, como capacitores e indutores,
são utilizados para compor o circuito de retificação, oferecendo a caraterística de filtro de tensão e
corrente, nivelando a tensão contínua de saída. Para você compreender a utilização de diodos retificadores
em circuitos de corrente alternada, observe, na próxima figura, o diagrama de blocos de uma fonte de
alimentação que transforma corrente alternada em corrente contínua.
Entrada: CA Transformador Retificação Filtro Regulador Saída: CC

Ellen Cristina Ferreira (2016)
Figura 17 - Diagrama de blocos de uma fonte de alimentação

Fonte: SENAI (2016)
47
Antes de você conhecer o funcionamento do diodo em corrente alternada e as etapas para retificação
de um sinal, é importante compreender a utilização de transformadores nos circuitos CA e o conceito de
sinal senoidal.
TRANSFORMADOR
A utilização de transformadores no estágio de entrada de circuitos retificadores é dada pela necessidade
de adequar os níveis de tensão para os dispositivos eletrônicos que contemplam todo o circuito retificador,
como também do equipamento. Ou seja, o transformador pode elevar a tensão ou abaixá-la. Em circuitos
retificadores com a função de abaixá-la, transformando a tensão CA de entrada no enrolamento primário
(bobina esquerda) para uma tensão menor, ajustada para o restante do sistema retificador conectado ao
enrolamento secundário (bobina direita). Um exemplo típico desta situação é encontrado em carregadores
de celulares, cuja fonte de alimentação é uma tomada com tensão CA de 220 V. Porém, a tensão CC de saída
do circuito é 5 V. Neste caso, é necessário utilizar um transformador para adequar os níveis de tensão.
SINAL SENOIDAL
Como visto no diagrama de blocos, os circuitos retificadores adequam um sinal alternado senoidal de
entrada para um sinal contínuo. A rede elétrica brasileira opera em corrente alternada, cuja onda senoidal
possui característica periódica em dois semiciclos com valores máximos, como pode ser visto na figura, a
seguir, que apresenta um sinal senoidal.
( + ) VP
ωt
( - ) VP
Figura 18 - Representação de um sinal senoidal

Fonte: SENAI (2016)
48
Observa-se que, no semiciclo positivo e negativo, o sinal senoidal possui valor máximo, chamado valor
de pico, ou seja, o valor máximo que o sinal pode alcançar durante os semiciclos.
Compreendida a utilização de transformadores em circuitos retificadores e o conceito de sinal senoidal,
acompanhe, a seguir, a utilização de diodos nestes circuitos.
3.2.1 RETIFICADOR DE MEIA ONDA
Sabendo que o circuito retificador recebe sinal de fonte alternada, ou seja, aquela que produz uma
senoide com ciclos positivos e negativos, então o diodo retificador possui comportamento característico
de sua polarização. Dessa forma, o comportamento do diodo, quando a senoide possuir valor positivo,
será de permitir a passagem de corrente elétrica até o resistor. Nesta situação, atuará polarizado
diretamente, sendo o terminal ânodo positivo em relação ao terminal catodo. Porém, quando a fonte
de tensão passar para a senoide negativa, o diodo possui comportamento como uma chave fechada,
em que ocorre sua polarização reversa, interrompendo a passagem de corrente elétrica até a carga. O
comportamento do diodo na situação anteriormente descrita pode ser entendido pela figura (b).
D1
t
Circuito retificador meia onda Sinal de saída na carga (meia onda)

(a) (b)
Figura 19 - Circuito retificador de meia onda e seu sinal representativo
Fonte: SENAI (2016)
A tensão média presente na carga deste circuito pode ser dada pela seguinte expressão:
Onde:
VMEDIA é a tensão média na carga.
Vp é a tensão máxima instantânea presente na forma de onda retificada, ou seja, a tensão de pico
presente na carga.
49
De acordo com o sinal senoidal de saída, apenas os semiciclos positivos são representados, pois, nesta
situação, o diodo permite a circulação de corrente até a carga. Este sinal pode ser verificado conectando
um osciloscópio na saída do circuito, neste caso no resistor. Quando ocorre a passagem para o semiciclo
negativo, o diodo é reversamente polarizado e bloqueia a passagem da corrente, pois a senoide negativa no
enrolamento primário do transformador é negativa também no secundário, ou seja, somente no semiciclo
positivo a carga será alimentada. Assim, o retificador recebe o nome de meia onda, pois ocorre o corte do
semiciclo negativo, devido a característica unidirecional do diodo, circulando em um único sentido.
No retificador de meia onda, o sinal durante o semiciclo negativo da fonte de entrada não é retificado,
mas há estruturas que permitem a retificação de ambos os semiciclos. Estes podem ser tratados por meio
dos retificadores de onda completa. Acompanhe, a seguir, o seu funcionamento.
3.2.2 RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA
Um retificador de onda completa é formado por dois ou mais diodos. De acordo com o semiciclo
senoidal, hora positivo hora negativo, cada diodo é responsável por conduzir a corrente elétrica em
determinado semiciclo. Ou seja, no semiciclo positivo, sendo o diodo D1 polarizado diretamente, este
permite a passagem de corrente elétrica até a carga. Na mudança do sinal alternado, semiciclo negativo, o
diodo D2 é polarizado diretamente, sendo a circulação de corrente elétrica até a carga contínua em ambos
os níveis do sinal alternado.
A próxima figura apresenta um circuito retificador de onda completa de seu sinal representativo.
D1
D2
t
Circuito retificador de onda completa Sinal de saída na carga

(a) (b)
Figura 20 - Circuito retificador de onda completa e seu sinal representativo
Fonte: SENAI (2016)
50
A tensão média presente na carga deste circuito pode ser dada pela seguinte expressão:
Onde:
presente na carga.
O comportamento de ambos os diodos, quando polarizados diretamente, é demonstrado pela figura
anterior (b). Assim, quando o diodo D1 estiver polarizado diretamente, o diodo D2 estará polarizado
reversamente, sendo a carga alimentada pelo diodo D1. Quando o diodo D2 estiver polarizado diretamente,
o diodo D1 é reversamente polarizado pelo semiciclo negativo, então a carga é alimentada pelo diodo D2.
Observa-se que o enrolamento secundário do transformador nesta configuração é aterrado com Center
Tape, em português Tomada Central. Portanto, esse retificador utiliza apenas a metade do enrolamento
secundário por semiciclo, recebendo o nome de onda completa com ponto central. A utilização de
Center Tape demanda a construção de um transformador maior, mais pesado e de custo elevado, sendo
considerado desvantajoso em relação aos retificadores de onda completa em ponte, que não utilizam essa
característica no transformador.
RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

Os retificadores de onda completa em ponte são formados por quadro diodos. Assim, em cada semiciclo
dois diodos são polarizados diretamente e os outros dois, reversamente.
A figura, a seguir, apresenta um circuito retificador de onda completa em ponte.
D1 D2
D3 D4
Figura 21 - Circuito retificador de onda completa em ponte

Fonte: SENAI (2016)
51
A tensão média presente na carga deste circuito é semelhante à expressão do circuito retificador onda
completa apresentado anteriormente.
Onde:
presente na carga.
Nesta situação, a utilização de quadro diodos retificadores elimina a utilização de Center Tape no
enrolamento secundário do transformador. Comparado à configuração apresentada anteriormente, a
utilização de retificadores em ponte é economicamente viável, pois o transformador deixa de possuir uma
derivação central no enrolamento secundário, reduzindo seus custos. Outro fator que agrega é que a tensão
no enrolamento secundário é menor. Desta forma, quando os diodos forem polarizados reversamente, o
nível de tensão sobre esses componentes será menor.
É comum você encontrar um único componente retificador de modo em que seu

encapsulamento forma uma ponte retificadora de quatro diodos ligados entre
CURIOSI si, respeitando a sua polaridade. Geralmente, esses componentes são fabricados
DADES com quatro terminais e substituem circuitos com quatro diodos. Devido a esta
característica, esses componentes são fabricados especialmente para otimizar espaço
em placas de circuitos eletrônicos.
Seguindo a mesma linha de raciocínio, até aqui, o sinal de tensão de saída na carga ainda apresenta
ondulações. Dessa forma, os circuitos retificadores devem possuir o complemento de um circuito ou
componente que objetiva tornar o sinal menos pulsante, filtrando-o. Essa característica é dada pela
implementação de um filtro capacitivo junto ao circuito retificador.
3.2.3 RETIFICADORES COM FILTRO CAPACITIVO
Os circuitos retificadores utilizam filtros para atenuar a parcela CA existente no sinal, para reduzir o
sinal pulsante e tornar o sinal de saída aproximadamente constante. O filtro mais utilizado em retificadores
consiste de um capacitor conectado à carga.
52
Na figura (a) está ilustrado o sinal de ambos os retificadores apresentados anteriormente.
V V
t t
Meia onda Onda completa
(a)
V V

t t
Meia onda Onda completa
(b)
Figura 22 - Circuito retificador meia onda e onda completa com a utilização de filtro capacitivo
Fonte: SENAI (2016)
É possível notar que o sinal chega até o valor de pico e depois retorna a zero, assim sucessivamente. A
ideia da utilização de filtro capacitivo é não deixar que o sinal de tensão retorne a zero, como mostrado na
figura anterior (b) para o sinal de meia onda e onda completa.
Assim, o circuito de filtro funciona basicamente após o primeiro quarto de um ciclo referenciado pelo
secundário do transformador, ou seja, o diodo diretamente polarizado permite a passagem de corrente
elétrica até o circuito de filtro, sendo assim, o capacitor é carregado até o valor de tensão máxima (tensão de
pico). Quando o diodo for reversamente polarizado, o capacitor atua descarregando a energia armazenada
até o próximo ciclo, ou seja, até que o diodo seja polarizado diretamente. A descarga do capacitor é relativa
à sua constante de tempo, que, por sua vez, comparada ao sinal de entrada, é maior, fazendo com que o
capacitor descarregue apenas parte de sua carga total.
Para obter um sinal de tensão contínuo ideal, ou seja, constante, o valor de capacitância deverá ser
aumentado. Esta ação é necessária, pois assim existirá uma pequena ondulação no sinal do retificador com
filtro, conhecida como Tensão de Ripple. Este fenômeno é ocasionado pela carga e descarga do capacitor,
quando o diodo conduz corrente e recarrega o capacitor.
A necessidade de um capacitor em um circuito retificador é dada para manter a tensão da carga
praticamente constante, ou seja, próxima do valor de pico. Desse modo, a utilização de filtros com capacitor
em circuitos retificadores adequa a tensão de saída pulsante para uma tensão praticamente constante,
apropriada para o funcionamento de equipamentos e dispositivos eletrônicos.
53
Para dimensionar o valor do capacitor presente no circuito retificador é necessário seguir os seguintes
parâmetros:
C – Valor da capacitância dado em Faraday.
Vp – Valor de pico da forma de onda presente na saída. Este parâmetro é dado em Volts.
VRIPPLE – Máxima oscilação de pico a pico presente no sinal filtrado. Este parâmetro é dado em Volts.
f – Frequência de oscilação do sinal de tensão na saída, dado em Hertz.
R – Resistência da carga presente na saída do circuito, dado em Ohms.
Com estes parâmetros, basta aplicar os dados na seguinte expressão:
Para entender melhor esta equação, considere o seguinte exemplo:
Exemplo 1 – Para melhorar o sinal da tensão de saída de um circuito retificador, deve ser inserido um
capacitor. Este capacitor terá a função de filtro, melhorando as oscilações de tensão presentes na carga. É
desejado que a máxima tensão de oscilação (VRIPPLE) seja igual a 1,5 V. Considerando que a tensão de pico
(Vp) é de 50 V, a frequência de 60 Hz e a resistência de 5 kΩ, calcule o valor da capacitância presente neste
circuito.
Aplicando os dados na expressão, tem-se:
É importante lembrar que se este projeto fosse aplicado a um retificador onda completa, a fórmula
seria a mesma, entretanto, o valor da frequência do sinal deve ser dobrada. Caso a frequência do sinal de
tensão fosse 60 Hz, o sinal de saída possuirá uma frequência de 120 Hz. Este efeito permite que o valor da
capacitância seja menor.
54
A seguir, você conhecerá alguns dispositivos semicondutores com características ópticas.
3.3 DISPOSITIVOS OPTOELETRÔNICOS
Os dispositivos optoeletrônicos consistem na junção da tecnologia ópticas com componentes

semicondutores eletrônicos. O uso dessa tecnologia é de grande ascensão no mercado mundial. Um
exemplo é a utilização da tecnologia LED para iluminação residencial e pública. Assim como diodos
emissores de luz, existem outros componentes optoeletrônicos, como fotodiodos1 e acopladores ópticos.
Basicamente, os dispositivos optoeletrônicos podem ser utilizados com dois propósitos distintos, de
acordo com a aplicação desejada, ou seja, dispositivos emissores e dispositivos detectores. Existem também
dispositivos que combinam estas mesmas funções em um único encapsulamento. No caso de dispositivos
ópticas, em todas as situações seu funcionamento é baseado na junção PN e no tipo de material que o
constitui.
Dispositivos emissores têm como característica a conversão da energia elétrica em energia luminosa,
gerando assim sinais luminosos que são utilizados em diversos propósitos. Já os dispositivos detectores
funcionam de acordo com a intensidade luminosa incidente em seu encapsulamento, convertendo assim
a energia luminosa em energia elétrica.
3.3.1 DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)
O diodo emissor de luz, conhecido também como LED, é, sem dúvidas, o dispositivo optoeletrônico
mais conhecido e com maior faixa de aplicação atualmente. O funcionamento desse componente consiste
na sua junção PN. Quando polarizado diretamente em um circuito, a transformação da energia elétrica em
energia luminosa ocorre no momento em que os elétrons livres são atraídos por lacunas, sendo o nível de
energia de uma camada para a outra diferente, o dispositivo irradia energia elétrica em energia luminosa.
Uma aplicação muito comum para a tecnologia LED está relacionada à iluminação, envolvendo
também ações de eficiência energética, tendo em vista que lâmpadas LEDs, se comparadas às lâmpadas
incandescentes, são mais econômicas em relação ao consumo de energia elétrica, como também possuem
uma ampla faixa de horas de operação. É comum também encontrar LEDs para indicação de estados em
aparelhos eletrônicos e outros equipamentos.
1 São componentes sensíveis à luminosidade e sua polarização é feita reversamente. Assim, a luminosidade em seu receptor induz
uma corrente reversa. Quanto maior a incidência de luz em seu receptor, maior o valor da corrente reversa entre seus terminais.
55
Observe na figura, a seguir, o LED e sua simbologia.
(a) (b)
(c)
+ - + -
Simbologia LED
+ -
Antonio Mees (2016)

Figura 23 - Diodo emissor de luz – LED e sua simbologia
Fonte: SENAI (2016)
O LED possui polarização, assim como o diodo, sendo seus terminais ânodo e catodo. De acordo com
a figura anterior, no LED, a representação da polarização é dada pelo comprimento de seus terminais (a)
e parte do seu corpo possui um chanfro (b), em que o terminal menor representa o catodo e o terminal
maior o ânodo. Em seu interior, é encontrado o chip LED, parte responsável pela emissão de luminosidade.
Fisicamente, o lado que possui um chanfro no LED representa o terminal catodo. A representação de um
diodo emissor de luz em circuitos eletrônicos é dada pela simbologia do diodo com duas setas (c).
Em seu funcionamento, o LED possui limitação de tensão e corrente, sendo necessária a utilização de
um resistor para limitar a corrente através do componente. Comercialmente, os valores relacionados à
tensão e corrente sobre os LEDs podem ser encontrados na faixa de 1,5 V a 2,5 V, com correntes entre 10 a
50 mA. Veja, a seguir, um exemplo de cálculo de resistor para limitar a corrente através do LED.
Exemplo: resistor limitador de corrente – LED

Determine o valor do resistor limitador de corrente para um diodo emissor de luz vermelha, com tensão
típica máxima de 1,7 V entre seus terminais e corrente elétrica de 30 mA conectado a uma fonte de tensão
CC de 24 V.
56
+
VF LED
Antonio Mees (2016)

-
Figura 24 - Circuito com resistor para limitar a corrente elétrica

Fonte: SENAI (2016)
De acordo com o circuito, nota-se que a fonte de tensão de entrada do circuito incidente sobre o resistor
e o LED é de 24 V. Dessa forma, pela tensão distribuída na malha do circuito, pode ser obtido a tensão
incidente no resistor limitador:
Conhecendo a tensão no resistor e a corrente incidente do LED, aplica-se a Lei de Ohm para determinar
o valor de resistência elétrica:
57
Um fator importante relacionado à cor emitida pelo componente LED está diretamente ligado ao
seu material semicondutor combinado às impurezas químicas de diferentes materiais que, conforme
sua composição, formam cores diferentes. Isso significa que, para produzir cores, como azul, vermelho e
amarelo, o LED, em sua junção, possui combinações químicas de elementos, como gálio, arsênio, carboneto
de silício e fósforo, que produzem diferentes tipos de cores.
Desta forma, a cor do diodo emissor de luz não é dada pela coloração de seu encapsulamento. Essa
alteração física apenas ajuda o LED a intensificar o brilho de sua respectiva cor. Em um diodo emissor de
luz de cor vermelha, por exemplo, a composição da sua junção é dada pelos semicondutores fosforeto de
gálio e arsênico (GaAsP). A seguir, no quadro, são apresentados alguns materiais semicondutores, metais e
gases com suas combinações para fabricação de LEDs comercialmente encontrados.
COMPOSIÇÃO DE MATERIAIS COR CARACTERÍSTICA DO LED

Gálio Arsenieto (GaAs) Infravermelho
Gálio Phosphide (BPA) Vermelho, amarelo e verde
Alumínio Gálio Phosphide (AlGaP) Verde
Selenieto de Zinco (ZnSe) Azul
Alumínio Nitreto de Gálio (AlGaN) Ultravioleta
Quadro 1 - Materiais semicondutores, metais e gases utilizados para produção de cores em diodos emissores de luz
Existem diferentes tipos de LEDs. Geralmente, seu encapsulamento pode variar de 3 mm a 10 mm de

diâmetro em LEDs de aplicações eletrônicas simples. Com relação à sua coloração, podem ser encontrados
componentes que possuam duas, três ou mais cores em um único encapsulamento. Veja, a seguir,
outro exemplo comum de aplicação de LED comercialmente encontrado e muito utilizado em diversos
equipamentos, o display de sete segmentos, componente construído em formato especial para representar
letras e números. Um exemplo de aplicação é sua utilização em displays de multímetros digitais.
3.3.2 DISPLAYS DE SETE SEGMENTOS
O display de sete segmentos, propriamente dito, é formado por sete LEDs, sendo construído em
formato especial para representação de números. Dessa forma, cada segmento, ou LED, possui uma letra
representativa de seu segmento, de A a G, como ilustrado na figura seguinte.
58
Displays de sete segmentos são usualmente aplicados para representar números e algumas possíveis
letras em dispositivos e equipamentos eletroeletrônicos.
G F GND A B
1 2 3 4 5
1: Segmento g
2: Segmento f
4: Segmento a
5: Segmento b
6: Segmento e
7: Segmento d
9: Segmento c
10: Segmento ponto decimal
6 7 8 9 10
Antonio Mees (2016)

Representação
E D GND C DP do diodo led
Legenda
Figura 25 - Display de sete segmentos

Fonte: SENAI (2016)
Um único display de sete segmentos pode representar números de 0 a 9, sendo sua aplicação mais
comum, como também, formar algumas letras do alfabeto, como A, C e F. Por possuir um número limitado
de segmentos, o display de sete segmentos não é muito indicado para representar letras. Os terminais 3 e
8 segmentos são referenciados como ponto comum do display.
Além do display indicador de sete segmentos, existem displays alfanuméricos,

conhecidos também como displays de 16 segmentos, que possuem maior resolução.
CURIOSI Esses dispositivos são amplamente indicados para representar letras e números
DADES com maior qualidade de visualização. Comparado aos displays de sete segmentos, a
interpretação de seus caracteres é melhor, justificando sua utilização para representar
letras.
Neste componente, é necessário também a utilização de resistores para limitação de corrente elétrica,
sendo um resistor limitador para cada LED ou ainda uma rede de resistores encapsuladas. A polarização
desses displays é dada por dois tipos: ânodo comum, quando todos os terminais ânodo dos LEDs estão
estão conectados ao positivo da fonte de alimentação do circuito de tensão; e catodo comum, da mesma
forma quando todos os terminais catodo dos LEDs estão conectados ao negativo da fonte de alimentação
do circuito (GND).
59
A representação elétrica destes dois tipos é observada no quadro, a seguir.
REPRESENTAÇÃO ELÉTRICA – DISPLAY 7 SEGMENTOS
Ânodo comum
Catodo comum
Quadro 2 - Representação elétrica para ânodo comum e catodo comum

Fonte: SENAI (2016)
Sendo assim, para representar letras e números, é necessário alimentar os segmentos conforme a letra
indicativa de seu caractere. Por exemplo, utilizando um display de sete segmentos para representar o
número quatro, é necessário a utilização dos seguintes segmentos: B, C, F e G.
A seguir, você estudará os dispositivos semicondutores ópticos, cujo funcionamento é dado pela
utilização de componentes emissores e receptores.
3.3.3 ACOPLADORES ÓPTICOS
O acoplador óptico é um componente eletrônico formado por um emissor de sinal e um receptor,

que podem ser formados por diodo emissor de luz e um fotodiodo em um mesmo encapsulamento. O
diodo emissor de luz representa a entrada de um circuito e o fotodiodo a saída, ou seja, o acoplador óptico
consiste em um circuito isolador, sendo utilizado para transferência de sinais entre dois circuitos, servindo
também como proteção para circuitos eletrônicos sensíveis, pois isola ambos os circuitos. Basicamente,
o circuito de entrada formado por um LED emite um sinal luminoso ao dispositivo fotodiodo, sensível às
variações luminosas, sendo gerada uma corrente reversa no circuito de saída do acoplador.
60
A figura, a seguir, apresenta um exemplo de dispositivo acoplador óptico com receptor a fototransistor
e seu circuito equivalente.
A 1 6 B
C 2 5 C
6
Antonio Mees (2016)

NC 3 4 E
1
(a) (b)
Figura 26 - Acoplador óptico 4N25 (a) e sua representação em circuito eletrônico (b)
Fonte: SENAI (2016)
Por permitir o isolamento elétrico entre dois circuitos, o acoplador óptico é fortemente aplicado
em situações que exijam o total isolamento entre circuitos, sendo recomendado para aplicações que
operam em altas frequências. Como em qualquer componente eletrônico, existem parâmetros nominais
relacionados à tensão e à corrente elétrica. Como profissional da área de eletrônica, você deve conhecer os
seguintes dados nominais para utilização destes componentes:
a) corrente elétrica do circuito emissor (excitação);
b) tensão nominal para condição inversa do circuito emissor;
c) tensão nominal para condição direta do circuito emissor.
Nos circuitos de saída, é comum encontrar outros componentes além de fotodiodos. Esta característica
pode variar de acordo com a aplicação. Outros dispositivos (sensíveis à luminosidade) podem compor um
acoplador óptico. Cita-se, como exemplo, foto-transistores que oferecem maior velocidade de resposta na
transferência de sinais entre dois circuitos isolados.
Conheça, a seguir, o diodo zener, utilizado para operar na região reversa e amplamente empregado em
circuitos retificadores.
61
3.4 DIODO ZENER
O diodo zener é um componente especialmente fabricado para operar na região de ruptura. Essa
característica é única deste componente, devido ao fato do material que o constitui. Em geral, é composto
de semicondutor silício, porém os níveis de dopagem sofrem variações químicas, dando então esta
característica ao diodo zener. Assim, dentro dos níveis de operação do diodo zener, este componente
é utilizado em circuitos com característica de regulação de tensão, pois mantêm os níveis de tensão VR,
mesmo que ocorram alterações no valor de corrente através do componente.
Um exemplo de diodo zener é apresentado na figura, a seguir, como também sua simbologia para
circuitos eletrônicos. Observa-se que o diodo zener, assim como o diodo normal, possui polarização e sua
única diferença está relacionada ao nível de dopagem.
(+) (-)
Thinkstock ([20--?]), Antonio Mees (2016)

ou
(+) (-)
Figura 27 - Diodo zener e sua simbologia

Fonte: SENAI (2016)
Da mesma forma que um diodo normal, quando polarizado de forma direta, o diodo zener permite
a circulação de corrente elétrica entre seus terminais. Desta forma, o funcionamento do diodo zener é
baseado na polarização reversa. Assim, o componente permite a circulação de corrente elétrica, devido à
tensão permanecer constante. Isso só é possível, pois a região de depleção do zener é estreita, comparada
a de um diodo normal, fazendo com que exista um campo elétrico intenso nesta região.
Observe, a seguir, as características de tensão, corrente e potência do diodo zener. Você verá que,
mesmo com a variação de corrente elétrica quando polarizado reversamente, o componente apresenta
níveis de tensão estáveis.
62
3.4.1 CARACTERÍSTICAS DE TENSÃO, CORRENTE E POTÊNCIA
As características de tensão e corrente do diodo zener podem ser compreendidas graficamente pela
figura, a seguir, que ilustra as regiões de sua operação.
Diodo na região direta
Região de ruptura
VZmin VZmax
VR IZmin V
Diodo na região reversa

IZmax
Iz
Figura 28 - Região de operação do diodo zener
Fonte: SENAI (2016)
Nota-se que existe uma tensão de joelho na região reversa, denominada região de trabalho do diodo
zener, delimitada pelos valores de corrente mínimos e máximos. Para que o diodo zener atue como regulador
de tensão estável, o componente possui a chamada “tensão zener”, que pode variar de 2 V até 150 V, ou
valores próximos. Ao atingir a tensão zener (tensão de alimentação maior que a tensão do componente), o
componente, em sua junção, permite a passagem de corrente elétrica em seus terminais. Diferentemente
do diodo convencional, nessa mesma situação, o componente poderia ser danificado.
Além disso, é visível, na figura, que a região de operação reversa possui também a tensão de joelho.
No instante em que a corrente atinge o valor IZ(min), a tensão no zener será aproximadamente constante.
Mesmo que trabalhe na região reversa, o diodo zener possui características elétricas nominais mínimas e
máximas. Desta forma, em sua aplicação, os valores de tensão, corrente e potência devem ser respeitados,
para que não ocorram problemas. Da mesma forma, o zener necessita de um resistor limitador de corrente,
sendo que os valores máximo e mínimo de corrente através do componente podem ser obtidos a partir
dos valores de tensão e potência.
63
Um exemplo de diodo zener comercialmente encontrado é o 1N4737. As principais informações

técnicas, de acordo com a folha de dados do fabricante, serão apresentadas a seguir.
TENSÃO CORRENTE CORRENTE DISSIPAÇÃO TEMPERATURA RANGE DE

DIODO
NOMINAL VZ MÍNIMA MÁXIMA DE POTÊNCIA DA TEMPERATURA
ZENER
(V) IZMIN (mA) IZMAX (mA) PTOT (W) JUNÇÃO TJ (°C) TS (°C)
1N4737 7.5 34 121 1.0 175 -65 a 175
CARACTERÍSTICAS FÍSICAS
Catodo
Catodo Ânodo
Ø2.8
1N
47
Ø0.85
26 4.5 26
Quadro 3 - Informações técnicas do diodo zener 1N4737 da General Semiconductor

Fonte: adaptado de General Semiconductor (1998)
Assim, para que o diodo zener 1N4737 funcione, é necessário que tenha um valor de corrente mínimo
em seus terminais para que ele atue, sendo a tensão nominal o valor de tensão reversa para que o
componente entre na região de condução. Este diodo pode dissipar no máximo 1 W de potência operando
reversamente. Como todos os componentes apresentam valores máximos, o zener em questão suporta até
121 mA de corrente máxima em condução reversa.
De acordo com essas características, o diodo zener é utilizado para regular e estabilizar tensões, pois
tem a capacidade de controle na região reversa contra variações de corrente, proporcionando um sinal
constante junto à carga conectada em paralelo. Veja, a seguir, o comportamento do diodo zener com carga
e sem carga.
3.4.2 REGULADOR ZENER SEM CARGA E COM CARGA
O diodo zener é também chamado de regulador zener. Essa característica é dada, pois este componente
atua como regulador de tensão no qual mantém os níveis de tensão elétrica no circuito de saída constante,
mesmo que ocorra variação de corrente elétrica na carga. Deste modo, a utilização de diodos zener é típica
em circuitos cujo a saída apresenta consumo de potência variável, como é o caso de circuitos de fonte de
alimentação.
Observe o circuito da figura, a seguir, que apresenta um diodo zener associado a um resistor, cuja
finalidade é limitar a corrente que circula nos terminais do diodo.
64
Para que você compreenda a operação do regulador zener sem carga e com carga, é possível notar
também a existência de uma carga conectada em paralelo ao diodo zener.
Rs
+ +
Tensão de zener Carga Tensão de

Entrada Saída
-
-
Figura 29 - Circuito com regulador zener

Fonte: SENAI (2016)
Neste circuito, o regulador zener opera na região de ruptura, em que a tensão de entrada, até então não
regulada, alimenta o circuito, cuja finalidade do resistor RS é limitar a corrente elétrica para funcionamento
do regulador zener. A tensão de saída, agora regulada, é associada à carga. Nesta situação, para variações
existentes de tensão de entrada, o regulador manterá constante a tensão de saída do circuito.
Analisando o circuito, a corrente no resistor limitador RS é expressa algebricamente:
onde:
IRS = corrente do resistor limitador;
Izener = corrente do regulador zener;
ICarga = corrente da carga.
Como a carga está associada em paralelo ao regulador zener, algebricamente a soma dessas duas
correntes é igual à corrente total, ou seja, a mesma corrente que circula nos terminais do resistor limitador.
Essa característica é similar para o comportamento da tensão elétrica na carga, sendo igual à tensão do
regulador, expressa por:
onde:
VCarga = tensão elétrica na carga;
65
Vzener = tensão elétrica no regulador.

Assim, a corrente elétrica que circulará junto à carga pode ser expressa por:
onde:
ICarga = corrente da carga;
VCarga = tensão elétrica na carga;
RCarga = resistência elétrica na carga.
Com base nestas equações, é possível compreender a utilização de diodos zener em circuitos
retificadores, fato este, associado à utilização de filtros capacitivos, ao qual o nível do sinal de saída do
circuito retificador é influenciado pelo consumo de corrente elétrica da carga conectada em sua saída.
Como a saída de um circuito retificador deve ser constante, sem variações, é utilizado então o regulador
zener. Seu comportamento está associado diretamente ao resistor limitador de corrente RS. Com o aumento
ou a diminuição dos níveis de tensão de entrada, as variações de tensão cairão totalmente sobre resistor
limitador, porque a tensão permanece constante no diodo zener, independentemente do valor de corrente
elétrica.
É importante enfatizar que a operação do regulador zener pode não funcionar quando a corrente que
circula em seus terminais for menor que a corrente de excitação mínima do diodo zener, que limita os
valores mínimos de tensão de entrada e valores máximos ôhmicos da resistência utilizada para limitar a
corrente. Outra situação que caracteriza o seu funcionamento incorreto é dada quando a corrente através
do diodo zener for superior à corrente máxima de operação do componente. Essa mesma situação ocorre
para a potência dissipada, quando ultrapassar os valores máximos especificados na folha de dados do
componente.
A seguir, você irá estudar outro componente semicondutor utilizado para operações de chaveamento e
amplificaçãoem circuitos eletrônicos.
3.5 TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR
O componente transistor de junção foi criado em 1951 pelos co-inventores Dr. William Schockley, Dr.
John Bardeen e Dr. Walter H. Brattain, que revolucionaram a indústria eletrônica. Anteriormente, nos anos
1950, a grande maioria dos equipamentos eletrônicos funcionavam por meio de válvulas de bulbo de baixo
brilho. Com a invenção do transistor, todos os equipamentos eletrônicos da época sofreram modificações
que se refletem até hoje (BOYLESTAD, 1998). Os componentes semicondutores são a base da eletrônica,
sendo que o transistor alavancou diversos outros componentes de grande importância, tais como circuitos
integrados, componentes optoeletrônicos e microprocessadores.
66
O transistor de junção bipolar, ou TBJ (Transistores Bipolares de Junção), são componentes

semicondutores fabricados de silício ou germânio. Apresenta duas características com relação às suas
regiões, conhecidas também como camadas, sendo elas:
a) Transistor PNP: camada do tipo N, que separa duas camadas do tipo P;
b) Transistor NPN: camada do tipo P, que separa duas camadas do tipo N.
Logo, o transistor é um componente semicondutor de três camadas e duas junções que controla
sinais elétricos. Sua utilização típica é na aplicação como chave e como amplificador. Diferentemente do
diodo, os transistores possuem três terminais, e cada terminal possui uma denominação, definindo sua
funcionalidade no circuito. Dessa forma, os terminais do componente são conhecidos como: emissor, base
e coletor, respectivamente, utilizado tanto para o transistor PNP como NPN.
3.5.1 CONSTRUÇÃO
A construção dos transistores está relacionada com suas camadas. O tipo NPN é construído de modo
que as camadas de material semicondutor sejam separadas por uma fina camada do tipo P. Em transistores
PNP, ocorre a existência de uma fina camada do tipo N, que separa as outras duas regiões semicondutoras.
Em ambos os tipos, todas as regiões que caracterizam os terminais do componente são dopadas, porém,
com níveis distintos.
Observe, na figura, a seguir, um transistor BC548, usualmente encontrado em circuitos eletrônicos e a
simbologia dos modelos PNP e NPN. É possível notar que o terminal emissor do transistor possui uma seta
indicativa do sentido de circulação da corrente elétrica.
E C
PNP
B
E C
NPN
B
Figura 30 - Transistor BC548 NPN e simbologias para transistores PNP e NPN
Fonte: SENAI (2016)
67
Como visto, o transistor possui três regiões diferentemente dopadas, normalmente denominadas
de camadas. Comparado à sua estruturação, cada terminal é associado a uma região, na qual a região
do terminal base é relativamente estreita e separa duas outras regiões. A região do terminal emissor é
fortemente dopada, cuja função principal é injetar ou emitir elétrons para o terminal base. Internamente,
esta região é estreita e serve como ponte para os elétrons circularem até a região coletora. A região do
terminal coletor, comparado às demais, possui nível de dopagem intermediário. A região do terminal
coletor “coleta” os elétrons, possuindo uma área maior.
Os transistores podem ser encontrados de quatro encapsulamentos diferentes em circuitos eletrônicos,
os encapsulamentos usualmente utilizados em transistores são do tipo TO-92, TO-220, SOT-23 e TO-66.
Assim como os diodos, o componente possui uma codificação para identificação dos seus terminais,
cabendo a consulta em sua folha de dados para a correta utilização do componente.
Veja, na próxima figura, os encapsulamentos anteriormente citados.
TO-92 TO-220
SOT-23 TO-66
Figura 31 - Principais tipos de encapsulamento de transistores
Fonte: SENAI (2016)
É importante destacar que a variação das suas formas físicas não altera seu funcionamento, muito
menos seus terminais. De acordo com a aplicação, o tipo de encapsulamento a ser utilizado é dado pelas
características e dimensões da placa eletrônica que acomodará o componente.
A polarização em seus terminais define o modo de operação do componente. Veja, a seguir, como é
definida a sua polarização.
68
3.5.2 POLARIZAÇÃO
Assim como os diodos, um transistor pode ser polarizado de forma direta ou reversa. Essa característica
está relacionada às suas junções PN e NP, conforme a próxima figura. Dois transistores são apresentados, o
transistor PNP e NPN.
É possível notar também que a fonte de tensão possui polaridade invertida para as duas situações e a
seta do terminal emissor na simbologia do componente indica o sentido de corrente elétrica.
Transistor PNP Transistor NPN

E C E C
P N P N P N
B B
+ - + - - + - +
V EB V BC V BE V CB
IE IC IE IC

E C E C
IB IB
B B
Figura 32 - Polarização de transistor PNP e NPN
Fonte: SENAI (2016)
De acordo com a figura anterior, nos transistores PNP, a junção PN entre os terminais emissor e base está
polarizada diretamente (VEB). Já a junção NP entre os terminais base e coletor está polarizada reversamente
(VBC). Para transistores NPN, a junção NP entre os terminais emissor e base está polarizada diretamente
(VBE), e a junção PN entre os terminais base e coletor se encontra polarizada reversamente (VCB). Essa
característica de polarização é dada pela referência da fonte de potencial de ambos os circuitos.
Você já sabe que as duas camadas do transistor, tanto do coletor como do emissor, possuem a
característica de serem fortemente dopadas e suas áreas são bem maiores que a camada da base do
componente. Assim, a região da base do componente proporciona uma redução de condutividade, em
que seu nível de dopagem é significantemente menor.
Semelhante ao que ocorre nos diodos, a corrente elétrica no interior do componente acontece por
meio de suas junções. Ou seja, como o transistor possui três regiões de operação, existem duas camadas
de depleção em seu interior. O funcionamento do transistor é entendido por sua polarização, que é
referenciada por polarizar diretamente o terminal base-emissor e reversamente os terminais coletor-base.
De modo geral, quando o terminal emissor do transistor é polarizado diretamente, resulta no fluxo de
elétrons para o terminal de base. Como nesta região o nível de dopagem é consideravelmente fraco, o
69
número de lacunas nesta região é menor, ao qual circula uma pequena corrente. Assim, o fluxo de elétrons
tende a ser maior entre os terminais emissor e coletor para transistores NPN, em que a região do terminal
coletor “coleta” os elétrons por meio da camada de depleção. Em transistores PNP, o fluxo é relativo aos
terminais coletor e emissor. Por fim, o funcionamento do componente transistor é relacionado então ao
fluxo de corrente elétrica entre seus terminais.
De modo geral, o quadro a seguir apresenta as características de acordo com o tipo de polarização.
FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR
CONFIGURAÇÃO CARACTERÍSTICAS DE POLARIZAÇÃO
Vários portadores majoritários são injetados na região N por meio da junção PN diretamente
PNP
polarizada.
Vários portadores majoritários são injetados na região P por meio da junção NP diretamente
NPN
polarizada .
Quadro 4 - Funcionamento do transistor de acordo com a configuração PNP e NPN
Fonte: SENAI (2016)
O comportamento da corrente elétrica polarizando diretamente os terminais base-emissor é

compreendido pela equação:
onde:
IE = corrente no terminal emissor;
IC = corrente no terminal coletor;
IB = corrente no terminal base.
A polarização reversa dos terminais coletor e base acusa a existência de uma corrente de fuga no
terminal coletor, conhecida como ICO. Essa corrente é caracterizada por possuir portadores minoritários.
Assim a corrente no terminal coletor está relacionada pela equação apresentada:
Em transistores comuns, a corrente de fuga é especificada na folha de dados do componente, usualmente

encontrada na ordem miliamperes, microamperes ou nanoamperes. Essa corrente está relacionada à
variação de temperatura. Para situações de aplicação de transistores em condições de temperatura elevada,
a corrente de fuga pode afetar os parâmetros de operação de transistores, causando sua instabilidade.
70
Observa-se que a corrente no terminal emissor do transistor é a soma das correntes nos terminais coletor
e base e essa relação é padrão para transistores PNP e NPN. A tensão elétrica é dada diferentemente para
ambos os transistores:
onde:
VEC = tensão entre emissor e coletor;
VEB = tensão entre emissor e base;
VBC = tensão entre base e coletor.
onde:
VCE = tensão entre coletor e emissor;
VBE = tensão entre base e emissor;
VCB = tensão entre coletor e base.
Essas características de corrente e tensão elétrica são dadas pela interpretação da Lei das Correntes
de Kirchhoff. Veja, a seguir, que os níveis de tensão e corrente definem o modo de operação do transistor,
no qual existem três modelos de operação básicos e estes são relacionados às curvas características de
entrada e saída.
3.5.3 CURVAS CARACTERÍSTICAS
As curvas características de entrada e saída definem os três modos de operação básicos de um

transistor aplicado em circuitos eletrônicos. Deste modo, a curva característica é dada, estabelecendo a
relação de entrada e saída para as configurações base comum, emissor comum e coletor comum. Dos três
modos apresentados, a configuração de emissor comum, comparada às demais, é a mais utilizada para o
desenvolvimento de projetos eletrônicos.
71
A seguir, conheça algumas características das três configurações que determinam a relação do sinal de
entrada e de saída nos transistores de acordo com seus terminais base, emissor e coletor.
BASE COMUM
Observa-se que o terminal da base é quem possui potencial de terra. A curva característica para esta
situação é dada pela figura que segue, assim como a configuração de seu circuito.
IC I E (mA)
IE (mA)
IC (mA) 10
R 25
IB 8
20
25
VCC 20 6
15
IE 15 4
10
10
VBE 2
5 5
Antonio Mees (2016)

