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Aulas
MOSFET

ANÁLISE E FUNCIONAMENTO

Celso de Castro Muniz

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ANÁLISE E FUNCIONAMENTO

Celso de Castro Muniz

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 2019 Annual Report  02

efeitos de tempo de
Introduçaõ armazenamento e também fuga
térmica.

Os MOSFETs de alta tensão que Os BJT por trabalharem como

estão disponíveis hoje são corrente, torna um componente de
transistores de N-canal,  de modo baixa impedância de entrada e isso
que com aprimoramento. torna uma desvantagem em
relação ao MOSFET, pois trabalham
Os transistores FET ou MOSFET, eles apenas por tensão sendo assim, sua
realizam a mesma função que os impedância de entrada muito alta.
NPN, transistores de junção bipolar,
BJT. Nesse material vamos abordar o
que de ato é importante
Os MOSFET são controlados por entendemos nos MOSFETs, tendo
tensão, e os BJT são dispositivos em vista que são de grandes
bipolares controlados por corrente. aplicações hoje em dispositivos de
potência.
Hoje os MOSFETs são muito
aplicados sem contar que tem Em desenvolvimento ou
 muitas vantagens com relação ao manutenção é necessário
BJT, sua alta impedância de entendermos de polarização , gate
entrada, e ao fato de que, sendo um diriver e perdas por comutação
dispositivo majoritário, não sofrer 

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 CHAPTER 1 | COMO FUNCIONA O MOSFET
Análise
Uma compreensão do
funcionamento dos MOSFETs pode
ser mais bem entendida
considerando primeiro o MOSFET
na Figura 1.
Sem polarização elétrica aplicada
ao gate G, nenhuma corrente pode
fluir em qualquer direção sob o
portão, porque há
sempre será uma junção PN de
bloqueio
Quando o portão está polarização
direta em relação à fonte S, como
mostrado na Figura 2
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Uma das vantagens do MOSFET é
exatamente essa que aplicamos
entre gate G e source S uma
tensão sem se preocuparmos com
a corrente, sendo que no BJT a
corrente é a variavel de controle
de polarização,
O MOSFET de canal N, satura com
tensão positiva entre gate G e
source S , ou seja, com a tensão de
gate G maior que a tensão de
source S, e esse valor depende da
VGS mínima do transistor
Mosfet com canal N
satura com tensão de
Gate maior que Source.
Canal P satura com
tensão de zero Volts de
Gate.
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 CHAPTER 1 | COMO FUNCIONA O MOSFET
Vantagens e Devantagens de
Aplicação com MOSFET
Vantagens
1- Requisito de tensão
e potencia de Gate G é baixa. Não
exige corrente de Gate após as
capacitâncias de CGS serem
carregadas, ou seja, nos
transistores BJT a corrente de
base constante e se multiplicada
pelo VBE temos uma dissipação
constante de base e emissor,
nota-se que isso não ocorre nos
MOSFETs.
2- velocidade de comutação
Velocidade de comutação é
rápida porque os elétrons podem
começar a fluir do dreno para a
fonte assim que o canal abrir. A
profundidade do canal é
proporcional à tensão do Gate  e
o fechamento do canal ocorre
assim que desligar a tensão de
Gate, nos MOSFTs não temos os
problemas de tempo e
estocagem que existe no BJT, e
esse tempo atrasa os tempos de
comutação do transistor,
aumentando também suas
perdas. Como o canal se desliga
rapidamente sem questões de
estocagem, por isso os tempos de
comutação são mais rápidos do
que nos BJT
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potencia de Gate G é baixa. Não
exige corrente de Gate após as
capacitâncias de CGS serem
carregadas, ou seja, nos transistores
BJT a corrente de base constante e
se multiplicada pelo VBE temos uma
dissipação constante de base e
emissor, nota-se que isso não ocorre
nos MOSFETs.
Desvantagens
1- Canal de alta resistencia RDS
Em operação normal, a fonte é
eletricamente conectada ao
substrato. O canal comprimento L
não pode ser menor que a largura
mínima de depleção necessária
para suportar a tensão nominal do
dispositivo. Nota-se que por causa
da construção do canal  e sua
estrutura, essas características de
construção leva o canal a ter uma
alta resistência e isso é notado
quando olhamos para a RD,
resistência de Dreno. No entanto se
considerarmos que , nota-se que
quanto maior for a corrente de
Dreno mais será sua perda por causa
da Resistência de Dreno. Esse
problema não encontra se nos BJT e
nem nos IGBT.
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 CHAPTER 1 | COMO FUNCIONA O MOSFET

