Margarida Tavares Versao1

UNIVERSIDADE DE LISBOA
FACULADADE DE CIÊNCIAS
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA GEOGRÁFICA, GEOFÍSICA E ENERGIA
Estudo de técnicas de preparação de condutores seletivos para

células solares de muito alta eficiência usando finas camadas
dopadas
Margarida Tavares Santos
Mestrado Integrado em Engenharia da Energia e do Ambiente

Avaliação Intermédia de Dissertações de Mestrado
Dissertação orientada por:

Professor Doutor João Manuel de Almeida Serra
2019
Estudo de técnicas de preparação de condutores seletivos para células solares de muito alta eficiência usando
finas camadas dopadas
Motivação
Com o avançar da automatização, as necessidades energéticas aumentam, tornando-se uma

preocupação a nível governamental no sentido de arranjar uma resposta a estas mesmas necessidades.
Nesse sentido, tem-se assistido a um aumento consecutivo da potência instalada, resultando num
aumento da taxa de crescimento anual de instalações fotovoltaicas em 24% entre os anos de 2010 e
2017 [1].
Nos últimos anos, a União Europeia, no sentido de reduzir o impacto ambiental negativo associado à
obtenção de energia através de combustíveis fósseis, decide aumentar a produção de energia elétrica a
partir de fontes de energia renováveis (FER). Isto deve-se ao facto de os combustíveis fósseis serem
limitados, uma das principais fontes de poluição ambiental e à independência energética a nível
geopolítico que esta opção poderá trazer à União Europeia relativamente às restantes potências.
Segundo a Associação de Energias Renováveis, prevê-se até 2030, um duplicar da potência instalada
proveniente de FER’s, traduzindo-se num crescimento médio anual de 4,1%.
Em Portugal, existe um grande investimento em FER como a Eólica e Solar, uma vez que são as que
representam um maior potencial energético e o país possui um posicionamento estratégico vantajoso
para este tipo de FER.
Existem variados tipos de tecnologia capazes de converter energia solar em elétrica, como por
exemplo a solar térmica e a solar fotovoltaica. Este trabalho terá como foco central o estudo de
sistemas fotovoltaicos, mais propriamente, células fotovoltaicas. A tecnologia fotovoltaica, converte
energia solar em elétrica através do efeito fotoelétrico.
Com o avançar da tecnologia e o agravar da crise económica, torna-se necessária uma maximização
dos retornos energéticos e financeiros, de modo a alcançar esta maximização é imperativo a realização
de uma caracterização do painel fotovoltaico. Esta caracterização elabora-se através de várias técnicas
de análise como a medida da curva corrente-tensão (I-V), fotoluminiscência (PL),
electroluminiscência (EL), fotoluminescência (PL) e termografia.
Objetivos
O objetivo desta dissertação assenta no estudo de técnicas de preparação de condutores seletivos para
células solares de muito alta eficiência usando finas camadas dopadas.
Estado de Arte
Absorção de radiação
Efeito Fotovoltaico
No momento em que uma fonte de luz incide no material semicondutor do qual a

célula é composta, os fotões colidem com os eletrões e, caso a energia que estes
transportam seja superior ao hiato (Eg) do semicondutor, os eletrões fixos convertem-se em
eletrões de condução em movimento. Este processo cria um buraco com carga positiva e um
eletrão de carga negativa. Caso ocorra uma diferença de potencial provocada por uma carga
à superfície ou uma junção p-n, é produzida corrente elétrica.
2
Ana Margarida Figueiredo Tavares
Eficiência de conversão
Mostrar que parte do espectro é absorvida
De forma a entender a variação da eficiência numa célula solar, torna-se necessário abordar outras
componentes da mesma, nomeadamente o Fator Forma (FF).
Entende-se por Fator Forma (FF) a razão entre a potência máxima e o produto entre a corrente de
curto-circuito e a tensão de circuito aberto:
FF= (Vm*Im)/(Voc*Isc)
A eficiência de uma célula solar é representada através da seguinte equação:
n=Pmax/Pinc=(FF*Voc*Isc)/Pin
Através da expressão anterior admite-se que uma célula solar eficiente terá uma corrente de curto-
circuito elevada, assim como uma tensão de circuito aberto elevada e um fator forma o mais
aproximado de 1 possível. Apenas fotões com hv>Eg (comprimento de onda superior ao bandgap)
conseguem criar pares eletrão-buraco e contribuir para a potência que sai da célula solar. O bandgap
determina o quão a célula solar está ligada ao espectro solar.
Para um espectro global AM1.5, através do gráfico entende-se uma eficiência máxima de 48% para
Eg=1.1 eV, próximo do bandgap do silício. Estes resultados assumem uma Voc=(1/q)*Eg e FF=1,
valores bastante exagerados e irreais, assume-se também uma trapping de luz perfeito, pelo que
Isc=Iinc (corrente de cc é igual à corrente que incide).
A eficiência é dependente da recombinação e irá ser tanto maior quanto o 𝝉->00 e S->0
(Isc=ղint*Igen).
Entende-se assim que para se obterem valores de eficiência elevados é necessário uma:
- Seleção de um material semicondutor com um band gap que combine de forma correcta
com o espectro solar, de forma a aumentar o rendimento ideal ( ղideal).
- Minimização das perdas óticas como sombreamento, reflectância, e absorção nos
componentes óticos, assim como o aumento da espessura ótica de modo a maximizar a
ղfotão.
3
- Minimização das resistências em série e shunt para aumentar o Fator Forma (FF)
- Minimização da taxa de recombinação em bulk e à superficie, maximizando a eficiência de
voltagem (ղv) e a tensão de circuito aberto (Voc). Esta diminuição irá também aumentar a
eficiência interna (ղint) e a corrente de curto circuito (Isc). Sabe-se que para o silício o valor
de ղv= 0.643.Isto assume-se através da seguinte epxressão:
ղv=Voc /((1/q)∗Eg)
Pretende-se uma voltagem de circuito aberto (Voc) próxima do bandgap, sendo este um dos maiores
desafios relativamente ao desenvolvimento de células solares da próxima geração. Em circuito
aberto, dado que não há fluxo de transportadores para fora dos dispositivos, todos os pares eletrão-
buraco têm de de se recombinar. É esta taxa de recombinação e a corrente de saturação inversa que
restringem a tensão de circuito aberto (Voc), que é proporcional à corrente de curto circuito (Isc) e
recíproca à corrente de saturação inversa.
Recombinação
No momento em que ocorre uma criação “em excesso” de portadores de carga

