MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO

UNIVERSIDADE FEDERAL DE GOIÁS

ESCOLA DE ENGENHARIA ELÉTRICA, MECÂNICA E DE COMPUTAÇÃO

Curso: ENGENHARIA ELÉTRICA

Disciplina : ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

NOTAS DE AULA

Prof. Dr. Antonio Melo de Oliveira

Goiânia 04 de março de 2020

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DIODO DE POTÊNCIA

1.1 DEFINIÇÃO

O diodo de Potência é um dispositivo de junção PN de dois terminais. Esta junção

é normalmente formada por fusão, difusão e crescimento epitaxial

1.1.2 SÍMBOLO
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1.2 Funções do Diodo de Potência

O diodo age como uma chave para realizar várias funções, tais como:

 Chaves em Retificadores;
 Comutação em Reguladores Chaveados;
 Inversão de carga em capacitores;
 Transferência de energia entre componentes;
 Isolação de tensão;
 Realimentação de energia da carga para a fonte de alimentação;
 Recuperação de Energia armazenada;

1.3 Curva Característica

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1.4 Principais parâmetros do diodo

DC diodo parameters. The most important parameters are the followings:

• Forward voltage, VF is the voltage drop of a diode across A and K at a defined

current level when it is forward biased.

• Breakdown voltage, VB is the voltage drop across the diode at a defined current
level when it is beyond reverse biased level. This is popularly known as avalanche.

• Reverse current IR is the current at a particular voltage, which is below the

breakdown voltage.

AC diode parameters. The commonly used parameters are the followings:

• Forward recovery time, tFR is the time required for the diode voltage to drop to a
particular value after the forward current starts to flow.

• Reverse recovery time trr is the time interval between the application of reverse
voltage and the reverse current dropped to a particular value.
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1.5 Equação do Diodo

Equação do diodo Schockley

VD

I I (e
D S
nVT
 1)
 ID = corrente através do diodo, em A;
 VD = tensão do diodo;
 Is = corrente de fuga (ou de saturação reversa) da ordem de 10-6 a10-15 A;
 n = constante empírica conhecida como coeficiente de emissão ou fator de
idealidade, cujo valor vária de 1 a 2;
 VT = tensão térmica (thermal voltage);

1.5.1 Entendendo a tensão térmica

kT
VT 
q
 VT = tensão térmica (thermal voltage);
 q = carga do elétron: 1,6022 x 10-19 coulomb (C);
 T = temperatura absoluta em kelvin (K = 273 + oC)
 k = constante de Boltzmann: 1,3806 x 10-23 J/K

Por exemplo, a 25 0C a tensão térmica, VT será de:

kT 1,3806 x 1023 x ( 273  25 )

VT   19
 25,8 mV
q 1,6022 x 10
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1.5.2 Região de polarização direta

Considere os seguintes valores para a equação do diodo:

VD = 0,1 V ; n=1 e VT =25,8 mV

 100, 0258
,1


D  S e  1
 
 

 D   S 48,23  1

VD

D  S  e nVT

1.5.3 Região de polarização reversa

  VD 
ΙD 
 ΙS e nVT
 1 ΙS
 
 
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1.5.4 Região de ruptura reversa

A partir do instante em que a tensão reversa aplica entre os terminais de

ânodo e cátodo do diodo ultrapassa o valor da tensão de ruptura reversa
(breakdown voltage - VBR). A corrente reversa aumenta rapidamente para uma
pequena variação na tensão reversa superior a VBR;
A operação dentro da região de ruptura reversa não será destrutiva se a
dissipação de potência estiver dentro de um nível seguro.
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1.6 Modelos de circuito do diodo

Resistência CC ou estática:

Resistência CA média
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1.6.1 Modelo ideal do diodo

1.6.2 Modelo simplificado do diodo

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1.6.3 Modelo linear por partes

1.7 Curvas características da recuperação reversa

−A corrente na junção diretamente polarizada do diodo deve-se ao efeito dos

portadores majoritários e minoritários.
−Com a redução desta corrente a zero, o diodo continua conduzindo devido
aos portadores minoritários que continuam armazenados na junção PN e no
material semicondutor propriamente dito.
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−Os portadores minoritários requerem um certo tempo para se re-combinar com

as cargas opostas e ser neutralizados. Esse tempo é chamado tempo de
recuperação reversa (reverse recovery time) trr.

