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Resumo—Os transistores de nanotubos de carbono têm sido semelhante aos transistores CMOS com maior capacidade
largamente estudados nos últimos anos. Tais dispositivos são escalar e maior velocidade.
tratados como possíveis sucessores da tecnologia CMOS A teoria de transistores de nanotubo de carbono é recente
convencional. Transistores de efeito de campo com nanotubos
e se encontra ainda em seus estágios iniciais de
de carbono já foram desenvolvidos e alguns testes realizados.
Este trabalho apresenta a criação de um modelo de simulação desenvolvimento. Não obstante, alguns protótipos de
do dos transistores de nanotubos de carbono no Spice. A dispositivos e até mesmo alguns pequenos circuitos já foram
criação de modelos de simulação dos transistores de nanotubos implementados fisicamente [2]-[4]. Portanto, a avaliação de
de carbono possibilita uma maior avaliação do limite de tais dispositivos de alto desempenho em circuitos digitais é
desempenho de tais dispositivos. O modelo criado possibilitou a essencial para o desenvolvimento da topologia dos
simulação de um dispositivo lógico no HSpice.
dispositivos e circuitos e entendimento dos obstáculos para a
Palavras Chaves—Nanotecnologia, Nanotubos de Carbono, construção dos processadores com freqüência de centenas de
Transistores, CNFET. GHz. A simulação e avaliação dos CNFETs ainda é um
grande desafio para os projetistas de circuitos,
principalmente porque a maioria dos modelos de simulação
I. INTRODUÇÃO desenvolvidos envolve a solução numérica de sistemas de
E m meados da década de 60, Gordon Moore previu que a equações não-lineares recursivas que não podem ser
capacidade de processamento de um microprocessador diretamente resolvidos em simuladores como o SPICE.
cresceria exponencialmente. Desde então, a conhecida lei de Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um modelo
Moore tem governado o desenvolvimento e o desempenho de simulação compatível com o SPICE, baseado no
dos microprocessadores. Isto só foi possível graças à potencial de superfície e no desempenho balístico dos
miniaturização dos componentes básicos dos processadores: CNFETs. Diversas aproximações são necessárias para o
os transistores. Porém, recentes estudos mostram que os desenvolvimento de um modelo compacto e compatível com
limites dos processos de fabricação da eletrônica os simuladores de circuitos. O modelo SPICE foi validado
convencional serão atingidos nos próximos anos, ameaçando comparando seu resultado simulado com o modelo físico
o contínuo desenvolvimento previsto por Moore [1]. original e em seguida foi usado na simulação de um inversor
Portanto, para continuar o avanço do desempenho dos analógico.
microprocessadores, outras tecnologias, na escala O restante deste artigo está dividido da seguinte maneira:
nanométrica, estão sendo estudadas. Estes novos o capítulo 2 introduz a tecnologia CNFET e destaca a
dispositivos nanoeletrônicos incluem computação quântica, importância dos simuladores. O capítulo 3 descreve a teoria
autômatos celulares com pontos quânticos, nanotubos de balística. O capítulo 4 apresenta o modelo desenvolvido e
carbono, transistores moleculares, diodos de tunelamento faz uma rápida descrição dos modelos numéricos. O capítulo
ressonante, single-electron transistor, spin transistor e 5 apresenta alguns estudos de casos e o capítulo 6 conclui o
sistemas biológicos. trabalho.
Atualmente ainda não é possível prever quais das diversas
vertentes serão usadas para substituir a tecnologia CMOS II. TRANSISTORES DE NANOTUBO DE CARBONO
convencional. Alguns pesquisadores prevêem que os futuros Os nanotubos de carbono são folhas de grafite enroladas
circuitos de computadores serão desenvolvidos utilizando em forma de tubo. Inúmeras pesquisas relacionadas com as
uma combinação de diferentes dispositivos. A exploração propriedades elétricas destes elementos têm sido realizadas
das características destes dispositivos permitirá uma grande desde sua descoberta no início da década de 90.
