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ESTRUTURA BÁSICA:
As figuras abaixo ilustram a estrutura básica de um transistor, representando
um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificação
da polarização das junções, as quais são: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a junção dos dois catodos do diodo forma
a base, que é negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no
transistor npn a junção dos dois anodos forma a base que é positiva, sendo o emissor e
o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de junção é mostrada
logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.
POLARIZAÇÃO:
Para que um transistor funcione é necessário polarizar corretamente as suas
junções, da seguinte forma:
1 - Junção base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Junção base-coletor: deve ser polarizada reversamente
ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR I - Prof. Edgar Zuim 1
Esse tipo de polarização deve ser utilizado para qualquer transistor de junção
bipolar, seja ele npn ou pnp.
OPERAÇÃO BÁSICA:
1 - Junção diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarização
direta entre base e emissor. Para estudar o comportamento da junção diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarização reversa entre base e coletor.
FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor é polarizado corretamente, haverá um fluxo de corrente,
através das junções e que se difundirá pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas não tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base é a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor é a camada mais dopada;
3. O coletor é uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o
emissor.
Uma pequena parte dos portadores majoritários ficam retidos na base. Como a
base é uma película muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR I - Prof. Edgar Zuim 3
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB),
sendo da ordem de microampères. As correntes de coletor e emissor são bem maiores,
ou seja da ordem de miliampères, isto para transistores de baixa potência, podendo
alcançar alguns ampères em transistores de potência. Da mesma forma, para
transistores de potência, a corrente de base é significativamente maior.
Podemos então dizer que o emissor (E) é o responsável pela emissão dos
portadores majoritários; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor
(C) recebe os portadores majoritários provenientes do emissor.
IE = IC + I B, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITÁRIOS) + I CO ou I CBO (PORTADORES MINORITÁRIOS)
1
O símbolo hFB é algumas vezes usado na lugar de α
2
Isto é explicável, pois α é menor do que 1.
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Caso ICBO não seja desprezada, a corrente de coletor é dada por:
IC = αIE + I CBO ( I )
Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base
forma a corrente de base, assim:
IE = IC + I B ( II )
1- α ICBO
IB = (1 - α) . IE - ICBO = . IC -
α α
α
β=
1- α
β
α=
β +1
Exemplos:
a) Um transistor possui um fator α = 0,92. Qual é o fator β?
Solução:
0,92 0,92
β= = = 11,5
1 - 0,92 0,08
CARACTERÍSTICAS:
EMISSOR COMUM:
No circuito emissor comum, o sinal é aplicado entre base e emissor e retirado
entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "C E" assegura o aterramento do
emissor para sinais alternados. C A é um capacitor de acoplamento de sinal.
CARACTERÍSTICAS:
CARACTERÍSTICAS:
1. V CC - V RC - V CE - V RE = 0
2. V CE -V BE - V CB = 0
3. V CC - V RB1 - V RB2 = 0
4. V RB1 - V RC - V CB = 0
5. V RB2 - V BE - V RE = 0
6. V CC - V RC - V CB - V BE - V RE = 0
1. IB = I1 - I2
2. I1 = I2 + IB
CURVAS CARACTERÍSTICAS:
As curvas características definem a região de operação de um transistor, tais
como: região de saturação, região de corte, região ativa e região de ruptura.
A região de ruptura indica a máxima tensão que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.
CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarização muito utilizados e
suas principais características:
Por esse motivo esse tipo de polarização não é utilizado em circuitos lineares,
pois é muito instável, pois uma variação da temperatura provoca uma variação de β.
Para este tipo de polarização: I C = βI B
Para evitar o disparo térmico, adota-se geralmente: V CE = 0,5V CC
5
Também denominada hipérbole de máxima dissipação.
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polarização V BE , reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor
menor compensando parcialmente o aumento original de β.