Recuperação suave Recuperação abrupta

−trr é medido a partir do cruzamento por zero da corrente do diodo até 25 % da

corrente reversa máxima (ou de pico) IRR.
−ta deve-se ao armazenamento de cargas na região de depleção da junção. tb
deve-se ao armazenamento de cargas no material semi-condutor. A relação
ta/tb é conhecida como fator de suavidade (softness factor - SF). trr = ta + tb

di
I RR  ta
dt
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A carga de recuperação reversa Qrr é a quantidade de portadores de

cargas que fluem através do diodo no sentido reverso devido à mudança na
condição de condução direta para bloqueio reverso. Seu valor é determinado a
partir da área abrangida pelo caminho de corrente de recuperação reverso.

1 1
QRR  I RR ta  I RR tb
2 2

1
QRR  I RR trr
2

2 QRR 2 QRR
t rr t a  I RR 
di
dt t rr

2 QRR
trr 
di di
dt I RR  2 QRR
dt
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Exercício 01

O tempo de recuperação reversa de um diodo e de trr= 3 us e a taxa de

decaimento da corrente do diodo é de di/dt =30 A/us.
a) determine a carga armazenada Qrr e
b) A corrente reversa de pico IRR.

1.8 Efeito dos tempos de recuperação direto e reverso

Simulação do circuito abaixo usando o Pspice ilustra o efeito dos tempos de

recuperação direto e reverso.
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20A

0A

-20A

I(D1)

20A

0A

SEL>>
-30A
8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
I(Dm)
Time

1.0KA
(12.001m,570.486)

0A
(12.001m,-566.265)

SEL>>
-1.0KA
I(D1)
1.0KA
(12.001m,573.333)

0A

(12.001m,-563.453)
-1.0KA
12.0000ms 12.0004ms 12.0008ms 12.0012ms 12.0016ms 12.0020ms
I(Dm)
Time
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Quando a chave U2 é fechada a tensão da fonte aparece sobre a

indutância LS, visto que o diodo Dm está conduzindo a corrente da carga e
comporta-se como um curto-cirtuito para a fonte Vs.

VS di
VL  VS  L S
di 
dt L S dt

Se trr é o tempo de recuperação reversa de Dm, a corrente reversa de pico

pode ser limitada.

di vS
rr  t rr  t rr 
dt Ls
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A figura abaixo mostra o efeito da indutância colocada em série com o diodo D 1.

40A

0A

-40A
I(D1)
40A

0A

SEL>>
-40A
8ms 10ms 12ms 14ms 16ms 18ms 20ms
I(Dm)
Time

40A

0A

-40A
I(D1)
40A

0A

SEL>>
-40A
11.95ms 11.96ms 11.97ms 11.98ms 11.99ms 12.00ms 12.01ms 12.02ms 12.03ms 12.04ms 12.05ms
I(Dm)
Time
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1.9 Modelamento em spice de diodos

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1.9.1 Parâmetros do diodo no spice

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1.10 Modelo do diodo como chave

Tabela 01. Quadro resumo de operação do diodo

Estado
da chave Chave ideal Diodo

Ia Ia = 0 Ia = Is

Va Vb Vab = ∞ Vab = VRRM

∆P = 0 ∆P ≠ 0

Ia Ia = ∞ Ia = IAV

Va Vb Vab = 0 Vab = VD

∆P = 0 ∆P ≠ 0

Tempo de operação
∆t = 0 ∆t≠ 0

Idéias Compreender