Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia Sul-rio-grandense

Curso Superior de Engenharia Elétrica

Disciplina de Microeletrônica Analógica

Professor: Henrique Pimentel

TRABALHO 2

Genaro Ceppo, Danielle Madruga

Pelotas, Setembro de 2018

Introdução

Este relatório apresenta os cálculos e simulações necessárias para

realizar a transferência tecnológica de um amplificador Fonte Comum,
transferindo uma tecnologia de 0.5 μm para uma tecnologia de 0.18 μm.

Desenvolvimento

O projeto foi elaborado a partir de alguns parâmetros pré-definidos para o

amplificador Fonte Comum. Tais parametros são apresentados na tabela 1.

Potência 0.45 mW
Rsig 10 kΩ
RL 50 kΩ
|AV| 10 V/V
VDD 1.8 V
Tabela 1 – Parâmetros do amplificador fonte comum

As constantes do modelo do transistor NMOS utilizado, de tecnologia de

0.18 μm, podem ser vistos na figura 1.

Figura 1 – Parâmetros do modelo de transistor NMOS com tecnologia de 0.18 μm

 A partir da obtenção de todos os parametros foi possivel realizar o
equacionamento matematico a fim de obter o dimensionamento dos
componentes do circuito amplificador.

𝑃 0,45 𝑚𝑊
𝐼𝐷 = = = 0,25 𝑚𝐴
𝑉𝐷𝐷 1,8 𝑉
𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐷𝑆 = = 0,6 𝑉
3
𝜀𝑜𝑥 3,45 × 10−11 𝐴
𝑘𝑛′ = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 = 𝜇𝑛 −4
= (291 × 10 ) = 246,07 𝜇
𝑡𝑜𝑥 4,08 × 10−9 𝑉²

Então definindo 𝑉𝑂𝑉 = 0.17 𝑉,

𝑊 𝐼𝐷 0,25 × 10−3
= = ≈ 86,17
𝐿𝑒𝑓𝑓 1 𝑘 ′ 𝑉 2 (1 + 𝜆𝑉 ) 1 (246,07 × 10−6 )(0,17)2 [1 + 0,08(0,6)]
2 𝑛 𝑂𝑉 𝐷𝑆 2

Escolhendo 𝐿 = 0,2 𝜇𝑚,

𝐿𝑒𝑓𝑓 = 𝐿 − 2𝐿𝑜𝑣 = 0,2 − 2 × 0,01 = 0,18 𝜇𝑚

𝑊 = 𝐿𝑒𝑓𝑓 × 86,17 = 15,51 𝜇𝑚

Agora entrando nos cálculos dos componentes propriamente ditos:

2𝐼𝐷 2 × 0,25 × 10−3 𝑚𝐴

𝑔𝑚 = = = 3,33
𝑉𝑂𝑉 0,15 𝑉
1 1
𝑟𝑜 = = = 50 𝑘Ω
𝜆𝐼𝐷 0,08 × 0,25 × 10−3
𝑉
|𝐴𝑣 | = 𝑔𝑚 (𝑅𝐷 ∥ 𝑅𝐿 ∥ 𝑟𝑜 ) = 10 ⇒ 𝑅𝐷 ≈ 3,44 𝑘Ω
𝑉

Consequentemente,

𝑉𝑂 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 = 1,8 − (0,25 × 10−3 × 3,44 × 103 ) = 0,86 𝑉

𝑉𝑂 − 𝑉𝐷𝑆 0,86 − 0,6
𝑅𝑆 = = ≈ 1,04 𝑘Ω
𝐼𝐷 0,25 × 10−3
 E assim podemos finalmente polarizar o transistor,

𝑉𝐺 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆 + 𝑉𝑂𝑉 + 𝑉𝑡𝑛 = (0,25 × 10−3 × 1,04 × 103 ) + 0,15 + 0,45 = 0,86 𝑉

𝑅2
𝑉𝐺 = 𝑉𝐷𝐷 ( )
𝑅1 + 𝑅2

Assumindo 𝑅2 = 1 𝑀Ω,
1 × 106
0,86 = 1,8 ( ) ⇒ 𝑅1 ≈ 1,09 𝑀Ω
𝑅1 + 1 × 106

Após o dimensionamento dos resistores a partir dos cálculos e

considerando os capacitores de 10𝜇𝐹, foi possível inserir o circuito no software
Multisim, conforme Figura 2, e assim levantar a curva de magnitude no gráfico
de Bode, conforme Figura 3. No gráfico de bode podemos observar que o ganho
foi alcançado, já que:
𝑉
𝐴𝑣 (𝑑𝐵) = 20 log (𝐴𝑣 ( ))
𝑉
𝑉 𝑉
19,92 = 20 log (𝐴𝑣 ( )) ⇒ 0,996 = log(𝐴𝑣 ) ⇒ |𝐴𝑣 | = 9,9
𝑉 𝑉

Figura 2 - Circuito com tecnologia de 0.18 μm simulado no Multisim

 Figura 3 - Diagrama de magnitude de bode do circuito com tecnologia de 0.18 μm

Conclusão

Neste relatório foi realizada a analise do comportameno do circuito

amplificador de fonte comum, anteriormente analisado utilizando uma tecnologia
de 0.5 μm e agora realizada a transferencia tecnológica para uma tecnologia de
0.18 μm. As simulações foram realizadas através dos softwares Matlab e
Multsim.

A fim de atingir o ganho desejado, foram necessarios ajustes o valor de

𝑉𝑂𝑉 , que na tecnologia de 0.5 μm era de 0,30 V agora passou a ser de 0,15 V. O
valor do ganho não ter dado exato se dá pelo arredondamento dos valores dos
resistores.