Fonte comum Dreno comum Porta comum

AVo −𝑔# $ 𝑟& 1 1 + 𝑔# $ 𝑟&

1 𝑅+
Rin ∞ ∞ +
𝑔# 1 + 𝑔# 𝑟&
1
Rout 𝑟& 𝑟& + 𝑅,-. 1 + 𝑔# 𝑟&
𝑔#
 Fonte comum Dreno comum Porta comum

AVo −𝑔# $ 𝑟& 1 1 + 𝑔# $ 𝑟&

1 𝑅+
Rin ∞ ∞ +
𝑔# 1 + 𝑔# 𝑟&
1
Rout 𝑟& 𝑟& + 𝑅,-. 1 + 𝑔# 𝑟&
𝑔#
 Fonte comum Dreno comum Porta comum

AVo −𝑔# $ 𝑟& 1 1 + 𝑔# $ 𝑟&

1 𝑅+
Rin ∞ ∞ +
𝑔# 1 + 𝑔# 𝑟&
1
Rout 𝑟& 𝑟& + 𝑅,-. 1 + 𝑔# 𝑟&
𝑔#
 Fonte comum Dreno comum Porta comum

AVo −𝑔# $ 𝑟& 1 1 + 𝑔# $ 𝑟&

1 𝑅+
Rin ∞ ∞ +
𝑔# 1 + 𝑔# 𝑟&
1
Rout 𝑟& 𝑟& + 𝑅,-. 1 + 𝑔# 𝑟&
𝑔#
 Fonte comum Dreno comum Porta comum
1
Gm −𝑔# 𝑔#
𝑟&
+ 𝑔#
1 𝑅+
Rin ∞ ∞
𝑔#
+
1 + 𝑔# 𝑟&
1
Rout 𝑟&
𝑔#
𝑟& + 𝑅,-. 1 + 𝑔# 𝑟&
 Fonte comum Dreno comum Porta comum
1
Gm −𝑔# 𝑔#
𝑟&
+ 𝑔#
1 𝑅+
Rin ∞ ∞
𝑔#
+
1 + 𝑔# 𝑟&
1
Rout 𝑟&
𝑔#
𝑟& + 𝑅,-. 1 + 𝑔# 𝑟&
 Fonte comum Dreno comum Porta comum
1
Gm −𝑔# 𝑔#
𝑟&
+ 𝑔#
1 𝑅+
Rin ∞ ∞
𝑔#
+
1 + 𝑔# 𝑟&
1
Rout 𝑟&
𝑔#
𝑟& + 𝑅,-. 1 + 𝑔# 𝑟&
 Fonte comum Dreno comum Porta comum