0,2 0,4 0,6 0,8 VBE (V) 5 10 15 V
CB
Base Comum Curva de entrada Curva de saída

Figura 33 - Circuito base comum e representação da curva de entrada e curva de saída
Fonte: SENAI (2016)
Na curva característica de entrada, observa-se a relação da corrente de entrada IE em relação a uma

tensão de entrada VBE entre os terminais base e emissor. Os níveis de tensão de saída são representados
por VCB. Já a curva característica de saída, associa a corrente de saída IC à tensão de saída VCB para diferentes
valores de corrente de entrada IE. Quando configurado como base comum, o sinal de entrada é associado
aos terminais emissor-base e o sinal de saída é dado nos terminais coletor-base. Nesta condição, o ganho
de tensão é relativamente elevado. Em consequência, o ganho de corrente é baixo e o ganho de potência
elétrica apresenta níveis razoáveis. A configuração base comum apresenta um baixo valor de impedância
de entrada e saída. Na configuração emissor comum, este comportamento é diferente. Acompanhe.
72
EMISSOR COMUM
Na configuração de emissor comum, o terminal emissor é aquele que possui potencial de terra. A
curva característica para a configuração emissor comum é representada na figura, a seguir, assim como a
representação de seu circuito.
I B ( μA)
IC
Ic R IB (mλ)
( μA) 20
600
VCC 15
IB
400
VBE 10
IE
200
5
Antonio Mees (2016)

0,2 0,4 0,6 0,8 VE 5 10 15 20 25 VCE
Emissor comum Curva de entrada Curva de saída
Figura 34 - Circuito emissor comum e representação da curva de entrada e curva de saída
Fonte: SENAI (2016)
Com base na figura anterior, a curva característica de saída é associada à corrente de saída IC em relação
a tensão de saída VCE nos terminais coletor-emissor, na qual apresenta valores de corrente de entrada IB
no terminal base. Comparada à configuração base comum, esta configuração apresenta uma variação
horizontal em relação ao gráfico. Observe que a corrente no terminal base IB possui uma leve inclinação,
caracterizando que o valor da tensão entre os terminais coletor-emissor incide sobre os valores de
corrente elétrica no terminal coletor do transistor. Ao variar a tensão nos terminais base-emissor, obtém-se
determinados valores de corrente no terminal base. Associado aos transistores, esta configuração é a mais
comum utilizada em circuitos eletrônicos.
Na configuração de emissor comum, o sinal de entrada é aplicado nos terminais base-emissor, sendo o
sinal de saída associado aos terminais coletor-emissor. Esta configuração apresenta algumas características,
como ganho de corrente, tensão e potência elétrica elevada. Sua impedância de entrada é considerada
baixa e a impedância de saída alta. Na configuração de coletor comum, os valores de impedância possuem
comportamento com valores inversos. Acompanhe.
COLETOR COMUM
A curva característica para a configuração coletor comum é entendida pela configuração emissor
comum. Se comparada a esta configuração, a curva é igual. Na prática, o gráfico de saída é relacionado
à corrente no terminal emissor IE versus a tensão entre os terminais emissor-coletor VCE. Com relação às
73
correntes no terminal da base IB, o gráfico de entrada é igual ao da configuração emissor comum. Assim,
para situações de projeto, assemelham-se as condições de entrada para coletor comum às curvas do
emissor comum.
O sinal de entrada nesta configuração é aplicado aos terminais base-coletor e o sinal de saída está
associado ao terminal emissor. A condição de coletor comum é aplicada para situações que exigem o
casamento de impedâncias, sendo caracterizada por apresentar alto valor de impedância de entrada e
baixo valor de impedância na saída, sendo essa sua única diferença com relação as configurações base
comum e emissor comum. Veja, a seguir, as regiões de operação do transistor, quando relacionadas às suas
curvas características.
3.5.4 REGIÕES DE OPERAÇÃO
As regiões de operação de um transistor são distintas e estão divididas em três regiões: região ativa,
região de corte e região de saturação. Observe estas regiões, apresentadas a seguir.
100
IB = 400 μA
Região de
Saturação
80 IB = 350 μA
IB = 300 μA
IB = 250 μA
60
IB = 200 μA
IC[mA]
Região ativa
40 IB = 150 μA
IB = 100 μA
20
Região de corte IB = 50 μ A
Antonio Mees (2016)
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
VCE[V]
Figura 35 - Regiões de operação do transistor

Fonte: adaptado de Fairchild Semiconductor Corporation (2014)
De modo geral, a região mais importante nesta figura é a região ativa, que representa a região de
operação de componente transistor. Observa-se que a região ativa possui comportamento horizontal
linear.
74
REGIÃO ATIVA
A região de operação do transistor bipolar é compreendida pela região ativa. Conforme apresentado
no gráfico, observa-se que nesta região a corrente no terminal da base é sempre maior que zero e a tensão
entre os terminais coletor e emissor é suavemente maior à proporção da região ativa com relação a tensão
nominal.
Nesta região, sempre que os terminais base e emissor estiverem polarizados diretamente e os terminais
base e coletor estiverem polarizados reversamente, o transistor estará atuando na região ativa. Como
apresentado na figura anterior, é possível compreender que a corrente no terminal coletor (corrente de
saída) é proporcional à corrente no terminal da base, em que a tensão entre coletor e emissor pouco
interfere na corrente presente no terminal coletor.
REGIÃO DE CORTE
A região de corte é caracterizada abaixo da primeira curva inferior na figura anterior. Nesta situação, a
corrente do terminal da base do transistor é zero. Porém, nessa região existe um pequeno valor corrente no
terminal coletor, que é denominada corrente de fuga. Na configuração de emissor comum, essa corrente
na região de corte do componente é consideravelmente baixa. Nesta região, as seguintes junções estão
polarizadas reversamente: junção base-emissor e junção emissor-base, sendo compreendida como região
de corte em que a corrente no terminal coletor do transistor é zero (lembre-se da corrente de fuga), obtendo
comportamento similar a um circuito aberto.
Como dito anteriormente, o pequeno valor de corrente elétrica no terminal coletor é dado devido
ao fato da existência de portadores minoritários e a uma corrente de fuga na superfície. Assim, pode ser
compreendida como uma corrente reversa, fazendo uma analogia ao diodo.
REGIÃO DE SATURAÇÃO
Conforme a figura das regiões de operação do transistor, esta região é situada à esquerda da região ativa
de operação do transistor. Como característica principal, na condição de saturação, as junções base-coletor
e base-emissor estão polarizadas diretamente. Observa-se que, na região de saturação, à medida que a
tensão VCE se aproxima de zero, a corrente no terminal coletor IC aumenta gradativamente, caracterizando
que o valor de tensão entre coletor-emissor VCE atua diretamente sobre a corrente no terminal coletor.
Nesta região, o transistor possui comportamento similar ao de um curto-circuito, que é dado pela
polarização direta no terminal coletor. Nota-se que a corrente de saída é independente da corrente de
entrada no terminal da base, indicando que o valor de tensão de alimentação do circuito a influencia.
75
De modo geral, a figura apresentada anteriormente especifica a relação de tensão entre coletor-emissor
VCE versus corrente no coletor IC, que define a região de operação do transistor. Cabe ressaltar a incidência
de uma outra região considerada importante, denominada região de ruptura. Assim como qualquer
componente semicondutor, não é recomendável que o transistor atue próximo ou nesta região, sendo
passível ocasionar avaria no componente.
Desta forma, dependente da configuração de polarização em um transistor, o componente opera em três
regiões diferentes, podendo operar na região ativa, de corte e na região de saturação. Assim, duas regiões
definem o modo de operação do componente transistor: a região ativa, na qual opera como amplificador;
e a região de saturação, na qual opera como chave. Veja, a seguir, estes dois modos de operação.
3.5.5 OPERAÇÃO COMO CHAVE
A operação do transistor como chave é compreendida pelas regiões de corte e saturação. Assim,
quando o transistor opera nessas duas regiões controlando o fluxo de corrente elétrica entre os terminais
emissor e coletor, a operação do componente é caracterizada como chave eletrônica, respectivamente
como interruptor aberto - região de corte e interruptor fechado - região de saturação.
Antes de você conhecer a operação do resistor como chave, é importante compreender a relação das
correntes nos terminais coletor e base com relação ao fator β (beta) do transistor e sua reta de carga. O
fator β é também representado por hFE, representação usualmente especificada na folha de dados do
componente transistor. O fator β é definido pela seguinte equação:
onde:
β = fator ganho de corrente;
IC = corrente no terminal coletor;
IB = corrente no terminal base.
A relação dessas correntes é determinada na curva característica do transistor e o valor de β é encontrado
na folha de dados. Usualmente, os fabricantes relacionam o ganho entre 100 a 400, por exemplo. Para um
transistor com ganho de 100, é definido então que a corrente no terminal coletor é aproximadamente 100
vezes a corrente do terminal da base.
76
A reta de carga é caracterizada como uma linha que intercepta a região de operação do transistor. É
fundamentada pela curva característica da corrente no terminal coletor. Na reta de carga, são ilustrados os
pontos na qual o transistor pode operar. Observe a figura a seguir.
Ic
(mA)
14
12
10
Rosimeri Likes (2016)

VCE
10
(V)
Figura 36 - Exemplo de curva característica com reta de carga em relação às regiões de corte e de saturação do transistor
Nesta situação, com a reta de carga, são ilustrados os pontos de operação da relação de corrente no
terminal coletor IC e tensão nos terminais coletor e emissor VCE, cujos pontos são representados pela letra Q.
Compreendido o fator de ganho e a reta de carga, observe o circuito da figura, a seguir, para entendimento
da operação do transistor como chave eletrônica.
RC
RB
VCC
VBB
Figura 37 - Circuito eletrônico utilizando transistor como chave
Fonte: SENAI (2016)
77
Aplicando as Leis de Kirchhoff, pode-se obter a equação para somatória das tensões na malha de entrada
do circuito da figura anterior. Então:
onde:
IB = corrente terminal base;
RB = resistor conectado ao terminal base;
VBE = tensão entre base-emissor;
VBB = fonte de potencial.
Pode-se determinar a corrente no terminar base, considerando que o transistor do circuito possui uma
queda de tensão em sua junção de 0,7 V. Assim:
A operação do transistor como chave para esta situação é relacionada para duas situações:
a) IB ≥ IB(sat) : O transistor possui comportamento de uma chave fechada.
b) IB = 0 : O transistor possui comportamento de uma chave aberta.
Essas duas situações, associadas à reta de carga na curva característica do transistor, são compreendidas
ao ponto Q posicionado na região de saturação, atuando o transistor como chave fechada. Neste caso,
a corrente no terminal base é maior ou igual à corrente no mesmo terminal com relação à corrente de
saturação IB(sat). E, como chave aberta, o ponto Q é posicionado na região de corte, sendo a corrente no
terminal da base igual a zero.
Para o circuito apresentado anteriormente, considere uma fonte de potencial VBB de entrada de 10 V,
uma fonte de potencial VCC de 45 V, um resistor RB de 5 kΩ conectado ao terminal da base e um resistor RC
de 2 kΩ conectado ao terminal coletor. Sabendo que a tensão entre base-emissor VBE na junção é 0,7 V para
um transistor de silício, a corrente no terminal base pode ser expressa por:
78
Nota-se um baixo valor de corrente elétrica no terminal da base do transistor. Desta forma, imagine que
exista um curto nos terminais coletor-emissor do transistor. Assim, a operação do transistor é relacionada
à situação em que a corrente no terminal da base seja maior ou igual à corrente do terminal base com
relação à corrente de saturação (IB ≥ IB(sat)). Desta forma, a tensão no terminal de saída tende a zero e a
corrente de saturação é expressa por:
Comparando os valores de corrente elétrica IB e IC(sat), é possível observar uma corrente no terminal
coletor IC(sat) cerca de 12 vezes maior que a corrente no terminal base IB. Esse valor de corrente elétrica
é suficientemente alto a ponto de proporcionar uma forte saturação, sendo que o transistor agora se
comporta como fechado, em que a tensão de saída em seus terminais tende a zero. A saturação pode
apresentar duas condições, que possuem características diferentes relacionadas à corrente elétrica e ao
fator β. Acompanhe.
a) Saturação fraca: é caracterizada quando a corrente elétrica no terminal da base proporciona ao
transistor operar na região superior de saturação com relação à sua reta de carga. O ganho de
corrente - fator β - possui variação, incidente sobre a corrente IC, IB e IB(sat). O transistor, neste caso, é
suavemente saturado.
b) Saturação forte: é caracterizada quando a corrente elétrica no terminal da base ocasiona para todos
os valores de ganho de corrente - fator β a saturação do transistor. A saturação é dependente dos
valores de corrente e temperatura na junção do transistor. De modo geral, o ganho de corrente em
transistores comuns possui relação β > 10 (valor de saturação da corrente de coletor em relação à
corrente de base).
Com base neste circuito, você compreendeu a operação do transistor como chave, que opera nas
regiões de corte e saturação. Assim, observe o quadro a seguir, que delimita a operação nas regiões de
corte e saturação.
REGIÃO DE CORTE: CHAVE ABERTA REGIÃO DE SATURAÇÃO: CHAVE FECHADA
Corrente IC possui valores máximos

Corrente IC = 0
Resistor RC limita a corrente IC:
Tensão VCE = VCC onde a corrente IB = 0
Quadro 5 - Características de tensão e corrente para regiões de corte e saturação

Fonte: SENAI (2016)
79
Cabe ressaltar que a transição dos estados de uma chave (ligado ou desligado) não ocorre no transistor
de forma ideal, ou seja, com valores exatos de corrente zero para a situação desligado, sendo relacionada
apenas do ponto de vista de velocidade de comutação. Conheça, a seguir, a operação do transistor na
região ativa.
3.5.6 OPERAÇÃO NA REGIÃO ATIVA
A operação do transistor na região ativa é caracterizada pela corrente de base ser sempre maior que
zero, como você já compreendeu anteriormente. Nesta situação, os terminais base-emissor do transistor
estão polarizados diretamente e os terminais base-coletor polarizados inversamente. Nessa situação,
diferentemente das regiões de corte e saturação, o transistor possui a característica de atuar como fonte
de corrente, também conhecido como amplificador.
Observe a figura a seguir, que demonstra um circuito eletrônico utilizando o transistor como amplificador.
RC
VCC
RE
VBB
Figura 38 - Circuito eletrônico utilizando transistor como amplificador
Fonte: SENAI (2016)
Comparado ao circuito eletrônico da operação como chave apresentado anteriormente, neste caso a
operação na região ativa utiliza o transistor como fonte de corrente, em que entre o terminal emissor do
transistor e o ponto comum do circuito existe um resistor conectado RE.
Para este propósito, note que a corrente elétrica do terminal emissor do transistor é a corrente através
do resistor RE, em que a queda de tensão pode ser definida junto à malha de entrada do circuito. Assim:
80
onde:
RE = resistor conectado ao terminal emissor;
VBB = fonte de potencial.
A tensão VBE entre os terminais base-emissor está relacionada à queda de tensão da junção do transistor,
neste caso de 0,7 V. A queda de tensão no resistor RE conectado ao terminal emissor pode ser expressa por:
onde:
VE = tensão no resistor do terminal emissor;
VBB = fonte de potencial;
VBE = tensão entre base-emissor.
Definida a malha de entrada deste circuito e a relação da queda de tensão para o resistor RE, a corrente
no terminal emissor pode ser expressa por:
onde:
VBB = fonte de potencial;
RE = resistor conectado ao terminal emissor.
Ela define que a fonte de corrente elétrica do circuito, a tensão entre base-emissor e o valor do resistor
conectado ao terminal emissor são grandezas constantes, que proporcionam a mesma intensidade à
corrente elétrica do terminal emissor IE.
Para o circuito apresentado na figura anterior, pode-se notar que a fonte de potencial VBB está diretamente
conectada à base do transistor, em que a queda de tensão VBE proporciona que grande parte de potencial
elétrico de VBB seja aplicado ao resistor RE do terminal emissor, gerando a corrente elétrica do terminal
emissor IE constante.
81
Entenda este comportamento considerando os seguintes valores de grandezas para o circuito anterior:
a) resistor RC = 2 kΩ
b) resistor RE = 3 kΩ
c) tensão VCC = 20 V
d) tensão VBB = 5 V
e) fator β ganho de corrente = 100
A corrente de entrada no terminal emissor IE pode ser expressa por:
Como na região ativa, o transistor possui comportamento linear. A corrente de saída no terminal coletor
IC pode ser expressa por:
A corrente na base é dependente do fator β de ganho de corrente. Para o circuito em questão, seu valor
é 100, ou seja, o fator β é a relação das correntes IC e IB. Então, a corrente de base é definida por:
82
onde:
IB = corrente no terminal base;
β = fator ganho de corrente.
Como a corrente no terminal de entrada IE constante, o circuito com transistor em operação ativa, tem a
característica de ser imune às variações do fator β ganho de corrente. Observe a corrente de base a seguir,
quando o fator β ganho de corrente for por exemplo 120 e 140.
Portanto, os circuitos com transistor, na região ativa, são imunes às variações de β, porém a corrente no
terminal da base varia a partir das variações de β. Porém, a corrente no terminal coletor IC se mantém fixa,
sendo o ponto de operação do transistor na região ativa. A utilização de resistor no terminal emissor do
transistor explica o comportamento da corrente elétrica do terminal coletor fixar-se em determinado valor.
Para valores de resistência RE alto, a corrente no terminal coletor é ligeiramente mais estável (MALVINO,
1995).
83
O fator β é encontrado na folha de dados do componente transistor. Veja, a seguir, como interpretar as
informações relativas à operação do transistor e seus valores nominais de tensão e corrente elétrica, assim
como outras características.
A folha de dados consiste em um documento com todas as informações relevantes do componente

transistor: características de trabalho, dimensões, identificação dos terminais, curvas de operação, níveis de
tensão e corrente máximas.
Para interpretação das características como limites de corrente, tensão e demais dados do componente,
é necessário ter um transistor como referência. Neste caso, o componente será o transistor BC548 NPN. Esse
componente é classificado como de utilização geral, ou seja, um transistor com milhares de aplicações em
eletrônica, alguns importantes, como amplificadores de áudio, circuitos osciladores e aplicações em geral
com circuitos de corrente contínua.
Este componente se enquadra em um grupo seleto de transistores. Cabe ressaltar alguns valores
nominais característicos dos transistores de uso geral: operam em circuitos com tensão de alimentação
entre 10 V a 50 V, a faixa de corrente de coletor está entre 30 mA a 500 mA, suas características de dissipação
de potência estão na faixa de 50 mW a 500 mW e o ganho de corrente máxima de coletor está entre 30
a 200 mA (BRAGA, 2014). Conheça, a seguir, as informações essenciais da folha de dados específica do
transistor BC548.
TENSÃO ELÉTRICA
Os valores nominais relativos à tensão elétrica do transistor BC548 NPN estão relacionados ao limite de
tensão em seus terminais, ou seja, aos valores de ruptura. Da mesma forma que o diodo, o transistor não
deve operar em circuitos com tensão elétrica acima do valor nominal, podendo esta ação trazer eventuais
falhas no transistor, além de danificá-lo e diminuir sua vida útil. A tabela, a seguir, apresenta os valores
nominais de tensão elétrica, conforme folha de dados do fabricante FAIRCHILD SEMICONDUCTOR.
VALORES NOMINAIS MÁXIMOS DE TENSÃO ELÉTRICA – BC548 NPN

A TEMPERATURA AMBIENTE DE 25 °C
PARÂMETRO VALOR UNIDADE
Tensão entre coletor e base VCBO 30 V
Tensão entre coletor e emissor VCEO 30 V
Tensão entre emissor e base VEBO 5 V
Tabela 3 - Valores nominais de tensão elétrica - transistor BC548 NPN
84
Com base nas informações da folha de dados, os valores relacionados à tensão elétrica correspondem às
tensões nominais reversas de ruptura, sendo que o componente não deve operar sob estas circunstâncias.
A tensão nominal nos terminais base, coletor e emissor do BC548 é: entre coletor e a base, de 30 V; entre
coletor e emissor, de 30 V; e entre emissor e base, de 5 V.
CORRENTE ELÉTRICA E TEMPERATURA

A corrente elétrica nominal do transistor BC548 NPN é dada a seguir, sob condições de operação a 25 °C. A
corrente direta nominal do coletor do transistor é dependente da temperatura de operação e potência elétrica.
VALORES NOMINAIS MÁXIMOS DE CORRENTE ELÉTRICA E TEMPERATURA DE OPERAÇÃO – BC548 NPN

Corrente CC nominal máxima – Coletor IC 100 mA
Range de temperatura de operação – Componente TSTG -65 a 150 °C
Tabela 4 - Valores nominais de corrente elétrica e temperatura de operação- transistor BC548 NPN
Nota-se que o transistor BC548 NPN suporta uma corrente direta nominal de até 100 mA e sua operação
é restrita à temperatura de -65 °C até 150 °C. Neste caso, a temperatura de operação incide sobre a potência
máxima na qual o transistor pode funcionar. Essa propriedade, na folha de dados do componente, é dada
nas características de temperatura, representada pela dissipação total de potência do dispositivo PC, no
qual o valor máximo a temperatura de 25 °C é PC 500 mW.
O transistor é um componente de junção e a temperatura de operação afeta diretamente sua junção.
Isso significa que os níveis de temperatura determinam sua utilização. Para esta situação, quando a
temperatura externa estiver em níveis relativamente baixos, a temperatura na junção será também baixa,
podendo o transistor dissipar mais potência.
GANHO DE CORRENTE
Para transistores bipolares, o ganho de corrente está relacionado à corrente no terminal coletor e à
corrente no terminal da base. Este parâmetro na folha de dados é comumente representado por hFE, ou βCC,
que define a corrente do terminal coletor IC dividida pela corrente do terminal da base IB. De acordo com a
folha de dados do transistor BC548 NPN, seu ganho de corrente hFE é dado sob três condições:
a) a temperatura ambiente de 25 °C;
b) a uma tensão entre coletor e emissor VCEO de 5 V;
c) a um valor de corrente contínua de IC no coletor de 2 mA.
85
Observe a tabela.
GANHO DE CORRENTE – BC548 NPN

A TEMPERATURA AMBIENTE DE 25 °C
PARÂMETRO CONDIÇÃO MÍNIMO MÁXIMO
Ganho de corrente CC hFE VCEO = 5 V, IC = 2 mA 110 800
Tabela 5 - Ganho de corrente – transistor BC548 NPN
A relação apresentada na tabela anterior demonstra que o transistor BC548 NPN, sob condições ideais,
a 25 °C, possui melhor desempenho com corrente no coletor próxima a 2 mA até 80 mA. Essa informação
é comprovada pela figura, a seguir, onde aproximadamente em 80 mA a linha dada sofre deformação. O
ganho mínimo de corrente também é visível na figura, cujo valor é de 110 para o ganho mínimo e de 800
para o ganho máximo.
VCE=5V
1000
100
hFE
10
1
1 10 100 1000
Ic[mA]
Figura 39 - Gráfico de ganho de corrente - transistor BC548 NPN

Conforme apresentado no gráfico de ganho de corrente anterior, com o nível de corrente entre 2 mA
até 80 mA no coletor. Para que o transistor BC548 NPN possa apresentar um bom desempenho, é desejável
que o ganho de corrente fique próximo de 350 dentro do range mínimo e máximo.
86
Com o aumento de corrente elétrica no coletor, aproximadamente acima de 100 mA, o componente
diminui gradativamente seu valor de ganho. Na interpretação da folha de dados, deve-se considerar os
valores mínimos que demonstram o comportamento em situações ociosas, representando os piores casos
de operação.
As informações contidas na folha de dados do componente transistor são extremamente relevantes para
projetos eletrônicos. O comportamento do componente é relacionado aos seus parâmetros de operação,
com destaque à importância de relacionar a aplicação dentro dos limites nominais de tensão e corrente
sobre o componente.
Assim como nos diodos, o fator de segurança restringe a operação do transistor, cabendo na etapa de
projeto determinar que o transistor nunca opere próximo de seus valores nominais ou em condições que
possam implicar em sua ruptura e destruição. Um exemplo relacionado à potência máxima dissipada por
um transistor BC548 NPN relacionado aos níveis nominais de operação é dado a seguir.
Um transistor BC548 NPN possui uma tensão entre coletor e emissor VCEO de 15 V e uma corrente no
terminal coletor IC de 5 mA. Sendo assim, pode-se determinar a potência dissipada PD. A potência dissipada
PD é dada pela multiplicação:
Para uma condição ideal de temperatura ambiente de operação para o transistor, considera-se a
temperatura de 25 °C. Desta forma, com base na folha de dados do componente, o transistor pode
dissipar uma potência de 500 mW a esta temperatura. Com base nas condições postas, observa-se que o
componente está sob uma condição confortável de operação dentro da sua faixa de potência.
Para um fator de segurança, a potência dissipada máxima de 500 mW será ideal dentro de um nível
seguro considerando um fator 2, ou seja, a metade do valor máximo, neste caso, 250 mW. Comparado as
condições do exercício e a temperatura ambiente de 25 °C, o transistor opera dentro de níveis seguros.
3.5.8 TÉCNICAS DE IDENTIFICAÇÃO DE TERMINAIS
A técnica para identificação dos terminais dos transistores consiste em encontrar os terminais emissor,
base e coletor, ou seja, saber se o componente é PNP ou NPN. Na insuficiência desta informação, por meio
da identificação física no corpo do componente ou na ausência da sua folha de dados, pode-se utilizar um
equipamento de medição: o multímetro. Com o dispositivo em mãos, é possível identificar os terminais
do transistor da mesma forma que nos diodos. Esta ação é simples e não exige que o componente esteja
energizado.
87
Para realizar a identificação, é necessário ajustar a escala apropriada do multímetro para medição dos
terminais do transistor. A escala de continuidade é simbolizada por dois sinais, sendo um representando
a simbologia do diodo, como visto anteriormente, no capítulo de testes de diodos.
Veja, a seguir, como o terminal base pode ser encontrado com auxílio de um multímetro.
IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS

Como o transistor é um componente semicondutor de junção bipolar, sua estruturação pode ser
análoga aos diodos. Então, a identificação dos terminais do transistor está em determinar o terminal da
base, que é comum para os terminais emissor e coletor.
Com o multímetro em mãos, é possível realizar uma série de combinações para determinar o terminal
da base. Deve-se considerar a seguinte metodologia com relação as ponteiras de prova do multímetro:
a) ponta de prova vermelha: sinal positivo (+) – referência da bateria.
b) ponta de prova preta: sinal comum/negativo (-) – referência da bateria.
A primeira combinação a ser realizada pode ser dada pelos terminais externos 1 e 3 do componente
transistor. A ponta de prova vermelha do multímetro deve ser conectada ao terminal 1 e a ponta de prova
preta conectada ao terminal 3. Via de regra, a combinação deve sempre ser realizada em dois terminais
distintos do componente. Se nesta primeira combinação o display do multímetro indicar algum valor, é
importante registrá-lo.
A segunda combinação a ser realizada é caracterizada por inverter as ponteiras de prova, ou seja, a ponta
de prova vermelha do multímetro agora é conectada ao terminal 3 e a ponta de prova preta é conectada ao
terminal 1. Novamente, se for registrado algum valor no display do multímetro, faz-se necessário registrá-lo.
A primeira (a) e a segunda combinação (b) estão ilustradas na figura, a seguir.
(a) (b)
OL. OL.
1 3 1 3
Figura 40 - Representação das combinações (a) e (b) para teste de terminais em transistores
Fonte: SENAI (2016)
88
Com base nas duas primeiras combinações realizadas, é possível notar que o multímetro indicou em seu
display a situação de circuito aberto “OL”, caracterizando o bloqueio de circulação de corrente elétrica. Essa
situação indica o funcionamento similar ao do diodo, em que sua polarização permite ou não a passagem
de corrente elétrica. Para as duas combinações realizadas nos terminais 1 e 3 do transistor, observa-se que
não ocorrem indicações de continuidade no display do multímetro. Assim, cabe realizar agora outras duas
combinações restantes, sendo o terminal 2 do transistor o ponto de referência.
As outras combinações a serem realizadas são caracterizadas por conectar a ponta de prova vermelha
no terminal 2 do transistor, cabendo à ponta de prova preta ser alternada entre os terminais 1 e 3 do
componente. Como se sabe, não houve continuidade entre os terminais 1 e 3. Então, a terceira e a quarta
combinação são referenciadas da seguinte forma:
a) terceira combinação (c): referenciada pela ponta de prova vermelha conectada ao terminal 2 do
transistor e a ponta de prova preta conectada ao terminal 3.
b) quarta combinação (d): referenciada pela ponta de prova vermelha conectada ao terminal 2 do
transistor e a ponta de prova preta conectada ao terminal 1.
Observe a figura a seguir, que ilustra as combinações referenciadas pelo terminal 2 do transistor em que
a ponta de prova preta é alternada entre os terminais 1 e 3.
(c) (d)
0.621 0.623
2 3 1
2
Figura 41 - Representação das combinações (c) e (d) para teste de terminais em transistores
Fonte: SENAI (2016)
Alternando a ponteira de prova preta entre os terminais 1 e 3, é possível notar que o multímetro
indicou pequenos valores de tensão em seu display. O que isso significa? Expressa que o terminal da base
do transistor foi encontrado, pois a ponta de prova vermelha (sinal positivo) referenciada pela bateria do
multímetro conectada no terminal 2 do transistor serviu de ponto comum para os terminais 1 e 3.
Agora que o terminal da base do transistor foi encontrado, é preciso identificar o terminal emissor e
coletor do componente. Com base nos registros de leitura realizados pelo multímetro entre os terminais
3 e 2 (combinação (c) figura anterior), o valor de tensão constatado foi de 0,623. Já entre os terminais 1 e
2 (combinação (d) figura anterior), o valor de tensão constatado foi de 0,621. Com base nestes valores, os
terminais emissor e coletor são identificados da seguinte forma: o terminal emissor é o ponto com maior
valor de tensão e o terminal coletor o ponto com menor valor de tensão. Ou seja, para o transistor utilizado
neste exemplo, os seus terminais são identificados da seguinte forma:
89
a) terminal 1: emissor.
b) terminal 2: base.
c) terminal 3: coletor.
No decorrer das combinações realizadas, o terminal 2 (base), quando conectado à ponta de prova
vermelha, sendo referenciado pelo sinal positivo da bateria do multímetro, apresentou ponto de comum
continuidade para o restante dos terminais do componente transistor. Assim, a identificação PNP e NPN do
componente transistor é apresentada no quadro, a seguir.
IDENTIFICAÇÃO PNP E NPN EM TRANSISTORES

TIPO ESTRUTURA INTERNA E CARACTERÍSTICAS
PNP
NPN
Quadro 6 - Identificação PNP e NPN em transistores

Fonte: SENAI (2016)
Analisando a figura anterior, quando a ponta de prova vermelha do multímetro estiver conectada ao
terminal da base do transistor e a ponta de prova preta for alternada entre os terminais coletor e emissor, o
transistor é considerado do tipo NPN, ou seja, a ponta de prova vermelha (sinal positivo) é fixa ao terminal
da base.
Para transistores do tipo PNP, acontece a situação inversa. A ponta de prova preta é conectada ao
terminal da base e a ponta de prova vermelha é alternada entre os terminais coletor e emissor. Assim, a
ponta de prova preta (sinal negativo) é fixa ao terminal da base.
O transistor utilizado neste exemplo é caracterizado pelo terminal da base ser polarizado com sinal
positivo. Assim, conforme analogia apresentada na figura anterior, o transistor é considerado do tipo NPN,
onde o conjunto de terminais 1 e 2 e 2 e 3 indicam a condição de continuidade análoga ao diodo, ou seja,
se possui continuidade, condiz que está polarizado diretamente.
É importante enfatizar que este exemplo de identificação de terminais, comparado a outros transistores,
pode apresentar variações com relação à numeração de seus terminais, devido ao fato de existirem diversos
componentes no mercado com características distintas de construção. Dessa forma, a estruturação de
terminais não possui padrão, justificando realizar outra série de combinações para identificar seus terminais
base, emissor e coletor.
90
Cabe ressaltar que qualquer outra combinação relacionada às pontas de prova do multímetro nos
terminais do transistor devem apresentar valor próximo de 1 ou ser representado pela indicação OL no
display do equipamento. As indicações podem variar conforme o fabricante do equipamento, cabendo
consulta junto ao manual do dispositivo de medição em caso de dúvida. Com o multímetro, é possível
também realizar testes de funcionamento em transistores, mostrados a seguir.
3.5.9 TESTE DE FUNCIONAMENTO
Como identificar se um transistor está funcionando corretamente? O teste de funcionamento em

um transistor, assim como nos diodos, consiste na avaliação do componente por meio de medições de
grandezas elétricas, utilizando um equipamento ohmímetro digital ou analógico. Nesta situação, o teste em
transistores está relacionado à constatação de resistência elétrica entre seus terminais. O procedimento
de teste será abordado a seguir, com auxílio de um multímetro digital, em que se faz necessário selecionar
a escala de resistência elétrica em ohms.
Partindo do princípio de que os terminais base, emissor e coletor do transistor já estão identificados,
neste exemplo será abordado um transistor de junção bipolar do tipo NPN ao qual a técnica de teste de
funcionamento é dada conectando as pontas de prova do multímetro nos terminais, conforme demonstra
a figura a seguir. Com objetivo de identificar se o componente está avariado, pode apresentar curto ou
situação de circuito aberto entre seus terminais.
(a) (b)
Ω Ω C
B
B
E
E
Figura 42 - Teste de funcionamento em transistor NPN – polarização direta

Fonte: SENAI (2016)
91
Conforme visto na figura (a), para a condição de polarização direta, a primeira medição de resistência
elétrica no transistor NPN é realizada entre os terminais base e coletor. Nesta situação, o multímetro deve
indicar um baixo valor de resistência elétrica. A segunda medição de resistência elétrica a ser realizada no
mesmo transistor é dada entre os terminais base e emissor (b) e, da mesma forma que na medição anterior,
o multímetro deve indicar um valor baixo de resistência elétrica. Estas duas situações caracterizam a
analogia entre a estruturação de transistor baseada em dois diodos, conforme já estudado anteriormente.
Nas duas medições realizadas anteriormente, de acordo com a figura anterior, os valores de resistência
medida foram baixos, indicando que o componente não apresenta nenhuma avaria entre seus terminais
base-coletor e base-emissor. E, se os valores de resistência fossem relativamente altos para as medições
realizadas? Indicaria o estado de componente avariado, sendo que os terminais medidos apresentariam
situação de circuito aberto, ou seja, o transistor estaria com defeito. Observe, agora, a próxima figura.
(a) (b)
Ω Ω C
B
B
E
E
Figura 43 - Teste de funcionamento em transistor NPN – polarização reversa

Fonte: SENAI (2016)
Na condição de polarização reversa representada pela figura anterior, é necessária a inversão das pontas
de teste do multímetro em relação aos terminais do transistor, especificamente no terminal da base. Assim,
culminarão novas medições de resistência elétrica entre os terminais emissor e coletor do componente.
De acordo com a medição realizada entre os terminais base e coletor (a), o multímetro deve indicar
um valor alto de resistência elétrica. Esta mesma situação deve ser caracterizada entre os terminais base
e emissor, medição representada em (b) da mesma figura. Ou seja, na condição de polarização reversa de
um transistor tipo NPN, as medições entre os terminais base-coletor e base-emissor devem apresentar um
valor de resistência elevado, indicando que o componente está apto para utilização.
92
De modo geral, um transistor bipolar do tipo NPN, quando polarizado reversamente, apresenta elevado
valor de resistência elétrica entre seus terminais base-emissor e base-coletor, se comparado à condição
de polarização direta. Caso os valores de leitura fossem significativamente baixos, o transistor indicaria a
situação de curto em suas junções. Isso significaria que o transistor está avariado.
RESISTÊNCIA ELÉTRICA ENTRE COLETOR-EMISSOR

A resistência elétrica entre os terminais coletor e emissor para as condições de polarização direta e
reversa também devem ser medidas. Em ambos os tipos de polarização, a estruturação entre os terminais
coletor e emissor pode ser compreendida por dois diodos conectados em série, porém, em situação inversa,
como mostrado na figura Identificação PNP e NPN em transistores.
Para a situação específica de resistência elétrica entre coletor-emissor, ao realizar a leitura destes
terminais em ambos os estados de junção (direta e reversa), o valor de leitura de resistência elétrica deve
ser elevado, caracterizando que o transistor se encontra apto para utilização.
Quando o valor de resistência elétrica entre coletor-emissor apresentar baixo valor de resistência,
significa que o transistor está avariado e seus terminais coletor-emissor estão em curto. Cabe ressaltar que
a indicação de resistência alta deve ser constatada nas situações descritas com relação às pontas de prova
do multímetro, apresentadas no quadro, a seguir.
RESISTÊNCIA ELÉTRICA ENTRE COLETOR-EMISSOR

Coletor (+) e Emissor (-) Coletor (-) e Emissor (+)
Indicação de resistência elétrica: Alta Indicação de resistência elétrica: Alta

Quadro 7 - Teste de resistência elétrica entre coletor-emissor para um transistor NPN
Fonte: SENAI (2016)
93
Em transistores construídos do material semicondutor silício, a leitura de resistência elétrica entre coletor-
emissor é caracterizada por uma leitura infinita, podendo esta situação ocorrer em alguns equipamentos
ohmímetros. Já em transistores construídos de material semicondutor germânio, a leitura de resistência
elétrica não apresenta essa característica, mas, mesmo assim, é muito elevada (AHMED, 2000).
Os procedimentos realizados até aqui foram referenciados por um transistor bipolar NPN. Para
transistores do tipo PNP, o teste de funcionamento deve seguir o mesmo princípio, porém as pontas de
prova do multímetro devem ser invertidas, uma vez que, nos transistores PNP, o terminal base é referenciado
com sinal positivo. Com relação aos valores de resistência elétrica para um transistor PNP, deve-se seguir o
mesmo raciocínio para indicar se o componente está apto para uso:
Polarização direta: Transistor PNP
a) Base-coletor: resistência alta.
b) Base-emissor: resistência alta.
Polarização reversa: Transistor PNP
a) Base-coletor: resistência baixa.
b) Base-emissor: resistência baixa.
Caso as situações descritas anteriormente não se evidenciarem, considere que o transistor PNP está
avariado. Veja, a seguir, o princípio de funcionamento dos transistores de efeito de campo.
3.6 TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (MOSFET)
Os transistores de efeito de campo, conhecidos como FET, do inglês Field-Effect-Transistor, são

componentes semicondutores aplicados em diversos segmentos eletrônicos, como amplificadores de
tensão. Algumas das suas características se assemelham aos transistores de junção bipolar.
Os componentes FETs são controlados pela tensão elétrica em seus terminais. Uma característica
importante destes componentes é dada por serem transistores unipolares, diferentemente dos transistores
de junção bipolar. Para você compreender a categoria de transistores de efeito de campo, dois dispositivos
são estruturados como básicos, sendo eles:
a) JFET: transistor de junção por efeito de campo.
b) MOSFET: transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor de potência.
Nesta seção, serão abordados os conhecimentos relativos aos transistores de efeito de campo MOSFET,
denominados como FET de óxido de semicondutor e metal de porta isolada. Este transistor FET é
amplamente empregado em eletrônica. Ele constitui a grande maioria de circuitos integrados. Comparados
aos transistores JFET, os MOSFETs são transistores cuja característica permite serem utilizados em circuitos
eletrônicos com certo grau de complexidade, sendo, assim, um transistor FET altamente versátil.
94
Os transistores MOSFETs têm como característica o chaveamento rápido, caracterizado pela alta
impedância nos terminais de entrada. Dessa forma, este transistor pode ser empregado para circuitos
eletrônicos de baixa potência, como também para circuitos eletrônicos que operam em altas frequências,
próximas de 100 kHz (AHMED, 2000).
Os transistores de efeito de campo MOSFETs geralmente são fabricados com três terminais: porta
(G), dreno (D) e fonte (S), derivado do inglês Gate, Drain e Source, respectivamente. Essa característica
pode apresentar variação e está relacionada com seu terminal substrato, usualmente ligado à fonte. Para
transistores de quatro terminais, o substrato (body - B) está separado do terminal da fonte, caracterizando a
existência de um quarto terminal. A existência de um quarto terminal, quando indicado no encapsulamento
físico do componente, é dada para situações que necessitam de um controle de corrente no terminal dreno
com maior precisão.
O quadro, a seguir, apresenta a simbologia dos transistores MOSFETs, de acordo com as seguintes
características que o componente pode ser encontrado:
a) seus canais: tipo P e tipo N;
b) seu modo: modo depleção e modo intensificação.
SIMBOLOGIA DOS TRANSISTORES MOSFETS

