24/02/2021 Pulverização catódica – Wikipédia, a enciclopédia livre

Pulverização catódica
Origem: Wikipédia, a enciclopédia livre.

Pulverização catódica (do inglês sputtering), é

uma técnica de deposição de materiais usada para
recobrir uma superfície. É uma das técnicas de
crescimento de filmes semicondutores e
metálicos mais usadas devido a ser um método
simples, versátil e relativamente barato [2] [3]. O
processo de sputtering envolve a ejeção de átomos de
uma superfície alvo a partir do bombardeamento por
íons energéticos [4] .

Quando uma tensão suficientemente alta é aplicada

entre dois eletrodos, em uma determinada área à uma
pressão reduzida, o gás inserido nesta câmara pode
ser ionizado, gerando uma descarga elétrica. A Ilustração esquemática das características
desexcitação de estados de energia metaestáveis dos essenciais de um sistema básico de pulverização
átomos e íons de gás gera uma emissão de luz [5]. catódica de diodos. O gás argônio flui através de
uma válvula de vazamento controlada para uma
câmara de deposição evacuada; alguns átomos de Ar
são ionizados por um potencial DC aplicado entre o
Índice alvo de cobre e um substrato eletricamente condutor
em uma mesa de substrato de metal. Íons de argônio
Histórico são acelerados em direção ao alvo para ejetar os
Técnica de Sputtering átomos de cobre, que são depositados no substrato,
bem como nas paredes da câmara, para formar um
Variantes filme de Cu. Adaptada de [1].
Dc Sputtering
Rf Sputtering
Sputtering Reativo
Magnetron Sputtering
Pulsed Magnetron Sputtering (PMS)
Ver também
Referências

Histórico
A história dos filmes finos data de mais de 5000 anos atrás, porém o crescimento desses filmes pela
técnica de sputtering é bem mais recente. O surgimento desta técnica levou à necessidade de
desenvolvimento na tecnologia de vácuo, como bombas de vácuo em 1600 e 1700. Em 1800 a deposição
por sputtering surgiu e por volta de 1880 já dominava o mercado de revestimento óptico. Em 1891 foram
divulgados os primeiros resultados da deposição por radiofrequência (RF). Os primeiros resultados
de magnetron sputtering foram publicados no final da década de 1930, e a técnica foi evoluída até a
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década de 1990, sendo geradas diversas variantes.

Deposições por sputtering de óxido de metal e nitreto

surgiram por volta de 1933, porém o termo sputtering
reativo, usado para descrever esse processo só apareceu
na literatura depois de 1953. Nos anos 1980 deu início o
sputtering reativo de alta taxa, baseados no controle
parcial da câmara de processos. Até a década de 1960, na
literatura, o conceito sputtering resultava da evaporação
de impacto, embora evidências teóricas e experimentais
que demostravam que a pulverização catódica ocorre
devido a transferência de momento induzidas por
bombardeamento iônico já existissem desde o final de
Processo de sputtering 1800 e início de 1900. A teoria moderna do sputtering é
baseada em um modelo de transporte linear, publicado
em 1969. Estudos sobre deposição de materiais por pulverização catódica já renderam prêmios Nobel de
Física e Química para oito ganhadores [1]. Ainda hoje a deposição de filmes por sputtering é bastante
popular na comunidade científica [6].

Técnica de Sputtering
Sputtering é uma técnica de deposição
que faz parte dos processos conhecidos
como PVD (Physical Vapor
Deposition ou Deposição Física de
Vapor), superando em funcionalidade e
desempenho outras técnicas e processos
de PVD. O processo de pulverização
catódica é denominado como vaporização
não térmica, pois a fonte é criada pelo
impacto iônico no alvo.
Representação esquemática do processo de sputtering. No detalhe:
No processo de sputtering os átomos são após a colisão do íon do plasma com o alvo pode ocorrer a
removidos da superfície de um material implantação ou reflexão do íon, ou ainda a transferência de
momento para os átomos do alvo, resultando na ejeção destes
denominado alvo através de
átomos, que é a definição de sputtering. Adaptada de [3].
transferência de momento sustentável de
uma partícula, através de
bombardeamento energético de um íon gasoso acelerado a partir de um plasma, onde estão presentes
elétrons, íons e espécies neutras. Para obter-se a deposição por sputtering, é necessário que a
câmara de processos esteja em vácuo [3][7].