Aplicando LKT:
V CC = V RC + V CE + RE I E
onde: V RC = R C IC
logo:
V CC = R C I C + V CE + RE I E
Adota-se como prática para garantir a estabilidade térmica sem afetar o sinal
de saída: V RE = 0,1V CC
Equações básicas:
VCC IC
IB = ou ainda: I B =
RB + β RE β
I E = (β + 1)I B
Equações básicas:
V RE = 0,1V CC
V RC = V CC - (V CE + V RE)
4 - SEGUIDOR DE EMISSOR
Equações básicas:
V CE = 0,5V CC
0,5VCC
RE =
IE
I E = βI B
VCC
IB =
RB + β RE
Aplicando Thèvenin:
RB2 . VCC
Abrindo o terminal da base temos: V TH =
RB1 + RB2
Aplicando LKT:
V TH - R THI B - V BE - R EI E = 0
IE VTH - VBE
Sendo: IB = , temos: I E =
β +1 RTH
RE +
β +1
RTH
Se R E for 10 vezes maior do que , podemos simplificar a fórmula:
β +1
V E = 0,1V CC
V CE = 0,5V CC
V RC = 0,4V CC
RC = 4RE
RBB = 0,1βR E
Em função de β
IE
IB = - I CBO I E = (β + 1)I B + (β + 1)I CBO
(β + 1)
I C = βI B + (β + 1)I CBO onde: (β + 1)I CBO = I CEO
Em função de α:
Partindo da equação ( II ) da página 6 desta apostila:
I C = αI E + I CBO
temos: I E = I C + I B
logo: I C = α(I C + I B) + I CBO
portanto: I C = αI C + αI B + I CBO
resolvendo: I C - αI C = αI B + I CBO
colocando IC em evidência resulta:
I C (1 - α) = αI B + I CBO
I EBO: É a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. Não é normal
termos esta situação, uma vez que a junção base-emissor de um transistor é sempre
polarizada diretamente.
I CBO: Varia com a temperatura, sendo de grande importância, uma vez que,
para cada 10ºC de aumento de temperatura, essa corrente dobra. É a corrente entre
coletor e base, com o emissor aberto.
DADOS:
β = 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V
Cálculo de I B
IC 3mA
Como β = 100, podemos fazer I C = I E, logo: IB = = = 30µA
β 100
Cálculo de R E
VRE 1,2V
RE = = = 400Ω
IE 3mA
Cálculo de R BB
R BB = 0,1β.400 = 4kΩ
Cálculo de V BB
V BB = R BBIB + V BE + V RE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
V BB = 2,02V
Cálculo de R C
VRC 4,8V
RC = = = 1,6kΩ (equivalente a 4R E )
IC 3mA
Cálculo de R 1
RBB . VCC 4.000 . (12) 48.000
R1 = = = = 23.762Ω
VBB 2,02 2,02
Cálculo de R 2
R1 . RBB (23.762).(4.000) 95.048
R2 = = = = 4.817Ω
R1 - RBB 23.762 - 4.000 19.762
RESPOSTAS:
RC 1,6kΩ
RE 400Ω
R1 23,762kΩ
R2 4,817kΩ
IB 30µA
IE 3mA
IC 3mA
Cálculo de β
α 0,92
β= = = 11,5
1 - α 1 - 0,92
Cálculo de I CEO
ICEO = (β + 1)ICBO = 12,5.(6µA) = 75µA
Cálculo de I C
IC = αIE + I CBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75µA = 3,755mA
Cálculo de I B
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245µA
Cálculo de R C
VRC
RC = V RC = V CC - V CE - V RE (onde V RE = 0,1V CC)
IC
V RC = 12 - 5 - 1,2 = 5,8V
5,8V
RC = = 1.54kΩ (1.544,6Ω)
3,755mA
Cálculo de R E
VRE 1,2
RE = = = 300Ω
IE 4mA
Cálculo de R B
VRB
RB = V RB = V CC - V BE - V RE V RB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB = = 41,84kΩ (41.836,7Ω)
245µA
RESPOSTAS:
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β 11,5
ICEO 75µA
IC 3,755mA
IB 245µA
RC 1.54kΩ
RE 300Ω
RB 41,84kΩ
Cálculo de I B
VCC 15 15 15
IB = = = = = 72,12µA
RB + β RE 100kΩ + 40(2,7kΩ) 100k + 108k 208k
Cálculo de I E
IE = (β + 1).IB = (41).72,12µA = 2,96mA
Cálculo de V CE
V CE = V CC - R EIE = V CC - V RE = 15 - (2,7kΩ. 2,96mA) = 15 - 7,992V = 7,008V ≈
7V
V RE = 7,992V ≈ 8V
RESPOSTAS:
IB 72,12µA
IE 2,96mA
V CE 7V
V RE 8V
Cálculo de I C
IC = βIB = 100.(20,27µA) = 2,027mA
Cálculo de V CE
V CE = V CC - R C IC = 15 - (4k7 . 2,027mA) = 15 - 9,527 = 5,473V
RESPOSTAS:
Equações básicas
( I ) V CC - V RC - V CE - V RE = 0
V RC = R C IC e V RE = R EI E, temos:
( II ) V CC = R C IC + V CE + R EI E
Cálculo de I C
Cálculo de I E
