FACULDADE DE ENGENHARIA E INOVAÇÃO TÉCNICA – FEITEP

CURSO DE ENGENHERIA ELÉTRICA

MEMÓRIAS ROM, RAM E FLASH

Aluno: Alexandre Vedovoto

R.A: 1183

Professor: Sergio

Disciplina: Circuitos Digitais

MARINGÁ, 2016
 Memórias

Memórias são dispositivos que armazenam informações. Na eletrônica digital

trataremos das memórias que armazenam informações digitalmente, podendo representar
números , letras, caracteres quaisquer, comandos de operações, endereços ou ainda qualquer
tipo de dado.

As memórias são utilizadas principalmente em computadores e periféricos.

Armazenam dados para endereçamento, programação e executar quaisquer funções de
circuitos com binacionais.

Classificação das Memórias

Podemos classificar as memórias de vários itens diferentes, segue abaixo as principais:

1. Acesso – E dado através de um conjunto de bits chamado de endereço, onde fica

localizada das informações armazenadas. Podemos acessar essa localidade de
memória de duas maneiras diferentes:
 - Acesso seqüencial – precisa passar por localidades intermediarias ate chegar a dado.
 - Acesso aleatório - através do endereço permite que se chegue diretamente ao dado.

2. Volatilidade – As memórias podem ser voláteis ou não-voláteis. As voláteis são

aquelas que perdem a informação armazenadas ao ser cortada a alimentação. As não
voláteis são aquelas que mesmo sem alimentação continuam com as informações
armazenadas. Destacam as memórias magnéticas e as eletrônicas: ROM, PROM e
EPROM.

3. Troca de dados – As memórias podem ser de escrita ou leitura ou apenas de leitura. As

memórias de escrita/leitura permitem acesso a um local para armazenar informação ,
alem de permitir o acesso a leitura do dado. As memórias de leitura são aquelas que a
informação são fixa podendo apenas efetuar a leitura, conhecidas como ROM (Read
Only Memory).

4. Tipo de armazenamento – Classificam-se em estáticas e dinâmicas.

Estrutura Geral e Organização de uma Memória

As memórias e estruturada em blocos e possui uma serie de terminais, sendo os

terminais de entrada de endereços chamados de barramento de endereços responsável por
todo o endereçamento de um sistema típico com microprocessador. Para a saída de dados
possui um bloco com serie de terminais conhecido como barramento de dados que estão
ligados ao bloco de barramento de controle.
 As memórias de maneira geral , no que se refere a quantidade armazenados, são
especificadas pela notação Nxm, onde primeira letra indica a localidade, e a segunda indica o
número de bits. Segue abaixo alguns exemplos de estruturas de memórias usuais na prática:

32x8

128x8

1Kx4

64Kx8

2Mx16

Toda a estrutura com os endereços de dados armazenados é freqüentemente colocada

em uma tabela denominada mapeamento de memória. Ex:

Notamos que memória com 256 localidades precisa de 8 fios para endereçamento (28 = 256),
identificados de A7 ate A0, sendo o endereço da localidade inicial 0016 (000000002) e da final
FF16 (11111112), Supondo que a referida memória possua 8 bits por localidade, ou seja 256x8,
sua esquematização em bloco, com barra de dados identificada de D7 ate D0.
 Memória ROM

As memórias ROM permite somente a leitura de dados nela gravados previamente em sua
fabricação. Possuem acesso aleatório e são não voláteis. Dentre as diversas aplicações,
destacamos sua utilização para o armazenamento de programas de sistemas operacionais em
computadores e outros sistemas digitais. Abaixo o bloco representativo de uma memória
ROM, com terminais e barramentos conhecidos e mais um terminal de controle (CS#), para a
habilitação do chip.

Arquitetura Interna das Memórias ROM

Abaixo a figura representa em blocos a arquitetura básica de uma ROM, genérica, com
os respectivos terminais e barramentos de entrada e saída.

O primeiro bloco consiste num decodificador de endereços que fornece nível 1 um fio
de saída por vez, em função do endereçamento.

O segundo bloco e uma matriz de dados que possibilita a gravação de dados pelo
fabricante conseqüentemente a leitura pelo usuário.
 Para a saída dos dados, a memória possui um conjunto de chaves (buffers) que
conforme a habilitação do terminal CS, possibilita a conexão das saídas nível 0, ou as deixa em
alta impedância nível 1 , desconectando-as as barras de dados.

As memórias ROM são produzidas com programações fixas para aplicações

determinadas e sob encomenda, apenas em grande quantidade, para clientes específicos e
fabricantes de equipamentos. Uma solução para o pequena usuário e a utilização das ROM
programáveis PROM e EPROM.

Memórias PROM

Permitem o armazenamento dos dados pelo próprio usuário, porém feito de modo
definitivo. Após esta programação, a memória PROM transforma-se em uma ROM, devendo
portanto ser utilizada como tal.

Memórias EPROM

São memórias programáveis e apagável, permitem a programação de modo

semelhante as PROMs, com a vantagem de poderem ser normalmente apagadas, mediante a
banho de luz ultravioleta.

Memória RAM

Permitem à escrita e a leitura dos dados e possuem acesso aleatório ou randômico. São
voláteis, são utilizadas em equipamentos digitais.

Quanto ao armazenamento são encontradas nos tipos estáticas (SRAM ou DRAM).

A figura apresenta o bloco representativo de uma memória RAM estática, com terminais
e barramentos e um terminal de controle de dupla função.

Para entendermos o funcionamento básico de uma RAM estática , temos que analisar o
circuito de uma célula básica que permite a escrita e a leitura de 1 bit de informação.

A figura abaixo mostra o bloco padrão representativo da célula da memória RAM.

Arquitetura Interna das Memórias RAM

Abaixo a figura da arquitetura de uma RAM de estrutura 4x4

Memória Flash

Estruturalmente, uma célula de memória flash é semelhante a célula com um único

transistor da EPROM, apenas um pouco maior. Ela tem uma camada de óxido mais fina na
porta que o permite o apagamento elétrico, mas pode ser construída com uma densidade
muito maior que a das EPROMs. O custo da memória flash é consideravelmente menor do que
o da EEPROM.

As memórias flash são assim chamadas em virtude dos seus tempos curtos de
apagamento e de escrita. A maioria dos CIs flash usa uma operação de apagamento total, na
qual todas as células do chip são apagadas simultaneamente.

O núcleo de arquitetura de memória flash hoje em dia e o conjunto básico de códigos

de comando são bastante semelhantes aos dispositivos da primeira geração. Os dispositivos
flash mais novos possuem novos recursos, e novos códigos de comandos para controlar esses
recursos, possuem mais capacidade, consomem menos energia elétrica, vem em encapsula
mentos menores e custam menos por bit.
 REFERÊNCIAS

Sistemas Digitais Princípios e aplicações. Ed 10º.Ronald J. Tocci, Neal S. Widmer,

Gregory L. Moss

Elementos de Eletronica Digital. Ed 40º.Ivan Valeije Idoleta, Francisco Gabriel Capuano