num semicondutor através de incidência de uma fonte de luz ou injeção de corrente,
este deixa o seu estado de equilíbrio térmico. Esse excesso terá de ser destruído, de
forma a voltar a atingir o estado de equilibro, depois da fonte ser “desligada”. [4 na
minha tese antiga] A este processo, no qual um eletrão cai da banda de condução para
a banda de valência denomina-se processo de recombinação.
Existem três tipos de recombinação divididos em duas formas: recombinação em bulk
(volume) e à superfície. A recombinação em bulk compreende três mecanismos:
Recbominação Radiativa, Recombinação de Auger e Recombinação via defect-levels
(Shockley-Read-Hall).
O processo de Recombinação Shockley-Read-Hall (SRH) comum em semicondutores
com defeitos ou impurezas, no qual tempo de vida dos semicondutores é determinado através
da presença de impurezas ou defeitos na rede cristalina [5 na minha tese antiga].
A recombinação radiativa, comumente denominada banda-a-banda, é um processo no qual a

energia de um eletrão é dada a um fotão emitido (como acontece nos diodos de emissão, os LEDs)
com energia aproximada à do bandgap. Sendo assim, este processo é mais eficiente em
semicondutores de bandgap direto que com bandgap indireto. Este processo é inverso ao de
absorção, sendo que a energia de recombinação é proporcional à de hiato. Esta taxa de
recombinação é dada por:
Por fim, a recombinação de Auger consiste num processo muito semelhante à recombinação
radiativa, com a excepção de que a transição de energia é dada a outro transportador. O eletrão (ou
buraco) “relaxa” termicamente, libertando a energia em excesso. Este processo é o inverso do
processo de ionização por impacto, onde um eletrão energético colide com um átomo da estrutura
cristalina, quebrando a ligação e criando um par eletrão-buraco[6 na minha tese antiga]. A
recombinação de Auger, uma vez que é dependente das concentração de eletrões e buracos, traduz-
se na seguinte expressão: [LIVRO BRANCO, pag 96].
Por outro lado, quanto maior a taxa de recombinação, menor o tempo de vida, sendo assim,
menor a eficiência. Uma vez que a principal limitação das células solares actualmente são as perdas
por recombinação, um requisito para o aumento das eficiências das mesmas seria a diminuição da taxa
de recombinação.
4
Reforçar que a principal limitação das células hoje em dia são as perdas por recombinação e que
para aumentar a eficiência é necessário diminuir a recombinação
Resposta espectral
A resposta espectral interna dá a indicação de quais fontes de recombinação estão a afectar o

desempenho da célula solar. A resposta de comprimento de onda curto melhora bastante quando a
superfície frontal é passivada, uma vez que o coeficiente de absorção é mais alto para fotões com
comprimentos de onda curtos (alta energia). Inversamente, remover a difusão dos transportadores
minoritários na banda de tipo-p , aumenta a probabilidade de que eletrões criados nas profundezas
da região-p da célula solar (aqueles criados por comprimentos de onda longos, fotões de baixa
energia) recombinam-se no contato traseiro e, portanto, a resposta no comprimento de onda longo
será bastante reduzida. Uma vez que a resposta espectral representa a relação entre a fotocorrente
gerada e a potência incidente na célula solar, no momento em que a resposta espectral reduz, reduz-
se também a eficiência da célula solar.
Estrutura da célula Solar
De forma a entender o funcionamento de uma célula solar é necessário entender a estrutura da

mesma.
5
A célula solar é composta por diferentes camadas de materiais semicondutores: uma camada tipo-p
e uma camada tipo-n. No momento em que estas camadas entram em contacto à temperatura
ambiente, cria-se uma junção p-n, ou seja, a difusão de portadores de carga na zona de junção.
Entende-se por isto que os eletrões da camada de tipo-n ocupam os buracos livres da camada tipo-p,
dando origem a um campo elétrico na zona de junção. Esta zona de junção assume as características
de um díodo semicondutor.
Este processo torna-se possível devido a uma rede metálica que forma um dos contatos elétricos do
díodo que permite à luz atingir o semicondutor entre as linhas da rede e ser absorvida e
posteriormente convertido em energia elétrica. O contacto elétrico do diodo forma-se também
através de uma camada metálica na parte traseira da célula solar.
Figura 1:Fazer isto em PT
Modelo elétrico de uma célula fotovoltaica (Não sei se será necessário colocar)
6
A imagem acima representa o Modelo de dois diodos
R- Resistencia de Carga
V- tensão nos terminais da Célula If- fotocorrente I- corrente gerada pela célila ID- corrente do
díodo
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Under a defined illumination, the solar cell parameters JSC, VOC, the fillfactor FF (the ratio between
the maximum power and the JSC¥VOC product) and the conversionefficiency h can be found. Under
favourable conditions, the J-V behaviour of a solar cell can bedescribed by an equivalent circuit
model as shown in Figure 2-5. It represents the superposition ofthe collected photo-current and the
injected current due to the voltage VJ at the p-n junction as aconstant current source in parallel to an
ideal diode. A shunt resistance RSH describes parasiticleakage currents that are proportional to the
voltage. A series resistance RS lumps together thecontributions of joule heat losses.
A Rs representa a resistência em série que compreende as seguintes componentes:
- uma metal semicondutor com resistência de contacto

- resistência ohmica nos contactos de metal e no material semicondutor
A resistência em paralelo, Rp, provoca um decremento do FF e por consequente, a tensão em aberto

do circuito também diminui, por outro lado, a Isc, não é afectada por esta resistência. Em baixo é
demonstrada a influência das resistências em paralelo e em shunt nas células solares: [pag 97 livro
amarelo]
8
Caracterização da Célula Solar