2- Aumento de Capacitâncias de CGS   

A resistência do canal pode ser diminuída pela criação de canais, mas isso
é caro, uma vez que se usa silício de valores agregados.  Esse problema do
canal também diminui a velocidade de comutação do dispositivo
aumentando sua capacitância de porta CGS, e com o aumento da
capacitância de Gate para Source, resulta que no aumento da comutação
 a  corrente de polarização do Gate em função da QGS, (cargas de Gate
Source) ela será alta.

Estrutura de um DMOS

Acima temos a comparação com DMOS para alta tensão e todas as

tratativas do canal para diminuir a RDS, CGS, QGS, pois todas essas
variáveis são prejudiciais e quanto menores elas forem melhores serão
as perdas por comutação e também as perdas em on devido menores
valores de RD.

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 CHAPTER 1 | COMO FUNCIONA O MOSFET

Capacitâncias

Capacitâncias Capacitâncias Ciss e Coss

A Figura abaixo ilustra um modelo Ciss

simplificado para as capacitâncias
parasitas de um MOSFET de
potência e a tensão de comutação
com formas de onda para uma
carga resistiva.
Essas são duas capacitâncias que
merecem toda atenção , Ciss é a
capacitância de entrada.
A Ciss é a soma das capacitâncias
de Ciss= Cgd+Cgs, ou seja, é a soma
das duas capacitâncias de entrada
do MOSFTET.

Essa capacitância encontramos ela
nos datasheet de cada MOSFET, ela
tem variação de acordo com os
valores de VDS.

A Ciss quase não varia com relação

Capacitâncias CGS
a valores de temperaturas, sendo
assim como a comutação esta
Essa capacitância de gate e Source
diretamente ligada a Ciss podemos
deve ser muito bem observada pois
dizer então que as perdas por
ela define os valor de corrente de
comutação não são afetadas pela
de gate durante o período de
temperatura
comutação. Valores maiores dessas
capacitâncias exigem correntes
também maiores para garantir
rapidas comutações . Os valores de
Resistores de Gate em funçao de
tempos de comutação mais rápidos
ou mais lentos depende dessa
capacitancia na hora de fazer seus
cálculos.

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 CHAPTER 1 | COMO FUNCIONA O MOSFET

Capacitâncias
Capacitâncias Capacitâncias Coss
Coss
Essa capacitância seu valor
A capacitância Coss é de saída, ela influencia muito em acionamentos
é a resultante de otras duas idutivos e no momento que o
capacitências que no caso são: MOSFET se encontra cortado.
Coss= Cgd + Cds.
Quando o MOSFET corta teremos  a
Coss em série com indutor e nesse
caso formam frequências de
ressonâncias em muitos casos
valores altos de tensão que podem
danificar o próprio transistor.

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 Cálculo de perdas por
condução
EXEMPLO DE APLICAÇÃO
Temos uma carga resistiva de 40 R, e 1KW, a frequência de
PWM aplicada no MOSFET é de 40KHZ, com largura de
pulso com D= 0,5 , a temperatura ambiente é inicial a
25°C depois de passado 15 minutos atinge 40°C.

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MOSFET // AGOSTO 2019

Equações

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