Apostila de Eletrônica Básica Manutencao - Parte Ii

UNIDADE III .......................................................................................................
5
5 TRANSITOR ................................................................................................... 5
5.1 INTRODUÇÃO ............................................................................................. 5
5.2 ESTRUTURA BÁSICA ................................................................................. 5
5.3 TERMINAIS DO TRANSISTOR ................................................................... 7
5.4 SIMBOLOGIA............................................................................................... 8
5.5 ASPECTOS REAIS DOS TRANSISTORES................................................. 9
5.6 TESTE DE TRANSISTORES ....................................................................... 9
5.7 TESTE COM O USO DO MULTÍMETRO ................................................... 11
5.7.1 Detecção de descontinuidade nas junções ........................................ 11
5.7.2 Detecção de curtos nas junções.......................................................... 12
5.7.3 Detecção de curto-circuito entre coletor e emissor ........................... 12
5.7.4 Modo de operação................................................................................. 13
5.7.5 Operação do transistor na região ativa ............................................... 14
5.7.6 Junção base-emissor............................................................................ 15
5.7.7 Junção base-coletor.............................................................................. 16
5.7.8 Polarização simultânea das duas junções.......................................... 17
5.7.9 Princípio de funcionamento do transistor bipolar.............................. 19
5.7.10 Corrente de base ................................................................................. 21
5.7.11 Corrente de coletor ............................................................................. 22
5.7.12 Corrente de emissor............................................................................ 24
5.7.13 Controle de corrente no transistor .................................................... 25
5.7.14 Ganho de corrente do transistor........................................................ 26
5.8 OS CIRCUITOS OU MALHAS NOS TRANSISTORES .............................. 27
5.8.1 Introdução.............................................................................................. 27
5.8.2 Influência da corrente de base............................................................. 30
5.9 PONTO DE OPERAÇÃO: CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO ..................... 32
5.9.1 Polarização de base .............................................................................. 32
5.9.2 Análise da malha da base..................................................................... 33
5.9.3 Determinação do resistor de base ....................................................... 34
5.9.4 Estabilidade térmica.............................................................................. 36
5.9.5 Fator de estabilidade............................................................................. 38
5.9.6 Estabilidade térmica com corrente de base constante...................... 38
5.9.7 Correção no ponto de operação .......................................................... 39
2
5.10 REGIÕES DE OPERAÇÃO DE UM TRANSISTOR ................................. 44

5.10.1 Região de corte ................................................................................... 44
5.10.2 Região de saturação ........................................................................... 46
5.10.3 Região ativa ......................................................................................... 47
5.11 POLARIZAÇÃO DE CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS ........................ 48
5.11.1 Polarização por divisor de tensão ..................................................... 49
5.11.2 O circuito da base ............................................................................... 52
5.11.3 Determinação dos elementos de circuito.......................................... 54
5.11.4 Corrente de emissor............................................................................ 54
5.11.5 Ganho do transistor ............................................................................ 54
5.11.6 Parâmetros de entrada........................................................................ 54
5.11.7 Parâmetros da malha do coletor ........................................................ 55
5.11.8 Modificação do ponto de operação ................................................... 60
5.11.9 Fator de estabilidade........................................................................... 64
5.11.10 O processo de estabilização térmica............................................... 65
6 TRANSISTORES ESPECIAIS ..................................................................... 68
6.1 INTRODUÇÃO ........................................................................................... 68
6.2 JFET........................................................................................................... 68
6.2.1 Polarização de um JFET ....................................................................... 69
6.2.2 Curva característica de dreno .............................................................. 70
6.2.3 Curva de transcondutância .................................................................. 71
6.2.4 Autopolarização .................................................................................... 72
6.2.5 Reta de autopolarização ....................................................................... 73
6.2.6 Seleção do RS ....................................................................................... 74
6.2.7 Transcondutância ................................................................................. 74
6.3 MOSFET .................................................................................................... 76
6.3.1 MOSFET de modo depleção ................................................................. 76
6.3.2 MOSFET de modo crescimento ou intensificação ............................. 77
6.3.3 Tensão porta-fonte máxima.................................................................. 80
7 AMPLIFICADOR OPERACIONAL .............................................................. 80
7.1 INTRODUÇÃO ........................................................................................... 80
7.2 OPERAÇÃO DE LAÇO ABERTO (OPEN-LOOP) ...................................... 82
7.3 OPERAÇÃO DE LAÇO FECHADO (CLOSE-LOOP) ................................. 82
7.4 CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS ............................................................. 83
3
7.4.1 parâmetros de entrada.......................................................................... 83

7.4.2 Parâmetros de saída ............................................................................. 84
7.4.3 Parâmetros dinâmicos .......................................................................... 84
7.5 GANHO E RESPOSTA EM FREQÜÊNCIA................................................ 85
7.6 CIRCUITOS BÁSICOS............................................................................... 85
7.6.1 Configuração inversora ........................................................................ 85
7.6.2 Configuração não inversora................................................................. 86
7.6.3 Tensão offset de saída.......................................................................... 87
7.6.4 O seguidor de tensão............................................................................ 89
7.6.5 O amplificador somador ....................................................................... 90
7.6.6 O amplificador diferencial ou subtrator .............................................. 91
7.7 O DIFERENCIADOR E O INTEGRADOR .................................................. 92
7.7.1 O diferenciador ...................................................................................... 92
7.7.2 O integrador........................................................................................... 94
7.8 CIRCUITOS DE CORRENTE E TENSÃO.................................................. 96
7.8.1 Fonte de corrente constante ................................................................ 96
7.8.2 Conversor corrente-tensão .................................................................. 96
7.8.3 Conversor tensão-corrente .................................................................. 97
7.9 CIRCUITOS NÃO LINEARES .................................................................... 99
7.9.1 O comparador........................................................................................ 99
7.9.2 Comparador regenerativo ou schimitt trigger .................................. 101
7.9.3 O detector de pico ............................................................................... 102
7.9.4 Retificador de precisão....................................................................... 103
7.10 GERADORES DE FUNÇÕES ................................................................ 104
7.10.1 Gerador senoidal ............................................................................... 104
7.10.2 Geradores de onda quadrada e triangular ...................................... 106
7.11 FILTROS ATIVOS .................................................................................. 107
7.11.1 Filtros de segunda ordem................................................................. 108
7.11.2 Filtro passa- faixa .............................................................................. 109
7.11.3 Filtro de estado variável ................................................................... 111
7.11.4 Filtro rejeita faixa (notch).................................................................. 112
7.12 CIRCUITOS DE CONTROLE................................................................. 112
7.12.1 Controlador de ação proporcional................................................... 113
7.12.2 Controlador de ação integral............................................................ 114
4
7.12.3 Controlador de ação derivativa ........................................................ 114

8 CONVERSORES A/D E D/A...................................................................... 115
8.1 INTRODUÇÃO ......................................................................................... 115
8.2 CONVERSORES DIGITAIS-ANALÓGICOS (D/A) ................................... 115
8.2.1 Conversores D/A Do Tipo R-2r ........................................................... 124
8.2.2 Conversores D/A do tipo R-2R com amplificador operacional ....... 133
8.3 CONVERSORES ANALÓGICOS- DIGITAIS (A/D) .................................. 136
8.3.1 Erro de Conversão nos Conversores A/D – Quantização................ 141
REFERÊNCIAS.............................................................................................. 144
UNIDADE III
5 TRANSITOR
5.1 INTRODUÇÃO
O transistor é um componente fabricado com cristais semicondutores cuja

descoberta revolucionou a eletrônica. Sua descoberta valeu o prêmio Nobel a
três cientistas da Bell Labs dos EUA. Sem dúvida, nem mesmo os
descobridores deste componente poderiam imaginar que, com a descoberta, se
iniciava uma nova era no desenvolvimento da humanidade.
Esta unidade é, também para o leitor, um marco no estudo da eletrônica,
nele se inicia o estudo desse importante componente. O objetivo desta unidade
é apresentar a estrutura básica do transistor e, com base nesse conhecimento,
permitir ao leitor a realização de testes com o componente usando um
multímetro.
5.2 ESTRUTURA BÁSICA
O transistor bipolar é um componente eletrônico constituído de cristais

semicondutores, capaz de atuar como controlador de corrente, o que possibilita
o seu uso como amplificador de sinais ou como chave eletrônica.
Em qualquer uma das duas funções o transistor encontra uma ampla gama de
aplicações, como por exemplo:
Amplificador de sinais: Equipamentos de som e imagem e controle
industrial.
Chave eletrônica: Controle industrial, calculadora e computadores
eletrônicos.
O transistor bipolar proporcionou um grande desenvolvimento da
eletrônica, devido a sua versatilidade de aplicação, constituindo-se em
elemento chave em grande parte dos equipamentos eletrônicos.
A estrutura básica do transistor se compõe de duas camadas de material
semicondutor, do mesmo tipo de dopagem, entre as quais é inserida uma
6
terceira camada bem mais fina, de material semicondutor com um tipo de

dopagem distinto dos outros dois, formando uma configuração semelhante à de
um "sanduíche", conforme ilustrado.
Figura 1 – Estrutura Básica de Transistor.
Como mostrado na figura 2, a configuração da estrutura, em forma de

sanduíche, permite que se obtenham dois tipos distintos de transistor:
Um com as camadas externas de material tipo p e com a camada central
formada de um material tipo n. Esse tipo de transistor é denominado de
transistor bipolar pnp.
Outro com as camadas externas de material tipo n e com a camada
central formada com um material tipo p. Esse tipo de transistor é
denominado de transistor bipolar npn.
Figura 2 – Estrutura dos transistores pnp e npn.
Os dois tipos de transistor podem cumprir as mesmas funções diferindo

apenas na forma como as fontes de alimentação que são conectadas aos
terminais do componente.
7
5.3 TERMINAIS DO TRANSISTOR
Como mostrado na figura 3, cada uma das camadas que formam o

transistor é conectada a um terminal que permite a interligação da estrutura do
componente aos circuitos eletrônicos.
Figura 3 – Estrutura Básica de um Transistor de três terminais.
Os terminais recebem uma designação que permite distinguir cada uma

das camadas:
A camada central é denominada de base, sendo representada pela letra
B.
Uma das camadas externas é denominada de coletor, sendo
representada pela letra C.
A outra camada externa é denominada de emissor, sendo representada
pela letra E.
A figura 4 mostra os dois tipos de transistor, com a identificação dos
terminais.
Figura 4 – Transistores pnp e npn com identificação de terminais.
Embora as camadas referentes ao coletor e ao emissor de um transistor

tenham o mesmo tipo de dopagem, elas diferem em dimensão geométrica e no
8
grau de dopagem, realizando, portanto, funções distintas quando o

componente é conectado a um circuito eletrônico.
5.4 SIMBOLOGIA
A figura 5 apresenta os símbolos utilizados na representação de circuito

dos transistores npn e pnp. Como pode ser aí observado, os dois símbolos
diferem apenas no sentido da seta entre os terminais da base e do emissor.
Alguns transistores são dotados de blindagem. Essa blindagem consiste de um
encapsulamento metálico envolvendo a estrutura semicondutora, com o fim de
evitar que o funcionamento do componente seja afetado por campos
eletromagnéticos no ambiente. Esses transistores apresentam um quarto
terminal, ligado à blindagem para que este possa ser conectado ao terra do
circuito eletrônico. A representação de circuito desses transistores está
ilustrada na figura 6.
Figura 5 – Símbolos dos transistores npn e pnp.
Figura 6 – Representação do circuito.

9
5.5 ASPECTOS REAIS DOS TRANSISTORES
Os transistores podem se apresentar em diversos encapsulamentos, que

variam em função do fabricante, do tipo de aplicação e da capacidade de
dissipar calor. A figura 7 ilustra os aspectos de alguns encapsulamentos.
Figura 7 - Alguns aspectos de encapsulamentos
Devido à variedade de configurações, a identificação dos terminais de um

transistor deve sempre ser feita com auxílio do folheto de especificações
técnicas do componente.
5.6 TESTE DE TRANSISTORES
Existem instrumentos sofisticados destinados especificamente às

condições de operação de um transistor. No entanto, o uso de um Multímetro
também permite detectar possíveis defeitos no componente.
Como no teste de diodos com o uso de um multímetro, os transistores
podem não fornecer um resultado definitivo, e o uso do multímetro serve
apenas para detectar os defeitos mais comuns nos transistores.
No caso do diodo, são os seguintes os defeitos de detecção imediata
utilizando o multímetro:
Junção pn em curto.
Junção pn em aberto.
10
Como descrito na unidade 4, o teste de qualquer junção com o uso de um

multímetro é feito em duas etapas:
Etapa 1: Realiza-se inicialmente a identificação da polaridade real do
diodo com utilização da ponta de prova do multímetro.
Etapa 2: Após a identificação de polaridade, realiza-se o teste do diodo
que consiste em detectar a existência da baixa e alta resistência. Para
isso, intercambiam-se os terminais do diodo entre as pontas de prova.
Conforme ilustrado na figura 8, a estrutura de um transistor consiste na
junção pn entre a base e o coletor e de uma segunda junção pn entre base e o
emissor.
(a) (b)
Figura 8 – Junções pn do transistor npn em (a) e do transistor pnp em (b).
Portanto, para a detecção de defeitos, o transistor pode ser considerado

como composto de dois diodos conectados nas formas ilustradas na figura 9.
Figura 9 – Representação dos transistores npn e pnp por diodo equivalente.

11
A detecção de defeitos no transistor consiste em verificar a existência de

curto ou de circuito aberto entre os pares de terminais BC,BE e CE.
5.7 TESTE COM O USO DO MULTÍMETRO
O procedimento de teste das junções base-coletor e base-emissor é

descrito a seguir tomando como exemplo o caso de um transistor npn.
5.7.1 Detecção de descontinuidade nas junções
Com o potencial positivo da ponta de prova aplicado à base do transistor e

o potencial negativo aplicado ao coletor ou ao emissor, como ilustrado na
FIGURA 10, as junções correspondentes ficam polarizadas diretamente. Na
ausência de defeitos, o instrumento deverá indicar baixa resistência das
junções BC e BE. Se houver uma junção em aberto, o instrumento fornecerá a
indicação de uma resistência altíssima quando essa junção estiver sendo
testada.
Figura 10 – Detecção de Descontinuidade nas Junções BC e BE de um transistor npn.

12
5.7.2 Detecção de curtos nas junções
Para esse teste as pontas de prova devem ser conectadas conforme

mostrado na figura 11. Com a ponta de prova negativa conectada à base, a
segunda ponta de prova polariza inversamente a junção BC ou BE. Na
ausência de defeitos, o multímetro deverá fornecer a indicação de altas
resistências nas junções. Se houver uma junção em curto o instrumento
indicará uma baixa resistência naquela junção.
Figura 11 – Detecção de Curtos nas Junções BC e BE de um transistor npn.
5.7.3 Detecção de curto-circuito entre coletor e emissor
Para completar os testes, deve-se ainda verificar a condição elétrica entre

os terminais do coletor e do emissor. Com o terminal da base em aberto, o
circuito equivalente entre os terminais B e C corresponde a dois diodos em
série conectados inversamente. Dessa forma, o multímetro deverá fornecer
uma indicação de altíssima resistência para as duas possibilidades de conexão
das pontas de prova mostradas na figura 12.
13
Figura 12 - Teste para detecção de curto-circuito entre os terminais C e E de um transistor npn.
Para o caso de um transistor pnp, os testes podem ser conduzidos

seguindo o procedimento descrito anteriormente, exceto que as pontas de
prova devem ser invertidas com relação às configurações ilustradas nas figuras
10 e 12.
Notas:
Todos os testes devem ser realizados com o seletor do multímetro
posicionado na escala de 10 vezes ou 100 vezes e com o transistor
desconectado de qualquer circuito externo.
Os testes realizados com multímetro não permitem detectar alterações
nas características do transistor. Mesmo que o multímetro não detecte defeitos,
Existe ainda a possibilidade de que haja alterações nas características do
transistor que o tornem impróprio para uso em circuitos.
5.7.4 Modo de operação
O transistor desempenha um papel fundamental na eletrônica. A partir da

sua descoberta, o desenvolvimento da eletrônica tem se tomado cada vez mais
rápido. Hoje, na era dos computadores, o transistor ainda tem lugar de
destaque e suas aplicações se estendem a milhares de circuitos com as mais
diversas finalidades.
14
Esta unidade tratará do princípio de funcionamento do transistor bipolar,

fornecendo informações indispensáveis para que o leitor esteja capacitado a
montar e reparar circuitos transistorizados.
Para que os portadores se movimentem no interior da estrutura de um
transistor, é necessário aplicar tensões entre os seus terminais. O movimento
dos elétrons livres e lacunas está intimamente relacionado à polaridade da
tensão aplicada a cada par de terminais do transistor, como descrito a seguir.
5.7.5 Operação do transistor na região ativa
A estrutura física do transistor propicia a formação de duas junções pn,

conforme ilustrado na figura 13. Uma junção pn entre o cristal da base e o
cristal do emissor, chamada de junção base-emissor. Outra junção pn entre o
cristal da base e o cristal do coletor, chamada de junção base-coletor.
Figura 13 - Junções base-coletor e base-emissor em um transistor.
A formação das duas junções no transistor faz com que ocorra um

processo de difusão dos portadores. Como no caso do diodo, esse processo de
difusão dá origem a uma barreira de potencial em cada junção.
No transistor, portanto, existem duas barreiras de potencial, mostradas na
figura 14, que se formam a partir da junção dos cristais semicondutores:
A barreira de potencial na junção base-emissor.
A barreira de potencial na junção base-coletor.
15
Figura 14 - Barreiras de potencial formadas nas duas junções de um transistor.
As características normais de polarização dos terminais do transistor são

sumarizadas a seguir.
5.7.6 Junção base-emissor
Na condição normal de funcionamento, denominada de funcionamento

na região ativa, a junção base-emissor fica polarizada diretamente, conforme
ilustrado na figura 15.
Figura 15 - Polarização da junção base-emissor de transistores pnp e npn para operação

naregião ativa.
16
A condução através da junção base-emissor é provocada pela aplicação

de uma tensão externa entre a base e o emissor, com polarização direta, ou
seja, com o material tipo p tendo polarização positiva com relação ao material
tipo n.
Nota Importante: na região ativa a junção base-emissor de um transistor fica

diretamente polarizada.
5.7.7 Junção base-coletor
Para operação na região ativa, a junção base-coletor fica polarizada

inversamente, ou seja, com o material tipo p polarizado negativamente em
relação ao material tipo n, conforme mostrado na figura 16.
Na região ativa a junção base-coletor de um transistor fica inversamente

polarizada.
Figura 16 - Polarização da junção base-emissor de transistores pnp e npn para operação na

região ativa.
17
5.7.8 Polarização simultânea das duas junções
Para que o transistor funcione adequadamente, as duas junções devem

ser polarizadas simultaneamente. Isso é feito aplicando-se tensões externas
nas duas junções do componente. A figura 17 mostra a forma de polarização
de um transistor para operação na região ativa.
Figura 17 - Polarizações dos transistores npn e pnp para operação na região ativa.
Uma forma alternativa de configuração, que permite obter a operação do

transistor na região ativa é mostrada na figura 18 para o caso de um transistor
npn.
Figura 18 - Configuração alternativa para operação de um transistor npn na região ativa.