IE = IC + I B = 1,2mA + 6µA = 1,206mA ≈ 1,2mA
Quando β > 100, podemos considerar I C = I E
Cálculo de R C
Utilizando a equação ( II )
15 = (R C . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (R C . 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (R C . 1,2mA) + 8,18
15 - 8,18
RC = = 5,68kΩ (5.683,3Ω)
1,2mA
Cálculo de R B
V RB = V CB + V RC
R BIB = V CB + R C IC como: V CE = V CB + V BE, então: V CB = 8 - 0,6 = 7,4V
RESPOSTAS:
IC = 1,2mA R C = 5,68kΩ
IE = 1,2mA R B = 2,37MΩ
RETA DE CARGA:
Podemos determinar o ponto de operação de um transistor através da reta de
carga, definindo em um projeto ou aplicação os parâmetros de tensão e corrente.
Esse método gráfico somente pode ser aplicado se tivermos disponível a curva
característica do transistor, fornecida pelo fabricante.
Neste capítulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para
CA será abordada posteriormente.
VCC 25V
2º ponto: para V CE = 0, temos IC = = = 20mA
RC + RE 1,25kΩ
Para que o transistor opere na região linear, o ponto Q deverá ser o ponto
médio da reta de carga. No nosso exemplo o ponto médio (bem aproximado)
coincidiu com a corrente de base equivalente a 30µA.
Partindo da equação: V CC = V RC + V CE + V RE
V RC = (11,25mA).1kΩ = 11,25V
V RE = (11,25mA).250Ω = 2,812V
Então: V CC = 11,25 + 11 + 2,812 = 25,062V ≈ 25V
CONCLUSÕES:
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1. Quando um transistor opera na região de saturação ou bem próxima dela, a tensão
entre coletor e emissor (V CE) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a
corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na região de corte ou bem próxima dela, a tensão
entre coletor e emissor (V CE) tende a se igualar a V CC, pois a corrente de coletor
tende a zero.
A tensão de saturação típica para um transistor de silício é da ordem de 150 a
250mV.
Para Q 1 :
IC 18mA
β= = = 400
IB 45µA
Para Q 2:
IC 2,5mA
β= = = 250
IB 10µA
V CC = V RC + V CE + V RE = 1kΩ.(2,5mA) + 22 + 250Ω.(2,5mA)
V CC = 2,5 + 22 + 0,625 = 25,125V ≈ 25V
A reta de carga pode ser também obtida para uma configuração base comum
ou emissor comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de
uma reta de carga para uma montagem em base comum.
Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traçar a reta de
carga.
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1º ponto:
Quando IC = 0, temos V CB = V CE = V CC .
Observe que o eixo da tensão está calibrado em V CB.
Quando IC = 0, V BE = 0, como V CB = V CE - V BE , logo V CB = V CE - 0
Portanto, V CB = 25V
2º ponto:
VCC 25V
Para V CE = 0, temos: I C = = = 25mA
RC 1kΩ
Neste caso R E é o circuito de entrada da configuração base comum, sendo
então desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.
Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrônica, é preciso
garantir sua saturação para qualquer tipo de transistor, sob todas as condições de
funcionamento; variação da temperatura, correntes, β, etc.
Na prática, ao projetar uma chave eletrônica com transistor, utiliza-se a
corrente de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta
de carga, conforme mostra a figura abaixo:
VCC 12V
Considerando V CE de saturação = 0, teremos: R C = = = 600Ω
IC 20mA
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
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Deveremos então recalcular o valor de R C.
5V - 0,7V
IB = = 0,915mA
4,7 kΩ
15V
IC = = 10mA
1,5kΩ
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Portanto, a relação é válida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturação.
Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como chave de corrente.
Determinar:
As tensões em R C para os valores de 10Ω e 1000Ω
O valor de V CE nas duas condições
Determinando RE
Considerando IC = IE , temos:
A tensão de 4,3V ficará fixa, fixando também a corrente do emissor, para uma
grande gama de valores de R C, desde que o transistor opere dentro da região ativa.
Calculando VRC
Levando-se em conta que a tensão do emissor está amarrada em 4,3V então,
para os dois casos IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC ).
Para R C = 10Ω
V CE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V
Para R C = 1kΩ
V CE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma
luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2
uma queda de 2,5V. Poderá o led 2 ter sua luminosidade diminuída por necessitar de
mais tensão?
Solução:
A primeira impressão é de que realmente o led 2 terá sua luminosidade
diminuída, pois em comparação ao led 1 necessita de mais tensão em seus terminais.
No entanto como os leds estão sendo acionados por uma fonte de corrente tal
não acontecerá, conforme será mostrado nos cálculos a seguir:
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Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal então basta fixar a
corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de R E .
A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora
as tensões sejam diferentes.
2º ponto:
V CE = V CC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V
2º ponto:
V CE = V CC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V
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REGULADOR SÉRIE:
O regulador série é na realidade uma fonte de alimentação regulada mais
sofisticada em relação aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
LIMITAÇÕES:
Valores mínimos e máximos de V IN
Como V IN = V R + V Z e V R = R.IR mas I R = IZ + IB
então:
V IN = R(IZ + IB ) + V Z
PZ(MAX)
onde: IZ(MAX) =
VZ
Tensão de entrada mínima:
V IN(MIN) = (IB(MAX) + I Z(MIN) ).R + V Z ( II )
VIN(MAX) - VZ
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) = ( III)
R
VIN(MIN) - VZ
De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = ( IV )
R
IZ(MAX) VIN(MAX) - VZ
=
IZ(MIN) + IB(MAX) VIN(MIN) - VZ
PROJETO
Projetar uma fonte de alimentação estabilizada com diodo zener e transistor
com as seguintes características:
Tensão de saída (V L): 6V
Corrente de saída máxima (IL(MAX) ): 1,5A
Tensão de entrada (V IN ): 12V ± 10%
Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado deverá obdecer as seguintes características:
6
IC(MAX) é a máxima corrente que o coletor pode suportar
7
PC(MAX) é a máxima potência de dissipação do coletor
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manual do fabricante tem as especificações:
V CBO(MAX) = 45V
IC(MAX) = 2A
P C(MAX) = 25W
β > 40 < 250
Neste caso, o valor mínimo de beta é 40 e o máximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor.
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = logo: IC(MAX) = I L(MAX) -
β( MIN ) β( MIN )
0,5W
IZ(MAX) = = 73,53mA
6,8V
Teremos então na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitável.
IC(MAX) 1,46A
IB(MAX) = = = 36,5mA
β( MIN ) 40
13,2V - 6,8V
IZ(MAX) = . (8mA + 36,5mA )
10,8V - 6,8V
6,4V
IZ(MAX) = . 44,5mA = 71,2mA
4V
Cálculo de R:
Para a máxima de tensão de entrada: V IN(MAX) = 13,2V
V IN(MAX) = (R . IZ(MAX) ) + V Z
Portanto R deverá ser maior do que 87,04Ω e menor do que 89,89Ω. Adotaremos o
valor comercial mais próximo: 91Ω
REGULADOR PARALELO:
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A exemplo do regulador série, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referência.
FUNCIONAMENTO:
V Z = V CB como V Z é constante, V CB será constante
V CE = V CB + V BE , mas V CB >> V BE
logo: V CE = V CB, onde V CE = V Z
VIN(MAX) - VZ - VBE
= IZ(MAX) + IC(MAX) ( I )
R1
VIN(MIN) - VZ - VBE
= IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ( II )
R1
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
Isolando I Z(MAX):
I Z(MAX) =
VIN(MAX) - VZ - VBE
. (IZ(MIN + IC(MIN) + IL(MAX)) - IC(MAX) ( III )
VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: I C(MIN) é a corrente de coletor para uma tensão de entrada mínima. Em
muitos projetos a mesma pode ser desprezada por não ter influência significativa no
resultado final.
