Dias de la Ciencia Aplicada

Septiembre , 2011 – Medellin - Colombia

DESENVOLVIMENTO DE
SENSORES PIEZORESISTIVOS
Prof. Dr. Marcos Massi
Laboratório de Plasmas e Processos
Instituto Tecnológico de Aeronáutica – São José dos Campos - Brasil
massi@ita.br
SUMÁRIO
 Tecnologia MEMS (conceito, histórico e aplicações)
 MEMS e Circuitos Integrados (CI´s)
 Etapas de desenvolvimento de sensores MEMS
 Principais mecanismos de transdução usados em
MEMS
 Vantagens e limitações do uso de Si
 Ambientes Agressivos
 Principais materiais para desenvolvimento de
sensores MEMS para aplicações em ambientes
agressivos
 Desenvolvimento de um sensor de pressão
piezoresistivos de SiC
Tecnologia MEMS (Micro-Electro-Mechanical
Systems)

Integração de elementos mecânicos e eletrônicos em

um único “chip”.
Também conhecida como MST – “Microsystems Technology”
(Europa) e “Micromachines” ou “Smart Sensors” (Japão)
Escala e Dimensões
Tecnologias envolvidas e aplicações
típicas
Vantagens da tecnologia MEMS
 Miniaturização : tamanho e peso reduzidos;
 Baixo custo de fabricação: produção em grande
escala com processos de fabricação bem
estabelecidos;
 Reprodutibilidade e confiabilidade;
 Flexibilidade de projeto: soluções
personalizadas e integração com eletrônica.
Histórico da tecnologia MEMS
 1948 Transistor (J. Bardeen,
W.H. Brattain, W. Shockley)
 1954 Efeito Piezoresistivo em Si e
Ge (C.S. Smith)
 1958 Primeiro circuito integrado
(IC) comercial (J.S. Kilby)
 1962 Piezoatuadores integrados
de Si (O.N. Tufte et al.)
 1971 A Intel desenvolveu o
processador 4004 com 200
transistores
 1982 K. Petersen introduz o
conceito do silício como material
mecânico.
Histórico da tecnologia MEMS
 1983 1º sensor de pressão de Si
comercial (Honeywell)
 1985-1992 Intensificação nos
estudos de fabricação de sensores
 1994 Ampla disponibilidade
comercial de sensores de pressão e
acelerômetros
 2000 “Kulite Semiconductor”
começa a produzir sensores de
pressão de SiC (substrato)
 2002 A Universidade de Berlim em
parceria com a Daimler Benz
desenvolve um protótipo de sensor
de pressão baseado em filme de
3C-SiC.
Estágio atual da tecnologia MEMS
baseada em Si
Tecnologia consolidada e amadurecida com mercado crescente.
Movimentou US$ 70 bilhões em 2007.

(fonte “The Economist”, Janeiro 2008)

Estágio atual da tecnologia MEMS
 Principais mecanismos de
transdução utilizados em MEMS
T
r
a 1. Variação de resistividade
n (Efeito Piezoresistivo)
s
d
Entrada u Saída 2. Variação de potencial
t
P.Ex.: o (Efeito Piezelétrico)
r
Tensão mecânica
M
3. Variação de capacitância
E
M (Efeito Capacitivo)
S
 Por que usar Si para fabricar MEMS?
 Propriedades mecânicas e elétricas já são bem
conhecidas;
 A tecnologia de CI’s foi toda desenvolvida para o Si,
ou seja, as técnicas de processamento estão
consolidadas;
 Disponibilidade de substratos comerciais com alta
pureza (99.999%) e grandes diâmetros (até 12 pol.);
 É possível integrar eletrônica;
 Ampla faixa de resistividade 230k.cm (intrínseco) e
pode chegar a 0.5 m.cm (altamente dopado);
 A temperatura ambiente e até 125ºC dispositivos
eletrônicos baseados em Si apresentam desempenho
superior aos baseados em outros materiais.
 MEMS E CIRCUITOS INTEGRADOS (CI´s)
Microusinagem
Tecnologia de fabricação (“Micromachining’) Tecnologia MEMS
De CI´s (estruturas 2D) (estruturas 3D)