Curva I-V
Resposta Espectral e eficiência
Perdas nas células Solares

O essencial para o alcance de altas eficiências é a redução das perdas. Existem dois tipos de perdas:
ópticas e elétricas. As perdas ópticas reduzem o nível de radiação solar através da reflexão e
sombreamento da luz, assim como uma absorção inadequada do comprimento de onda da radiação,
por outro lado, as perdas elétricas têm efeito na corrente e na voltagem da célula. Existem também
perdas associadas às propriedade físicas do semicondutor.
Óticas
As perdas óticas compreendem três tipos de mecanismos, perdas por: reflexão, sombreamento e por
radiação não absorvida. Estes mecanismos reflectem-se em perdas nas células solares, na medida em
que:
- A superfície de silicio reflete cerca de 35% a 50% da luz, dependendo do comprimento de
onde;
- A estrutura em ”grade” da célula solar sombreia 3% a 12% da luz, dependendo do
comprimento de onda;
9
- Absorção no silicio e muito baixa para comprimentos de onda muito longos, isto é, perto da
banda da banda. Esta luz é absorvida nos contactos parte traseira sem qualquer efeito
fotovoltaico.
Elétricas
As perdas elétricas compreendem as perdas ohmicas e por recombinação. Este estudo irá focar-se
maioritariamente nas perdas por recombinação.
Por recombinação
Realçar que me vou concentrar nas perdas por recombinação
Perdas por recombinação na base (gráficos):
A imagem acima representa a corrente de curto-circuito em função do comprimento de difusão, na

base, com velocidade de recombinação de superfície, superfície traseira da célula solar sendo um
parâmetro.
Através da imagem anterior assume-se que:
- Para fotocorrentes altas, a taxa de recombinação à superficie, Sn, tem de ser menor que 100
cm/s.
- Se o comprimento de difusão, Ln, for menor que a espessura do cristal, a corrente de curto
circuito, Isc, embora reduzida, será maioritariamente independente da velocidade de
recombinação à superfície
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Perdas por recombinação na superfície traseira

Uma vez que a parte traseira de uma célula solar é revestida por metal, assume-se que
nesta zona há uma velocidade de recombinação elevada. Uma forma de evitar este problema seria a
ciração de camadas dopadas (p+) na zona traseira, uma vez que a junção p+-p (high-low-junction) é
também conhecida como “back surface field” (BSF).
Devido ao campo elétrico criado, menos quantidade de portadores de carga minoritários
criados na base se poderão recombinar na parte traseira. Sendo assim, a BSF funciona como um
“espelho elétrico” mandando de volta os transportadores de carga para dentro da célula. O
comportamento do BSF depende de vários fatores:
- Concentração à superfície de dopante tipo-p+
- Recombinação na camada tipo-p+
- Densidade de transportadores de carga na junção, isto é, a relação entre comprimento de
difusão e espessura do cristal
Esta BSF é então baseada numa dopagem de tipo-p na base, aumentando a junção p-n para a
superficie traseira. Este método comparativamente à dopagem homogénea da base, permite
reduzir a corrente de saturação em cerca de 20%.
Existem outras formas de reduzir a velocidade de recombinação à superfície dos eletrões (Sn),
como um revestimento da superfície traseira com um filme de SiO2 (gerado termicamente),
passivando-a eletricamente.
(desenho da estrutura de uma cel de alta eficiência com uma BSF local:
11
Para um bom contato ohmico é requerida também uma camada altamente dopada de tipo-p por
baixo do contacto que funcionará como uma BSF local, tal como observado na imagem acima
[]. Este processo permite uma taxa de recombinação à superfície razoável.
Relativamente às perdas ohmicas, no presente estudo, irão apenas ser analisadas as perdas
ohmicas relacionadas com os contactos de metal.
Medida dos Tempos de Vida
Tempos de vida
Passivação das superfícies para reduzir recombinação

Existem vários processos:
- Processo de difusão
Após o corte e medição dos tempos de vida das amostras, estas foram
sujeitas a banhos de limpeza em CP4 e HF 5%. Estes banhos têm como
propósito a limpeza da superfície da amostra.
De seguida mergulharam-se as amostras num banho maria de CP4 com gelo,

de modo a polir as mesmas. Esta solução consiste numa mistura de 68,2% de
ácido nítrico (HNO3), 22,7% de ácido acético (CH3COOH) e 9.1% de ácido
fluorídrico (HF), numa proporção de (15:5:2). Este processo irá provocar uma
alteração da espessura das amostras. Recorre-se à utilização de gelo uma vez
que a reação é exotérmica, ou seja, provoca um aumento da temperatura, o
que conduz a uma degradação da amostra.
- Oxidação Química (Neste trabalho abordamos apenas a oxidação química)
- Oxidação Térmica
WCT-120: descrição do processo usado
De modo a determinar as curvas da tansão em aberto (Voc) e Suns-Voc em função do tempo e

determinar os tempos de vida dos transportadores minoritários associados às amostras, é utilizado um
equipamento denominado de WCT-120: Sinton Instruments. Este equipamento fornece informações
relativas ao desempenho das amostras, excluindo o impacto das resistências em série, uma vez que as
medidas são efectuadas em circuito aberto. [Standard Operating Procedure Sinton WCT 120
Photo-conductance Lifetime tester & Suns-V OC Stage
(mendeley)]
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Como referido anteriormente, este método fornece informações relativamente aos tempos de vida,
tendo como por base um flash de luz (pulso) ao qual a amostra é exposta funcionando como uma
simulação da exposição da amostra a uma fonte de luz. No momento da medição o flash do
instrumento foi alterado para o modo Quasi-Steady-State (QSS), uma vez que este será o método
utilizado para a medição dos tempos de vida. Esta técnica de fotocondutância em estado quase
estacionário (QSSPC), permite a obtenção de um espectro do tempo de vida numa faixa de injeção
ampla. Este processo é importante para determinar como se implementarão os contatos em ambos os
lados da junção. [12 na minha tese antiga]
Exemplo e análise de uma amostra bem passivada
Resultados: Componente experimental

Metodologia
A metodologia adotada encontra-se seguidamente enumerada:
1. Corte das amostras;
2. Banhos de CP4 e medição do peso e espessura das amostras;
3. Banhos de RCA1, HF e RCA2;
4. Determinação dos tempos de vida através do WCT-120 e análise dos
mesmos
5. Oxidações químicas (uma delas com Iodo)
6. Banhos com RCA1, HF e RCA2 novamente
7. Medição dos tempos de vida e comparação com os valores
anteriormente obtidos
8. Evaporação de químicos para passivação das amostras
No segundo ponto, irá proceder-se aos banhos com CP4 de modo a polir a superfície
das amostras, uma vez que o corte das mesmas poderá ter danificado a superfície, uma vez que este
banho poderá reduzir a espessura das amostras, esta foi medida assim como o seu peso. Após as
medições e polimento da superfície das amostras, procede-se aos banhos destas em RCA1, HF e
RCA2, pela ordem numerada. Estes banhos têm como por objectivo remover os óxidos metálicos e
orgânicos à superfície das amostras, limpando-as. De seguida, no quarto ponto, recorre-se ao sistema
simulador WCT-120, de modo a obter os tempos de vida que servirão como valor de referência. O
WCT-120 é utilizado em modo QSS, Quasi Steady State ou método quase estacionário, este método
utiliza pulsos de luz com decaimento lento.
De seguida, as amostras irão sofrer um processo de oxidação química (…)
Após a oxidação química proceder-se-á novamente aos banhos de RCA1, HF e RCA2, de modo
remover novamente óxidos à superfície das amostras que se poderão ter formado devido à oxidação
química. Após os banhos, procede-se à medição dos tempos de vida novamente, de forma a analisar
possíveis melhoramentos após a oxidação química.
Métodos de preparação de amostras de Silício
Nos processos de fabricação de células solares realizam-se banhos químicos.

