Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:

Díodos
♦ Dispositivos de material semicondutor (silício e germânio)
♦ Normalmente descritos como interruptores: passam corrente
apenas numa direcção

1
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodos
♦ Dispositivos de material semicondutor (silício e germânio)
♦ Normalmente descritos como interruptores: passam corrente
apenas numa direcção
♦ Aplicações: rectificadores, circuitos lógicos, reguladores de
tensão, sintonia em circuitos de rádio-frequência, etc.

2
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodos
♦ Dispositivos de material semicondutor (silício e germânio)
♦ Normalmente descritos como interruptores: passam corrente
apenas numa direcção
♦ Aplicações: rectificadores, circuitos lógicos, reguladores de
tensão, sintonia em circuitos de rádio-frequência, etc.
♦ Há díodos que emitem luz: LEDs (Light-Emitting-Diodes)
♦ Há díodos que entram em condução quando lhes incide luz:
fotdíodos
♦ Há díodos que são utilizados como condensadores de capacidade
variável.

3
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal

iD v D ≤ 0 iD = 0
ânodo cátodo
+ vD - vD ≤ 0
+ -

iD > 0 v D = 0

iD > 0
+ -

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
1 kΩ 1 kΩ

iD iD
VDD + VDD +
vD vD
- -

VDD ≤ 0 iD = 0 VDD ≥ 0 iD = 0
VDD VDD
VDD ≥ 0 iD = VDD ≤ 0 iD =
1k 1k
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
1 kΩ 1 kΩ

iD iD
VDD + VDD +
vD vD
- -

iD iD
1 1 VDD
1k RD
VDD
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Rectificador de meia-onda vo = 0 vo = vi
+ vD -
vo
vi vo
1

vi
* *

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Rectificador de meia-onda
+ vD -

vi vo

* *

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal

100 Ω
v
s 12 V

iD max = ?
24 V
12 V
iDmax
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Função lógica
A B C Y
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
*
1 0 1
1 1 0
A = 1 ⇔ V A = +5 V
1 1 1
A = 0 ⇔ V A = 0V

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Função lógica
A B C Y
0 0 0 0
0 0 1 1
0 1 0 1
0 1 1 1
1 0 0 1
1 0 1 1
1 1 0 1
A = 1 ⇔ V A = +5 V
1 1 1 1
A = 0 ⇔ V A = 0V
Y = A+ B +C
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Função lógica
A B C Y
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
*
1 0 1
1 1 0
A = 1 ⇔ V A = +5 V
1 1 1
A = 1 ⇔ V A = +5 V

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Função lógica
A B C Y
0 0 0 0
0 0 1 0
0 1 0 0
0 1 1 0
1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
A = 1 ⇔ V A = +5 V
1 1 1 1
A = 0 ⇔ V A = 0V
Y = A⋅ B ⋅C
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Rectificador de meia-onda: valor médio da tensão na saída diferente de zero

T
1
VO = vo =
T ∫
vo (t )dt
0

T /2 T
1 1
VO =
T ∫
0
VoM senω t dt +
T ∫ 0 dt
T /2

VoM
VO =
π
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Rectificador de meia-onda

+ vD -

vi R C vo
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Análise de circuitos com díodos

* *

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Rectificador de meia-onda (precisão)

D
v s > 0 ⇒ vo = 0
+
vs A vo
-
D off

v s < 0 ⇒ vo < 0

D on
vo = v s

vs > 0 D on
superdíodo
vs < 0 D off
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Rectificador de meia-onda (precisão)

v s > 0 ⇒ vo < 0
R2
D on
D on R
vo 2 =vvo=
3 = − 2
vs R vs
D o
- 1
vs A
R1 vo2
vo3
v s < 0 ⇒ vo = v s
+

Não há cc virtual (malha aberta)

D off i R1 = i R 2 = 0 ⇒ vo3 = v s
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Rectificador de meia-onda (precisão)

v s > 0 ⇒ vo < 0
R2
D1
D1 off
D2 on
- D2
R2
vs
R1 A
vo2
vo 2 = vo 3 = − vs
+ vo3 R1
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo ideal
♦ Rectificador de meia-onda (precisão)

v s < 0 ⇒ vo > 0
D1 R2
D1 on
D2 off
- D2
vs A vo 3 = v− = 0
R1 vo2
+ vo3 vo 2 = 0