MODO DEPLEÇÃO MODO INTENSIFICAÇÃO
CANAL P CANAL N CANAL P CANAL N
Quadro 8 - Simbologia dos transistores MOSFETs, de acordo com o tipo de canal e modo
Fonte: SENAI (2016)
Observa-se por meio do quadro anterior que os transistores MOSFETs com canal P apresentam no
terminal da fonte (S) a seta apontada para fora. Essa seta está relacionada ao material interno do transistor,
que você irá conhecer a seguir, de acordo com a construção do componente. Em canal N, a seta é invertida
e indica que as tensões e correntes possuem sentido contrário.
A diferenciação dos modos em que o MOSFET é encontrado está relacionada com sua construção
interna, no qual os terminais de dreno (D) e fonte (S) do componente podem estar isolados ou não, por
meio de seu canal, caracterizando um MOSFET de depleção ou de intensificação. Análogo à simbologia
apresentada no quadro, a diferença é visível pela linha contínua ou tracejada que interliga os terminais
dreno (D) e fonte (S).
95
Como diferenciar um transistor unipolar MOSFET de um transistor bipolar? Fisicamente, ambos podem
apresentar as mesmas características de encapsulamento. Porém, assim como nos diodos, os transistores
de efeito de campo FET apresentam codificação impressa em seu corpo. Dessa forma, a consulta em sua
folha de dados, de acordo com o código informado, é a principal ferramenta para identificar transistores
MOSFET, da mesma forma que outros componentes semicondutores utilizados em eletrônica.
Observe a figura a seguir.
Thinkstock ([20--?])
Figura 44 - Exemplo de um transistor de efeito de campo MOSFET IRF840
Conhecida a simbologia dos transistores MOSFETs, é importante você compreender um detalhe

importante desses componentes que está relacionado aos seus tipos de canais, P e N. Transistores com
canal N, comparados aos de canal P, possuem características de corrente e tensão nominais maiores,
podendo sua aplicação ser um pouco mais ampla.
Para ambos os transistores, o terminal fonte está localizado próximo ao terminal porta, sendo o terminal
dreno conectado à carga. De modo geral, sua aplicação de chaveamento em circuitos é caracterizada pelos
níveis de tensão no terminal porta, onde, dependendo do nível de potencial aplicado, o MOSFET opera
como chave. Um exemplo disto é dado pela sua utilização em fontes de alimentação chaveadas.
Diferentemente dos componentes semicondutores estudados até aqui, os transistores de efeito de
campo MOSFET possuem um detalhe importante relacionado à sua sensibilidade de manuseio, pois o
componente é sensível a cargas estáticas.
CARGA ESTÁTICA
Internamente, os transistores FETs possuem uma camada muito fina de óxido que isola a comporta do
substrato. Essa camada é extremamente sensível a cargas eletroestáticas. Desta forma, o contato direto
dos terminais do componente em regiões carregadas com carga eletroestáticas pode ser suficientemente
prejudicial ao componente, vindo a danificá-lo. É recomendado evitar o manuseio de ferramentas e outros
acessórios próximos aos terminais.
Assim, quando você manusear esses transistores, é importante que o contato físico com o componente
seja realizado pelo seu encapsulamento, evitando sempre o contato direto com seus terminais.
96
CASOS E RELATOS
Carga estática em transistores FET

Roberto, técnico em eletrônica, é recém-contratado em uma empresa que presta serviços de
manutenção em equipamentos eletroeletrônicos. Em seu primeiro dia de trabalho, conheceu
as instalações físicas da empresa, sua área de atuação e, por fim, foi apresentado no setor de
manutenção eletrônica, no qual irá trabalhar. Maurício, coordenador da área de manutenção,
recebeu Roberto em seu primeiro dia de trabalho e repassou uma série de orientações, normas e
cuidados básicos essenciais nas atividades desenvolvidas.
Durante uma das orientações, Maurício enfatizou os cuidados relacionados aos componentes
transistores de efeito de campo e ressaltou que estes dispositivos possuem camadas finíssimas de
óxidos em sua estrutura interna. Assim, Roberto foi orientado sobre a necessidade da utilização de
equipamentos, ferramentas e dispositivos especiais para o devido cuidado de manuseio com estes
componentes.
Nestas orientações, Roberto compreendeu que, ao manusear transistores FET, deve-se evitar o
contato direto com seus terminais. Por fim, conheceu os principais acessórios disponíveis no setor
de manutenção que garantem a integridade dos componentes, como a utilização de plásticos
antiestático e de bancadas e equipamentos devidamente aterrados.
Normalmente, alguns componentes possuem um anel metálico que curto-circuita seus terminais como
forma de garantia. Portanto, é recomendável evitar o contato direto com os terminais do componente,
impedindo o aparecimento de cargas estáticas.
Para você compreender que o transistor FET, por meio da variação do campo elétrico, controla a corrente
variando a tensão entre seus terminais, estude, a seguir, as características construtivas dos transistores de
efeito de campo MOSFETs, compreendendo seu funcionamento por meio das formas de construção que
caracteriza os MOSFETs de depleção e intensificação.
3.6.1 CONSTRUÇÃO
Como você estudou anteriormente, os transistores de efeito de campo MOSFETs podem ser
comercializados em dois diferentes modos: transistores MOSFETs de depleção e transistores MOSFETs
de intensificação. Desta forma, faz-se necessário conhecer como estes transistores são construídos
internamente, com seus terminais e suas peculiaridades internas.
97
Anteriormente, a simbologia apresentada para MOSFETs foram baseadas em componentes de três

terminais: porta, dreno e fonte. Para você compreender a construção destes transistores, este estudo será
referenciado considerando um transistor de quatro terminais, no qual o terminal substrato está separado
do terminal da fonte, denominado como substrato SS. Como você já sabe, em transistores de três terminais,
internamente, o substrato do componente está diretamente conectado ao terminal fonte.
A construção física apresentada a seguir será referenciada inicialmente pelos transistores de depleção,
seguido dos transistores de intensificação, também chamados de enriquecimento.
MOSFET DE DEPLEÇÃO
Indiferente do tipo de transistor FET, de depleção ou de intensificação, a sua construção básica segue
duas estruturações: sua característica de substrato, e tipo de canal e seus terminais metálicos conectados
diretamente aos canais. Os transistores MOSFET de depleção podem apresentar dois tipos de material
substrato com relação aos canais P ou N:
a) MOSFET Canal N: densa camada de material tipo P – substrato.
b) MOSFET Canal P: densa camada de material tipo N – substrato.
Com relação aos seus terminais e demais características físicas externas ao componente, não são
apresentadas mudanças. Veja, na figura, a seguir, a construção dos transistores MOSFETs de depleção para
as duas construções comercializadas atualmente: transistores FET canal N e canal P.
Camada isolante
Substrato
D N D P
G N P SS G P N SS
Denilza Pereira dos Santos (2016)
S N Canal S P
Região dopada
(a) (b)
Figura 45 - Transistor MOSFET de depleção: canal N (a) e canal P (b)
Fonte: SENAI (2016)
98
Para transistores MOSFETs de canal N, a construção é caracterizada pelos terminais fonte (S) e dreno
(D) apresentarem seus contatos metálicos diretamente conectados a duas regiões N dopadas. Estas
duas regiões N são interligadas por um canal, neste caso o canal N. O terminal porta (G) do transistor,
diferentemente dos terminais fonte e dreno, está isolado do canal N. Essa característica está relacionada à
camada fina de óxido, que é formada de material dióxido de silício (SiO2) e cria uma camada isolante, não
deixando que o terminal porta do componente tenha contato direto com o canal interno do MOSFET. Esta
camada é que caracteriza os transistores de efeito de campo. Intrinsecamente, a relação de alta impedância
nestes componentes também se relaciona à camada isolante.
Conforme visto na figura anterior, nos transistores MOSFETs de depleção, existe um canal, que pode ser
do tipo N ou P. É possível observar que os terminais fonte (S) e dreno (D) estão interligados por meio das
regiões dopadas. Essa ligação é caracterizada pela inserção do canal em sua construção interna. O terminal
porta (G) está isolado destas regiões pela camada isolante comentada anteriormente. O fluxo de elétrons
em transistores de depleção é dado do terminal fonte (S) em sentido ao terminal dreno (D), servindo o
canal N como ponte para este fluxo, neste caso, para transistores de depleção do tipo N e tipo P.
MOSFET DE INTENSIFICAÇÃO
A construção dos transistores MOSFETs de intensificação apresenta algumas particularidades em
relação aos transistores anteriormente conhecidos. Observe a figura que representa a construção interna
destes transistores de intensificação, relacionando os dois tipos de canal usualmente encontrados: canal
N (a) e canal P (b). Cabe ressaltar que, nestes transistores, sua operação é similar aos demais FETs, em que
a tensão deve ser aplicada no terminal porta (G) para controle dos níveis de corrente entre os terminais
dreno (D) e fonte (S).
D N D P
G P SS G N SS
S N S P
(a) (b)
Figura 46 - Transistor MOSFET de intensificação: canal N (a) e canal P (b)
Fonte: SENAI (2016)
99
Conforme representado na figura anterior, os transistores de intensificação apresentam terminais de

forma semelhante aos de depleção: porta (G), dreno (D) e fonte (S). Da mesma maneira que existe uma
densa área de substrato de material P ou N, essa área está formada sobre a camada isolante de silício. Nos
transistores de intensificação, os terminais metálicos fonte (S) e dreno (D) estão diretamente conectados a
duas regiões dopadas, respectivamente na região de canal N (a) e canal P (b).
Observe que, na construção destes transistores, as regiões dopadas agora não apresentam o canal ao
qual existia a interligação entre os terminais fonte e dreno, característica dos transistores de depleção.
A ausência deste canal corresponde à diferença particular entre os transistores MOSFETs de depleção
e intensificação. Desta forma, para que ocorra o fluxo de elétrons entre os terminais fonte e dreno, é
necessário que no terminal porta (G) ocorra a aplicação de uma tensão elétrica positiva. Essa diferença de
potencial faz com que o substrato encontrado internamente em seu corpo proporcione uma nova região
de contato entre os terminais fonte e dreno, que é caracterizada como região de depleção.
A região de depleção é formada entre a camada de isolação e a densa região onde o substrato está
localizado. Desta forma, para que ocorra o fluxo de elétrons entre os terminais fonte e dreno, é necessária
uma tensão elétrica positiva no terminal porta do transistor, que depende do nível aplicado para formação
da região de depleção, fluindo os elétrons entre seus terminais, além de caracterizar o controle de corrente
entre fonte e dreno.
O funcionamento dos transistores MOSFETs de depleção e intensificação serão compreendidos por
meio das suas curvas características de operação, mostradas a seguir.
3.6.2 CURVAS CARACTERÍSTICAS
As curvas características de operação dos transistores MOSFETs serão abordadas de acordo com a
analogia utilizada anteriormente, inicialmente pelos transistores de depleção, seguido dos transistores de
intensificação.
O comportamento das curvas características destes componentes é relacionado ao nível de potencial
aplicado em seus terminais, especificamente no terminal porta (G) do componente MOSFET, em que o
nível de tensão pode ser positivo ou negativo.
Para o MOSFET de depleção tipo N, quando uma tensão negativa for aplicada nos terminais porta-
fonte VGS, a referência de potencial negativa faz com que haja uma recombinação de elétrons em seu
substrato P. Quanto maior for o potencial negativo em VGS, menor será a corrente no terminal dreno ID. Para
valores positivos de tensão VGS no terminal porta-fonte, a corrente elétrica que circula no terminal dreno ID
apresenta o comportamento no qual ocorre seu aumento, intrinsecamente à medida que o potencial VGS
aumente gradativamente.
100
A próxima figura apresenta a curva característica de um transistor MOSFET de depleção tipo N (a) e tipo
P (b).
ID (mA) ID
Modo VGS = + 1 V
depeção Modo
intesificação
VGS = 0 V
VGS = - 1 V
VGS = - 2 V
VGS = - 3 V
VGS = - 4 V
VGS 0
(a)
ID (mA) ID (mA)
VGS = + 1 V
VGS = 0 V
IDss
VGS = - 1 V
Felipe Moisés da Silva Hintz (2016)

VGS = - 2 V
VGS = - 3 V
VGS = - 4 V
VGS 0 VGS
(b)
Figura 47 - Curva característica para um transistor MOSFET de depleção tipo N (a) e tipo P (b)
Fonte: adaptado de Boylestad e Nashelsky (1998)
A primeira curva é denominada curva de dreno e demonstra a relação da corrente no terminal dreno ID
versus a tensão nos terminais porta-fonte VGS. A segunda curva é conhecida como curva de transferência,
sendo dada pela relação da corrente no terminal dreno ID versus a tensão nos terminais dreno-fonte VDS.
Para MOSFET de depleção tipo P, o comportamento da corrente no terminal dreno ID é caracterizado
opostamente. Ou seja, devido à existência de um substrato N e um canal P, a referência de potencial é
também invertida e a tensão elétrica entre os terminais dreno-fonte VGS agora é negativa. A corrente elétrica
no terminal dreno ID apresenta valores positivos, intrinsecamente dados quando a tensão nos terminais
porta-fonte VGS for constantemente negativa.
101
As curvas características para MOSFET de intensificação do tipo N também estão relacionadas ao

nível de potencial aplicado nos terminais VGS porta-fonte. Em uma primeira situação, caso exista uma
tensão aplicada nos terminais VDG dreno-fonte e os terminais porta-fonte estejam sem nenhum nível de
tensão, a corrente no terminal dreno ID é nula. Ou seja, para que exista uma corrente no terminal dreno ID,
é necessário que a tensão VGS e VDS seja positiva.
Como você estudou anteriormente, a intensidade da região de depleção nos transistores de intensificação
é dada pelo potencial positivo. Quando a tensão nos terminais porta-fonte for suficientemente positiva,
na região de depleção ocorre o fluxo de corrente elétrica entre os terminais fonte e dreno, em que a
tensão VGS aumenta gradativamente e a corrente no terminal dreno ID também. Observe a figura a seguir,
que demonstra este comportamento. Cabe ressaltar, que a identificação das curvas possui a mesma
denominação apresentada anteriormente, respectivamente a curva de dreno (ID versus VDS) e curva de
transferência (ID versus VGS).
ID ID
VGS +
VGS +
Valores (+)
VGS +
VGS +
VGS +
0 VGS 0 VDS
a)
ID ID
VGS -
Valores (-)
VGS -
VGS -
VGS -
0 VGS 0 VDS
b)
Figura 48 - Curva característica para um transistor MOSFET de intensificação tipo N (a) e tipo P (b)
Fonte: adaptado de Boylestad e Nashelsky (1998)
102
Transistores MOSFETs de intensificação apresentam a característica de possuírem a tensão de limiar

VGS(TH), caracterizada por ser um valor mínimo de tensão elétrica para dar início à formação da região de
depleção. Este valor é encontrado na folha de dados do componente. No instante em que a tensão VGS for
maior que a tensão VGS(TH), começa a circular corrente elétrica pelo terminal dreno do componente. Duas
definições são importantes para transistores de intensificação:
a) para VGS diferente de 0 e VDS constante: ID atinge os níveis de saturação;
b) para VGS menor que VGS(TH): ID = 0.
Assim, pode-se definir duas equações relacionadas à tensão nos terminais dreno-porta VGS e ao valor da
tensão de saturação no terminal dreno, respectivamente:
Na curva característica dos MOSFETs de intensificação do tipo P, é possível observar que o

comportamento da curva de dreno é caracterizado pelo nível de potencial negativo nos terminais porta-
fonte, onde o aumento gradativo de VGS com valores negativos proporciona o aumento da corrente no
terminal de dreno ID. Esta mesma situação é vista na curva de transferência, que caracteriza o aumento da
corrente ID para valores negativos de VGS.
Como você estudou até aqui, os transistores de efeito de campo apresentam características estruturais
das quais os níveis de tensão em seus terminais proporcionam diferentes valores de corrente elétrica,
definindo então a característica de controle de corrente elétrica pela variação da tensão. Assim como
transistores bipolares, o componente MOSFET possui regiões de operação que definem suas aplicações
em circuitos eletrônicos. Conheça-as a seguir.
3.6.3 REGIÕES DE OPERAÇÃO
Para você compreender as três regiões de operação de um transistor MOSFET, observe a figura seguinte,
que apresenta o gráfico das curvas características de tensão, similares às que foram vistas anteriormente
nos transistores MOSFETs de depleção e intensificação.
103
Na figura, a seguir, é apresentada uma relação entre tensão elétrica e corrente elétrica nos terminais do
MOSFET.
ID BVDSS
VGS
Região ôhmica
VGS
Região ativa VGS

VGS
Região de corte
VDS
Figura 49 - Regiões de operação de um transistor MOSFET pela relação de ID versus VDS

Fonte: SENAI (2016)
As três regiões apresentadas pela figura anterior são caracterizadas por dois fatores: o nível de tensão
aplicado ao MOSFET nos terminais dreno-fonte VDS e a corrente elétrica que circula no terminal dreno
ID, obtendo então uma relação para diferentes valores de tensão elétrica nos terminais porta-fonte do
componente. Nesta situação, a operação do transistor MOSFET é dada em modo de intensificação, sendo
as três regiões caracterizadas pelas relações anteriormente apresentadas. Serão elencadas, a seguir, as
principais características das três regiões de operação do MOSFET, respectivamente região de corte, região
ativa e região de saturação, ou região ôhmica, como também é conhecida.
a) Região de Corte – Como você leu anteriormente, quando a tensão nos terminais porta-fonte for
menor que a tensão limiar do componente, não existe circulação de corrente elétrica no terminal
dreno, pois a tensão não é suficiente a ponto de criar a região de depleção, caracterizando o estado
inativo do MOSFET. Quando ocorrer variações de tensão VDS, o componente pode alcançar seus níveis
de temperatura, conforme ilustrado no gráfico. Esta situação remete à condição quando a tensão de
ruptura BVDSS do componente é atingida.
104
b) Região ativa – Assim como nos transistores bipolares, a região ativa é caracterizada pela região de
operação do MOSFET, na qual a tensão VGS agora é maior que a tensão limiar. Assim, quando ocorre
o aumento da tensão VGS, o transistor é “ativado”, ou seja, agora existe corrente elétrica circulando
entre os terminais. Nesta região, o transistor MOSFET opera como amplificador, no qual os níveis de
VGS controlam a corrente no terminal dreno. Os níveis de saturação nesta região são caracterizados
pela tensão VDS, que depende de seu valor. Quando a corrente no terminal dreno e a tensão VGS forem
relativamente altas, podem ocorrer perdas de potência no transistor. Esta situação justifica a não
utilização desta região em determinadas aplicações.
c) Região ôhmica – Conforme ilustrado no gráfico, o controle da corrente elétrica do terminal dreno
é dado pela proporção direta do nível de tensão do terminal dreno-fonte do MOSFET, ou seja, na
região ôhmica, a incidência da região de depleção interna no componente é caracterizada como
uma pequena resistência elétrica RDS, na qual a circulação de corrente elétrica entre dreno e fonte
estabelece uma resistência ôhmica, que controla os níveis de corrente.
A operação do MOSFET de intensificação nestas regiões é característica de sua utilização em circuitos
de chaveamento, em que o componente opera na região ôhmica. O quadro, a seguir, apresenta algumas
relações importantes, que resumem os três modos de operação básicas dos transistores MOSFETs.
REGIÕES DE OPERAÇÃO – TRANSISTORES MOSFETs

REGIÃO CARACTERÍSTICAS
Corte VGS ˂ VGS(TH) = Valor de ID = 0
VGS ˃ VGS(TH) = Valor de ID ˃ 0

Ativa
VDS ˂ VGS - VGS(TH)
Ôhmica VDS(ATIVO) = RDS(ATIVO) . ID

Quadro 9 - Regiões de operação transistores MOSFETs
Fonte: SENAI (2016)
Sendo assim, a região de operação do MOSFET é caracterizada quando a tensão VGS for maior que a
tensão VGS(TH), em que o controle da corrente elétrica pelos terminais do componente pode ser realizado.
Essa característica principal é relacionada aos parâmetros de operação de componente MOSFET, que você
irá estudar a seguir.
3.6.4 PARÂMETROS
Assim como ocorre com qualquer componente eletrônico, a folha de dados apresenta os parâmetros
básicos e essenciais que restringem a utilização de transistores MOSFETs em diversas aplicações, entre elas
a sua utilização como chave. A utilização de qualquer componente em circuitos eletrônicos é caracterizada
por seus parâmetros de operação.
105
Desta forma, ao utilizar um componente semicondutor MOSFET em circuitos eletrônicos, deve-se ficar
atento às situações de sobretensões e sobrecorrente, ou seja, os parâmetros nominais do componente,
como tensão, corrente, potência e outras grandezas que delimitam sua aplicação.
A consulta à folha de dados, de acordo com a codificação em seu encapsulamento, é idealmente o
melhor caminho para conhecer os valores nominais condizentes ao componente MOSFET. Com relação à
corrente e tensão elétrica, é necessário conhecer seus valores nominais, com os quais estão relacionadas as
condições máximas de operação do transistor, à medida que, nestas condições, o componente corre o risco
de atingir sua ruptura. Existem dois parâmetros importantes que definem a aplicação: a corrente máxima
do terminal dreno e a tensão de corte dos terminais porta-fonte, respectivamente denominadas como
IDSS e VGS.
A tabela, a seguir, apresenta alguns parâmetros nominais de um transistor MOSFET IRF840 canal N do
fabricante FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, cujo encapsulamento é característico dos transistores TO-220.
PARÂMETROS DO TRANSISTOR MOSFET IRF840 CANAL N

SÍMBOLO PARÂMETRO MIN. MÁX. UNIDADE
VDS Tensão entre terminais dreno-fonte - 500 V
VGS Tensão entre terminais porta-fonte - ±20 V
VDG Tensão entre terminais dreno-porta - 500 V
VGS(TH) Tensão limiar no terminal porta 2 4 V
ID Corrente terminal dreno contínua - 8 A
IDSS Corrente máxima no dreno - 250 µA
IG Corrente terminal porta - ±100 nA
ID(ON) Corrente no dreno (estado ativo) 8 - A
PD Dissipação máxima de potência - 125 W
TJ Temperatura de operação - -55 a 150 °C
rDS(on) Resistência de dreno - 0,850 Ω
BVDSS Tensão de ruptura 500
Tabela 6 - Parâmetros nominais de um transistor MOSFET
Nesta situação, o transistor MOSFET em questão é aplicado em potências elevadas com tensão máxima
(dreno-fonte e dreno-porta) de 500 V e corrente máxima no terminal dreno na ordem de 8 A. Nota-se que
a tensão VGS entre os terminais porta-fonte do componente é ±20 V. Neste caso, entre os terminais porta
e fonte do componente, a tensão deve respeitar este limite, no qual sua operação próximo dos valores
nominais ali especificados pode afetar seu funcionamento.
Por exemplo, observe que existe o limite para tensões positivas ou negativas. Assim, quando estes valores
forem excedidos, a camada de isolação pode vir a se romper, sendo o MOSFET danificado e podendo não
realizar o controle de corrente elétrica no terminal dreno.
106
Evitar a operação do componente em situações próximas de seus valores nominais garante que
seu desempenho ocorra de maneira correta. Você já sabe que componentes eletrônicos, como diodos,
transistores bipolares e transistores unipolares, não podem estar sujeitos a situações de sobrecorrente,
sobretensão ou qualquer situação que os submeta à ruptura.
3.6.5 OPERAÇÃO COMO CHAVE
A operação do transistor MOSFET como chave é caracterizada pelo controle da corrente elétrica no
terminal dreno, aplicando diferentes níveis de tensão elétrica nos terminais porta-fonte do transistor. Sua
característica de chaveamento é dada pela operação na região ôhmica.
Como você estudou anteriormente, um MOSFET apresenta uma série de parâmetros que delimitam sua
utilização em circuitos eletrônicos. Os parâmetros essenciais que assemelham o dispositivo a uma chave de
dois estados (ativada ou desativada) são:
a) tensão entre terminais porta-fonte: VGS;
b) tensão entre terminais dreno-fonte: VDS;
c) tensão limiar no terminal porta: VGS(TH);
d) corrente terminal dreno contínua: ID;
e) resistência de dreno: rDS(on).
Assim, para você compreender a relação destes parâmetros associados à operação do MOSFET como
chave, é apresentada, a seguir, a curva característica da corrente de dreno ID versus a tensão entre os
terminais porta-fonte VGS:
ID ID
ON
Ellen Cristina Ferreira (2016)
VGS
OFF
VDS
VGS(TH) VGS
Figura 50 - Curva ID versus VGS
Fonte: SENAI (2016)
Desta forma, é possível observar que, quando a corrente no terminal dreno for zero, o MOSFET está
inoperante. A comprovação é dada pela relação da tensão entre porta-fonte, ou seja, se esta tensão não
for suficientemente maior ou igual à tensão limiar, não existe circulação de corrente elétrica no terminal
dreno. A relação da curva inclinada com a curva similar ao estado de chave é caracterizada por esta
afirmação.
107
Para que o componente seja ativado, a tensão elétrica VGS deve ser maior que a tensão limiar, em que a
corrente no terminal dreno sofre alteração na mesma proporção e a resistência do terminal dreno controla
os níveis de corrente neste terminal e o MOSFET é dado como ativado. Novamente, faz-se necessária a
utilização de um quadro para resumir sua operação como chave. Para melhor compreensão, recomenda-
se comparar as informações do quadro a seguir com as relações apresentadas no capítulo das regiões de
operação do MOSFET.
OPERAÇÃO COMO CHAVE – TRANSISTORES MOSFETs

ESTADO DO MOSFET CARACTERÍSTICAS
VGS ≤ VGS(TH) = Chave desativada
Desativado (OFF)
Valor de ID = 0
VGS ≥ VGS(TH) = Chave ativada
Ativado (ON) Valor de ID ˃ 0
VDS = rDS(ON) . ID
Quadro 10 - Relação do transistor MOSFET como chave
Fonte: SENAI (2016)
A operação como chave na região ôhmica proporciona ao MOSFET que os níveis de queda de tensão
sejam essencialmente baixos, em que a corrente do terminal dreno é delimitada pela resistência.
Estude, na seção, a seguir, como os reguladores de tensão utilizam transistores para ajustar níveis de
tensão elétrica em circuitos eletrônicos.
3.6.6 REGULADORES DE TENSÃO
Os reguladores de tensão são estruturas muito utilizadas em circuitos analógicos. Sua principal finalidade
é ajustar um determinado nível de tensão elétrica. São normalmente empregados em placas de circuitos
de fontes de alimentação. Existem diversas formas de criar um regulador de tensão, e uma das principais é
utilizando uma estrutura com transistores.
Ainda nesta seção, você estudará que existem vários circuitos que podem realizar esta regulação. Como
o ajuste de tensão é muito aplicado no universo da eletrônica, você verá que existem circuitos integrados
dedicados a esta tarefa. Além disso, conhecerá os reguladores de tensão a transistores, reguladores de
tensão com circuitos integrados, suas folhas de dados e algumas características elétricas.
3.6.7 REGULADORES DE TENSÃO A TRANSISTORES
A ideia principal de desta seção é desenvolver circuitos que sejam capazes de ajustar a tensão de entrada
de um circuito para um nível específico de saída. Aqui será apresentado um circuito básico com resistores,
diodos e transistores bipolares para um melhor entendimento do seu funcionamento.
108
De maneira geral, um regulador de tensão simples pode ser visualizado de acordo com a figura a seguir.
Q2
R3
R1
RS
+ Q1 +
Vin Vout RL

- -
+
+ VF R2
VZ -
-
Figura 51 - Regulador de tensão a transistor

Para entender bem este circuito, inicialmente veja quais são seus principais elementos. Identifique os
itens indicados a seguir na figura anterior.
a) Entrada de tensão Vin.
b) Saída de tensão Vout.
c) Diodo zener VZ.
d) Transistor de passagem Q2.
e) Transistor regulador de tensão Q1.
f ) Resistores de ganho do circuito R1 e R2.
g) Resistores de polarização do circuito RS e R3.
h) Resistor de carga RL.
A tensão de entrada deste circuito tem um nível diferente do nível de tensão de saída. Este circuito
deve ser capaz de ajustar a tensão Vin para um nível específico em Vout, independentemente de Vin. Neste
caso, a tensão de saída será ajustada para um nível de tensão desejado, desde que a tensão de entrada não
prejudique a polarização dos transistores.
O transistor Q2 é conhecido como transistor de passagem, pois a corrente de carga atravessará sua
estrutura. Observe que o coletor de Q2 é ligado diretamente na tensão de entrada, enquanto que o emissor
de Q2 é conectado diretamente na tensão de saída. É este circuito que irá proporcionar a potência do
circuito de saída.
109
O diodo zener é responsável por impor um nível de tensão fixo no emissor de Q1. O transistor Q1 é
responsável por fazer a regulação dos níveis de correntes e tensões deste circuito de acordo com o nível
de saída desejado. Os resistores R2 e R3 são de grande importância neste circuito. Quando a tensão de saída
tende a aumentar ou diminuir, a corrente nos resistores se altera para manter o nível de Vout conforme o
projeto.
Os resistores R1 e R2 cumprem um papel fundamental neste circuito, pois eles realizam o ganho de
tensão de saída. A expressão que relaciona o ganho deste circuito pode ser dada por:
É importante notar que este circuito realiza uma realimentação do sinal através da tensão do diodo
zener VZ. Pode-se dizer que, quando existe uma realimentação, o ganho AMF do circuito é chamado de
ganho em malha fechada. O ganho do regulador de tensão não relacionará a tensão de entrada com a
tensão de saída, pois, desta maneira, a tensão de saída seria dependente da tensão de entrada. O ganho do
regulador relacionará a tensão de saída com a tensão presente no resistor R2, tensão também conhecida
como VF, ou tensão de feedback. Desta maneira, pode-se expressar o ganho através da seguinte equação:
De maneira geral, é fácil encontrar a tensão VF, visto que essa tensão é dada por elementos fixos do
circuito. A tensão no resistor R2 pode ser interpretada como a soma da tensão no diodo zener VZ com a
tensão presente no transistor base-emissor VBE. Sendo assim, VF pode ser dado pela seguinte expressão:
Logo, a expressão do ganho pode ser dada pela seguinte equação:
Perceba que a tensão de entrada Vin não aparece nas expressões de ganho ou de VF. Deve-se tomar
o cuidado para que a tensão de entrada não seja muito pequena. Caso isso ocorra, os transistores e
diodo não estarão devidamente polarizados e o circuito não será capaz de realizar a regulação de tensão.
110
Usualmente as tensões VBE e VZ são consideradas fixas, ou seja, não se alteram com a mudança de tensão
do circuito. Normalmente a tensão VBE é igual a 0,7 V e a tensão do diodo zener poderá variar, dependendo
do fabricante e da especificação do projeto. Alguns cuidados devem ser tomados quando levadas essas
considerações à prática. Para entender bem este conceito, veja o exemplo a seguir.
Exemplo - Valores máximos e mínimos de um regulador de tensão

Um potenciômetro (resistor variável) é conectado entre a base do transistor Q1 de um regulador de
tensão. Este potenciômetro irá mudar os valores da resistência equivalente de R1 e R2. Descubra quais os
valores máximos e mínimos de acordo com a variação de resistência do potenciômetro. Os valores dos
componentes são os seguintes:
a) R1 = 400 Ω
b) R2 = 600 Ω
c) R3 = 5 kΩ
d) RS = 2 kΩ
e) VBE = 0,7 V
f ) VZ = 4,7 V
g) Vin = 15 V
De maneira geral, o circuito proposto neste exemplo pode ser montado conforme a figura a seguir.
VC
0 30 V
CC
Vin
Q2
0 5A N
C B E
OFF
R3
R1
Q1
RS
C B E
N
Pot
zener R2
Figura 52 - Regulador de tensão com potenciômetro

Fonte: adaptado de Autodesk Inc. (2016)
111
Para calcular o valor máximo de tensão de saída, deve-se somar o valor do potenciômetro à resistência
R1. Dessa maneira, o ganho em malha fechada fica expresso de acordo com a seguinte equação:
Para calcular a tensão máxima de saída, basta multiplicar o ganho pela tensão VF. Assim, tem-se a
seguinte expressão:
Para calcular o valor mínimo de tensão de saída, deve-se somar o valor do potenciômetro à resistência
R2. Assim, o ganho em malha fechada fica expresso de acordo com a seguinte equação:
Para calcular a tensão mínima de saída, basta multiplicar o ganho de malha fechada mínimo pela tensão
VF. Deste modo, tem-se a seguinte expressão:
Portanto, o regulador de tensão projetado terá uma tensão que pode ser ajustada entre 7,78 V e 11,72 V.
De acordo com os valores de resistores, potenciômetros, diodos zener e transistores utilizados no circuito,
o desempenho do regulador de tensão pode melhorar muito. Outro aspecto importante neste circuito é
a corrente que é fornecida à carga. Este aspecto será abordado quando o regulador de tensão for tratado
como um CI.
Até aqui, você aprendeu que é possível criar circuitos que regulam a tensão de saída independente da
tensão de entrada. Este circuito é muito utilizado no projeto de fontes de alimentação, que será estudado
com mais detalhes em seções posteriores. A próxima seção irá abordar o regulador de tensão utilizando
circuitos integrados.
112
3.6.8 REGULADORES DE TENSÃO COM CIRCUITOS INTEGRADOS
Na seção anterior, você estudou que um circuito regulador de tensão pode ajustar diferentes níveis
de tensão independentemente da tensão de entrada, desde que forneça a tensão mínima de polarização
dos transistores. Isso significa que este tipo de circuito é muito utilizado para evitar oscilações de tensão
indesejadas. Você percebeu também que estes reguladores são amplamente utilizados em fontes de
alimentação. Como este arranjo tem uma demanda muito alta, esse tipo de circuito foi encapsulado no
formato de circuito integrado.
Hoje, os circuitos integrados reguladores de tensão, em comparação com os circuitos com transistores e
diodos zener apresentados na seção anterior, possuem menor custo, mais desempenho e versatilidade. De
maneira geral, os circuitos integrados reguladores de tensão podem ser classificados como:
a) fixos: possuem uma única possibilidade de tensão de saída;
b) ajustáveis: podem sofrer uma variação de tensão de acordo com a necessidade do projeto e o limite
permitido pelo fabricante
Você também constatou, na seção anterior, que são muitos os fatores limitantes em um regulador de
tensão. Dentre estes fatores estão:
a) valores máximos e mínimos da tensão de entrada (volts);
b) valores máximos e mínimos da tensão de saída (volts);
c) valor máximo de corrente de saída (amperes).
Todos estes fatores podem ser encontrados na folha de dados (datasheet) do componente, sendo os
principais fabricantes de reguladores de tensão: FAIRCHILD, TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, NXP,
ST Microeletrônics e ON Semi. Alguns exemplos de reguladores de tensão fixos podem ser encontrados a
seguir.
REGULADORES DE TENSÃO FIXOS

Os reguladores de tensão fixos possuem diversas linhas, quando encapsulados em circuitos integrados.
Cada linha possui um diferente código que remete a um determinado componente. Uma das linhas mais
utilizadas em pequenas aplicações é a série L7800.
O código L78 se refere à capacidade de corrente, enquanto que os números que se sucedem definem o
valor de tensão regulada. De acordo com a STMICROELETRONICS (2004), alguns exemplos de reguladores
podem ser encontrados com os códigos apresentados a seguir.
113
CÓDIGO DO COMPONENTE TENSÃO DE ENTRADA (V) TENSÃO DE SAÍDA (V)

L7805 8 a 20 4,65 a 5,35
L7806 9 a 21 5,65 a 6,35
L7808 11,5 a 23 7,6 a 8,4
L7812 15,5 a 27 11,4 a 12,6
L7815 18,5 a 30 14,25 a 15,75
L7818 22 a 33 17,1 a 18,9
L7820 24 a 35 19 a 21
L7824 28 a 38 22,8 a 25,2
Tabela 7 - - Reguladores de tensão L7800
Fonte: adaptado de STMicroeletronics (2004)
Além da série L78, existem circuitos integrados que realizam a regulação de tensão negativa. Um
bom exemplo destes circuitos é a série L79. Para encontrar a folha de dados destes componentes, basta
procurar o código correspondente em qualquer site de busca da internet ou entrando diretamente no
site do fabricante. Nas folhas de dados, você encontrará as formas construtivas do componente, alguns
exemplos de aplicações, a estrutura interna com transistores, um diagrama funcional, dentre várias outras
informações.
Os dados mais importantes presentes em uma folha de dados do regulador de tensão são as
características elétricas de cada componente.
A tabela, a seguir, mostra estas características para o componente L7812.
SÍMBOLO PARÂMETRO CONDIÇÕES DE TESTE MIN. USUAL MÁX. UNIDADE
VO Tensão de saída TJ = 25 ⁰C 11,5 12 12,5 V
IO = 5 mA a 1 A PO ≤ 15 W
VO Tensão de saída 11,4 12 12,6 V
VI = 15,5 a 27 V
VI = 14,5 a 30 V TJ = 25 ⁰C 120
ΔVO Regulação de linha mV
VI = 16 a 22 V TJ = 25 ⁰C 60
IO = 5 mA a 1,5 A TJ = 25 ⁰C 100
ΔVO Regulação de linha mV
IO = 250 a 750 mA TJ = 25 ⁰C 60
Tabela 8 - Características elétricas do regulador de tensão L7812
Fonte: adaptado de STMicroeletronics (2004)
Esta tabela foi composta com as informações retiradas diretamente da folha de dados do componente
L7812 da STMicroeletronics. Se você for buscar estas informações na internet, verá que todos estes dados
estão disponíveis geralmente em inglês. Para compreender melhor o significado de cada parâmetro,
compare a tabela encontrada na internet com a tabela apresentada neste livro.
114
Na folha de dados, é possível encontrar as mesmas informações para reguladores de outros níveis de
tensões. As colunas desta tabela representam respectivamente o símbolo, o parâmetro, condições de teste,
valores mínimo, usual e máximo de tensão deste mesmo parâmetro e a unidade.
O primeiro parâmetro é a tensão de saída (VO). As condições de teste determinam que este circuito,
operando em 25 ⁰C, pode sofrer uma variação de 11,5 a 12,5 V, mas sua tensão de saída usual é de 12 V.
Ainda sobre a tensão de saída, as condições de teste determinam que, se a tensão de entrada VI variar entre
15,5 a 27 V e a corrente de saída IO variar entre 5 mA a 1 A, isso quer dizer que a tensão de saída pode sofrer
uma pequena variação entre 11,4 e 12,6 V, mas sua tensão típica é de 12 V.
O segundo parâmetro é a regulação de linha (ΔVO). A regulação de linha é uma pequena oscilação no
nível de tensão na saída quando existe uma oscilação de tensão na entrada. Se a tensão de entrada varia
entre 14,5 e 30 V, a saída pode sofrer uma pequena oscilação de 120 mV. Se a entrada varia entre 16 a 22 V,
a saída pode sofrer uma pequena oscilação de 60 mV.
Esta mesma análise pode ser feita quanto à corrente, em que uma variação da corrente de saída pode
causar uma variação na tensão de saída. Se a corrente sofre uma oscilação entre 5 mA a 1 A, então a tensão
de saída pode variar até 100 mV. Se a corrente sofre uma oscilação entre 250 e 750 mA, a tensão de saída
pode variar até 60 mV.
Agora que você conhece um pouco sobre os reguladores de tensão fixos, já observou os principais
dados e códigos de seus circuitos integrados, estude, na sequência, os reguladores de tensão ajustáveis.
REGULADORES DE TENSÃO AJUSTÁVEIS

Estes reguladores de tensão ajustáveis são muito utilizados em circuitos de fontes de tensão e corrente
e, assim como a maioria dos circuitos integrados, apresentam muitas vantagens em termos de custo e
desempenho. Este tipo de regulador aceita diferentes tensões de saída em um único circuito integrado.
Estas tensões podem ser ajustadas de acordo com valores máximos e mínimos indicados na folha de dados
de cada circuito. Um bom exemplo deste regulador é o circuito integrado LM117.
Segundo Texas Instruments Incorporated (2015a), este regulador pode trabalhar em uma faixa de
tensão de saída entre 1,25 e 37 V, fornecendo uma corrente de saída de 1,5 A. Para realizar o ajuste da
tensão de saída, o fabricante sugere que seja usado um circuito auxiliar com resistores fixos e variáveis,
além de alguns capacitores. O circuito regulador de tensão pode ser visualizado na figura, a seguir.
115
LM117
Vin ≥ 28 V Vin Vout Vout

ADJ
R1
240 Ω
+
C1 C2
0.1 µF 1 µF

R2
5 kΩ
Figura 53 - Circuito regulador de tensão ajustável

Fonte: adaptado de Texas Instruments Incorporated (2015a)
Observe, na figura, que a tensão mínima de entrada para este circuito é de 28 V. Neste exemplo, há um
resistor R1 de 240 Ω e um potenciômetro R2 de 5 kΩ. Os capacitores ajudam a diminuir a oscilação dos sinais
de entrada e saída. Portanto, para determinados casos, estes são opcionais. De maneira geral, a tensão de
saída deste circuito pode ser dada pela seguinte expressão:
A corrente IADJ é indicada na folha de dados, podendo ser considerada fixa em módulo de 100 μA. Para
entender bem esta expressão, acompanhe o seguinte exemplo.
116
Exemplo – Valores máximos e mínimos de um circuito regulador de tensão com LM117