O processo de limpeza e preparação de amostras de silício envolve diferentes técnicas.
A preparação das amostras envolve um polimento com CP4, de modo a polir
quaisquer danos formados na amostra devido ao corte a laser que aumentará as
chances de microfissuras na amostra. O composto CP4 é um polish químico com o
objetivo de remover os danos causados pelo corte a laser na amostra, preparando-a,
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uma vez que o corte pode provocar microcracks à superfície ou fissuras. O objetivo
deste método é alcançar um aumento da homogeneidade e uniformização da
superfície texturizada da amostra de silício. Este processo é efetuado à temperatura
ambiente e provoca um ataque isotrópico, permitindo o aumento do gattering
químico.
Equação química do CP4: proporções e compostos usados assim como o tempo
Após o polimento com CP4, procedeu-se a uma limpeza de RCA1 e RCA2

com ácido fluorídrico (HF) entre eles. Estes banhos servem como preparação da
célula, uma vez que funcionam como uma limpeza química superficial antes de
sujeitar as amostras a processos a altas temperaturas. Estes processos servem para
aumento do gattering químico, ou seja, aumento dos tempos de vida dos portadores
minoritários, o que leva a um aumento da eficiência da amostra. O HF utiliza-se entre
os banhos de RCA1 e RCA2 para remover o óxido à superfície e limpar a amostra.
Este ácido faz com que a amostra se torne hidrofóbica, o que faz com que aumente a
adesão de partículas à superfície exposta. Os RCA1 e RCA2 servem para limpar a
superfície das amostras para elas passarem pelo processo de oxidação. Estas
substâncias criam complexos químicos nas impurezas orgânicas e metálicas à
superfície, removendo-as. Estas impurezas são responsáveis pelo decaimento dos
tempos de vida, principalmente as metálicas. O banho de RCA2 é efetuado a
temperaturas de 80ºC, utilizando uma manta térmica, aproximadamente e é neste
banho que se procede à oxidação do silício. Estes banhos envolvem também água
desionizada, ou seja, água obtida através dos processos de osmose reserva e
posteriormente filtrada. Estes banhos preparam a célula para processos de
temperaturas mais elevadas, uma vez que, caso se submetam as amostras a um
processo térmico e se encontrem impurezas metálicas depositadas no óxido, estas
poderão penetrar o volume e causar uma diminuição dos tempos de vida minoritários
durante este
processo.
1. Corte e análise das propriedades da wafer

As wafer foram cortadas utilizando um laser de corte, resultando num total de 10
amostras, em quadrados.
Após o corte das mesmas procedeu-se à medição dos tempos de vida, espessura e peso
das mesmas. A espessura mediu-se recorrendo a um dispositivo rudimentar com uma
incerteza associada de ±1μm. De seguida, recorrendo ao equipamento Sinton SCT-
120, procedeu-se à medição dos tempos de vida, recorrendo ao método QSS (Quasi
Steady-State). Ao gerar um excesso de portadores de carga, aumenta-se a condutância
da wafer relativamente ao seu valor de equilíbrio. No momento em que deixa de haver
iluminação incidente na célula, a excitação é removida e o excesso de portadores
decai, por recombinação, assim como a fotocondutância.
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Caso o processo se dê em condições estacionárias, não ocorre um decaimento de

portadores, pelo que a taxa de geração (G) iguala à taxa de recombinação (U). Nestas condições, o
tempo de vida dos portadores minoritários é dado por (Cuevas & Macdonald, 2003).
Devido ao facto de a espessura e a refletividade da wafer terem valores finitos, apenas uma parte
dos fotões incidentes é absorvida pela superfície, sendo assim, a taxa de geração pode ser avaliada
pela seguinte equação (Cuevas & Macdonald,2003).
Nos processos em condições Steady-State, a exposição contínua à luz pode aquecer

demasiado a amostra, provocando uma alteração no tempo de vida dos portadores. De modo a
evitar esta situação recorre-se a condições quase-estacionárias.
A utilização de um pulso longo com decaimento lento garante as condições de steady-state