D1 assegura o funcionamento do ampop em malha fechada: v- = 0 e portanto v-=0

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real

 vD 
 nVT 
iD = I S  e − 1
 
 

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
 vD 
 nVT 
iD = I S  e − 1
 
 
♦ n depende do tipo de junção (abrupta ou gradual) n = 1 n = 2
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
 vD 
 nVT 
iD = I S  e − 1
 
 
♦ n depende do tipo de junção (abrupta ou gradual) n = 1 n = 2

♦ VT tensão térmica VT = 25,85 mV (25º C )

kT
VT =
q
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
 vD 
 nVT 
iD = I S  e − 1
 
 
♦ n depende do tipo de junção (abrupta ou gradual) n = 1 n = 2

♦ VT tensão térmica VT = 25,85 mV (25º C )

kT
VT =
q

♦ k constante de Boltzman k = 1,38 10

−23
JK
−1
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
 vD 
 nVT 
iD = I S  e − 1
 
 

♦ n depende do tipo de junção (abrupta ou gradual) n = 1 n = 2

♦ VT tensão térmica
kT
VT = 25,85 mV (25º C ) VT =
q

−23 −1
– k constante de Boltzman k = 1,38 10 JK

– q carga do electrão q = 1, 60 10
−19
As
– T temperatura absoluta (ºK)
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real

 vD 
 nVT  v D → −∞ ⇒ i D = − I S
iD = I S  e − 1
 
 

♦ IS corrente inversa de saturação

♦ Valor de IS depende da área e da temperatura
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
iD Vγ tensão de limiar

v D < 0 ⇒ iD = 0
i D > 0 ⇒ v D ≈ Vγ

Vγ vD

iD iD 1
RD

Vγ vD Vγ vD
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
♦ Rectificador de meia-onda
iD
+ vD -

vi R vo

Vγ vD

*
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
vi ≥ Vγ

vγ
v o = vi − V D
vi vo
vi >> VD ⇒ v o ≈ vi

* *
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
vi ≥ Vγ vi < Vγ

vγ

vi vo vi vo

*
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
♦ Rectificador de meia-onda

+ vD - iD 1
RD
vi R vo

Vγ vD
*
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
vi ≥ Vγ
v0 = (vi − Vγ )
R
vγ
R + RD
RD
R >> RD ⇒ vo ≈ vi − VD
vi R vo
R >> RD ; vi >> VD ⇒ v o ≈ vi

* *
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
vi ≥ Vγ
Rectificador vi < Vγ

v+γ v R
D -D

vivi R vovo vi vo
R

v0 = (vi − Vγ )
R
* *
R + RD
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
Exemplo
Díodo: Vγ = 0.65 V rD = 20 Ω
+ vD -
R = 1 kΩ
vi R vo vi = 2 sen(2π 103 t)

1k
vo(V) ≈1
1k + 0.020
* *

v0 = (vi − 0.65)
1k
1k + 0.020
0.65 vi(V)
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
Exemplo

v0 = (vi − 0.65)
1k
+ vD -
1k + 0.020

vi R vo

vi,, vo (V)

2V
0,65 V
1.35 V

t
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
Exemplo
Díodo: Vγ = 0.65 V rD = 20 Ω
+ vD -
R = 100 Ω
vi R vo vi = 2 sen(2π 103 t)

vo(V)
0.83
* *

v0 = (vi − 0.65)
100
100 + 20
0.65 vi(V)
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
Exemplo

v0 = (vi − 0.65)
100
+ vD -
100 + 20

vi R vo

vi,, vo (V)

v0 = (2 − 0.65)× 0.83 = 1.12 V 2V

1.12 V

t
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
Rectificador
vi ≥ Vγ
+ vD -

VIM ≥ Vγ
vi R vo

D1 10k
Rectificador de precisão * *

- D2
Vγ vi
VIM ≥ − 10k A
vo2
A + vo3
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real