18
Uma inspeção do diagrama de circuito mostrado na figura 18 permite

extrair as seguintes observações:
A bateria B1 polariza diretamente a junção base-emissor.
A bateria B2 submete o coletor a um potencial mais elevado do que
aquele aplicado à base.
Dessa forma, a junção base-coletor está submetida a uma polarização
inversa, o que juntamente com a polarização direta aplicada à junção base-
emissor, possibilita a operação na região ativa do transistor. Conclui-se,
portanto, que os dois esquemas mostrados na figura 19 produzem polarizações
equivalentes nas junções do transistor.
Figura 19 - Diagramas de circuito que permitem a operação de um transistor npn na

região ativa.
Em resumo, para operação de um transistor na região ativa, tem-se:

Polarização direta da junção base-emissor.
Polarização inversa da junção base-coletor.
A alimentação simultânea das duas junções, através de baterias externas,
dá origem a três tensões entre os terminais do transistor:
Tensão base-emissor, representada pelo parâmetro VBE.
Tensão coletor-base, representada pelo parâmetro VCB.
Tensão coletor-emissor, representada pelo parâmetro VCE.
Esses parâmetros estão representados na Fig.20 para os transistores pnp

e npn. Como pode ser aí observado, as tensões entre os terminais são
definidas matematicamente pelas relações:
19
VBE = VB – VE (1) VCB = VC – VB (2) VCE = Vc – VE (3)
Onde VB, VC e VE são os potenciais elétricos na base, coletor e emissor,

respectivamente.
Figura 20 – Tensões nas junções dos transistores pnp e npn.
Com base na figura 20, ou alternativamente, somando as equações (1) e

(2), e comparando com a equação (3), tem-se que as tensões entre terminais
satisfazem a condição VCE = VCB + VBE (4).
Na figura 20 as baterias externas estão polarizadas de forma a permitir a
operação do diodo na região ativa. Nessas condições, as tensões definidas nas
equações (1) a (3) devem assumir os sinais indicados na Tabela 1.
Tensão Transistor pnp Transistor npn

VBE Negativa Positiva
VCB Negativa Positiva
VCE Negativa Positiva
Tabela 1 - Sinais das tensões entre terminais
5.7.9 Princípio de funcionamento do transistor bipolar
A aplicação de tensões externas ao transistor provoca o movimento de

elétrons livres e lacunas no interior da estrutura cristalina, dando origem às
20
correntes nos terminais do transistor. Utiliza-se como representação de circuito

para essas correntes, aquela indicada na figura 21.
Figura 21 – Representação de circuito das correntes nos terminais de um transistor.
As correntes definidas na figura 21 recebem as seguintes denominações:

IB = corrente de base.
IC = corrente de coletor.
IE = corrente de emissor.
O sentido das correntes representadas na figura 21 segue uma convenção
que estabelece: “Correntes positivas são aquelas que fluem do circuito
externo para os terminais do transistor”.
De acordo com essa convenção, as correntes nos terminais do transistor
satisfazem a relação IB + IC + IE = 0 (5).
Seguindo a convenção adotada, para transistores npn e pnp operando na
região ativa, os sinais das três correntes definidas anteriormente são aqueles
indicados na tabela 2, conforme ilustrado na figura 22.
Corrente Transistor pnp Transistor npn

IB Negativa Positiva
IC Negativa Positiva
IE Positiva Negativa
Tabela 2 - Sinais das correntes nos terminais dos transistores
pnp e npn para operação na região ativa.
21
Figura 22 - Sentido real das correntes nos transistores npn e pnp para operação na região
ativa.
O princípio básico que explica a origem das correntes no transistor é o

mesmo para estruturas npn e pnp, e a análise do movimento de portadores de
carga pode ser realizada tomando-se como exemplo qualquer das duas
estruturas. Isso é feito a seguir para a análise das correntes em um transistor
pnp posto em operação na região ativa.
5.7.10 Corrente de base
A corrente de base é produzida pela aplicação de uma tensão que

polariza diretamente a junção base-emissor e cujo efeito é semelhante àquele
observado em um diodo semicondutor polarizado diretamente. Como ilustrado
na figura 23, a aplicação de uma tensão positiva VEB = VE – VB, com um valor
superior ao potencial de barreira da junção base-emissor, facilita a injeção de
lacunas do emissor para a base e de elétrons livres no sentido inverso.
Como no caso de uma junção semicondutora comum, o potencial de
barreira é tipicamente 0,6 a 0,7 V para o silício e 0,2 a 0,3V para o germânio.
Transistores são construídos com o emissor tendo um grau de dopagem
muito superior àquele da base. Dessa forma, o fluxo de portadores ocorre
predominantemente por parte das lacunas injetadas na base.
A pequena quantidade de elétrons disponíveis na base se recombina com
parte das lacunas aí injetadas, dando origem à corrente de base. Com o
pequeno grau de dopagem da base, poucas recombinações ocorrem,
resultando em um pequeno valor para a corrente de base, normalmente na
faixa de microamperes a miliamperes.
22
Figura 23 - Movimento de portadores nas proximidades da junção base-emissor

quando esta é polarizada diretamente.
Assim, a maior parte das lacunas provenientes do emissor não se

recombina com os elétrons da base, podendo, portanto, atingir a junção base-
coletor.
Em um transistor pnp, a corrente de base é provocada pela aplicação de
uma tensão VEB > 0, ligeiramente superior ao potencial de barreira da junção
base-emissor. Essa corrente é muito pequena devido ao pequeno grau de
dopagem da base.
5.7.11 Corrente de coletor
Devido à pequena espessura da região da base e também ao seu

pequeno grau de dopagem, o excesso de lacunas que não se recombinarem
com os elétrons naquela região atingem a junção base-coletor, conforme
ilustrado na figura 24. Como a junção base-coletor está inversamente
polarizada, essas lacunas são aceleradas pela queda de potencial existente
naquela junção, dando origem à corrente de coletor.
23
Figura 24 - Movimento de portadores e correntes resultantes nos

Terminais de um transistor pnp.
A corrente de coletor tem um valor muito superior à corrente de base

porque a grande maioria das lacunas provenientes do emissor não se
recombinam com os elétrons da base, sendo, portanto, injetadas diretamente
no coletor.
Tipicamente, um máximo de 5% do total de lacunas provenientes do
emissor produz a corrente de base, com o restante dando origem à corrente de
coletor. Essa grande diferença entre as correntes de base e de coletor está
ilustrada na figura 25.
Figura 25 – Comparação entre as correntes de base e do coletor em um transistor pnp.

24
5.7.12 Corrente de emissor
A partir da discussão das seções anteriores, e de acordo com o princípio

da conservação da carga estabelecido pela equação (5), a corrente de emissor
pode ser obtida da relação:
IE = (- IB) + (- Ic) (6)
De acordo com a convenção adotada para definir as correntes nos

terminais do transistor, os sinais a elas atribuídos indicados na tabela 2, são
compatíveis com os sentidos dos fluxos de corrente, mostrados na figura 26.
Conseqüentemente, para o transistor pnp operando na região ativa:
IB < 0 (- IB) > 0, indicando que a corrente na base flui do terminal B
para o circuito.
IC < 0 (- IC) > 0, indicando que a corrente no coletor flui do terminal C
para o circuito.
IE > 0, indica que a corrente no emissor flui do circuito para o terminal E.
Figura 26 - Sentidos das correntes em um transistor pnp operando na região ativa.

25
5.7.13 Controle de corrente no transistor
A principal característica do transistor reside no fato de a corrente de base

poder controlar eficientemente a corrente de coletor. A corrente de base pode
ser modificada pelo ajuste externo da tensão na junção base-emissor,
conforme ilustrado na figura 27.
Figura 27 - Influência da corrente de base na corrente de coletor de um transistor.
Dessa forma, qualquer variação na tensão da fonte aparece diretamente

como uma variação na altura da barreira de potencial da junção base-emissor,
fazendo que mais ou menos portadores provenientes do emissor sejam
injetados na base. Como as correntes de base e de coletor variam em
proporção direta com o número de portadores provenientes do emissor,
conclui-se que variações na tensão aplicada à junção base-emissor, ou
equivalentemente na corrente de base, causam variações na corrente de
coletor.
Nota-se que apesar de a corrente de base ser de pequeno valor, ela atua
essencialmente de forma a liberar a passagem de mais ou menos corrente do
emissor para o coletor. Dessa forma, a corrente de base atua como corrente de
controle, e a corrente de coletor, como corrente controlada.
26
5.7.14 Ganho de corrente do transistor
Como discutido na seção anterior, através de um transistor é possível

utilizar um pequeno valor de corrente IB para controlar a circulação de uma
corrente IC, de valor bem mais elevado. Uma medida da relação entre a
corrente controlada IC e a corrente de controle IB pode ser obtida do
parâmetro:
definido como o ganho de corrente contínua entre base e coletor.

Como na região ativa as correntes IC e IB têm o mesmo sinal, nesse
regime de operação o parâmetro:
ΒDC é um número positivo. Cada transistor é fabricado com um valor bem
definido para o parâmetro.
ΒDC, que depende das características materiais e estruturais do
componente e do regime de operação do transistor. Da equação (7) tem-
se que IC ≈ βDC*IB (8).
A equação (8) mostra que a corrente de coletor é diretamente proporcional
à corrente de base, e que IC pode ser calculado a partir do conhecimento dos
valores de βDC e IB.
É importante salientar que o fato de o transistor permitir a obtenção de um
ganho de corrente entre base e coletor não implica criação de correntes no
interior da estrutura. Todas as correntes que circulam em um transistor são
provenientes das fontes de alimentação, com a corrente de base atuando no
sentido de liberar a passagem de mais ou menos corrente do emissor para o
coletor.
Os transistores não geram ou criam correntes internamente, atuando
apenas como controladores do nível de corrente fornecido externamente.
27
5.8 OS CIRCUITOS OU MALHAS NOS TRANSISTORES
5.8.1 Introdução
As tensões e correntes presentes nos terminais de um transistor estão

diretamente relacionados entre si. Este é o caso, por exemplo, da relação
existente entre as correntes no transistor que pode ser utilizada para
determinar de que forma variações na corrente de base afetam as outras
correntes no componente.
Para obter sucesso na montagem, teste ou reparo de circuitos
transistorizados, é necessário conhecer perfeitamente como e por que se
relacionam as tensões e correntes em um transistor. Esta unidade, que trata
das relações entre os parâmetros de circuito do transistor bipolar, foi elaborada
com o objetivo de fornecer os conhecimentos fundamentais necessários à
produção, teste e manutenção de circuitos eletrônicos.
Na grande maioria dos circuitos transistorizados, o coletor do transistor é
conectado à fonte de alimentação através de um resistor de coletor,
representado pelo parâmetro RC, conforme ilustrado na figura 28.
Figura 28 - Circuito a transistor com resistor de coletor.

28
O resistor de coletor completa a malha do coletor, ilustrada na figura 28,

que é a porção do circuito composta pelo grupo de componentes onde circula a
corrente de coletor. Como pode ser aí observado, estes componentes são o
resistor RC, a fonte de alimentação Vcc e a porção do transistor entre os
terminais do coletor e do emissor. Com base na figura 29, a aplicação da
segunda lei de Kirchhoff à malha do coletor fornece:
Vcc = VRC + VCE (8)
Onde:
Vcc representa a tensão da fonte de alimentação.
VRC representa a queda de tensão no resistor RC.
VCE representa a tensão coletor-emissor.
Figura 29 – Parâmetros de circuito da malha Coletor.
Desprezando-se a resistência interna da fonte de alimentação, a tensão

por ela fornecida independe da corrente solicitada pelo circuito. Da lei de Ohm,
a queda de tensão no resistor de coletor é relacionada à corrente na malha
pela:
VRC = RC*lC (9)

29
Como se pode notar da equação (9), a queda de tensão no resistor varia

proporcionalmente à corrente de coletor. A tensão coletor-emissor VCE é o
último termo da equação da malha de coletor. A partir da equação (8), tem-se
que:
VCE = Vcc – RC*lC (10)
o que indica que a tensão coletor-emissor depende dos valores da tensão de

alimentação e da queda de tensão no resistor RC.
O exemplo a seguir ilustra o emprego das equações da malha do coletor.
Exemplo 1: Para o circuito da figura 30, o resistor de coletor é de 680 Ω. Com

a fonte de alimentação fornecendo uma tensão de 12 V, a corrente do coletor é
de 6 mA. Determinar a tensão coletor-emissor.
Figura 30 – Circuito a Transistor para o Exercício 1.
A queda de tensão no resistor de coletor pode ser calculada da equação

(9) resultando em: VRC = 680 Ω x 0,006 A = 4,08 V.
Utilizando Vc = 12 V e o valor obtido para a tensão no resistor de coletor

na equação (10) tem-se que: VCE = 12 V - 4,08 V = 7,92V.
30
5.8.2 Influência da corrente de base
Como discutido nas unidades anteriores, na região ativa a corrente de

coletor é proporcional à corrente de base de acordo com a relação lC = βDC*IB
(4) com βDC representando o ganho de corrente do transistor.
Pela equação (9) a queda de tensão no resistor de coletor também é
proporcional à corrente de coletor. A forma que a tensão VRC é influenciada
pela corrente de base pode ser determinada inserindo a equação (4) na
equação (9), fornecendo:
VRC = RC*IC = RC*βDC*IB
ou alternativamente: VRC = (βDC*RC)*IB (11)
A equação (11) mostra que com valores constantes do resistor de coletor

e do ganho de corrente do transistor na região ativa, a tensão no resistor de
coletor é diretamente proporcional à corrente de base.
A forma que a tensão coletor-emissor é influenciada pela corrente de base
pode ser obtida inserindo a equação (11) na equação (10), resultando em:
VCE = Vcc - (βDC*RC)*IB (12)
O sinal negativo na frente do segundo termo do segundo membro da

equação (12) indica que a tensão coletor-emissor diminui quando a corrente de
base aumenta e aumenta quando a corrente de base diminui. A influência da
corrente de base nos parâmetros da malha do coletor, definida a partir das
equações (4) a (12), pode ser representada diagramaticamente como indicado
na Tabela 3.
IB IC VRC VCE
Tabela 3 – Influência da corrente de Base nos parâmetros da malha do Coletor.

31
Exemplo 2: para o circuito representado na figura 31, a base do transistor é

conectada à fonte Vaa por um resistor limitador RB. Determinar os parâmetros
da malha do coletor para: (a) IB = 40 µA, (b) IB = 70 µA.
Figura 31 – Circuito a Transistor para o Exercício 2.
(a) IB = 40 µA:
Da figura 31 tem-se que, RC = 820 Ω, Vcc = 10 V, β = 100.
Da equação (4) resulta: IC = 100 x 40 µA = 4000 µA = 4 mA
Da equação (9) obtém-se: VRC = 820 Ω x 0,004 A = 3,24V
Da equação (12) tem-se que: VCE = 10 V - 3,24 V =6,76 V
(b) IB = 70 µA:
Repetindo o mesmo procedimento do item (a), obtém-se;
lC = 7mA, VRC = 5,74V, VCE = 4,26 V.
Nota-se, portanto, que o aumento da corrente de base causa as variações

nos parâmetros da malha do coletor, indicadas na Tabela 3. Dos resultados
obtidos nos itens (a) e (b) vale observar que um aumento de apenas 70 µA - 40
µA = 30 µA, na corrente de base provoca um aumento de 7 mA - 4 mA = 3 mA,
na corrente de coletor.
32
5.9 PONTO DE OPERAÇÃO: CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO
As características de um circuito eletrônico transistorizado são

dependentes da escolha adequada do ponto de operação do transistor, uma
vez que um ponto quiescente mal selecionado pode levar a um mau
desempenho do circuito.
Esta unidade tratará de um método simples de obtenção do ponto de
operação de um circuito transistorizado, visando a capacitar o leitor a obter na
prática a implementação de um circuito transistorizado polarizado.
5.9.1 Polarização de base
Denomina-se de polarização de base o processo de obtenção da corrente

de base necessária para levar o transistor ao ponto de operação desejado.
Entre os processos de polarização de base, o mais simples é o de polarização
por corrente constante. Através do traçado da reta de carga e da determinação
do ponto de operação Q fica determinada a corrente de base quiescente IBQ,
conforme ilustrado na figura 32.
Figura 32 - Determinação gráfica do ponto quiescente de um circuito transistorizado.
No método de polarização de base por corrente constante, a corrente de

base quiescente IBQ é obtida pelo uso de um resistor de base, como mostrado
33
na figura 33. Esse resistor é ligado entre a base e o terminal positivo da fonte
de alimentação.
Figura 33 - Emprego de um resistor para obtenção da corrente de base quiescente.
5.9.2 Análise da malha da base
Como mostrado na figura 34, a malha da base é composta pelo arranjo

série do resistor de base RB e da junção base-emissor, que se completa
juntamente com a fonte de alimentação.
Figura 34 - Malha da base de um transistor.

