Alfredo Herculano Mabjaia

Chelsea Cherry Fonseca Bucuane

Elézio Francisco Ncucu

Lúrcio Luís Carlos

Nónio Rafael Iahaia

Óscar Abílio Namora

Tito José

Polarização do Transistor

Universidade Rovuma

Nampula

2019
 Alfredo Herculano Mabjaia

Chelsea Cherry Fonseca Bucuane

Elézio Francisco Ncucu

Lúrcio Luís Carlos

Nónio Rafael Iahaia

Óscar Abílio Namora

Tito José

Polarização do Transistor

Trabalho avaliativo da cadeira de Laboratório do

curso de engenharia electrónica, 2º ano, 2º
semestre, leccionado pelos docentes:
Eng.º Nelson João Baptista

Universidade Rovuma

Nampula

2019

Índice
1. Introdução............................................................................................................................4

2. Objectivo.............................................................................................................................5
3. Material necessário..............................................................................................................5

4. Fundamentação teórica........................................................................................................5

4.1. Transistor......................................................................................................................5

4.2. Fonte de alimentação ou Power supply........................................................................6

4.3. Resistor ou resistência eléctrica...................................................................................6

4.4. Multímetro digital........................................................................................................7

5. Procedimentos.....................................................................................................................7

5.1. Identificação dos terminais (base, emissor, colector) do transístor, do tipo e medição
da resistência direta e reversa..................................................................................................7

5.2. Medição de correntes e tensões IB, IC, IE, VBE e VCE.....................................................8

5.2.1. CIRCUITO I:........................................................................................................8

5.2.2. CIRCUITO II:.....................................................................................................10

5.2.3. CIRCUITO III:....................................................................................................11

6. Conclusão..........................................................................................................................13

6.1. Cálculo de ganho dos circuitos:.................................................................................13

6.1.1. Cálculo de ganho do circuito I............................................................................13

6.1.2. Cálculo de ganho do circuito II...........................................................................13

6.1.3. Cálculo de ganho do circuito III.........................................................................13

6.2. Cálculo de ganho médio β e α dos circuitos:..................................................................13

6.2.1. Cálculo de ganho médio β e α do circuito I.............................................................13

6.2.2. Cálculo de ganho médio β e α do circuito II..........................................................14

6.2.3. Cálculo de ganho médio β e α do circuito III..........................................................14

7. Referências bibliográficas.....................................................................................................15
 1. Introdução
O refente relatório que tem como principal foco e objetivo trazer uma síntese dos
conteúdos e das Actividades levadas a cabo nas aulas anteriores no laboratório de eletrotecnia
II, pretende demostrar de uma maneira clara e objetiva os métodos e os cálculos efetuados em
cada experiência desenvolvida no laboratório e desenvolver conteúdos relativos aos circuitos
com transistor, as medições usando o equipamento adequado e o que se pode observar em
cada caso.

Em análise de circuitos simples contendo transistor, as vezes queremos apenas verificar o

comportamento do circuito, obter a influência e o desempenho do transistor. No referente
relatório podemos analisar as resistências que o nosso transistor disponibiliza na sua
configuracao de base, emissor e o colector.
 2. Objectivo
 Identificar os terminais (base, emissor e coletor) e o tipo de transistor;
 Montagem de circuitos electrónicos com transistor e medições da tensão, corrente e o
ganho.

3. Material necessário
Antes da realização da experiência e testes do circuito, sentiu-se a necessidade do uso de
equipamentos e componentes específicos para a construção dos circuitos propostos nos
esquemas, dos quais podemos mencionar:

 Transistor;
 Multímetro;
 Fonte de alimentação ou power supply;
 Resistores:
i. Dois resistor de R = 470 Ω;
ii. Um resistores de R = 10 kΩ;

4. Fundamentação teórica
4.1. Transistor
Transistor é basicamente constituído de três camadas de materiais semicondutores,
formando as junções NPN ou PNP. Essas junções recebem um encapsulamento adequado,
conforme o tipo de aplicação, e a ligação de três terminais para conexões externas
(CAPUANO, pág. 261, 2005). Transistor é um disposistivo semicondutor, que tem como
função principal amplificar um sinal eléctrico, principalmente pequenos sinais.

Figura 1: Transistor.
 Fonte: Autor.

4.2. Fonte de alimentação ou Power supply

As fontes de alimentação servem para fornecer energia elétrica, transformando a corrente
alternada da rede pública em corrente contínua. Estabilizam a tensão, ou seja, mesmo que a
tensão da rede pública varie, a fornecida pela fonte de alimentação é mantida
aproximadamente constante.

Figura 2: Fonte de alimentação ou power supply.

Fonte: Autor.

4.3. Resistor ou resistência eléctrica

Resistor é o componente que representa a resistência elétrica. A resistência elétrica é o
fenômeno eléctrico dos materiais que se opõem à passagem de corrente elétrica
(FERNANDES, pág. 26, 2015).

Figura 3: Resistores.

Fonte: Autor.
 4.4. Multímetro digital
Multímetro é um equipamento electrónico que serve para medir grandezas electrônicas.
Utilizado na bancada de trabalho (laboratório) ou em serviços de campo, incorpora diversos
instrumentos de medidas eléctricas num único aparelho como voltímetro, amperímetro e
ohmímetro por padrão e capacímetro, frequencímetro, termômetro entre outros, como
opcionais conforme o fabricante do instrumento disponibilizar (ANDRADE, Pag.5, 2010).