Para calcular os valores máximos e mínimos de tensão do circuito apresentado anteriormente, basta
variar os valores de resistência no potenciômetro R2. O valor máximo de R2 é 5 kΩ, enquanto seu valor
mínimo pode ser aproximado de 0 Ω. Utilizando R1 como 240 Ω, pode-se calcular então a variação de
tensão da seguinte forma:
Observe que o modo como foi construído este exemplo, a tensão de saída pode ser ajustada com a
variação de um potenciômetro, em que Vout pode assumir os valores entre 1,25 e 27,8 V. Para que esta faixa
de valores seja menor ou maior, basta mudar os valores de resistência deste circuito periférico ao CI LM117.
É interessante notar que, quanto menor o valor das resistências R1 e R2, maior será a corrente presente
no circuito. O acréscimo de corrente presente em baixas tensões pode causar um aumento na temperatura
deste circuito. Portanto, os reguladores de tensão reguláveis são indicados com o uso auxiliar de dissipadores
térmicos.
Na folha de dados do CI LM117, é possível encontrar as principais características elétricas, as tensões e
correntes típicas, faixas de temperatura de trabalho, formas construtivas, circuito interno com transistores
e, além disso, são mostradas várias aplicações com este circuito e um circuito semelhante conhecido como
LM317-N.
Agora que você conhece os circuitos reguladores, é importante conhecer a sua principal aplicação:
fontes de alimentação.
3.7 FONTES
Esta seção abordará um dos assuntos mais importantes no universo da eletrônica: as fontes. Basicamente,
as fontes são utilizadas para alimentar cargas com determinados níveis de tensões, proporcionando
um nível de corrente compatível com o circuito de carga. Que tipo de cargas uma fonte de alimentação
pode atender? Neste livro, as fontes estudadas terão a saída em corrente contínua (CC), ou seja, as cargas
alimentadas por essas fontes são cargas que atuam sob corrente contínua. Alguns exemplos de carga são
motores CC, notebooks, smartphones, circuitos integrados, eletrônicos e digitais etc.
117
Em geral, existem diversos tipos de fontes que podem ser classificadas como reguláveis e chaveadas.
Cada tipo de fonte tem suas características, estrutura e função. A intenção desta seção é mostrar como
pode ser construída cada uma destas fontes, além de trazer alguns exemplos de circuitos. A partir de agora,
você conhecerá cada uma delas.
3.7.1 FONTES REGULÁVEIS
As fontes reguláveis são circuitos capazes de regular a tensão de saída para alimentar uma determinada
carga. Para que esta carga seja adequadamente alimentada, os níveis de tensão e correntes exigidos por
ela devem ser atendidos pela fonte. As fontes reguláveis também são muito conhecidas como fontes
de tensão lineares. Um dos principais elementos presentes em fontes de alimentação reguláveis são os
reguladores de tensão, sejam eles fixos ou reguláveis.
O aspecto construtivo de cada uma dessas fontes é dado por cinco etapas:
a) transformação;
b) retificação;
c) filtro;
d) regulação;
e) alimentação de carga.
A figura, a seguir, mostra um diagrama de blocos e as formas de onda, demonstrando como acontece
cada etapa de funcionamento da fonte regulável.
Transformação Retificação Filtro Regulação Alimentação
0 1 2 3 4 5
(a)
V 0 V 1 V 2 V V VA 5
3 4
t t t t t t
(b)
Figura 54 - Etapas de funcionamento de uma fonte de tensão regulável

Fonte: SENAI (2016)
118
Um diagrama muito semelhante ao apresentado na figura anterior foi detalhado no item 3.2 deste
livro. Em (a), são mostradas as etapas de funcionamento da fonte de tensão linear em blocos. Em (b), são
apontadas as formas de onda resultantes de cada etapa. Em ambas as imagens, (a) e (b), todas as etapas de
funcionamento estão numeradas.
A etapa 0 é a alimentação deste circuito através de um sinal senoidal disponível na rede elétrica, seja
corrente alternada de 127 V ou 220 V. Este mesmo sinal passa por uma etapa de transformação, ou seja,
o nível de tensão é transformado em um nível menor. Mesmo assim, ainda conserva a sua forma de onda
senoidal e valores positivos e negativos de tensão. Esta onda resultante pode ser visualizada no gráfico de
número 1. O circuito responsável pela transformação é um transformador.
Sabe-se que a tensão desejada na saída da fonte deve ser um sinal em corrente contínua. Isso quer dizer
que em uma das etapas de funcionamento desta fonte o sinal alternado deve ser retificado. A retificação
pode ser visualizada no gráfico de número 2. O circuito responsável por esta retificação consiste em uma
ponte de diodos.
A retificação através de diodos foi estudada nas primeiras seções deste livro. Pode-se observar que
o sinal resultante da retificação não possui valores negativos de corrente, porém, ainda assim, existem
oscilações bruscas de tensão. Para reduzir estas oscilações, o circuito deve passar por um filtro, que pode
ser feito por um capacitor. O sinal de tensão filtrado pode ser visualizado no gráfico de número 3.
Mesmo com o sinal filtrado, a tensão ainda pode apresentar pequenas oscilações. Para muitos
equipamentos digitais, as oscilações de tensão podem danificar ou comprometer o funcionamento do
circuito. Portanto, após a utilização do filtro, o sinal de tensão passa por uma etapa de regulação. O circuito
responsável pela regulação de tensão, visto na seção anterior, anterior, é o regulador de tensão, podendo
ser fixo ou ajustável. Esta etapa pode ser visualizada no gráfico de número 4.
Quando a fonte está pronta, esta pode alimentar uma carga que irá permitir a passagem de uma
corrente de saída. Esta corrente pode ser visualizada no gráfico de número 5. A corrente elétrica consumida
pela carga deve ser compatível com a corrente máxima fornecida pelo regulador de tensão. Como visto em
seções anteriores, alguns reguladores de tensão podem fornecer níveis de corrente de até 1,5 A.
SAIBA O autor Newton C. Braga publicou um livro chamado 100 circuitos de fontes, São
Paulo: NCB, 2012, no qual traz muitos exemplos práticos e simples para que você possa
MAIS selecionar a fonte ideal para sua aplicação.
119
Para compreender bem o conceito de fontes reguláveis, veja um exemplo prático com os componentes
responsáveis por cada etapa.
TRANSFORMADOR 7805
B 1 3 C CARGA
A VI VO
GND
+
2
500 +5.01
2000u 100n Volts
VA = 310 -
FREQ = 60
Gatilho Canal A Canal C

Nível AC Posição Posição
AC AC
DC DC -10 DC
-10 -10
GND GND
0 0 OFF 0 OFF
Inverter Inverter
10 10 10
A+B C+D
Auto
Disparo
Cursores
Fonte
ABCD
V/div 5 V/div 5
Horizontal Canal B Canal D

Fonte Posição Posição
AC AC
ABCD DC DC
-10 -10
GND GND
Posição
0 OFF 0 OFF

10 0 -10 10 Inverter 10 Inverter
ms 2m µs V/div 5 V/div 5
Figura 55 - Fonte regulável de 5 V

Fonte: adaptado de Labcenter Electronics (2016)
Este esquema elétrico da fonte de tensão regulável de 5 V foi desenvolvido utilizando o software
Proteus. A entrada de tensão do circuito é dada por uma tensão eficaz de 220 V. O transformador alterará o
nível de tensão de alimentação para 22 V no seu secundário. Neste caso, o transformador tem um fator de
transformação igual a 0,1.
120
A tensão presente no secundário do transformador será retificada através da ponte de diodos. Após
essa retificação, a tensão será filtrada pelo capacitor de 2000 μF. O sinal de tensão filtrado, por sua vez, irá
passar pelo CI 7805 para regular a tensão em corrente contínua de 5 V. O nível de 5 V alimentará a carga
resistiva de 500 Ω. Este mesmo nível de tensão pode ser medido através de um voltímetro. Desta maneira,
foi possível desenvolver uma fonte de tensão fixa de 5 V. Perceba que um sinal senoidal foi transformado
em um sinal de corrente contínua.
A corrente presente no resistor pode ser encontrada através da lei de ohm. Portanto, o módulo da
corrente de saída será de 10 mA. Este nível de corrente está dentro da capacidade fornecida pelo regulador
de tensão LM7805.
Agora que você conheceu um dos tipos de fonte mais utilizados na eletrônica, tem a base necessária
para compreender um outro tipo de fonte, conhecida como fonte chaveada.
3.7.2 FONTES CHAVEADAS
As fontes chaveadas possuem uma tecnologia diferente das fontes lineares e são conhecidas como
fontes não lineares ou como SMPS (Switched Mode Power Supplies). Em geral, este tipo de fonte apresenta
muito mais vantagens no que diz respeito ao desempenho. Fontes chaveadas são capazes de gerar
grandes níveis de tensões e potências de saída com poucas perdas. Em contrapartida, são estruturas
um pouco mais complexas que as fontes lineares. Uma fonte com mais componentes ocupa mais espaço
e gera mais custo. Esta complexidade está baseada na quantidade de etapas de funcionamento que uma
fonte chaveada para obter.
Segundo Barbi (2007), este tipo de fonte começou a ser desenvolvida em programas espaciais na
tentativa de substituir as fontes lineares que eram mais pesadas e menos eficientes. Desde então, as fontes
chaveadas começaram a ser empregadas em diversas outras aplicações, como computadores, impressoras,
eletrodomésticos, equipamentos médicos etc.
De maneira geral, as fontes chaveadas possuem uma chave comutadora, ou melhor, um circuito
regulador chaveado. Este circuito é responsável por chavear a corrente de entrada em uma frequência
relativamente alta, a ponto de estabilizar um determinado nível de tensão na saída, seja ela uma tensão
alternada ou contínua. As fontes de tensão chaveadas podem ser divididas em 4 principais grupos, de
acordo com 2 parâmetros: forma de onda da tensão de entrada e forma de onda da tensão de saída. Os 4
principais grupos podem ser visualizados de acordo com o quadro seguir.
TENSÃO DE ENTRADA TENSÃO DE SAÍDA DESCRIÇÃO

CC CC Conversor de tensão ou corrente
CC CA Inversor
CA CC Retificador
CA CA Conversor de frequência
Quadro 11 - Tipos de fontes chaveadas
Fonte: SENAI (2016)
121
Observe, neste quadro, que, dependendo do tipo de entrada e de saída destas fontes, existem diferentes
classificações. A intenção desta seção é trazer uma visão geral das fontes que possuem saída CC, ou seja, os
circuitos conversores de tensão ou corrente e o circuito retificador. Perceba que, na descrição do quadro,
foi utilizado o termo conversor. Pode-se dizer que o conversor é a essência de uma fonte chaveada,
pois é este conversor que irá realizar o chaveamento da corrente e regular a tensão de saída. O estudo
sobre conversores é muito amplo, mas, nesta seção, será apenas mencionada a sua função e algumas
características, sem aprofundamento no tema.
Uma fonte chaveada tem cerca de 8 etapas de funcionamento, que não necessariamente atuam de
maneira sequencial. São elas::
a) filtro de entrada;
b) retificação inicial;
c) circuito chaveador;
d) transformador isolador de alta frequência;
e) retificação e filtro de saída;
f ) circuitos isoladores;
g) circuitos comparadores;
h) controle de alta frequência.
Estas etapas de funcionamento atuam de acordo com o diagrama de blocos na figura, a seguir.
1 2 3 4 5
VIN Transformador VOUT

Filtro de Retificação Chaveador Retificação e
isolador de alta
entrada inicial (Transistor) filtro de saída
frequência
Controle de
Comparação Isolação
alta frequência
Allan Kanzler e Silva (2016)
8 7 6
VREF
Figura 56 - Etapas de funcionamento de uma fonte de tensão chaveada
Fonte: SENAI (2016)
122
Observe no diagrama que as etapas 6, 7 e 8 formam um ramo de realimentação do sinal. É interessante

notar que o funcionamento desta fonte gira em torno de 3 principais parâmetros: a tensão de entrada (Vin),
a tensão de saída (Vout) e a tensão de referência (VREF). Vale salientar que esta figura apresenta o fluxograma
geral de funcionamento de fontes chaveadas, sendo que algumas fontes mais simples não possuem todas
estas etapas. Cada uma destas etapas será descrita a seguir.
O filtro de entrada é utilizado para minimizar os efeitos de ruídos causados pelo chaveamento. Sem
este filtro de entrada, a qualidade do sinal poderia estar comprometida. Basicamente, o filtro de entrada é
composto por um circuito com capacitores, indutores e pequenos transformadores.
A etapa de retificação inicial muda a forma de onda senoidal AC para um sinal DC com pouca oscilação.
No circuito que realiza esta função, está presente um conjunto de diodos responsáveis pela retificação do
sinal e alguns capacitores que filtrarão parte do sinal retificado. Usualmente, os capacitores utilizados neste
circuito são do tipo eletrolítico e podem armazenar uma grande quantidade de energia.
Existem diversos conversores, mas o elemento principal presente neste circuito é o componente
comutador. O circuito chaveador basicamente é composto por um transistor. Em circuitos de fontes
chaveadas, os transistores mais utilizados são os MOSFET e os IGBT. Dependendo da necessidade do
projeto, deve-se utilizar um ou outro transistor. A simbologia de cada um destes transistores pode ser
visualizada na figura a seguir.
IGBT MOSFET
C D
G G
E
S
(a) (b)
Figura 57 - SImbologia dos transistores IGBT (a) e MOSFET (b)
Fonte: SENAI (2016)
O transformador isolador de alta frequência tem a função de realizar a isolação elétrica entre
a alimentação da rede e a tensão presente na saída da fonte. Nas fontes lineares, o transformador era
responsável sempre pelo abaixamento da tensão. Nas fontes chaveadas, este transformador pode ter tanto
a função de abaixar ou aumentar a tensão de saída. É muito comum que, em algumas fontes chaveadas, as
tensões sejam próximas ou até maiores que a tensão de alimentação da rede.
A retificação e filtro de saída irá realizar um tratamento semelhante à retificação inicial. Antes do
sinal estar presente na saída da fonte, este pode sofrer uma retificação e uma filtragem, tornando o sinal
contínuo e com pouca oscilação.
123
No funcionamento da fonte chaveada, a tensão de saída Vout deve ser isolada dos próximos circuitos
comparadores e controladores. O componente eletrônico responsável por esta isolação é o optoacoplador.
Os dispositivos optoacopladores foram estudados nas primeiras seções deste capítulo.
Na etapa de comparação, a tensão de saída será comparada a uma tensão de referência VREF. As tensões
devem ser iguais. Mas, caso elas sejam diferentes, o circuito comparador irá gerar um sinal de erro, que será
enviado para o controle em alta frequência do transistor. Se a tensão for maior ou menor que o sinal de
referência, o sinal de controle irá receber pulsos. Para entender bem este conceito, leia, a seguir, um quadro
que exemplifica esta comparação e o efeito do controlador.
COMPARADOR CONTROLE VOUT

VREF > Vout Maior duty cycle do PWM Eleva
VREF < Vout Menor duty cycle do PWM Reduz
Quadro 12 - Controle e comparação de uma fonte chaveada
Fonte: SENAI (2016)
O quadro mostra que a tensão de saída sempre busca se igualar à tensão de referência. Esse é o efeito
principal do controle. Quando a tensão de saída é maior que a referência, o controlador reduz a tensão.
Quando a tensão de saída é menor que a tensão de referência, o controlador aumenta a tensão. Mas, como
o controlador faz isso? O que é o duty cycle presente na tabela? O que é o PWM?
O pulso PWM é um tipo de onda semelhante à onda retangular. A sigla PWM significa Pulse Width
Modulation, que em português pode ser traduzido como modulação por largura de pulso. O pulso
PWM é um sinal de tensão que oscila em apenas dois níveis: nível alto ou nível zero. O sinal de tensão que
permanece em nível alto é conhecido como a largura do pulso (PW). Para entender melhor este aspecto,
observe a figura a seguir.
10% Duty Cycle

PW
50% Duty Cycle
T
90% Duty Cycle
(a) (b)
Figura 58 - Pulso PWM com diferentes duty cycles
Fonte: SENAI (2016)
124
Toda a forma que oscila em uma frequência constante possui um determinado período T. Na figura (a),
é possível observar a representação do tempo PW, que, em outros termos, pode ser interpretada como a
parcela de tempo em que a onda permanece em nível alto dentro de um período. Esta parcela de tempo
PW é normalmente expressa em porcentagem. A relação percentual que existe entre PW e T é conhecida
como duty cycle ou, em português, razão cíclica. Para calcular o duty cycle de um pulso PWM, basta utilizar
a seguinte expressão:
Na figura em (b), é possível observar alguns exemplos de duty cycle. Quando a largura do pulso é maior,
o duty cycle e a tensão média deste pulso também serão maiores. Desta maneira, o controlador de uma
fonte chaveada aumentará o duty cycle quando a tensão de saída precisar aumentar e irá diminuir o duty
cycle quando a tensão de saída precisar ser reduzida. O aumento da largura do pulso promovida pelo
controlador irá fazer com que o transistor MOSFET ou IGBT fique mais tempo ligado, intensificando assim
a tensão média na saída.
Como as fontes chaveadas ganharam muito espaço no cenário da eletrônica, alguns circuitos integrados
foram desenvolvidos para facilitar o projeto destas fontes. Frequentemente, usam-se os circuitos integrados
para as funções de oscilação, comparação de sinais, proteção, geração dos pulsos de PWM e sinal de
referência. Um bom exemplo deste circuito é o CI LM78S40, que pode ser visualizado na figura, a seguir.
Vcc CT IPK sensor Terra Acionador Comutador
9 10 13 12 14 11 15 16
OSC S Q Q1
- Q2
IC1 R
+
- D1
REF IC2
+
8 7 6 5 4 2 1 3
1,3V Ânodo Catodo
Figura 59 - Circuito integrado LM78S40
Fonte: Tooley (2007, p. 125)
125
O circuito integrado LM78S40 possui 16 pinos responsáveis pela etapa de controle das fontes chaveadas.
Com este circuito, o projeto de fontes chaveadas pode minimizar alguns fatores, como custo, espaço e peso.
Nesta seção sobre fontes de alimentação, você aprendeu que existem dois principais tipos de fontes: as
lineares e as chaveadas. Cada uma possui uma característica, função, aplicação, vantagem e desvantagem.
Além disso, pôde compreender alguns dos principais circuitos de fontes reguláveis e teve uma ideia geral
do funcionamento de uma fonte chaveada. Busque descobrir novos circuitos de fontes de alimentação e
tente utilizar um software para a simulação destes circuitos. Explore mais as folhas de dados apresentados
nesta seção.
A próxima seção irá apresentar um dos principais componentes eletrônicos presentes na eletrônica: o
amplificador operacional.
3.8 AMPLIFICADOR OPERACIONAL
O amplificador operacional é um dos circuitos mais utilizados na eletrônica analógica. Isso se deve ao
fato de que este componente possui uma faixa de aplicações muito ampla. Também conhecido como
AOP, ou Ampop, este dispositivo analógico está presente em sistemas de controle, em equipamentos
relacionados ao tratamento e amplificação de áudio, instrumentação em geral, além de realizar operações
matemáticas em computadores analógicos, dentre várias outras aplicações.
Mas, o que é um Ampop afinal?
Segundo Pertence Júnior (2012, p. 4), “O AOP é um amplificador CC multiestágio com entrada diferencial
cujas características se aproximam de um amplificador ideal”. Nesta seção, serão discutidos todos os
conceitos apresentados nesta definição, ou seja:
a) representação simbólica do AOP;
b) aspectos relacionados à alimentação em tensão;
c) tensão de offset;
d) ganho em malha aberta;
e) tempo de subida;
f ) fator de rejeição de modo comum;
g) slew rate;
h) resposta de frequência.
Diante do exposto, você sabe que este circuito tem grande aplicação, mas é preciso conhecer todas as
suas caraterísticas para utilizá-lo com assertividade em cada aplicação. De maneira simples e prática, estes
conceitos serão demonstrados utilizando imagens, equações matemáticas, gráficos e diagramas elétricos.
Você está preparado para conhecer um dos principais componentes da eletrônica analógica? Então siga
em frente! O primeiro tema que você estudará para conhecer melhor este dispositivo é a simbologia.
126
3.8.1 SIMBOLOGIA
Os amplificadores operacionais, em geral, possuem 3 conexões: a entrada inversora (sinal negativo),

a entrada não inversora (sinal positivo) e uma saída. Em dispositivos eletrônicos, as entradas deste
amplificador serão entradas de tensão elétrica. Consequentemente, a saída deste dispositivo também será
um sinal de tensão elétrica. Mas, o que é uma entrada inversora e uma entrada não inversora? Siga em
frente com sua leitura e descubra esta e outras dúvidas sobre o Ampop.
Um Ampop é usualmente representado de acordo com as simbologias apresentadas na próxima figura.
Vin- - Vin- -
Vout Vout

V in+ + Vin+ +
(a) (b)
Figura 60 - Simbologias de um amplificador operacional
Fonte: SENAI (2016)
É possível observar que (a) e (b) representam o Ampop. Ambas as simbologias são reconhecidas para
a representação deste dispositivo. Observe que, tanto em (a) quanto em (b), a simbologia possui duas
entradas Vin- e Vin+ e uma única saída Vout. A abreviação in se refere ao termo input (entrada) enquanto que
output quer dizer saída. A letra V é utilizada em expressões representando um sinal de tensão, seja ele um
sinal de tensão de saída ou de entrada.
Na prática, o AOP possui algumas conexões a mais, além dos pinos de entrada e saída. Os amplificadores
operacionais são em sua grande maioria utilizados em circuitos integrados. Por isso, para entender bem o
funcionamento de um Ampop, é necessário conhecer os CIs, que possuem este dispositivo encapsulado.
Um dos primeiros CIs, mais utilizados e mais práticos em relação aos Ampops, é o amplificador 741. Este
CI tem encapsulado apenas um único amplificador operacional e possui 8 pinos. Você deve estar se
perguntando, por que o CI tem 8 pinos se o Ampop precisa de apenas 3?
127
Na realidade, o amplificador operacional tem algumas conexões a mais para realizar sua alimentação
e ajustes de tensão. De maneira geral, a simbologia geral dos AOPs encontrada em folhas de dados são
apresentados conforme segue.
NC
8 Offset null 1 8 NC
Offset null
7V
+
1
- Inverting input 2 7 V+
Inverting input 2 6
+ Output Non-inverting 3 6 Output
3 5 input
Non-inverting input 4 Offset null
V- 4 5 Offset null
V-
(a) (b)
V+ 7
2
Vin- -
LM741 Vout 6
3
Vout+ +

4
V-
(c)
Figura 61 - Pinagem do CI 741
Fonte: adaptado de Texas Instruments Incorporated (2015c)
Esta figura foi adaptada de uma folha de dados do circuito integrado LM741 da empresa Texas Instruments
Incorporated©. Estes CIs são fabricados em outros países, portanto sua folha de dados é editada no idioma
inglês. Para estudar os principais pinos do Ampop, você deve saber alguns termos presentes nesta figura.
Os pinos apresentados em (a) e (b) têm algumas expressões peculiares que podem ser entendidas a seguir.
OFFSET NULL – Este pino tem a função de regular o offset de saída do Ampop. Mais adiante, será abordado
o conceito de offset de saída. No momento, é importante que você saiba que este pino é responsável por
um ajuste de tensão. No Ampop, existem dois pinos de controle de offset: os pinos 1 e 5.
INVERTING INPUT – Neste pino, está presente a entrada inversora do amplificador.
NON-INVERTING INPUT: Este pino possui a entrada não inversora do amplificador.
128
V- (V- SUPPLY) – Este pino contribui para a alimentação simétrica do Ampop. Também encontrado
com o termo supply, recebe o sinal de tensão negativa da alimentação. Na próxima seção, será discutida a
alimentação negativa.
OUTPUT – Neste pino, está presente a saída de tensão do AOP.
V+ (V+ SUPPLY) – Este pino contribui para a alimentação simétrica do Ampop. Também encontrado com
o termo supply, recebe o sinal de tensão positiva de alimentação.
NC – Este pino não é utilizado pelo Ampop. Segundo a folha de dados do LM741, este pino não deve
ser conectado a nenhum sinal de tensão. Quando isso acontece, pode-se dizer que o pino se encontra em
estado flutuante.
A figura encontrada em (c) mostra a simbologia geral do Ampop com algumas modificações. Inicialmente
são demonstradas nessa simbologia duas conexões a mais em relação à simbologia apresentada
inicialmente, dadas pelos pinos de alimentação simétrica. Em (c), também é possível observar as variáveis
de entrada, saída e alimentação de acordo com a pinagem correspondente. Desta maneira, os pinos 2 e 3
são responsáveis pelas entradas inversora e não inversora, respectivamente. Os pinos 7 e 4 são os pinos de
alimentação simétrica, V+ e V-, respectivamente. Na próxima seção, a chamada alimentação simétrica será
estudada com mais detalhes. O pino de número 6 representa o sinal de saída de tensão.
De maneira geral, as imagens (a), (b) e (c) representam o mesmo CI LM741 de maneiras diferentes.
Desta maneira, é possível ter uma visão geral de como está estruturado este componente dentro de seu
encapsulamento.
Além do 741, os fabricantes de circuitos integrados possuem diversos outros códigos para amplificadores
operacionais, podendo em um único CI conter mais de um Ampop. A tabela, a seguir, mostra alguns códigos
de circuitos encapsulados e o número de AOPs correspondente em cada CI.
CÓDIGO Nº DE AOPS
741 1
747 2
324 4
339 4
Tabela 9 - Códigos de CIs de AOPs
Fonte: SENAI (2016)
Dependendo do código e do fabricante, você pode observar na folha de dados diversas características,
como número de AOPs, tecnologia utilizada, características de entrada e saída, níveis de tensão e correntes
ideais, níveis de tensão e corrente máxima e mínima permitida, além, é claro, da disposição dos pinos do CI.
129
Internamente, os amplificadores operacionais são estruturados por transistores. Os transistores mais

comuns utilizados em AOPs são os tipos bipolares e bifet. Nada impede de que estes componentes sejam
também implementados com a tecnologia dos transistores MOSFET. Conhecendo a estrutura física e os
conceitos aprofundados sobre os amplificadores com transistor, também é possível criar um amplificador
operacional com características personalizadas. Os principais fabricantes de circuitos AOPs integrados são
FAIRCHILD, TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED, MOTOROLA, SIEMENS e PHILIPS.
Agora que você teve uma visão geral dos amplificadores operacionais, saiba como utilizar um AOP e
como alimentá-lo corretamente. Neste caso, quais sãos os valores de tensão ideais? Para que servem os
pinos V+ e V- apresentados nesta seção? Essas e outras dúvidas serão apresentadas no texto, a seguir.
3.8.2 TENSÃO DE ALIMENTAÇÃO
Diferentemente de outros dispositivos analógicos, os amplificadores operacionais podem apresentar

uma característica de alimentação diferente. Alguns Ampops possuem a chamada alimentação simétrica.
Usualmente, os circuitos analógicos são alimentados com uma tensão positiva +VCC e uma alimentação
nula de zero volts. Circuitos amplificadores em geral costumam apresentar uma alimentação positiva V+ e
uma alimentação negativa V- com módulo de tensão diferente de zero.
Como visto na seção anterior, o 741 não possui uma alimentação comum. É possível observar que este CI
possui uma alimentação dada pelas letras V+ e V-. Estes pinos são responsáveis pela alimentação simétrica.
Este tipo de alimentação funciona da seguinte maneira: o mesmo sinal de alimentação presente em V+
também deve ser alimentado em V-, porém o sinal presente em V- tem módulo negativo. Isso significa
que, se o pino V+ possui uma tensão de 12 V, o pino V- terá uma tensão aplicada de -12 V. De acordo com a
folha de dados do LM741 da Texas Instruments Incorporated (2015c), a tensão de trabalho ideal para este
circuito é de ±15 V. Isso quer dizer que em V+ deve ser imposta uma tensão de 15 V, enquanto que em V-
deve ser imposta uma tensão de -15 V.
Sabe-se que um amplificador precisa de uma tensão simétrica. Mas, como esse tipo de tensão pode ser
produzido? Existem baterias ou pilhas de alimentação simétrica? Afinal, como deve ser a conexão real do
Ampop com sua fonte de alimentação? Esta é uma dúvida muito frequente quando se trabalha com este
dispositivo pela primeira vez. O segredo da alimentação simétrica é apenas uma questão de referência. Isso
quer dizer que o sinal positivo ou negativo desta alimentação se dá em relação a uma referência, ou seja,
um sinal comum.
Para obter uma alimentação simétrica, é necessário conectar duas fontes de tensão em série. O ponto
de conexão entre estas fontes será o comum da alimentação. Do polo positivo para o comum existirá uma
tensão positiva, enquanto que do polo negativo para o comum existirá uma tensão negativa.
130
A figura, a seguir, mostra claramente o esquema de uma alimentação simétrica utilizando duas baterias.
A A
9.00 V V -9.00 V V
R R

9V 9V
Figura 62 - Fonte simétrica utilizando duas baterias de 9 V

Observe, na figura, que as duas baterias estão conectadas em série por um fio condutor preto. Este
mesmo fio preto está conectado no comum dos multímetros. O multímetro à esquerda está medindo
uma tensão de 9 V positivos. Esta tensão está sendo medida entre o polo positivo da primeira bateria e o
comum da fonte simétrica. O multímetro à direita está medindo uma tensão de -9 V. Esta tensão está sendo
medida entre o polo negativo da segunda bateria e o comum da fonte simétrica. Pode-se dizer então que
o conjunto das duas baterias em série produz uma fonte simétrica de ±9 V.
Alguns amplificadores operacionais não possuem este tipo de alimentação, apresentando apenas uma
alimentação simples, com um dos terminais positivo e outro terminal neutro. Este tipo de alimentação
pode ser considerado como assimétrico. Um bom exemplo é o CI LM358, que permite o uso de alimentação
simples, ou alimentação simétrica. É necessário verificar na folha de dados de cada componente a
alimentação correta de cada AOP. Esta tensão simétrica ajuda na polarização dos transistores internos do
AOP, garantindo o bom funcionando e estabilidade deste componente.
Amplificadores operacionais alimentados com a fonte de alimentação simétrica possuem a capacidade
de amplificar sinais de tensão positivos e sinais de tensão negativos. Desta maneira, este tipo de amplificador
possui uma faixa de aplicações muito mais ampla.
É importante destacar que, a partir da próxima seção, serão abordados temas relacionados ao
amplificador operacional não ideal. O termo não ideal é usado quando um dispositivo apresenta
características reais, ou seja, não é aproximado por um modelo ideal.
Agora que você conhece como o amplificador operacional deve ser alimentado, você conhecerá uma
das principais características deste dispositivo. Nem sempre o sinal de saída de um AOP sai da maneira
como foi projetada, ou sejam, devido a uma característica chamada offset de saída. Na próxima seção, você
irá entender o que é este offset e como ajustá-lo à sua necessidade.
131
3.8.3 TENSÃO DE OFFSET
A tensão de offset é uma característica presente na maioria dos amplificadores operacionais. A tensão
de offset nada mais é do que um valor de tensão CC presente no sinal de saída. Este offset pode ser tanto
um valor positivo de tensão quanto um valor negativo. Como este valor de tensão é indesejado, a tensão
de offset deve ser próxima de zero volts.
Em algumas aplicações, este nível de tensão é corrigido posteriormente ao circuito do AOP, utilizando
capacitores. Assim como o CI 741, existem AOPs que possuem dois pinos para a correção desta tensão.
Conforme visto na seção anterior, os pinos 1 e 5 do 741 são destinados a corrigir a tensão de saída.
Para fazer o ajuste da tensão de saída, pode-se utilizar um resistor entre os pinos 1 e 5. Dependendo
do valor de resistência, pode-se verificar a tensão de offset na saída. Em muitos casos, é utilizado um
potenciômetro para variar a resistência. Desta maneira, conforme a resistência presente entre os pinos 1 e
5 vai variando, é possível ajustar o sinal CC indesejado na saída.
A figura, a seguir, demonstra claramente esta ligação utilizando o CI 741.
opAmp
10.0 V
2.00 V
400 ms 400 ms
(a) (b) (c)

Figura 63 - Correção do offset de saída
A figura (a) mostra um sinal amplificado com o amplificador operacional. Em (b), há um sinal sem offset
na saída. A figura (c) apresenta a ligação do potenciômetro no CI 741.
Na figura (b), existe um sinal senoidal com pico de 1 V, amplificado com o auxílio de um AOP. A figura (a)
mostra o mesmo sinal senoidal de pico de 1 V com um offset de 2 V, ou seja, além da onda senoidal natural
amplificada existe um nível de tensão CC indesejado presente neste sinal. A maneira como deve ser feito o
ajuste do sinal de saída é realizado conforme a ligação mostrada em (c). O sinal senoidal presente na saída
do amplificador será discutido em seções mais adiante. Agora, você deve compreender que, em alguns
AOPs, existe este sinal CC, que deve ser ajustado na saída. Você deve compreender também que, com um
simples ajuste de potenciômetro, o sinal CC pode ser ajustado.
É importante entender que este offset de saída é um parâmetro comum neste tipo de dispositivo e deve
ser examinado com bastante cuidado. Agora que você conhece a tensão de alimentação e a tensão de
offset, estude os principais parâmetros do AOP: o ganho em malha aberta.
132
3.8.4 GANHO EM MALHA ABERTA
Praticamente, o amplificador operacional pode trabalhar sob duas condições: malha aberta ou malha
fechada. Em malha aberta, o AOP trabalha da seguinte forma:
a) se o nível de tensão na entrada Vin+ for maior do que o nível de tensão em Vin-, então a saída Vout será
igual ao valor V+;
b) se o nível de tensão na entrada Vin+ for menor do que o nível de tensão em Vin-, então a saída Vout será
igual ao valor V-.
Para entender bem este conceito, acompanhe o exemplo a seguir.
Exemplo 1 – Saturação positiva

Em um determinado instante de tempo, a entrada Vin+ tem o valor de tensão igual a 1 V e a entrada Vin- é
igual a 0,5 V. Neste caso, como Vin+> Vin-, então a saída Vout será igual a V+. Em outras palavras, Vout = V+. Isso
quer dizer que, independentemente do valor de entrada, quando a entrada não inversora possuir um sinal
maior que a entrada inversora, a saída será V+. Pode-se dizer que o sinal de saída, neste caso, fica saturado
positivamente. Observe agora um outro exemplo.
Exemplo 2 - Saturação negativa

Em um determinado instante de tempo, a entrada Vin+ tem o valor de tensão igual a 0,3 V e a entrada Vin-
é igual a 0,4 V. Neste caso, como Vin+< Vin-, então a saída Vout será igual a V-. Em outras palavras, Vout = V-. Isso
quer dizer que independentemente do valor de entrada, quando a entrada não inversora possuir um sinal
menor que a entrada inversora, a saída será V+. Pode-se dizer que o sinal de saída, neste caso, fica saturado
negativamente.
O efeito de saturação da saída Vout é uma característica natural do AOP em malha aberta. Observe que,
mesmo diante de diferenças mínimas do valor de tensão, o AOP ficará saturado, seja positivamente ou
negativamente.
VIN+ (Volts) VIN- (Volts) VOUT

0 -0,01 V+
-0,1 -0,2 V+
-3 2 V-
1 1,001 V-
Tabela 10 - Tensão de saída em malha aberta
Fonte: SENAI (2016)
133
Observe, na tabela, que as entradas inversora e não inversora podem receber sinais de tensão positivos
ou negativos. Até aqui, foi discutido como o AOP se comporta em malha aberta. Mas, o que é o ganho em
malha aberta?
De maneira geral, o ganho de um amplificador é dado pela relação que existe entre o sinal de
entrada e o sinal de saída. Como o valor da saída deste amplificador está sempre saturada e se mantém
um valor fixo independente da variação do módulo do sinal de entrada, pode-se dizer que o ganho de
um amplificador em malha aberta é infinito. Usualmente, o ganho de um circuito amplificador é dado
pela seguinte expressão:
Como o valor de Vout depende da alimentação simétrica do Ampop e ocorre independente da variação
gradual de Vin, pode-se considerar que o ganho do AOP em malha aberta é dado por:
Mesmo o ganho sendo infinito, o amplificador limita a tensão de saída de acordo com o sinal da
alimentação simétrica. Em seções mais adiante, você verá que o ganho para amplificadores em malha
fechada é um pouco diferente, podendo ampliar a faixa de aplicações deste componente.
O amplificador, atuando em malha aberta possui as seguintes aplicações:
a) comparador;
b) distorção de sinais.
Para compreender bem o conceito de ganho infinito, observe o exemplo a seguir.
Exemplo 3 - Distorção de sinais

Em um determinado amplificador operacional em malha aberta, a entrada Vin- tem o valor de 0 V,
enquanto que a entrada Vin+ tem um sinal senoidal com valores positivos e negativos.
134
A figura, a seguir, mostra os sinais de entrada e saída deste circuito distorção.
2.00 V
40.0 V
400 ms 400 ms
(a) (b)
V+
0V -

+
(c)
Figura 64 - Distorção de uma onda senoidal
Em (a), é possível observar o sinal de entrada do AOP. Em (b), tem-se o sinal de saída do amplificador
operacional. Observe que o sinal de saída satura os valores positivos para V+ e os valores negativos para
V-. Desta maneira, o sinal de saída se torna uma onda quadrada, com picos de tensão de acordo com a
alimentação simétrica deste dispositivo. Comparando-se a forma de onda da saída em relação à forma de
onda da entrada, pode-se dizer que este sinal sofreu uma distorção.
Em (c), é apresentado o circuito responsável pela forma de onda da saída. Observe que o sinal de entrada
presente em Vin+ está sempre sendo comparado com o valor 0 V presente na entrada Vin-. Mais adiante, será
detalhada a função do comparador, trazendo mais exemplos e mais algumas explicações.
Agora que você estudou o efeito de saturação e o ganho infinito em malha aberta, conheça uma das
principais características do amplificador operacional denominada tempo de subida. Siga em frente com
seus estudos para entender que tempo é esse.
TEMPO DE SUBIDA
O tempo de subida é uma característica presente não somente nos amplificadores operacionais, mas
também em todos os dispositivos eletrônicos. Pode-se definir o tempo de subida como o tempo de
resposta da saída em relação ao sinal de entrada. Teoricamente, quando um sinal aparece nas entradas
dos AOPs, considera-se que instantaneamente a saída apresenta uma resposta, sem atrasos e sem demora.
135
Na prática, não é isso que acontece. Quando um sinal aparece nas entradas do AOP, este dispositivo
demora um determinado tempo para alcançar o determinado valor projetado. De maneira geral, o tempo
necessário para que a saída varie de 10% a 90% do seu valor nominal é chamado de tempo de subida.
A figura, a seguir, mostra exatamente o comportamento do sinal de saída em relação ao tempo.
VO(V) OVERSHOOT
VO
90%