34
Considerando que a junção base-emissor do transistor se comporta como

um diodo, o circuito equivalente da malha da base é aquele mostrado na figura
35.
Figura 34 – Circuito equivalente da malha da base do transistor.
Observando o circuito equivalente da figura 35, verifica-se que o diodo

representativo da junção base-emissor é polarizado diretamente, permitindo a
circulação de corrente de base através do resistor.
5.9.3 Determinação do resistor de base
A corrente de base lB depende dos seguintes parâmetros:

Resistência RB;
Tensão de alimentação Vcc, e
Tipo de transistor.
Com base no circuito equivalente mostrado na figura 34, a corrente de
base quiescente é obtida da relação:
(1)
35
Dessa forma, conhecidos os valores de IBQ, da tensão de alimentação Vcc

e da tensão base-emissor VBE, a resistência RB pode ser derivada da equação
(1), resultando em:
(2)
O exemplo a seguir ilustra o procedimento de determinação da resistência

RB.
Exemplo 1: Um transistor de silício BC200 é utilizado no circuito da figura 35a.
Com base na curva característica do componente mostrada na figura 35b,
determinar o valor de RB necessário à obtenção de uma tensão coletor-
emissor no ponto quiescente, VCEQ= - 3V.
Figura 35 - Circuito e curva características para o Exemplo 1.
A reta de carga correspondente ao resistor RC = 330Ω mostrado na figura

35a já está traçada na figura 35b. A interseção dessa reta com a curva
correspondente a -IB = 80 µA define um valor –VCEQ ≈ 3,3 V. Esse valor difere
cerca de 10% do valor definido originalmente e pode ser considerado
admissível para esse exemplo.
Utilizando na equação (2), - IBQ = 0.08 mA, o valor - VBE = 0,6 V,
correspondente ao silício, obtém-se:
36
Do resultado do Exemplo 1, observa-se que o resistor RB é normalmente

de resistência elevada, pois as correntes de base em transistores são
usualmente baixas.
5.9.4 Estabilidade térmica
A dependência com a temperatura da corrente de fuga Icbo faz com que a

corrente de coletor seja também influenciada pela temperatura. Isso se torna
evidente a partir da expressão geral para a corrente de coletor:
(3)
Essa dependência com a temperatura da corrente de coletor influencia a

tensão sobre o resistor de coletor VRc e aquela entre coletor e emissor VCE.
Essa conclusão é obtida analisando-se as expressões para as tensões na
malha do coletor do circuito mostrado na figura 36.
(4)
(5)
A equação (4) mostra que variações na corrente de coletor devido a

flutuações de temperatura produzem variações em VRC. Essas variações
também alteram o valor de VCE, como se pode concluir a partir da equação
(5).
37
Figura 36 - Circuito transistorizado na configuração emissor comum.
A influência da temperatura na localização do ponto de operação do

circuito transistorizado pode ser resumida da seguinte forma:
Acréscimo de temperatura: o ponto de operação se desloca sobre a reta
de carga no sentido de correntes crescentes e tensões decrescentes,
como mostrado na figura 37a:
Decréscimo de temperatura: o ponto de operação se desloca sobre a reta
de carga no sentido de correntes decrescentes e tensões crescentes,
como mostrado na figura 37b.
Figura 37 - Influência da temperatura na localização do ponto de operação de

um circuito transistorizado.
O grau de influência da temperatura sobre o ponto de operação de um

circuito transistorizado pode ser caracterizado a partir do fator de estabilidade
definido a seguir.
38
5.9.5 Fator de estabilidade
O fator de estabilidade S é um coeficiente utilizado para avaliar o grau de

estabilidade térmica de um estágio transistorizado. Este fator é definido pela
relação:
(6)
Onde:
∆ICBo = variação na corrente de fuga ICBo causada pela variação de
temperatura.
∆Ic = variação na corrente de coletor Ic causada pela variação com a
temperatura da corrente de fuga ICBO.
Um estágio transistorizado terá melhor estabilidade térmica quanto menor
for a variação ∆Ic para uma dada variação ∆ICBo na corrente de fuga. Dessa
forma, a equação (6) estabelece que a estabilidade térmica de um estágio
transistorizado será tanto melhor quanto menor for o valor do fator de
estabilidade térmica S.
Como descrito a seguir, a estabilidade térmica depende
fundamentalmente do tipo de aplicação a que se destina o circuito
transistorizado.
5.9.6 Estabilidade térmica com corrente de base constante
O fator de estabilidade para este método de polarização pode ser obtido

determinando a variação ∆IC devido a uma variação ∆ICB0 no segundo
membro da equação (3). Impondo que IB seja constante na equação (3), o que
equivale a uma variação ∆IB = O, obtém-se:
Essa relação permite obter o fator de estabilidade com uso da equação (6)
resultando em:
39
(7)
Da equação (7) nota-se que quanto maior for o ganho de corrente do
transistor, maior será o valor de S, o que implica pior estabilidade térmica do
circuito. Portanto, o método de polarização por corrente de base constante
deve ser evitado em circuitos que estejam sujeitos a grandes variações de
temperatura.
5.9.7 Correção no ponto de operação
Devido a diferenças em processos de fabricação, os transistores de um

mesmo tipo podem apresentar ganhos de corrente distintos, que podem variar
em uma ampla faixa de valores. O transistor BC337, por exemplo, pode
apresentar um ganho de corrente situado entre 60 e 630. Devido a essa
variabilidade, a característica de saída fornecida pelo fabricante representa o
comportamento médio de uma dada especificação de transistor.
Como na polarização por corrente de base constante o ponto de operação
depende diretamente do ganho de corrente do transistor. É comum ocorrer
uma diferença entre os valores obtidos no circuito e aqueles previstos em
projeto. A figura 38 ilustra o que ocorre quando o ganho do transistor é superior
ao valor médio obtido das curvas características de saída contidas no folheto
de β`>β.
Figura 38 - Alteração do ponto de operação para um transistor

com ganho superior ao valor médio especificado pelo fabricante.
40
Como pode ser aí observado, o ponto de operação Q obtido da interseção

da reta de carga com a curva média está deslocado para cima, ocorrendo no
ponto Q” da curva característica do componente real. Note-se que, para uma
mesma corrente de base IB, a curva característica do componente real está
deslocada para cima, pois o ganho de corrente do componente real β é
superior ao valor médio fornecido no folheto de especificações do fabricante.
Nessa situação, o valor real da tensão coletor-emissor VCEQ’ é inferior ao
valor esperado VCEQ e a corrente de coletor real ICQ' é maior do que o valor
ICQ obtido da curva característica média.
A figura 39 mostra a alteração observada no ponto de operação quando o
ganho do transistor é inferior ao valor médio. Nesse caso, o ponto de operação
Q, obtido na curva média, está deslocado para baixo, ocorrendo no ponto Q' da
curva característica referente à mesma corrente de base no componente real.
Nessa situação, o valor real da tensão coletor-emissor VCEQ' é superior
ao valor esperado VCEQ, e a corrente de coletor real ICQ' é inferior ao valor
ICQ obtido da curva característica média.
β'< β
Figura 39 - Alteração do ponto de operação para um transistor com

ganho inferior ao valor médio especificado pelo fabricante.
A Tabela 4 resume as alterações que podem ocorrer nos parâmetros do

ponto de operação de um transistor.
41
Ganho Real > Ganho Médio Ganho Real < Ganho Médio
β` > β β` < β
VCEQ` < VCEQ VCEQ` > VCEQ
ICQ` > ICQ ICQ` < ICQ
Tabela 4 - Possíveis modificações nos parâmetros elétricos de um transistor
em relação aos valores previstos em projeto.
Quando diferenças significativas ocorrem, é necessário modificar o circuito

de forma que o ponto de operação fique o mais próximo possível daquele
desejado. Como o ganho de corrente do transistor não pode ser alterado, a
correção deve ser feita alterando-se o resistor de base, conforme demonstrado
nos exemplos a seguir.
Exemplo 2: O circuito mostrado na figura 40 utiliza um transistor BC337, e

foi projetado para operar com os parâmetros mostrados na segunda coluna da
Tabela 5, obtidos no ponto de operação Q da figura 40. No entanto, após a
montagem do circuito, foram observados os valores mostrados na terceira
coluna da Tabela 5. Determinar o valor RB' do resistor de base para que o
circuito opere com os valores desejados da corrente de coletor e da tensão
coletor-emissor.
Figura 40 - Circuito e curvas características para o Exemplo 2.

42
Parâmetro Valor Projetado Valor Observado
Tensão coletor-emissor VCEQ = 12 V VCEQ = 7,5 V

Queda no resistor RC VRCQ = 12 V VRCQ = 16,5 V
Corrente de coletor ICQ = 36 mA ICQ = 50 Ma
Tabela 5 – Parâmetros de circuito para o Exemplo 2.
Para uma corrente de base IBQ = 0,15 mA, o ganho de corrente médio
pode ser obtido utilizando-se o valor ICQ = 36 mA, listado na segunda coluna
da Tabela 5, resultando em:
No entanto a corrente de coletor observada é ICQ = 50 mA, resultando em

um ganho real:
Portanto, o ganho real é superior ao valor médio. Por essa razão a

corrente de coletor resultante é superior ao valor projetado. Como
conseqüência, a queda de tensão no resistor RC se toma maior, diminuindo
assim a tensão coletor-emissor em relação ao valor calculado em projeto.
Para corrigir o ponto de operação do circuito, deve utilizar-se o valor do
ganho real do transistor para determinar a corrente de base IBQ' que seria
necessária para fornecer a corrente de coletor desejada de 36 mA. Isso pode
ser feito utilizando-se o valor observado β` para o ganho de corrente resultando
em:
43
Ou seja, a corrente de base deve ser diminuída de 0,15 mA para 0,11 mA

de forma que os valores desejados listados na segunda coluna da Tabela 2
sejam obtidos.
Essa diminuição no valor da corrente de base só pode ser obtida
aumentando-se o valor RB do resistor de base. O valor desejado RB' pode ser
obtido pelo uso da equação (2), fornecendo:
Exemplo 3: para o mesmo circuito mostrado na figura 40, projetado para

operar com os parâmetros mostrados na segunda coluna da Tabela 6, foram
observados os valores mostrados na terceira coluna da Tabela 6. Determinar o
valor RB' do resistor de base para que o circuito opere com os valores
desejados da corrente de coletor e da tensão coletor-emissor.
Parâmetro Valor Projetado Valor Observado

Tensão coletor-emissor VCEQ = 12 V VCEQ = 15 V
Queda no resistor RC VRCQ = 12 V VRCQ = 9 V
Corrente de coletor ICQ = 36 mA ICQ = 27 mA
Tabela 6 – Parâmetros de circuito para o Exemplo 3.
Este exemplo segue os mesmos passos do Exemplo 2. No caso presente,

o transistor apresenta um ganho real inferior ao ganho médio. O valor do ganho
real é obtido utilizando-se o valor observado de 27 mA para a corrente de
coletor, resultando em:
A corrente de base necessária para produzir uma corrente de coletor de

36 mA pode ser determinada utilizando-se o valor obtido para o ganho real do
transistor, resultando em:
44
O valor desejado RB' é obtido da equação (2), fornecendo:
5.10 REGIÕES DE OPERAÇÃO DE UM TRANSISTOR
A localização do ponto de operação de um estágio transistorizado sobre a

reta de carga define três regiões de operação descritas a seguir.
5.10.1 Região de corte
Um transistor está na região de corte quando a base é polarizada de

forma a tomar a corrente de coletor praticamente nula. Essa condição é obtida
na iminência de polarização inversa da junção base-emissor, conforme
ilustrado na figura 41a.
Na região de corte a corrente de base é reduzida a um valor praticamente
nulo. Da relação entre correntes no transistor dada pela equação (3) e
reproduzida a seguir:
(7)
A condição IB ≈ 0, fornece:
(8)
Dessa forma, a corrente de coletor corresponde à corrente de fuga, com

um valor da ordem de alguns microamperes para transistores de silício. Devido
45
ao pequeno valor da corrente de coletor, a queda de tensão no resistor de

coletor é praticamente nula e a tensão coletor-emissor toma-se:
(9)
No diagrama IC x VCE, a região de corte está localizada bem próxima ao

eixo horizontal, conforme mostrado na figura 41b.
Figura 41 - (a) Circuito transistorizado operando na condição de corte.

(b) Região de corte no diagrama da característica de saída do transistor.
As características da região de corte estão sumarizadas na Tabela 7.
Junção coletor-base: inversamente polarizada.

Junção base-coletor: na iminência de polarização inversa.
Corrente de base: IB ≈ 0.
Corrente de coletor: IC = ICE0.
Tensão coletor-emissor: VCE ≈ VCC.
Tabela 7 – Características da Região de Corte
Nos transistores de silício basta anular-se a corrente de base para levar o

transistor à condição de corte.
46
5.10.2 Região de saturação
Um transistor está na região de saturação quando a junção base-emissor

está diretamente polarizada com a condição adicional de a tensão VCE tomar-
se inferior à tensão VBE. As conseqüências decorrentes dessa condição
podem ser analisadas com base no transistor npn mostrado na figura 42. A
relação entre tensões nos terminais do transistor pode ser posta na forma: VCB
= VCE - VBE (10)
Figura 42 - Tensões entre terminais em um transistor npn.
Da equação (10) nota-se que a condição VCE < VBE fornece:
VCE - VBE < 0 => VCB < 0.
Tendo a base do transistor npn polaridade positiva em relação ao coletor,

a junção base-coletor fica diretamente polarizada. Portanto, na região de
saturação a corrente de coletor pode ser razoavelmente elevada.
No gráfico com as curvas características de saída do transistor, a região
de saturação fica localizada nas proximidades do eixo vertical. Para auxiliar o
exame das curvas características naquela região, os folhetos de especificações
47
técnicas fornecem um gráfico adicional detalhando a região de saturação, do

tipo mostrado na figura 43.
Naquela porção do diagrama da figura 43, os valores de VCE são
geralmente inferiores ao potencial de barreira de uma junção semicondutora.
Note-se que nessa região a corrente de coletor é influenciada tanto pelo valor
da tensão VCE como pelo valor da corrente de base.
Figura 43 - Gráfico detalhando a região de saturação de um transistor.
As características da região de saturação estão sumarizadas na Tabela 8.
Junção coletor-base: diretamente polarizada.

Junção base-emissor: diretamente polarizada com VBE > VCE.
Corrente de coletor: influenciada pelos valores de IB e de VCE.
Tabela 8 – Características da Região de Saturação.
5.10.3 Região ativa
A região ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga situado entre

as regiões de corte e de saturação, conforme ilustrado na figura 44.
48
Figura 44 - Região ativa no gráfico das curvas características de um transistor.
Essa é a região característica de funcionamento dos estágios

amplificadores, pois é aí que a corrente de coletor é controlada apenas pela
corrente de base, não sofrendo praticamente nenhuma influência da tensão
coletor-emissor.
Para pontos de operação nessa região são válidas as regras de
polarização delineadas na Tabela 9.
Junção coletor-base: inversamente polarizada.

Junção base-emissor: diretamente polarizada com VBE < VCE < VCC.
Corrente de coletor: influenciada apenas pela corrente de base.
Tabela 9 – Características da Região Ativa.
5.11 POLARIZAÇÃO DE CIRCUITOS TRANSISTORIZADOS
Um fator que sempre representa um problema na utilização dos

componentes semicondutores é a dependência térmica dos parâmetros
materiais. O transistor não foge à regra. Circuitos transistorizados são
sensíveis às variações de temperatura, sofrendo mudanças no ponto de
operação.
49
Uma forma de amenizar os efeitos da dependência térmica é polarizar o

transistor por divisão de tensão. Esta unidade tratará dessa técnica de
polarização, tratando do princípio de funcionamento do circuito, do cálculo de
parâmetros elétricos e das características, visando a capacitar o leitor na tarefa
de polarização e correção do ponto de operação de um circuito transistorizado.
5.11.1 Polarização por divisor de tensão
A polarização da base de um transistor pode ser feita a partir da utilização

de um divisor de tensão, através do qual aplica-se uma tensão VBE entre a
base e o emissor do transistor.
A figura 45 mostra um circuito transistorizado que emprega esse tipo de
polarização. Essa técnica é denominada de polarização de base por divisor de
tensão.
Figura 45 - Circuito transistorizado com base polarizada por divisor de tensão.
Do divisor de tensão mostrado na figura 45 resulta um potencial VB no

terminal base do transistor que polariza diretamente a junção base-emissor,
produzindo assim a corrente de base quiescente IBQ. A finalidade do divisor de
tensão é polarizar diretamente a junção base-emissor. Como se pode observar
na figura 45 com o emissor aterrado, o potencial da base VB corresponde à
50
tensão VBE aplicada à junção base-emissor do transistor. Dessa forma, o

controle da corrente IBQ é obtido ajustando-se a tensão VBE fornecida pelo
divisor.
O uso conjunto de um divisor de tensão e de um resistor de emissor
propicia um alto grau de estabilidade térmica no circuito. Outra característica
importante desse tipo de polarização é a menor variação dos parâmetros de
polarização quando o transistor é substituído. Normalmente os circuitos
polarizados por divisão de tensão têm ainda um resistor de emissor RE como
mostrado na figura 46. Esse resistor tem por finalidade melhorar a estabilidade
térmica do circuito.
A inclusão de um resistor de emissor no circuito de polarização de um
transistor melhora a estabilidade térmica do circuito.
Figura 46 - Emprego de um resistor de emissor em um circuito transistorizado.
Figura 47 - Malha de coletor de um transistor.