Figura 4: Multímetro usado para medir a intensidade da corrente que atravessa no circuito.

Fonte: Autor.

5. Procedimentos
5.1. Identificação dos terminais (base, emissor, colector) do transístor, do tipo e
medição da resistência direta e reversa.

a) O Transistor utilizado na experiência é do tipo NPN, com a ordem dos seguintes

terminais:
 Figura 5: Identificação dos terminais do transístor.

Fonte: Autor.

b) Medição de Resistência direta e reversa:

Figura 6: Identificação dos terminais do transístor.

Fonte: Autor.

Nota: Medindo a resistência reversa entre Base – Emissor e Base – Colector podemos
observar que é nula póis estamos a medir inversamente.

Base – Emissor Base – Colector

R Direta 19, 79 MΩ 0, 717 MΩ
R Reversa 0 0

Tabela I: Medição da resistência direta e Reversa.

Fonte: Autor.

5.2. Medição de correntes e tensões IB, IC, IE, VBE e VCE.

5.2.1. CIRCUITO I:

Figura 7: Circuito I.
Fonte: Autor.
 Figura 8: Medição das correntes IB, IC e IE.

Fonte: Autor.

Figura 9: Medição das tensões VBE e VCE.

Fonte: Autor.

Tabela II:

IB ( μA) IC (mA) IE (mA) VBE (V) VCE (V)

15,1 0,02 0,11 12,01 12,02

Tabela II: Valores medidos das correntes IB, IC, IE e das tensões VBE e VCE.

Fonte: Autor.
5.2.2. CIRCUITO II:

Figura 10: Circuito II.

Fonte: Autor.

Figura: Medição das correntes IB, IC e IE.

Fonte: Autor.

Figura 11: Medição das tensões VBE e VCE.

Fonte: Autor.
Tabela III:

IB ( μA) IC (mA) IE (mA) VBE (V) VCE (V)

0,1 0,10 0,10 12,01 12,02

Tabela III: Valores medidos das correntes IB, IC, IE e das tensões VBE e VCE.

Fonte: Autor.

5.2.3. CIRCUITO III:

Figura 12: Circuito III.

Fonte: Autor.

Figura 13: Medição das correntes IB, IC e IE.

Fonte: Autor.
 Figura 14: Medição das tensões VBE e VCE.

Fonte: Autor.

Tabela IV:

IB ( μA) IC (mA) IE (mA) VBE (V) VCE (V)

16 16,5 0,8 2,14 12,02

Tabela IV: Valores medidos das correntes IB, IC, IE e das tensões VBE e VCE.

Fonte: Autor.
 6. Conclusão
6.1. Cálculo de ganho dos circuitos:
Definição:
Ganho é o fator de amplificação do transistor em que a corrente da base aumenta no
coletor, ou seja, quantas vezes a corrente do coletor é maior do que a corrente da base.

6.1.1. Cálculo de ganho do circuito I

Dados Fórmula IC
β=
IB
IB = 15,1µA IC
β=
IB 0,02 ×10−3
IC = 0,02 mA β=
15,1× 10−6
IE= 0,11 mA
β = 1,32 × 10-12
β=? Resolução

6.1.2. Cálculo de ganho do circuito II

Dados Fórmula IC
β=
IB
IB = 0,1µA IC
β=
IB 0,10 ×10−3
IC = 0,10 mA β=
0,10 ×10−6
IE= 0,10 mA
Resolução β = 1 × 103
β=?

6.1.3. Cálculo de ganho do circuito III

Dados Fórmula IC
β=
IB
IB = 16µA IC
β=
IB 16,5 ×10−3
IC = 16,5 mA β=
16 ×10−6
IE= 0,8 mA
β = 1,03 × 103
β=? Resolução

6.2. Cálculo de ganho médio β e α dos circuitos:

6.2.1. Cálculo de ganho médio β e α do circuito I

Dados β
α=
β+ 1
β = 1,32 × 10-12
α
β=
Formula 1−α
Resolução 1,32 ×10−12 α =0,56
α=
1,32× 10−12+ 1

0,5
β= =1
1−0,5

6.2.2. Cálculo de ganho médio β e α do circuito II

Dados β Resolução
α=
β+ 1
β = 1 × 103 1 ×103
α α=
β= 1× 103 +1
1−α
α =0 , 5

0,5
β= =1 A
1−0,5

Formula

6.2.3. Cálculo de ganho médio β e α do circuito III

Dados α 1,03 ×103
β= α=
1−α 1.03 ×10 3+1
β = 1,03 × 103
α =0,5 07 A

0,5 07
β= =1.028 A
1−0,5 07

Formula

β
α=
β+ 1 Resolução
7. Referências bibliográficas

[1] ANDRADE, Clifson Rolemberg – laboratório de física B: multímetro – São Cristóvão,

2010.

[2] CAPUANO, Francisco Gabriel – Laboratório de eletricidade e eletrónica – 24a edição,

Érica editora, Brasil, 2005.

[3] FERNANDES, José Airton Nunes – Princípios Básicos de Eletrônica – Cuiabá, 2015.