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UNIDADE II - FÍSICA DOS SEMICONDUTORES

Nome:______________________________________________ N°°.:_______ Turma:_______

I.1 - Introdução
Os dispositivos eletrônicos, atualmente, são feitos em sua maioria, com materiais
semicondutores.
Podemos classificar os materiais quanto à oposição ao movimento dos elétrons no interior
destes materiais. Esta característica é chamada de resistividade.
- Isolante ⇒ Alta resistividade (borracha, plástico, porcelana);
- Condutor ⇒ Baixa resistividade (cobre, ouro, prata);
- Semicondutor ⇒ Resistividade intermediária (silício, germânio, arsenieto de gálio).

II.1.1 - Condução Intrínsica

Considera-se que qualquer substância da natureza seja constituída por moléculas, que
são partes infinitamente pequenas dotadas das mesmas características da substância integral.
Por sua vez, as moléculas são formadas pela reunião de átomos, que são partículas menores
do que as moléculas e que não possuem propriedades idênticas às da substância integral.
Entretanto, do comportamento dos átomos dependerão as características da matéria por eles
formada.
O átomo é constituído por um núcleo e por uma coroa. No núcleo concentram-se
partículas pesadas, que são os prótons e os neutrons, e na coroa giram outras partículas de
massa muito menor do que a dos prótons e neutrons. São os elétrons. Os elétrons giram em
órbitas bem definidas, que compõe diversas camadas que se afastam do núcleo. A partir da
camada mais próxima do núcleo, denominam-se esses arranjos pelas letras K, L, M, N, O, P e
Q.
Nem todos os átomos têm elétrons em todas as camadas. Ás vezes o número de elétrons
só dá para preencher uma ou duas camadas.
Um átomo estável é aquele que possui em sua última camada oito elétrons (Fig. II . 1)

Os elementos químicos estáveis (que possuem oito elétrons na última camada) são os
chamados gases nobres. Todos os outros elementos químicos possuem de 1 a 7 elétrons em
sua última camada.
Os elementos que possuem três elétrons na última camada são chamados de trivalentes.
Os que possuem quatro, tetravalentes e consequentemente os que possuem cinco elétrons na
última camada, pentavalentes.
A figura seguinte nos mostra dois materiais tetravalentes muito usados na fabricação de
componentes eletrônicos, o silício e o germânio.
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A fim se tornarem estáveis (com oito elétrons na última camada), os átomos se agrupam
entre os da mesma espécie ou com outros elementos. As ligações entre os átomos podem ser
do tipo covalente ou iônica. Na ligação iônica um átomo perde um ou mais elétrons para outro
átomo. O átomo que perdeu elétron torna-se um íon positivo, pois possue agora mais prótons
que elétrons, e o que recebeu o(s) elétron(s) torna-se um íon negativo pelo mesmo motivo.

Em nosso estudo, nos interessará mais a ligação covalente. Neste tipo de ligação, os
átomos compartilham o mesmo elétron, ou seja, um mesmo elétron passa a pertencer simulta-
neamente a dois átomos. A figura abaixo ilustra o que foi mencionado.
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Uma forma de representarmos simbolicamente a ligação covalente é através de dois

traços que interligam os dois núcleos (veja a figura abaixo)

As ligações covalentes se caracterizam por manter os átomos fortemente ligados. A

associação de vários átomos através de ligações covalentes são chamadas de estruturas
cristalinas. A figura abaixo ilustra uma estrutura cristalina.

II.1.2- Bandas de Energia

O gráfico representa a distribuição das órbitas de um átomo de silício.

Quando os átomos se ligam formando um cristal, cada elétron em órbita terá um nível de
energia distinto.
O gráfico abaixo representa a distribuição de órbitas de todos os átomos do cristal de
silício.

As Bandas de energia mais externas serão as mais importantes para o nosso estudo.
a) Banda de Condução (BC) ⇒ Formada pelos elétrons livres;
b) Banda Proibida (BP) ⇒ Banda intermediária onde não existem elétrons;
c) Banda de Valência (BV) ⇒ Formada pelos elétrons de valência.
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A figura abaixo ilustra estas bandas.

