Prof.

Nuncio Perrella
prof.nuncio@usjt.br

Aula 2 2016
• Dados digitais podem ser armazenados como cargas em
capacitores:

Um tipo importante de memória semicondutora age assim

para armazenamento de alta densidade com requisitos
de consumo de energia baixo.
• Memórias semicondutoras são usadas como memória principal de um computador
quando a velocidade de operação é importante.

RAM e ROM formam a

memória principal.

A memória principal do computador - sua memória de trabalho - está

em constante comunicação com a unidade central de processamento
(CPU) conforme um programa de instruções é executado.
• Outra forma de armazenamento é realizada pela memória auxiliar, separada da
memória principal.

Também chamada
memória de massa, possui
capacidade
para armazenar quantidades
grandes de dados
sem necessidade
de estar energizada.

Dispositivos comuns de memória

auxiliar são o disco magnético e o CD,
acessado por meios óticos.
• Célula de memória: um dispositivo ou um circuito
elétrico usado para armazenar um único bit (0 ou 1).
Exemplos: flip-flops, capacitores carregados, ou uma
única área em uma fita ou disco magnéticos.

• Palavra de memória: um grupo de bits (células) na

memória que representa instruções ou dados.
O tamanho da palavra nos computadores varia
tipicamente entre 8 e 64 bits, dependendo no tamanho
do computador.

• Byte: um termo especial usado para um grupo de oito

bits.

• Capacidade: uma forma de especificar quantos bits

podem ser armazenados em um dispositivo ou sistema de
memória.
• Densidade: outro termo para capacidade.
Um dispositivo de memória com maior densidade pode
armazenar mais bits em uma mesma área espacial.

• Endereço: um número que identifica a localização de

uma palavra na memória.
Os endereços sempre existem em um sistema digital
como um número binário, embora números octais,
hexadecimais e decimais sejam usados para representar
o endereço de forma mais conveniente.
Pequena memória com oito palavras:
Endereços
000 Palavra 0
Cada uma dessas oito palavras
001 Palavra 1
possui um endereço específico
representado como um número de 010 Palavra 2
três bits — de 000 a 111. 011 Palavra 3
100 Palavra 4
Para referenciar uma localização
de palavra específica na memória, 101 Palavra 5
utiliza-se o código de endereço 110 Palavra 6
para identificá-la.
111 Palavra 7
• Operação de leitura: a palavra binária armazenada em
uma localização de memória específica (endereço) é
enviada e transferida a outro dispositivo.
É chamada de operação de busca, pois uma palavra está
sendo obtida da memória.

• Operação de escrita: operação onde uma palavra nova é

colocada em uma localização de memória em particular.
Também chamada de operação de armazenamento,
substitui a palavra que estava previamente armazenada
na localização.

• Tempo de acesso: medida da velocidade do dispositivo

de memória, é o tempo entre o recebimento da memória
de uma nova entrada de endereço e a disponibilidade
dos dados na saída.
• Memória volátil: qualquer memória que precisa da aplicação de
energia elétrica para armazenar informação.
Se a energia elétrica é retirada, toda informação armazenada
na memória será perdida.

• Memória de acesso aleatório (random-access memory - RAM):

aquela na qual a localização física atual de uma palavra não
tem efeito no tempo gasto para ler ou escrever nessa posição.
O tempo de acesso é o mesmo para qualquer endereço na
memória.
A maioria das memórias semicondutoras são RAMs.
• Memória de acesso sequencial (sequential-access memory -
SAM): tipo de memória na qual o tempo de acesso não é
constante, variando de acordo com o endereço de localização.
Uma palavra armazenada é encontrada por sequenciamento
através de todas as localizações de memória até que o
endereço desejado seja alcançado. Tempo de acesso muito maior
do que das memórias de acesso aleatório.

• Memória de leitura e escrita (read/write memory - RWM):

qualquer memória que pode tanto ser lida como escrita, com a
mesma facilidade.