∞ ∞
1 𝑅+
Rin 𝑔#
+
1 + 𝑔# 𝑟&
 RSig Rout 1 Rout 2

Avo 2∙vint
Avo 1∙vin
vSig + +
+

Rin 2
Rin 1

vin vint vout RL

– – –
iin Rout 1 Rout 2
𝑣-/

Avo 2∙vint
Avo 1∙vin
+ + + 𝑅-/ 01 =
𝑖-/

Rin 2
Rin 1

vin vint vout RL

– – – = 𝑅-/ 5

RSig Rout 1 Rout 2 ix

Avo 2∙vint
Avo 1∙vin

+ + +

Rin 2
Rin 1

vin vint vout

– – –

𝑣&67
𝑅&67 01 = = 𝑅&67 9
𝑖8
 RSig Rout 1 Rout 2

Avo 2∙vint
Avo 1∙vin
vSig + +
+

Rin 2
Rin 1
vin vint vout
– – –
 RSig Rout 1 Rout 2

Avo 2∙vint
Avo 1∙vin
vSig + +
+

Rin 2
Rin 1

vin vint vout RL

– – –

Rout 2
𝑅-/ 01 = 𝑅-/ 5
Avo Eq∙vin

+ +
𝑅&67 01 = 𝑅&67 9
Rin 1

vin vout

– –
 RSig
vSig

Gm 2∙vint
+ +

Gm 1∙vin
iout
vin vint
– Rin 1 Rout 1 – Rin 2 Rout 2

𝑖&67
𝐺# 01 = ;
𝑣-/ <
= >?
 RSig
vSig

Gm 2∙vint
+ +

Gm 1∙vin
iout
vin vint RL
– Rin 1 Rout 1 – Rin 2 Rout 2

iout
𝑅-/ 01 = 𝑅-/ 5
+
Gm eq∙vin

vin 𝑅&67 01 = 𝑅&67 9

Rin 1 Rout 2
–
 RSig Rout 1
... Rout n

Avo n∙vin n
Avo 1∙vin
+ + +

Rin n
...
Rin 1

vin vin 2 vout RL

vSig – – –

Rout eq
𝑅-/ 01 = 𝑅-/ 5
Avo Eq∙vin

+ +
Rin eq

vin vout 𝑅&67 01 = 𝑅&67 /

– – 𝐴A& 01 ≤ 𝐴A& 5$ 𝐴A& 9 ⋯ 𝐴A& /
 Fonte Dreno
Porta comum 𝑅-/ 01 = 𝑅-/ 5
comum comum
AVo −𝑔# $ 𝑟& 1 1 + 𝑔# $ 𝑟&
1 𝑅+
Rin ∞ ∞ +
𝑔# 1 + 𝑔# 𝑟&
1
Rout 𝑟& 𝑟& + 𝑅,-. 1 + 𝑔# 𝑟&
𝑔# 𝑅&67 01 = 𝑅&67 9
*circuito de
polarização vint
omitido
vin
vout
RSig
𝑅-/ 9
RL 𝐴A& 01 = 𝐴A& 5$ 𝐴A& 9 $
𝑅-/ 9 + 𝑅&67 5
vSig
 Fonte Dreno
Porta Comum
Comum Comum
1
Gm −𝑔# 𝑔# + 𝑔#
RL 𝑟&
1 𝑅+
Rin ∞ ∞ +
vout 𝑔# 1 + 𝑔# 𝑟&
1
Rout 𝑟& 𝑟& + 𝑅,-. 1 + 𝑔# 𝑟&
𝑔#
vin
𝑅-/ 01 = 𝑅-/ 5 𝐺# 01 = 𝐺# 5$ 𝐺# 9 𝑅-/ 9 // 𝑅&67 5
RSig

vSig

𝑅&67 01 = 𝑅&67 9
 Exemplo
Um amplificador de tensão para pequenos sinais é constituído por dois
estágios de amplificação. O primeiro estágio é formado por um amplificador
de fonte comum degenerada e o segundo por um amplificador de
transcondutância. Em seu ponto de operação, o transistor do amplificador
de fonte comum degenerada apresenta uma resistência ro1 = 4 kΩ e uma
transcondutância gm1 = 80 mS. O segundo estágio de amplificação apresenta
resistência de entrada Rin2 = 500 Ω, resistência de saída Rout2 = 9 kΩ e
ganho de transcondutância Gm2 = 100 mS. Determinar o valor da resistência
de degeneração RS que assegura um ganho global de tensão da estrutura
com módulo igual a 500 para uma carga RL = 1 kΩ.
 Avo 2∙vint
Avo 1∙vin
vSig Rout 2 +
RSig + Rout 1 +

Rin 2
Rin 1
vin vint vout RL
– – –
+
vi
−

vi+
+
vi
−
vi−
vi+

𝑣-E
vi− 𝑡
10 mV

𝑣-F
10 mV

𝑡
𝒗𝒊 𝒅𝒊𝒇 𝒗𝒊 𝒅𝒊𝒇 𝑣- G-H
𝟐 𝟐 𝑣-E = −𝑣-F =
2
vi+

𝑣-E
vi−
𝑡
10 mV
𝑣-F
𝑡
10 mV
vi cm
𝑣-E = 𝑣-F = 𝑣- O#
vi+

vi−

𝒗𝒊 𝒅𝒊𝒇 𝒗𝒊 𝒅𝒊𝒇

𝑣- G-H = 𝑣-5 − 𝑣-9 𝟐 𝟐

𝑣-5 + 𝑣-9 vi cm
𝑣- O# =
2
 RSig iin iout

vin vout
vSig
RL
 RSig iin iout

+ +
vSig vin vout RL
– –
 iout
RSig iin
vin +
vSig vout RL
–

iout
RSig iin
+ vout
vSig vin RL
–
 Rout iin iout

+ + AiS∙iin
vin vout
Rin AVo∙vin Rin
– – Rout

iIn iout

+ Gm∙vin
Rout +
vout vin
Rin Rm∙iin Rin Rout
– –
 1 v
ID, VGS, VDS, ...