10%
0 t(s)
Tr
Figura 65 - Rise-time
Fonte: adaptado de Pertence Júnior (2012)
Usualmente, nas folhas de dados, este tempo de subida é denominado como a expressão rise-time.
Pode-se dizer que 0 segundos é o instante de tempo em que algum sinal de tensão é imposto nas entradas
do AOP. O rise-time pode ser dado pela variável Tr. Pode-se dizer então que Tr é o curto espaço de tempo que
existe na transição de 10% de Vout até 90% de Vout.
Seria razoável pensar que, quanto maior for o sinal de saída deste amplificador, maior será também o
tempo de subida. O fabricante de cada amplificador especifica determinados valores de Tr para determinado
valor de tensão aplicado em testes específicos. De maneira geral, este tempo de subida tem um valor muito
baixo. Amplificadores operacionais de desempenho razoável apresentam um rise-time na faixa de μs. Uma
unidade de tempo muito baixa em relação às ondas com frequências típicas na faixa de kHz. Quando as
frequências aumentam na casa de dezenas de MHz, o efeito do tempo de subida pode influenciar o sinal,
causando uma série de distorções e mau funcionamento do sistema.
Na figura, você pode observar que, em determinada faixa de tempo, existe uma pequena onda que
ultrapassa o valor nominal de Vout. Este efeito é chamado de overshoot. Em português, significa passar do
limite. Observando os efeitos neste gráfico, pode-se concluir os seguintes aspectos:
a) a resposta do sinal de saída de um AOP não é instantânea;
b) a reposta de Vout varia de maneira não linear, de acordo com a amplitude do seu sinal;
c) quanto maior o valor de Vout, maior será o valor de Tr;
d) O sinal de saída pode sofrer distorções quando a frequência do sinal de entrada é muito alta;
136
e) em um espaço de tempo, o valor de tensão pode sofrer um overshoot antes de alcançar o nível de
tensão nominal estável.
Para projetos futuros, esta característica deve ser analisada antes de projetar um circuito com AOPs.
Em seções posteriores, você verá que existem circuitos que trabalham com uma frequência de oscilação
do sinal de entrada na faixa de MHz. Se algum amplificador operacional estiver conectado a estes tipos de
circuitos, é preciso estar atento ao rise-time de cada AOP.
Após a leitura de mais uma das características fundamentais do AOP, conheça o conceito de fator de
rejeição comum.
3.8.5 FATOR DE REJEIÇÃO DE MODO COMUM
O fator de rejeição de modo comum também é muito conhecido por CMRR, sigla que vem da expressão
em inglês Common Mode Rejection Ratio. Para entender este conceito, siga o seguinte raciocínio: o que
aconteceria se as duas entradas do AOP fossem iguais? Teoricamente, tem-se a seguinte expressão:
Pode-se chamar Vin de tensão de modo comum. Isso acontece quando as entradas inversora e não
inversora são iguais. Quando existe uma tensão comum nas entradas do AOP, teoricamente e idealmente
a tensão de saída deverá ser igual a zero volts. Na prática, alguns efeitos indesejáveis podem ocorrer e
prejudicar o bom funcionamento do dispositivo. Este efeito indesejável é conhecido como ruído.
O ruído nada mais é do que pequenas oscilações de tensão. Normalmente estas oscilações tem níveis
de tensão menores do que a faixa de mV. Os ruídos podem ter origem eletromagnética e podem aparecer
em circuitos em diversas circunstâncias. Infelizmente, no meio industrial, os ruídos estão muito presentes
e podem ser uma das principais causas que influenciam no mau funcionamento de equipamentos
eletrônicos.
Quando um ruído está presente na entrada de um circuito amplificador, pode haver um nível de tensão
indesejado na saída. Em muitos casos, um nível mínimo de tensão elétrica já é suficiente para que o
amplificador mude o estado de saída para uma tensão indesejada.
Pode-se entender que, quando a entrada sofre um efeito de um ruído, ela altera seu sinal de saída. Por
isso, os amplificadores operacionais foram projetados com uma determinada faixa ou fator de rejeição de
modo comum.
Quando o ruído está presente em uma das entradas, por efeito de indução eletromagnética, este ruído
também estará presente na outra entrada. Isso quer dizer que a maioria dos ruídos estão presentes nas
duas entradas do AOP ao mesmo tempo. Como o nível de tensão do ruído é igual nas duas entradas do
AOP, a tendência do amplificador é neutralizar o ruído na saída.
137
A característica da tensão de modo comum do AOP, neutraliza a parcela do ruído, evitando assim que
este pequeno sinal indesejado na entrada seja amplificado na saída. Observando por este ponto de vista,
os amplificadores podem ser aplicados em filtros neutralizadores de ruídos industriais.
O valor de CMRR é usualmente dado na escala de decibéis. Esta escala normalmente é utilizada quando
se relaciona o ganho de algum equipamento eletrônico. Um outro aspecto importante é que os ruídos
possuem duas características importantes: magnitude e frequência. Os componentes eletrônicos são
especificados de acordo com a taxa de atenuação de ruídos em decibéis para uma determinada faixa de
frequência.
Segundo Texas Instruments Incorporated (2015b), o LM324 possui um CMRR nominal de 85 dB. Conhecer
esta característica é fundamental para projetos em ambientes industriais. Para determinados ambientes
mais agressivos em termos de ruído, pode-se utilizar amplificadores operacionais de melhor desempenho,
como os conhecidos amplificadores de instrumentação. A rejeição de modo comum é muito importante,
tanto em amplificadores atuando em malha aberta quanto em malha fechada.
Diante do exposto, você pode compreender os seguintes aspectos:
a) os AOPs possuem uma grande capacidade de redução de ruídos;
b) o nível CMRR depende de cada circuito amplificador;
c) a tensão de modo comum é uma característica intrínseca dos AOPs.
Agora que você conhece o amplificador operacional através da CMRR, entenda mais uma característica
importante do AOP não ideal: o slew-rate.
3.8.6 SLEW-RATE
O slew-rate (SR) é uma das características principais de um AOP não ideal. O termo slew-rate pode ser
traduzido para o português como taxa de variação ou taxa de subida. Em termos gerais, pode-se dizer
que o SR relaciona o nível de tensão máximo de saída (Vp) com a frequência de oscilação do sinal (fS).
Usualmente, o SR tem a unidade de medida dada em V/s ou V/μs.
De maneira geral, a tensão máxima de saída depende muito da velocidade com que o sinal oscila. Isso
quer dizer que o SR também está vinculado ao tempo de resposta do sinal, ou seja, com sua taxa de variação.
Quanto maior o nível de SR de um amplificador operacional, maior será o máximo valor de pico possível
na saída. Este nível de SR pode mudar de dispositivo para dispositivo. De maneira geral, o slew-rate pode
ser dado pela seguinte expressão:
138
Esta característica não é tão simples de se encontrar em uma folha de dados. Por isso, para entender
bem este conceito, serão apresentados alguns exemplos.
Exemplo 1
Suponha que, para um determinado amplificador operacional, seu slew-rate seja igual a 10 V/μs. Diante
de sua aplicação, é necessário que o Ampop tenha uma tensão máxima de saída igual a 9,5 V. Calcule a
frequência máxima que o circuito pode operar sem distorções no sinal de saída.
A frequência máxima é dada pela expressão apresentada anteriormente. Sendo assim, basta substituir
os valores do exemplo na seguinte expressão:
Observe que, para que o circuito funcione em operações normais, ele não pode ultrapassar a frequência
de 167,5 kHz. Caso o circuito ultrapasse essa frequência e utilize tensões próximas a ± 9,5 V na saída, o sinal
de saída pode sofrer algumas distorções. Como o SR é um valor fixo do componente, você deve estar ciente
de qual é sua prioridade no projeto, tensão ou frequência. Para complementar este entendimento, leia o
segundo exemplo.
Exemplo 2
Utilizando o mesmo Ampop do exemplo 1, imagine que você precisa de um sinal de frequência
igual a 200 kHz. Descubra qual a tensão máxima disponível na saída do AOP. Considerando o
mesmo SR do primeiro exemplo, pode-se reescrever as expressões da seguinte forma:
Quando a frequência de trabalho aumenta para 200 kHz, a tensão máxima permitida para este Ampop
é de 7,96 V. Observe que, aumentando a frequência de trabalho, o máximo valor de tensão sofre um
decaimento. Neste caso, para a tensão de saída próxima de 8 V, o sinal sofrerá um efeito de distorção.
139
Observe que, para este Ampop em específico, você teve de escolher um dos parâmetros de trabalho.
Quanto maior a tensão máxima de saída, menor a frequência e, quanto maior frequência, menor será a
tensão máxima de saída. E, se você precisasse utilizar uma tensão máxima de 10 V e uma frequência de 200
kHz? O que deveria ser feito? Neste caso, você deve escolher um Ampop com valor de SR maior. Acompanhe
o próximo exemplo e entenda bem este aspecto.
Exemplo 3
Encontre o valor de SR de um amplificador operacional que tenha uma tensão máxima de saída igual
a 10 V e uma frequência de operação de 200 kHz. Para encontrar o valor de SR de um novo Ampop, a
expressão do slew-rate pode ser escrita da seguinte maneira:
Observe que, mediante estes cálculos, o slew-rate ficou com a unidade de medida de MV/s. Para que o
SR tenha a unidade de medida V/μs, deve multiplicar o resultado anterior por 10-6. Desta maneira, tem-se:
Observe que agora o valor de SR ficou coerente com a unidade de medida padrão dos amplificadores
comerciais. Neste exemplo, qualquer amplificador operacional com SR maior do que 12,6 V/μs atende os
requisitos de tensão máxima de saída e frequência iguais a 10 V e 200 kHz, respectivamente. Segundo
National (1998), o Ampop LF 351 possui um SR igual a 13 V/μs. Sendo assim, de acordo com este parâmetro,
este amplificador pode atender aos requisitos apresentados nesse exemplo.
Cada Ampop deve ser respeitado em função do seu valor de slew-rate. Sendo assim, alguns amplificadores
possuem mais velocidade de resposta em relação à faixa de tensão e frequência do sinal de saída. Através
das expressões detalhadas nos exemplos anteriores, você pode conhecer estas faixas de operação ou
dimensionar um novo amplificador operacional para a sua necessidade.
Quanto à frequência, a próxima seção irá lhe mostrar uma última característica essencial encontrada
nos AOPs: a resposta em frequência do AOP.
140
3.8.7 RESPOSTA EM FREQUÊNCIA
Como foi visto anteriormente, existe uma relação muito grande entre os níveis de tensão de um
amplificador operacional e sua frequência de operação. O ganho de um amplificador operacional também
depende de sua frequência.
Um amplificador operacional, como dito anteriormente, pode atuar em malha aberta e em malha
fechada. Explicações sobre as diferenças entre um amplificador em malha fechada e malha aberta serão
detalhadas na sequência. A figura, a seguir, mostra um gráfico com escala logarítmica detalhando esta
relação.
100,00
Curva de resposta em malha aberta
-20 dB/década
80,00
60,00
Ganho (dB)
40,00 Curva de resposta em malha fechada

20,00
0
1,00 10,00 100,00 1,00 K 10,00 K 100,00 K 1,00 M
Figura 66 - Resposta em frequência do ganho de um AOP

Fonte: adaptado de Albuquerque (2009)
Esta figura traz a relação do ganho em decibéis (dB) com a frequência em Hz. Observe que a curva mais
acima do gráfico representa a resposta em frequência do ganho em malha aberta. Inicialmente, este ganho
pode ser considerado constante até uma determinada frequência. Conforme a frequência vai aumentando,
o ganho deste amplificador irá reduzindo a uma taxa de 20 dB/década. Uma década, ou dec, é toda vez
que a frequência é multiplicada por 10. O gráfico se inicia na frequência 1 Hz. Depois, a próxima década é
dada na frequência 10 Hz. Depois, a próxima década em 100 Hz, e assim por diante. Esta curva possui duas
principais características:
a) frequência de corte (fC);
b) frequência de ganho unitário (fT ).
141
Quando a frequência é igual à frequência de corte, o valor do ganho sofre um decréscimo de 3 dB.
Desta maneira, pode-se saber que o ganho Av deste Ampop será dado pela seguinte expressão:
No gráfico apresentado, a frequência de corte para o Ampop em malha aberta é dada próximo aos 10
Hz. Já para o Ampop em malha fechada (curva pontilhada), a frequência de corte fica próximo do valor
de 150 kHz. Observe, no gráfico, que o ganho em malha aberta é muito maior do que o ganho em malha
fechada, porém a frequência de corte em malha aberta é muito menor do que o ganho em malha fechada.
A frequência de ganho unitário é a frequência na qual o ganho se torna unitário. No gráfico anterior,
Av é igual a zero quando a frequência é igual a 1 MHz. Esta frequência é válida tanto para o AOP em malha
fechada quanto em malha aberta.
Além do slew-rate, o ganho deve ser um fator essencial no projeto de circuitos com amplificadores
operacionais. Observe como a frequência se torna um fator importante no estudo deste tema. De maneira
geral, você observou que:
a) a resposta em frequência de um AOP é dada através de um gráfico em escala logarítmica do ganho
em relação à frequência;
b) quanto maior for a frequência, menor será o ganho de um AOP;
c) quando o AOP está em malha aberta, possui um maior ganho e uma fc baixa;
d) quando o AOP está em malha fechada, possui um menor ganho e uma fc alta;
e) a frequência de ganho unitário ocorre quando Av = 0 dB.
Assim, foram apresentadas as principais características do Ampop não ideal. Desta maneira, foi possível
compreender que este circuito possui uma série de características que devem ser levadas em consideração
antes de dimensionar um AOP para um determinado projeto. Deve-se observar se o AOP é sensível a
ruídos e se possui um slew-rate e uma resposta e frequência de acordo com os níveis de tensão e ganho
correspondentes com a aplicação. Deve-se observar, em geral, se o AOP apresenta um tempo de subida de
acordo com as necessidades da aplicação.
No início da seção, foi discutido o ajuste de offset de saída através de um potenciômetro, além da
alimentação simétrica e, principalmente as conexões do Ampop 741. Diante de tantos conceitos estudados
sobre o amplificador operacional, conheça as principais aplicações deste componente. Você saberá como o
amplificador opera em malha fechada, além de conhecer as principais aplicações e modos de operação de
um amplificador operacional. Além da característica de comparador, você verá que existe uma infinidade
de possibilidades em termos de desempenho do amplificador.
142
3.9 CIRCUITOS COM AMPLIFICADOR OPERACIONAL
Na seção anterior, você já conheceu as principais características do amplificador real, ou seja,

apresentando fenômenos não ideais, como o slew-rate, rise-time etc. Agora o foco será apresentar os
principais diagramas eletrônicos envolvendo o AOP com as seguintes aplicações:
a) comparador;
b) inversor;
c) não inversor;
d) seguidor de tensão (Buffer);
e) somador;
f ) subtrator;
g) integrador;
h) diferenciador;
i) filtro;
j) conversores AD/DA.
Com exceção dos circuitos comparadores, todos os demais circuitos citados operam em malha fechada.
Mas, afinal o que é esta malha fechada? A malha fechada nada mais é do que a realimentação do sinal
de saída em relação à entrada não inversora. De maneira geral, o ganho em malha fechada pode ser
controlado de acordo com a relação que existe entre as impedâncias de entrada e de retorno (feedback).
Um amplificador em malha fechada pode ser entendido, conforme a figura a seguir.
feedback
V in
V out
Figura 67 - Amplificador em malha fechada

Fonte: SENAI (2016)
Observe, na figura do amplificador em malha fechada, que existe uma conexão de feedback
interligando o pino de saída do amplificador com a entrada não inversora. Nesta figura, as impedâncias
foram representadas por pequenos retângulos, pois, dependendo da aplicação, estes retângulos podem
ser a representação de uma resistência, de um capacitor, da associação de vários resistores etc. Observe
também que não foi expressa informação alguma relacionada ao sinal presente na entrada não inversora.
Dependendo da aplicação, este sinal pode estar conectado em diversos pontos diferentes do circuito.
143
De maneira geral, o ganho do amplificador é dado pela seguinte expressão:
O ganho será sempre a relação entre o sinal de saída com o sinal de entrada do circuito amplificador. É
importante observar que o sinal Vin não é o mesmo que os sinais da entrada Vin+ e Vin- do Ampop. A partir
de agora, não será mais tratado o Ampop de maneira individual, mas sim o circuito amplificador como um
todo.
FIQUE A realimentação do pino de saída para a entrada não inversora do amplificador

ALERTA operacional não caracteriza um circuito em malha fechada. Este tipo de ligação não
possui ganho controlável. Com o sinal de feedback positivo, o circuito se torna instável.
Quando um amplificador atua em malha fechada, este dispositivo apresenta as seguintes características:
a) realimentação negativa;
b) tensão nas entradas inversora e não inversoras são iguais, ou seja, Vin+ = Vin-;
c) correntes de entrada Iin- e Iin+ são nulas, ou seja, não existem correntes circulando para dentro das
entradas do Ampop;
d) ganho de tensão controlável.
Após observar algumas características do amplificador operacional atuando em malha aberta e em
malha fechada, você terá a oportunidade de conhecer algumas aplicações do AOP. Siga em frente e inicie
seus estudos com a aplicação dos comparadores.
3.9.1 COMPARADORES
Os circuitos comparadores já foram abordados de maneira superficial em seções anteriores. Este

circuito ainda não possui o sinal de realimentação. Portanto, atua em malha aberta. De maneira geral, os
circuitos comparadores realizam um cálculo bastante simples. Usualmente, a entrada não inversora pode
ser chamada de Vb, a entrada inversora pode ser denominada de Va e a saída pode ser chamada de Vs. O
circuito comparador subtrai as duas entradas. A diferença entre as duas entradas pode ser chamada de VD.
Desta maneira, pode-se chegar à seguinte expressão:
144
Logo, se VD for positivo, a saída Vs será saturada, com o valor máximo positivo (VDD) disponível pelo
Ampop. Se VD for negativo, a saída Vs será saturada, com o valor máximo negativo (VSS) disponível pelo
Ampop. Já se VD for igual a zero, a saída Vs também será nula. A figura, a seguir, mostra, de maneira simples,
alguns exemplos de comparadores.
Va Va
Vs
Vs
Vb Vb
5V
5V
5V
(b)
(a)
Va
Va Vs
Vb
Vs
5V
Vb

5V
- 5V
(d)
(c)
Figura 68 - Circuitos comparadores

Fonte: SENAI (2016)
O valor de Vs presente na saída do comparador será dependente do sinal de VD. Em (a), o valor presente
em Vs será VDD. Em (b), o valor de Vs será nulo. Em (c) e em (d), o valor de Vs será VSS. Os valores de VDD e VSS
são tensões aproximadas das tensões da alimentação simétrica V+ e V-, respectivamente. Observe que o
nível de tensão presente em qualquer uma das entradas pode assumir valores negativos ou positivos. Em
(d), por exemplo, o sinal de tensão aplicado à entrada não inversora tem valor negativo. De maneira geral,
pode-se estudar o comportamento deste circuito comparador através da tabela, a seguir. Nesta tabela,
estão presentes os valores de Vb, Va, VD e VS.
ITEM Vb Va VD VS
(a) 5V 0V 5V VDD
(b) 5V 5V 0V 0V
(c) 0 5V -5V VSS
(d) -5V 5V -10 V VSS
Tabela 11 - Níveis de tensão elétrica presente em alguns comparadores com AOPs
Fonte: SENAI (2016)
145
A tabela relaciona os itens (a), (b), (c) e (d) da figura anterior, apresentando os sinais de entrada, tensão
diferencial e saída correspondentes. Acompanhe os resultados da tabela e os compare com a imagem dos
circuitos comparadores.
Os circuitos comparadores são muito úteis, quando utilizados com sinais que oscilam no decorrer do
tempo. Para compreender bem este conceito, analise o exemplo a seguir.
Exemplo - Compare uma onda CA com um sinal de tensão CC

Para realizar a comparação entre um sinal CA e um sinal CC, será utilizada uma onda triangular de pico
de 1 V e pico a pico de 2 V com um sinal de tensão CC positivo de 0,6 V. Para compreender melhor esta
comparação, observe a figura.
Va
-
+ Vs
0,6 V
4.00 V
40.0 V
- Vb
+

250 ms 250 ms 1 Vp
(a) (b) (c)

Figura 69 - Comparação de uma onda triangular com um sinal tensão CC
Em (c), pode-se observar que o Ampop está comparando um sinal de onda triangular de amplitude 1
Vp com um sinal de tensão contínua de 0,6 V. A onda triangular está presente na entrada não inversora,
enquanto que o sinal CC está conectado na entrada inversora. O sinal triangular pode ser visualizado em
(a) e o resultado da saída Vs pode ser visualizado em (b).
No sinal de saída (b), a onda retangular resultante terá mais tempo com tensão negativa do que tensão
positiva. Esse efeito é dado pelo sinal CC presente na porta não inversora. Desta maneira, pode-se entender
que:
a) para 0 < Va < 1, a onda de Vs passa mais tempo com sinal negativo;
b) para Va ≥ 1, a onda de Vs passa todo o tempo com sinal negativo;
c) para -1 < Va <0, a onda de Vs passa mais tempo com sinal positivo;
d) para Va ≤ -1, a onda de Vs passa todo o tempo com sinal positivo;
e) para Va = 0, a onda de Vs fica 50% do tempo com sinal positivo e 50% do tempo com sinal negativo.
É interessante perceber que o controle da tensão de Va pode alterar todo o resultado de saída. Em outras
palavras, pode-se dizer que a tensão em Va controla o duty cycle da saída do comparador.
146
Agora que você compreendeu este circuito comparador, estude sobre amplificadores que atuam sob
condição de malha fechada.
3.9.2 INVERSOR
O amplificador inversor possui o funcionamento em malha fechada, o que quer dizer que seu ganho
de tensão pode ser controlado. O amplificador inversor é chamado desta maneira, pois o ganho deste
amplificador tem sinal negativo. Isso quer dizer que o sinal da tensão presente na saída sempre terá o
sinal inverso da entrada. Em outras palavras, quando a tensão de entrada é positiva, a saída será negativa.
Consequentemente, quando a tensão de entrada é negativa, a saída será positiva.
O amplificador inversor possui um amplificador operacional conectado a duas resistências. Uma das
resistências é conhecida como Rf, que representa o resistor que conecta a saída com a entrada inversora. Ou
seja, o resistor Rf é o responsável pela realimentação (feedback) do amplificador.
De maneira geral, o amplificador inversor pode ser dado pela seguinte figura.
Rf
Ri
b
Vout
Vin
Figura 70 - Amplificador inversor

Fonte: SENAI (2016)
Observe, na figura do amplificador inversor, que o sinal de entrada Vin está representado por uma fonte
de tensão senoidal, mas nada impede de que esta seja uma onda CA triangular, retangular ou até mesmo
um sinal de tensão CC. Lembre-se de que, quando um amplificador está atuando em malha fechada, as
entradas inversora e não inversora possuem o mesmo sinal de tensão.
Para analisar o ganho em malha fechada deste amplificador e dos demais amplificadores apresentados
nas próximas seções, você precisa conhecer as técnicas de análise de circuitos dadas pelas leis de Kirchhoff
das correntes.
147
Exemplo 1 - Revisão sobre as leis das correntes de Kirchhoff

A figura, a seguir, mostra um circuito qualquer com uma fonte de tensão e três resistores. A análise deste
circuito também é conhecida como análise nodal.
R1 R3 R1 R3
Vx
1

l1 l3
V Vx R2 V R2
l2
Figura 71 - Análise nodal de um circuito com resistores

Fonte: SENAI (2016)
Em (a), é possível observar que o circuito possui uma fonte de tensão V. Nesta análise, é de interesse que
se descubra qual a tensão Vx. Para isso, é necessário realizar a análise nodal utilizando as leis das correntes
de Kirchhoff. Neste exemplo, são conhecidos os valores de resistência e o valor da tensão V. Desta maneira,
tem-se:
R1 = 10 Ω
R2 = 20 Ω
R3 = 30 Ω
V = 10 V
Analisando o esquema de (b), as correntes estão todas saindo do nó, portanto a somatória das correntes
é igual a zero. A somatória das correntes que saem do nó deve ser igual à somatória das correntes que
entram no nó. Portanto, tem-se que:
148
A corrente Ie é a somatória das correntes que entram no nó, enquanto que IS é a somatórias das correntes
que saem do nó. A expressão de cada corrente pode ser dada pela análise nodal. Assim, tem-se:
Sendo assim, somando as correntes e igualando-as a zero, tem-se:
Para encontrar a variável da tensão no nó 1, deve-se isolar Vx em relação à V. Sendo assim, tem-se as
seguintes expressões:
Com a última expressão demonstrada, a variável Vx está isolada. Basta substituir os valores dos resistores
e da tensão V. Desta maneira, tem-se:
149
Utilizando a mesma técnica da análise nodal, pode-se realizar a dedução das fórmulas do amplificador
inversor. O objetivo deste estudo é realizar a dedução da expressão do ganho Av do amplificador. Para isso,
através da análise nodal, deve-se buscar a realização que existe entre a tensão de saída Vout com a tensão
de entrada Vin. As correntes podem ser expressas conforme a figura a seguir.
Rf
Iout
Ri
a

la = 0
Iin b Vout
lb = 0
Vin
Figura 72 - Análise nodal de um amplificador inversor

Fonte: SENAI (2016)
Nesta análise, o nó estudado é representado pela letra a. Pode-se dizer que, neste ponto, existe uma
tensão Va. Como o amplificador em malha aberta possui tensões iguais nas portas de entradas, a tensão Va
é igual a 0 V, pois a entrada não inversora é igual a 0 V também. Repare que as correntes Ia e IB são iguais a
zero amperes. Isso acontece, porque a impedância de entrada do Ampop é muito alta. Dessa maneira, não
existe corrente circulando em suas entradas. Realizando a análise nodal no nó a, tem-se:
Sabe-se que as correntes são dadas por:

150
Dessa maneira, tem-se que:
A partir desta expressão, para encontrar o ganho, deve-se isolar a relação que existe entre a tensão de
saída com a tensão de entrada. Assim, pode-se chegar à seguinte expressão:
Sabendo que , pode-se chegar à conclusão de que o ganho do amplificador inversor é dado
por:
Observe que, diante destas expressões, a relação do ganho está diretamente ligada aos valores de
resistores presentes na entrada e na saída deste amplificador. Para entender estes conceitos, acompanhe
o exemplo.
Exemplo 2 – Utilizando um amplificador inversor para encontrar a tensão Vout

Sabendo que um amplificador inversor é alimentado com uma fonte simétrica de ±12 V e contendo os
valores de resistores Ri = 500 Ω e Rf = 2 kΩ, calcule o ganho e a saída Vout de acordo com os seguintes valores
de tensão de entrada Vin:
a) Vin = 1 V;
b) Vin = -1 V;
c) Vin = 5 V;
d) Vin = 0 V.
151
Inicialmente, para resolver esta situação, deve-se calcular o ganho deste amplificador. De acordo com os
valores de resistores dados no problema, tem-se:
De maneira geral, pode-se considerar que a relação das tensões pode ser escrita por:
Solucionando as letras a, b, c e d, tem-se que:

a) solução:
Vout = -4Vin = -4(1)
Vout = -4 V
b) solução:
Vout = -4Vin = -4(-1)
Vout = 4 V
c) solução:
Vout = -4Vin = -4(5) = -20V, repare que, como o Ampop é alimentado com uma fonte simétrica de ±12V,
a tensão de saída sofre uma saturação perto de -12 V, sendo assim, tem-se:
Vout ≈ - 12 V
d) solução:
Vout = -4Vin = -4(0)
Vout = 0 V
Diante destes cálculos, observe que a função do amplificador inversor é amplificar e inverter o sinal da
entrada, conforme o ganho apresentado anteriormente. Se for aplicada uma onda senoidal na entrada
deste amplificador, esta onda será amplificada e invertida. O mesmo acontece com qualquer sinal de
tensão presente na entrada, desde que respeitados os limites de alimentação e frequência do AOP.
152
Desta maneira, o exemplo, a seguir, mostra o que acontece com uma onda senoidal quando inserida na
entrada de um amplificador inversor.
VC VC
15.0 V 0 30 V
15.0 V 0 30 V
CC CC
3.08 mA 0 5A
3.30mA 0 5A
2.00 V
ON ON
4.0 V
10.0 Hz 1 Hz 1 NHz
opAmp 250 ms 250 ms
1.00 V 0 10 V

0.00 V -5 V +5 V
ON
Figura 73 - Amplificador inversor com o CI 741

Nesta figura, o amplificador está sendo alimentado com uma fonte simétrica de aproximadamente ±15
V. Os valores de resistores são Rf = 3 kΩ e Ri = 1 kΩ. Desta maneira, o ganho deste amplificador será de -3.
A tensão de alimentação deste circuito é de 1 Vpp, ou seja, 500 mVp. Desta maneira, o pico da tensão de
saída é de 1,5 V. Observe que o sinal de saída conectado ao osciloscópio da esquerda, além de possuir o
sinal amplificado em relação à entrada, ainda possui o sinal invertido. Quando o sinal de entrada é máximo
positivo, o sinal de saída será máximo negativo.
Agora que você conheceu o amplificador em malha fechada e aprendeu como deduzir as equações deste
amplificador, descubra novas aplicações dos AOPs. Você reparou que a saída deste circuito amplificador
sempre é invertida. Será que não existe outro amplificador que possua a saída não invertida?
3.9.3 NÃO INVERSOR
O amplificador não inversor é um circuito formado por um amplificador operacional e dois resistores.
De maneira geral, este circuito também amplifica o sinal de entrada de acordo com um ganho calculado
pelos resistores, porém este amplificador não realiza a função de inversão. Uma das grandes diferenças
deste circuito é que a entrada de tensão Vin é colocada na entrada não inversora do Ampop.
153
Na sequência, a figura mostra, de maneira geral, as ligações do Ampop e os resistores.
Rf
I2
Ri
a _
I1 b Vout
+
Vin
Antonio Mees (2016)

Figura 74 - Amplificador não inversor
Fonte: SENAI (2016)
Realizando a análise nodal deste circuito, tem-se que a expressão do ganho do amplificador não inversor
pode ser dada por:
154
Observe que o ganho deste amplificador apresenta uma equação um pouco diferente daquela
apresentada para o amplificado inversor. A relação das resistências Rf e Ri ainda é somada com o número 1.
Para entender bem este conceito, veja o seguinte exemplo.
Exemplo – Encontre o valor de Vout de um amplificador não inversor

Um determinado amplificador não inversor é alimentado com uma tensão simétrica de ±15 V. Os
resistores têm os valores Ri = 5 kΩ e Rf = 20 kΩ. Encontre o valor de Vout de acordo com as seguintes tensões
de entrada:
a) Vin = 1 V;
b) Vin = -2 V;
c) Vin = 0 V;
d) Vin = 6 V.
Inicialmente, deve-se calcular o ganho deste amplificador. Utilizando os valores de resistores dados,
tem-se que:
Utilizando esta última expressão de Vout em relação a Vin, pode-se obter as soluções dos itens a, b, c e d,
conforme a tabela a seguir.
ITEM Vin Vout

a) 1V 5V
b) -2 V -10 V
c) 0V 0V
d) 6V ≈15 V
Tabela 12 - Cálculo de Vout de um amplificador não inversor
Fonte: SENAI (2016)
Repare que, no item d, a tensão satura é próximo de 15 volts. Nos demais itens, a tensão elétrica de saída
é proporcional à entrada, de acordo com o ganho positivo de 5. Assim como todo o amplificador, o sinal de
entrada Vin pode receber valor tensão CA, ou seja, diferentes formas de onda.
155
Agora que você estudou os dois principais tipos de amplificadores, conheça uma aplicação um pouco
diferenciada do amplificador operacional em malha fechada. Você já ouviu falar em buffer? Saber o que é?
Certamente existem diferentes tipos e aplicações relacionadas a este termo, seja na eletrônica analógica,
digital, na tecnologia da informação etc.
Na próxima seção, será apresentado o circuito buffer implementado com os amplificadores operacionais.
3.9.4 BUFFER
O circuito buffer também é conhecido como seguidor de tensão. A principal característica deste circuito
é seu ganho. O circuito buffer tem ganho unitário. Isso quer dizer que o sinal de entrada é exatamente igual
ao sinal de saída. A princípio, este circuito pode não parecer ter muitas aplicações, mas, segundo Pertence
Júnior (2012), o seguidor de tensão pode ser aplicado nas seguintes aplicações:
a) isolação de estágios;
b) amplificação da capacidade de corrente;
c) casamento de impedâncias.
O circuito buffer pode ser visualizado na figura, a seguir.
Rf
_
Vout Vin Vout
Ri
Vin
+
(c)
(a)
_
Vout
Antonio Mees (2016)
Vin
+
(b)
Figura 75 - Circuitos buffer
Fonte: SENAI (2016)
156
Em (a), é possível observar que, se Rf é igual a Ri, o ganho deste circuito se torna unitário. Ou seja, a
expressão do ganho é dada por:
Uma maneira mais simples de se implementar o circuito buffer é utilizando a realimentação negativa
sem o uso de nenhuma resistência. Este circuito pode ser observado em (b). De modo geral, os buffers
podem ter sua simbologia simplificada por apenas a figura do triângulo, uma entrada e uma saída. A
simbologia vista em (c) se torna uma representação suficiente do buffer.
É importante notar que os níveis de saída serão iguais aos níveis de entrada, desde que sejam respeitados
os requisitos de frequência e tensão máxima de saída. Como o circuito seguidor de tensão também é
constituído por um AOP, deve-se levar em conta todas estas características.
Após conhecer como são amplificados, invertidos e isolados os sinais de tensão elétrica, serão
apresentados os circuitos capazes de realizar algumas operações matemáticas, como a soma e a subtração.
Assim, você verá que o universo dos circuitos amplificadores é muito mais amplo e desafiador.
3.9.5 SOMADOR
Os somadores são circuitos capazes de somar diferentes sinais de tensão presentes na entrada do
circuito. O resultado da soma ainda pode ser amplificado e até invertido, dependendo do tipo de somador.
Em geral, os somadores podem ser classificados em dois grupos:
a) amplificador somador;
b) amplificador somador não inversor.
Inicialmente será detalhado o circuito do amplificador somador e depois o circuito somador não inversor.
AMPLIFICADOR SOMADOR
O circuito amplificador somador trabalha em malha fechada, portanto seu ganho de tensão pode ser
controlado. A principal característica do circuito somador é que este circuito possui mais de uma entrada.
Diante disso, é possível compreender que possam existir diferentes ganhos para cada entrada.
Se um circuito somador possui duas entradas. Isso significa que uma entrada pode ter o ganho de
módulo 2 e outra de módulo 5, por exemplo.
157
Na figura, a seguir, será mostrado um circuito amplificador somador com três entradas conectadas no
ponto de realimentação.
Rf
R1
V1
R2
V2 _
Vout
R3
+
V3
Rx
Antonio Mees (2016)

Figura 76 - Amplificador somador
Fonte: SENAI (2016)
Note que, algumas vezes, é necessário o uso de um resistor Rx para este circuito. Este resistor não tem
influência no ganho, mas ajuda a minimizar a tensão de offset. Em alguns casos, sua resistência é muito
baixa, dependendo dos valores de R1, R2 e R3, sua utilização nem sempre é necessária. Note que as entradas
são chamadas de V1, V2 e V3, respectivamente.
Fazendo uma análise nodal deste circuito, pode-se chegar às seguintes expressões:
Desta maneira, isolando a saída com relação às entradas, pode-se se encontrar a seguinte expressão:
158
Observe que a saída de tensão de saída irá receber uma soma ponderada de cada uma das entradas.
Isso quer dizer que, como cada entrada de tensão tem um ganho diferente, cada entrada terá um peso
diferente no que diz respeito ao módulo da tensão de saída. Observe também que nesta expressão existe
o sinal negativo. Isso quer dizer que este circuito somador também é responsável pela inversão do sinal de
saída. Para compreender o funcionamento deste circuito, veja alguns exemplos a seguir.
Exemplo 1
Encontre a expressão da tensão de saída com relação às entradas de um amplificador somador com três
entradas, de acordo com os diferentes valores das resistências. Os valores dos resistores e ganho são dados
pela tabela, a seguir.
ITEM R1 (Ω) R2 (Ω) R3 (Ω) Rf (Ω) Vout (V)
1 5k 5k 5k 5k Vout = -(V1 + V2 + V3)
2 1k 2k 5k 10 k Vout = - (10V1 + 5V2 + 2V3)
3 10 k 10 k 10 k 5k
4 1k 2k 4k 1k Vout = -(V1 + 0,5V2 + 0,25V3)
Tabela 13 - Exemplo de diferentes ganhos para amplificadores somadores

Fonte: SENAI (2016)
Na tabela, observe que, quando as resistências têm valores iguais, o ganho deste amplificador é unitário,
ou seja, todas as entradas contribuem de maneira igualitária para a soma das saídas. Dependendo da
proporção dos valores das resistências de entrada com relação à resistência de feedback, o ganho pode
ser diferente para cada entrada de tensão, isto é, o peso de uma entrada interfere de maneira diferente na
saída do amplificador.
Se uma resistência de entrada for maior do que a resistência de feedback, o módulo do ganho para
aquela entrada em específico será menor do que 1. Agora, se uma resistência de entrada for menor do que
a resistência de feedback, o módulo do ganho para aquela entrada em específico será maior do que 1.
No item 1 da tabela, por exemplo, o ganho tem módulo unitário. Isso acontece, porque todas as
resistências de entrada são iguais a Rf, que o ganho para cada uma das entradas tem módulo igual a 1. Já
no item 2, todas as resistências de entrada são menores que Rf. Isso quer dizer que o ganho de cada entrada
terá o módulo maior do que 1. No item 3, as resistências de entrada são maiores que Rf. Portanto, o ganho
das entradas tem módulo menor do que 1. Por fim, no item 4, algumas resistências possuem valores iguais
ou maiores que Rf. Dessa maneira, o ganho pode ter o módulo menor ou igual a 1, dependendo da entrada
em questão.
159
Aqui você aprendeu que, além de somar as resistências de entrada, o amplificador somador ainda pode
determinar diferentes ganhos para cada entrada. No sinal, este amplificado ainda inverte o sinal da saída
de tensão. Os fundamentos da análise deste somador são muito parecidos com o circuito amplificador
somador não inversor.
AMPLIFICADOR SOMADOR NÃO INVERSOR

O amplificador somador não inversor possui o ganho muito parecido com o amplificador somador visto
anteriormente. Porém, este somador possui algumas pequenas diferenças quanto à sua forma construtiva
e quanto às suas equações. De maneira geral, pode-se entender que os amplificadores somadores não
inversores são uma forma simples de se somar vários sinais de entrada e amplificá-los sem inverter
o sinal de saída. O amplificador somador não inversor pode ser visualizado na figura, a seguir.
R1
V1
R2
V2 b
+
Vout
R3 a _
V3
Rf
Rx
Antonio Mees (2016)
Figura 77 - Amplificador somador não inversor

Fonte: SENAI (2016)
Observe que este amplificador possui as entradas V1, V2 e V3 conectadas à entrada não inversora do
Ampop através dos resistores R1, R2 e R3. Assim como o outro amplificador somador, este circuito também
trabalha com malha fechada, ou seja, possui uma realimentação negativa através do resistor Rf. O resistor Rx
presente neste circuito também é utilizado para reduzir a tensão de offset presente na saída do amplificador.
160
De maneira geral, este resistor pode ser considerado pequeno em relação aos resistores de feedback e
resistores de entrada.
Utilizando a análise nodal deste circuito no ponto b, tem-se:
Isolando Vb, tem-se:
Ao utilizar a análise nodal deste circuito no ponto a e considerando Vb = Va, tem-se:
Desse modo, isolando Vout e utilizando a expressão de Vb, tem-se:
Esta equação parece um tanto complicada, mas perceba que, utilizando os valores de resistores
corretos, a expressão da saída Vout pode se tornar bem simples. Para compreender bem esta simplificação,
acompanhe o exemplo.
Exemplo - Simplificando a expressão de um amplificador somador não inversor

Considere um amplificador somador não inversor com as resistências Rf=2Rx e R1=R2=R3=R. Desta
maneira, a expressão de saída será dada por:
161
Observe que a expressão geral se tornou apenas o somatório das entradas de tensão. Considerando as
resistências de entrada iguais, o ganho final da tensão de saída pode ser ajustado com os resistores Rf e
Rx. Perceba que, para este amplificador somador não inversor, o sinal da tensão de saída será positivo se o
somatório das tensões de entrada também for positivo.
Neste exemplo, o ganho de cada entrada se manteve o mesmo, ou seja, a contribuição de cada entrada
em relação ao sinal de saída tem a mesma proporção. Para que cada entrada tenha uma contribuição
diferente no sinal de saída, é necessário que os valores dos resistores de entrada sejam diferentes. Utilizando
a expressão geral do amplificador somador, faça alguns testes impondo valores para R1, R2, R3, Rx e Rf e veja
qual é o ganho correspondente.
Agora que você já tem um conhecimento mais aprofundado sobre os circuitos amplificadores com
Ampop, perceba que é possível criar um amplificador somador não inversor a partir de um amplificador
somador comum ou inversor. Conectando um amplificador inversor de ganho unitário na saída de
amplificador somador comum, você terá um amplificador somador não inversor. A desvantagem de
utilizar este circuito em cascata é que você irá precisar de dois amplificadores operacionais para isto.
Após ler a respeito de alguns tipos de amplificadores somadores, conheça um circuito amplificador que
também realiza algumas operações matemáticas: o subtrator.
3.9.6 SUBTRATOR
O circuito amplificador subtrator também é conhecido como amplificador diferencial, pois realiza o
ganho com base na diferença entre tensões. Este circuito é normalmente aplicado quando se quer realizar
a subtração de duas tensões.
162
De maneira geral, este circuito pode ser observado conforme a figura a seguir.
R2
R1
V1
a
_
Vout
b
R1 +
V2
R2
Antonio Mees (2016)

Figura 78 - Amplificador subtrator ou diferencial
Fonte: SENAI (2016)
Observe que os resistores presentes nas entradas a e b, que interligam as entradas do AOP e os sinais
de tensão V1 e V2, devem ser exatamente iguais. Estes resistores são chamados de R1. O resistor de feedback
e o resistor que interliga a entrada não inversora ao pino de terra também devem ter o mesmo valor. Estes
resistores são chamados de R2.
Realizando a análise nodal no ponto a, tem-se:
Realizando a análise nodal no ponto b, tem-se:

163
Ao substituir a equação de Va na primeira expressão e isolando Vout, tem-se:
Observe que esta equação apresenta um ganho diferencial, ou seja, amplifica a diferença dos dois sinais
de tensão de entrada. Para entender bem este conceito, veja o exemplo a seguir.
Exemplo – Ganho de um amplificador subtrator

Calcule a tensão de saída de um amplificador subtrator alimentado com ± 20 V, sabendo que os resistores
são dados por R2 = 3 kΩ e R1 = 1 kΩ. As tensões de entrada são dadas por:
a) V1 = 5 V e V2 = 2 V;
b) V1 = 1 V e V2 = 1 V;
c) V1 = -1 V e V2 = 1 V;
d) V1 = 0 V e V2 = -5 V.
Inicialmente, deve-se calcular o ganho do amplificador através dos resistores R2 e R1. Dessa forma, tem-
se que:
O valor 3 será multiplicado pelo resultado da subtração V2 - V1. Sendo assim, os valores de Vout podem
ser visualizados na tabela, a seguir.
ITEM V2 V1 Vout
a) 2V 5V -9 V
b) 1V 1V 0V
c) 1V -1 V 6V
d) -5 V 0V -15 V
Tabela 14 - Diferentes tensões de entrada para um amplificador subtrator de ganho 3
Fonte: SENAI (2016)
164
É importante notar que o circuito apresentado nesta seção, bem como o exemplo e a abordagem
matemática são válidas sempre que os resistores R1 próximos às tensões V1 e V2 forem iguais. Isso
significa que o ganho da entrada V1 é igual ao ganho da entrada V2. Existem casos mais gerais, em que
estes resistores apresentam valores de resistência diferentes. Para estes casos, o ganho de cada entrada
pode ser calculado através de equações diferentes.
Assim, é possível amplificar uma tensão diferencial, ou seja, amplificar a diferença entre duas tensões.
Até aqui, você estudou os amplificadores que realizam expressões matemáticas. A seguir, você conhecerá
algumas funções especiais: integração e derivação, que são muito utilizadas para modificar o formato das
diferentes ondas de entrada.
3.9.7 INTEGRADOR
Os amplificadores integradores são capazes de modificar a forma do sinal de entrada. Antes de iniciar o
estudo sobre os integradores, é necessário que você saiba os efeitos de uma integração sobre os diferentes
tipos de onda. Ao estudar os efeitos da integração, você verá que existem cálculos matemáticos muito
complexos. Este livro irá abordar estes efeitos de maneira simplificada, de modo que o foco do estudo seja
as formas de onda, não sua análise matemática.
Existem diversos tipos de onda, dentre as quais são estudadas as:
a) retangulares;
b) triangulares;
c) senoidais.
De maneira geral, quando uma onda retangular sofre um processo de integração, a onda resultante se
torna triangular. Quando uma onda triangular sofre um processo de integração, a resultante se torna uma
onda senoidal. Quando uma onda senoidal sofre um processo de integração, a onda resultante continua
senoidal, porém defasada de 270⁰ em relação à entrada.
Através deste ponto de vista é intuitivo pensar que o amplificador integrador pode ser utilizado como
um gerador de diferentes ondas.
A figura, a seguir, mostra como estes diferentes tipos de forma de onda podem ser gerados.
165
Integrador
(a)
Integrador
Antonio Mees (2016)

(b)
Figura 79 - Integração de diferentes ondas
Fonte: SENAI (2016)
Em (a), uma onda retangular entra em um amplificador integrador e sai com sinal triangular. Em (b), uma
onda triangular entra em um amplificador integrador e sai com sinal senoidal. Observe que o integrador
possui um símbolo bem característico. Este símbolo presente no integrador representa matematicamente
a operação de integração.
De modo geral, um amplificador integrador pode ser construído de acordo com a figura a seguir.
Rf
Ri
Vin _
Vout
Rx
Antonio Mees (2016)
Figura 80 - Amplificador integrador

Fonte: SENAI (2016)
166
O amplificador integrador é composto por um amplificador operacional, 3 resistores e um capacitor,

dispostos conforme a figura anterior. O capacitor em paralelo com o resistor de feedback é quem cria o
efeito integrador. O circuito composto por todos estes elementos também é conhecido como integrador
prático.
A equação geral para um circuito amplificador integrador é dada através da seguinte expressão:
Para analisar esta expressão, é necessário um conhecimento de cálculo. Portanto, o estudo do ganho do
amplificador integrador será simplificado. Para simplificar esta expressão, deve ser considerado que o sinal
de entrada do integrado será uma onda do tipo senoidal.
Deste modo, pode-se escrever o ganho do amplificador integrador de acordo com a seguinte expressão:
Veja que o ganho de um integrado depende da frequência do sinal de entrada. Esta expressão apresenta
alguns detalhes importantes. Ela é utilizada apenas para formas de onda senoidais de entrada. Outro
detalhe é que esta expressão é válida apenas para frequências superiores a um determinado limite. Para
frequências menores, este circuito acaba se comportando com um amplificador inversor. Este fenômeno
é baseado no efeito Miller (modifica a capacitância efetiva do circuito, que varia em eficácia segundo
a frequência). Para definir se o amplificador irá trabalhar como integrador, a frequência de trabalho (f )
deve ser maior que a frequência limite do integrador (fL). Desta maneira, tem-se que fL é determinada pela
seguinte expressão:
Para compreender bem este novo conceito de amplificadores, veja a seguir um exemplo contendo
valores de resistores, capacitores e frequência já pré-definidas.
167
Exemplo – Amplificador integrador.