Os sensores MEMS são constituídos por estruturas 3D

suspensas ( vigas, membranas.....).
 Alguns softwares usados para auxiliar o
desenvolvimento de sensores MEMS
 Projeto: Cadence,
Spice, Matlab .......
 Simulação: ANSYS,
COMSOL, NASTRAN....
 Processo de
fabricação: SUPREM,
COVENTOR....
 Etapas de desenvolvimento de
Sensores MEMS
Projeto: dimensionar o sensor
para uma determinada aplicação

Análise do projeto: modelagem Confeccionar máscaras litográficas

e simulação do sensor e definir seqüência de fabricação

Processos de microfabricação

Teste do sensor Encapsulamento

Quando não utilizar Si como material
base para MEMS?
Ambientes Agressivos
São ambientes extremos de temperatura,
pressão, radiação e ataque químico.
Ambientes Agressivos

Principais aplicações que necessitam de sensores capazes

de operar nesses ambientes:
 Aplicações terrestres  Aplicações espaciais
Automotivas: monitoramento da
combustão do motor;
Aeronáuticas: diversas aplicações
na turbina a gás;
Petroquímicas: Exploração de
petróleo combinação alta
temperatura, alta pressão e
presença de fluídos corrosivos;
Principais materiais para desenvolvimento de
sensores MEMS para aplicações em
ambientes agressivos

 SiC
 AlN
 Si3N4
 Óxidos semicondutores (ZnO, TiO2,
SiO2, ITO ....)
 DLC (~até 300ºC)
É melhor usar filme fino ou substrato
(“bulk”)?

Desvantagens do substrato
 Os substratos de SiC, AlN, ZnO disponíveis
comercialmente tem diâmetro de no máximo 3 pol. com
custo ~15x maior que o wafer de Si;
 Os processos de corrosão e metalização ainda não estão
consolidados;
Desvantagens do filme fino

•Difícil reprodutibilidade;
•Propriedades elétricas e mecânicas inferiores as do
substrato.
DESENVOLVIMENTO DE UM SENSOR

DE PRESSÃO PIEZORESISTIVO

DE CARBETO DE SILÍCIO
 Objetivos

• Síntese, dopagem, caracterização e corrosão de

filmes de SiC

• Estudo das propriedades piezoresistivas de filmes

de SiC produzidos

• Fabricação e caracterização de um protótipo

 Por que usar o carbeto de silício (SiC) ?

 Excelente estabilidade térmica e química;

 Excelentes propriedades mecânicas;

 Compatibilidade com os processos de

microfabricação baseados em silício.
 Técnicas para obtenção do filme de SiC
PECVD e sputtering
Processo Vantagens
PECVD  baixa temperatura
 alta taxa de deposição
 boa adesão filme /substrato
Desvantagens
 geralmente, os filmes não são
estequiométricos
 há incorporação de
subprodutos da reação H, N e O .

Sputtering  Melhor controle da

composição do filme  baixa uniformidade
 boa adesão filme / substrato

 alta taxa de deposição

Desafios:
• Tamanho dos substratos
• Alta densidade de defeitos
• Preço do substrato
 Métodos utilizados para dopagem de
filmes de SiC