na amostra em termos de recombinação, sem que esta aqueça em demasia. Este processo permite
também o aumento da concentração de portadores fotogerados, sem que se dê um aumento
significativo da temperatura, permitindo a medição dos tempos de vida na ordem dos ns. (Sinton &
Cuevas, 1996).
A medição dos tempos de vida através do WCT-120 permite retirar conclusões em relação à
homogeneidade da wafer. Esta medição consistiu em três ensaios para cada amostra, medindo-se os
tempos de vida em vários pontos da wafer e em diferentes direções.
2. Processo de difusão
Após o corte e medição dos tempos de vida das amostras, estas foram sujeitas a banhos de limpeza
em CP4 e HF 5%. Estes banhos têm como propósito a limpeza da superfície da amostra.
De seguida mergulharam-se as amostras num banho maria de CP4 com gelo, de modo a polir as
mesmas. Esta solução consiste numa mistura de 68,2% de ácido nítrico (HNO3), 22,7% de
ácido acético (CH3COOH) e 9.1% de ácido fluorídrico (HF), numa proporção de (15:5:2). Este
processo irá provocar uma alteração da espessura das amostras. Recorre-se à utilização de
gelo uma vez que a reação é exotérmica, ou seja, provoca um aumento da temperatura, o
que conduz a uma degradação da amostra. O volume de CP4 utilizado foi de 150 ml.
Colocaram-se as amostras no banho de CP4 durante 3minutos, retirando-se as mesmas e colocando-
as em água ionizada tipo 1. No processo de passagem das amostras do banho de CP4 para a
água ionizada observou-se a libertação de vapores de cor acastanhada, estes vapores
poderão levar ao aparecimento de manchas na superfície da amostra, responsáveis pela
degradação da amostra, pelo que este processo terá de ser ágil.
Foram medidos os pesos das primeira e última amostras antes e depois do banho de CP4, obtendo-se
valores para a primeira amostra de 1,8019g pré banho e de 1,6836g pós banho. Para a última
amostra obtiveram-se valores de 1,8288g antes do banho e de 1,6951g após o banho. Sendo
assim, podemos observar uma diminuição do peso das mesmas, uma vez que os banhos
provocam o polimento das superfícies, removendo as rugosidades.
TABELAS DE ESPESSURAS
Por fim, passam-se as amostras por um banho de HF a 4%, de modo a limpar todos os óxidos
existentes da superfície. De seguida, a amostra é banhada em água desionizada de modo a
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retirar os resíduos de HF. Por fim, secaram-se as gotas residuais à superfície usando uma
pistola de azoto (N2). Após este banho verificou-se que as amostras deixaram de ficar
“molhadas” quando retiradas do HF. No final deste processo secaram-se as amostras com
uma pistola de azoto gasoso.
Após este processo mediram-se os pesos das primeira e última amostras, após e antes dos banhos,
obtendo-se valores antes dos banhos de 1,6836g e 1.6951g para as primeira e última
amostras respetivamente, após os banhos obtiveram-se valores de peso da ordem dos
1,6837g e 1,6951g para as primeira e última amostras respetivamente. (erro da balança
associado 0.0001g).
De seguida passaram-se as amostras por banhos de RCA1 e RCA2 para limpeza das amostras.
A composição de RCA1, standard cleaning, consiste em 250ml de água desionizada ( H 2 O d.i.) a
80ºC, 50ml água oxigenada ( H 2 O 2 ) e 50ml NH4OH em proporções (5:1:1). Este banho com
RCA1 tem como função a remoção de resíduos orgânicos nas amostras, oxidando o silício e
deixando uma fina camada de óxido na superfície. As amostras foram mergulhadas em RCA1
por 10 minutos. De seguida, colocaram-se as amostras em banho de RCA2 durante 10
minutos, que consiste em água desionizada a 80ºC, água oxigenada ( H 2 O 2 ) e amónia (HCl)
em proporções de (5:1:1). Este processo permite a remoção de óxidos metalizados à
superfície. Após o banho das amostras pelo RCA1, mergulharam-se as mesmas numa solução
de água ionizada e HF bastante diluído, de modo a que possa remover possíveis óxidos que
se formem à superfície da amostra devido à água oxigenada. Após os banhos, secaram-se
cada uma das amostras com uma pistola de azoto gasoso.
3. Oxidação Química com ácido nítrico
Primeiramente, escolheu-se uma amostra de controlo que não passará pelos processos de oxidação
química de forma a ser referência para as medições dos tempos de vida iniciais das wafer
(sem passagem pelos processos). De seguida, mergulharam-se duas amostras em ácido
nítrico (concentração >65%), durante 15minutos, lavando-se posteriormente em água
desionizada. Seguidamente, selecionou-se uma outra amostra de controlo de forma a
estudar o efeito da limpeza com HF numa célula passivada quimicamente. Não se verificaram
alterações no peso da amostra antes e após os banhos (1,6667g).
De seguida, recorrendo ao WCT-1000 (micro WCT), mediram-se os tempos de vida. Este processo
consiste em expor a amostra a um pulso curto e de decaimento rápido de luz laser. O
decaimento da luz laser terá de ser muito mais rápido do que o decaimento do tempo de
vida dos portadores minoritários. Isto significa que a concentração de portadores
minoritários em excesso não está em estado estacionário, mas em estado transiente.
Quando a excitação é removida, ou seja, o pulso de luz acaba, os portadores redistribuem-se ao
longo da wafer e refletem as micro-ondas. Estas ondas são detetadas pelo WT-1000, uma vez
que têm amplitude diferente que as micro-ondas. A diferença de amplitude entra as micro-
ondas emitidas pelo laser e as refletidas pelos portadores devolve um sinal proporcional à
condutividade da amostra naquele instante de tempo.
Neste processo a concentração de portadores minoritários é da ordem dos 1014 aos 1016 , onde o
mecanismo de Shockley-Read-Hall (SRH) é predominante.
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Este software permite realizar a medida do tempo de vida da amostra num ponto, sendo menos
preciso que o WCT-120 uma vez que este último efetua a medida dos tempos de vida com
base na área total da amostra, não se deixando afetar por alguma impureza, defeito ou
fronteira de grão, como acontece com as medições feitas ponto a ponto pelo equipamento
WCT-1000. Estes foram medidos no dia seguinte para garantir que não ocorre passivação
temporária devido às soluções dos banhos (polish e HF). Mediram-se também as espessuras
de cada amostra.
Nesta fase, os tempos de vida foram medidos para valores de resistividade padrão das amostras, ou
seja, de fabrico, estes variam entre 0.5-1.7 Ω/cm. Sendo assim os valores de resistividade
para os quais são medidos os tempos de vida são de 0.5 Ω/cm, correspondente à
resistividade mínima, 1.2 Ω/cm, valor da resistividade providenciado pelo software Sinton e
de 1.7 Ω/cm, valor da resistividade máxima.
Os tempos de vida obtidos consoante a resistividade para as diferentes amostras encontram-se na

seguinte tabela:
TABELA
Podemos observar que as tanto a amostra de controlo inicial como a amostra de controlo que passou
por HF têm valores de tempos de vida idênticos, uma vez que o nenhuma delas foi passivada.
Relativamente às restantes amostras, os intervalos de valores na tabela correspondem à

primeira e última amostra a passarem pelo processo de passivação. Não é necessário determinar os
tempos de vida para todas estas amostras, uma vez que todas passaram pelo mesmo processo, pelo
que só foram efetuadas duas medidas. Através dos valores podemos observar que os tempos de
vida, para as diferentes resistividades, da última amostra a ser passivada é superior ao da primeira.
Isto deve-se ao facto A QUE FACTO SE DEVE? AUMENTO DA TEMPERATURA À MEDIDA QUE SE FAZIA
A PASSIVAÇÃO?
De seguida, voltou-se a passivar quimicamente as amostras, sendo que desta vez, em vez do
tempo de passivação ser 10 minutos, este foi de 1 hora e trinta minutos, de modo a analisar o
impacto que o tempo do processo de passivação tem nos tempos de vida da amostra e na mesma.
Os tempos de vida observados nas amostras que sofreram de passivação química encontram-se na
TABELA, observando-se tempos de vida da ordem dos 0.2 µS, 0.5 µS e 0.6 µS para valores de
resistividade mínima, dada pelo Sinton e máxima respetivamente. Observa-se que os valores dos
tempos de vida após uma segunda passivação química são idênticos aos valores obtidos na primeira
ronda de passivação, sendo assim, torna-se seguro assumir que que a passivação química não teve
grande impacto na amostra, uma vez que a dopagem não foi muito forte.
4. Evaporação Química
Sendo necessário definir os contactos através da deposição de metais por vapor, seguido do seu
cozimento. Para isto recorre-se a uma evaporadora Blazers. A evaporadora é constituída por um
sistema de vácuo, uma campânula de vácuo, um canhão de electrões com controlo de feixe, cadinhos
com os materiais a evaporar, um sistema de controlo, de monitoziação e um porta-amostras.
17
Inicialmente prenderam-se as amostras a discos metálicos recorrendo ao auxílio de fita-cola resistente