51
Nos circuitos polarizados por divisor de tensão, a malha de coletor, figura

47, é composta dos seguintes elementos:
Fonte de alimentação;
Resistor de coletor;
Transistor;
Resistor de emissor.
Como se pode observar na figura 47, a tensão fornecida pela fonte
distribui-se sobre os elementos da malha do coletor na forma: Vcc = VR + VCE
+ VE (1)
Onde:
VRc = Rc Ic (2)
VE = RE (-IE) (3)
Na equação (1) a dependência da tensão VCE na corrente de coletor é

determinada através das curvas características de saída do transistor. A
equação (3) pode ser reescrita na forma: VE = RE (IC + IB) (4).
Como a corrente de base é geralmente muito inferior à corrente de coletor,
é válida a seguinte aproximação: Ic + IB ≈ Ic, e a equação (4) pode ser posta
na forma:
VE ≈ RE IC (5)
A seguir é apresentado um exemplo de utilização das equações do
circuito do coletor.
Exemplo 1: para o circuito mostrado na figura 48, determinar os valores de

VRc, VE e VCE.
52
Figura 48 - Circuito transistorizado do Exemplo 1.
As tensões nos resistores de coletor e de emissor são obtidas das

equações (2) e (5), resultando em:
VRc = 1.000 Ω x 0,004 A = 4V.

VE = 270 Ω x 0,004 A = 1,08V.
A tensão VCE é obtida da equação (1):
VCC = VRc + VCE + VE

VCE = Vcc - VRc – VE
VCE = 10 - 4 -1,08
VCE = 4,92 V
5.11.2 O circuito da base
O circuito da base, que compreende o divisor de tensão, tem por

finalidade polarizar diretamente a junção base-emissor do transistor e
estabelecer o valor quiescente da corrente de base IBQ. A tensão base-
emissor VBE é a diferença de potencial entre os terminais B e E do transistor.
Como se pode observar na figura 49.
53
VBE = VB - VE (6)
A tensão VBE aplicada à junção base-emissor dá origem a uma corrente

de base que pode ser obtida a partir da curva característica da junção. Dessa
forma, a junção base-emissor se comporta efetivamente como um diodo
diretamente polarizado, conforme mostrado na figura 50.
Figura 50 - Circuito equivalente da junção base-emissor,

com base polarizada por divisor de tensão.
54
5.11.3 Determinação dos elementos de circuito
A inclusão do resistor de emissor toma o circuito mais estável

termicamente, o que é interessante do ponto de vista prático. Entretanto, essa
adição modifica a análise gráfica do circuito, pois a reta de carga deve levar em
conta a presença daquele novo elemento no circuito. Por essa razão, a
determinação dos valores dos resistores de polarização é usualmente feita
matematicamente.
Para simplificar a análise matemática, podem ser consideradas algumas
aproximações e estimativas, que em nada prejudicam os resultados obtidos,
como delineado a seguir.
5.11.4 Corrente de emissor
A pequena diferença existente entre IC e IE aproximação permite utilizar a

IE ≈ IC, cujo erro é pequeno comparado com a tolerância de 5 a 10% dos
resistores do circuito.
5.11.5 Ganho do transistor
O ganho de transistores que empregam a polarização por divisor de

tensão usualmente satisfaz a condição β≥100.
5.11.6 Parâmetros de entrada
Na determinação dos valores dos elementos de circuito, mostrados na

figura 51, os parâmetros de entrada são geralmente:
A tensão de alimentação, Vcc.
A corrente de coletor quiescente, ICQ.
A tensão quiescente sobre o resistor de coletor, VRcQ.
55
Figura 51 - Alguns parâmetros do circuito transistorizado.
A corrente de coletor ICQ nos estágios transistorizados polarizados por

divisor é de normalmente valores que variam de 1 a 10 mA. A tensão assume o
parâmetro VRcQ, que é diretamente relacionado à tensão de alimentação. Na
prática, adota-se normalmente uma tensão no resistor de coletor próxima à
metade da tensão de alimentação, ou seja, (7)
5.11.7 Parâmetros da malha do coletor
Dispondo dos valores Vcc, ICQ e VRcQ pode-se determinar os valores

dos componentes da malha do coletor, mostrados na figura 52.
Figura 52 – Parâmetros da malha do coletor no circuito transistorizado.

56
Resistor de coletor: é calculado através da Lei de Ohm, utilizando os

valores conhecidos de ICQ e VRcQ, resultando em:
(8)
Resistor de emissor: observa-se na prática que o emprego de um

resistor de emissor tal que a queda de tensão satisfaça à condição:
VEQ 0,1 Vcc (9); permite a obtenção de um fator de estabilidade ótimo,
usualmente na faixa de valores 10 ≤ S ≤ 15. Nessa condição, o resistor de
emissor é determinado da expressão:
(10)
Resistores de base: o divisor de tensão formado pelos resistores de base

tem por finalidade fornecer a tensão VB à base do transistor, como mostrado
na figura 53.
Figura 53 - Tensão fornecida pelo divisor à base do transistor.
Para que a junção base-emissor conduza, a tensão fornecida à base deve

corresponder à soma VB = VBEQ + VEQ (11)
Com base na figura 53, a queda de tensão sobre RB1 pode ser obtida de:
VB1 = Vcc - VB (12)
57
Dispondo dos dois valores de tensão sobre os resistores, deve-se assumir

um valor conhecido para a corrente 10 através do divisor. Esse valor deve ser
suficientemente grande para que pequenas variações na corrente de base não
alterem significativamente a proporção de divisão da tensão sobre os
resistores. Dessa forma, é prática usual adotar uma corrente através do divisor
satisfazendo à condição:
ID = 0,1 ICQ (13)
Com essa escolha, considerando-se que o transistor tenha um ganho de

pelo menos 100, a corrente do divisor é pelo menos 10 vezes superior à
corrente de base. Uma vez obtidos os parâmetros VB1 e VB por intermédio das
equação (11) e (12), utiliza-se a equação (13) para se obterem os valores de
resistência do divisor, resultando em:
(14)
(15)
As expressões utilizadas na determinação dos parâmetros do circuito

transistorizado com polarização por divisor de tensão estão sumarizadas na
Tabela 10.
Parâmetros de Entrada
Tensão de alimentação VCC
Tensão no resistor de coletor ou tensão coletor- VREQ ou VCEQ
emissor
Corrente de coletor ICQ
Parâmetros de Saída
Parâmetro Equação
Tensão no resistor de emissor VEQ ≈ 0,1 VCC
Tensão no resistor de coletor, conhecida a tensão VRCQ = VCC – VCEQ – VEQ
coletor-emissor
58
Resistor de coletor
Resistor de emissor
Tensão no resistor RB2
Tensão no resistor RB1
Corrente no divisor
Resistor RB2
Resistor RB1
Tabela 10 - Sumário das expressões utilizadas na determinação dos parâmetros de um

circuito transistorizado com polarização por divisor de tensão.
Os exemplos a seguir ilustram o emprego das expressões do circuito

transistorizado com polarização por divisor de tensão.
Exemplo 1: para o circuito mostrado na figura 54, determinar os valores de Rc,

RE, RB1 e RB2 para que o circuito opere com uma corrente de coletor de 5,8
mA e uma tensão no resistor de coletor de 10 V.
Figura 54 – Circuito transistorizado para o exemplo 1.
Utilizando a Tabela 10 resulta:

59
Tensão de alimentação 20 V
Tensão no resistor de coletor ou tensão coletor- 10 V
emissor
Corrente de coletor 5,8 mA
Resistor de coletor
Resistor de emissor
Tensão no resistor emissor
Tensão no resistor RB2 VB = 0,6 + 2 = 2,6 V

Tensão no resistor RB1 VB1 = 20 – 2,6 = 17,4 V
Corrente no divisor ID = 0,1 x 5,8 = 0,58 mA
Resistor RB2
Resistor RB1
Exemplo 2: Para o circuito mostrado na figura 55, determinar os valores

de Rc, RE, RB1 e RB2 para obter uma tensão coletor-emissor de 7 V e uma
corrente de coletor de 12 mA.
Figura 55 - Circuito transistorizado para o Exemplo 2.

60
Utilizando a Tabela 10 resulta:
Tensão de alimentação 12 V
Tensão no resistor de coletor 7V
Corrente de coletor 12 mA
Tensão no resistor de emissor
Tensão no resistor de coletor
Resistor de coletor
Resistor de emissor
Tensão no resistor RB2 VB = 0,6 + 1,2 = 1,8 V

Tensão no resistor RB1 VB1 = 12 – 1,8 = 10,2 V
Corrente no divisor ID = 0,1 x 12 = 1,2 mA
Resistor RB2
Resistor RB1
5.11.8 Modificação do ponto de operação
Os estágios transistorizados polarizados por divisor de tensão possuem

ótima estabilidade térmica, não necessitando de correções quando submetidos
a variações de temperatura. Dessa forma, a alteração intencional do ponto de
operação só pode ser obtida pela modificação de alguns elementos de circuito.
A discussão a seguir ilustra a forma de obtenção de um aumento ou diminuição
da tensão coletor-emissor de um estágio polarizado por divisor de tensão com
os parâmetros indicados na figura 56.
61
Figura 56 - Estágio transistorizado com base polarizada por divisor de tensão.
Seja, por exemplo, a situação em que se deseja aumentar a tensão VCE

do transistor. Para isso é necessário reduzir a queda de tensão nos resistores
RE e Rc, como sugere a figura 57.
Figura 57 - Aumento de VCE pela diminuição dos parâmetros VRC e VE.
As tensões VRC e VE são proporcionais à corrente IC, e, portanto uma

redução nos valores de VRC e VE pode ser obtida pela redução de lC.
62
Como a corrente lC é proporcional a lB, para reduzir IC deve-se reduzir lB.
A corrente lB varia com a tensão VBE de acordo com a curva mostrada na

figura 58 e, portanto, uma redução na corrente lB pode ser obtida diminuindo-
se a tensão VBE.
Figura 58 - Curva característica lB x VBE.

63
Como mostra a figura 59, a tensão VBE corresponde à diferença de

potencial entre os terminais da base e do emissor. Com VE já tendo sido
reduzido pela redução de lC, deve-se também reduzir VB para obter-se a
diminuição desejada em VBE.
Figura 59 - Trecho do estágio transistorizado e relação entre tensões na malha da base.
Como se pode observar na figura 59, a tensão VB é aquela fornecida pelo

divisor de tensão e corresponde à queda de tensão sobre o resistor RB2.
Assim, a diminuição de VBE pode ser obtida diminuindo o valor de RB1 e
aumentando o valor de RB2 de forma a garantir que a corrente lD não sofra
nenhuma modificação substancial. Esse efeito está ilustrado no diagrama
seguinte.
O processo de diminuição da tensão VCE pela alteração dos resistores do

divisor está representado diagramaticamente na figura 60.
64
Figura 60 - Diagrama representativo do processo de aumento da tensão VCE.
Para se obter uma redução na tensão VCE do transistor, deve-se reduzir

RB1 e aumentar RB2, como sugere o diagrama mostrado na figura 61.
Figura 61 - Diagrama representativo do processo de redução da tensão VCE.
5.11.9 Fator de estabilidade
Os circuitos polarizados por divisor de tensão exibem um fator de

estabilidade S de bom a ótimo. A alta estabilidade térmica desse método de
65
polarização deve-se, principalmente, à inclusão do resistor de emissor. O fator

de estabilidade para esse tipo de circuito pode ser calculado da expressão:
(16)
Onde: RB é a resistência equivalente do divisor, dada por:
(17)
5.11.10 O processo de estabilização térmica
As variações de temperatura influenciam a corrente de coletor do circuito,

através da corrente de fuga lCBo. Essa afirmação é o resultado da relação
entre correntes no transistor.
(18)
O componente de fuga da corrente de coletor não pode ser alterado

externamente pois se deve a fenômenos internos ao transistor. A polarização
por divisor de tensão atua, no entanto, na parcela de lC que é dependente da
corrente de base, fazendo com que as variações na corrente de fuga sejam
compensadas por variações opostas na corrente lB. Utilizando a condição de
alto ganho, i.e., β>>1, a equação (18) pode ser aproximada pela expressão:
66
(19)
A correção automática sugerida na equação (19) pode ser facilmente

compreendida analisando-se o comportamento do circuito mostrado na figura
62, quando sujeito a variações térmicas. A partir do momento em que a
temperatura aumenta, a corrente de coletor lC tende a aumentar como
conseqüência do aumento da corrente de fuga lCBo.
A modificação produzida em lC aumenta a corrente lE, visto que IE ≈ lC,

que por sua vez provoca um acréscimo na tensão VE = RE IE.
67
Da equação (6) verifica-se que a tensão VBE diminui com o aumento da

tensão VE, para um valor fixado da tensão VB do divisor.
Com base na curva característica mostrada na figura 58, essa diminuição

na tensão VBE provoca um decréscimo na corrente de base lB.
A redução em IB provoca uma diminuição na corrente lE. Esse processo

de compensação se repete até que a corrente de coletor atinja o valor
estabelecido inicialmente. Dessa forma o circuito é praticamente insensível às
variações de temperatura.
A figura 63 mostra a seqüência de eventos que compõem o processo de
estabilidade térmica de um circuito transistorizado com polarização de base por
divisor de tensão.
68
Figura 63 - Seqüência de eventos que provocam a estabilização térmica de um

circuito transistorizado com polarização de base por divisor de tensão.
6 TRANSISTORES ESPECIAIS
6.1 INTRODUÇÃO
Até agora foi estudado o transistor bipolar, se baseiam em dois tipos de

cargas: lacunas e elétrons, e são utilizados amplamente em circuitos lineares.
No entanto existem aplicações nos quais os transistores unipolares com a sua
alta impedância de entrada são uma alternativa melhor. Este tipo de transistor
depende de um só tipo de carga, daí o nome unipolar. Há dois tipos básicos: os
transistores de efeito de campo de junção (JFET - Junction Field Effect
transistor) e os transistores de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET).
6.2 JFET
Na Figura 64, é mostrada a estrutura e símbolo de um transistor de efeito

de campo de junção ou simplesmente JFET.
69
D D
G G
S S
CANAL N CANAL P
Figura 64 – JFET e sua simbologia
A condução se dá pela passagem de portadores de carga da fonte (S -

Source) para o dreno (D), através do canal entre os elementos da porta (G -
Gate).
O transistor pode ser um dispositivo com canal n (condução por elétrons)
ou com canal p (condução por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo
com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tensão e corrente.
6.2.1 Polarização de um JFET
A Figura 65 mostra a polarização convencional de um JFET com canal n.

Uma alimentação positiva VDD é ligada entre o dreno e a fonte, estabelecendo
um fluxo de corrente através do canal. Esta corrente também depende da
largura do canal.
Uma ligação negativa VGG é ligada entre a porta e a fonte. Com isto a
porta fica com uma polarização reversa, circulando apenas uma corrente de
fuga e, portanto, uma alta impedância entre a porta e a fonte. A polarização
reversa cria camadas de depleção em volta da regiões p e isto estreita o canal
70
condutor (D-S). Quanto mais negativa a tensão VGG, mais estreito torna-se o
canal.
Figura 65 – Polarização convencional de um JFET com canal n.
Para um dado VGG , as camadas de depleção tocam-se e o canal

condutor (D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno está cortada. A
tensão VGG que produz o corte é simbolizada por VGS(Off) .
6.2.2 Curva característica de dreno
Para um valor constante de VGS, o JFET age como um dispositivo

resistivo linear (na região ôhmica) até atingir a condição de estrangulamento.
Acima da condição de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a
corrente de dreno permanece aproximadamente constante.
Os índices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta
em curto (VGS=0V). IDSS é a corrente de dreno máxima que um JFET pode
produzir.
Na Figura 66, é mostrado um exemplo de curva para um JFET. Quando o
JFET está saturado (na região ôhmica), VDS situa-se entre 0 e 4V,
dependendo da reta de carga. A tensão de saturação mais alta (4V) é igual à
intensidade da tensão de corte da porta-fonte
(VGS(Off) = -4V). Esta é uma propriedade inerente a todos os JFET’s.
Para polarizar um transistor JFET é necessário saber a função do estágio,
isto é, se o mesmo irá trabalhar como amplificador ou como resistor controlado
71
por tensão. Como amplificador, a região de trabalho é o trecho da curva, na

Figura 66, após a condição de pinçamento e à esquerda da região de tensão
VDS de ruptura. Se for como resistor controlado por tensão a região de
trabalho é entre VDS igual a zero e antes de atingir a condição de pinçamento.
Figura 66 – CURVA CARACTERÍSTICA DE DRENO
6.2.3 Curva de transcondutância
A curva de transcondutância de um JFET é um gráfico da corrente de

saída versus a tensão de entrada, ID em função de VGS. A sua equação é :
72
Figura 67 – Curva de Transcondutância
6.2.4 Autopolarização
A polarização de um transistor JFET se faz de maneira semelhante à

polarização de transistor bipolar comum. Em outras palavras, usa-se o
transistor JFET como se fosse um transistor bipolar. Para um JFET funcionar
corretamente devemos lembrar que, primeiramente, o mesmo deve estar
reversamente polarizado entre porta e fonte. Na Figura 68 vemos um JFET
polarizado, ou seja, com resistores ligados ao terminais para limitar tensões e
correntes convenientemente, como visto na polarização de transistores
bipolares.
73
Figura 68– JFET polarizado

Esse é o tipo de polarização mais comum e se chama autopolarização por
derivação de corrente, pois o VGS aparece devido à corrente de dreno sobre
RS, o que resulta em VRS. Essa tensão, distribui-se entre RG e a junção
reversa, que, como tal, possui uma alta resistência. Assim aparecem VRG e
VGS que somadas perfazem VRS.
O diodo porta-fonte está reversamente polarizado e a corrente IG é uma

pequena corrente de fuga aproximadamente igual a zero.
Portanto,
A corrente de fonte é a soma da corrente de dreno e de porta.