a b
Rin dif, Rout dif, Avo dif Rin cm, Rout cm, Avo cm
 vout+ vout−

vin+ vin−

vBias
 vout+ vout−
RL
+ vout −
vin+ vin−
RSig

vSig RSS
 vout+ vout−
RL
+ vout −
vin+ vin−
RSig

vSig RSS

iout
RSig vin+ G1 vout−
D1 vout+ RL D2
+
+ vout −

gm∙vgs2
gm∙vgs1

ro ro
vSig vin
vin− −

G2 S1, S2 RSS
 𝑅+ 𝑅+
2 2
vout+ vout−
+ vout −
𝑅P-. vin+ vin− 𝑅P-.
2 2

vSig RSS

𝑅P-. 𝑅+ 𝑅+
2 vin+ G1 v
D2
−
D1 vout+ 2 2 out

+
+ vout −

gm∙vgs2
gm∙vgs1

vSig ro iout ro
vin
vin− −
𝑅P-. G2 S1, S2 RSS
2
 𝑅+ 𝑅+
2 2
vout+ vout−
+ vout −
𝑅P-. vin+ vin− 𝑅P-.
2 2

vSig+ vSig−
RSS

𝑅P-. 𝑅+ 𝑅+
2 vin+ G1 v
D2
−
D1 vout+ 2 2 out

+
+ vout −

gm∙vgs2
gm∙vgs1

vSig+ ro iout ro
vin
vin− −

vSig− 𝑅P-. G2 S1, S2 RSS

2
 a
𝑅+ 𝑅+
2 2 𝑣
𝑣&67 G-H &67 G-H
−
2 + vout dif − 2
𝑅P-. vin+ vin− 𝑅P-.
2 2

𝑣-/ G-H 𝑣-/ G-H

RSS
−
2 2

𝑅P-. 𝑣&67 G-H 𝑅+ 𝑅+ 𝑣&67 G-H

−
2 vin+ G1 D1 2 2 2 2 D2
𝑣-/ G-H +
+ vout dif −

gm∙vgs2
gm∙vgs1

ro iout dif ro
2 vin
vin− −

−
𝑣-/ G-H 𝑅P-. G2 S1, S2 RSS
2 2
 𝑅+
2
a
𝑣&67 G-H
2
𝑅P-. vin+
2

𝑣-/ G-H
2

𝑅P-. 𝑣&67 G-H

2 vin+ iout
D1 2 dif

𝑣-/ G-H
G1
gm∙vgs1

ro 𝑅+
2
2

S1, S2
 𝑅P-. 𝑅P-. 𝑣&67 G-H
𝑣&67 G-H
2 vin+ ix
2 vin+
D1 2 D1 2
𝑣-/ G-H G1

gm∙vgs1
G1
gm∙vgs1
ro ro
2

S1, S2 S1, S2

𝑅-/ G-H
vin+ iout
D1 dif
gm∙vgs1

𝑣-/ G-H 𝑅P-.

2
G1 ro
2
S1, S2
 𝑅+
2
a
𝑣&67 G-H
2
𝑅P-. vin+
2
𝑅-/ G-H → ∞ 𝐴Q& G-H = −𝑔# $ 𝑟&

𝑣-/ G-H
𝑅&67 G-H = 2𝑟&
2

−gm ro ∙vin dif

𝑅P-. 𝑣&67 G-H 2ro
2 vin+ iout +
D1 2 dif
+
𝑣-/ G-H vin dif vout dif
G1
gm∙vgs1

ro 𝑅+ –
2 –
2

S1, S2
 𝑅+
2
iout dif
a
𝑅P-. vin+
𝑔#
2
𝑅-/ G-H → ∞ 𝐺# G-H =−
2
𝑣-/ G-H
𝑅&67 G-H = 2𝑟&
2
iout dif
𝑅P-. 𝑣&67 G-H
2 vin+ iout +
D1 2ro

∙vin dif
dif
2
𝑣-/ G-H vin dif
G1
gm∙vgs1

ro 𝑅+ –
2

.#
9
2

S1, S2 −
 b
𝑅+ 𝑅+
2 2

+ vout cm −
𝑅P-. vin+ vin− 𝑅P-.
2 2

𝑣-/ O# 𝑣-/ O#
RSS

𝑅P-. 𝑅+ 𝑅+
2 vin+ G1 v
D2
−
D1 vout+ 2 2 out

+
+ vout cm −

gm∙vgs2
gm∙vgs1

𝑣-/ O# ro ro
vin
vin− −

𝑣-/ O# 𝑅P-. G2 S1, S2 RSS

2
 b
𝐴Q& O# = 0
𝑅+ 𝑅+
2 2

+ vout cm −
𝑅P-. vin+ vin− 𝑅P-.
2 2
vin cm

𝑣-/ O# 𝑣-/ O# +
RSS
vout cm = 0
vin cm
–
 b
𝐺# O# = 0
𝑅+ 𝑅+ iout cm
2 2

𝑅P-. vin+ vin− 𝑅P-.