a altas temperaturas. De seguida, encaixaram-se os discos no porta-amostras da evaporadora,
dispondo-se as faces frontais das amostras voltadas para baixo, para que fiquem expostas aos cadinhos
que contêm os metais a evaporar.
Este porta amostras e os cadinhos encontram-se dentro de uma campânula de vácuo. Existe também
um canhão que liberta um feixe de eletrões sendo estes mais facilmente transportados quanto mais
baixa for a pressão. O processo de evaporação começa ao estabelecer-se vácuo no interior da
campânula, após o fecho da mesma. A campânula dispõe de uma janela de modo a se visualizar o
posicionamento das peças e o estado físico dos metais em uso. As operações de comando da
evaporadora são efetuadas através de um sistema de monitorização e controlo (as máquinas).
Uma vez que se pretendem células do tipo n, efetuou-se a evaporação de alumínio (alumina?) de modo
a obterem-se os contactos frontais. A utilização de alumínio deve-se ao facto de este elemento ser
particularmente adequado para fazer o contacto de emissores de boro (ou seja, zonas p+). Optou-se por
depositar uma espessura de (ESPESSURA) a uma taxa de deposição situada entre 0.1 e 0.2 nm/s
(VERIFICAR VALORES), constituindo esta um contacto frontal com espessura de 1 µm. Ao longo
do processo de evaporação e deposição do alumínio nas amostras, foi possível observar a difusão do
metal dentro do cadinho. Falar também do pedaço de metal que se colocou dentro da evaporadora para
evitar a exposição de certas amostras ao químico.
Neste processo, dividiram-se as amostras em vários grupos, consoante o processo pelo que irão passar.
Sendo assim, optou-se por selecionar duas células para cada processo, de modo a que seja possível
uma comparação de resultados. Sendo assim, os processos de evaporação escolhidos são:
1) Alumina ( Al2 O 3) sobre óxido de silício químico (amostras que passaram pelo processo de
passivação química)
2) Alumina ( Al2 O 3) sobre óxido de silício térmico (amostras que passaram pelo processo de
passivação térmica-forno)
3) Óxido de silício evaporado ( SiO2) sobre silício (remoção do óxido químico das amostras)
4) Óxido de silício evaporado ( SiO2) sobre óxido de silício químico (amostras que passaram pelo
processo de passivação química)
5) Alumina ( Al2 O 3) sobre óxido de silício evaporado ( SiO2) sobre o silício
6) Dióxido de silício evaporado ( SiO2 ¿ sobre o óxido de silício (obtido a partir de oxidação
térmica)
18
Para o processo 1) selecionaram-se amostras que passaram por processos de passivação química com
ácido nítrico (amostras I e II). Por outro lado, no processo 2) utilizaram-se amostras passivadas
termicamente (amostras III e IV), no processo 3) utilizou-se a amostra de controlo de HF (passivada
quimicamente e posterior remoção de óxidos à superfície com HF)(amostra V) e removeu-se o óxido
de uma amostra passivada quimicamente (amostra VI). No processo 4) utilizaram-se amostras
passivadas quimicamente (amostras VII e VIII). No processo 5) utilizaram-se duas amostras
passivadas quimicamente e limpas posteriormente com HF (amostras IX e X). Por fim, no processo 6)
utilizaram-se amostras passivadas termicamente (2 horas no forno a 900ºC) (amostras XI e XII).
Para os processos 3), 4), 5) e 6), uma das amostras utilizadas irá ser exposta a evaporação de alumina
após o processo de evaporação com SiO2 (amostras V,VII,IX e XI). As restantes amostras serão
expostas ao processo de evaporação com SiO2 (amostras VI,VIII,X e XII). Colocou-se ainda uma
amostra de vidro no porta-amostras da evaporadora, para possível medida da espessura acrescentada às
amostras resultante do processo de evaporação.
Após a medição da espessura do vidro após o processo de evaporação concluiu-se que a espessura de
evaporação acrescentada foi da ordem dos 35.9 hm (359 Å).
Para o processo de evaporação com alumina ( Al2 O 3), colocou-se uma couvette com alumina da
evaporadora, que será posteriormente aquecida, libertando vapor que se fixa nas amostras. A espessura
escolhida para esta camada é de 15nm, sendo esta estimada através de um sensor de espessura que se
encontra ao nível das amostras dentro da evaporadora. Após a preparação das amostras, colocaram-se
as mesmas no porta-amostras e introduziram-se os valores correspondentes à densidade (bulk) e à
correcção do erro no sistema do óxido de alumina (Z-factor), com valores de 3.96 g/cm3 e de 0.36
respetivamente (valores obtidos através do Thin Film Evaporation Guide). Seguidamente, ligou-se a
evaporadora à garrafa de azoto liquido, carregando-a e aguardou-se que a pressão dentro da
evaporadora alcançasse valores abaixo de 0.1 mbar (obteve-se uma pressão de 0.06 mbar) para que
seja alcançado o estado de vácuo. Seguidamente, ligou-se a bomba difusora para que se alcançasse o
estado de alto-vácuo, com pressões menores que o estado de vácuo atingido anteriormente, tendo-se
obtido então um valor de pressão de 3x10−5 mbar. As condições de vácuo no interior da evaporadora
são cruciais para que ocorra uma propagação do vapor de alumina o mais extensa e direta possível
para as amostras, sem que exista uma atmosfera com partículas que dispersem esse vapor na direção
pretendida. Após se atingir o valor de pressão pretendido, definiu-se no sistema de monitorização da
evaporadora um valor de espessura de alumina a adicionar, 150 Å (Amstrong), correspondente a
15nm. Por fim, ligou-se o sistema de aquecimento da couvette de alumina até que a espessura atingida
pela mesma alcançasse o valor pretendido, abrindo-se então a tampa do sistema de aquecimento para
que o vapor incidisse nas amostras.
Para a evaporação com dióxido de silício evaporado (SiO2) e stack com alumina procedeu-se da
mesma forma anteriormente descrita, no entanto, colocou-se uma proteção que isola as restantes
amostras não estejam expostas aos vapores de alumina após a evaporação com SiO2, permitindo
realizar ambas evaporações na mesma câmara de gás, ao invés de as realizar separadamente. Uma vez
que nesta parte do processo, parte das amostras não foi exposta a vapores, estas, terão na realidade,
uma espessura real um pouco superior à determinada pelo sensor, sendo estimado um desfasamento de
espessura de cerca de 30% relativamente ao medido pelo sensor.
Os valores introduzidos correspondem a:
- densidade bulk de SiO2 = 2.20 g/cm3
19
- Z-factor= 1.070
-densidade bulk alumina = 3.96 g/cm 3
-Z-factor= 0.36
-Pressão para evaporação de alumina = 3*10−5 mbar
-Espessura inicial de SiO2 = 8nm
-Espessura final de SiO2 = 10nm ~10 Amstrong
5. Passivação por oxidação térmica
Este processo tem como por base o annealing que, como abordado anteriormente, tem como objectivo
de eliminar os defeitos na rede atómica, aumentando assim, a condutividade da amostra.
Durante o processo de oxidação térmica, colocaram-se as amostras no interior do forno a 35cm da
entrada do mesmo, durante um período de 30 minutos, a uma temperatura de 400ºC
monitorizada pelo equipamento TermoLab, de forma a que a compactação das camadas
formadas no processo de evaporação melhore para que se obtenha a passivação. De seguida,
mediram-se os tempos de vida das amostras após o processo de annealing através dos
softwares Sinton e Micro-PCD.
Resultados Experimentais
O tipo de amostras analisadas e alteradas são wafers com estrutura cristalográfica (1,0,0). Tomando
em consideração uma das amostras, observou-se que o peso inicial da mesma corresponde a 1,6836g,
medido experimentalmente.
Temos presentes 12 amostras identificadas por numeração romana, de I a XII. Inicialmente seriam
apenas 10 amostras, no entanto uma das mesmas partiu-se, de modo a que foram aproveitados
fragmentos da amostra partida para mais duas amostras.
Elaborou-se uma oxidação química com uma duração de 10 minutos. Após a limpeza das amostras
com HF, as mesmas passaram a ter um peso de 1,6951g, tendo em conta o erro associado da balança
de 0.0001g. O valor do peso das amostras antes e após os banhos de HF não se alterou, como se pode
observar através da medição do peso de uma outra amostra, que se manteve 1,6667g antes e após os
banhos de HF.
Os valores referentes às diferentes resistividades e tempos de vida após a primeira oxidação química
encontram-se presentes nas tabelas (NUM).
Resistividades mínima, máxima e medida pelo WCT-120 e espessura