Naturalmente a corrente de dreno é muito maior que a de porta. Então:
Análise da malha do lado direito do circuito:
6.2.5 Reta de autopolarização
Para a polarização do JFET, uma alternativa é o uso da curva de

transcondutância para encontrar o ponto Q de operação. Seja a curva da
Figura 69 a base para encontrar o ponto Q. A corrente de dreno máxima é de
13,5mA, e a tensão de corte da porta-fonte é de -4V. Isso significa que a
tensão da porta tem de estar entre 0 e -4V. Para descobrir este valor, pode-se
fazer o gráfico da Figura 69 e ver onde ela intercepta a curva de
transcondutância.
Exemplo: Se o resistor da fonte de um circuito de autopolarização for de
300 Ω . Qual o ponto Q. Usar o gráfico da Figura 69.
74
Figura 69 - RETA DE AUTOPOLARIZAÇÃO
Solução.: A equação de VGS é
para traçar a reta basta considerar ID = 0 e ID = IDSS. Para ID nulo, VGS=0 e

para o outro valor de ID, VGS= 13,5m*300=-4V. Aplicando na curva, o ponto Q
é:
6.2.6 Seleção do RS
O ponto Q varia conforme o valor de RS. O ideal é escolher um RS em

que o ponto Q fique no na região central, como o do Exemplo anterior.
O método mais simples para escolher um valor para RS é
Este valor de RS não produz um ponto Q exatamente no centro da curva,

mas é aceitável para a maioria dos circuitos.
6.2.7 Transcondutância
Grandeza designada por gm e é dada por:

75
gm é a inclinação da curva de transcondutância (Figura 69) para cada pequena

variação de VGS. Ou em outras palavras, é uma medida de como a tensão de
entrada controla efetivamente a corrente de saída. A unidade é o mho, (razão
entre a corrente e a tensão - 1/Ohm).
A Figura 70 mostra o circuito equivalente ca simples para um JFET válida
para baixas freqüências. Há uma resistência RGS muito alta entre a porta e a
fonte. Esse valor está na faixa de centenas de MΩ. O dreno do JFET funciona
como uma fonte de corrente com um valor de gm VGS.
Figura 70 - Equivalente ca simples para um JFET válida para baixas freqüências
A equação abaixo, mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente

máxima de dreno e da transcondutância para VGS= 0V (gmo ).
Abaixo o valor de gm para um dado VGS.

76
6.3 MOSFET
O FET de óxido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma

porta e um dreno. A diferença básica para o JFET é porta isolada eletricamente
do canal. Por isso, a corrente de porta é extremamente pequena, para qualquer
tensão positiva ou negativa.
6.3.1 MOSFET de modo depleção
A Figura 71 mostra um MOSFET de modo depleção canal n e o seu símbolo. O

substrato em geral é conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicações usa-
se o substrato para controlar também a corrente de dreno. Neste caso o
encapsulamento tem quatro terminais. Os elétrons livres podem fluir da fonte para o
dreno através do material n. A região p é chamada de substrato, e ela cria um
estreitamento para a passagem dos elétrons livres da fonte ao dreno.
Figura 71 - MOSFET de modo depleção canal n e o seu símbolo
A fina camada de dióxido de silício (SiO2), que é um isolante, impede a

passagem de corrente da porta para o material n.
A Figura 72 mostra o MOSFET de modo depleção com uma tensão de
porta negativa.A tensão VDD força os elétrons livres a fluir através do material
n. Como no JFET a tensão de porta controla a largura do canal. Quanto mais
negativa a tensão, menor a corrente de dreno. Até um momento que a camada
77
de depleção fecha o canal e impede fluxo dos elétrons livres. Com VGS
negativo o funcionamento é similar ao JFET.
Como a porta está isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma
tensão positiva na porta (inversão de polaridade bateria VGG do circuito da
Figura 72) A tensão positiva na porta aumenta o número de elétrons livres que
fluem através do canal. Quanto maior a tensão, maior a corrente de dreno. Isto
é que a diferencia de um JFET.
Figura 72 - MOSFET de modo depleção com uma tensão de porta negativa
6.3.2 MOSFET de modo crescimento ou intensificação
O MOSFET de modo crescimento ou intensificação é uma evolução do

MOSFET de modo depleção e de uso generalizado na industria eletrônica em
especial nos circuitos digitais.
A Figura 73 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu

símbolo. O substrato estende-se por todo caminho até o dióxido de silício. Não
existe mais um canal n ligando a fonte e o dreno.
78
Figura 73 - MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu símbolo
Quando a tensão da porta é zero, a alimentação VDD força a ida dos

elétrons livres da fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos
elétrons livres produzidos termicamente. Assim, quando a tensão da porta é
zero, o MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto é totalmente diferente dos
dispositivos JFET e MOSFET de modo depleção.
Quando a porta é positiva, ela atrai elétrons livres na região p. Os elétrons
livres recombinam-se com as lacunas na região próxima ao dióxido de silício.
Quando a tensão é suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a
dióxido de silício são preenchidas e elétrons livres começam a fluir da fonte
para o dreno. O efeito é o mesmo que a criação de uma fina camada de
material tipo n próximo ao dióxido de silício. Essa camada é chamada de
camada de inversão tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente
aberto, de repente conduz e os elétrons livres fluem facilmente da fonte para o
dreno.
O VGS mínimo que cria a camada de inversão tipo n é chamado tensão
de limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS é menor que VGS(th), a
corrente de dreno é zero. Mas quando VGS é maior VGS(th), uma camada de
inversão tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno é alta. VGS(th)
pode variar de menos de 1V até mais de 5V dependendo do MOSFET.
A Figura 74 mostra as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de
79
Figura 74 - curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET
Modo intensificação e reta de carga típica. No gráfico ID x VDS, a curva

mais baixa é para VGS(th). Quando VGS maior que VGS(th), a corrente de
dreno é controlada pela tensão da porta. Neste estágio o MOSFET pode
trabalhar tanto quanto um resistor (região ôhmica) quanto uma fonte de
corrente.
A curva ID x VGS, é a curva de transcondutância e é uma curva
quadrática. O início da parábola está em VGS(th). Ela é
Onde k é uma constante que depende do MOSFET em particular.

O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). Então escrevendo
a fórmula:
Onde
80
6.3.3 Tensão porta-fonte máxima
Os MOSFET têm uma fina camada de dióxido de silício, um isolante que

impede a circulação de corrente de porta tanto para tensões positivas como
negativas. Essa camada isolante é mantida tão fina quanto possível para dar a
porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. Como a camada é muito
fina, é fácil destruí-la com uma tensão porta fonte excessiva. Além da aplicação
direta de tensão excessiva entre a porta fonte, pode-se destruir a camada
isolante devido a transientes de tensão causados por retirada/colocação do
componente com o sistema ligado. O simples ato de tocar um MOSFET pode
depositar cargas estáticas suficiente que exceda a especificação de VGS
máximo. Alguns MOSFET são protegidos por diodos zener internos em
paralelo com a porta e a fonte. Mas eles tem como inconveniente, diminuir a
impedância de entrada.
7 AMPLIFICADOR OPERACIONAL
7.1 INTRODUÇÃO
Um dos componentes eletrônicos mais versáteis e amplamente usados

em aplicações lineares é o amplificador operacional (AO). Eles são populares
porque possuem baixo custo e facilidade em sua implementação. Permitem a
criação de circuitos úteis sem a necessidade de se conhecer seu circuito
interno. Os operacionais surgiram para realização de operações matemáticas.
Eram usados em circuitos que podiam somar, subtrair, multiplicar e mesmo
resolver equações diferenciais. Atualmente esse tipo de aplicação tem sido
deixado para os computadores digitais, pela sua rapidez, precisão e
versatilidade. Entretanto, os amplificadores operacionais ainda são úteis em
muitas outras funções.
Atualmente com a existência de um grande número de sistemas digitais,
para aquisição de dados e controle de processos, muitos circuitos de interface
81
com o mundo analógico usando operacionais e outros circuitos integrados

lineares vêm sendo criados. Esses sistemas integrados necessitam que os
projetistas tenham conhecimento dos princípios dos sistemas digitais e
analógicos para que obtenham uma performance ótima com um custo razoável.
Os amplificadores operacionais são projetados usando uma ampla
variedade de técnicas de fabricação. Originalmente eram construídos somente
com transistores bipolares. Atualmente, existem muitos dispositivos que
utilizam transistores de efeito de campo (FETs). A figura 75 é o diagrama em
blocos de um amplificador operacional típico. Como o AO é um CI, pode-se
usá-Io sem necessidade de um conhecimento profundo do que ocorre no seu
interior. Contudo, pode-se entender com mais facilidade as características de
um AO com o conhecimento do que acontece em seu interior.
Figura 75 - Diagrama de blocos de um AO.
Antes que o amplificador possa ser classificado como operacional, deve

possuir certas características. Três das mais importantes são:
Ganho muito alto;
Impedância de entrada muito alta;
Impedância de saída muito baixa.
Os dois terminais de entrada são denominados (-) e (+). A entrada (-) é
chamada inversora. A entrada (+) é chamada não inversora. Como todos
amplificadores diferenciais, este estágio de entrada pode ser operado de 3
maneiras diferentes.
82
No modo entrada diferencial, as entradas são dois sinais que são

defasados de 180°. Outro arranjo é aterrar a entrada (+) e aplicar o sinal à
entrada (-). Neste caso, a saída será invertida e amplificada. Finalmente o
terminal (-) pode ser aterrado e o sinal pode ser aplicado à entrada (+). Nesse
caso, o sinal é amplificado, mas não invertido.
7.2 OPERAÇÃO DE LAÇO ABERTO (OPEN-LOOP)
Na configuração laço aberto (loop-aberto), o AO não usa um

componente de realimentação e o ganho é limitado somente à resistência
interna do AO e suas fontes de tensão. O AO normalmente não é usado no
modo laço aberto. Exceto no caso de comparadores, não existem circuitos
práticos de laço aberto.
Figura 76 - Configuração do AO em laço aberto.
Onde: GND = Ground = Terra.
7.3 OPERAÇÃO DE LAÇO FECHADO (CLOSE-LOOP)
O modo normal de operação do AO é o de loop-fechado. Nesse modo, é

usada realimentação degenerativa. Isso reduz muito o ganho do circuito,
porém, estabiliza o estágio. Se a realimentação for usada adequadamente, as
características do estágio são independentes do AO.
Na configuração loop-fechado, o sinal de saída é aplicado de volta a um
dos terminais de entrada. A realimentação do sinal sempre se opõe aos efeitos
83
do sinal de entrada original. Existem dois circuitos básicos de loop-fechado. A

configuração inversora e a configuração não inversora. Como a configuração
inversora é a mais popular, será descrita primeiramente.
7.4 CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS
As características elétricas do AO são usualmente especificadas para uma

dada tensão de alimentação e temperatura ambiente. Entretanto, certos
parâmetros podem também possuir outras condições anexadas, como uma
carga em particular ou resistência de alimentação. Geralmente cada parâmetro
tem um valor mínimo, típico e ou valor máximo.
7.4.1 parâmetros de entrada
1. Tensão offset de entrada (Voi) - Essa é a tensão que tem que ser
aplicada a um dos terminais de entrada para que se tenha zero volts de tensão
de saída. Deve-se lembrar que para um AO ideal, a tensão offset de saída é
zero.
2. Corrente de polarização de entrada (Ib) - Essa é a média das correntes
fluindo para ambas as entradas. Idealmente, as duas correntes de polarização
de entrada são iguais.
3. Corrente offset de entrada (Ios) - Essa é a diferença entre as duas
correntes de polarização de entrada quando a tensão de saída é zero.
4. Faixa de tensão de entrada (Vcm) - Essa é faixa da tensão de entrada
de modo-comum (por exemplo, a tensão comum a ambas as entradas e o
terra).
5. Resistência de entrada (Zi) - Esta é a resistência vista em cada entrada
com a entrada restante aterrada.
84
7.4.2 Parâmetros de saída
1. Resistência de saída (Zoi) - Essa é a resistência vista olhando para

dentro da saída do AO.
2. Corrente de curto-circuito de saída (Iosc) - Essa é a corrente máxima de
saída que o AO pode liberar para a carga.
3. Oscilação de tensão de saída (±Vomax) - Depende da resistência de
carga, essa é a tensão de pico de saída máxima que o AO pode fornecer sem
saturação ou ceifamento.
7.4.3 Parâmetros dinâmicos
1. Ganho de tensão de malha-aberta (Aoi) - Essa é a proporção entre a

tensão de saída e a tensão de entrada do AO sem realimentação externa.
2. Ganho de tensão de sinal-amplo - Essa é a proporção entre a
oscilação de tensão máxima e a mudança na tensão de entrada requerida para
levar a saída de zero à tensão especificada (por exemplo: ± 10volts).
3. Slew Rate (SR) - É a taxa de tempo da mudança da tensão de saída
com o AO em um circuito de ganho unitário.
Outros parâmetros:
1. Corrente de alimentação - Essa é a corrente que o AO irá retirar da

fonte de alimentação.
2. Proporção de rejeição em modo-comum (CMRR) - Essa é uma medida
da capacidade do AO de rejeitar sinais que estão simultaneamente presentes
em ambas as entradas. Isso é a proporção da tensão de entrada em modo-
comum e a tensão de saída gerada, usualmente expressa em decíbels (dB).
3. Separação de canal - Sempre que existe mais que um AO em um só
encapsulamento, como no 747, uma certa quantidade de interferência estará
presente. Isto é, um sinal aplicado a entrada de uma seção de um AO dual irá
85
produzir um sinal de saída finito na outra seção, embora não exista sinal de
entrada aplicado à seção não usada.
7.5 GANHO E RESPOSTA EM FREQÜÊNCIA
Ao contrário do AO ideal, o AO prático não possui largura de banda e

ganho infinitos. Em freqüências muito baixas, o ganho de loop aberto de um
AO é constante, mas começa a cair em aproximadamente 6 Hz em uma taxa
de -6 db por oitava ou -20 db por década. Uma oitava é um dobramento na
freqüência, e uma década é um aumento de 10 vezes. Essa diminuição
continua até que o ganho seja unitário, ou 0 dB. A freqüência na qual o ganho é
unitário é chamada de freqüência de ganho unitário, fi.
7.6 CIRCUITOS BÁSICOS
7.6.1 Configuração inversora
A figura 77 mostra a configuração inversora. Consiste de um AO e dois

resistores. A entrada não inversora é aterrada. O sinal de entrada (Ein) é
aplicado através de R1 à entrada inversora.
O sinal de saída é tomado entre o terminal de saída do AO e o terminal
terra. O sinal de saída é também aplicado de volta à entrada inversora através
de R1. Assim, o sinal na entrada inversora é determinado não somente por Ein,
mas também por Esaída.
O ganho de tensão (A) da configuração inversora é:
(1)
86
O sinal (-) simplesmente indica que o sinal é invertido. Essa expressão

estabelece que o ganho do estágio é determinado somente pela relação de Rf
para R1.
Figura 77 - Configuração inversora.
7.6.2 Configuração não inversora
A Figura 78 mostra um exemplo de um circuito amplificador não inversor.
Figura 78 – Amplificador Não Inversor.
Na figura 78, a tensão de saída Esaída tem a mesma polaridade que a

tensão de entrada Ein. A resistência de entrada do amplificador não inversor é
a resistência de entrada do AO que é muito grande, tipicamente maior que 100
MΩ. Desde de que a diferença de potencial entre os pinos (+) e (-) é
praticamente 0 volts através de R1, Ein provoca a corrente I dada por:
87
(2)
O sentido de I depende da polaridade de Ein. A corrente de entrada na

entrada (-) do AO é desprezível. Portanto, a corrente através de R1, ainda é 1.
(3)
A tensão de saída Esaída é a soma das quedas de tensões em Rf e em

R1.
(5)
7.6.3 Tensão offset de saída
No AO ideal, a tensão de saída é zero quando a tensão de entrada é

também zero. Entretanto, todos os AOs comerciais têm uma pequena tensão
DC de saída, chamada tensão offset de saída, ainda que a entrada seja
aterrada.
A tensão offset de saída é resultado de três fontes:
Corrente offset de entrada;
Corrente de polarização;
Tensão offset de entrada.
Como colocado no início, a corrente de polarização de entrada tem que
ser suprida para ambas as entradas do AO para garantir que o mesmo
funcione corretamente. Para o circuito amplificador inversor da figura 77, a
88
corrente de polarização de entrada, sem sinal de entrada, flui através das duas
entradas e o resistor de realimentação. Pela Lei de Ohm, quando uma corrente
flui através de uma resistência conhecida, uma tensão é gerada nessa
resistência (V = RI).
Desde que a entrada não inversora esteja aterrada, a tensão nos
resistores aparece como uma Tensão DC de entrada, que se toma amplificada
pelo AO. Para o circuito amplificador inversor da figura 79, a tensão de saída
(Vo) gerada como resultado da corrente de polarização de entrada (Ib) foi:
(5)
Figura 79 - Corrente de polarização de entrada para o AO inversor.
Figura 80 - Correção para a tensão offset de saída devido

à corrente de polarização de entrada.
O método comumente usado para corrigir a tensão offset de saída devido