R2
D1

iD
- D2
vi A
R1 voA
+ vo
* *
A≠∞ Vγ vD
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
♦ Quando o díodo D1 está em condução

vo = v−
R2 D2 está cortado
voA = v− + Vγ
R1 Vγ
-
- +
vi A Vγ
+ voA vo iR 2 = 0 ⇒ vo = v− = −
A
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
♦ Díodo D1 em condução e D2 cortado, enquanto

Vγ
R2 vi < −
A
R1 Vγ
-
vi - +
A
+ voA vo

Vγ
i R 2 = 0 ⇒ vo = v − = −
A
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
♦ D2 em condução e D1 cortado

 vi − v− vo − v−
 R + R =0
R2

 1 2
 voA
R1 Vγ  v − = −
 A
 voA = vo − Vγ
-
vs A
+ voA vo 

voA
vi +
iD = A
R1
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
♦ D2 em condução e D1 cortado enquanto

iD > 0
R2
vi − v−
iD = >0
R1
R1 Vγ
vo − Vγ
-
vs vi 2 Vγ
A
voA
vi > = − + 2 Vγ −
+ vo A A A A

 1  2 Vγ
vi 1 +  > 2 −
 A A A
Vγ
vi > −
A
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real
♦ D2 em condução
v v vo − Vγ vo − Vγ
vi + oA vo + oA vi + vo +
A + A =0 A + A =0
R1 R2 R1 R2

AR2 R1 + R2
vo = − vi + Vγ
(R1 + R2 ) + AR1 (R1 + R2 ) + AR1
*

R2
vo ≈ − vi
R1
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo real

 vD 
 nVT 
iD = I S  e − 1
iD  
 

vD iD
v D = nVT ln
Vγ vD i D >> I S ⇒ iD ≈ I S e nVT
IS

iD T1 T2
T1 > T2 *
I

Vγ vD ∆v D
= −2mV /º C
∆T
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo zener

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo zener

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo
+ vD - vx

vi R C vo

vo = VZ
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo
Díodo: Vγ = 0,65 V VΖ = 5,2 V
vi vo
rD = 0 Ω rZ = 0 Ω

vi = 10 sen(2π 103 t)

(V)
Limitador

5,2 V

-0,65 V t
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Díodo
Díodo de zener: Vγ = 0.65 V VΖ = 5.2 V

vi vo rD = 0 Ω rZ = 0 Ω

vi = 20 sen(2π 103 t)

(V)
Limitador

5,85 V

t
-5,85 V
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ Junção de material semicondutor com dois tipos de impurezas (n e p)

♦ Material semicondutor intrínseco (sem impurezas)

– Com condutividade eléctrica entre condutor e isolante
– Silício (Si) e Germânio (Ge)

* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ Semicondutor intrínseco: estrutura cristalina em que os electrões dos

átomos vizinhos formam ligações designadas por ligações covalentes.
♦ A 0º K não as ligações covalentes estão intactas, não havendo
electrões livres e portanto não há condução.
* Microelectronic Circuits, Sedra and Smith,
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

n – nº de electrões livres

p – nº de lacunas

n = p = ni

♦ À temperatura ambiente há quebra de algumas ligações covalentes

ionização térmica, havendo electrões livres (e lacunas).
♦ O nº de electrões livres e o nº de lacunas depende da temperatura
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ k é a constante de Boltzmann, EG o valor mínimo da energia para

quebrar uma ligação covalente (EG = 1,12 eV para o silício) e B = 5,4
×10-31 para o silício.
♦ Para T = 300º K:
ni = 1,5 × 1010 electrões/cm 3
numa concentração de 5 × 1022 átomos/cm 3
numero de electrões livres muito pequeno face ao número de átomos: mau
condutor à temperatura ambiente
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora
♦ Diferenças na concentração de portadores provocam movimentos
das carga: corrente de difusão

dn dp Coeficiente de difusão:
J n = − qDn J q = − qDq
dx dx Dp = 12 cm2/s
Dn = 34 cm2/s