2 2
vin cm iout cm = 0

𝑣-/ O# 𝑣-/ O#
RSS

vin cm
 RL

vin+ vout vin−

RSig

vSig RSS
 𝑅+

𝑅P-. vin+ vout vin− 𝑅P-.

2 2

vSig+ vSig−
RSS

𝑅P-.
iout
2 vin+ G1 D1 vout D2
+ 𝑅+

gm∙vgs2
gm∙vgs1

vSig +
ro ro
vin
vin− −

vSig− 𝑅P-. G2 S1, S2 RSS

2
 a
𝑅+

𝑅P-. vin+ vin− 𝑅P-.

2
𝑣&67 G-H 2

𝑣-/ G-H
v𝑣-/+ G-H
Sig RSS
vSig− −
2 2

𝑅P-. iout dif

2 vin+ G1 D1 𝑣&67 G-H D2
𝑣-/ G-H +
𝑅+

gm∙vgs2
gm∙vgs1

ro ro
2 vin
vin− −

−
𝑣-/ G-H 𝑅P-. G2 S1, S2 RSS
2 2
 𝑅+
a
𝑣&67 G-H
𝑅P-. vin+
2

𝑣-/ G-H
2

𝑅P-.
2 vin+ 𝑣&67 G-H iout
D1 dif

𝑣-/ G-H
G1
gm∙vgs1

ro 𝑅+
2

S1, S2
 𝑅P-. 𝑅P-.
𝑣&67 G-H 2 vin+ 𝑣&67 G-H ix
2 vin+
D1 D1
𝑣-/ G-H G1

gm∙vgs1
G1
gm∙vgs1
ro ro
2

S1, S2 S1, S2

𝑅-/ G-H
vin+ iout
D1 dif
gm∙vgs1

𝑣-/ G-H 𝑅P-.

2
G1 ro
2
S1, S2
 𝑅+
a
𝑣&67 G-H
𝑅P-. vin+ −𝑔# $ 𝑟&
2
𝑅-/ G-H → ∞ 𝐴Q& G-H =
2
𝑣-/ G-H
𝑅&67 G-H = 𝑟&
2

ro
𝑣&67 G-H vout dif
Rsig/2 vin+ D1 +

$ 𝑣-/ G-H
𝑣-/ G-H vin dif
G1
gm∙vgs1

ro 𝑅+ –
2

𝑔# 𝑟&
2
S1, S2

−
 𝑅+ iout dif
a
𝑅P-. vin+
𝑔#
2
𝑅-/ G-H → ∞ 𝐺# G-H =−
2
𝑣-/ G-H
𝑅&67 G-H = 𝑟&
2
iout dif
iout dif
Rsig/2 vin+ D1 + ro

∙vin dif
𝑣-/ G-H vin dif
G1
gm∙vgs1

ro 𝑅+ –
2

.#
9
S1, S2 −
 b
𝑅+

𝑅P-. vin+ vout cm vin− 𝑅P-.