O material a ser pulverizado é chamado de alvo, e é colocado em uma câmara de vácuo juntamente com
o substrato, que é o material ao qual deseja-se revestir. Para o bombardeamento são usados, na maioria
dos casos, átomos inertes e pesados para reduzir a possibilidade de reação com outros íons do plasma e
possuir um maior momento na hora do impacto com o alvo, como o argônio, que é um dos gases mais
utilizados. Para ionizar os átomos efetua-se uma descarga elétrica, a baixa pressão, entre o catodo e o
anodo.

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Variantes
A técnica de sputtering se estende em diversos outros processos, que são nomeados de acordo com a
origem e orientação do processo. Podem ser empregadas diversas fontes de energia no processo e,
dependendo da configuração de energia a pressão de trabalho da câmara de processos varia. Algumas
dessas variantes são DC sputtering, sputtering por radiofrequência, sputtering reativo,
magnetron sputtering, entre outros [7].

Dc Sputtering

A mais antiga e simples forma de excitação do sputtering é a DC [2]. No processo de DC Sputtering,

como o nome sugere, os eletrodos do sistema são alimentados com tensão contínua. A pressão dentro da
câmara de processos pode variar entre 2x10-2 e 2 Torr [3]. Os íons resultantes das descargas luminosas
são acelerados em direção ao material alvo e ocorre o processo de sputtering. Quando são utilizados
semicondutores ou isolantes no DC Sputtering, pode ocorrer o carregamento do alvo, que dificulta o
acesso de íons ao alvo, sendo prejudicial à deposição [7]. A fim de cessar esse problema pode ser
empregado uma fonte de radiofrequência, aplicando um campo alternado na faixa de 13,56 MHz. Esse
processo é conhecido como RF sputtering.

Rf Sputtering

O processo de RF Sputtering consiste em enviar um potencial elétrico alternado para os eletrodos. A

pulverização por RF proporciona a deposição em materiais isolantes e possibilita sustentar plasma a
baixa pressão de 0,13 a 2 Pa, além de difundir o plasma em toda a câmara de processos [7].

Nas deposições por sputtering, são utilizados como elementos para o bombardeamento gases inertes,
geralmente o Argônio, devido à maior massa em comparação ao néon e hélio e menor custo em relação
ao xenônio e criptônio. Quando são utilizados gases não inertes, que tem a finalidade de incorporação no
filme resultante, esse processo passa a se chamar sputtering reativo.

Sputtering Reativo

O sputtering reativo é usado com a

finalidade de pulverizar um alvo composto
ou depositar um filme composto a partir de
um alvo metálico [2]. Para isso, um gás
reativo como oxigênio é introduzido na
câmara de deposição a fim de reagir com o
material alvo, formando um filme composto
sobre a superfície do substrato.

O aumento do gás reativo pode formar uma

camada de composto na superfície do
Crescimento de filme por sputtering reativo.
material alvo, causando o fenômeno

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chamado de envenenamento do alvo, resultando em alterações nas propriedades como por exemplo
condutividade [7].

O custo de fabricação e a pureza do alvo podem ser

melhorados com a deposição de compostos por
sputtering reativo de metal, em comparação ao uso de
um alvo composto, porém isso complica o controle do
processo devido à histerese, ilustrada na Figura ao
lado, que pode ser monitorado através de medidas da
taxa de deposição em tempo real [2].

A figura 'Comportamento típico do processo de

sputtering reativo, com vazão do Argônio fixa'
mostra que, durante a deposição do alvo metálico em
atmosfera de Argônio puro (A), a taxa de sputtering é
Comportamento típico do processo de alta. Conforme o fluxo do gás reativo é aumentado a
sputtering reativo, com vazão do Argônio fixa. taxa permanece alta até o momento em que a taxa de
Adaptada de .[2] adsorção do gás reativo excede a taxa de sputtering. A
partir deste ponto (B) o alvo torna-se envenenado com
o gás reativo, fazendo com a taxa de sputtering caia a
um nível bem menor (C). Se agora o fluxo de gás reativo for diminuído, a condição de alvo envenenado
persiste até o ponto D, onde o alvo começa a ser “limpo” e a taxa de sputtering começa a ficar maior que
a taxa de adsorção. Na área de histerese não é possível controlar a composição do filme, visto que uma
ligeira diminuição no fluxo do gás reativo no ponto F pode gerar um retorno ao ponto E [2]. Para um
melhor entendimento deste fenômeno é preciso um estudo mais aprofundado no Modelo de Berg [8].