Observe as formas de onda da entrada e saída de um amplificador integrador com as seguintes
características:
a) Rf = 10 kΩ;
b) R1 = 1 kΩ;
c) Rx = 909 Ω;
d) C = 1 μF;
Onda senoidal de entrada com f = 200 Hz e Vinpico = 1 V (pico de tensão).
Inicialmente, deve-se calcular a frequência limite de operação do amplificador, de acordo com os valores
de resistências e capacitância dadas no problema. Desta maneira, a frequência limite é dada por:
Para que o amplificador atue como um integrador, a relação f > fL deve ser atendida. Como a frequência
de entrada do sinal é de 200 Hz e a frequência limite é de 15,9 Hz, o amplificador funcionará como um
integrador. Sabendo que este circuito irá integrar o sinal de entrada, deve-se calcular o ganho deste
amplificador integrador, que pode ser dado pela seguinte expressão:
Com este ganho, é possível observar qual será a principal característica da onda triangular resultante na
saída. O valor de pico de tensão da onda triangular será dado pela seguinte expressão:
168
A tensão de pico da onda triangular é calculada da seguinte maneira:
A figura, a seguir, mostra os sinais de entrada e de saída deste exemplo de integrador.
(V)
Voutpico = 0,8 V
0,5 V/divisão

Vinpico = 1 V
(S)
Figura 81 - Tensões de entrada e de saída de um amplificador integrador
Observe nestas formas de onda que a tensão de entrada possui uma tensão de pico de 1 V, enquanto
a saída possui uma tensão de pico de 0,8 V. De acordo com a fórmula do ganho, a tensão sofre um uma
redução de 20% da entrada. Outra característica importante é que a tensão de saída é defasada da tensão
de entrada. Quando uma onda senoidal sofre um processo de integração, ocorre uma defasagem de 270⁰
em relação à entrada.
Além do integrador, existe um outro circuito que possui a capacidade de modificar diferentes formas de
onda: o circuito diferenciador. Acompanhe.
3.9.8 DIFERENCIADOR
Os circuitos diferenciadores são basicamente amplificadores que realizam uma derivação do sinal de
entrada. Pode-se simplificar o conceito de derivada como a operação inversa da integração. As formas de
ondas estudadas na seção anterior também podem ser derivadas.
169
Quando uma onda senoidal é derivada, o resultado desta operação será uma onda senoidal defasada
de 90⁰ em relação à entrada. Quando uma onda triangular é derivada, o resultado desta operação será uma
onda quadrada. Por sua vez, quando uma onda quadrada é derivada, o resultado desta operação será uma
onda contendo apenas pulsos.
De maneira geral, pode-se escrever o circuito diferenciador, conforme a figura a seguir.
Rf
Ri C
Vin
V out
Rx
Figura 82 - Amplificador diferenciador

Fonte: SENAI (2016)
FIQUE Um circuito amplificador diferenciador não é a mesma coisa que um circuito

ALERTA amplificador diferencial. O primeiro realiza uma derivação e o segundo realiza uma
subtração.
De maneira semelhante ao estudo do integrador, este circuito também possui 3 resistores e apenas
1 capacitor. Este circuito pode ser chamado de diferenciador prático. A expressão geral de um circuito
diferenciador é dada por:
170
Assim como o estudo de integradores, a operação de derivação também requer um conhecimento mais
profundo de cálculo. Portanto, esta expressão será simplificada.
Para ondas do tipo senoidais na entrada deste amplificador, pode-se chegar à seguinte expressão do
ganho:
É importante saber que esta expressão funciona para uma faixa de frequências específica. Para altas
frequências, este circuito se comporta como amplificador inversor, e para baixas frequências, este circuito
se comporta como amplificador diferenciador. Para conhecer a frequência limite (fL) entre estes dois modos
de operação, basta utilizar a seguinte expressão:
Para entender melhor estes novos conceitos, veja o seguinte exemplo.
Exemplo - Amplificador diferenciador

Observe as formas de onda da entrada e saída de um amplificador diferenciador com as seguintes
características:
a) Rf = 10 kΩ;
b) R1 = 1 kΩ;
c) Rx = 909 Ω;
d) C = 1 μF;
e) Onda senoidal de entrada com f = 100 Hz e Vinpico =1 V (pico de tensão).
Inicialmente, deve-se calcular a frequência limite de operação do amplificador de acordo com os valores
de resistências e capacitância dados no problema. Desta maneira, a frequência limite é dada por:
171
Como a frequência do sinal de entrada do diferenciador é menor que a frequência limite, este circuito irá
se comportar como um amplificador diferenciador. Dessa forma, pode-se calcular o ganho deste circuito
através das expressões:
Calculado o ganho, deve-se estimar o valor da tensão máxima de saída. Para isso, basta multiplicar o
ganho pela tensão máxima de entrada. Desta maneira, tem-se:
De maneira geral, as ondas de entrada e saída podem ser visualizadas conforme a figura a seguir.
(V)
Voutpico = 5,32 V
2 V/div
Vinpico = 1,0 V
0,5 V/div
(S)
Figura 83 - Tensões de entrada e saída de um amplificador diferenciador
172
Observe, na figura, que a onda presente na saída está atrasada cerca de 90⁰ em relação ao sinal de
entrada. Este efeito acontece graças à operação de derivação de uma onda senoidal.
Os circuitos diferenciadores e integradores são muito utilizados em circuitos geradores de onda. Com
apenas um sinal de onda quadrada, é possível obter todas as outras formas de onda, basta integrar ou
derivar, dependendo da forma de onda desejada.
Outra aplicação importante destes circuitos é o controle de processos industriais. Quando um circuito
é capaz de realizar uma integração ou derivação, isto significa que ele pode atuar como um controlador
de processos. Alguns processos industriais são controlados digitalmente. No entanto, com a utilização de
circuitos integradores e diferenciadores, este mesmo controle pode ser realizado de maneira puramente
analógica.
Quando um processo é controlado por um integrador, torna-se mais lento. Em contrapartida, é mais
preciso. Quando um processo é controlado por um circuito diferenciador, o processo se torna mais rápido,
mas fica mais susceptível a ruído. De maneira geral, controladores são uma junção de vários operadores,
que, em conjunto, formam o conhecido PID (proporcional-integral-derivativo). Este controle une os
aspectos positivos dos três tipos de controle. Um circuito PID é capaz de proporcionar a um processo maior
ganho, precisão, velocidade e estabilidade.
Este livro não abordará o amplificador operacional como controle, mas uma função especial dos AOPs:
tratamento de sinais através de filtros ativos.
3.9.9 FILTROS ATIVOS
Dentro da eletrônica analógica, a utilização de filtros ativos apresenta uma série de vantagens que
permitem otimizar a qualidade do sinal, além de selecionar determinadas características. Um filtro nada
mais é do que um selecionador de sinais. Nas seções anteriores, o ganho de um determinado amplificador
era igual para uma grande faixa de frequência. A partir de agora, você verá que o ganho de alguns circuitos
pode variar de acordo com a frequência do sinal de entrada.
De maneira geral, os filtros são divididos em duas categorias: filtros passivos e filtros ativos. A principal
diferença entre um filtro e outro é que os ativos possuem algum tipo de transistor ou amplificador
operacional. Já um filtro passivo possui apenas elementos, como resistores, indutores e capacitores. O
ganho máximo de um circuito passivo é unitário, enquanto o ganho máximo produzido por um circuito
ativo é dado por seus aspectos construtivos e sua alimentação.
Nesta seção, serão abordados apenas aspectos relacionados aos filtros ativos, que são capazes de
selecionar e/ou amplificar determinadas faixas de frequência de um sinal. Segundo Pertence Júnior
(2012), os filtros podem ser classificados de acordo com os seguintes aspectos:
a) função executada;
b) tecnologia empregada;
c) função-resposta utilizada.
173
O foco, neste caso, será analisar algumas das principais funções dos filtros ativos. Existem quatro
principais funções empregadas pelos filtros, dentre elas estão o filtro passa-baixas (PB), filtro passa-altas
(PA), filtro passa-faixa (PF) e o filtro rejeita-faixa (RF). Para compreender melhor cada filtro, serão abordados
os aspectos como:
a) simbologia;
b) análise gráfica;
c) expressões matemáticas;
d) circuitos com amplificadores operacionais.
A seguir, você estudará os filtros PB e PA. Acompanhe.
FILTRO PASSA-BAIXAS (PB)

O filtro passa-baixas tem esse nome, pois sua principal função é amplificar sinais com frequências
baixas e atenuar os sinais com frequências altas, ou seja, as frequências baixas são valorizadas neste filtro.
Mas, como definir se uma frequência é alta ou baixa? Esta análise deve ser feita para cada filtro de maneira
isolada. De maneira geral, é estabelecida uma frequência chamada de frequência de corte (fc). Acima da
frequência de corte, estão as frequências altas; e abaixo, as frequências baixas.
Um filtro passa-baixas pode ser estudado de acordo com a figura a seguir.
(a) (b) (c)

Ri Ganho
Vin
Vout K
K
Vin Vout 2
C Rosimeri Likes (2016)

R3
K
R2 10
fc fs Frequência
Figura 84 - Filtro passa-baixas (PB)

Fonte: SENAI (2016)
Em (a), é apresentado o esquema geral do filtro PB. Mais adiante, serão demonstrados alguns
parâmetros importantes deste circuito. No geral, o filtro PB ativo pode ser construído com três resistores,
um amplificador operacional e um capacitor. Em (b), é apresentada a simbologia deste filtro. Observe que
a simbologia padrão do filtro PB é dada por duas ondas senoidais, sendo a primeira interceptada por uma
reta inclinada, significando que frequências altas serão eliminadas ou atenuadas, enquanto as frequências
baixas serão mantidas ou amplificadas. Em muitos projetos, essa simbologia é utilizada quando a intenção
é mostrar que é necessário o uso de um filtro passa-baixas, não necessariamente um filtro ativo. Em (c), é
apresentado um gráfico de ganho por frequência.
174
No gráfico ganho versus frequência, é importante destacar alguns aspectos. Em diversas faixas de
frequência, este circuito irá se comportar de forma diferente. De maneira geral, pode-se destacar as
seguintes faixas de frequência:
a) de 0 a fc, o circuito irá amplificar as frequências desta faixa. Na frequência de corte, o ganho sofre
uma queda de cerca de 30% de seu valor inicial (K). Esta região pode ser conhecida como passagem;
b) de fc a fs, o circuito atua em uma faixa conhecida como transição;
c) acima de fs, o ganho do amplificador sofre uma queda de 90% de seu valor inicial (K). Isso quer dizer
que desta frequência em diante, pode-se considerar que esta região realiza o corte.
O circuito presente em (a) tem um ganho K, que pode ser expressado através da seguinte equação:
O valor do resistor R1 pode ser projetado com base na frequência de corte. Os demais resistores são
expressos através do ganho e do próprio valor de R1. Desta maneira, os resistores podem ser dimensionados
através das seguintes expressões:
Foram apresentadas formas de se calcular os resistores, porém o capacitor ainda não foi definido. De
maneira geral, o valor do capacitor deve ser coerente com o projeto, mas não existe uma regra sobre o seu
valor. Para compreender melhor estes conhecimentos, veja, a seguir, um exemplo.
Exemplo – Projeto de um filtro ativo passa-baixas.

Inicialmente, deve-se pensar em qual será o ganho deste amplificador e qual será a frequência de corte.
Estes são os dois principais parâmetros de um filtro PB. Determinando estes dois requisitos de projeto, é
possível calcular os valores de R1, R2, R3 e C.
175
Impondo os requisitos de projeto, tem-se que:
O valor escolhido para o capacitor será de 0,1 μF. Dessa forma, será calculado incialmente o valor de R1
com base nos valores de fc e C.
Com base no valor de R1 e no valor de K, pode-se calcular o valor de R2 e R3. Assim, tem-se as seguintes
expressões:
Com base nos cálculos dos resistores deste circuito, basta montá-lo e testar os sinais de entrada e de
saída deste filtro. Observe a figura a seguir com diversos valores de teste.
(a) (b) (c)

Vinpico = 0,5 V f= 100 Hz Vinpico = 0,5 V f= 1 KHz Vinpico = 0,5 V f= 10 KHz
Voutpico = 5 V 0,5 V/div Voutpico = 3,5 V 0,5 V/div Voutpico = 0,48 V 50 mV/div
Figura 85 - Ondas de entrada e saída de um filtro PB

176
Em (a), o circuito está operando na região de passagem, pois a frequência do sinal de entrada é de 100
Hz, menor que a frequência de corte. Na região de passagem, o sinal foi amplificado 10 vezes. Em (b), o
circuito está operando exatamente na frequência de corte de 1000 Hz. Observe que, neste ponto, o ganho
é reduzido cerca de 30%. Veja que 3,5 é 70% de 5. Em (c), o circuito está operando a uma frequência de 10
kHz. Perceba que a tensão de saída é de 480 mV de pico. Isso quer dizer que o ganho 10 foi reduzido mais
90% de seu valor inicial. Isso quer dizer que, nesta frequência, o circuito já está funcionando na região de
corte.
Este circuito é muito utilizado para a leitura de sinais sem a presença de ruídos de alta frequência. O
filtro PB irá amplificar o sinal de baixa frequência e irá eliminar os ruídos de alta frequência.
FILTRO PASSA-ALTAS
Este filtro atua de maneira muito semelhante ao filtro PB. A principal diferença é que a região de
passagem se encontra em altas frequências. De maneira geral, o filtro passa-altas (PA) é descrito conforme
a figura a seguir.
(a) (b) (c)

C
Ganho
Vin
Vout K
K
Vin Vout 2
Ri
R3

K
10
R2
fs fc Frequência
Figura 86 - Filtro passa-altas (PA)

Fonte: SENAI (2016)
Nesta figura, em (a), está presente o circuito passa-altas. Perceba que este circuito é muito parecido com
o circuito passa-baixas. Basicamente, o capacitor e o resistor R1 trocaram de posição. O resto do circuito
permanece exatamente igual.
Em (b), é possível observar a simbologia deste filtro. O símbolo do filtro PA é composto de duas ondas
senoidais, sendo que uma linha inclinada intercepta a onda inferior. Em (c), é possível observar um gráfico
relacionando o ganho K do filtro pela frequência. No filtro PA, as frequências menores são atenuadas na
região de corte, enquanto as frequências maiores são amplificadas na região de passagem. A característica
principal deste circuito se dá onde as regiões de trabalho estão presentes.
177
De maneira geral, pode-se classificar as regiões do filtro da seguinte forma:

a) de 0 a fs - região de corte;
b) entre fs e fc- região de transição;
c) acima de fc - região de passagem.
O circuito em (a) pode ser caracterizado de acordo com algumas expressões de ganho e frequência de
corte, que relacionam os resistores e o capacitor do circuito. Desta maneira, tem-se:
Perceba que o ganho do filtro PA é igual ao ganho do filtro PB. Observando a estrutura dos dois circuitos,
fica claro que o ganho é dado de acordo com a malha de realimentação deste circuito onde estão presentes
os resistores R3 e R2. As demais expressões deste filtro também são semelhantes ao filtro PB. Para entender
bem este conceito, leia o exemplo a seguir.
Exemplo - Projeto de um filtro ativo passa-altas

De maneira semelhante ao exemplo do filtro PB, serão impostas as características deste filtro através do
ganho K e da frequência de corte. Os valores impostos para este filtro são K = 5 e fc = 10 KHz. Iniciando os
cálculos deste circuito, R1 pode ser dado, conforme a seguinte expressão:
Utilizando os mesmos cálculos do filtro PB, os resistores podem ser dados através das seguintes
equações:
O valor do capacitor foi novamente utilizado C = 0,1 μF. Com base nos cálculos dos resistores deste
circuito, basta montá-lo e testar os sinais de entrada e de saída deste filtro.
178
Observe a figura a seguir, com diversos valores de teste.
(a) (b) (c)

Vinpico = 0,5 V f= 100 Hz Vinpico = 0,5 V f= 10K Hz Vinpico = 0,5 V f= 40 KHz
Voutpico = 25 mV 50 mV/div Voutpico = 1,77 V 200 mV/div Voutpico = 2,4 V 300 V/div
Figura 87 - Ondas de entrada e saída de um filtro PA

É possível perceber em (a) que o sinal de saída possui um módulo de tensão muito pequeno, ou seja,
para baixas frequências, como em 100 Hz, o filtro está na região de corte. Em (b), o circuito está operando na
frequência de corte, ou seja, ganho do filtro sofre uma redução de 30% do valor total. Em (c), o amplificador
está na região de passagem com um ganho próximo de k = 5.
Em geral, o estudo de filtros é muito amplo. Existem diversos tipos de filtros, como apresentado nesta
unidade. Além disso, há características muito peculiares sobre cada um. Os filtros, em geral, podem ser
digitais ou analógicos, ativos ou passivos, de ordem 1 ou maior, ou seja, cada aplicação necessita de um
filtro específico.
SAIBA Na obra de Pertence Júnior (2012), Eletrônica analógica: amplificadores operacionais e

filtros ativos, o autor elabora uma análise sobre o estudo dos principais filtros ativos.
MAIS Esta é uma ótima leitura para se aprofundar neste estudo.
Os circuitos apresentados com Ampops e resistores são constituídos como circuitos de 1ª ordem.
Circuitos de ordem maior, possuem mais capacitores ou indutores, que permitem uma maior flexibilidade
de ganhos em faixas de frequências diferentes, além de neutralizar as frequências mais rapidamente.
Assim, você aprendeu como os sinais de tensão podem ser amplificados, invertidos, integrados,
derivados, somados, subtraídos e filtrados. Todas estas aplicações podem ser realizadas com o uso dos
amplificadores operacionais. Para fechar esse conteúdo, acompanhe como os AOPs podem contribuir não
só com a eletrônica analógica, mas também com a eletrônica digital.
179
3.9.10 CONVERSORES AD/DA
Os conversores AD/DA são dispositivos eletrônicos que são capazes de transformar uma informação
analógica em digital, ou uma informação digital em analógica. O conversor A/D, por exemplo,
transforma uma tensão elétrica em uma quantidade de informações digitais. Já o conversor D/A transforma
várias informações digitais em uma tensão elétrica analógica. Mas, o que é uma informação analógica? E,
o que é uma informação digital?
Uma informação analógica é toda informação que atua de forma contínua, que possa ser medida e
transformada em um sinal de tensão elétrica. A temperatura, pressão, distância, velocidade, tensão
elétrica, corrente elétrica, vazão, entre outras grandezas podem ser consideradas informações analógicas.
Basicamente, o mundo analógico está presente ao seu redor, através de todas as grandezas físicas. Esse
mesmo mundo analógico pode ser convertido em tensão elétrica analógica, ou seja, uma tensão que tenha
valores contínuos através do tempo.
Uma informação digital nada mais é do que um código, normalmente o código binário. Este código
binário pode representar diversos números, outros códigos mais avançados, comandos computacionais
e até mesmo protocolos de comunicação. Um código binário é formado por elementos chamados de
bits. Cada bit é um pequeno espaço de memória que armazena apenas duas informações: 0 ou 1. Quanto
maior a quantidade de bits, melhor será a representação de um número. Como existe um número limitado
de bits, a representação de um número também será limitada, ou seja, a principal característica de uma
informação digital é a sua descontinuidade.
A descontinuidade de uma informação acontece quando não existem valores intermediários em um
determinado intervalo de informações. São exemplos de informações digitais: volume da televisão, controle
do ar condicionado, toda a informação presente em computadores, processos industriais supervisionados
e redes de comunicação digital.
A figura, a seguir, mostrará a diferença entre uma informação analógica e uma informação digital em
termos da sua continuidade.
Grandeza física Sinal discreto
Y
X
X
tempo (s) tempo (s)

(a) (b)
Figura 88 - Comparação entre um sinal analógico e um sinal digital
Fonte: SENAI (2016)
180
É possível ver em (a) que existem infinitos valores intermediários entre os pontos X e Y, enquanto que
em (b) não existe nenhum valor intermediário entre X e Y. Assim acontece com o volume da televisão,
pois não existem valores intermediários entre o volume 1 e o volume 2, por exemplo. Essa característica
também é conhecida como informação discreta.
A figura, em (a), pode ser interpretada como a mudança de velocidade de um automóvel no decorrer
do tempo. A figura, em (b), pode ser interpretada como a mudança do parâmetro de volume de seu celular.
Veja como todas estas grandezas, sejam elas analógicas ou digitais, estão presentes no cotidiano.
Antes de iniciar o estudo dos conversores analógicos utilizando os amplificadores operacionais
é importante saber como o sinal digital pode ser representado. Você percebeu que em (b) existem
determinados níveis do sinal discreto. Mas, como saber quantos níveis tem um sinal? A quantidade de
níveis de um sinal discreto está relacionada à quantidade de bits que o circuito digital possui.
De maneira geral, a quantidade de níveis de um sinal digital é dada pela seguinte expressão:
Esta expressão é verdadeira, se o número de bits for maior ou igual a 1. Para um único bit, existem 2
diferentes níveis: o nível 0 e o nível 1. Para 2 bits, existem quatro diferentes níveis: 0, 1, 2 e 3. Para 3 bits,
existem oito níveis: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6 e 7. Para entender melhor a relação que existe entre o número de bits, a
informação digital armazenada e o nível correspondente, observe a tabela.
Nº DE BITS SINAL BINÁRIO NÍVEL Nº DE BITS SINAL BINÁRIO NÍVEL

000 0
0 0
001 1
1
010 2
1 1
011 3
3
00 0 100 4
01 1 101 5
2
10 2 110 6
11 3 111 7
Tabela 15 - Número de bits, sinal binário e níveis correspondentes
Fonte: SENAI (2016)
Observe nesta tabela que cada nível possui seu código binário correspondente. Por exemplo, um circuito
com 3 bits de sinal binário 101 tem o nível 5 correspondente. Usualmente, os conversores AD/DA possuem
mais de 4 bits no circuito, ou seja, possuem cerca de 16 níveis: do nível 0 ao nível 15. Para entender melhor
a relação que existe entre o número de bits e o sinal analógico, serão apresentados os conversores AD e DA.
181
As etapas de conversão do sinal analógico para o sinal digital, bem como a conversão do sinal digital
para o analógico, podem ser visualizadas através da seguinte figura.

10102 10102
11002 11002
11112 11112 Sinal
Filtro Circuito de Processador Filtro de
Sinal Conversor Conversor analógico
anti-aliasing amostragem e digital de reconstrução
analógico A/D D/A resultante
(Filtro PB) retenção (S/H) sinais do sinal
Figura 89 - Etapas no processo de conversão de um sinal analógico e digital

Fonte: SENAI (2016)
Em termos gerais, o sinal analógico deve ser convertido para um sinal digital. Este sinal pode ser
modificado e novamente convertido em sinal analógico. Para que isso seja possível, é necessário que o
sinal passe por algumas etapas.
Inicialmente, o sinal analógico passa por um filtro conhecido como anti-aliasing, que tem o objetivo
de atenuar frequências altas que interfiram no processo de conversão do sinal. Depois de filtrado, o sinal
pode passar por um circuito de amostragem e retenção, também conhecido como sample and hold
(S/H). O circuito S/H auxilia no processo de amostragem, pois evita que o sinal sofra oscilações indesejadas
e mantém o nível do sinal analógico constante por um determinado tempo.
Com o sinal filtrado e retido, o nível de tensão analógica deste sinal poderá ser convertido para um sinal
digital de diversas formas e circuitos ADC (Analog to Digital Converter) diferentes. O termo ADC significa
conversor analógico digital e pode ser substituído por conversor A/D. O sinal digital pode ser modificado
de acordo com a aplicação. Esta modificação pode ser realizada com o auxílio de um DSP (Digital Signal
Processor), também conhecido como processador digital de sinais.
O sinal processado passa por um DAC (Digital to Analog Converter), conhecido como conversor D/A. O
sinal digital, ao passar pelo conversor D/A, transforma novamente o sinal digital em sinal analógico. O sinal
resultante do DAC apresenta uma característica descontínua, que pode ser melhorada através de um filtro
de reconstrução do sinal. Desta maneira, o sinal resultante do filtro terá novamente o aspecto de um sinal
analógico.
Aqui apenas serão abordadas as etapas de conversão D/A e A/D. O intuito é mostrar o funcionamento
de alguns circuitos que realizam esta conversão utilizando, amplificadores operacionais.
CONVERSOR D/A
O conversor D/A é o circuito responsável por transformar a informação digital presente em um conjunto
de bits em um único sinal analógico. De maneira geral, é um circuito com N entradas e uma única saída. Os
conversores estudados aqui terão apenas 3 bits, para facilitar a análise
182
O circuito mais simples de um conversor D/A com AOP pode ser encontrado na figura, a seguir.
A B C
R 2R 4R
+
Vout
Antonio Mees (2016)

Rf
Figura 90 - Conversor D/A de 3 bits, com amplificador operacional
Fonte: SENAI (2016)
De maneira geral, o circuito D/A obedece a uma expressão para a conversão do sinal. Observe que este
circuito nada mais é do que um circuito amplificador somador, estudado em seções anteriores. O sinal
Vout será dado através da contribuição de cada sinal de entrada do conversor. Observe que os resistores são
múltiplos entre si. O primeiro resistor sempre terá uma resistência R qualquer. O segundo resistor tem o
dobro da resistência do primeiro. Já o terceiro, possui o quadruplo da resistência do primeiro.
Este efeito das resistências irá causar uma diferente proporção entre as entradas, ou seja, cada entrada
irá contribuir ponderadamente com a tensão de saída. As entradas A, B e C podem assumir apenas dois
valores (0 ou 1), sendo que 0 é ausência de tensão elétrica e 1 é a presença de uma tensão elétrica (Vin). A
expressão que relaciona as entradas digitais com a saída analógica é muito parecida com a expressão do
circuito amplificador somador. Leia a equação a seguir:
Observe que a saída sempre terá um sinal negativo, devido à característica inversora deste amplificador
somador. A relação Rf/R dá o ganho correspondente à entrada A. A relação Rf/2R dá o ganho correspondente
à entrada B. E, a relação Rf/R dá o ganho correspondente à entrada C. Para entender bem este conceito, veja
o exemplo a seguir.
183
Exemplo – Conversor D/A de 3 bits com AOP

A intenção deste exemplo é encontrar todos os níveis de tensão Vout. Para isso, considere R = 1 kΩ, Rf =
1 kΩ e Vin = 5 V. Para conhecer a função de cada entrada digital e sua contribuição para a saída Vout, deve-se
compreender a contribuição de cada uma delas. Considerando A = 1, B = 0 e C = 0, tem-se:
Considerando A = 0, B = 1 e C = 0, tem-se:
Considerando A = 0, B = 0 e C = 1, tem-se:
Descobertas as contribuições de cada uma das entradas em relação à saída analógica, basta somar estas
contribuições de acordo com o código binário para 3 bits. Por exemplo, se no código binário aparecer o
nível 5, que corresponde ao número 101, deve-se somar a contribuição de A com a contribuição de C. Se
no código binário aparecer o nível 6, que corresponde ao número 110, deve-se somar a contribuição de
A com a contribuição de B. Desta maneira, os níveis de saída podem ser dados conforme a tabela a seguir.
NÍVEL Nº BINÁRIO SOMA (Volts) Vout (Volts)

0 000 0+0+0 0,00
1 001 0 + 0 - 1,25 - 1,25
2 010 0 - 2,5 + 0 -2,50
3 011 0 -2,5 - 1,25 - 3,75
4 100 -5+0+0 -5,00
5 101 - 5 + 0 - 1,25 - 6,25
6 110 - 5 - 2,5 + 0 -7,50
7 111 -5 - 2,5 - 1,25 - 8,75
Tabela 16 - Conversão analógica de 3 bits
Fonte: SENAI (2016)
184
Perceba que os valores presentes na saída analógica são dados por uma progressão aritmética, ou seja,
o próximo valor sempre será a soma do valor anterior com uma razão. A razão neste exemplo é de -1,25
volts. Este valor pode ser chamado de precisão do conversor. Isso quer dizer que este é o intervalo mínimo
de tensão do conversor, sendo que não existem valores mais precisos de tensão do que 1,25 V.
Além do circuito apresentado, existe um outro tipo conversor digital-analógico. O conversor D/A
pode ser desenvolvido com uma estrutura de resistores conhecida como R-2R. Da mesma forma, os
amplificadores operacionais podem ser utilizados nesta estrutura, auxiliando na amplificação e isolamento
dos níveis de tensão. A estrutura R-2R não será apresentada neste livro, mas, de maneira geral, é um circuito
mais econômico e preciso. Agora que você conhece os conversores D/A, será apresentado o conversor A/D.
CONVERSOR A/D
O conversor A/D transforma uma tensão elétrica em dados binários. Para realizar esta conversão,
existem diversos tipos de estruturas com variados circuitos eletrônicos. Uma das formas mais simples de se
implementar este conversor é utilizando um circuito comparador com AOPs. Como você viu no início desta
seção, quando o amplificador operacional não possui a malha de realimentação, este circuito funciona como
um comparador. Um conversor A/D irá identificar níveis específicos de tensão, utilizando os comparadores.
Com três AOPs, é possível criar um conversor de 4 níveis. Este conversor também é conhecido como tipo
flash.
Veja a figura a seguir.
Vin
V+
+ R3 L3
_
V3
V-
V+
+ R2 L2
V2 _
V-
V+
+ R1 L1
Antonio Mees (2016)
_
V1
V-
Figura 91 - Conversor A/D de 4 níveis

Fonte: SENAI (2016)
185
Neste circuito, a entrada de tensão analógica Vin irá variar em um intervalo de tensão positiva. A entrada
analógica está ligada em todos os AOPs através das suas entradas não inversoras. As saídas de cada um
dos AOPs estão conectadas a diferentes LEDs, que irão detectar os níveis de tensão correspondentes. Os
resistores R1, R2 e R3 servem para limitar o nível de corrente no LED.
As tensões V1, V2 e V3 são as tensões de comparação. São estas tensões que irão definir qual será o nível
de tensão de cada nível.
Dessa forma, os quatro níveis correspondentes à entrada analógica podem ser compreendidos de
acordo com a tabela.
NÍVEL EXPRESSÃO LEDs BITS (L3-L2-L1)

0 Vin < V1 Nenhum LED 000
1 V1 < Vin < V2 L1 001
2 V2 < Vin < V3 L1 e L2 011
3 Vin > V3 Todos os LEDs 111
Tabela 17 - Funcionamento de um conversor A/D de 4 níveis
Fonte: SENAI (2016)
Observe que o código presente na saída do conversor não é o código padrão binário de 3 bits.
Infelizmente, o conversor A/D do tipo flash não oferece este tipo de código de saída. Uma conversão típica
de dispositivos A/D comerciais apresenta um código binário padrão na saída digital. Estes conversores
possuem em sua estrutura interna dispositivos eletrônicos digitais, como contadores e portas lógicas. Neste
livro, não será abordado este tipo de circuito, pois relaciona muitos conhecimentos do funcionamento de
circuitos lógicos digitais.
Esta seção apresentou os principais fundamentos de conversores, tanto analógicos para digitais quanto
digitais para analógicos. Foi possível também conhecer qual a principal função do amplificador operacional
em cada um destes circuitos. Assim, você está apto a projetar e construir circuitos com amplificador
operacional, tomando todos os cuidados, como a realimentação simétrica e a malha de realimentação,
quando necessária.
A próxima seção abordará componentes totalmente novos, conhecidos como tiristores.
3.10 TIRISTORES
Os tiristores são componentes eletrônicos construídos a partir de material semicondutor, normalmente

denominados de interruptores eletrônicos. A principal finalidade de um tiristor é atuar em um
determinado circuito elétrico analogamente a um interruptor, com a função básica de alterar o circuito,
fechando-o ou abrindo-o, ou seja, habilitar a condução da corrente elétrica.
186
No quadro, a seguir, são apresentadas algumas vantagens e desvantagens do interruptor eletrônico em

relação ao interruptor mecânico.
VANTAGEM DESVANTAGEM
Dimensões menores Maiores perdas em condução
Não possui partes móveis Maior corrente de fuga durante o bloqueio
Valores de corrente de controle menores
Processamento linear de energia
Quadro 13 - Comparação do interruptor eletrônico em relação ao interruptor mecânico
Fonte: SENAI (2016)
Para iniciar a análise básica de funcionamento de um tiristor, independentemente do modelo empregado

e da sua forma de comando, a figura seguinte apresenta um circuito elétrico particular, envolvendo uma
fonte de tensão alternada, um resistor de carga e um tiristor atuando como um interruptor eletrônico.
Fechado! I ≠0A Aberto!