2 2

𝑣-/ O# 𝑣-/ O#
RSS

𝑅P-.
2 vin+ G1 𝑣&67 O# iout cm D2
D1
+
𝑅+

gm∙vgs2
gm∙vgs1

𝑣-/ O# ro ro
vin
vin− −

𝑣-/ O# 𝑅P-. G2 S1, S2 RSS

2
 b
𝑅+

𝑅P-. vin+ vout cm

2
𝐴Q& O# = −𝑔# $ 𝑟&
𝑣-/ O#
𝑅-/ O# → ∞
2RSS
𝑅&67 O# = 𝑟& + 2𝑅,, 1 + 𝑔# 𝑟&

vin+ 𝑣&67 O#
D1 𝑟& + 2𝑅,, 1 + 𝑔# 𝑟&
𝑣-/ O#

vin cm vout cm
𝑅P-. G1
gm∙vgs1

ro

−𝑔# 𝑟& $ 𝑣-/ O#

2 𝑅+

vin cm
S1, S2
2RSS
 vBias

vin+ vin− vout+ vout−

vout+ vout−
vBias 2 vBias 2

vout+ vout− vin+ vin−

vBias

vBias 1
vin+ vin−
 𝐴A G-H
𝐶𝑀𝑅𝑅 = 𝐶𝑀𝑅𝑅-G0VW → ∞
𝐴A O#

VDD

RL RL

Ganho de modo comum não nulo + vout −

vin+ vin−
Desequilíbrio devido a:
descasamento entre transistores (W/L, Vt)
descasamento entre resistores RSS
 Exemplo
Considere o seguinte amplificador com dois transistores idênticos, tensão de entrada
diferencial 𝑣-/ = 𝑣-/5 − 𝑣-/9 e tensão de polarização VG de modo a assegurar o
funcionamento em região de saturação. Desconsiderar a modulação do comprimento dos
canais dos transistores. São dados: µn·Cox = 500 µA/V2; VDD
WMOS = 5 µm; LMOS = 0,5 µm; ISS = 5 mA,
VG = 1,5 V; Vt = 0,5 V; RL1 = RL2 = 42 kΩ.
Esboçar o sinal de saída diferencial 𝑣&67 em função RL1 RL2
do tempo para as seguintes tensões de entrada.
𝑣-/ 5 + vout −
𝑡
11 mV vin 1 vin 2
𝑣-/ 9 ISS
𝑡 VG VG
9 mV
 𝑣-/ 5 𝑣-/ 9
𝑡 𝑡
11 mV 9 mV

𝑅P-. 𝑣&67 G-H

2 vin+
D1 2
𝑣&67 420 mV
𝑣-/ G-H
G1
gm∙vgs1

2 𝑅+ 𝑡

S1, S2
 Exemplo
Considere o seguinte amplificador com dois transistores idênticos, tensão de entrada
diferencial 𝑣-/ = 𝑣-/5 − 𝑣-/9 e tensão de polarização VG de modo a assegurar o
funcionamento em região de saturação. Desconsiderar a modulação do comprimento dos
canais dos transistores. São dados: µn·Cox = 500 µA/V2; VDD
WMOS = 5 µm; LMOS = 0,5 µm; ISS = 5 mA,
VG = 1,5 V; Vt = 0,5 V.
(a)Para RL1 = 40 kΩ e RL2 = 44 kΩ, determinar o RL1 RL2
valor positivo de tensão contínua de offset a ser
aplicado em série com vin1 para que a tensão de + vout −
saída seja nula quando não for aplicado sinal de
entrada.
(b) Aplicando a tensão determinada no item (a), e vin 1 vin 2
considerando um terra virtual de pequenos sinais
na fonte dos transistores, determinar o ganho de ISS
tensão diferencial para RL1= 40 kΩ e RL2 = 44 kΩ. VG VG
 IO = f (Iref)

IRef Espelho de
corrente
 Desconsiderando a modulação do canal:
VGS > Vt
M1 saturado:
VDS > VGS −Vt 1 𝑊5
1 𝑊 𝐼<0H = µ/ 𝐶&8 𝑉], − 𝑉7 ²
𝐼j = µ/ 𝐶&8 𝑉 − 𝑉7 ² 2 𝐿5
2 𝐿 ],
Se M2 saturado: (𝑉` > 𝑉], − 𝑉7 )
1 𝑊9
IRef IO 𝐼` = µ/ 𝐶&8 𝑉], − 𝑉7 ²
VO 2 𝐿9

M1 M2 𝐼` 𝑊9 ⁄𝐿9
=
𝐼<0H 𝑊5 ⁄𝐿5
 Considerando a modulação do canal:
VGS > Vt IO depende de VO
VDS > VGS −Vt
1 𝑊 Resistência de saída finita
𝐼j = µ/ 𝐶&8 𝑉 − 𝑉7 ² 1 + λ𝑉j,
2 𝐿 ],

IO
IRef IO IRef
VO

M1 M2
VO
VGS - Vt VGS
 IRef IO Cálculo da resistência de saída
VO
Modelo equivalente para pequenos sinais

M1 M2 G1, D1, G2 D2
ix

gm2∙vgs2
+
ro2
1/gm1 vgs2 vx
–
S1, S2
 IO
IRef
M3

M1 M2
 Exemplo
Desprezando o efeito de modulação do canal, e considerando todos os transistores em
saturação, determinar a corrente de saída para IRef = 1 mA. Considerar W1 = 10 µm;
W2 = 20 µm; WN3 = 30 µm e todos os transistores com L = 1 µm.