As figuras abaixo mostram a classificação dos materiais usando as bandas de energia.

II.2 - Condução de corrente em cristais intrínsicos (puros)

Se os elétrons que estão na banda de valência receberem energia, eles passarão para a
banda de condução, tornando-se elétrons livres.
No entanto teremos a quebra da ligação covalente, isto é aparecerão "espaços vazios" na
banda de valência. Estes espaços vazios são chamados de lacunas.
As figuras abaixo mostram esta situação.

- Movimento de elétrons e lacunas.

As figuras abaixo ilustram a movimentação das lacunas

Devido a temperatura, um elétron recebe energia e passa para a banda de condução

deixando uma lacuna na banda de valência.
Esta lacuna pode ser ocupada pelo elétron que está em "a" deixando uma lacuna em "a".
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Da mesma forma o elétron de "b" pode ocupar a lacuna em "a" aparecendo uma lacuna
em "b". Este movimento ocorre em cadeia, de forma que teremos:
movimento de elétrons de "e" ⇒ "a"
movimento de lacunas de "a" ⇒ "e"
Logo o movimento aparente de lacunas na BV, ocorre em sentido contrário ao de elétrons.

II.3 - Semicondutores dopados (cristais extrínsicos ou impuros)

Um semicondutor passa apresentar determinadas características especiais quando são
introduzidas ao cristal puro quantidades controladas de certos tipos de impurezas
pentavalentes ou trivalentes. Este processo de introdução de impurezas em um cristal
previamente purificado chama-se dopagem, e o cristal dopado passa a chamar-se cristal
extrínsico.
A introdução de impurezas aumenta substancialmente a condutividade do material, em
relação à que existia no cristal puro, embora a quantidade de impureza seja muito pequena.
Conforme a impureza introduzida, consegue-se um cristal tipo N ou um cristal tipo P,
como se apresenta a seguir.

II.3.1 - Cristal tipo N

Neste caso são colocados átomos de impureza pentavalentes (5 elétron na última
valência). Exemplos: arsênio, fósforo e estanho.

O esboço bidimensional do cristal dopado com impureza pentavalente é mostrado abaixo.

As características deste cristal serão:

- O átomo de impureza é chamado de doador e se tornará um íon +;
- Devido a temperatura ambiente, alguns elétrons sempre passarão para a banda de condução
deixando lacunas na banda de valência;
- Teremos muitos elétrons livres na banda de condução, devido a dopagem (portadores
majoritários);
- Teremos poucas lacunas na banda de valência, devido a temperatura. (portadores
minoritários). A figura abaixo ilustra esta situação.
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II.3.2 - Cristal tipo P

Neste caso são colocados átomos de impureza trivalentes (3 elétrons na última camada
de valência). Exemplo: alumínio, índio e gálio.

A Fig.II.17 traz o esboço bidimensional do cristal dopado com impureza trivalente.

As características deste cristal serão:

- Se o átomo de impureza receber um elétron, ele será chamado de aceitador e se tornará um
íon -;
- Devido à temperatura, sempre alguns elétrons passarão para a banda de condução, deixando
lacunas na banda de valência;
- Teremos muitas lacunas na banda de valência, devido a dopagem (portadores majoritários);
- Teremos poucos elétrons livres na banda de condução, devido à temperatura (portadores
minoritários.
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Os cristais P e N não têm muitas aplicações práticas pois comportam-se como um

elemento resistivo qualquer que terá o valor sua resistência em função da dopagem e da
temperatura (fatores que influenciam no número de portadores nos cristais).
As figuras a seguir ilustram a condução nos cristais P e N