à corrente de polarização de entrada é a colocação de um resistor adicional R3
entre a entrada não inversora e o terra como mostrado na figura 80.
89
O valor de R3 é igual à combinação paralela entre R1 e R2, ou seja:
A tensão gerada através de R3 é igual e oposta a tensão através da

combinação paralela de R1 e R2. Uma vez que as tensões são iguais e
opostas, elas se cancelam. Entretanto, a discussão acima assume que as
correntes de polarização que fluem para ambas as entradas são iguais. Porém,
em um AO típico, essas correntes não são exatamente iguais, o valor de Ib é
somente uma média das duas correntes de polarização de entrada. Uma vez
que existirá uma diferença entre as duas correntes de polarização de entrada,
chamada de corrente offset de entrada, Ioffset, existirá uma tensão DC offset
de saída pequena, mas finita, igual à:
A fonte de tensão remanescente de offset de saída é devido à tensão

offset de entrada resultante das diferenças no circuito interno e na fabricação
do AO. Para o amplificador inversor, a tensão offset de entrada (Vioffset), pode
ser compreendida como uma pequena bateria em série com a entrada não
inversora em um AO ideal, assim a equação de Voffset pode ser:
7.6.4 O seguidor de tensão
O seguidor de tensão, ou seguidor de fonte, mostrado na figura 81 é

simplesmente um amplificador não inversor de ganho unitário. Não existe
resistência de entrada ou de realimentação. Para esse circuito, a tensão de
saida é uma reprodução exata da tensão de entrada. Como o amplificador não
inversor, ele tem uma alta impedância de entrada, que para todas as
90
aplicações práticas, é igual à impedância intrínseca do AO. A impedância de

saida para o seguidor de tensão é a impedância de saida do AO dividida pelo
ganho de malha fechada do AO.
Esse circuito é usado para acoplar um sinal de entrada à sua carga, uma
vez que sua impedância de entrada é alta e sua impedância de saida é baixa.
Figura 81 – O seguidor de Tensão.
7.6.5 O amplificador somador
Figura 82 – O Amplificador Somador.
Se vários resistores de entrada são conectados simultaneamente à

entrada inversora do AO, tem-se um amplificador somador. Para esse circuito,
as tensões de entrada em cada resistor são somadas, então a tensão de saída
será:
91
(7)
Equação que é similar à equação do circuito do amplificador inversor. Se a

resistência de realimentação (Rf) e as resistências de entrada R1, R2 e R3
forem feitas iguais, a tensão de saída será igual à soma das tensões das
entradas. Em contrapartida, pode-se ter um ganho, fazendo com que o valor da
resistência de realimentação seja maior que os resistores de entradas iguais.
A impedância de entrada para cada entrada é simplesmente o valor do
seu resistor correspondente.
7.6.6 O amplificador diferencial ou subtrator
O amplificador diferencial mostrado na figura 83 funciona com tensões de

entrada aplicadas simultaneamente às entradas inversora e não inversora do
AO. Assumindo que o ponto Vi1 está aterrado e Vi2 é zero. Tem-se uma
configuração que é idêntica a um amplificador inversor.
Figura 83 - Amplificador Diferencial.
A tensão de saída será:

92
Agora, removendo o aterramentode Vi2 e então aterrando a entrada Vi1,

tem-se um amplificador não inversor. A real tensão de entrada não inversora
será Vi2. A tensão de saida será então:
Combinando as equações de Vo, a tensão de saída para o amplificador

diferencial em função das tensões de entrada Vi1 e Vi2 será:
(8)
O primeiro termo é a saída inversora, enquanto que o segundo termo é a

saida não inversora. Quando todos os quatro resistores são iguais, a equação
se reduz para:
Vo = Vi2 – Vi1 (9)
Desta maneira, a tensão de saida é a diferença entre Vi2 e Vi1. Esse

circuito é também chamado substrator analógíco de ganho unitário.
7.7 O DIFERENCIADOR E O INTEGRADOR
7.7.1 O diferenciador
O circuito mostrado na figura 84 é o diferenciador básico com AOs (não

confundir com o amplificador diferencial), que é similar ao amplificador inversor
básico, com exceção do elemento de entrada ser um capacitor.
93
Figura 84 - O AO Diferenciador.
Atensão de saída para este circuito é dada por:
(1)
Onde o valor ∆Vi / ∆t é a mudança na tensão de entrada em um intervalo

de tempo especificado.
Um problema com o circuito básíco é que a reatâncía do capacitor
(1/2πfC) que varia inversamente com a freqüência. Conseqüentemente, a
tensão de saída do diferencíador aumenta com a freqüência, fazendo o circuito
susceptível a ruídos de alta freqüência. Um díferenciador mais prático é
constituído por um resistor (RI) colocado em série com o capacitor de entrada
na figura 85. Isso diminui o ganho de alta freqüência para a proporção de Rf
divido por R1. A tensão de saída, em função do tempo, é dada pela equação 1.
Porém, o circuito funciona como um diferenciador somente para freqüências de
entrada menores que:
(2)
Para freqüências de entrada maiores que a dada pela equação 2, o

circuito se aproxima de um amplificador inversor com um ganho de tensão de:
94
Na equação 1, o produto RfC, chamado constante de tempo, deveria ser

aproximadamente igual ao periodo do sinal de entrada a ser diferenciado. Na
prática o valor de Ri é usualmente de 50 – 100 ohms.
7.7.2 O integrador
O Integrador é um dos circuitos mais importantes utilizando AOs. O

Integrador é muito mais utilizado do que o diferenciador e não apresenta as
limitações do primeiro. Como se pode ver na figura 85 invertendo a posição
entre o resistor e o capacitor no circuito do diferenciador ter-se-ão Integrador.
Figura 85 - O Integrador.
Aplicando a Lei das correntes de Kirchoff a equação da tensão de saida

será:
(4)
Um circuito integrador mais prático é mostrado na figura 86. O resistor Rf

em paralelo com o capacitor de realimentação é chamado de resistor de shunt.
Ele é usado para limitar ganhos de baixa freqüência do circuito. Se o ganho de
baixa freqüência não for limitado, o offset DC, embora pequeno, também seria
integrado sobre o penado de integração. Isso eventualmente saturaria o AO. A
95
tensão offset devido à corrente de polarização de entrada é minimizada pelo

resistor R3, já mencionado em outro tópico.
Figura 86 - lntegrador com limitador de ganho de baixa freqüência.
Desde que o resistor de shunt ajude a limitar o ganho de baixa freqüência

do circuito, a equação 5 é válida para freqüências de entrada maiores que:
Para freqüências de entrada menores que t, a performance do circuito

mostrado na figura 86, aproxima à do amplificador inversor com um ganho de
tensão de:
Na prática, Rs deve ser aproximadamente 10 vezes R1. Como no circuito

diferenciador, a constante de tempo R1C deve ser aproximadamente igual ao
período do sinal de entrada para ser integrado.
96
7.8 CIRCUITOS DE CORRENTE E TENSÃO
7.8.1 Fonte de corrente constante
Uma fonte de corrente constante pode ser construída através de uma

tensão de entrada, como uma bateria ou uma fonte de alimentação com
referência estável, gerando uma corrente constante através de um resistor de
entrada. Esta corrente também irá fluir através do resistor de realimentação ou
da carga.
Se por alguma razão, a resistêncía da carga mudar, a corrente que flui
através da carga permanece constante, contanto que Vref e R1 se mantenham
constantes.
Figura 87 - Fonte de corrente constante.
7.8.2 Conversor corrente-tensão
O conversor Corrente para tensão básico é essencialmente um

amplificador inversor sem o resistor de entrada. A corrente de entrada lent é
aplicada diretamente à entrada inversora do AO. Uma vez que a corrente de
entrada também flui através do resistor de reaiimentação, a tensão de saída
será simplesmente:
Vsaída = lentrada x Rf (1)

97
Para tal circuito, a corrente de polarização de entrada do AO é também

adicionada à corrente de entrada. Por isso, a equação 1 será reescrita como:
Vsaída = (lentrada + Ipolarização) x Rf (2)
Assim, deve-se tomar cuidado em manter a corrente de polarização

pequena em comparação com a corrente de entrada.
7.8.3 Conversor tensão-corrente
Para aplicações como: acionar relés e medidas analógicas, um conversor

tensão corrente é freqüentemente usado. Dependendo da aplicação em
particular, um conversor tensão-corrente pode acionar cargas flutuantes ou
aterradas.
Figura 88 - Conversor inversor tensão-corrente.
Para cargas flutuantes, os circuitos da figura 88 e 89, podem ser usados.

A figura 90 é um conversor tensão-corrente inversor. Esse circuito é similar a
forma do amplificador inversor, exceto pelo elemento de realimentação Rcarga
ser a bobina de um relé. Também esse circuito relembra a fonte de corrente
constante da figura 87. A corrente flui através da carga sendo então expressa
por:
98
Essa corrente é independente do valor da resistência de carga.
Figura 89 - Conversor não inversor Tensão-corrente
Para cargas que são aterradas em um lado, o circuito da figura 16 pode

ser usado.
Figura 90 - Conversor Tensão-corrente para cargas aterradas.
Controlado pela tensão de entrada Ventrada, a corrente da carga é dada

por:
(4)
Quando,
99
7.9 CIRCUITOS NÃO LINEARES
7.9.1 O comparador
Um comparador é um circuito que compara uma tensão de entrada com

uma tensão de referência. A saída do comparador indicará se o sinal de
entrada está acima ou abaixo da tensão de referência. Para o circuito básico,
como o mostrado na figura 91, a tensão de saíd se aproxima da tensão de
alimentação positiva, quando o sinal de entrada é ligeiramente maior que a
tensão de referência, Vref. Quando o sinal de entrada for ligeiramente menor
que a referência, a saída do AO se aproxima da tensão de alimentação
negativa. Conseqüentemente, o limiar exato é controlado pela tensão de offset
de entrada do AO, que deve ser anulada. Esse circuito também é conhecido
como detector de nível.
Figura 91 - O Comparador.
Se a tensão de saída do comparador é maior que a requerida para uma

dada aplicação, como intertaceando com +5V para circuitos integrados TTL, a
saída pode ser limitada por um diodo zener conveniente.
Quando usado como comparador, o AO deve ter um rápido "slew rate", se
ele for usado para chavear de um estado para outro. Visto que compensação
externa reduz o "slew rate" do AO, não é necessário usar um AO com
compensação interna como o 318. O circuito da figura 18 é um comparador
não inversor. Assim a tensão de saída tem a mesma polaridade que a da
100
entrada. Pela inversão das entradas, pode-se ter um comparador inversor.

Aplicando uma onda senoidal à entrada não inversora do comparador e
aterrando a entrada inversora obtém-se uma onda quadrada em sua saída.
Figura 92 - Conversor de onda senoidal para onda quadrada.
Pela combinação de um comparador inversor e um comparador não

inversor, cada um com uma tensão de referência diferente, pode-se obter um
comparador de faixa. Esse circuito detecta se a tensão de entrada Vent está
entre os limites da faixa, ou seja, a referência do comparador superior e a
referência do comparador inferior. Como mostrado na figura 93, as saídas dos
comparadores são combinadas com dois diodos. Quando a tensão de entrada
está entre o limite superior e o limite inferior, a tensão de saída é zero. Nos
demais casos, a tensão de saída é igual + Vsat.
Figura 93 - Comparador de faixa.

101
7.9.2 Comparador regenerativo ou schimitt trigger
O circuito "Schimitt Trigger" (disparador de Schimitt) ou comparador

regenerativo (com realimentação positiva) mostrado na figura 94, é comumente
usado quando uma transição "aguda" na tensão de saída é necessária, sempre
que o sinal de entrada (freqüentementeuma variação lenta mudando o nível
DC) excede um valor predeterminado.
Figura 94 - Comparador Regenerativo ou Schmitt Trigger.
A operação do Schimitt Trigger é similar á do comparador básico, com

uma significante diferença. O caminho da realimentação positiva é fornecido da
saída para entrada não inversora. De fato, a entrada não inversora está
conectada a um divisor de tensão entre Vsai e Vref. O valor de Vref permanece
constante, mas obviamente o valor de Vsaída muda com a transição da saída.
Portanto, a tensão na entrada posítiva Vent também muda com cada
transição da saída. Assumindo-se que a tensão de entrada Vent está
iniciaimente negativa em relação à entrada de referência não inversora, a
tensão de saída será positiva na saturação. A tensão na entrada não inversora
portanto será:
Quando a tensão de entrada subir para um valor mais positivo que Vref, a
saida começará a ficar negativa. A realimentação regenerativa leva a saída
102
instantaneamente para a saturação negativa. Neste estado, a tensão na

entrada de referência será:
A saída se manterá na saturação negativa até que a entrada caia abaixo

desse novo ponto de referência ínferior. Os dois pontos de referêncía são
conhecidos como Pontos de Limiar, enquanto a diferença entre eles é
chamadade Histerese. A quantidade de histerese é:
Figura 95 - Relações de tensões e tempos de um circuito Schimitt Trigger.
É possivel ajustar o ponto de limiar superior (UTP) e o ponto de limiar

inferior (LTP), e conseqüentemente a quantidade de histerese, pelo ajuste da
proporção entre R1 e R2 e o valor de Vref.
7.9.3 O detector de pico
O detector de pico é um circuito que guarda o valor de pico de um sinal.

Quando uma tensão positiva alimenta a entrada não inversora depois do
capacitor ter sido momentaneamente curtocircuitado, a tensão de saida do AO
103
polariza o diodo e carrega o capacitor. Esse carregamento vai até que as

entradas inversora e não inversora estejam na mesma tensão.
Quando a tensão da entrada não inversora excede a tensão da entrada
inversora, que é a tensão através do capacitor, o capacitor carregará até o
novo valor de pico. Conseqüentemente, a tensão do capacitor irá sempre ser
igual a maior tensão positiva aplicada à entrada não inversora.
Figura 96 - O Detector de Pico com Buffer.
Uma vez carregado, o tempo que o detector de pico guardará este valor
de pico é tipicamente de vários minutos e depende da impedância da carga
que está conectada ao circuito. Conseqüentemente, o capacitor irá descarregar
vagarosamente até zero. Para minimizar esta taxa de descarga, um seguidor
de tensão pode ser usado para manter a saída do detector para qualquer carga
extema.
Curtocircuitando momentaneamente o capacitor para o terra,
imediatamente ajusta-se a saída para zero.
7.9.4 Retificador de precisão
Quando um diodo de sinal é usado como retificador para mudar um sinal

AC para um sinal DC pulsante, o diodo não começa a conduzir até que a
tensão no diodo seja maior que 0.3 volts (para diodos de germânio) ou 0.7 volts
(silício). Conseqüentemente, os diodos por eles mesmos não são apropriados
para retificação de pequenos sinais.
104
Figura 97 - Retificador de Precisão.
O retificador de meia-onda, mostrado na figura 97 retifica pequenos sinais

de entrada. Quando o sinal de entrada é positivo, toda a corrente no loop de
realimentação flui através de do diodo 1 e a tensão de saída do circuito será
zero. Quando o sinal de entrada é negativo, a corrente de realimentação flui
através dos diodos D1 e D2. Assim a tensão de entrada que aparece invertida
no resistor R2 também é a tensão de saída. Desde que o AO tenha um ganho
alto, um pequeno sinal negativo em sua entrada é suficiente para fazer D2
conduzir. Por essa razão, esse circuito é comumente chamado de retificador de
meia onda de precisão.
7.10 GERADORES DE FUNÇÕES
7.10.1 Gerador senoidal
O circuito gerador de onda senoidal, mostrado na figura 98 é chamado

oscilador Ponte de Wien. As combinações resistor-capacitor (R1-C1) e (R2-C2)
fornecem um caminho de realimentação positiva ao redor do AO, enquanto que
o resistor R3 e a Lâmpada L1 fornecem uma realimentação negativa. É a
aplicação da realimentação positiva que faz com que o circuito oscile gerando
uma onda senoidal.
105
Figura 98 - Gerador de onda senoidal.
A freqüência da oscilação é dada por:
Onde: R1 = R2 e C1 = C2.
A lâmpada ajuda a regular a quantidade de realimentação negativa,

estabilizando a amplitude da onda senoidal da saída. Os resistores R3e R4 são
usados para considerar as tolerâncias da lâmpada, assim que a combinação de
série se toma aproximadamente igual a 750 ohms. O valor para R1 depende do
tipo de AO usado, como se pode observar na tabela 11:
AO
≥ 1 MΩ 108, 1556, 8007