Corrente em R 2:
IC(MIN)
IR2 = I Z(MIN) - IB(MIN) , onde IB(MIN) =
β( MIN )
IC(MIN)
portanto: IR2 = IZ(MIN) - ( IV )
β( MIN )
Quando a tensão de entrada for máxima e a carga estiver aberta (pior
condição), um acréscimo de corrente circulará pelo diodo zener. Como V BE é
praticamente constante, essa corrente circulará pela base do transistor, daí então
teremos:
IC(MAX) = β( MIN ) . IB(MAX)
IC(MAX) = β (MIN) . (IZ(MAX) - I R2 ( V )
IB(MAX) = IZ(MAX) - IR2
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ) - β (MIN) .(IZ(MAX) -
VIN(MIN) - VZ - VBE
IR2
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + β( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE β( MIN ) + 1
Escolha do transistor:
Deverão ser observados os parâmetros:
V CEO 8 > (V Z + V BE)
IC(MAX) > I L(MAX)
P C(MAX) > (V Z + V BE) . IC(MAX)
8
VCEO é a tensão entre coletor e emissor com a base aberta
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PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes características:
V L = 15V
IL(MAX) = 600mA
V IN = 22V ± 10%
Escolha do transistor:
O transistor deverá ter as seguintes características:
V CEO = 35V
IC(MAX) = 3A
P C(MAX) = 35W
β (mínimo = 40; máximo = 120)
P Z(MAX) = 1,3W
IZ(MIN) = 20mA
V Z = 15V
PZ(MAX) 1,3W
IZ(MAX) = = = 86,67mA
VZ 15V
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + β( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE β( MIN ) + 1
IC(MIN)
Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, então como IR2 = IZ(MIN) - , I R2 = 20mA
β( MIN )
8,5V
IZ(MAX) = . (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V
Calculando P C(MAX) :
P C(MAX) = (V Z + V BE ) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
P C(MAX) = 31,24W
Calculando R 2 :
V R2 = R 2 .IR2 V R2 = V BE
VBE 0,7V
R2 = = = 35Ω (adotar 33Ω)
20mA 20mA
P R2 =
(ER2 )2 = (0,7 )2 =
0,49V
= 14,85mW
R2 33Ω 33Ω
Calculando R 1 :
VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V
R1 = = = = 6,613Ω
IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) 20mA + 600mA 620mA
OBS: I C(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V
R1 = = = = 3,94Ω
IZ(MAX) + IC(MAX) 86,67mA + 2,073A 2,16
P R1 =
(VR1) 2 (VIN(MAX) - VZ - VBE ) 2 (24,2V - 15V - 0,7V ) 2 (8,5V ) 2
= = = = 12,9W
R1 5,6Ω 5,6Ω 5,6Ω
(adotar 15W - valor comercial)
FUNCIONAMENTO:
Quando houver uma variação da tensão de entrada, a tendência é ocorrer uma
variação da tensão de saída.
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = (I)
R1
Considerando a tensão de entrada mínima
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) + I B(MAX) =
R1
IL(MAX)
mas, IB(MAX) = I L(MAX) ≈ I C(MAX) temos então:
β1( MIN )
dividindo ( I ) e ( II )
P R1 =
[(VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2
R1 (adotado)
Cálculo de R 2
Adota-se uma regra prática, onde: IR2 = 0,1.IC2
VL - VZ - VBE2(MAX)
Quando IC2 = IZ(MIN) R 2 <
0,1.IZ(MIN)
ETE ALBERT EINSTEIN - TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR I - Prof. Edgar Zuim 43
VL - VZ - VBE2(MIN)
Quando IC2 = IZ(MAX) R 2 >
0,1.IZ(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) =
R1 (adotado)
V R2 = V L - V Z - V BE2(MIN)
(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
P R2 =
R2 (adotado)
Cálculo de R 3
R3
V R3 = V L . V R3 .(R 3 + R 2 ) = V L.R 3
R3 + R2
V R3 .R 2 + V R3 .R 3 = V L .R 3 V R3 .R 2 = V L.R 3 - V R3 .R 3
V R3 .R 2 = R 3 .(V L - V R3 )
VR3 . R2
R3 = (R 2 adotado no cálculo anterior)
VL - VR3
Cálculo de potência em R 3
Em R 3 temos: V R3 = V Z + V BE2(MAX)
(VZ + VBE2(MAX) ) 2
P R3 =
R3 (adotado)
PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores
e um diodo zener de referência, que obedeça as características:
V IN = 25V ± 10%
IL(MAX) = 800mA
Tensão na carga (V L) = 12V
Escolha de T1 :
O transistor T1 deverá ter as seguintes características:
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IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A
V CEO > V IN(MAX) - V L = 27,5 - 12 = 15,5V
P C(MAX) > (V IN(MAX) - V L).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
14,9V
IZ(MAX) = . 70mA = 106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poderá ser usado.
