TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)

Breve Histórico

•Diodo à válvula inventado em 1904 por J. A. Fleming;

•De 1904 a 1947: uso predominante de válvulas;
•1906: Lee de Forest acrescenta terceiro elemento,
a grade de controle: triodo;
•Rádios e televisão usavam intensivamente
tais dispositivos;
–1922: 1 milhão de válvulas;
–1937: 100 milhões de válvulas;
•Década de 30: tetrodo e pentodo
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)

•1943, iniciam-se os trabalhos com o ENIAC, o primeiro

computador de grande escala, construído com válvulas:
–18.000 válvulas, consumindo 140 kW, 30 toneladas;
•Características das válvulas:
–Alto consumo de potência (calor);
–Baixa velocidade;
–Vida útil reduzida;
–Baixa confiabilidade;
–Pesada;
•1947: Transistor de ponto de contato: Bardeen e Brattain;
•1948: Transistor: dispositivo que tinha uma característica de
transresistência;
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)
Válvula Triodo
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)
Réplica do primeiro transistor
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)
ENCAPSULAMENTOS
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)
- Bipolar – corrente de elétrons e lacunas
- Desenvolvido na década de 1950
- Válvulas

- Vantagens do transistor em relação às válvulas

- Sem filamento; resistente a impactos; menor
dissipação de calor;
menor tensão de trabalho; menor dimensão; mais leve.
- Níveis
de dopagem
Base: fracamente dopada
Coletor: dopagem intermediária
Emissor: fortemente dopado
- Área maior do coletor – dissipação de calor
Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas
junções PN (junção base-emissor e junção base-coletor) de material
semicondutor e por três terminais designados por Emissor (E), Base (B) e
Coletor (C).

Menos dopado Menos dopado

Altamente Camada Altamente Camada
que o Emissor e que o Emissor e
dopado mais fina e dopado mais fina e
mais dopado mais dopado
menos menos
que a Base que a Base
dopada dopada

ÁREA DO COLETOR É MAIOR DEVIDO

DISSIPAÇÃO DE CALOR
N – Material semicondutor com excesso de elétrons
livres
P – Material semicondutor com excesso de lacunas
POLARIZAÇÃO

Polarização das junções em relação à base, define modo

deOPERAÇÃO
operação do transistor.
(REGIÃO) DIODO EMISSOR DIODO COLETOR
CORTE REVERSAMENTE REVERSAMENTE

ATIVO DIRETAMENTE REVERSAMENTE

SATURAÇÃO DIRETAMENTE DIRETAMENTE

SIMBOLOGIA

TENSÕES E CORRENTES NO
TRANSISTOR
IE = IB + IC

VCE = VCB + VBE

Identificação dos
terminais
Ganho
Ganho em Base Comum (VCB constante) <1

Ganho em Emissor Comum (VCE constante) >1

Configurações do Transistor
Características das Configurações

Curvas de Saída
- Configuração Emissor
Comum

- Relaciona Ic, Vce e Ib no

mesmo gráfico.
Levantamento da Reta de Carga
(Determina graficamente o comportamento do transistor)

Pontos a serem considerados:

- Corte e Saturação

Corte - Corrente Ic = 0
Tensão Vce = Vcc

Saturação – Corrente Vcc/Rc

Tensão Vce  0
Levantamento da Reta de Carga
-Utilizando a família de curvas do transistor BC547, construir a reta de carga
do circuito.
Polarização do Transistor
EXERCÍCIO
Analise o circuito e calcule os valores de Rc, Rb e .

Utilize a família de curvas do

transistor BC547 para um
levantamento gráfico.
Dados: Icsat = 75mA e Vceq = 20V

Rc: 540Ω - 560Ω

Rb: 178.636Ω - 180kΩ
 = 168

Prática Região Ativa

Transistor como chave (comportamento digital)
(opera somente no corte e saturação)
Pontos a serem considerados:
- Corte e Saturação

Corte - Corrente Ic = 0
Tensão Vce = Vcc

Saturação – Corrente Vcc/Rc

Tensão Vce  0
corte/saturação - projeções (.doc e proteus)
Transistor como chave
- Calcule Rb e Icsat para que seja
acionado o relé que tem uma
resistência de bobina de 220Ω.
A tensão Vcc é de 10V.
A corrente Ib deverá ser de 10% de
Icsat.
Icsat = 45 mA
Rb = 2.066Ω - 1,8kΩ

- Sabendo que o motor é de 12V e tem

impedância de 470Ω, calcule Rb de
maneira que ele funcione a plena
velocidade.
A corrente Ib deverá ser de 10% de Icsat.
Icsat = 25,5 mA
Ib = 2,55 mA
Rb = 4.431Ω - 3,9 k
Polarização do Transistor
- É o estabelecimento das correntes de Coletor e de Base e da
Tensão Vce, necessárias para que o transistor opere na condição
ideal, ou seja, na região Ativa ou de amplificação.

- Configuração Emissor comum é a mais utilizada

- Tipos de polarizações mais utilizados

- Polarização com corrente de base constante
Malha de entrada
VBB = RB . IB +VBE

Malha de saída
VCC = RC . IC +VCE
Polarização do Transistor com corrente de base constante

1 - Dado um transistor polarizado com corrente de base constante , =200 e

alimentado por 12V, determine Rc e Rb (valores comerciais). Considere
Vceq = Vcc/2, Ic = 15mA e Vbe = 0,7V. Calcule também a potência dos
resistores.
Rc = 400 Ω (470Ω) – Rb = 150.667 Ω (150 kΩ)

2 – Utilizando a família de curvas de saída do transistor BC547, trace a reta

de carga e calcule o resistor de base, considerando Vceq = 16V e =150.