• Memória apenas de leitura (read-only memory - ROM): ampla

classe de memórias semicondutoras destinadas a aplicações com
um alto índice de operações de leitura em relação a operações
de escrita.
• Dispositivos de memória estática: dispositivos de memória
semicondutora nos quais os dados ficam armazenados
permanentemente, enquanto houver energia, sem a necessidade
de reescrever os dados na memória periodicamente.
• Dispositivos de memória dinâmica: memória semicondutora na
qual os dados armazenados não ficam armazenados
permanentemente, mesmo energizados, a menos que os dados
sejam periodicamente reescritos na memória (refresh).
• Memória principal: A memória de trabalho de um computador.
Armazena instruções e dados que estão sendo utilizados pela
CPU.
• Memória de cache: bloco de memória de alta velocidade que
opera entre a memória principal, mais lenta, e a CPU, para
otimizar a velocidade do computador.
Fisicamente localizada na CPU, na placa mãe, ou em ambos.
• Memória auxiliar: chamada de memória de massa por armazenar
grandes quantidades de informação externa à memória
principal.
É mais lenta que a memória principal e sempre não volátil.
•Todo sistema de memória precisa de linhas de entrada e
de saída para:
Aplicar o endereço binário da localização de memória
acessada.
Ativar dispositivos de memória para responder às
entradas de controle.
Colocar os dados armazenados no endereço especificado.
Em operações de leitura, habilitar as saídas tristate,
que aplicam os dados aos pinos de saída.Em operações de
escrita, aplicar os dados a serem armazenados nos pinos
de entrada de dados.
Ativar a operação de escrita, o que faz com que os dados
sejam armazenados na localização especificada.
Desativar os controles de leitura ou escrita quando
terminar de ler ou gravar e desativar o CI de memória.
• Diagrama de uma memória 32 x 4 e arranjo virtual das
células de memória em 32 palavras de quatro bits:
• Diagrama de uma memória 32 x 4 e arranjo virtual das
células de memória em 32 palavras de quatro bits:

Devido a armazenar
32 palavras, ela tem
32 localizações de
armazenamento
diferentes e 32
endereços binários
diferentes,
de 00000 a 11111
(0 a 31 em
decimais).

Há cinco entradas
para endereço: A0 a
A4.
• Diagrama de uma memória 32 x 4 e arranjo virtual das
células de memória em 32 palavras de quatro bits:

Para acessar um
local de memória
para ler ou
escrever,
o código de cinco
bits de endereço é
aplicado às entradas
de endereço.

Em geral, N entradas
de endereço são
necessárias para uma
memória com uma
capacidade de
palavras 2N.
• Diagrama de uma memória 32 x 4 e arranjo virtual das
células de memória em 32 palavras de quatro bits:

A entrada WE
(leitura-escrita) é
ativada para
permitir à memória
gravar dados.
A barra sobre WE
indica que a
operação de escrita
ocorre quando WE =
0.
• Diagrama de uma memória 32 x 4 e arranjo virtual das
células de memória em 32 palavras de quatro bits:

O pino OE é ativado para

ativar o buffer tristate e
desativado para colocar os
buffers no estado de alta
impedância (hi-Z).
Um sinal de controle
conectado ao OE só é ativado
quando o barramento está
pronto para receber dados da
memória.
A memória principal é interfaceada com a CPU através dos
barramento de endereço, de dados e de controle.

Os três barramentos são necessários para permitir que a CPU

escreva e leia dados na memória.
• Processo de operação de escrita:

A CPU fornece o endereço binário da localização de

memória onde os dados deverão ser armazenados e o
coloca nas linhas do barramento de endereço.
Um decodificador de endereço ativa a entrada enable
do dispositivo de memória (CE ou CS).
A CPU coloca os dados a serem armazenados nas linhas
do barramento.
A CPU ativa as linhas de sinal de controle
apropriadas para a operação de gravação de memória.
Os CIs de memória decodificam internamente o endereço
binário para determinar a localização selecionada
para a operação de armazenamento.
Os dados no barramento de dados são transferidos para
a localização de memória selecionada.
•Processo de operação de leitura:

A CPU fornece o endereço binário da localização de

memória da qual os dados serão recuperados e o
coloca nas linhas do barramento de endereço.
Um decodificador de endereço ativa a entrada enable
do dispositivo de memória (CE ou CS).
A CPU ativa as linhas de controle apropriadas para a
operação de leitura de memória, que geralmente
ficam conectadas ao CI de memória.
Os CIs de memória decodificam internamente o endereço
binário para determinar a localização que está
sendo selecionada para leitura.
Eles colocam os dados da localização de memória no
barramento de dados, do qual eles são transferidos
para A CPU.
• Função de cada barramento do sistema:

Barramento de Endereço - é unidirecional e carrega as

saídas de endereço binário da CPU para os CIs de
memória, para selecionar um local de memória.

Barramento de dados - barramento bidirecional que

carrega dados entre a CPU e os CIs de memória.
Barramento de controle - carrega os sinais de controle
(RD ou WR) da CPU para os CIs de memória.
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