Resistividade Resistividad Resistividad
Espessur
Amostra Mínima e Medida e Máxima
a [cm]
[Ω/cm] [Ω/cm] [Ω/cm]
Amostra de
1,12 1,1 1,7 0,0321
Controlo C
Amostra de controlo
0,5 1,2 1,7 0,0297
com lavagem de HF
Amostra com
passivação química 0,5 1,2 1,7 0,0306
sem HF
20
Tempos de vida em função da resistividade
Amostra Resistividade Tempo de vida [µs]
Resistividade Mínima [Ω/cm] 0,2 µs
Amostra de controlo Resistividade Medida [Ω/cm] 0,4 µs
Resistividade Máxima [Ω/cm] 0,6 µs

Amostra de controlo com
Resistividade Medida [Ω/cm] 0,4 µs
lavagem de HF
Amostra com passivação
Resistividade Medida [Ω/cm] 0,5 µs
química sem HF
Através das tabelas NUM e NUM podemos concluir que os valores para a resistividade das células
medidos pelo Sinton WCT-120 encontram-se no intervalo de valores entre 0.4 µs e 0.6 µs. Através da
análise dos resultados das espessuras torna-se possível assumir que os tempos de vida no final do
processo de oxidação química foram relativamente superiores, pelo que, se assume que o processo
de oxidação melhorou os mesmos, ainda que relativamente pouco. Relativamente às restantes
amostras, os tempos de vida variam entre os valores de 0.2 µs e 0.6 µs, após o processo de oxidação
química.
De seguida, sujeitaram-se as restantes amostras ao mesmo processo de oxidação química, no

entanto, a duração desse processo passou de 10 minutos a 1 hora e 30 minutos. Após este processo
de oxidação química, mediram-se novamente os tempos de vida das amostras de modo a tecer uma
comparação entre os valores anteriores e esta nova oxidação e de forma a analisar a influencia
destas oxidação nas amostras. Após o processo de oxidação química os valores obtidos para os
tempos de vida das restantes 10 amostras compreendem-se entre 0.2 µs e 0.6 µs. Através destes
valores é possível verificar que não ocorrem alterações nos tempos de vida com o aumento do
tempo de oxidação química em ácido nítrico, logo, assume-se que este método de passivação não
tem grande impacto nos tempos de vida das amostras, uma vez que a dopagem/oxidação não é
muito “forte”.
Após estaas medições, procedeu-se à passivação térmica, através da evaporadora. Nesta fase,
colocam-se as amostras na evaporadora, de modo a que os vapores de alumina sejam absorvidos
pelo substracto da amostra e formem um filme.
Após a evaporação (oxidação térmica) e do annealing mediram-se novamente os tempos de vida de

cada uma das amostras, presentes na tabela (NUM):
Amostra Tempo de vida (µs)
21
II 2,77
III 3
IV 2,95
V 2,95
VI 3,06
VII 3,01
VIII 2,98
IX 3,05
X 3,03
XI 2,92
XII 2,86
Não são apresentados valores de tempo de vida para a amostra I uma vez que esta é a amostra de
controlo, logo, não sofreu os processos acima referidos, pelo que o seu tempo de vida é igual ao
medido inicialmente. Através dos resultados da tabela NUM torna-se possível obaservar que os
valores dos tempos de vida aumentaram após a oxidação térmica, tornando-se possível assumir que a
oxidação térmica teve influencia nos tempos de vida. Estes, no entanto continuam mais baixos que o
esperado, isto pode dever-se ao facto de os banhos com HF 5% não eliminarem por completo os
óxidos à superfície, pelo que a alumina e os óxidos não foram bem absorvidos pelo subsracto ou o
contacto entre a alumina e o emissor não foi suficiente.
Referências
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multicrystalline solar cells,” em Photovoltaic Specialists, IEEE Conference - PVSC, pp. 371 -374,
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http://www.sintoninstruments.com/Sinton-Instruments-Suns-Voc.html. [Accessed 05 February 2019]
https://www.researchgate.net/publication/34732882_Loss_Analysis_of_Crystalline_Silicon_Solar_Cel
ls_Using_Photoconductance_and_Quantum_Efficiency_Measurements
Implied open circuit voltage