Observe que os cristais conduzem a corrente elétrica independente da polaridade da

bateria.
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II.4 - A junção PN
Até agora foram estudados os cristais P e N isoladamente, cujas propriedades
apresentam limitadas aplicações. Na realidade, a maior aplicação destes cristais está na
obtenção de determinados componentes, conseguidos com a união de dois ou mais
semicondutores P e N.
Já se sabe que no cristal tipo N, onde se introduz impurezas doadoras, o átomo doador
neutro cede um elétron, que não participa da ligação covalente, tornando-se um íon positivo.
No cristal P, dopado com átomos aceitadores, cada átomo aceitador recebe um elétron do
cristal original, tornando-se um íon negativo. Isto implica em que surja outra lacuna na ligação
covalente do cristal, que comporta-se como uma carga positiva.
Deve-se lembrar, ainda, dos portadores minoritários de corrente, gerados pela absorção
de energia do meio ambiente.
Com estas considerações, pode-se representar os cristais extrínsicos, esquematicamente,
como a seguir.

Chama-se junção PN à união de um cristal tipo P com um cristal tipo N, que resultará em
um dispositivo de características totalmente diversas das apresentadas pelos cristais
individualmente.
Na região da junção alguns elétrons livres saem do material N e passam para o material
P, recombinando-se com as lacunas mais próximas do cristal P. (veja abaixo)

O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para o material N e se
recombinam com os elétrons livres. (veja abaixo)

Este movimento de portadores majoritários é chamado de corrente de difusão.

Forma-se na junção uma região onde não existem portadores de carga, porque estão
todos recombinados, neutralizando-se. Esta região é denominada de região de exaustão ou
região de deplexão.
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Como conseqüência da passagem de cargas de um cristal para o outro cria-se um

desequilíbrio elétrico na região da junção.
Os elétrons que se movimentaram do material N para o P criam um potencial elétrico
negativo. Da mesma forma, as lacunas que se movimentaram para o material N geram um
pequeno potencial elétrico positivo.
As figuras a seguir demonstram o que foi dito anteriormente.

Este desequilíbrio elétrico é chamado de barreira de potencial que impede a continuação

da corrente de difusão pois a barreira de potencial é NEGATIVA cristal P e POSITIVA no cristal
N. A tensão proporcionada pela barreira de potencial depende do material utilizado na
fabricação dos cristais. Se os cristais são de germânio a barreira de potencial tem 0,3V
aproximadamente e quando são de silício aproximadamente 0,7V. Vale a pena ressaltar que
não é possível medir esta voltagem nas extremidades da junção porque no todo a junção
continua neutra (número de cargas positivas = número de cargas negativas).
Teremos também, devido a energia cedida pelo meio ambiente, o surgimento dos
portadores minoritários (elétrons em P e lacunas em N). Estes portadores também entrarão em
movimento, ou seja, elétrons de P ⇒ N e lacunas de N ⇒ P. Este movimento é chamado de
corrente de saturação.
Na junção PN as correntes de difusão e saturação são iguais e em sentido contrário. A
corrente de difusão depende da dopagem e a corrente de saturação depende do meio
ambiente.
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II.4.1 - A junção PN polarizada reversamente

Com a polarização reversa, a região P ficará mais negativa a região N mais positiva,
ocasionando um aumento na barreira de potencial da junção. Em conseqüência o processo de
difusão desaparece quase completamente e a corrente de difusão cai praticamente a zero. A
corrente de saturação permanece, pois a barreira de potencial sempre a favorece. Se a
temperatura ambiente permanecer constante, a corrente de saturação não aumentará porque o
número de portadores minoritários ficará inalterado.

II.4.2 - A junção PN polarizada diretamente

A Fig.II.22 ilustra a polarização direta. Com este arranjo, a região P torna-se menos
negativa e a região N torna-se menos positiva. Haverá, pois, uma redução enorme na barreira
de potencial.
Com a redução da barreira de potencial a difusão é facilitada e a corrente de difusão
aumenta enormemente. Não será possível a anulação total da barreira de potencial, porque
sempre haverá recombinação entre elétron e lacunas na região próxima da junção dos
materiais
A corrente de portadores majoritários (corrente de difusão) formará a corrente externa
ID.

II.4.3 - Conclusão
A junção PN apresenta o seguinte comportamento:

- Polarização reversa ⇒ alta resistência

- Polarização direta ⇒ baixa resistência

Chamamos de diodo ao elemento que apresenta este comportamento.

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