≤ 1 MΩ 118, 107, 741
AO
≥ 1 KHz 118, 1556, 8007

≤ 1 KHz 107, 108, 741, 1556, 8007
Tabela 11- Valor de R e da freqüência de operaçãopara vários AOs.
106
7.10.2 Geradores de onda quadrada e triangular
O circuito básico do gerador de onda quadrada, mostrado na figura 99,

também é chamado de oscilador de relaxação. A saída realimenta ambas as
entradas, então a freqüência de saida é ajustada pela carga e descarga do
capacitor C, através de R.
Figura 99 - Gerador de onda Quadrada.
Assim a expressão da freqüência será:
Os resistores R1 e R2 são escolhidos de maneira que R1 seja

aproximadamente 1/3 R e de 2 a 10 vezes R1. Um outro oscilador que produz
ondas quadradas e triangulares simultaneamente é mostrado na figura 99. Um
AO é montado como um integrador enquanto outro é montado como um
comparador no qual a tensão de referência é zero. A amplitude da forma de
onda da saída é ajustada pela oscilação do primeiro AO, e a proporção entre
R1 e R2 ajusta a amplitude da onda triangular. Para ambas as formas de onda,
a freqüência da oscilação é dada por:
107
Figura 100 - Gerador de Onda Quadrada e Triangular.
Atualmente, com o avanço da tecnologia de estado sólido. pode-se

projetar geradores de formas de onda, utilizando circuitos integrados
monolíticos, fabricados para essa aplicação. Existem dois Cls que geram ondas
senoidais, quadradas e triangulares com freqüência variável. Um deles é o
8038 da INTERSIL, e o outro é o XR2206 da Exar.
7.11 FILTROS ATIVOS
Um filtro é um dispositivo que permite a passagem de corrente elétrica a

certas freqüências ou faixas de freqüências enquanto evita a passagem em
outras. Um filtro ativo é uma rede de resistores e capacitores construída ao
redor de um AO.
As vantagens dos filtros ativos são:
Não -inserção de perdas: uma vez que o AO é capaz de fornecer ganho, o sinal
de entrada não é atenuado quando o filtro passa as freqüências de interesse.
Custo: filtros ativos, em geral, custam menos que os passivos, uma vez
que os indutores são caros e não são facilmente disponíveis.
108
Sintonia: filtros ativos são facilmente sintonizados, ou ajustados sobre

uma grande faixa de freqüências sem alterar a resposta desejada.
Isolação: como resultado do uso de AO, os filtros ativos têm uma alta
impedãncia de entrada e uma baixa impedãncia de saída, quase
garantindo, virtualmente, nenhuma interação entre o filtro e sua fonte ou
carga.
Em contrapartida, existem várias desvantagens, ou limitações no uso de
filtros ativos:
Resposta em freqüência: dependerá do tipo de AO usado no projeto.
Tensão de alimentação: ao contrário dos filtros passivos, filtros ativos
requerem alguns tipos especiais de fontes de alimentação para
alimentação do AO.
Os filtros ativos podem ser classificados sob dois aspectos:
Quanto á função executada: o Passa-baixa; Passa-alta; Passa-faixa;
Rejeita-faixa.
Quanto à função-resposta utilizada: o Butterworth (Segunda-ordem);
Chebyshev; Cauer.
7.11.1 Filtros de segunda ordem
Em termos matemáticos, a ordem de um filtro diz respeito ao número de

pólos existentes na função de transferência do mesmo. Em termos fisicos,
pode-se dizer que a ordem de um filtro é dada pelo número de redes de atraso
presente em sua estrutura, quanto maior a ordem de um filtro, mais a sua
resposta se aproximará das curvas ideais. O filtro ativo passa-baixa de
segunda ordem mais simples que existe é o tensão-controlada ⁄ Itensão-fonte
(VCVS) circuito da figura 101, também conhecido como filtro Sallen e Key. Para
esse circuito, a freqüência de corte é dada por:
109
Figura 101 - Filtro de Segunda Ordem.
A maior dificuldade no projeto deste filtro é como escolher os valores para

os dois resistores e capacitares da equação. A aproximação mais fácil é
escolher R1 e R2 iguais e C1 e C2 iguais. Assim:
Esse é chamado de filtro passa-baixa VCVS - componentes iguais. O

ganho de banda de passagem é fixado em 1.586 (+4dB) para uma resposta de
segunda ordem ou Butterworth, e esse é o único ganho que permite um circuito
funcionar. A freqüência de corte estará no ponto onde a resposta do filtro é 3
dBS a menos que o ganho da banda de passagem de +4 dB, ou +1 dB.
Acima da freqüência de corte a resposta decresce na taxa de 12 dB por
oitava, ou 20 dB por década.
Uma vez que esse filtro usa o AO na configuração inversora, o resistor de
realimentação tem que ser 0.586 vezes maior que o resistor de entrada para
um ganho de tensão de 1.586. Usando resistores com tolerãncia de 5%, uma
boa escolha para esses resistores é 27 KΩ e 47 KΩ, respectivamente.
7.11.2 Filtro passa- faixa
Um filtro passa-faixa, permite uma faixa de freqüências passar, enquanto

rejeita freqüências acima e abaixo a essa faixa. Na definição da resposta de
110
amplitude de um filtro passa-faixa, o interesse está na sua freqüência central e

na largura de banda.
Figura 102 - Freqüências no filtro passa faixa.
A freqüência central (fc) é, em geral, o ponto onde o máximo ganho de

tensão corre. A largura de banda de um filtro passa faixa é a diferença entre as
suas freqüências superior e inferior, onde o ganho de tensão é 0.707 vezes o
seu valor máximo (fc), ou 3dB abaixo que a resposta na freqüência central.
Como mostrado na figura 102, fi é chamada "freqüência 3 dB abaixo" e fs
é a "freqüência 3 dB acima", assim:
BW (largura de banda) = fs – fi
Uma vez que todas as respostas em freqüência são registradas em uma

escala logarítmica, a resposta passa-faixa se parece com uma curva simétrica,
em relação à freqüência de corte. É importante notar que a freqüência central
não é exatamente a metade ou média algébrica entre as freqüências 3dB, na
realidade a freqüência central é igual à média geométrica dada por:
111
A banda de passagem e a freqüência central estão relacionadas pelo fator

de qualidade, ou Q, que é definido como:
O Q de um filtro passa faixa é um índice de quanto inclinada é a curva que

se afasta da freqüência central. Para uma dada freqüência central, diminuindo
a largura de banda, aumenta o fator Q.
7.11.3 Filtro de estado variável
Conectando três AOs apropriadamente, consegue-se um filtro de segunda

ordem fornecendo simultaneamente saídas passa-alta e baixa e passa-faixa.
Esse filtro é mostrado na figura 103 e é chamado Filtro de Estado Variável ou
Filtro Ativo Universal. O circuito é constituído de um amplificador diferencial e
dois integradores. Para cada filtro, as freqüências de centro e de corte são
iguais, e são dadas pela fórmula:
Figura 103 - Filtro de Estado Variável.
Para as saídas passa-alta e passa-baixa, o ganho de banda de passagem

é unitário. Para a saída passa-faixa, o ganho da freqüêncía central será ígual
ao valor de Q. Esse tipo de Circuito dá uma resposta de segunda ordem para
as saídas passa-alta e passa-baixa. Não é possível obter uma performance
112
ótima com as três saídas simultaneamente. Para a resposta ButterWorth

passa-alta ou passa-baixa, Q tem que ser igual 0.707.
Conseqüentemente, a resposta passa-banda é muito ruim. Mesmo para
um filtro Chebyshev 3dB de segunda ordem, Q é 1.3, que não é muito melhor.
7.11.4 Filtro rejeita faixa (notch)
Utilizando o filtro de estado variável pode-se adicionar as saídas passa-

alta e passa-baixa, criando assim um filtro rejeita-faixa. Esse é um filtro muito
útil para minimizar a presença do ruído 60 Hz em sinais de áudio. Pode-se usar
um amplificador somador de duas entradas com ganhos iguais como mostrado
na figura 104.
Figura 104 - Filtro rejeita Faixa.
7.12 CIRCUITOS DE CONTROLE
Os AOs podem ser usados para construir controladores de processos

industriais analógicos. A função do controlador é avaliar os erros nas variáveis
controladas no processo e enviar um sinal elétrico aos dispositivos que irão
atuar nos sistemas corrigindo esses erros, ou sejam, os atuadores.
O valor preestabelecido no qual se deseja manter a variável controlada é
chamado SETPOINT.
O controlador vai calcular o erro ou desvio encontrado, através da
medição do valor atual e da subtração do valor do SETPOINT:
113
Erro = VA - SP
A partir do valor do Erro será processada uma ação corretiva. A figura 105
mostra o diagrama de blocos de uma malha de controle, que é realimentada
negativamente, de tal forma que o erro é minimizado até que o sistema
apresente uma estabilidade compatível com o SETPOINT.
Figura 105 - Diagrama de blocos de uma Malha de Controle.
7.12.1 Controlador de ação proporcional
No Controle Proporcional existe uma relação linear entre o sinal de erro de

entrada e saÍda do controlador. Assim, a saida do processo terá uma resposta
proporcional ao sinal de comando do atuador. A equação do controlador
proporcional é da forma:
Po(t) = (Kp*E) + P1
Onde Kp é uma constante de proporcionalidade.
Figura 106 - Controlador de ação proporcional.

114
7.12.2 Controlador de ação integral
A ação íntegral é aquela na qual a saída do controlador aumenta em uma

taxa proporcional ao erro da variável controlada. A saída do controlador é a
integral do erro ao longo do tempo, multiplicada pela constante de
proporcionalidade.
Esse tipo de ação é muito aplicada em controle de velocidade de motores
de corrente contínua. O controlador detecta os erros e gera rampas de
aceleração ou desaceleração dependendo da necessidade. A equação da
saída do controlador de ação integral é:
Figura 107 - Controlador Integral.
7.12.3 Controlador de ação derivativa
A ação derivativa de um controlador é diretamente proporcional à taxa de

variação do erro da variável controlada. Assim sendo, a ação derivativa nunca
é utilizada de forma isolada, mas sempre em conjunto com a ação proporcional
ou integral, pois, no caso de se ter um erro nulo ou constante, a saída do
controlador não irá apresentar nenhuma variação no sinal de saída. A equação
de saída do controlador de ação derivativa é dada por:
115
Onde Kd é uma constante de proporcionalidade, denominada ganho

derivativo.
Figura 108 - Controlador Derivativo
8 CONVERSORES A/D E D/A
8.1 INTRODUÇÃO
Nem só com circuitos digitais se faz um computador. Também são

necessários os circuitos analógicos. Os principais circuitos analógicos são os
existentes na placa de som, no modem e o trecho da placa de vídeo que envia
as informações de cor para o monitor. Circuitos analógicos são formados por
transitores, resistores, capacitores, indutores, diodos, transformadores e outros
componentes “não digitais”.
8.2 CONVERSORES DIGITAIS-ANALÓGICOS (D/A)
O conversor D/A converte o sinal digital para a forma analógica.

Analisemos então, dois dispositivos: um de variação analógica e outro de
variação digital.
116
X = posicionamento do cursor
Figura 109 – Pontenciomentro linear e sua curva característica
A figura 109 mostra um potenciômetro, onde a resistência entre os pontos

A e B varia de forma analógica, ou seja, a resistência nos extremos do
potenciômetro varia de forma continuada, obedecendo a rotação do seu eixo.
Assim, RAB assume todos os valores.
A figura 110 mostra um dispositivo de variação digital, onde a variação da
resistência entre os pontos A e B assume 5 valores diferentes, uma vez que, a
chave seletora possui apenas 5 posições.
X = posição da chave seletora
Figura 110 – Dispositivo de variação digital
A figura 111 mostra um circuito simples de conversor DA. O

circuito é composto por 4 chaves, onde cada chave representa 1 bit que pode
assumir os valores lógicos 0 ou 1 (os dois estados possíveis).
Neste caso, trata-se então de um conversor de 4 bits do tipo “somador”.
Quando todas as chaves estiverem na posição 0, VOUT será igual a zero.
117
Figura 111 – Conversor D/A
Para cada uma das chaves está associado um resistor que representa o
código BCD 8421 (8R, 4R, 2R e R).
Fechando apenas a chave S1 teremos:
VREF
I=
R
Se as chaves S1 e S4 estiverem fechadas, teremos:
VREF VREF
I= +
R 8R
Como 4 bits nos dão 16 possibilidades, temos 16 níveis de corrente

circulando pelo circuito.
A fórmula geral será assim definida:
S1, S2, S3 e S4 podem assumir os valores 0 ou 1
Supondo que R seja igual a 20kΩ e E = 10V (VREF)
a) para S1 fechada, teremos:

118
10V 10V
I= = = 0,5mA
R 20k
b) para S1 e S2 fechadas, teremos:
10V 10V 10V 10V

I= + = + = 0,5 + 0,25 = 0,75mA
R 2R 20k 40k
Para “n” bits teremos:
A figura 112 mostra outra opção para a conversão D/A. Trata-se também
de um circuito simples com diodos. É imprescindível que Rx seja muito menor
do que R.
Figura 112 - Circuito simples com diodos
A tensão VS é a tensão na saída, a qual é obtida partir dos níveis lógicos

que serão aplicados na entrada, os quais poderão ser definidos como Vin
(tensão de entrada ou referência).
Desta forma, se tivermos nível lógico 1 na entrada A e nível lógico 0 nas

demais entradas, a saída será:
Vin
VS = ⋅ Rx
R
119
Se tivermos nível lógico 1 na entrada D e 0 nas demais entradas:
Vin
VS = ⋅ Rx
8R
Para um número binário correspondente a 1001 na entrada, a saída VS

será:
Vin Vin
VS = ⋅ Rx + ⋅ Rx
R 8R
Vin.Rx Vin.Rx 8Vin.Rx + Vin.Rx 9Vin.Rx Vin 9

VS = + = = = ⋅ Rx
R 8R 8R 8R R 8
O circuito somador é a base para um conversor D/A ,através da escolha

apropriada dos resistores. Um circuito típico é mostrado na figura 113.
Figura 113 – Circuito somador utilizando amplificador operacional
Rx Rx Rx Rx
Vs = ⋅ Vin1 + ⋅ Vin2 + ⋅ Vin3 + ⋅ Vin4
R1 R2 R3 R4
Atribuindo os pesos relativos aos resistores (BCD8421) temos o circuito da

figura 114.
120
Figura 114 – Conversor D/A utilizando amplificador operacional
Rx ⎛ VinA VinB VinC VinD ⎞

Vs = ⎜ + + + ⎟
R ⎝ 1 2 4 8 ⎠
Rx ⎛ A B C D⎞
Vs = ⋅ Vin ⎜ + + + ⎟
R ⎝1 2 4 8⎠
A, B, C e D podem assumir os valores 0 ou 1.
Tomando como exemplo o circuito da figura 115
Determine os valores de Vs para as entradas:
a) 0011; b) 1011; c) 1010 e d) 1110

121
Solução:
a) para ABCD = 0011
10k ⎛1 1⎞ ⎛3⎞
Vs = ⋅ 16 ⎜ + ⎟ = 1 . 16 ⎜ ⎟ = 1 . 6 = 6V
10k ⎝4 8⎠ ⎝8⎠
Vs = 6V
b) para ABCD = 1011
10k ⎛1 1 8 ⎞ ⎛ 8 + 2 +1⎞ ⎛ 11 ⎞
Vs = ⋅ 16 ⎜ + + ⎟ = 1 . 16 ⎜ ⎟ = 1 . 16 ⎜ ⎟ = 22V
10k ⎝1 4 8 ⎠ ⎝ 8 ⎠ ⎝ 8 ⎠
Vs = 22V
c) para ABCD = 1010
10k ⎛1 1 ⎞ ⎛ 4 +1⎞ ⎛5⎞

Vs = ⋅ 16 ⎜ + ⎟ = 1 . 16 ⎜ ⎟ = 1 . 16 ⎜ ⎟ = 20V
10k ⎝1 4 ⎠ ⎝ 4 ⎠ ⎝4⎠
Vs = 20V
d) para ABCD = 1110
10k ⎛1 1 8 ⎞ ⎛ 4 + 2 +1⎞ ⎛7⎞

Vs = ⋅ 16 ⎜ + + ⎟ = 1 . 16 ⎜ ⎟ = 1 . 16 ⎜ ⎟ = 28V
10k ⎝1 2 4 ⎠ ⎝ 4 ⎠ ⎝4⎠
Vs = 28V
122
EXERCÍCIO RESOLVIDO
Determine os valores da tensão Vs para todas as possibilidades no

circuito da figura 116, completando a tabela.
ENTRADA BINÁRIA TENSÃO NA

LINHA
D C B A SAÍDA (Vs)
0 0 0 0 0 0V
1 0 0 0 1 0,45V
2 0 0 1 0 0,9V
3 0 0 1 1 1,35V
4 0 1 0 0 1,8V
5 0 1 0 1 2,25V
6 0 1 1 0 2,7V
7 0 1 1 1 3,15V
8 1 0 0 0 3,6V
9 1 0 0 1 4,05V
10 1 0 1 0 4,5V
11 1 0 1 1 4,95V
12 1 1 0 0 5,4V
13 1 1 0 1 5,85V
123
14 1 1 1 0 6,3V
15 1 1 1 1 6,75V
Para calcular o valor da tensão de saída (Vs) podemos utilizar a fórmula

vista anteriormente.
Linha 0 - DCBA = 0000, temos Vs = 0

Linha 1 – DCBA = 0001, temos A = 1 e DCB = 0, portanto;
12k
Vs = . Vin = 0,15 x 3V = 0,45V
80k
A partir da linha 2, já não é preciso fazer mais cálculos, uma vez que a
diferença entre as linhas 0 e 1, representam o incremento para cada linha, que
neste caso é 0,45V.
No entanto, para elucidar melhor, faremos o cálculo das linhas 2 e 3.
Linha 2 – DCBA = 0010, temos B = 1 e DCA = 0
12k
Vs = . Vin = 0,3 x 3V = 0,9V
40k
Linha 3 – DCBA = 0011, temos A = B = 1 e C = D = 0
12k 12k
Vs = = = 0,45 x 3V = 1,35V
80k.40k 26,667k
80k + 40k
Preenchida a tabela, podemos levantar o gráfico da saída de tensão

analógica x entrada digital. Pela característica do circuito com relação ao valor
124
de referência e dos resistores, para cada entrada digital, há uma variação de

0,45V na saída.
Para o nível de referência sugerido (3V), para todas as entradas digitais, a

tensão na saída (Vs) variou de 0 a 6,75V.
Verifica-se que há um incremento de 0,45V para cada linha da tabela da

verdade, que representa na verdade, a variação da tensão analógica para cada
tensão digital na entrada.
Esses conversores são conhecidos como CONVERSORES D/A DE

RESISTORES PONDERADOS. Esses conversores exigem resistores de faixa
de tolerância muito estreita a fim de assegurar mínima introdução de erro, e por
esse motivo, não são muito práticos.
8.2.1 Conversores D/A Do Tipo R-2r
Esses conversores são também conhecidos como CONVERSORES D/A

TIPO ESCADA.
125
A vantagem desses conversores é que utilizam somente 2 valores de

resistores (um é o dobro do outro), o que facilita o seu projeto.
A figura a seguir ilustra um circuito básico de um conversor R-2R.
O circuito em si é bastante simples, cuja análise recairá na associação

série/paralela de resistores.
Como temos as entradas DCBA, analisaremos cada uma delas, pois a

partir daí o processo de análise seguirá sempre o mesmo padrão para qualquer
tipo de conversor DA tipo R-2R.
CASO 1 – DCBA = 0001 (entrada A = 1 e as demais = 0)
Para analisar o circuito, basta aterrarmos as entradas DCB e aplicar na

entrada D nível lógico 1.
126
127
O que temos então após a simplificação do circuito são dois resistores 2R

em paralelo, em série com um resistor 2R.
Como sabemos, em um circuito paralelo de resistores, a tensão é igual
para todos eles, que nos dará o circuito equivalente a seguir.
Partindo do pressuposto de que o nível lógico 1 representa Vcc, teremos

então:
Vcc.R Vcc.R Vcc

Vs = = =
R + 2R 3R 3
Vcc
assim: Vs =
3
CASO 2 – DCBA = 0010 (entrada B = 1 e as demais = 0)

