Eletrônica Analógica I

Aula 02 - Semicondutores

Porto Alegre, 2018

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 Lacunas
A temperatura ambiente é a temperatura do ar em um ambiente.

Quando o ambiente está acima de zero absoluto (-273°C), o

aquecimento deste ambiente provoca uma agitação mecânica.

Em um cristal de silício, as vibrações dos átomos podem

ocasionalmente deslocar um elétron da órbita de valência.

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Neste caso, o elétron liberado ganha energia suficiente para mudar

para outra órbita mais externa.

A saída do elétron cria um vazio na órbita de valência chamada de

lacuna.

Figura 4: A energia térmica produz elétrons e lacunas.

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A lacuna vai comporta-se como uma carga positiva, pois a perda de
um elétron produz um íon positivo.

A lacuna vai atrair e capturar outro elétron imediatamente mais

próximo.

Figura 5: Recombinação do elétron e da lacuna

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 Semicondutores Intrínsecos
É o semicondutor puro.

O cristal de silício é um semicondutor intrínseco se cada

átomo no cristal for um átomo de silício.

Na temperatura ambiente, um cristal de silício age como

um isolante porque tem apenas alguns elétrons livres e
lacunas produzidas pela energia térmica.
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Fluxo de elétrons livres Fluxo de lacunas
A figura 6 mostra parte do cristal de A lacuna do lado esquerdo atrai o
silício entre as placas . elétron de valência do ponto A.

Supondo que a energia térmica tenha O elétron de valência move-se

produzido um elétron e uma lacuna. para a lacuna.

Figura 6: Fluxo de lacunas através de um semicondutor

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 Dois tipos de fluxos
Possui o mesmo número de elétrons livres e lacunas.
A energia térmica produz elétrons livres e lacunas aos pares.
A tensão aplicada forçará os elétrons livres a circular para o lado esquerdo e as
lacunas para o lado direito do cristal.
Quando os elétrons livres alcançam o lado final esquerdo do cristal, eles passam
para o fio externo e circulam para o terminal positivo da bateria.

Figura 7: Semicondutor intrínseco

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Contudo, os elétrons livres do terminal negativo da bateria circulam
para o final direito do cristal.

Nesse ponto, eles entram no cristal e recombinam-se com as lacunas

até alcançarem o final direito do cristal.

Um fluxo estável de elétrons livres e lacunas ocorre dentro do

semicondutor.

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• Não há fluxo de lacunas fora do semicondutor.

• Os elétrons livres e as lacunas movem-se em direções

opostas.

• Os elétrons livres e lacunas são denominados de

portadores de cargas, pois transportam um carga de um
lugar para o outro.

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 Dopagem de um semicondutor

O processo de dopagem é utilizado para aumentar a condutividade.

Uma adição de átomos de impureza ao cristal intrínseco a altera a

condutividade elétrica.

Um semicondutor dopado é chamado de semicondutor extrínseco.

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 Aumento de elétrons livres
Adicionamos átomos pentavalentes ao silício fundido.

Átomos pentavalentes possuem cinco elétrons na órbita de valência.

Exemplos de átomos pentavalentes: arsênico, antimônio e fósforo

Esses materiais doarão um elétron adicional para o cristal de silício.

São denominados de doadores de impureza.

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 Átomo pentavalente

Átomos de silício
em torno do átomo
pentavalente

Figura 8: Dopagem para obter mais elétrons

livres

O átomo central compartilha seus elétrons com átomos vizinhos.

Um elétron adicional permanece em uma órbita mais externa
(elétron livre).

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Cada átomo pentavalente ou átomo doador em um cristal de silício
produz um elétron livre.

Quanto mais impurezas é adicionado maior a condutividade de um

semicondutor.

Semicondutor levemente dopado

Alta resistência

Semicondutor altamente dopado

Baixa resistência
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 Aumento de lacunas

Adicionamos átomos trivalente ao silício fundido.