IO
IRef
M3

M1 M2
 IO
IRef
M3

M1 M2
 Cálculo da resistência de saída

IO Modelo equivalente para pequenos sinais

IRef iOUT

gm3∙vgs3
D3
ro3
M3 vOUT
D1, G3
S3, D2, G1, G2
+ vgs3 – +
gm1∙vgs1

ro1 vgs1 1/gm2

M1 M2 – S1, S2

𝑔#5𝑔#m𝑟&5𝑟&m
𝑅&67 ≈
𝑔#9
 Espelho de IO = f (Iref)
IRef
corrente

Espelho de IO = f (Iref)
IRef
corrente
 M1 M1 M2
M2

IRef M3
IO
IRef
IO
 𝑉jj − 𝑉], 1 𝑊
VDD 𝐼<0H = = µ/ 𝐶&8 𝑉], − 𝑉7 ²
𝑅 2 𝐿

R IRef

Corrente depende do valor de VDD

Valores de R e Vt dependem da temperatura
Precisão do valor de R pode ser insuficiente
 Exemplo
Desprezando o efeito de modulação do canal, e considerando todos os transistores em
saturação, determinar a corrente sobre cada um dos transistores. Considerar R = 500 Ω;
VDD = 1,5 V; WN1 = 10 µm; WN2 = 20 µm; WN3 = 40 µm; WP1 = 20 µm; WP2 = 40 µm;
WP3 = 5 µm.
Considerar os transistores com µn·Cox = 400 µA/V2 ; Vtn = 0,5 V; L = 0,5 µm.
VDD
VDD P2
P1 P3
R

N1
N2 N3
 VDD
VDD
P1 P2 P3
R
N1
N2 N3
 𝑅+

vin+ vin− 𝑅P-.

𝑔# $ 𝑟&
𝑅P-. vout
𝐴Q& G-H = −
2 2
2
𝐴Q& O# = −𝑔# $ 𝑟&
vSig+ vSig−
RSS

𝑅P-.
2 vin+ G1 D1 vout 𝑅+ D2
+

gm∙vgs2
gm∙vgs1

vSig+ ro ro
vin
vin− −

vSig− 𝑅P-. G2 S1, S2 RSS

2
 𝑅+

vin+
vout
vin− 𝑅P-.
𝑔# $ 𝑟&
𝑅P-.
𝐴Q& G-H =
2 2
2
𝐴Q& O# = 𝑔# $ 𝑟&
vSig+ vSig−
RSS

𝑅P-.
2 vin+ G1 𝑅+ vout
D1 D2
+

gm∙vgs2
gm∙vgs1

vSig+ ro ro
vin
vin− −

vSig− 𝑅P-. G2 S1, S2 RSS

2
 𝑅+

𝑔# 𝑟& ∥ 𝑅+
vout 𝑔# $ 𝑟& 𝐴Q G-H =
𝑅P-. vin+ vin− 𝑅P-. 𝐴Q& G-H = 2
2 2 2
𝐴Q& O# = 𝑔# $ 𝑟& 𝐴Q O# > 0
vSig+ vSig−
RSS