128
Assumindo que o nível lógico 1 representa Vcc, a saída Vs recairá sobre

R, conforme indica a figura acima.
Teremos então, o circuito equivalente mostrado a seguir, onde se observa

que Vs faz parte de um divisor de tensão.
129
Vcc
Pelo cálculo anterior (caso 1), sabemos que Vcc’ =
3
Vcc Vcc
⋅R ⋅R
⎛ Vcc ⎞ ⎛ 1 ⎞ Vcc.R
Vs = 3 = 3 = ⎜ ⋅R ⎟ . ⎜ ⎟=
R +R 2R ⎝ 3 ⎠ ⎝ 2R ⎠ 6R
Simplificando (eliminando-se R do numerador e denominador), temos:
Vcc
Vs =
6
CASO 3 – DCBA = 0100 (entrada C = 1 e as demais = 0)

130
Pelo cálculos anteriores temos:
Vcc Vcc
Vcc’ = Vcc’’ =
3 6
Vcc Vcc
⋅R ⋅R
6 6 ⎛ Vcc ⎞ ⎛ 1 ⎞ Vcc.R
Vs = = = ⎜ ⋅R ⎟ . ⎜ ⎟=
R +R 2R ⎝ 6 ⎠ ⎝ 2R ⎠ 12R
Vcc
Vs =
12
CASO 4 – DCBA = 1000 (entrada D = 1 e as demais = 0)

131
Vcc.R Vcc.R Vcc

Vcc1 = = =
2R + R 3R 3
Vcc1.R
Vcc1.R 3 Vcc 1 Vcc.R
Vcc2 = = = .R. =
R +R 2R 3 2R 6R
Vcc
Vcc2 =
6
132
Vcc2.R
Vcc2.R 6 Vcc 1 Vcc.R
Vcc3 = = = .R. =
R +R 2R 6 2R 12R
Vcc
Vcc3 =
12
Resta agora calcular Vs. A tensão Vcc3 que está entre os pontos X e Y (Y
está aterrado), encontra-se presente também nos dois resistores R (em série)
que estão em paralelo com X-Y. Assim, forma-se um divisor de tensão entre X-
Y, para os resistores R.
Vcc.R
Vcc3.R Vcc 1 Vcc.R
Vs = = 12 = .R. =
R +R 2R 12 2R 24R
Vcc
Vs =
24
133
8.2.2 Conversores D/A do tipo R-2R com amplificador operacional
A vantagem da utilização de um amplificador operacional A.O. para esse

circuito, é que além de proporcionar um isolamento de impedância da rede
R-2R, possibilita a obtenção da tensão de saída com qualquer fator de
proporcionalidade, através do reajuste do resistor de realimentação Rx.
Figura 117 – Conversor D/A do tipo R-2R
O cálculo de Vx pode ser feito como anteriormente, lembrando que Vx é a

própria tensão Vs sem o amplificador operacional.
Quando o A.O. estiver em operação, o ponto A é considerado como terra.

Rx
Vs = Vx.
2R
Exemplo:
Dados:
Nível lógico 1 = Vcc = 3V
Nível lógico 0 = GND = 0V
R = 10kΩ
Rx = 12kΩ
Determinar o valor da tensão Vs para as entradas digitais:

134
a) A = 1; BCD = 0
3V
Vx = = 1V
6
12kΩ
Vs = 1V. = 1V x 0,6 = 0,6V
20kΩ
b) B = 1; ACD = 0
3V
Vx = = 0,5V
6
12kΩ
Vs = 0,5V. = 0,5V x 0,6 = 0,3V
20kΩ
c) C = 1; ABD = 0
3V
Vx = = 0,25V
12
12kΩ
Vs = 0,25V. = 0,25V x 0,6 = 0,15V
20kΩ
d) D = 1; ABC = 0
3V
Vx = = 0,125V
24
12kΩ
Vs = 0,125V. = 0,125V x 0,6 = 0,075V
20kΩ
O fator de proporcionalidade é de 13,333 (calculado como no capítulo

anterior).
135
Através do fator de proporcionalidade, podemos montar a tabela da

verdade para esse conversor, que tem uma resolução de 4 bits.
Partindo de:
A
Fator de proporcionalidade =
B
Onde: A é a entrada digital, convertida para decimal (base 10) e B é a

tensão analógica da saída (Vs)
110 1
13,333 = B= = 0,075V
B 13,333
Isto significa que a linha 1 da tabela da verdade terá uma tensão Vs igual
a 0,075V, que é a mesma coisa quando D = 1 e ABC = 0 e que, servirá como
incremento para as demais linhas.
DECIMAL ENTRADA DIGITAL SAÍDA

ANALÓGICA
(LINHA) A B C D (VOLTS)
0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 1 0,075
2 0 0 1 0 0,15
3 0 0 1 1 0,225
4 0 1 0 0 0,3
5 0 1 0 1 0,375
6 0 1 1 0 0,45
7 0 1 1 1 0,525
8 1 0 0 0 0,6
136
9 1 0 0 1 0,675
10 1 0 1 0 0,75
11 1 0 1 1 0,825
12 1 1 0 0 0,9
13 1 1 0 1 0,975
14 1 1 1 0 1,05
15 1 1 1 1 1,125
Para melhorar o resolução desse conversor basta acrescentar mais uma

entrada, passando assim a ter um incremento de tensão menor, pois existirão
32 possibilidades (linhas 0 a 31).
8.3 CONVERSORES ANALÓGICOS- DIGITAIS (A/D)
Conversores AD são circuitos que convertem sinais analógicos em sinais

digitais. Portanto, o conversor analógico-digital (AD) inverte o processo do
conversor digital-analógico (DA).
Figura 118 – Estrutura de um conversor A/D
Uma das formas mais simples para se converter sinais analógicos em

sinais digitais é a utilização de circuitos chamados FEEDBACK CONVERTERS
ou conversores por realimentação, utilizando conversores DA.
A figura 119 ilustra um conversor AD, que conforme se pode ver, é
bastante complexo.
137
Figura 119 – Conversor A/D
a) O contador módulo 10 (contador de década) gera o código BCD

nas saídas A’, B’, C’ e D’.
b) Essas saídas são injetadas no conversor DA que gera uma

tensão analógica, que chamaremos de “Va”, a qual servirá como
referência.
c) A tensão Va é injetada em uma das entradas do comparador,

geralmente constituído por um A.O.
d) Na outra entrada do comparador é injetada a tensão que

queremos converter para digital, a qual chamaremos de Vin.
e) A saída do comparador (S) formará o clock dos FFs do circuito de

saída e acionará a chave digital formada pela porta AND, que inibirá
ou não a entrada dos pulsos de clock do contador módulo 10.
f) Ao se ligar as saídas do contador módulo 10 ao conversor DA,

este fornecerá uma tensão analógica, conforme ilustra a figura 120 .
138
Figura 120 – Grafico da tensão analógica discretizadal
O amplificador operacional funciona como um comparador das tensões Vin

e Va, e na sua saída aparecerá uma tensão que dependerá das amplitudes de
Vin e Va.
Quando essas tensões forem rigorosamente iguais, teremos como

resultado uma tensão zero na saída S.
Figura 121 – Amplificador Operacional
Se Va < Vin, teremos em S nível lógico 1 (S = 1)
Se Va > Vin, teremos em S nível lógico 0 (S = 0)
Figura 122 – Circuito Contadorl

139
O clock somente comandará o contador quando o sinal de saída do

comparador tiver nível lógico 1 (Va < Vin).
O contador continuará operando até que Va seja maior do que Vin.

Nesse instante a saída do comparador será 0 (zero), bloqueando a chave
digital e consequentemente o clock, fazendo com que o contador permaneça
em seu estado, que é numericamente igual a tensão de entrada analógica
(Vin).
A figura 123 ilustra os gráficos do que foi acima explanado, considerando

uma tensão de entrada (Vin) = 6V.
Figura 123 – Gráficos
Quando Va superar Vin, o comparador bloqueia o contador, pois na saída

do comparador termos nível lógico 0.
A diferença entre Va e Vin para bloquear o contador é tão insignificante,
que na prática podemos considerar Va = Vin p/ S = 0.
A saída do comparador atua também como clock dos FFs tipo D da saída.
140
Quando a saída “S” passa de 1 para 0, as informações contidas em A’, B’,

C’ e D’ serão armazenadas pelos FFs. Essa informação nada mais é do que a
tensão analógica da entrada codificada em binário.
Obviamente, considerando-se Vin = 6V, a tensão binária codificada será
0110.
Para zerar a saída e reiniciar a conversão, basta aplicar um pulso na
entrada CLS do contador; como conseqüência teremos:
Va = 0 S=1
Isto fará com que a chave digital libere os pulsos de clock até o contador,
permitindo a conversão para um outro valor analógico qualquer.
O conversor AD visto é do tipo “Contagem Ascendente”. A desvantagem

desse tipo de conversor é que para cada ciclo de conversão o contador deve
ser zerado, iniciando sempre sua contagem a partir de zero; isto ocasiona uma
baixa velocidade de conversão.
Para minimizar esse inconveniente, utiliza-se um conversor AD do tipo

“Conversor AD por rastreamento”, cujo diagrama de bloco básico é ilustrado na
figura 124.
Observa-se a presença de um contador crescente/decrescente, podendo

ser incrementado ou decrementado, a partir de uma determinada entrada
analógica (Vin).
Figura 124 – Conversor AD por rastreamento

141
Se a entrada Vin estiver acima de um valor precedente, o contador é

incrementado a partir do ponto onde havia parado, sem ter que retornar a zero.
Por outro lado, se a entrada Vin estiver em um nível inferior do

precedente, o contador é decrementado.
Portanto, a principal característica do conversor AD por rastreamento é o

não retorno ao zero entre dois ciclos sucessivos de conversão.
8.3.1 Erro de Conversão nos Conversores A/D – Quantização
Quando a entrada analógica possuir um valor fracionário, esse valor será

arredondado na saída.
Dependendo do valor analógico na entrada, o erro de conversão poderá
assumir percentuais elevados.
Figura 125 – Gráfico A X D
Consideremos as situações:
a) para uma entrada analógica de 1,4V a saída será 001 (equivalente a 1V)
b) para uma entrada analógica de 2,2V a saída será 010 (equivalente a 2V)
c) para uma entrada analógica de 3,4V a saída será 011 (equivalente a 3V)
d) para uma entrada analógica de 4,5V a saída será 100 (equivalente a 4V)
e) para uma entrada analógica de 5,7V a saída será 110 (equivalente a 6V)
142
f) para uma entrada analógica de 6,9V a saída será 110 (equivalente a 7V)
Observa-se que o erro de quantização foi menor no item “ f ”. O erro de

quantização ocorre em virtude da aproximação da entrada pelo valores
discretos disponíveis nas saídas.
Uma das maneiras de contornar esse inconveniente é aumentar a faixa de

contagem do contador.
Se no circuito visto anteriormente se adicionarmos mais um contador

módulo 10, poderá ser feita a contagem de 0 a 99 ao invés de 0 a 9.
Com isto, poderemos conseguir mais um algarismo de precisão na

conversão. Torna-se óbvio que à medida que adicionarmos contadores ao
circuito, melhor será a precisão.
Figura 126 – Conversor A/D
As saídas estão separadas em algarismos menos significativos (LSB) e

mais significativos (MSB).
143
Figura 127 – Gráfico de saída com maior precisão
Se aplicarmos na entrada (Vin) 1,6V o contador de 0 a 99 irá parar em 16.
Separando-se os FFs correspondentes ao LSB e MSB, poderemos obter

na saída, exatamente a tensão analógica da entrada convertida em digital.
0001 = 1 (MSB)
0110 = 6 (LSB)
Inserindo-se no circuito mais um contador módulo 10, teremos mais um

algarismo de precisão e assim por diante.
REFERÊNCIAS
[1] ARNOLD, Robert; BRANT, Hans. Transistores. Segunda Parte. São Paulo.
Editora EPU, 1975. Il. (Eletrônica Industrial, 2).
[2] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos Eletrônicos e

Teoria de Circuitos. 6ª Edição. Rio de Janeiro. Editora LTC, 1999.
[3] CIPELLI, Antônio Marco Vicari; SANDRINI, Valdir João. Teoria do

desenvolvimento de projetros de circuitos eletrônicos. 7ª edição. São Paulo.
Editora Érica, 1983.
[4] MALVINO, Albert Paul. Eletrônica – volume 1 e 2. 2ª edição. São Paulo.

Editora McGraw-hill, 1986.
[5] MELLO, Hilton; INTRATOR, Edmond. Dispositivos Semicondutores. 3ª

edição. Rio de Janeiro. Editora LTC, 1978.
[6] MILLMAN, Jacob; HALKIAS, Christos C., Integrated electronics: analog and
digital circuit and systems. São Paulo. Editora McGraw-hill, 1972.
[7] TUCCI, Wilson José. Introdução á Eletrônica. 7ª edição. São Paulo. Editora
Nobel, 1983.
[8] BOGART, Jr. Theodore F. Dispositivos e Circuitos Eletrônicos. São Paulo.

Mkron Booksl, 2001. vol. I e II.
[9] MARCUS, Otávio. Ensino Modular-SISTEMAS ANALÓGICOS-Circuitos com

Diodos e Transistores.
[10] TOCCI, R. J.; WIDMER, N. S.. Sistemas Digitais- Princípios e Aplicações.

8a. edição –Pratice-Hall, 2003.

Apostila de Eletrônica Básica Manutencao - Parte Ii

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UNIDADE III .......................................................................................................

5.10 REGIÕES DE OPERAÇÃO DE UM TRANSISTOR ................................. 44

7.4.1 parâmetros de entrada.......................................................................... 83

7.12.3 Controlador de ação derivativa ........................................................ 114

O transistor é um componente fabricado com cristais semicondutores cuja

5.2 ESTRUTURA BÁSICA

O transistor bipolar é um componente eletrônico constituído de cristais

terceira camada bem mais fina, de material semicondutor com um tipo de

Figura 1 – Estrutura Básica de Transistor.

Como mostrado na figura 2, a configuração da estrutura, em forma de

Figura 2 – Estrutura dos transistores pnp e npn.

Os dois tipos de transistor podem cumprir as mesmas funções diferindo

5.3 TERMINAIS DO TRANSISTOR

Como mostrado na figura 3, cada uma das camadas que formam o

Figura 3 – Estrutura Básica de um Transistor de três terminais.

Os terminais recebem uma designação que permite distinguir cada uma

Figura 4 – Transistores pnp e npn com identificação de terminais.

Embora as camadas referentes ao coletor e ao emissor de um transistor

grau de dopagem, realizando, portanto, funções distintas quando o

A figura 5 apresenta os símbolos utilizados na representação de circuito

Figura 5 – Símbolos dos transistores npn e pnp.

Figura 6 – Representação do circuito.

5.5 ASPECTOS REAIS DOS TRANSISTORES

Os transistores podem se apresentar em diversos encapsulamentos, que

Figura 7 - Alguns aspectos de encapsulamentos

Devido à variedade de configurações, a identificação dos terminais de um

5.6 TESTE DE TRANSISTORES

Existem instrumentos sofisticados destinados especificamente às

Como descrito na unidade 4, o teste de qualquer junção com o uso de um

Portanto, para a detecção de defeitos, o transistor pode ser considerado

Figura 9 – Representação dos transistores npn e pnp por diodo equivalente.

A detecção de defeitos no transistor consiste em verificar a existência de

5.7 TESTE COM O USO DO MULTÍMETRO

O procedimento de teste das junções base-coletor e base-emissor é

5.7.1 Detecção de descontinuidade nas junções

Com o potencial positivo da ponta de prova aplicado à base do transistor e

Figura 10 – Detecção de Descontinuidade nas Junções BC e BE de um transistor npn.

5.7.2 Detecção de curtos nas junções

Para esse teste as pontas de prova devem ser conectadas conforme

Figura 11 – Detecção de Curtos nas Junções BC e BE de um transistor npn.

5.7.3 Detecção de curto-circuito entre coletor e emissor

Para completar os testes, deve-se ainda verificar a condição elétrica entre

Figura 12 - Teste para detecção de curto-circuito entre os terminais C e E de um transistor npn.

Para o caso de um transistor pnp, os testes podem ser conduzidos

5.7.4 Modo de operação

O transistor desempenha um papel fundamental na eletrônica. A partir da

Esta unidade tratará do princípio de funcionamento do transistor bipolar,

5.7.5 Operação do transistor na região ativa

A estrutura física do transistor propicia a formação de duas junções pn,

Figura 13 - Junções base-coletor e base-emissor em um transistor.

A formação das duas junções no transistor faz com que ocorra um

Figura 14 - Barreiras de potencial formadas nas duas junções de um transistor.

As características normais de polarização dos terminais do transistor são

5.7.6 Junção base-emissor

Na condição normal de funcionamento, denominada de funcionamento

Figura 15 - Polarização da junção base-emissor de transistores pnp e npn para operação

A condução através da junção base-emissor é provocada pela aplicação

Nota Importante: na região ativa a junção base-emissor de um transistor fica

5.7.7 Junção base-coletor

Para operação na região ativa, a junção base-coletor fica polarizada

Na região ativa a junção base-coletor de um transistor fica inversamente

Figura 16 - Polarização da junção base-emissor de transistores pnp e npn para operação na

ou alternativamente: VRC = (βDCRC)IB (11)

VCE = Vcc - (βDCRC)IB (12)