Átomos trivalente possuem três elétrons na órbita de valência.

Exemplos de átomos trivalente : alumínio, boro e gálio.

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 Átomo trivalente Átomos de silício
em torno do átomo
trivalente

Figura 9: Dopagem para obter mais lacunas

O átomo trivalente tem originalmente apenas três elétrons de valência e

cada átomo vizinho compartilha com um elétron, apenas sete elétrons
ficam na órbita de valência.

Assim existe uma lacuna na órbita de valência.

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 Dois tipos de Semicondutores Extrínsecos

Semicondutores podem ser dopados para ter um excesso de elétrons

livres ou excesso de lacunas.

Semicondutores Tipo n
O silício dopado com impureza pentavalente é denominado de
semicondutor tipo n.
n - de negativo

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 Semicondutores Tipo n

O numero de elétrons livres excede o número de

lacunas num semicondutor tipo n, os elétrons livres
são chamados de portadores majoritários e as
lacunas portadores minoritários.
Figura 10: O semicondutor tipo n
com muitos elétrons livres

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Aplicando uma tensão, os elétrons livres movem-se para a esquerda e as
lacunas para a direita.

Quando uma lacuna alcança o final do lado direito do cristal, um dos elétrons
livres do circuito externo passa para o semicondutor e recombina com a
lacuna.

Os elétrons livres demonstrado na figura 10 circulam para o lado final à

esquerda do cristal, onde eles passam para o fio condutor em direção ao
terminal positivo da bateria.

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 Semicondutores Tipo p

O silício dopado com impureza trivalente.

p - de positivo

O numero de lacunas excede o número de elétrons

livres num semicondutor tipo p, os lacunas são
Figura 11: O semicondutor tipo p chamados de portadores majoritários e as elétrons
tem muitas lacunas.
livres minoritários.

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Aplicando uma tensão, os elétrons livres movem-se para a esquerda e as
lacunas para a direita.

Quando uma lacuna alcança o final do lado direito do cristal, as lacunas

recombinam-se com elétrons livres do circuito externo.

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 Diodo Semicondutores
O diodo semicondutor é formado pela simples união dos materiais
dos tipos n e p.
Átomo trivalente
Elétrons
livres

Lacunas Átomo
pentavalente
Figura 12: Dois tipos de semicondutores, eletricamente nêutrons

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Diodo Semicondutores

A junção é a borda onde as regiões do tipo p e do tipo n se

encontram.

Figura 13: Junção pn

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 Camada de Depleção

Em virtude da repulsão, os elétrons livres do lado n

tendem a espalhar-se (difundir-se) em todas as direções.

Alguns elétrons se difundem através da junção.

Quando um elétron livre entra na região p, ele passa a ser

um portador minoritário.

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Assim, que entra na região p, o elétron livre se recombina com uma
lacuna.

Quando isso acontece, a lacuna desaparece e o elétron livre

passa a ser um elétron de valência.

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 Ao difundir-se na junção o elétron cria um par de
íons.

Quando o elétron deixa para trás um átomo pentavalente

que perde uma carga negativa que perde uma carga
negativa, ele se torna um íon positivo.

Após a migração, o elétron “cai” numa lacuna do lado p;

isto ocasiona um íon negativo fora do átomo trivalente o
captures.

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 A figura 14 apresenta esses íons em cada lado da junção.

Os íons permanecem fixos na estrutura do cristal em virtude da ligação

covalente e não podem se mover entre os átomos com elétrons livres e
lacunas.

Cada par de íon positivo e

negativo na junção é
chamado de dipolo.

Figura 14: Criação de íons na junção

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A criação de um dipolo significa que um elétron livre e uma lacuna ficam
fora de circulação.

À medida que o número de dipolos aumenta, a região próxima da junção

torna-se vazia de portadores de cargas.

Camada de depleção

Figura 15: Camada de depleção

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