Conduzido! Não conduzido! I =0A
+ +
Vent Vcarga Vent Vcarga

VR VR
100Ω 100Ω
_ _
Antonio Mees (2016)
(a) (b)
Figura 92 - Exemplos de circuitos elétricos conduzindo e não conduzindo através do interruptor eletrônico aberto e fechado
Fonte: SENAI (2016)
Na figura anterior, em (a), o tiristor representado como um interruptor está fechado, habilitado a
conduzir. Portanto, a partir de características do circuito elétrico, haverá uma corrente elétrica em alguns
instantes no tiristor. Nesta posição, diz-se que o tiristor está conduzindo, ou está apto a conduzir idealmente
qualquer valor de corrente elétrica. O valor e forma de onda dependerá das características do circuito.
Na figura (b), o tiristor está aberto, não está habilitado a conduzir, portanto não haverá corrente elétrica
no tiristor. Nesta posição, diz-se que o tiristor não está conduzindo, ou não está apto a conduzir.
Há vários modelos de tiristores. Alguns funcionam como interruptores sem comando de gatilho,
somente atuando o fechamento a partir de avalanche2 e abertura por remoção da corrente de ânodo ao
catodo. Acompanhe alguns exemplos.
2 A partir de um determinado valor de tensão, haverá uma reação em cadeia, de modo que a corrente através do componente
aumentará bruscamente.
187
a) SCR: Silicon Controlled Rectifier.

b) DIAC: Diode for Alternating Current.
c) TRIAC: Triode for Alternating Current.
d) Diodo Shockley.
e) SCS: Silicon Controlled Switch.
f ) GTO: Gate Turn-off.
g) IGCT: Integrated Gate Commutated Thyristor.
h) GATT: Gate Assisted Turn-off Thyristor.
i) RCT: Reverse Conduction Thyristor.
j) SITH: Static Induction Thyristor.
k) MCT: MOS-Controlled Thyristor.
l) LASCR: Light-activated SCR.
A escolha do modelo a ser utilizado dependerá das características do circuito elétrico envolvido. Analise
alguns itens que normalmente devem ser observados:
a) faixa de potência processada pelo componente;
b) frequência de operação;
c) valores de corrente;
d) valores de tensão;
e) tempos de crescimento e decrescimento das grandezas tensão e corrente;
f ) não idealidades intrínsecas específicas de cada componente;
g) custo;
h) volume.
Há muitas aplicações que envolvem os tiristores. Algumas das aplicações típicas são:
a) fonte de tensão;
b) controle de motores;
c) controle de iluminação;
d) controle de temperatura;
e) conversores diversos.
Para um estudo mais aprofundado dos tiristores, primeiramente será explorado como são constituídos,
de forma que seja possível abranger uma análise do seu funcionamento básico.
188
3.10.1 CONSTRUÇÃO
O tiristor é basicamente um componente eletrônico constituído de camadas dopadas P e N, dispostas

de forma particular, conforme a figura seguinte (a).
Adicionalmente, no componente há terminais dispostos e variações de acordo com o modelo e
finalidade.
P
Q1
N
P
Q2
N
Antonio Mees (2016)

(a) (b)
Camadas de dopagem Circuito equivalente do
de um tiristor tiristor utilizando BJT
Figura 93 - Camadas e circuito equivalente de um tiristor
Fonte: SENAI (2016)
Na figura anterior (b), é apresentado o circuito equivalente do tiristor utilizando BJT. Há dois transistores:
na parte superior, um transistor PNP nomeado como Q1; e, na parte inferior, um NPN nomeado como Q2.
Com as conexões realizadas entre os transistores, obtém-se uma estrutura PNPN. É importante relembrar o
funcionamento básico de BJT, que é:
a) aumentar o valor da corrente de base implicará em um valor maior da corrente no sentido do coletor
para o emissor;
b) diminuir o valor da corrente de base implicará em um valor menor da corrente no sentido do coletor
para o emissor.
Aumentar o valor da corrente de base do transistor Q2 implicará em um valor maior da corrente no
sentido do coletor para o emissor do transistor Q2. Assim, demanda um aumento do valor da corrente de
base do transistor Q1, que, por sua vez, implicará em um valor maior da corrente no sentido do emissor
para coletor do transistor Q1. Dessa forma, reiniciará o ciclo, aumentará novamente o valor da corrente de
base do transistor Q2. Os transistores terão seus valores aumentados de corrente até atingirem a saturação,
obtendo-se um interruptor eletrônico em curto-circuito com valor de resistência aproximadamente zero
entre o ânodo do transistor Q1 e o catodo do transistor Q2.
189
Diminuir o valor da corrente de base do transistor Q2 envolverá um valor menor da corrente no sentido
do coletor para o emissor do transistor Q2. Assim demandará um valor menor da corrente de base do
transistor Q1, que, por sua vez, exigirá um valor menor da corrente no sentido do emissor para coletor do
transistor Q1. Portanto, reiniciará o ciclo e diminuirá novamente o valor da corrente de base do transistor Q2.
Os transistores terão seus valores de corrente diminuídos até atingirem o corte, obtendo-se um interruptor
eletrônico em circuito aberto com valor de resistência tendendo ao infinito entre o ânodo do transistor Q1
e o catodo do transistor Q2.
Conhecidos os tiristores de uma forma geral, pode-se avaliar o componente particular denominado de
Retificador Controlado de Silício. Acompanhe.
3.10.2 RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO (SCR)
O componente denominado de retificador controlado de silício, do inglês Silicon Controlled Rectifier,

amplamente conhecido pela sigla SCR, é um tiristor utilizado em muitas aplicações. O componente
apresenta característica unidirecional em corrente, isto é, somente poderá existir corrente em um único
sentido, do ânodo para o catodo.
O SCR é constituído de 4 camadas: 2 camadas de dopagem P e 2 camadas de dopagem N, formando-se
uma estrutura PNPN, com três junções PN. Adicionalmente, no componente há três terminais conectados
em camadas distintas, conforme apresentado na figura (a), a seguir. Os terminais são normalmente
denominados de:
a) (A) ânodo;
b) (K) catodo;
c) (G) gatilho: terminal de comando.
Na figura (b), será apresentado o circuito equivalente do tiristor utilizando BJT, em que há dois
transistores, formando-se uma estrutura PNPN. Adicional, há um terminal de gatilho conectado ao coletor
do transistor Q1 e na base do transistor Q2.
Ao analisar o funcionamento do circuito da figura (b), aplicando-se um pulso de corrente de base do
transistor Q2, demandará um valor maior da corrente no sentido do coletor para o emissor do transistor Q2.
Dessa forma, implicará em um aumento do valor da corrente de base do transistor Q1, que, por sua vez,
envolverá um valor maior da corrente no sentido do emissor para coletor do transistor Q1. Assim, reiniciará
o ciclo e aumentará novamente o valor da corrente de base do transistor Q2, não necessitando continuar
com o pulso de corrente de base.
190
Os transistores terão seus valores aumentados de corrente até atingirem a saturação, obtendo-se um
interruptor eletrônico em curto-circuito com valor de resistência aproximadamente zero entre o ânodo do
transistor Q1 e o catodo do transistor Q2. O símbolo do SCR é apresentado na figura (c).
Ânodo Ânodo
P
Q1
Ânodo
N
Gatilho Gatilho
Gatilho P
Q2 Catodo
N
Catodo
Catodo
Antonio Mees (2016)

(a) (b) (c)
Camadas de dopagem Circuito equivalente do Símbolo do SCR
do SCR SCR utilizando BJT
Figura 94 - Camadas, circuito equivalente e símbolo do SCR
Fonte: SENAI (2016)
O início de condução do SCR através de um comando no gatilho pode ser obtido com um potencial
elétrico do ânodo maior que o potencial elétrico do catodo em relação a uma determinada referência. Com
um valor de tensão entre os terminais ânodo e catodo positivo, o componente estará apto a receber o sinal
de comando no gatilho. Com uma tensão positiva entre os terminais ânodo e catodo, e aplicando-se um
sinal de comando no gatilho, o SCR conduzirá. Há, então, o fechamento do interruptor eletrônico, garantindo
que o componente estará apto a conduzir. O valor da corrente elétrica dependerá das características do
circuito elétrico em questão. Um termo muito usado que denomina o processo de início de condução é o
termo disparo.
Ao garantir que o SCR está realmente conduzindo, não é mais necessário o sinal de comando. Assim,
pode-se remover o sinal e o SCR permanecerá conduzindo normalmente, sem qualquer sinal adicional
de comando ou inserção de energia. A garantia de condução para remoção de um sinal de comando
dependerá de características do componente e do circuito elétrico.
Para garantir a condução através de um sinal de comando de gatilho, pode-se aplicar várias técnicas,
algumas simples e outras complexas. Uma técnica que pode ser aplicada para iniciar a condução do SCR é
o emprego de trens de pulsos ou a aplicação do controle da largura de pulso.
191
O termo trem de pulsos é usualmente utilizado para caracterizar um sinal de comando com uma
sequência de vários pulsos, normalmente retangulares. Aplicando-se o trem de pulsos ao gatilho, em
algum dos pulsos, o SCR estará habilitado à condução. Como em vários casos não será necessário saber
em qual pulso o SCR iniciou a condução, alguns pulsos adicionais são realizados, tornando o circuito de
comando para acionamento do componente mais simples.
Há uma largura de pulso mínima que garantirá que o SCR seja habilitado a conduzir. Com o valor da
tensão entre ânodo e catodo positiva, deve-se aplicar a largura de pulso no gatilho maior que a largura de
pulso mínima, garantindo-se a condução. Em seguida, retira-se o pulso do gatilho.
O início de condução do SCR pode ainda ser obtido por um método menos usual, denominado de
avalanche. Com o aumento do valor da tensão entre o ânodo e o catodo, há um determinado valor que
atingirá uma tensão que provocará a imediata habilitação do SCR à condução, sem necessidade de sinal de
comando no gatilho. Normalmente, esse valor de tensão é denominado de tensão de avalanche. De forma
análoga ao início de condução por sinal de comando no gatilho, o valor da corrente elétrica, através do
SCR, dependerá das características do circuito elétrico em questão.
Há modelos de tiristores análogos ao SCR. Pode-se até mesmo empregá-lo como uma melhoria para
algumas aplicações, diferenciando-se no início da condução. Há a possibilidade de habilitação através de
radiação luminosa, cujo sinal de comando será proveniente da incidência dos fótons sobre a superfície
dopada do tiristor, substituindo-se o sinal de comando no gatilho mencionado anteriormente.
O bloqueio do SCR é obtido quando a corrente através do componente do ânodo para o catodo atinja o
valor zero. Uma corrente de 0 A bloqueará o componente. Caso contrário, o componente ficará conduzindo.
A corrente poderá ser anulada naturalmente ou com auxílio de circuito de comutação forçada.
A curva característica ideal do SCR relaciona a corrente através do componente em função da tensão
entre os terminais ânodo e catodo. Através da curva, é possível definir todos os pontos de operação do SCR,
conforme pode ser observado na figura que segue.
c Disparo
Antonio Mees (2016)
a b
Figura 95 - Curva característica ideal do SCR
Fonte: SENAI (2016)
192
A curva mais usual é a que representa a característica real do SCR. A partir dela, pode-se relacionar os
valores reais nos pontos de operação do SCR, conforme pode ser observado na próxima figura.
IA(A) d
IGT > IG3 > IG2 > IG1 > 0
f V b
IG IG3 IG2 IG3 IG=0

eAK(V)
Antonio Mees (2016)

c
a
Figura 96 - Curva característica do SCR

Fonte: SENAI (2016)
Na figura anterior, é apresentada uma curva característica real do SCR. Acompanhe alguns destaques.
a) Nesta região, está aplicado sobre o componente um valor de tensão negativo entre os terminais
de ânodo e catodo, denominada de região de bloqueio reverso em que o componente não está
apto a receber um pulso no gatilho para iniciar a condução. A corrente desta região é usualmente
denominada de corrente de fuga reversa. Normalmente é um valor muito menor que a corrente
de condução direta. Nesta região, a corrente será praticamente de 0 A, um valor desprezível para a
maioria das aplicações. A tensão dependerá das características do circuito elétrico em questão.
b) Nesta região, há um valor de tensão positivo aplicado sobre o componente entre os terminais de
ânodo e catodo, denominada de região de bloqueio direto, em que o componente está bloqueado,
não está conduzindo, porém está apto a receber o sinal de comando no gatilho a qualquer instante
de tempo. A partir do instante em que há sinal de comando no gatilho, o componente iniciará a
condução e estará apto a conduzir. Durante a troca de estado, de não conduzindo para conduzindo,
a tensão sobre o componente decresce bruscamente, atingindo um valor aproximado de zero. Nesta
região, a corrente será praticamente de 0 A, um valor desprezível para a maioria das aplicações e a
tensão dependerá das características do circuito elétrico em questão.
193
c) O início da condução ocorre em um dos pontos quaisquer disponíveis. Para um determinado valor
de corrente no gatilho, o componente iniciará a condução. O valor de tensão entre ânodo e catodo
será decrescida aproximadamente a zero e o valor da corrente tenderá a aumentar para um valor que
dependerá das características do circuito. É interessante notar que, para cada valor de tensão positiva
entre o ânodo e catodo há um determinado valor mínimo que garantirá a entrada em condução do
componente. Exatamente no ponto de operação indicado na figura anterior, a corrente de gatilho
é nula. Para iniciar a condução pelo método de avalanche, é necessário atingir a maior tensão do
gráfico. É importante notar que, para cada valor de corrente no gatilho, há uma determinada tensão
de avalanche que iniciará a condução do componente, mesmo que não desejado.
d) Nesta região, o componente está conduzindo, a tensão será praticamente de 0 V, um valor desprezível
para a maioria das aplicações, e a corrente dependerá das características do circuito elétrico em
questão.
e) Neste ponto de operação, o componente está no limite de bloquear. Inicialmente, com o componente
em condução, diminuindo-se o valor da corrente através do componente abaixo deste valor de
corrente, o componente entrará em bloqueio. Este valor de corrente é usualmente denominado de
corrente de manutenção e depende do modelo empregado. Para o componente não bloquear, deve-
se sempre garantir um valor de corrente maior do que a corrente de manutenção do componente.
f ) Neste ponto de operação, o componente está no limite de iniciar uma avalanche no sentido reverso.
Usualmente é denominado de valor máximo de tensão reversa.
O funcionamento do SCR pode ser entendido através das curvas obtidas de um circuito típico de
controle de luminosidade. O circuito apresentado na figura, a seguir, contém os seguintes itens:
a) fonte de tensão alternada: responsável em fornecer energia ao circuito. A tensão da fonte é senoidal
e possui um valor de frequência fixo;
b) lâmpada: representa a carga aplicada ao circuito com característica puramente resistiva. Portanto, a
corrente elétrica através da carga será diretamente proporcional à tensão aplicada a carga;
c) SCR: atua como interruptor eletrônico no circuito. Através do componente, é fornecida energia à
carga;
d) controle: é o circuito de controle responsável pela geração do sinal de comando no gatilho do SCR.
194
Observe a figura.
Vent
ωt
VL
ωt
Lâmpada
V
Controle
SCR IL
ωt
Ig
Antonio Mees (2016)

ωt
α π 2π 2π+ α 3π
Figura 97 - Circuito elétrico e formas de onda
Fonte: SENAI (2016)
No circuito da figura anterior, a tensão da fonte de entrada com a forma de onda senoidal é aplicada
ao circuito série da lâmpada e o SCR. A forma de onda da tensão sobre a lâmpada e o SCR dependerá do
instante de tempo que é realizado o sinal de comando no gatilho para o SCR iniciar a condução. Desta
forma, para um ângulo de sinal de comando no gatilho do SCR no intervalo de 0 a π, apresenta-se as formas
de onda básicas. Pode-se dividir o funcionamento do seguinte modo. Acompanhe.
a) De ωt = 0 a ωt < α: neste intervalo, não houve disparo do SCR. Dessa forma, não há corrente elétrica
através do SCR e da lâmpada. Portanto, o valor da tensão na lâmpada é zero. A tensão no SCR é
igual à tensão da fonte de tensão alternada de entrada. O valor positivo possibilita ao SCR iniciar a
condução, visto que o valor de tensão positivo está polarizando diretamente o SCR.
b) Para ωt = α: nesse instante de tempo, há o disparo do SCR e o sistema de controle emite um sinal no
gatilho. Dessa forma, o componente iniciará a condução, estando apto a conduzir corrente elétrica
através do SCR e da lâmpada.
c) De ωt = α a ωt < π: Nesse intervalo, houve disparo do SCR. Dessa forma, há corrente elétrica através
do SCR e da lâmpada. Portanto, o valor da tensão na lâmpada é igual à tensão da fonte de tensão
alternada de entrada do circuito.
195
d) Para ωt = π: nesse instante de tempo, há o bloqueio do SCR, o valor da corrente elétrica através do
SCR e da lâmpada atingem o valor zero. Dessa forma, será finalizada a condução de corrente elétrica.
e) De ωt = π a ωt = 2π: nesse intervalo, o SCR está bloqueado. Dessa forma, não há corrente elétrica
através do SCR e da lâmpada. Portanto, o valor da tensão na lâmpada é zero. A tensão no SCR é igual
à tensão da fonte de tensão alternada de entrada e o valor negativo não possibilita o SCR iniciar a
condução, visto que o valor de tensão negativo está polarizando reversamente o SCR.
Uma aplicação atual muito comum em que é utilizado o SCR são os circuitos de chaves eletrônicas
de partida suave. Estas chaves são dispositivos eletrônicos muito empregados na indústria, amplamente
aplicados no acionamento de motores elétricos de corrente alternada. O dispositivo possibilita a variação
da tensão eficaz aplicada ao motor elétrico em função da variação do ângulo de início de condução do
SCR. A variação da tensão eficaz é proveniente do início de condução dos SCRs. Normalmente vários SCRs
compõem uma topologia de chave de partida suave.
O circuito elétrico básico de um modelo de chave de partida suave trifásico para o acionamento de um
motor elétrico está apresentado na figura que segue (a).
Motor
Vent de Carga
indução
3Ø
ωt
VL
S6 S5
Partida
S3 S4 suave
ωt S2 S1
Rede
R S T
CA
Ig
(a) Circuito elétrico da
chave de partida suave
ωt
α π π+α 2π 2π+ α 3π
Antonio Mees (2016)
I g1 I g2 I g1
(C) Forma de onda da tensão no motor (b) Braço da
e os pulsos no SCR1 e SCR2 saída U
Figura 98 - Circuito empregando SCRs e formas de onda

Fonte: SENAI (2016)
196
O circuito é constituído de diferentes etapas. Acompanhe.

a) Rede CA: a energia é proveniente de uma fonte de tensão trifásica. A rede elétrica é bastante comum.
b) Etapa a tiristores: é constituída de 6 SCRs, dispostos de tal modo a formar um retificador trifásico
controlado. Nesta etapa, ocorre a redução do valor de tensão eficaz.
c) Carga: representa o motor elétrico trifásico, que será acionado pelo conversor. Um modelo muito
usual é o motor de indução com gaiola de esquilo.
No circuito da figura anterior (a), a tensão da fonte trifásica de entrada com a forma de onda senoidal
é aplicada na etapa a tiristor. A etapa retificadora controlada a tiristor converterá a tensão de entrada
alternada de um valor eficaz para outro valor eficaz. Conforme o chaveamento particularmente correto
dos SCRs, aplica-se a tensão no motor com tensão eficaz maior ou menor.
Para simplificar a análise, pode-se avaliar os conjuntos de tiristores em antiparalelo da etapa a tiristor de
forma individual, conforme apresentado na figura anterior (b). Os interruptores S1 e S4 estão dispostos no
mesmo braço. Seu chaveamento será realizado da seguinte forma:
a) S1: no ângulo α, o SCR1 será habilitado para conduzir dentro da faixa 0° a 180°;
b) S4: no ângulo α, o SCR4 será habilitado para conduzir dentro da faixa 180° a 360°.
O SCR1 será habilitado a conduzir no semiciclo positivo e o SCR4 será habilitado a conduzir no
semiciclo negativo da fonte de tensão de entrada. Isso é aplicável a todos os demais conjuntos de tiristores
em antiparalelo, defasando-se de 120°. Para formar uma estrutura trifásica, obtêm-se a sequência de
chaveamento correto dos SCRs.
A forma de onda da tensão aplicada sobre o motor elétrico obtida a partir do chaveamento dos SCR e os
pulsos nos gatilhos dos tiristores SCR1 e SCR4 estão apresentadas na figura anterior (c).
De uma forma geral, há situações em que é desejável substituir um tiristor que possui a característica
unidirecional em corrente por um tiristor que possui a característica bidirecional em corrente. Há alguns
modelos denominados de bidirecionais.
3.10.3 BIDIRECIONAIS (DIAC E TRIAC)
Para iniciar a análise básica de funcionamento de um tiristor bidirecional, independentemente do

modelo empregado e da sua forma de comando, na figura seguinte, é apresentado um circuito eletrônico
envolvendo uma fonte de tensão alternada, um resistor de carga e um tiristor bidirecional atuando como
um interruptor eletrônico.
197
Fechado! I ≠0A Fachado! I ≠0A

Conduzido! Conduzido!
+ +
Vent Rcarga Vent Rcarga

VR VR
100Ω 100Ω
_ _
(a) Fechado em um sentido (b) Fechado em sentido oposto
Aberto! I =0A
Não conduzido!
+
Vent Rcarga
VR
100Ω
Antonio Mees (2016)

_
(c) Circuito elétrico não conduzido atavés do

interruntor eletrônico bidirecional aberto
Figura 99 - Circuitos elétricos conduzindo e não conduzindo através do interruptor eletrônico bidirecional
Fonte: SENAI (2016)
Na figura anterior (a), o tiristor está fechado, habilitado a conduzir. Portanto, a partir de características
do circuito, haverá uma corrente elétrica em um sentido. Similarmente, no item (b) da mesma figura, o
tiristor está fechado, habilitado a conduzir. Portanto, haverá uma corrente elétrica no sentido oposto ao da
figura (a). A possibilidade de conduzir nos dois sentidos torna o componente bidirecional em corrente. Na
figura (c), o tiristor bidirecional está aberto e não está habilitado a conduzir. Portanto, não haverá corrente
no circuito. Nesta posição, diz-se que o tiristor não está conduzindo, ou não está apto a conduzir.
Em várias aplicações práticas, é interessante a condução de corrente elétrica em dois sentidos. Essa
característica de componente bidirecional em corrente é obtida com o emprego do DIAC e do TRIAC.
DIAC
O componente denominado de diodo para corrente alternada, do inglês Diode for Alternating Current,
amplamente conhecido pela sigla DIAC, é um tiristor bidirecional utilizado em muitas aplicações. O
componente apresenta característica bidirecional em corrente, possibilitando-se a existência de corrente
através do componente em ambos os sentidos, do ânodo para o catodo e do catodo para o ânodo.
198
O DIAC é constituído basicamente de 5 camadas: 2 camadas de dopagem P e 3 camadas de dopagem

N, dispostas conforme a próxima figura (a), formando-se uma estrutura equivalente de duas estruturas
PNPN em antiparalelo. Adicionalmente, no componente, há dois terminais para a conexão, conforme
apresentado na figura (b). Os terminais são normalmente denominados de:
a) (T2) Terminal T2;
b) (T1) Terminal T1.
O símbolo do DIAC é apresentado na figura (c).
T2
T2
P N
N T2
P1
N P
N1
P N
P2 N P T1
N
T1
T1
(a) (b) (c)
Antonio Mees (2016)

Legenda:
(a) Camadas de dopagem do DIAC;
(b) Duas estruturas PNPN em antiparalelo equialente ao DIAC;
(c) Símbolo do DIAC.
Figura 100 - Camadas e simbologia do DIAC
Fonte: SENAI (2016)
O início de condução do DIAC é obtido pelo método denominado de avalanche. Com o aumento do
valor da tensão entre o ânodo e o catodo, há um determinado valor que atingirá uma tensão que provocará
a imediata habilitação do DIAC à condução, sem necessidade de qualquer sinal de comando adicional.
Normalmente, esse valor de tensão é denominado de tensão de avalanche. O valor da corrente elétrica
através do DIAC dependerá das características do circuito elétrico em questão.
O bloqueio do DIAC é obtido quando a corrente através do componente, do ânodo para o catodo, atinja
o valor zero. Caso contrário, o componente ficará conduzindo. A corrente poderá ser anulada naturalmente
ou com auxílio de circuito de comutação forçada.
A curva característica do DIAC relaciona a corrente através do componente em função da tensão entre
os terminais T2 e T1. Assim, por meio da curva, é possível definir todos os pontos de operação do DIAC.
199
Observe a figura seguinte.
I
c
a
f
d
V
h
b

e
g
Figura 101 - Curva característica do DIAC

Fonte: SENAI (2016)
Na figura anterior, é apresentada uma curva característica do DIAC. Acompanhe alguns destaques.
a) Nesta região, há um valor de tensão positivo aplicado sobre o componente entre os terminais de
T2 e T1, denominada de região de bloqueio direto, em que o componente está bloqueado. A partir
do instante de tempo, em que o valor da tensão de avalanche é atingido, o componente iniciará a
condução. Nesta região, a corrente será praticamente de 0 A, um valor desprezível para a maioria
das aplicações e a tensão dependerá das características do circuito em questão. Analogamente ao
apresentado para o SCR, durante a troca de estado, de não conduzindo para conduzindo, a tensão
sobre o componente decresce bruscamente, atingindo um valor aproximadamente de zero.
b) O ponto de operação representa o valor de tensão que o componente deverá atingir na condução pelo
método de avalanche. O valor de tensão entre os terminais T2 e T1 será decrescido aproximadamente
a zero e o valor da corrente tenderá a aumentar para um valor, que dependerá das características do
circuito.
c) Nesta região, o componente está conduzindo, a tensão será praticamente de 0 V, um valor desprezível
questão.
d) Neste ponto de operação, o componente está no limite de bloquear, inicialmente com o componente
em condução, caso o valor da corrente através do componente diminuir abaixo deste valor de
corrente, o componente entrará em bloqueio. Este valor de corrente é usualmente denominado de
corrente de manutenção e depende do modelo empregado. Para o componente não bloquear, deve-
se sempre garantir um valor de corrente maior do que a corrente de manutenção do componente.
200
e) Nesta região, o componente operará de forma similar ao apresentado no destaque “a”. Há um valor
de tensão negativo aplicado sobre o componente entre os terminais de T2 e T1, denominada de
região de bloqueio reverso, em que o componente está bloqueado, não está conduzindo. A partir do
instante de tempo em que o valor da tensão de avalanche negativo é atingido, o componente iniciará
a condução no sentido contrário ao destaque a. Para a mesma referência do sentido da corrente do
destaque a, o valor de corrente será negativo. Os demais detalhes apresentados do destaque a são
válidos para o e.
f ) Neste ponto, o componente operará de forma similar ao apresentado no destaque b. O ponto de
operação representa o valor de tensão que o componente deverá atingir à condução pelo método
de avalanche no sentido contrário, para iniciar a condução de um valor de corrente negativa. Os
demais detalhes apresentados do destaque b são válidos para o f.
g) Nesta região, o componente operará de forma similar ao apresentado no destaque c e o componente
está conduzindo no sentido negativo. Os demais detalhes apresentados do destaque c são válidos
para o g.
h) Neste ponto de operação, o componente se comporta de forma similar ao apresentado no destaque
d. O componente está no limite de bloquear. Inicialmente, com o componente em condução, com
valor de corrente negativo, no instante que o valor da corrente através do componente se aproximar
de zero, aproximando-se de um valor limite de corrente, o componente entrará em bloqueio. Os
demais detalhes apresentados do destaque d são válidos para o h.
Uma aplicação típica do DIAC é o controle de disparo a partir de um valor de tensão. Este pode ser
compreendido através do circuito apresentado na figura seguinte, contendo os itens a seguir.
a) Fonte de tensão alternada: responsável em fornecer energia ao circuito. A tensão da fonte é senoidal
e possui um valor de frequência fixo.
b) Lâmpada: representa a carga aplicada ao circuito com característica puramente resistiva. Portanto, a
corrente elétrica através da carga será diretamente proporcional à tensão aplicada à carga.
c) DIAC: atua como interruptor eletrônico bidirecional no circuito, através do componente é fornecida
energia à carga.
201
Vent
ωt
IL VL
Lâmpada
Vent
DIAC VDIAC
VL
ωt
IL

ωt
α π π+ α 2π 2π+ α 3π
Figura 102 - Circuito elétrico e formas de onda empregando o DIAC

Fonte: SENAI (2016)
No circuito da figura anterior, a tensão da fonte de entrada com a forma de onda senoidal é aplicada
ao circuito série da lâmpada e o DIAC. A forma de onda da tensão sobre a lâmpada e o DIAC dependerá
dos instantes de tempo em que serão iniciadas as conduções. Desta forma, para um primeiro ângulo no
intervalo de 0 a π e um segundo ângulo que o componente atinge a tensão de avalanche no intervalo de
π a 2π, apresenta-se na figura anterior as formas de onda básicas. Pode-se dividir o funcionamento, como
apresentado a seguir.
a) De ωt = 0 a ωt < α: neste intervalo, o valor da tensão aplicado ao DIAC não atingiu o valor da tensão
de avalanche direta necessário para iniciar a condução. Dessa forma, não há corrente elétrica através
do DIAC e da lâmpada, portanto o valor da tensão na lâmpada é zero. A tensão no DIAC é igual a
tensão da fonte de tensão alternada de entrada.
b) Para ωt = α: neste instante de tempo, o valor de tensão no DIAC atinge o valor da tensão de avalanche.
Assim, o componente iniciará a condução e estará apto a conduzir corrente elétrica positiva através
do DIAC e da lâmpada.
c) De ωt = α a ωt < π: neste intervalo, o DIAC está conduzindo. Dessa forma, há corrente elétrica positiva
através do DIAC e da lâmpada. Portanto, o valor da tensão na lâmpada é igual à tensão da fonte de
tensão alternada de entrada do circuito.
202
d) Para ωt = π: neste instante de tempo, há o bloqueio do DIAC, o valor da corrente elétrica através do
DIAC e da lâmpada atingem o valor zero. Assim, será finalizada a condução de corrente elétrica.
e) De ωt = π a ωt < π+α: neste intervalo, o componente operará de forma similar ao intervalo de ωt = 0
a ωt < a. Além disso, o valor da tensão aplicado ao DIAC não atingiu o valor da tensão de avalanche
reversa necessário para iniciar a condução. Assim, não há corrente elétrica através do DIAC e da
lâmpada. Portanto, o valor da tensão na lâmpada é zero. A tensão no DIAC é igual à tensão da fonte
de tensão alternada de entrada.
f ) Para ωt = π+α: neste ponto, o componente operará de forma similar ao ponto de ωt = α. Neste
instante de tempo, o valor de tensão no DIAC atinge o valor de tensão de avalanche reverso. Dessa
forma, o componente iniciará a condução, estando apto a conduzir corrente elétrica negativa através
do DIAC e da lâmpada.
g) De ωt = π+α a ωt < 2π: neste intervalo, o componente operará de forma similar ao intervalo de ωt =
α a ωt < π. Além disso, o DIAC está conduzindo e há corrente elétrica negativa através do DIAC e da
lâmpada. Portanto, o valor da tensão na lâmpada é igual à tensão da fonte de tensão alternada de
entrada do circuito.
h) Para ωt = 2π: neste ponto, o componente operará de forma similar ao ponto de ωt= π. Neste instante
de tempo, há o bloqueio do DIAC, o valor da corrente elétrica através do DIAC e da lâmpada atingem
o valor zero, sendo finalizada a condução de corrente elétrica negativa.
Conceituado o DIAC, pode-se estender a um componente com particularidades similares, mas com a
vantagem de controle de acionamento, este será apresentado na sequência.
TRIAC
O componente denominado de triodo para corrente alternada, do inglês Triode for Alternating Current,
amplamente conhecido pela sigla TRIAC, é um tiristor bidirecional largamente utilizado em diversas
aplicações. O componente apresenta característica bidirecional em corrente, possibilitando a existência
de corrente através do componente em ambos os sentidos: do ânodo para o catodo e do catodo para o
ânodo, adicionalmente um terminal de gatilho para o componente iniciar a condução.
203
Observe a próxima figura.
T2 T2
P N T2 T2
N
P
N P
N Gatilho P N Gatilho Gatilho
F N P
T1 T1
N N

T1
G T1
(a) (b) (c) (d)
(a) Camadas de dopagem do TRIAC;
(b) Duas estruturas PNPN em antiparalelo com terminal de gatilho equivalente ao TRIAC;
(c) Dois componentes SCR em antiparalelo equivalente ao TRIAC;
(d) Símbolo do TRIAC;
Figura 103 - Camadas, circuito equivalente e símbolo do TRIAC

Fonte: SENAI (2016)
O TRIAC é constituído basicamente de 5 camadas: 2 camadas de dopagem P e 3 camadas de dopagem

N, dispostas conforme a figura anterior (a), formando-se uma estrutura equivalente de duas estruturas
PNPN em antiparalelo. Adicionalmente, no componente há dois terminais para a conexão do componente,
conforme apresentado na figura (b). Os terminais são normalmente denominados de:
a) (T2) Terminal T2;
b) (T1) Terminal T1;
c) (G) Gatilho.
A característica de um TRIAC de corrente bidirecional com terminal de gatilho se assemelha à união
de dois SCR em antiparalelo. Cada SCR possibilita a condução em um sentido. Dessa forma, é obtida a
possibilidade de condução em ambos os sentidos, conforme apresentado na figura anterior (d). É bastante
usual o emprego dos SCR em antiparalelo, principalmente em casos de não disponibilidade de um TRIAC.
O símbolo do TRIAC é apresentado na figura (d).
O início de condução do TRIAC através de um comando no gatilho pode ser obtido com um potencial
elétrico do T2 maior que o potencial elétrico do T1 em relação a uma determinada referência. Com um
valor de tensão entre os terminais T2 e T1 positivo, o componente estará apto a receber o sinal positivo
de comando no gatilho. Com uma tensão positiva entre os terminais T2 e T1. Aplicando-se um sinal de
comando no gatilho, o TRIAC conduzirá em um sentido, há fechamento do interruptor eletrônico e se
garante que o componente está apto a conduzir. O valor da corrente elétrica dependerá das características
do circuito em questão.
204
O início de condução do TRIAC no sentido oposto através de um comando no gatilho pode ser obtido
com um potencial elétrico do T2 menor que o potencial elétrico do T1 em relação a uma determinada
referência. Com um valor de tensão entre os terminais T2 e T1 negativa, o componente estará apto a
receber o sinal negativo de comando no gatilho. O valor da corrente elétrica dependerá das características
do circuito elétrico em questão.
O sinal de comando poderá ser somente positivo ou negativo. Da mesma forma, será possível realizar a
habilitação do componente, a importante diferença será a sensibilidade à atuação.
Ao garantir que o TRIAC está realmente conduzindo, não é mais necessário o sinal de comando. Pode-se
remover o sinal e o TRIAC permanecerá conduzindo normalmente sem qualquer sinal adicional de comando
ou inserção de energia. A garantia de condução para remoção de um sinal de comando dependerá de
características do componente e do circuito. Pode-se aplicar várias técnicas: trens de pulsos ou com o
controle da largura de pulso.
O início de condução do TRIAC pode ainda ser obtido por um método menos usual, isto é, pelo método
de avalanche. Com o aumento do valor da tensão entre os terminais T1 e T2, independentemente de um
valor positivo ou negativo, aplicável à condução de ambos os sentidos, há um determinado valor que
atingirá uma tensão que provocará a imediata habilitação do TRIAC à condução, sem necessidade de sinal
de comando no gatilho. Normalmente esse valor de tensão é denominado de tensão de avalanche. De
forma análoga ao início de condução por sinal de comando no gatilho, o valor da corrente elétrica através
do TRIAC dependerá das características do circuito em questão.
A curva característica TRIAC relaciona a corrente através do componente em função da tensão entre os
terminais T2 e T1. A partir da curva apresentada na figura, a seguir, é possível definir todos os pontos de
operação do TRIAC.
c Disparo
V
a b
Disparo d
Figura 104 - Curva característica ideal do TRIAC

Fonte: SENAI (2016)
Na figura anterior, é apresentada uma curva característica ideal do TRIAC. Acompanhe alguns destaques.
205
a) Nesta região, há um valor de tensão negativo aplicado sobre o componente entre os terminais de T2
e T1, denominada de região de bloqueio. Mesmo nesta região, o componente, está apto a receber o
sinal de comando no gatilho a qualquer instante de tempo.
b) Há um valor de tensão positivo aplicado sobre o componente entre os terminais de T2 e T1,
denominada de região de bloqueio direto, em que o componente está bloqueado. Mesmo nesta
região, o componente, está apto a receber o sinal de comando no gatilho a qualquer instante de
tempo.
c) O componente está conduzindo positivamente. Como se trata do caso ideal, o valor da tensão é 0 V
e o valor da corrente dependerá do circuito em questão.
Nesta região, o componente está conduzindo negativamente. Como se trata do caso ideal, o valor da
tensão é 0 V e o valor da corrente dependerá do circuito em questão.
I
c
a
f
d
IG4 IG3 IG2 IG1 IG=O
V

IG=O IG8 IG7 IG6 IG5
h
b
e
g
Figura 105 - Curva característica do TRIAC

Fonte: SENAI (2016)
Na figura anterior, é apresentada uma curva característica real do TRIAC. Observe alguns destaques a
seguir.
a) Nesta região, há um valor de tensão positivo aplicado sobre o componente entre os terminais de T2 e
T1, denominada de região de bloqueio direto, em que o componente está bloqueado. O componente
não está conduzindo, porém está apto a receber o sinal de comando no gatilho a qualquer instante
de tempo. A partir do instante em que há sinal de comando no gatilho, o componente iniciará a
condução e estará apto a conduzir. Nesta região, a corrente será praticamente de 0 A, um valor
desprezível para a maioria das aplicações e a tensão dependerá das características do circuito elétrico
em questão. Analogamente nos demais tiristores apresentados, durante a troca de estado, de não
conduzindo para conduzindo, a tensão sobre o componente decresce bruscamente, atingindo um
valor aproximadamente de zero.
206
b) O ponto representa uma das possíveis regiões disponíveis para iniciar a condução. Para um
determinado valor de corrente no gatilho, o componente iniciará a condução, o valor de tensão
entre os terminais T2 e T1 será decrescida aproximadamente a zero e o valor da corrente tenderá a
aumentar para um valor que dependerá das características do circuito. É interessante notar que, para
cada valor de tensão positiva entre o ânodo e catodo, há um determinado valor mínimo que garantirá
a entrada em condução do componente. Exatamente no ponto de operação indicado, a corrente de
gatilho é nula. Para iniciar a condução pelo método de avalanche, é necessário atingir a maior tensão
do gráfico. É importante notar que, para cada valor de corrente no gatilho há uma determinada
tensão de avalanche, que iniciará a condução do componente, mesmo que não desejado.
c) Nesta região, o componente está conduzindo, a tensão será praticamente de 0 V, um valor desprezível
questão.
d) Neste ponto de operação, o componente está no limite de bloquear. Com o componente em
condução, caso o valor da corrente diminuir abaixo de um determinado valor, o componente
entrará em bloqueio. Este valor de corrente é usualmente denominado de corrente de manutenção
e depende do modelo empregado. Para o componente não bloquear, deve-se sempre garantir um
valor de corrente maior do que a corrente de manutenção.
e) Nesta região, o componente operará de forma similar ao apresentado no destaque a, há um valor de
tensão negativo aplicado sobre o componente entre os terminais de T2 e T1, denominada de região
de bloqueio reverso, em que o componente está bloqueado. Não está conduzindo, porém está apto
a receber o sinal de comando no gatilho a qualquer instante para conduzir no sentido contrário do
destaque a. Para a mesma referência do sentido da corrente do destaque a, o valor da corrente será
negativo. Os demais detalhes apresentados do destaque a são válidos para o e.
f ) Neste ponto, o componente operará de forma similar ao apresentado no destaque b. Para um
determinado valor de corrente no gatilho, o componente iniciará a condução de corrente negativa.
Os demais detalhes apresentados do destaque b são válidos para o f.
g) Nesta região, o componente operará de forma similar ao apresentado no destaque c, ou seja, o
componente está conduzindo no sentido negativo. Os demais detalhes apresentados do destaque
c são válidos para o g.
h) Neste ponto de operação, o componente operará de forma similar ao apresentado no destaque d.
Esse componente está no limite de bloquear, inicialmente em condução de corrente negativa. Caso
o valor da corrente através do componente diminuir abaixo deste valor, o componente entrará em
bloqueio. Os demais detalhes apresentados do destaque d são válidos para o h.
Conceituado os detalhes do TRIAC, pode-se analisar uma típica aplicação empregando o modelo de
tiristor.
O circuito elétrico apresentado na figura seguinte contém os itens apresentados na sequência.
a) Fonte de tensão alternada: responsável em fornecer energia ao circuito, a tensão da fonte é senoidal
e possui um valor de frequência fixo.
207
b) Lâmpada: representa a carga aplicada ao circuito com característica puramente resistiva. Portanto, a
corrente elétrica através da carga será diretamente proporcional a tensão aplicada a carga.
c) TRIAC: atua como interruptor eletrônico bidirecional no circuito. Através desse componente é
fornecida energia à carga.
d) Controle: é o circuito de controle responsável pela geração do sinal de comando no gatilho do TRIAC.
Lâmpada
V ~ Controle Triac
Vent
VL
IL
ω
Ig
ω
α π π+α 2π 2π+α 3π
Figura 106 - Circuito elétrico e formas de onda
Fonte: SENAI (2016)
208
No circuito da figura anterior, a tensão da fonte de entrada com a forma de onda senoidal é aplicada ao
circuito série da lâmpada e o TRIAC. A forma de onda da tensão sobre a lâmpada e o TRIAC dependerá do
instante de tempo em que são realizados os sinais de comando no gatilho para o TRIAC iniciar a condução.
Desta forma, para um primeiro ângulo, no intervalo de 0 a π e um segundo ângulo de sinal de comando
no gatilho no intervalo de π a 2π, apresenta-se na figura as formas de onda básicas. Pode-se dividir o
funcionamento de maneira como apresentado a seguir.
a) De ωt = 0 a ωt < α: neste intervalo, não houve disparo do TRIAC. Dessa forma, não há corrente elétrica
através do TRIAC e da lâmpada, portanto o valor da tensão na lâmpada é zero. A tensão no TRIAC é
igual à tensão da fonte de tensão alternada de entrada. O valor positivo possibilita o TRIAC iniciar a
condução de corrente no sentido positivo.
b) Para ωt = α: neste instante de tempo, há o disparo do TRIAC e o sistema de controle emite um sinal no
gatilho. Dessa forma, o componente iniciará a condução, estando apto a conduzir corrente elétrica
positiva através do TRIAC e da lâmpada.
c) De ωt = α a ωt < π: neste intervalo, houve disparo do TRIAC. Assim, há corrente elétrica positiva
através do TRIAC e da lâmpada. Portanto, o valor da tensão na lâmpada é igual à tensão da fonte de
tensão alternada de entrada do circuito.
d) Para ωt = π: neste instante de tempo, há o bloqueio do TRIAC, o valor da corrente elétrica através do
TRIAC e da lâmpada atingem o valor zero, finalizando a condução de corrente elétrica.
e) De ωt = π a ωt < π+α: neste intervalo, o componente operará de forma similar ao intervalo de ωt = 0 a
ωt < α. Neste intervalo, não houve disparo do TRIAC. Assim, não há corrente elétrica através do TRIAC
e da lâmpada, sendo, portanto, o valor da tensão na lâmpada zero. A tensão no TRIAC é igual à tensão
da fonte de tensão alternada de entrada. O valor negativo possibilita o TRIAC iniciar a condução de
corrente no sentido negativo.
f ) Para ωt = π+α: neste ponto, o componente operará de forma similar ao ponto de ωt = α. Neste
instante, há o disparo do TRIAC no sentido oposto e o sistema de controle emite um sinal no gatilho.
Dessa forma, o componente iniciará a condução, estando apto a conduzir corrente elétrica negativa
através do TRIAC e da lâmpada.
g) De ωt = π+α a ωt < 2π: neste intervalo, o componente operará de forma similar ao intervalo de ωt
= α a ωt < π. Neste intervalo, houve disparo do TRIAC no sentido oposto. Assim, há corrente elétrica
negativa através do TRIAC e da lâmpada. Portanto, o valor da tensão na lâmpada é igual à tensão da
fonte de tensão alternada de entrada do circuito.
h) Para ωt = 2π: neste ponto, o componente operará de forma similar ao ponto de ωt = π. Neste instante,
há o bloqueio do TRIAC e o valor da corrente elétrica através do TRIAC e da lâmpada atingem o valor
zero, finalizando a condução de corrente elétrica negativa.
A aplicação dos tiristores em circuitos exige a análise da folha de dados do modelo de componente
utilizado, de modo que durante todo o projeto sejam analisadas diversas particularidades.
209
Os parâmetros de projeto para a correta aplicação de um componente estão apresentados na folha

de dados, em que o fabricante do componente fornecerá as informações necessárias para auxiliar no
desenvolvimento de um projeto. É muito interessante familiarizar-se com a análise das folhas de dados e
entendê-las. Algumas informações básicas, mas ao mesmo tempo muito importantes para a aplicação dos
tiristores, serão listadas a seguir.
a) Configuração dos terminais: será apresentada a configuração dos terminais para os encapsulamentos
disponíveis. Na figura seguinte, será apresentado um modelo de componente com a configuração
dos terminais.
K AG
Figura 107 - Configuração dos terminais do componente
Fonte: SENAI (2016)
b) Corrente média máxima: representa o máximo valor médio de corrente elétrica que poderá existir
através do componente para não o danificar. A unidade de medida é o ampere (A).
c) Corrente eficaz máxima: representa o máximo valor eficaz de corrente elétrica que poderá existir
através do componente para não o danificar. A unidade de medida é o ampere (A).
d) Tensão de bloqueio direta máxima: representa o máximo valor de tensão direta que poderá existir
através do componente. A unidade de medida é o volt (V).
e) Tensão de bloqueio reversa máxima: representa o máximo valor de tensão reversa que poderá existir
através do componente. A unidade de medida é o volt (V).
f ) Tensão de condução: representa o valor aproximado de tensão para o componente operando em
condução. Certamente o valor será somente uma aproximação. Para valores mais apurados, deve-se
buscar metodologias com modelos diferenciados. A unidade de medida é o volt (V).
g) Potência média de gatilho: é o valor de potência média aplicada ao gatilho que garantirá o início da
condução do componente, certamente considerando a polarização. A unidade de medida é o watt
(W).
210
h) Corrente do gatilho máxima: representa o valor máximo que pode ser aplicado ao gatilho para não
danificar o componente. A unidade de medida é o ampere (A).
i) Temperatura da junção: representa a máxima temperatura de junção do componente que não o
danificará. Com base neste valor, calcula-se o dissipador para otimizar a aplicação. A unidade de
medida é o grau Celsius (°C).
A seguir, será apresentado um exemplo de características de um tiristor, listadas na forma de tabela, que
normalmente serão apresentadas pelos fabricantes do componente.