tipo N : adição dos gases N2 ou PH3

Dopagem in situ
tipo P: adição do gás B2H6

tipo P: implantação de Al ou B
Implantação iônica
tipo N: implantação de N ou P

Difusão térmica tipo P: difusão de Al

Etapas de processamento para fabricação de
dispositivos baseados em SiC

Oxidação Óxido nativo é o SiO2

Metais mais utilizados: Al ou Au

Metalização
depositados sobre Ti

• Resistente a corrosão úmida em soluções

como KOH ou HF
Corrosão • Corrosão por plasma utilizando gases
fluorados
Materiais e Métodos –
Deposição de filmes de SiC por PECVD
Substrato: Si (100) tipo –P
Limpeza: RCA
Parâmetros de deposição constantes:
Fluxo de CH4: 20 sccm
Fluxo de Ar : 20 sccm
Tempo: 20 min
Pressão: 0,2 Torr
Amostra Fluxo de SiH4 Fluxo de N2
(sccm) (sccm)
P1 1 -
P2 2 -
P3 3 -
P4 4 -
P5 4 2
Materiais e Métodos –
Deposição de filmes de SiC por sputtering
Amostra Fluxo de N2
(sccm)

M0 -

M1 0,7

M2 1,4
Alvo: SiC (99,5% de pureza)
Substrato: Si (100) tipo-P M3 2,1
Limpeza: RCA
M4 2,8
Fluxo de Ar : 7 sccm
Potência: 200W M5 3,5
Tempo: 120 min
Materiais e Métodos –
Processo de Recozimento Térmico

 Temperatura: 1000ºC
 Ambiente: Argônio
 Tempo: 1h
Materiais e Métodos –
Corrosão RIE dos filmes de SiC

Parâmetro Valor
Temperatura do 20
substrato (ºC)
Pressão (mTorr) 25

Potência (W) 50

Tempo (min.) 3
Fluxo total dos 12
gases (sccm)
Concentração 20 ou 80
de O2 (%)
SF6 + O2
Materiais e Métodos –
Fabricação de resistores de SiC
Materiais e Métodos –
Fabricação de resistores de SiC
 Materiais e Métodos – Caracterização
elétrica dos resistores de SiC fabricados
Materiais e Métodos –
Caracterização piezoresistiva dos resistores de SiC

Dimensões da viga: 120 mm x 25 mm x 1,2 mm

 Materiais e Métodos –
Caracterização piezoresistiva dos resistores de SiC

Procedimento experimental:
- A resistência do resistor sem tensão
mecânica aplicada (R0) foi medida;
- Um bloco com massa de 20 g foi
colocado na extremidade livre da viga.
- A resistência do resistor (Rf) quando a
viga está submetida a essa tensão
mecânica foi medida;
- Determinou-se a variação da resistência
elétrica R/R;
- O procedimento foi repetido para blocos
com 40, 60, 80 e 100g.
 Resultados e Discussões – Caracterização
dos filmes de SiC depositados por PECVD

Composição Taxa de deposição

Amostra Fluxo Si C O
SiH4 (at. %) (at. %) (at. %)
(sccm)

P1 1 9,0 82,0 5,0

P2 2 14,0 86,0 4,5

P3 3 18,0 73,0 5,0

P4 4 25,0 68,0 4,8

Amostra P5 (dopada): 31% de Si, 56% de C, 7% de N e 3% de O

Resultados e Discussões – Caracterização
dos filmes de SiC depositados por PECVD

Ligações Químicas – Espectros XRD

Antes do recozimento Após recozimento

Resultados e Discussões – Caracterização
dos filmes de SiC depositados por PECVD
Resistividade Módulo de Elasticidade

Amostra Espessura Resistividade

(nm) (.cm)
P1 500 12,5

P2 580 10,4

P3 640 12,8

P4 720 12,3

P5 480 1,3 x10-2

Resultados e Discussões – Caracterização
dos filmes de SiC depositados por PECVD

* Amostra P4

Taxa de corrosão
(nm /min)
Concentração Filme Após
de O2 na como recozimento
mistura depositado

20 145,0 30,0
80 160,0 12,5
 Resultados e Discussões – Caracterização dos
filmes de SiC depositados por sputtering

Composição Taxa de deposição

N2/Ar Amostra Si C N O
(%) (%) (%) (%)
0 M0 48 48 - 2
0,1 M1 28 24 46 1,5
0,2 M2 28 22 48 1,5
0,3 M3 27 20 51 2
0,4 M4 27 18 52 2
0,5 M5 25 20 53 1,5
Resultados e Discussões – Caracterização dos
filmes de SiC depositados por RF magnetron
sputtering