Magnetron Sputtering

Um importante avanço tecnológico aplicado à

técnica de sputtering é o magnetron sputtering, que
consiste em introduzir um campo magnético na
descarga através de um conjunto de ímãs
permanentes colocados internamente ao catodo de
forma a gerar um campo magnético com forte
componente paralela à superfície do substrato.

As trajetórias dos elétrons são definidas pelo campo

elétrico entre o catodo e o anodo, ou seja, os elétrons
são acelerados com alta velocidade em direção ao
anodo. Para evitar a perda de elétrons da descarga
Magnetron Sputtering uma abordagem comum é aplicar um campo
magnético, que prende os elétrons na descarga por
mais tempo, produzindo mais íons. Dessa maneira,
aumenta-se a probabilidade de ionizar um átomo de gás, permitindo uma redução na pressão de
descarga e permitindo aos íons atingir o catodo com quase toda a tensão de descarga. Além disso, a taxa
de deposição aumenta drasticamente através desse recurso em comparação com outros sistemas [6].

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Pulsed Magnetron
Sputtering (PMS)

Outra variante mais recente da

técnica de sputtering é chamada
Pulsed Magnetron Sputtering
(PMS), e fornece uma solução
para problemas desafiadores
com outras técnicas de
magnetron como
envenenamento de alvo e evento
de arco associado ao magnetron
sputtering reativo. O PMS Estrutura e comportamento do magnetron (o raio elétron-órbita é mostrado
baseia-se na pulsação curta ou muito maior do que o tamanho real). Adaptada de [2].
intermitente da faixa de
frequência média entre 10 e 200
kHz da descarga por dezenas de microssegundos em um círculo de baixa atividade. O processo de
pulsação acarreta a criação de um plasma superdenso com propriedades excelentes, resultando em um
filme mais uniforme. A técnica de PMS possibilita ainda obter revestimento de superfície suave com
materiais de substrato complexos e irregulares [7].

Ver também
Filme fino

Referências
1. GREENE, J. E. (2017). «Review Article: Tracing the recorded history of thin-film sputter deposition:
From the 1800s to 2017» (https://avs.scitation.org/doi/10.1116/1.4998940). Journal of Vacuum
Science & Technology. 35. 61 páginas.
2. SMITH, Donald L. (22 de março de 1995). Thin-Film Deposition - Principles and Practice. [S.l.]:
McGraw-Hill Education. 616 páginas.
3. LEITE, Douglas Marcel Gonçalves (2011). Propriedades Estruturais, Ópticas e Magnéticas de Filmes
de GaMnN. Bauru: Universidade Estadual Paulista "Júlio de Mesquita Filho". 128 páginas.
4. PESSOA, Rodrigo Sávio (2009). Estudos de Plasmas Fluorados Aplicados em Corrosão de Silício
Usando Simulação de Modelo Global e Diagnósticos Experimentais. São José dos Campos: Instituto
Tecnológico de Aeronáutica. 229 páginas.
5. DEPLA, Diederik (2013). Magnetrons, Reactive Gases and Sputtering. [S.l.: s.n.] 206 páginas
6. DEPLA, Diederik; MAHIEU, Stijn; GREENE, J. E. (dezembro de 2010). «Sputter Deposition
Processes».
7. ABEGUNDE, Olayinka Oluwatosin; AKINLABI, Esther Titilayo; OLADIJO, Oluseyi Philip; AKINLABI,
Stephen; UDE, Albert Uchenna (13 de março de 2019). «Overview of thin film deposition
techniques» (http://www.aimspress.com/journal/Materials). AIMS Materials Science. 6: 174-199.
8. Berg, S.; Nyberg, T. (2005). «Fundamental understanding and modeling of reactive sputtering
processes.» (https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.10.051). Thin Solid Films: 215–230.

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