Escolha de T2 :
O transistor T2 deverá ter as seguintes características:
V CEO = 45V
IC (MAX) = 1A
P C(MAX) = 8W
β (MIN) = 40 β (MAX) = 250
Cálculo de R 1 :
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) 27,5V - 12V - 0,6V 14,9V
R1 > = = = 58,4Ω
IZ(MAX) 255mA 255mA
P R1 =
[(VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2 (27,5V - 12,6V) 2 (14,9V) 2
= = = 2,22W
R1 (adotado) 100Ω 100Ω
(adotar 5W)
Cálculo de R 2 :
VL - VZ - VBE2(MIN) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
R2 > I Z(MAX) =
0,1.IZ(MAX) R1 (adotado)
Cálculo de R 3 :
VR3 . R2 5,7V . (560Ω) 3.192
R3 = = = = 506,67Ω adotar 470Ω
VL - VR3 12V - 5,7V 6,3
onde: V R3 = V Z + V BE2(MIN)
CONFIGURAÇÃO DARLINGTON:
A configuração Darlington
consiste na ligação entre dois
transistores na configuração seguidor
de emissor, ligados em cascata,
conforme ilustra a figura ao lado,
proporcionando em relação a um
único transistor um ganho de
corrente bastante elevado.
O ganho total de tensão é
aproximadamente igual a 1.
Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas características são:
V CBO = 80V
IC(MAX) = 4A
P C(MAX) = 36W
β (MIN) = 500 β (MAX) = 1.000
V Z = 7,5V
P Z(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA
0,4W
IZ(MAX) = = 53,33mA
7,5V
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = logo: IC(MAX) = I L(MAX) -
β( MIN ) β( MIN )
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IB(MAX))
VIN(MIN) - VZ
IC(MAX) 1,497A
IB(MAX) = = = 2,994mA
β( MIN ) 500
13,2V - 7,5V
IZ(MAX) = . (10mA + 2,994mA )
10,8V - 7,5V
5,7V
IZ(MAX) = . 12,994mA = 22,44mA
3,3V
Cálculo de R:
V IN(MAX) = (R . IZ(MAX) ) + V Z
Portanto R deverá ser maior do que 106,88Ω e menor do que 253,96Ω. Adotaremos o
valor comercial mais próximo a partir de uma média aritmética dos dois valores, que
neste caso é 180Ω.
BIBLIOGRAFIA:
Malvino, Albert Paul - ELETRÔNICA - vols. 1 e 2 - Ed. McGraw-Hill SP - 1.986
Malvino, Albert Paul - ELETRÔNICA NO LABORATÓRIO - Ed. McGraw-Hill SP
- 1.987
Boylestad, Robert - Nashelsky, Louis - DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS E TEORIA
DE CIRCUITOS - Ed. Prentice/Hall Brasil - RJ - 1.993
Volnei A. Pedroni - CIRCUITOS ELETRÔNICOS - Livros Técnicos e Ciebntíficos
Editora S.A. - RJ - 1.982
Schilling, Donald L. - Belove, Charles - ELECTRONIC CIRCUITS - McGraw-Hill
International Editions - Singapore
Horenstein, Mark N. - MICROELETRÔNICA CIRCUITOS E DISPOSITIVOS - Ed.
Prentice/Hall - RJ - 1.996
Grob, Bernard - BASIC ELECTRONICS - McGraw-Hill Kogakusha - Tokyo - 1.990
Ibrape - MANUAL DE TRANSISTORES - DADOS PARA PROJETOS - 1.990