𝑅P-.
2 vin+ G1 𝑅+ vout
D1 D2
+

gm∙vgs2
gm∙vgs1

vSig+ ro ro
vin
vin− −

vSig− 𝑅P-. G2 S1, S2 RSS

2
 VDD
Carga ativa
P1 P2

vout SP1, SP2

–

gmP∙vgs P2
1/gmP
vgs P2 roP
vin+ vin−
N1 N2 +
GP1, DP1, GP2 DP2

Avo N ∙vin vout

Par diferencial Rout N

ISS + vin –
vin+ vin−
 Carga ativa VDD
a
P1 P2 𝐴Q G-H = 𝑔#o 𝑟&o //𝑟&q

vout SP1, SP2

–

gmP∙vgs P2
1/gmP
vgs P2 roP
vin dif/2 −vin dif/2
N1 N2 +
GP1, DP1, GP2 DP2

−gmN roN ∙vin dif vout

Par diferencial ISS

2roN
+ vin dif –
vin dif/2 −vin dif/2
 Carga ativa VDD
b
P1 P2

vout SP1, SP2

–

gmP∙vgs P2
1/gmP
vgs P2 roP
vin cm vin cm
N1 N2 +
GP1, DP1, GP2 DP2

0∙vin cm vout

Par diferencial ISS

vin cm vin cm
 Carga ativa VDD
b
P1 P2 𝐴Q O# = 0

vout SP1, SP2

–

gmP∙vgs P2
1/gmP
vgs P2 roP
vin cm vin cm
N1 N2 +
GP1, DP1, GP2 DP2

vout

Par diferencial ISS

vin cm vin cm
 iout
+ +
vin
−
− vout

OTA genérico

iout

+ Gm∙vin vout
vin
– Rin Rout
 iout
+ +
vin
−
− vout

OTA ideal

iout

+ Gm∙vIN vout
𝑅-/ → ∞
vIN
𝑅&67 → ∞ –
 Fonte Dreno
Porta Comum
Comum Comum
1
Gm −𝑔! 𝑔! + 𝑔!
RL 𝑟"
1 𝑅#
Rin ∞ ∞ +
vout 𝑔! 1 + 𝑔! 𝑟"
1
Rout 𝑟" 𝑟" + 𝑅$%& 1 + 𝑔! 𝑟"
𝑔!
vin
𝑅-/ 01 = 𝑅-/ 5 𝐺# 01 = 𝐺# 5$ 𝐺# 9 𝑅-/ 9 // 𝑅&67 5
RSig
𝑅-/ 01 → ∞ 𝐺# 01 ≈ −𝑔#
vSig
𝑅&67 01 = 𝑅&67 9
𝑅&67 = 𝑟&5 + 𝑟&9 + 𝑔#9𝑟&5𝑟&9
 VDD

iout

vout

vin+ vin−
 VDD

iout
vout

vin+ vin−
 + + vout
vin
− −

Amp-op genérico

vout

+ Rout
vin
Rin Avo∙vin
–
 + + vout
vin
− −

Amp-op ideal

vout

𝑅-/ → ∞ +
vin
𝑅&67 = 0 –
Avo∙vin
 VDD

vin+ vin−

vout
 VDD

vin+ Estágio de entrada: vin−

par diferencial
vout
 VDD

Carga ativa do
estágio de entrada
vin+ vin−

vout
 VDD

vin+ vin−

vout

Polarização
 VDD

2º estágio:
fonte comum

vin+ vin−

vout
 VDD

Estágio de saída:
dreno comum

vin+ vin−

vout
 Exemplo
Determinar a tensão de saída em função do tempo para o seguinte amplificador operacional com a tensão
de entrada fornecida. Considerar que todos os transistores estão na saturação e têm o mesmo valor de
comprimento de canal, desprezar o efeito de modulação do canal de N1, N4, N5 e N7 e que o capacitor se
comporta como um curto-circuito na frequência do sinal de entrada.
São dados: µn·Cox = 250 µA/V2 ; µP·Cox = 500 µA/V2; λN = λP = 0,02 V-1; L = 250 nm;
I0 = 1 mA; WN1 = 1 µm; WN2 = 20 µm; WN3 = 20 µm; WN4 = 5 µm; WN5 = 10 µm; WN6 = 25 µm;
WN7 = 2 µm; WP1 = 5 µm; WP2 = 5 µm; WP3 = 40 µm, RL = 900 Ω.
VDD
E
𝑣-/
P1 P2
𝑡
I0
F 11 µV P3
𝑣-/
vin+ vin−
N2 N6
𝑡 N3
vout
9 µV

N1 N7 RL
N4 N5
 𝑊
𝑔# = 2µ𝐶&8 𝐼
𝐿 j

1
𝑟& =
λ $ 𝐼j

𝑣&67
𝑡
36 mV
 𝑉$$ − 𝑉%& 1 𝑊
VDD 𝐼!"# = = µ' 𝐶() 𝑉%& − 𝑉* ²
𝑅 2 𝐿

R IRef

Corrente depende do valor de

VDD e da temperatura
 1 𝑊
𝐼j = µ𝐶&8 𝑉 − 𝑉7 ²
2 𝐿 ],
P1 P2
P1, P2: espelho de corrente

N1, N2
N1 N2
I0
+
R
V0 Circ.
−
 P1 P2

Start-up

N1 N2
IO
+
R
VO Circ.
−
 Desprezando efeito Early

𝐼+ = 𝑓(𝑝𝑟𝑜𝑐𝑒𝑠𝑠𝑜)
k: constante de Boltzmann
I0 não depende da temperatura
q: carga elétrica fundamental
VG0: tensão de bandgap ~1,2 V (silício)
 𝑉,-
𝑉%+

CTAT: complementary to absolute temperature

𝑉
𝑉]?

𝑉
𝑇

+
𝑉]?

𝑉
𝐾 𝑇

𝑇
PTAT: proportional to absolute temperature
 𝑉

IC1 IC2
+ ΔVBE − 𝑇
Q1 Q2

𝐼? 5 = 𝐼? 9
 x1 x1 P2 x1 P3
P1

Vref

N1 N2
1:1 R2
R1
x1 xM x1
Q1 Q2 Q3
 Espelho de corrente:
x1 x1 P2 x1 P3
P1 IP1 = IP2= IP3

Vref

N1 N2
1:1 R2
R1
x1 xM x1
Q1 Q2 Q3
 Espelho de corrente:
x1 x1 P2 x1 P3
P1 IP1 = IP2= IP3
Referência autopolarizada:
Vref VS N1 = VS N2