Ligações Químicas – Espectros XRD

Antes do recozimento Após recozimento

Resultados e Discussões – Caracterização dos
filmes de SiC depositados por RF magnetron
sputtering

Resistividade Módulo de Elasticidade

* Após recozimento
Amostra Espessura Resistividade
(nm) (M.cm)
M0 816 0,25
M1 756 2,27

M2 608 4,87
M3 577 2,9
Resultados e Discussões – Comparação entre
as propriedades dos filmes obtidos com os
apresentados na literatura
Este trabalho Literatura
a-SixCy a-SixCy a-SiC a-SiCxNy 3C-SiC a-SiC:H a-C:H
tipo N
Técnica de
deposição PECVD PECVD sputtering sputtering CVD PECVD PECVD

Estrutura amorfa amorfa amorfa amorfa cristalina amorfa amorfa

Módulo de 21,5
elasticidade 72 a 65 57 17 28 a 88 359,5 150 a
(GPa) 26

Resistividade 12,5 2,27x 106

(.cm) a 1,3 x 10-2 0,25 x 106 a 0,18 1 x 103 1,8 x 106
10,4 4,87x 106
Resultados e Discussões – Caracterização
elétrica dos resistores de SiC fabricados
Amostra P4
Resultados e Discussões – Caracterização
elétrica dos resistores de SiC fabricados
Amostra P5
 Resultados e Discussões – Caracterização
piezoresistiva dos resistores de SiC
Variação da resistência elétrica Coeficiente Piezoresistivo
Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Estrutura proposta
Pressão aplicada

Diafragma de Si

Piezoresistores de SiC

Ponte de Wheatstone

Tensão de saída
 Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Dimensionamento do
Diafragma
Dimensões otimizadas: 1800 x 1800 x 30 µm

Ldm = 2500 x 2500 µm

 Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Dimensionamento dos Piezoresistores

 O comprimento do piezoresistor ( Lr), a

largura do piezoresistor (W) e a distância
entre a borda e o piezoresistor (d) são as
variáveis do projeto, pois a espessura do
piezoresistor é a espessura do filme de SiC;
 O valor de Lr deve ser o menor possível
para que os piezoresistores perpendiculares
às bordas não fiquem próximos ao centro do
diafragma que é a região de mínimo stress;
 As máscaras que serão utilizadas para
fabricação do sensor serão impressas em
fotolitos, então, o comprimento e a largura
do resistor devem ser maiores que 50 m;
Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Projeto das Máscaras
Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Etapas de Fabricação
Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Imagens MEV
Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Encapsulamento
Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Fotografias do sensor
Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Fotografias do sensor
Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Teste
Desenvolvimento de um Sensor de Pressão
Piezoresistivo – Caracterização
 Conclusões
Filmes produzidos
Sputtering
• O filme depositado sem N2 é um
composto estequiométrico SiC;
• O processo de dopagem “in situ” foi
ineficiente, pois promoveu a
formação de filmes SiCxNy;
• Baixo grau de cristalização
• Alta resistividade e baixo módulo de
elasticidade
PECVD
• Os filmes depositados são
compostos não-estequiométricos
de Si e C (SixCy);
• O processo de dopagem “in situ”
por adição de N2 foi eficiente;
• Os espectros XRD mostraram
que os filmes apresentam baixo
grau de cristalização.
 Conclusões
Principal diferencial piezoresistores
fabricados em filme amorfo de SiC

Protótipo de sensor de pressão

Boa sensibilidade ~2,7 mV/psi
de SiC desenvolvido

Problemas de repetibilidade
Trabalhos Futuros

 Caracterização do protótipo desenvolvido

em altas temperaturas.
 Aprimoramento das etapas de fabricação
e encapsulamento do sensor.
 Otimização dos processos de deposição
dos filmes.
 Aplicação dos filmes de SiC produzidos
em outros tipos de dispositivos.
Agradecimentos
Gracias !