♦ Campos eléctricos provocam movimentos das cargas: corrente de

deriva
J n = qnvn deriva = qnµ n E Dn Dn
= = VT =
kT
µ n = 2,5 × µ p = 1350 Vs
µn µn q
J n = qpv p deriva = qpµ p E
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora
ND número de átomos dadores
(equlíbrio térmico)
nn0 número de electrões a Tambiente
pn0 número de lacunas a Tambiente

nno ≈ N D
ni2
pno ≈
ni2 = nno pno ND

♦ Semicondutor dopado com material (fósforo) com átomos (dadores) com 5

electrões na última camada.
♦ Fica um electrão livre: semicondutor extrínseco de tipo n.
♦ Os electrões são os portadores maioritários e as lacunas minoritários.
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora
NA número de átomos aceitadores
np0 número de electrões a Tambiente
pp0 número de lacunas a Tambiente

p po ≈ N A
ni2
ni2 = n po p po n po ≈
NA

♦ Semicondutor dopado com material (boro) com átomos com 3 electrões na

última camada.
♦ Fica uma lacuna livre. Semicondutor é do tipo p.
♦ As lacunas são os portadores minoritários e os electrões maioritários.
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ Semiconductores de tipo p e n encostados

♦ Há movimento de portadores devido à diferença da concentração
(difusão): corrente ID
♦ Junto à junção não há electrões livres nem lacunas (zona de
carga espacial)
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ O campo eléctrico formado na zona de carga espacial opõe-se à

corrente de difusão, atingindo-se um equilíbrio.
♦ Distribuição de tensão na junção: barreira de potencial.
♦ Não há movimento de cargas.
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ A tensão criada na junção gera uma corrente de deriva IS que

acelera os portadores minoritários, electrões do lado p e as
lacunas do lado n: I = I
D S

♦ IS fortemente dependente da temperatura

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

N N 
V0 = VT ln A 2 D  T = 300º K ⇒ V0 ∈ [0.6 V ,0.8 V ]
 ni 
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ NA ≠ ND a largura da zona carga espacial é diferente dos lados p e n

(ma zona é em geral muito mais fortemente dopada)
xn N A 2ε si  1 1 
qx p AN A = qxn AN D ⇔ = Wdep =  + V0
xp ND q  A
N N D 

Wzce [0,1µm, 1µm]

Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ Junção pn com polarização inversa: corrente I

♦ Aumenta a largura da zona de carga espacial e a tensão na zona
de carga espacial também aumenta (maior que V0). ID diminui.
♦ A corrente de difusão diminui IS (mantém-se)
I = IS − ID
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora
εA
Cj =
Wdep

2ε si  1 1 
Wdep =  + (V0 + VR )
q  A
N N D 

♦ Em polarização inversa, a junção comporta-se como um condensador

de pratos paralelos
C j0
Cj =
VR
1+
V0
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ I > IS a zona de carga espacial aumenta e a corrente ID diminui, não

havendo equilíbrio, dá-se uma disrupção: efeito de zener ou de
avalanche
I = IS − ID
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora
♦ Efeito de zener: o campo eléctrico da zona de carga espacial provoca
a quebra das ligações covalentes gerando pares electrão lacuna,
aumentando o número de portadores sem aumento da tensão de
junção.

♦ Efeito de avalanche: o campo eléctrico acelera os portadores

minoritários cuja energia cinética origina provoca a quebra das
ligações covalentes nos átomos com quem colidem.
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Junção semicondutora

♦ A junção pn com polarização directa: enfraquece o campo

eléctrico da junção e favorece o movimento de difusão dos
portadores maioritários
ID aumenta
Teoria de Circuitos e Fundamentos de Electrónica:
Tipos de díodos especiais
♦ Díodos schottky
− Metal (ânodo) e semicondutor tipo n (cátodo)
− Mais rápidos (armazenamento de carga)
− Menor Vγ
♦ Varicap ou varactor
− Capacidades variáveis
♦ Fotodíodos
− Polarização dá-se por incidência de fotões que geram
electrões
♦ LEDs
− Arsenieto de gálio (díodo de laser utilizados em CDs e
comunicação óptica)