N1 N2
1:1 R2
R1
x1 xM x1
Q1 Q2 Q3
 Espelho de corrente:
x1 x1 P2 x1 P3
P1 IP1 = IP2= IP3
Referência autopolarizada:
Vref VS N1 = VS N2
PTAT:
VEB Q1 -VEB Q2 = UT ln(M)
N1 N2
1:1 R2
R1
x1 xM x1
Q1 Q2 Q3
 Espelho de corrente:
x1 x1 P2 x1 P3
P1 IP1 = IP2= IP3
Referência autopolarizada:
Vref VS N1 = VS N2
PTAT:
VEB Q1 -VEB Q2 = UT ln(M)
N1 N2 R1:
1:1 R2
VEB Q1 -VEB Q2 = R1 ·IP1
R1
x1 xM x1
Q1 Q2 Q3
 P2 CTAT:
P1 x1 x1 x1 P3 VEB Q3 = 𝑉𝐺0−𝑈𝑇 ln (𝐼0/𝐼P1 )

Vref

N1 N2
1:1 R2
R1
x1 xM x1
Q1 Q2 Q3
 P2 CTAT:
P1 x1 x1 x1 P3 VEB Q3 = 𝑉𝐺0−𝑈𝑇 ln (𝐼0/𝐼P1 )
Corrente PTAT
Vref 𝑈} ln 𝑀
𝐼q5 =
𝑅5
N1 N2 R2:
1:1 R2
R1
x1 xM x1
Q1 Q2 Q3
 Exemplo
Para o seguinte circuito de referência de tensão do
tipo bandgap, são dados: M=10; I0= 103 A;
VG0=1,2V; k/q ≈ 8,617· 10-5 V/K. Desprezar a
modulação do comprimento dos canais, o efeito
Early e as correntes de base.
Pede-se:
(a) Determinar o valor do resistor R1 para que a
corrente sobre ele valha 500 µA em 290 K.
(b) Usando o valor de R1 determinado no item (a),
dimensionar R2 para que Vref valha VGO em
290 K.
(c) Usando os valores determinados nos itens
anteriores, determinar o valor de Vref para as
temperaturas de 273 K e 373 K. Determinar o
erro relativo com relação ao valor em 290 K.
 V(mV) 𝑉 −
𝐺0 𝑈𝑇 ln (𝐼 /
900
IP1(µA)
650 0 𝐼P1 )
750

600

450 R 2 ·I P1
T(K)
T(K) 300
450 273 373
273 373

V/01 − V2+ (mV) V/01 − V2+

9 V2+ 0,75%

6 0,5%
3
0,25%
273 373
0 T(K)
−3 −0,25%
 P2 CTAT:
P1 x1 x1 x1 P3 VEB Q3 = 𝑉𝐺0−𝑈𝑇 ln (𝐼0/𝐼P1 )
Corrente PTAT
Vref 𝑈} ln 𝑀
𝐼q5 =
𝑅5
N1 N2 R2:
1:1 R2
R1
x1 xM x1
Q1 Q2 Q3 𝑉•0H = 𝑉]?
 x1 x1 P2 x1 Corrente
P1 P3
𝑈} ln 𝑀
𝐼q5 =
Vref 𝑅5

N1 N2 O valor da resistência também é função

1:1 R2 direta da temperatura
R1
x1 xM x1 Circuito pode ser dimensionado
Q1 Q2 Q3 para que a corrente seja constante
com a temperatura
 Exemplo

Para o seguinte circuito de referência de tensão do

tipo bandgap, são dados: M=10; I0= 103 A;
VG0=1,2V; k/q ≈ 8,617· 10-5 V/K. Desprezar a
modulação do comprimento dos canais, o efeito
Early e as correntes de base.
Considere R1 = 115 Ω e R2 = 725 Ω em 290K e
que ambas resistências aumentam linearmente com
a temperatura com um coeficiente de 4.10-3 K-1,
Pede-se:
(a) Determinar o valor da corrente e dos erros
absolutos e relativos sobre Vref para 273 K.
(b) Determinar o valor da corrente e dos erros
absolutos e relativos sobre Vref para 373 K.
 I(µA) V(mV) 𝑉 −
𝐺0 𝑈𝑇 ln (𝐼 /
510 900
0 𝐼P1 )
750
500
600
490
450 R 2 ·I P1
T(K) T(K)
480 300
273 373 273 373

V/01 − V2+ (mV) V/01 − V2+

0,45 V2+ 0,04%

0
273 373 T(K)

−0,45 −0,04%

−0,9 −0,08%