flexibilidade de desenvolvimento, mas ao mesmo tempo A estrutura dos nanotubos de carbono pode ser definida
criará novas dificuldades uma vez que a interface entre estas matematicamente através do vetor quiral:
estruturas não é trivial. Ch = na1 + ma 2 (1)
Dentre os dispositivos citados anteriormente, os Onde Ch, a1 e a2 são vetores e m e n números inteiros.
transistores de efeito de campo com nanotubos de carbono, Este vetor define através dos índices m e n a quiralidade,
CNFETs (Carbon Nanotube Field-Effect Transistors) são os ou seja, a direção na qual a folha de grafite é enrolada. O
que têm demonstrado maior capacidade para substituir os diâmetro do nanotubo está relacionado ao vetor quiral pela
transistores CMOS convencionais. Esta expectativa é gerada equação:
principalmente pelo fato dos CNFETs operarem de forma
2
m 2 + nm + n 2 VG
dt = a (2)
π
Onde a é a constante de rede da folha de grafite. CG
Considerando que o comprimento da ligação entre carbonos CD
o
C-C é igual a 1,42 A , o valor de a será dado por: EF1 VD
o
VS Qtopo=-q(N1+N2)
a = 1, 42 × 3 A (3) EF2
Dependendo da escolha de n e m , os nanotubos de topo da
CS Uscf barreira
carbono podem ser metálicos ou semicondutores.
A condição que define um nanotubo como metálico é Figura 2 - Modelo de circuito para um CNFET balístico.
dada por:
2n + m
=p (4) No equilíbrio, quando não há nenhuma tensão aplicada
3
aos terminais do dispositivo, a densidade eletrônica no topo
Onde p é um número inteiro.
da barreira é dada por:
Os nanotubos semicondutores são particularmente ∞
importantes para a fabricação de transistores de efeito de
campo de alto desempenho. Nestes dispositivos o canal entre
N0 = ∫ D( E ) f ( E − E
−∞
F )dE (5)
fonte e dreno é o próprio nanotubo como é mostrado na Onde f ( E − EF ) é a função de Fermi no equilíbrio.
Figura 1.
Quando uma polarização é aplicada aos terminais de porta
e dreno, o potencial no topo da barreira torna-se U scf e os
estados no topo da barreira são preenchidos por dois níveis
de Fermi distintos. Os estados de velocidade positiva são
preenchidos pelos portadores da fonte segundo:
∞
1
N1 =
2 ∫ D( E − U
−∞
scf ) f ( E − EF 1 ) dE (6a)
+ +
n1
+
Vds Vgs Uscf=f(Vds,Vgs)
-
n2
- - +
n4 n6 Uscf1. Ew1
fonte fonte -
Sintaxe SPICE padrão: n2
E1 n5 n6 VCVS poly(2) n1 n2 n3 n4 a5 a4 a3 0 a2 0 0 a1
n6
n1
Figura 7 – Representação no SPICE do somatório dos
produtos U scfi ⋅ Ewi .
n2
+
n3 Uscfi . Ewi
-
n6
+
Ewi
-
n4
Figura 8 – Comparação entre a corrente de dreno I ds do
modelo físico e do modelo do SPICE proposto.
Sintaxe SPICE padrão:
As capacitâncias como função das tensões Vgs e Vds
E1 n5 n6 VCVS poly(2) n1 n2 n3 n4 0 0 0 0 1
foram aproximadas por funções exponenciais. Como a
sintaxe padrão do SPICE permite que capacitores sejam
Figura 6 – Representação no SPICE do produto U scfi ⋅ Ewi .
descritos a partir de seus modelos comportamentais, a
sintaxe neste caso é a equação resultante da aproximação
Finalmente, é realizado o somatório dos produtos de cada exponencial:
região: c1 n1 n2 c=’equation’
5
Onde n1 e n2 são os nós de conexão do capacitor.
U scf = ∑U
i =1
scf i ⋅ Ewi (15)
V. ESTUDO DE CASO
A maneira mais simples de realizar o somatório de fontes
de tensão no SPICE é através da associação em série O desempenho do CNFET modelado foi testado através
5
R
Vout Figura 12 – Análise de transiente do inversor.
REFERENCES