Amplificador de Potência

SEL 369 Micro-ondas/SEL5900 Circuitos de Alta Frequência

Amílcar Careli César

Departamento de Engenharia Elétrica e de Computação da
EESC-USP
 Atenção!
 Este material didático é planejado
para servir de apoio às aulas de
SEL-369 Micro-ondas, oferecida
aos alunos regularmente
matriculados no curso de
engenharia elétrica/eletrônica e
SEL-5900 Circuitos de Alta
Frequência, oferecida aos alunos
regularmente matriculados no
curso de pós-graduação em
engenharia elétrica.
 Não são permitidas a reprodução
e/ou comercialização do material.
 solicitar autorização ao docente
para qualquer tipo de uso distinto
daquele para o qual foi
planejado.

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 Amplificador de potência
Parâmetros S de baixo sinal não são
adequados para projeto de amplificador de
potência
Parâmetros S de sinal elevado não são bem
definidos e são difíceis de serem medidos
Informações para projetos de amplificadores
de potência
– Potência de saída e ganho no ponto de
compressão de 1 dB
– Coeficientes de reflexão e carga em função da
potência

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 Pontos de compressão e intersecção de 3ª ordem

Ponto de
10 dB Intersecção de
3ª ordem
P1dB 1 dB

Região de
Potência de saída, dBm

saturação
fundamental Ponto de
compressão
3ª ordem
de 1 dB
5 dB
5 dB
15 dB

5 dB

Potência de entrada, dBm

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 Ponto de compressão de 1 dB (1)

Ganho de potência para qual as

não-linearidades reduzem o ganho
em 1 dB em relação ao
ganho linear (potências baixas)

G1dB dB   G 0 dB   1dB 

G 0 : ganho de potência para sinais baixos

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 Ponto de compressão de 1 dB (2)
Ganho de potência
Ps Ps / Pref
Gp   ; Pref  1 dBm
Pe Pe / Pref

10log G p   10 log Ps / Pref   10 log Pe / Pref 

G p dB   Ps dBm   Pe dBm 

Ps dBm   Pe dBm   G p dB 

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 Ponto de compressão de 1 dB (3)
No ponto de compressão de 1 dB
P1dB dBm   Pe dBm   G1dB dB 

P1dB dBm   Pe dBm   G1dB dB 

Mas, G1dB dB   G 0 dB   1 dB 

P1dB dBm   Pe dBm   G 0 dB   1 dB 

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 Faixa dinâmica (DR) - 1

O ganho é linear entre

o ponto de compressão de 1 dB
e a mínima potência de sinal detetável
(Po,MDS )
Na entrada, a potência de sinal
correspondente a Po,MDS é Pi,MDS
A limitação é o ruído

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 Faixa dinâmica (DR) - 2
PNo  kTBGAF W
F : figura de ruído
kT  174 dBm em T  290 K
Supondo que o mínimo sinal está
X dB acima do ruído térmico

Pi,MDS  174(dBm )  10 log B   F dB   X dB 

X  3 dB é valor típico
Po,MDS  Pi,MDS  GA dB 

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 Distorção de sinal-1

causada por produtos de intermodulação

ve t   A cos 2 f1t   A cos 2 f2t 

sinal na entrada de amplificador
operando na região não-linear

vo t   1ve t    v t    v t   
2
2 e
3
3 e

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 Distorção de sinal-2

vo t   1ve t    v t    v t   
2
2 e
3
3 e

produtos de intermodulação
CC , f1, f2 , 2 f1, 2 f2 , 2 f1  f2 
mf1  nf2 : 2ª ordem (m  n  1)
mf1  nf2 : 3ª ordem (m  2, n  1)

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 Distorção de sinal-3

largura de faixa

f
1
 f2  2f1
 f2  f1 f2 2 f2  f1  f 1
 f2  2 f1 2 f2 3 f1
2f
1
 f2 
2 f2
 f1 
3 f2

frequência (Hz)
Fora de escala

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 Ponto de intersecção de 3ª ordem

 10 dB acima do
ponto de compressão de 1 dB

PIP dBm  P1dB dBm  10 dB

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 Faixa dinâmica

faixa dinâmica (DR)

DR  P1dB  Po,MDS

faixa dinâmica livre de espúrios

2
DRf  PIP  Po,MDS 
3
2
DRf  PIP  174 dBm   10 log B dB   F dB   X dB   GA dB 
3 

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 Faixa dinâmica (DR)

P1dB 1 dB

Ponto de
Potência de saída, dBm

compressão
Faixa
fundamental de 1 dB
dinâmica

Po,MDS

Potência de entrada, dBm

Pi,MDS Pin ,1dB

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 Faixa dinâmica livre de espúrios (DRf)

P1dB 1 dB
Potência de saída, dBm

fundamental Faixa
Dinâmica
Livre de
Espúrios
Po,MDS

Pout

Pi,MDS Pin Potência de entrada, dBm

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 Potência de saída constante vs. Impedância de carga

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 Exemplo 4.7.2, G. Gonzalez, Microwave Transistor Amplifiers, 1984, p.
185,

PROJETO DE AMPLIFICADOR DE
POTÊNCIA

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 Enunciado

projetar um amplificador de potência em 2 GHz utilizando um BJT.

Os parâmetros S do transistor e as características de potência são
S11  0, 641530
S 21  2, 32100
S12  0, 07  8 0
S 22  0, 51  1190
P1dB  29 dBm
G1dB  11, 5 dB
Ref.: livro do Gonzalez, 1ª edição, p. 184

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 Contornos de potência de saída

G. Gonzalez, Microwave Transistor Amplifiers, p. 183, 1984

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 Rede de casamento de saída

G. Gonzalez, Microwave Transistor

Amplifiers, p. 184, 1984

26/06/2018 SEL 369/SEL5900 Prof. Amílcar Careli César USP EESC SEL 21
 Rede de casamento de entrada

G. Gonzalez, Microwave Transistor

Amplifiers, p. 186, 1984

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