ANÁLISE DAS CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DE UM TRANSISTOR MOSFET

AUTOR E FILIAÇÃO:
 Eurico Viegas
 Isa Morouço
 Marcos Miguel
 Miguel Bento
 Luís Lopes
 Pedro Paz
 Tiago Moura
Palavras-chave: Transístor, MOSFET, Base, Emissor, Colector

Abstracto: Neste trabalho tivemos como finalidade a análise das características eléctricas de
um transístor MOSFET. Com o auxilio de m computador equipado com uma placa de aquisição
de dados, bem como o software HPSemic para obtenção das curvas características de um
MOSFET (ref. S170). A partir dos dados gerados pelo equipamento foram determinados os
valores de tensão linear de abertura de canal (𝑉𝑇 = 1,59 𝑉), o parâmetro de transcondutância
(𝐾𝑛 = 4,26 × 10−5 𝐴/𝑉 2 ), a mobilidade de efeito de campo (𝜇𝐹𝐸 = 2,71 × 10−5 𝑚2 /(𝑉. 𝑠)) e
para finalizar o factor de modelação de canal (𝜆 = 4,90 × 10−3 𝑉 −1 ). Estas características são
importantes pois conseguimos saber com exactidão qual a tensão necessária (Vt) para se obter
uma inversão forte e saber qual a sua natureza, isto é se é um MOSFET de Deplecção ou de
Enriquecimento.

Introdução: Ao contrário do transístor Determinação de 𝑽𝑻 :

bipolar, o MOSFET não sofre do efeito de
carga presente neste. Analogamente ao
transístor bipolar, o MOSFET apenas -3
1,8x10
conduz a partir de uma tensão específica -3
1,6x10

VT, ou tensão limiar de condução. Outros -3

1,4x10

parâmetros relevantes são o factor de -3

1,2x10

modulação de canal, λ (determinado a

IDS(mA)

-3
1,0x10

partir de um análogo da tensão de Early), e -4

8,0x10

o parâmetro de transcondutância, Kn. -4

6,0x10

-4
Através deste último é calculada a 4,0x10

-4
2,0x10
mobilidade de efeito de campo, µFE.
0,0
1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7

Corpo do artigo: Análise das VGS(V)

características de um MOSFET através dos

A equação da regressão linear é dada por
seguintes parâmetros:
𝑉𝐺𝑆 = 0,01505𝐼𝐺𝑆 − 0,02388

A tensão limiar de condução é calculada

determinando 𝑥 quando 𝑦 = 0 ou seja,
𝐼𝐷𝑆 = 0.

Assim: 𝑦 = 0 ⟺ 𝑉𝑇 = 1,59 𝑉.

Materiais Semicondutores Página 1

 PARÂMETRO DE TRANSCONDUTÂNCIA DETERMINAÇÃO DE 𝑲𝒏

Primeiro determinamos o factor de 𝐼𝐷𝑆 = 𝐾𝑛 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 1 + 𝜆𝐷𝑆 , 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇

modulação de canal através da expressão. 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ⟺ 1,61 < 1,85 − 1,59 ⟺
1
𝜆= − 𝐴, em que A é o valor em x da
⟺ 1,61 ≥ 1,85 − 1,59 ⟺
intersecção do prolongamento da
regressão linear, tal como o calculo da 1,61 ≥ 0,26
tensão de Erly no caso do Transístor
Utilizamos no gráfico de curvas de entrada,
Bipolar.
a recta para 𝑉𝐺𝑆 = 1,85𝑉, em seguida
toma-se os valores de 𝑉𝐷𝑆 e de 𝐼𝐷𝑆 para
quaisquer valores na zona de saturação.
-3
3,0x10 Os valores seleccionados foram:
-3
2,5x10

-3
2,0x10
-3
3,0x10 𝑉𝐺𝑆 = 1,85
IDS(mA)

-3
1,5x10
-3
2,5x10
-3
1,0x10
-3
2,0x10
-4
5,0x10
IDS(mA)

-3
1,5x10
0,0
-3
1,0x10 𝑉𝐺𝑆 = 1,75
0 1 2 3 4 5
VDS(V) -4
5,0x10

Devido ao erro associado quando são 0,0

analisados valores de 𝑉𝐷𝑆 e 𝐼𝐷𝑆 para 0 1 2 3 4 5

VDS(V)
valores de 𝑉𝐺𝑆 baixos com vista à obtenção
deste parâmetro, foi estudado apenas o A
para o conjunto de valores (𝑉𝐷𝑆 ,𝐼𝐷𝑆 ) para o
𝑉𝐺𝑆 pois o segundo valor formou uma 𝐼𝐷𝑆 = 0,0029477827 𝑚𝐴 ≃ 0,0029 mA
curva com um patamar de saturação
𝑉𝐷𝑆 = 1,6087625 𝑉
bastante mais baixo. Após a análise de um
valor A para este caso, verificou-se a Aplicando a fórmula:
grande distância já esperada pelo que não
fazia sentido fazer média. 𝐾𝑛 = 4,26 × 10−5 𝐴/𝑉 2

Então a equação da regressão efectuada é

𝑦 = 1,43168 × 10−5 𝑥 + 0,00292 ⟺

⇔ 𝑦 = 0 ⟺ 𝑉𝐷𝑆 = −203,96𝑉 = 𝐴

Estamos agora em condições de

determinar 𝜆.

1
𝜆=− ⟺ 𝜆 = 4,90 × 10−3 𝑉 −1
𝐴

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 Calcular Mobilidade 𝝁𝑭𝑬

Expressão

𝜀𝜀0 𝑊
𝐾𝑛 = 𝜇𝐹𝐸
𝑑𝑜𝑥 2𝐿

Em que:

 𝐿 (𝐿𝑎𝑟𝑔𝑢𝑟𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑛𝑎𝑙) = 500 𝜇𝑚

 𝑊 (𝐿𝑎𝑟𝑔𝑢𝑟𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑎𝑛𝑎𝑙) =
3300 𝜇𝑚
 𝑑𝑜𝑥 (𝐸𝑠𝑝𝑒𝑠𝑠𝑢𝑟𝑎 𝑑𝑜 𝑑𝑖𝑒𝑙é𝑐𝑡𝑟𝑖𝑐𝑜) =
2500 Å
 ℇ = 3,9
 ℇ0 = 8,85 × 10−14 𝐹/𝑐𝑚
 𝐾𝑛 = 4,26 × 10−5 𝐴/𝑉 2

𝜇𝐹𝐸 = 2,71 × 10−5 𝑚2 /(𝑉. 𝑠)

Artigo realizado com base no protocolo do trabalho prático nº 3 de Materiais Semicondutores.

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