Obs.: para calcular Ib, marcar o ponto Vceq na

curva e determinar Ic.

Ic será de 38 mA (pode ser calculado)

Icsat = 70 mA
Rb = 135.573 Ω (entre 120k e 150k)
Polarização do Transistor com corrente de emissor constante

- Compensação de variações, principalmente de temperatura com adição

de resistor ao emissor.

-Escolher valor para RE para dimensionar RC e RB

-Orientação prática: Fazer VCE igual a metade de Vcc

Fazer VRE igual a 10% de VCC
Fazer VRC igual a 40% de VCC
Polarização do Transistor por divisor de tensão na base
- Maneira mais estável. Fixa a tensão VRB2.

-Método prático: Fazer VCE igual a metade de Vcc

Fazer VRE igual a 10% de VCC
Fazer VRC igual a 40% de VCC
Fazer Ib = IRB2/10 IRB1 = IB + 10IB = 11 IB
Polarização do Transistor por realimentação do
coletor
- Autopolarização

- Resposta não estável, mas satisfatória para

algumas aplicações

- O aumenta de Ic por efeito de temperatura faz

com ue haja maior tensão sobre Rc, tornando
Vce menor diminuindo a corrente de base Ib.
- Compensação não perfeita devido as grandezas
de Ib e Ic.
Polarização do Transistor por espelho de corrente
- Baseada na curva de resposta do diodo
- Curva do diodo em paralelo com Vbe do
transistor
- Se curva do diodo idêntica ao Vbe do transitor
corrente Ie será igual à corrente no diodo.

- É mais efetiva quando utiliza

um outro transistor
Transistor Darlington
Consiste em uma conexão de dois transistores. O emissor do
primeiro vai à base do segundo; os coletores são ligados juntos.
O emissor do segundo (Q2), a conexão em comum dos coletores
e a base do primeiro (Q1), são: o emissor, o coletor e a base do
Darlington, respectivamente. A razão principal da conexão é a
obtenção de um transistor cujo beta é o produto de 1 e 2.
-Aplicações: amplificadores de tensão para pequenos
sinais;
Medidores de alta impedância de entrada;
Circuitos digitais integrados.

-Vantagens: - fabricação simples e mais barata

- controlado por tensão
- ocupa menor espaço, permite integração
em larga escala (LSI)
- alta impedância de entrada – até 1014Ω
- menor ruído
- Desvantagens : - menor velocidade se usado em potência
- menor ganho de tensão
JFet – Transistor de junção de efeito de campo

- Construção: Difusão de duas áreas de semicondutor P

em uma pastilha N,
JFet – Transistor de junção de efeito de campo
-O JFet poderá ser de porta simples ou dupla, sendo mais
comum a porta simples (conectadas).
- Pode ser Canal N ou
Canal P
- Simétrico:Dreno e
Source intercambiáveis.
- Assimétrico: não
intercambiáveis
JFet – Transistor de junção de efeito de campo
Polarização Dreno-Source com VGS = O → Região de Saturação
– As figuras A, B e C mostram na sequência o efeito da
polarização Dreno-Source com VGS=O.
JFet – Transistor de junção de efeito de campo
-Controle de ID exercido por VGS → Região ativa - As figuras D, E e F
mostram na sequência o avanço das zonas de depleção em direção a outra
extremidade do canal. A partir da figura F, tem início à região ativa do JFET
onde o controle da corrente ID passa a ser exercido por VGS.
JFet – Transistor de junção de efeito de campo
ID corta com -VGS → Região de Corte - As figuras G, H e I mostram na
sequência o estreitamento do canal até alcançar o corte, onde ocorre o
pinçamento e ID corta com -VGS ou VGSoff que neste JFET do exemplo é -4
Volts.
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
-Também chamado de IGFet (IG – Insulated Gate)
-Impedância de entrada maior que o Jfet

-Vantagens
- Fabricação simples
- Alto desempenho
- Alta impedância de entrada e baixo ruído
- Tamanho reduzido; 20 vezes menor que o TBJ,
permitindo integração em larga escala (LSI)
-Desvantagens
- Sensível à eletricidade estática
- Frequência cai com aumento de potência
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
- Duas polaridades: Canal N e canal P
- Dois tipos:
1 - DEPLEÇÃO
Canal abaixo do Gate com mesma dopagem de
Dreno e Fonte (Source) com concentração menor.
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor

-Canal N, modo
Depleção
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
- Duas polaridades: Canal N e canal P (Depleção)
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
-O MosFet tipo Depleção pode trabalhar tanto no modo
Depleção quanto no modo Intensificação
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
- Duas polaridades: Canal N e canal P
- Dois tipos:
2 - INTENSIFICAÇÃO
Canal para condução
existirá após aplicada
tensão à porta
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
2 - INTENSIFICAÇÃO
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
2 – INTENSIFICAÇÃO
Duas polaridades: Canal N e canal P
Mosfet – Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor
TENOLOGIAS.

Existem várias tecnologias de fabricação dos transistores

MOS-Fet. Em todas elas os fabricantes buscam:
- Maior de rendimento de potência
- Menor dissipação de calor, com a diminuição da
resistência entre Dreno e Source (Rds)
- Maior velocidade de operação

As novas tecnologias construtivas incluem: V-MOS,

Mosfet Lateral, Mosfet de dupla difusão, Mosfet Vertical,
Mosfet T.