The average excess carrier density under one-sun illumination corresponds to an implied VOC via
eqn. (2-4). This voltage lumps the effects of volume lifetime, surface passivation and substratedoping
into one value.i The implied VOC under one-sun steady state illumination was shown to be in good
agreement with the real VOC measured after metal contacts are applied.136 An effective lifetime
spectrum can be translated into an implied JSC -VOC characteristic when assuming that J SC is
proportional to the light intensity. This can then be analysed for its ideality factor n and, after adding
the approximate JSC , the corresponding limitation for the fill factor. A possible violation of the steady
state condition can be accounted for by adding a term from the temporal change in car-rier density to
JSC .150 In this work, the calculation of the st eady state carrier profile with four gen-eration terms
(see Section 2.2.4) was used to evalua te the carrier density at the front. The analytic description in
Appendix A3 was used to calcula te the corresponding terminal voltage. This re-moves the restriction
to low injection and uniform carrier distribution when predicting VOC of a solar cell (
ls_Using_Photoconductance_and_Quantum_Efficiency_Measurements)
Measurement of the emitter saturation current

Analogously to the current injection into the base, the current injected
into an emitter when biased with a junction voltage V can be written as
− =1exp0T kqVJ JB Erec (4-26) where J0E is the emitter saturation
current. The following assumptions underlie this formulation: a) the
recombination parameters in the emitter do not depend on the injection
level, b) the recombination current into the emitter is proportional to
the excess minority carrier density ∆ne at the emitter edge of the SCR,
c) the doping in the emitter is high enough to maintain lli -conditions,
even if the more lightly doped base is highly injected. With b) and c) the
minority carrier density ∆ne is proportional to exp(qV/kBT) − 1. Together
with a) the recombination current Jrec in the emitter can be modelled as
an ideal diode with unity ideal-ity factor. For diffused emitters, the
23
calculation of J0E from device features such as doping profile, lifetime,

mobilities and surface recombination velo city is complex and generally
requires numeri-cal device simulations that account for the various
high doping effects present in emitters.27,151 The J0E lumps all these
mechanisms into a single, mean ingful value, which can be determined
experi-mentally. Together with the emitter current loss, J0E contains
all information relevant for the cal-culation of solar cell performance
and the corresponding losses. In lifetime measurements on samples with
emitter, the photoconductance within the emitter can be neglected
because 1) emitters are thin co mpared to the substrate, and 2) the high
emitter doping suppresses excess carriers to low levels. Instead,
emitters are treated as surfaces that sink excess carriers corresponding
to an effective surface recombination velocity Seff. This Seff is deter-
mined by demanding that Jrec = q ∆n Seff. Using eqn. (4-26) and eqn. (2-4)
and assuming a p-type substrate (p0 ≈ NA á n0 ) it is given by ()nNqnJS A i
Eeff∆+=20 . (4-27) Seff assumes its minimum value in lli, 2
0iAEeffqnNJS=, on which the low-injection measurement of J0E is
based.152 The high-injection measurement of J0E , suggested by Kane and
Swanson153 andextended by (Cuevas ,95,154) uses the injection
dependence of Seff to separate emitter from volume recombination. The
effective lifetime for a sample with emitters on both sides can be written
as ()rearfront A iE avSRHAuger eff nnNW qnJn∆+∆+∆++=2111120 τττ(4-28)
where the doping and injection dependence of τAuger is known.i
Subtracting Auger recombination from 1/τeff and assuming that
avrearfrontnnn2≈∆+∆, eqn. (4-28) becomes ()av A iE SRHAuger eff nNW
qnJ∆++=−2 0211 1 τττ. (4-29) J0E is thus obtained from the slope of the
(1/τeff − 1/τAuger) vs ∆nav plot, provided that the measure-ment is
taken in high injection where τSRH,hli is constant. The extrapolation to
∆n = –NA yields the value of 1/τSRH,hli . Using high lifetime material is
essential to keep volume recombination low in case that τSRH does not
reach a constant value. This eval uation procedure will be referred to as
the 'slope method' in the following. While more heavily doped substrates
(NA > 1016 cm− 3 ) are used for lli measurements of J0E to make emitter
recombination dominate over volume recombination, using such
substrates in hli measurements involves several problems. These result
from the high excess carrier densities re-quired to reach hli (∆n á 1016
cm−3 ) for which • the mobility data are uncertain; 153 • Auger
recombination becomes dominant; • Seff may become so large that ∆nfront
+ ∆nrear ª 2 ∆nav no longer holds, and • the measurement conditions of J0E
are far from being representative for solar cell operation. Intrinsic or
lowly doped substrates are therefore preferred. In this work, 10 Ω cm Cz-
Si was mostly used for measurements of J0E . (
ls_Using_Photoconductance_and_Quantum_Efficiency_Measurements pag. 73)
24

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Estudo de técnicas de preparação de condutores seletivos para

Margarida Tavares Santos

Mestrado Integrado em Engenharia da Energia e do Ambiente

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Nos processos em condições Steady-State, a exposição contínua à luz pode aquecer

A utilização de um pulso longo com decaimento lento garante as condições de steady-state

3. Oxidação Química com ácido nítrico

Os tempos de vida obtidos consoante a resistividade para as diferentes amostras encontram-se na

Relativamente às restantes amostras, os intervalos de valores na tabela correspondem à

Inicialmente prenderam-se as amostras a discos metálicos recorrendo ao auxílio de fita-cola resistente

Os valores introduzidos correspondem a:

- densidade bulk de SiO2 = 2.20 g/cm3

5. Passivação por oxidação térmica

Resistividades mínima, máxima e medida pelo WCT-120 e espessura

Tempos de vida em função da resistividade

Amostra Resistividade Tempo de vida [µs]

Resistividade Mínima [Ω/cm] 0,2 µs

Amostra de controlo Resistividade Medida [Ω/cm] 0,4 µs

Resistividade Máxima [Ω/cm] 0,6 µs

De seguida, sujeitaram-se as restantes amostras ao mesmo processo de oxidação química, no

Após a evaporação (oxidação térmica) e do annealing mediram-se novamente os tempos de vida de

Amostra Tempo de vida (µs)

[6] Fonash, S. (2010). Solar Cell Device Physics

[10] S. Bowden, V. Yelundur e A. Rohatgi, “Implied-Voc and Suns-Voc measurements in

[11] C. Honsberg e S. Bowden, “PV Education,” [Online]. Av ailable:

Implied open circuit voltage

Measurement of the emitter saturation current

calculation of J0E from device features such as doping profile, lifetime,

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