Corrente média máxima 8 A
Corrente eficaz máxima 12 A
Tensão de bloqueio direta máxima 100 V
Tensão de condução 100 V
Potência média de gatilho 500 mW
Corrente do gatilho máxima 2 A
Temperatura da junção 120 °C
Tabela 18 - Exemplo de tabela de dados de um componente
Fonte: SENAI (2016)
Um componente para suprir algumas necessidades tecnológicas e alavancar a eletrônica, mais

precisamente a eletrônica de potência, é denominado de transistor bipolar com porta isolada. O
componente é muito empregado em sistemas de processamento de energia. Portanto, no contexto de
processamento, possibilitou a substituição de diversas topologias empregadas com outros interruptores
eletrônicos, devido a algumas características intrínsecas particulares deste interruptor. Conheça melhor
esse tema na próxima seção.
3.11 TRANSISTOR BIPOLAR COM PORTA ISOLADA (IGBT)
O transistor bipolar com porta isolada é amplamente conhecido pela sigla IGBT, do inglês Insulated Gate
Bipolar Transistor. É um componente eletrônico construído a partir de material semicondutor, normalmente
denominado de interruptor eletrônico. A principal finalidade de um IGBT é atuar em um determinado
circuito elétrico analogamente a um interruptor, com a função básica de alterar o circuito, fechar ou abrir
um circuito elétrico, conduzir ou não conduzir a corrente elétrica.
Para iniciar a análise básica de funcionamento de um IGBT, independentemente do modelo empregado,
a sua aplicação é atuar naturalmente como um interruptor eletrônico nas posições descritas a seguir.
a) Aberto: nesta posição, o IGBT não está conduzindo, sendo bastante comum o emprego do termo
bloqueado. Idealmente o valor da corrente é zero e o valor da tensão dependerá do circuito em
questão.
211
b) Fechado: nesta posição, o IGBT está conduzindo, o valor da corrente dependerá das características
do circuito elétrico e idealmente o valor da tensão será zero.
A escolha do modelo de IGBT a ser utilizado em uma determinada aplicação dependerá das características
do circuito elétrico envolvido, alguns itens que normalmente devem ser observados:
a) faixa de potência processada pelo componente;
b) frequência de operação;
c) valores de corrente;
d) valores de tensão;
e) tempos de crescimento e decrescimento das grandezas tensão e corrente;
f ) não idealidades intrínsecas específicas do componente;
g) custo;
h) volume.
Há muitas aplicações que envolvem o IGBT. Algumas típicas aplicações são:
a) controle de motores;
b) conversores diversos.
Para um estudo mais aprofundado dos transistores IGBT, primeiramente será explorado como são
basicamente constituídos, de forma que seja possível abranger uma análise do seu funcionamento básico.
3.11.1 CONSTRUÇÃO
O componente IGBT é caracterizado pela similaridade de algumas de suas caraterísticas com as dos
transistores BJT e MOSFET. De certa forma, algumas características interessantes de ambos são unidas
com a finalidade de se obter um terceiro componente, mais otimizado para algumas aplicações. Citam-se
algumas características do IGBT:
a) aplicabilidade para valores elevados de corrente;
b) aplicabilidade para valores elevados de tensão;
c) o valor das perdas em condução é pequeno;
d) o acionamento é realizado através do gatilho com necessidade de valor de potência relativamente
pequeno;
e) há possibilidade de operar com o valor da frequência de chaveamento bastante elevado;
f ) a troca do estado de bloqueado para o estado conduzindo apresenta tempo relativamente pequeno;
g) apresenta perdas elevadas durante a transição do estado de conduzindo para o estado de bloqueio;
212
h) o valor das capacitâncias parasitas é reduzido;

i) o componente é compacto, sendo que há vários modelos que facilitam muito as aplicações industriais.
O símbolo do IGBT é apresentado na próxima figura. Os terminais são normalmente denominados de:
a) (C) coletor;
b) (E) emissor;
c) (G) gatilho: terminal de comando.
C Coletor
G
Gatilho
E Emissor
Figura 108 - Símbolo do IGBT
Fonte: SENAI (2016)
O componente possui muitas particularidades. Por isso, deverá ser analisada a sua operação.
3.11.2 OPERAÇÃO
A curva característica do IGBT relaciona a corrente de coletor em função da tensão entre os terminais
coletor e emissor do componente para cada valor de corrente elétrica aplicada ao gatilho. Através da curva,
é possível definir todos os pontos de operação do IGBT.
213
Observe, na figura, a seguir, a curva característica de um IGBT.
Região de Região Vge4>Vge3>Vgel

ic (A) saturação linear
c
VGE4
VGE3
d
VGE2

VGE1
(v)
VCE
a b
Figura 109 - Curva característica de um IGBT
Fonte: SENAI (2016)
Na sequência, serão apresentadas algumas informações a partir dos destaques da figura anterior.
Acompanhe.
a) Nesta região, está aplicado sobre o componente um valor de tensão negativo entre os terminais
de coletor e emissor, denominada de região de bloqueio reverso. Neste caso, o componente não
está apto a receber tensão no gatilho para iniciar a condução. A corrente desta região é usualmente
denominada de corrente de fuga reversa, normalmente é um valor muito menor que a corrente
de condução direta. Nesta região, a corrente será praticamente de 0 A, um valor desprezível para
a maioria das aplicações, e a tensão dependerá das características do circuito elétrico em questão.
b) Há um valor de tensão positivo aplicado sobre o componente entre os terminais de coletor e emissor,
denominada de região de bloqueio direto, em que o componente está bloqueado, isto é, não está
conduzindo, porém está apto a receber o sinal de tensão no gatilho a qualquer instante de tempo.
A partir do instante em que há sinal de comando no gatilho, o componente iniciará a condução,
além de estar apto a conduzir. Analogamente ao apresentado nos demais interruptores eletrônicos,
durante a troca de estado, de não conduzindo para conduzindo, a tensão sobre o componente
decresce bruscamente, atingindo um valor aproximadamente de zero. Nesta região, a corrente será
praticamente de 0 A, um valor desprezível para a maioria das aplicações, e a tensão dependerá das
características do circuito em questão;
214
c) O ponto representa uma das possíveis regiões disponíveis para condução. Para um determinado valor
de tensão entre o gatilho e o emissor, o componente conduzirá na curva correspondente. O valor
de tensão entre o coletor e o emissor será decrescida aproximadamente a zero e o valor da corrente
tenderá a aumentar para um valor que dependerá das características do circuito. É importante notar
que, para cada valor de corrente de coletor, há um valor de tensão entre o coletor e o emissor. No caso
real, como há corrente e tensão, certamente há um valor de potência, que representa basicamente
as perdas por condução no componente. Para reduzir as perdas, o componente deverá operar nas
proximidades da região de operação. A escolha do ponto ótimo de trabalho dependerá de vários
fatores adicionais, que deverão ser avaliados em conjunto com o restante do circuito. É importante
notar que para cada valor de tensão no gatilho há uma determinada curva para o componente de
corrente do coletor em função da tensão entre o coletor e o emissor;
d) Nesta região, o componente está conduzindo e a tensão entre o coletor e o emissor dependerá da
curva estabelecida. Para análises iniciais, pode-se analisar o caso ideal de valor de tensão zero e a
corrente dependerá das características do circuito elétrico em questão. Durante a troca de estado,
ainda não citado para os demais interruptores eletrônicos, no instante de transição, ocorrem as
perdas por comutação, dependendo da faixa da frequência de chaveamento poderá afetar muito
na aplicação.
Uma aplicação muito comum utilizada atualmente é o IGBT. São circuitos de conversores, muito
empregados na indústria. Outras aplicações típicas são as topologias para o acionamento de motores
elétricos de corrente alternada ou outros para o acionamento de fornos indutivos.
Um conversor amplamente aplicado no ramo industrial é o conversor de frequência, devido à
necessidade de controle de máquinas rotativas. Esse dispositivo possibilita a variação de velocidade
do motor elétrico em função da variação da frequência aplicada ao motor. A variação da frequência é
proveniente do chaveamento do IGBT. Normalmente vários IGBTs compõem uma topologia de conversor.
O circuito elétrico básico de um modelo de conversor de frequência trifásico CA-CA para o acionamento
de um motor elétrico está apresentado na figura seguinte (a). O circuito é constituído de diferentes etapas.
Acompanhe.
a) Rede CA: a energia é proveniente de uma fonte de tensão trifásica e a rede elétrica é bastante comum.
b) Etapa retificadora: é constituída de 6 diodos, dispostos de tal modo a formar um retificador trifásico.
Nesta etapa, ocorre a conversão de corrente alternada para corrente contínua.
c) Barramento CC: constitui-se basicamente de um filtro LC, com a função de acoplamento entre a
entrada em corrente alternada e a saída em corrente alternada. Há técnicas com estudos avançados
que possibilitam a retirada da etapa.
d) Etapa inversora: é constituída de 6 IGBTs e 6 diodos, dispostos de modo a formar 3 fases de saída,
normalmente denominados de 3 braços de potência. Nesta etapa, ocorre a conversão de corrente
contínua para corrente alternada.
215
e) Carga: representa o motor elétrico trifásico que será acionado pelo conversor. Um modelo muito
usual é o motor de indução com gaiola de esquilo.
L IGBT IGBT IGBT

D1 D2 D3 1 2 3 1
+ VDC Motor + VDC

R U
S C de
V U
T - IGBT IGBT IGBT indução - IGBT
D4 D5 D6 4 5 6 W 3Ø 4
Carga
Rede Etapa Barramento Etapa Braço

CA retificadora CC inversora inversor
a) Circuito elétrico do conversor de frequência b) Braço inversor da saída U

CA-CA acionando um motor
S1 S1 S1
S4 S4
ωt
S2 S2 S2
S5 S5 S5
ωt
S3 S3
S6 S6 S6
ωt
c) Formas de onda do acionamento dos IGBTs
VES
Fundamental
d) Forma de onda da tensão e da corrente no motor
Figura 110 - Conversor CA-CA acionando um motor

Fonte: SENAI (2016)
216
No circuito da figura anterior (a), a tensão da fonte trifásica de entrada com a forma de onda senoidal
é aplicada à etapa retificadora, que converterá a tensão de entrada de alternada para contínua. Com a
utilização do circuito, as ondulações de tensão e corrente são amenizadas pelo filtro LC, obtendo-se uma
tensão praticamente constante no barramento CC. Conforme o chaveamento particular dos IGBTs, aplica-
se a tensão do barramento CC no motor, obtendo uma tensão no motor com forma de onda quadrada, mas
com corrente senoidal, devido à característica indutiva do motor.
Para o intervalo de 0 a 360°, apresenta-se, na figura anterior (c), as formas de chaveamento dos
interruptores, sendo que nível alto representa que o IGBT está conduzindo e nível baixo que o IGBT não
está conduzindo. Pode-se dividir o funcionamento do seguinte modo:
a) S1, S5 e S3: neste intervalo, estão habilitados a conduzir o IGBT 1, o IGBT 5 e o IGBT 3.
b) S1, S5 e S6: neste intervalo, estão habilitados a conduzir o IGBT 1, o IGBT 5 e o IGBT 6.
c) S1, S2 e S6: neste intervalo, estão habilitados a conduzir o IGBT 1, o IGBT 2 e o IGBT 6.
d) S4, S2 e S6: neste intervalo de tempo estão habilitados a conduzir o IGBT 4, o IGBT 2 e o IGBT 6.
e) S4, S2 e S3: neste intervalo, estão habilitados a conduzir o IGBT 4, o IGBT 2 e o IGBT 3.
f ) S4, S5 e S3: neste intervalo, estão habilitados a conduzir o IGBT 4, o IGBT 5 e o IGBT 3.
Para simplificar a análise, pode-se avaliar os braços da etapa inversora de forma individual, conforme
apresentado na figura anterior (b). Os interruptores S1 e S4 estão dispostos no mesmo braço. Seu
chaveamento será realizado de forma complementar da seguinte maneira:
a) S1: habilitado para conduzir de 0° a 180°;
b) S4: habilitado para conduzir de 180° a 360°.
Resumidamente, sempre haverá um dos dois IGBTs conduzindo de um determinado braço, e isso é
aplicável a todos os demais braços, defasando-se de 120°. Para formar uma estrutura trifásica, obtêm-se a
sequência de chaveamento correto dos IGBTs.
A forma de onda retangular da tensão aplicada sobre o motor elétrico, obtida a partir do chaveamento
dos IGBTs, e a forma de onda senoidal da corrente no motor foram apresentadas na figura anterior (d).
Para facilitar a análise do chaveamento, é possível empregar uma análise, conforme o quadro a seguir.
0° a 60° 60° a 120° 120° a 180° 180° a 240° 240° a 300° 300° a 360°
S1 X X X
S2 X X X
S3 X X X
S4 X X X
S5 X X X
S6 X X X
Quadro 14 - Análise do chaveamento dos IGBTs
Fonte: SENAI (2016)
217
A aplicação dos IGBTs em circuitos exige a análise da folha de dados do modelo de componente
utilizado, de modo que durante todo o projeto sejam analisadas diversas particularidades do componente.
Os parâmetros de projeto para a correta aplicação de um IGBT estão apresentados na folha de dados.
É muito interessante se habituar a analisá-las e entendê-las. Algumas informações básicas bastante
importantes para a aplicação do IGBT serão listadas na sequência. Acompanhe.
a) Configuração dos terminais: será apresentada a configuração dos terminais para os encapsulamentos
disponíveis. Na figura seguinte, será apresentado um modelo de componente com a configuração
dos terminais.
G C E
Figura 111 - Configuração dos terminais do componente
Fonte: SENAI (2016)
b) Tensão máxima entre coletor e emissor: representa o máximo valor possível entre os terminais coletor
e emissor, garantindo que o componente não será danificado. A unidade de medida é volt (V).
c) Corrente máxima de coletor: representa o máximo valor de corrente através de coletor, para garantir
que o componente não seja danificado. A unidade de medida é o ampere (A).
d) Faixa de tensão entre o gatilho e o emissor: o valor de tensão entre o gatilho e o emissor deve ser
respeitado. Deverá ser projetado dentro da faixa, pois, ao aplicar o valor excedendo os limites positivo
ou negativo, danificará o componente. A unidade de medida é o ampere (A).
e) Tensão mínima entre o gatilho e o emissor: o valor garante o início da condução. É bastante usual
ser apresentado graficamente em função da temperatura, devido à grande influência do limiar,
conforme a temperatura. A unidade de medida é o volt (V).
f ) Temperatura máxima de junção: representa a máxima temperatura de junção do componente, para
não o danificá-lo. Com base neste valor, calcula-se o dissipador para otimizar a aplicação. A unidade
de medida é o grau Celsius (°C).
g) Tempo de atraso para iniciar a condução: representa o tempo de atraso para iniciar a condução. A
unidade de medida é o segundo (s).
218
h) Tempo de atraso para o bloqueio: representa o tempo de atraso para bloquear o componente. A
unidade de medida é o segundo (s).
Na tabela, a seguir, será apresentado um exemplo de características de um determinado IGBT, que
normalmente são apresentadas pelos fabricantes do componente.

Tensão máxima entre coletor e emissor 400 A
Corrente máxima de coletor 20 A
Faixa de tensão entre o gatilho e o emissor 15 V
Temperatura máxima de junção 150 °C
Tempo de atraso para iniciar a condução 50 Ns
Tempo de atraso para o bloqueio 200 ns
Tabela 19 - Exemplo de tabela de dados de um componente
Fonte: SENAI (2016)
Um estudo básico e com uma abordagem sucinta referente aos interruptores eletrônicos foi efetuada,
de modo a introduzir você, estudante, na ciência dos interruptores, ou ainda, na ciência de eletrônica de
potência, área afim da grande maioria dos interruptores de potência abordados. Por se tratar de um assunto
mais sofisticado da eletrônica, certamente será interessante recorrer à literatura especializada. Continue
seus estudos e conheça os elementos de radiofrequência, muito presente no dia a dia das pessoas.
3.12 ELEMENTOS DE RADIOFREQUÊNCIA (RF)
Os sistemas que incluem os elementos de radiofrequência estão muito presentes, visto que, com o
avanço tecnológico, há inúmeras aplicações implementadas. Citam-se algumas:
a) rádio;
b) rádio amador;
c) televisão;
d) telefonia móvel;
e) controle remoto.
Um sistema de radiofrequência é basicamente constituído de três itens. Acompanhe.
a) Antena: aplicado em conjunto com os circuitos transmissor e receptor, de forma que seja possível
emitir e captar ondas eletromagnéticas.
b) Circuito transmissor: responsável pela inserção do sinal ao meio propagador, através de onda
eletromagnéticas.
c) Circuito receptores: capturador de ondas eletromagnéticas do meio propagador para obter o sinal
do transmissor.
219
Em um sistema de radiofrequência, são inclusos os dispositivos denominados de transmissor e receptor.
3.12.1 TRANSMISSORES
O dispositivo transmissor é responsável em propiciar a geração dos sinais de radiofrequência, de forma

que seja inserida a onda eletromagnética no meio de propagação para transmitir determinado sinal. O
dispositivo é composto de um sistema eletrônico à base de transistores, com diversos modelos diferentes
empregados. Pode-se dividir um transmissor internamente basicamente pelas etapas de operação descritas
a seguir.
a) Gerador de um sinal: Proveniente de um sistema qualquer que possua a característica de geração de
sinais. Pode ou não ser gerado pelo transmissor, dependendo da aplicação.
b) Amplificador de entrada: a etapa é responsável em amplificar o sinal proveniente de algum
equipamento externo, tornando-se basicamente o sinal adequado, de acordo com a amplitude
necessária.
c) Modulador: a etapa consiste em uma modulação do sinal, introduz-se uma onda, normalmente
denominada de onda portadora, na qual é realizada a transmissão do sinal, de forma que facilite a
mesma. A frequência da onda portadora é gerada a partir de um determinado circuito. Há inúmeros
métodos, normalmente denominado de um circuito oscilador.
d) Amplificador de saída: possui a função similar ao amplificador de entrada, porém amplifica o sinal
proveniente da etapa modulador.
Conhecido o transmissor de um sistema de radiofrequência, é necessário conhecer o receptor.
3.12.2 RECEPTORES
O dispositivo receptor é responsável em realizar a função no sentido inverso ao do transmissor, propiciar

a geração de um sinal a partir de uma onda eletromagnética no meio de propagação, de forma que seja
inserido o sinal em um determinado circuito. O dispositivo é composto de um sistema eletrônico à base
de transistores, com diversos modelos diferentes empregados. Pode-se dividir um receptor internamente
basicamente por determinadas etapas de operação. Acompanhe.
a) Amplificador de entrada: análogo ao amplificador de saída do transmissor, possui a função amplificar
o sinal proveniente do meio de propagação.
b) Demodulador: a etapa consiste no processo contrário a uma modulação do sinal, ou seja, é realizada
a remoção da onda portadora, obtendo-se somente o sinal desejado que foi inicialmente gerado na
entrada do transmissor. Um circuito de filtro pode ser empregado.
c) Amplificador de saída: a etapa é responsável em amplificar o sinal proveniente do demodulador,
tornando-se basicamente o sinal adequado para ser aplicado de acordo com a amplitude necessária.
Conhecido o transmissor e o receptor, pode-se implementar um sistema completo de radiofrequência.
220
RECAPITULANDO
Neste capítulo, foi apresentado os elementos semicondutores formam os principais componentes

utilizados em eletrônica, tais como diodos e transistores. Foi abordado também o funcionamento
dos dispositivos eletroeletrônicos a partir do estudo das propriedades destes materiais e de sua
estruturação atômica. Você teve a oportunidade de estudar sobre os elementos semicondutores e
suas duas características principais: de serem materiais puros, denominados intrínsecos, e materiais
com níveis de dopagem, extrínsecos. Essas propriedades relacionam-se com o funcionamento
do diodo semicondutor de junção P e N, por exemplo, que é utilizado em circuitos eletrônicos
analógicos na condução de corrente elétrica em apenas um único sentido, caracterizando sua
aplicação em circuitos retificadores, pois este componente atua como interruptor unidirecional
de corrente e unidirecional de tensão elétrica. Outro componente apresentado semicondutor
amplamente utilizado em circuitos eletrônicos analógicos foi o transistor de junção bipolar, cujo
funcionamento é caracterizado por sua estruturação de duas camadas, do tipo P ou do tipo N. Sua
funcionalidade em circuitos eletrônicos é dada pela necessidade deste componente atuar como
chave ou como amplificador.
Neste capítulo, foi apresentado que fontes de tensão podem ser estruturadas com reguladores de
tensão e através de fontes chaveadas. Foi possível realizar um comparativo entre estes circuitos,
observando seu funcionamento e, por sua vez, as aplicações de cada uma. Muitos dispositivos
apresentados neste capítulo são tão aplicados na eletrônica que possuem sua estrutura configurada
através de circuitos integrados, como é o caso dos reguladores de tensão.
Você teve a oportunidade de conhecer de maneira mais profunda o amplificador operacional,
estudando seu funcionamento, seus efeitos não ideais, circuitos práticos e diversas configurações
amplamente aplicadas no universo da eletrônica. Foram apresentados diversos exemplos, fórmulas,
folhas de dados, tabelas e diagramas, para que você tenha a oportunidade de aplicar todos estes
conhecimentos de maneira prática.
Você conheceu as características particulares de dispositivos aplicados em sistemas de eletrônica
de potência, que são responsáveis pela função de chaveamento controlado de circuitos.
A partir de agora, você poderá desfrutar dos conteúdos apresentados neste livro e utilizá-lo em seus
projetos. Além disso, poderá utilizar este livro didático como uma referência em suas experiências
profissionais ou práticas de laboratório.
REFERÊNCIAS
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ALBUQUERQUE, Rômulo Oliveira. Utilizando a eletrônica com AO, SCR, TRIAC, UJT, PUT, CI 555,
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BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de circuitos. 6. ed. Rio
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MILLMAN, Jacob; HALKIAS, Christos C. Eletrônica: dispositivos e circuitos. Vol. 1. 2. ed. São Paulo
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TOOLEY, Mike. Circuitos Eletrônicos: fundamentos e aplicações. Rio de Janeiro: Elsevier, 2007.
MINICURRÍCULO DOS AUTORES
GUSTAVO HENRIQUE DOS SANTOS

Graduado em Tecnologia em Automação Industrial, pelo SENAI/SC – Jaraguá do Sul. Trabalha no
SENAI/SC - Jaraguá do Sul desde 2013 e atua no Instituto SENAI de Tecnologia Eletroeletrônica -
Jaraguá do Sul/SC nas áreas de Consultoria em Eficiência Energética e Implantação da NR10.
Também integrar a equipe EaD de Desenvolvimento de Materiais Didáticos como Conteudista do
Curso Técnico em Eletrônica.
FABIANO MENDES RIBEIRO

Graduado em Engenharia Elétrica com ênfase em Eletrônica de Potência, pelo Centro Universitário
Católica, de Santa Catarina. Pós-graduando (latu sensu) em MBA em Gestão de Projetos em Energia
pelo SENAI/SC – Jaraguá do Sul. Mestrando em Eletrônica de Potência e Acionamento Elétrico, pela
Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC). Durante a graduação, atuou como pesquisador
bolsista em Projeto de Iniciação Científica. Foi monitor acadêmico em diversas disciplinas e
participou do Projeto de Extensão de Eficiência Energética na Construção de Veículo Elétrico.
Atuou na empresa WEG, proporcionando assistência técnica aos clientes nacionais da WEG Drives
e Controls/WEG Automação. Atualmente, é Docente no SENAI/SC - Jaraguá do Sul nos cursos da
área de Eletroeletrônica e integra a equipe EaD de Desenvolvimento de Materiais Didáticos como
Conteudista do Curso Técnico em Eletrônica..
RHAVI GONÇALVES DE BORBA

Graduado em Engenharia Elétrica pela Universidade do Estado de Santa Catarina (UDESC).
Mestrando em Engenharia Elétrica, pela UDESC, com interesse nas áreas de Robótica, Eletrônica,
Automação e Controle. Já atuou como Analista de Projetos Elétricos, na empresa WEG Equipamentos
Elétricos S/A, na área de desenvolvimento de motores especiais. Atualmente, atua como
Docente, lecionando Unidades Curriculares voltadas às áreas de Eletrotécnica e Mecatrônica
para cursos técnicos e de aprendizagem industrial, no SENAI/SC – Jaraguá do Sul. Além disso,
atua com a orientação de TCC e relatórios finais do Ensino Técnico e integra a equipe EaD de
Desenvolvimento de Materiais Didáticos como Conteudista do Curso Técnico em Eletrônica.
ÍNDICE
A
Acoplador óptico 59, 60
Alimentação simétrica 128, 129, 130, 133, 134, 141, 144
Amplificador operacional 125, 126, 127, 129, 130, 131, 132, 133, 134, 136, 137, 138, 139, 140,
141, 143, 146, 152, 155, 166, 172, 173, 182, 184, 185, 220
Análise nodal 147, 148, 149, 153, 157, 160, 162
Ânodo 36, 43, 44, 45, 48, 55, 58, 59, 186, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 197, 198, 202, 206
B
Barreira de potencial 28, 29, 35, 36, 37, 40
Base comum 70, 71, 72, 73
Buffer 142, 155, 156
C
Carga estática 95, 96
Catodo 36, 43, 44, 45, 48, 55, 58, 59, 186, 188, 189, 190, 191, 192, 193, 197, 198, 202, 206
Center tape 50, 51
CMRR 136, 137
Coletor comum 70, 72, 73
Comparador 123, 133, 134, 141, 142, 143, 144, 145, 146, 184
Corrente de saturação 40, 77, 78
Corrente elétrica 30, 33, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 42, 43, 44, 45, 48, 49, 52, 55, 56, 58, 60, 61, 62, 63,
64, 65, 66, 68, 69, 72, 74, 75, 78, 79, 80, 82, 83, 84, 86, 88, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105,
106, 118, 179, 185, 186, 190, 191, 193, 194, 195, 197, 198, 200, 201, 202, 203, 204, 207, 208,
209, 210, 212, 220
D
Depleção 27, 28, 29, 35, 37, 38, 61, 68, 69, 94, 96, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104
DIAC 33, 187, 196, 197, 198, 199, 200, 201, 202
Diferenciador 142, 168, 169, 170, 171, 172
Diodo 15, 29, 33, 35, 36, 37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 52, 54, 55, 57, 59, 60,
61, 62, 63, 64, 65, 66, 74, 83, 87, 88, 89, 108, 109, 110, 187, 197, 220
Diodo ideal 35, 36, 39
Diodo zener 60, 61, 62, 63, 64, 65, 108, 109, 110
Dopagem 25, 26, 27, 30, 61, 67, 68, 189, 198, 203, 220
Duty cycle 123, 124, 145
E
Elétrons 15, 19, 20, 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28, 30, 35, 37, 38, 40, 54, 67, 68, 69, 98, 99
Emissor comum 70, 71, 72, 73, 74
Encapsulamentos 67, 209, 217
Extrínseco 25
F
Fator β 75, 78, 81, 82, 83
Feedback 109, 142, 143, 146, 158, 160, 162, 166
Filtro 46, 51, 52, 117, 118, 121, 122, 142, 172, 173, 174, 175, 176, 177, 178, 181, 214, 216, 219
Filtro capacitivo 51, 52
Folha de dados 40, 41, 42, 43, 63, 65, 67, 69, 75, 83, 84, 86, 95, 102, 104, 105, 112, 113, 114, 115,
116, 127, 128, 129, 130, 138, 208, 209, 217
Fonte de corrente 79, 80
Fonte de tensão chaveada 121
Fontes de alimentação 35, 41, 95, 107, 111, 112, 116, 117, 125
Fotodiodo 59
G
Ganho de corrente 71, 72, 75, 78, 81, 82, 83, 84, 85
Germânio 20, 21, 22, 28, 30, 38, 40, 44, 66, 93
I
IGBT 33, 122, 124, 210, 211, 212, 213, 214, 216, 217, 218, 223
Integrador 142, 164, 165, 166, 167, 168, 169, 172
Intensificação 94, 96, 97, 98, 99, 101, 102, 103, 104
Intrínseco 23, 25
Inversor 41, 120, 142, 146, 149, 150, 151, 152, 153, 154, 156, 159, 160, 161, 166, 170
J
JFET 93
Junção PN 25
L
Lacuna 24, 26, 37
Ligação covalente 22, 25
M
Malha aberta 125, 131, 132, 133, 134, 137, 140, 141, 143, 149
Malha fechada 109, 111, 132, 133, 137, 140, 141, 142, 143, 146, 152, 155, 156, 159
Meia onda 46, 48, 49, 52
MOSFET 93, 94, 95, 97, 98, 99, 100, 101, 102, 103, 104, 105, 106, 107, 122, 124, 129, 211, 223
MOSFET como chave 106, 107
N
Não inversor 142, 152, 153, 154, 156, 159, 160, 161
Nêutrons 20
NPN 66, 68, 69, 70, 83, 84, 85, 86, 89, 90, 91, 92, 93, 188, 223
O
Offset 125, 127, 130, 131, 141, 157, 159
Onda completa 46, 49, 50, 52
Onda completa em ponte 50
Optoeletrônicos 54, 65
P
Parâmetros de operação 33, 69, 86, 104
Passa-altas 173, 176, 177
Passa-baixas 173, 174, 176
PNP 66, 68, 69, 70, 86, 89, 92, 93, 188
Polaridade 36, 37, 42, 43, 45, 51, 68
Polarização direta 37, 38, 39, 40, 44, 74, 90, 91, 92, 93
Polarização reversa 29, 37, 38, 40, 41, 44, 45, 48, 61, 69, 9, 93
Prótons 20, 21
PWM 123, 124
R
Realimentação 109, 122, 142, 143, 146, 156, 157, 159, 177, 184, 185
Região ativa 73, 74, 75, 79, 81, 82, 103, 104
Região de corte 73, 74, 75, 77, 78, 103, 176, 177, 178
Região de depleção 27, 28, 35, 37, 38, 61, 99, 101, 102, 103, 104
Região de saturação 73, 74, 75, 77, 78, 103
Região ôhmica 103, 104, 106, 107
Regulador de tensão 62, 63, 107, 108, 109, 110, 111, 112, 113, 114, 115, 118, 120
Reta de carga 75, 76, 77, 78
Retificadores de tensão 46
Ripple 52
Rise-time 135, 136, 142
Ruptura 29, 39, 40, 41, 42, 43, 61, 64, 75, 83, 84, 86, 103, 105, 106
S
Saturação 23, 40, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 102, 103, 104, 132, 134, 151, 188, 190
Saturação 74
SCR 33, 187, 189, 190, 191, 192, 193, 194, 195, 196, 199, 203, 223
Semicondutor 19, 20, 21, 23, 24, 25, 26, 28, 29, 30, 33, 35, 37, 38, 44, 57, 61, 65, 66, 75, 87, 93, 105,
185, 210, 220
Sete segmentos 57, 58, 59
Silício 20, 21, 22, 23, 24, 25, 26, 28, 29, 30, 38, 40, 44, 57, 61, 66, 77, 93, 98, 99, 189
Sinal senoidal 47, 48, 49, 118, 120, 131, 133, 165
Slew-rate 137, 138, 139, 141, 142
Somador 142, 156, 157, 158, 159, 160, 161, 182
Substrato 94, 95, 97, 99, 100, 142, 161, 162, 163
T
Temperatura 21, 23, 27, 28, 30, 38, 42, 43, 63, 69, 78, 83, 84, 85, 86, 103, 105, 116, 179, 187, 210,
217, 2018
Tempo de subida 125, 134, 135, 141
Tensão limiar 103, 104, 105, 106, 107
Tensão regulável 117, 119
Tensão zener 62
Terminais do transistor 86, 87, 90, 91
Tiristores 33, 185, 186, 187, 189, 191, 196, 205, 208, 209
Transformador 47, 49, 50, 51, 52, 118, 119, 120, 121, 122
Transistor como chave 75, 76, 77, 78
Transistor de junção 65, 66, 90, 93, 220
TRIAC 33, 187, 196, 197, 202, 203, 204, 205, 206, 207, 208, 223
SENAI - DEPARTAMENTO NACIONAL
UNIDADE DE EDUCAÇÃO PROFISSIONAL E TECNOLÓGICA – UNIEP
Felipe Esteves Morgado

Gerente Executivo
Luiz Eduardo Leão

Gerente de Tecnologias Educacionais
Fabíola de Luca Coimbra Bomtempo

Coordenação Geral do Desenvolvimento dos Livros Didáticos
Catarina Gama Catão

Apoio Técnico
SENAI – DEPARTAMENTO REGIONAL DE SANTA CATARINA
Mauricio Cappra Pauletti

Diretor Técnico
Selma Kovalski
Coordenação do Desenvolvimento dos Livros Didáticos
Fabiano Mendes Ribeiro

Gustavo Henrique dos Santos
Rhavi Gonçalves de Borba
Elaboração
Daniel de Medeiros Passarela

Revisão Técnica
Morgana Machado Tezza

Coordenação do Projeto
Marina Wudtke Laurindo

Design Educacional
Airton Julio Reiter

Ana Balbina Madeira de Oliveira
Revisão Ortográfica e Gramatical
Allan Kanzler
Antonio Mees
Denilza dos Santos
Ellen Cristina Ferreira
Felipe Moises da Silva Hintz
Guilherme Luiz Marquardt
Paco Giordani Mora
Patricia Marcilio
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Fotografias, ilustras e Tratamento de Imagens
João Carlos Evarísto Guedes Nunes
Joel Nunes
Rhavi Gonçalves de Borba
Rosano Daniel Nunes
Sérgio Andolfo
Comitê Técnico de Avaliação
Patricia Marcilio
Diagramação
Patricia Correa Ciciliano

CRB – 14./752
Ficha Catalográfica
i-Comunicação
Projeto Gráfico

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SÉRIE ELETROELETRÔNICA

Robson Braga de Andrade

DIRETORIA DE EDUCAÇÃO E TECNOLOGIA - DIRET

Rafael Esmeraldo Lucchesi Ramacciotti

Julio Sergio de Maya Pedrosa Moreira

SERVIÇO NACIONAL DE APRENDIZAGEM INDUSTRIAL – SENAI

Robson Braga de Andrade

SENAI – Departamento Nacional

Rafael Esmeraldo Lucchesi Ramacciotti

Julio Sergio de Maya Pedrosa Moreira

Gustavo Leal Sales Filho

© 2016. SENAI – Departamento Regional de Santa Catarina

SENAI Departamento Nacional

SENAI Departamento Regional de Santa Catarina

Serviço Nacional de Aprendizagem Industrial. Departamento Nacional

Inclui índice e bibliografia

1. Dispositivos eletrônicos. 2. Transistores. I. Serviço Nacional de

Figura 1 - Átomo de silício com quatro elétrons na camada de valência.....................................................20

Quadro 1 - Materiais semicondutores, metais e gases utilizados para produção de cores em

Tabela 1 - Propriedades dos semicondutores germânio e silício......................................................................22

Minicurrículo dos autores

2.1 CRISTAIS DE SILÍCIO

Atualmente, os cristais de silício são elementos de suma importância para o desenvolvimento de

Gustavo Oldenburg (2016)

Para efeitos de comparação entre os dois principais semicondutores, componentes semicondutores

SAIBA Os elétrons estão distribuídos em níveis, conhecidos também como camadas K, L, M,

O compartilhamento de elétrons de um átomo isolado com átomos adjacentes é representado na figura,

Figura 2 - Ligação covalente para formação de cristal sólido de silício

2.2 SEMICONDUTOR INTRÍNSECO

Um semicondutor que contenha apenas átomos de silício é chamado de semicondutor intrínseco.

2.3 PORTADORES DE CORRENTE (ELÉTRONS LIVRES E LACUNAS)

O fluxo de elétrons e lacunas dentro de um semicondutor caracteriza os elétrons e lacunas como

Figura 4 - Fluxo de elétrons e lacunas em determinado semicondutor

2.4 DOPAGEM E JUNÇÃO PN

A dopagem é caracterizada como um processo químico e físico para alterar as características de

Figura 5 - Adição do átomo trivalente boro B ao silício

Já o aumento de elétrons livres consiste na adição de um elemento pentavalente ao átomo de

Camada de Valência Elétron livre

Guilherme Luiz Marquardt (2016)

Figura 6 - Adição do átomo pentavalente antimônio Sb ao silício

Átomo trivalente Átomo pentavalente

Guilherme Luiz Marquardt (2016)

2.5 BARREIRA DE POTENCIAL E TEMPERATURA

Com a região de depleção formada, a movimentação de elétrons e lacunas no interior de um semicondutor

Como já estudado no início deste capítulo, como consequência do aumento da temperatura, os

Há inúmeros componentes à base de semicondutores. O diodo é um deles, sendo

Com o rompimento da barreira de potencial, surge na camada de depleção o excesso de portadores

Neste capítulo, você estudou que o nível de condutividade de um material semicondutor é

Você sabia que a junção de semicondutores do tipo P e tipo N caracterizam a formação de

O diodo é um componente constituído de material semicondutor, mais precisamente pela junção de

Terminal Ânodo ( + ) Terminal Catodo ( - )

Patricia Marcilio (2016)

Figura 10 - Simbologia do diodo

Figura 11 - Polarização direta

Figura 12 - Polarização reversa

3.1.2 CURVA CARACTERÍSTICA

O diodo, conceitualmente, é um interruptor eletrônico. Para empregá-lo em circuitos eletrônicos, é

Diodo na região direta

Ruptura Corrente de fuga

CURVA: POLARIZAÇÃO DIRETA

CURVA: POLARIZAÇÃO REVERSA

3.1.3 FOLHA DE DADOS

A folha de dados consiste em um documento com todas as informações relevantes do componente:

A folha de dados de componentes eletrônicos, como diodos, é facilmente encontrada