MI MINISTÉRIO DA EDUCAÇÃO

UNIVERSIDADE FEDERAL DO PARANÁ

SETOR DE TECNOLOGIA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA

Laboratório de Eletrônica I
Prof. Alessandro L. Koerich

Simulação de Circuitos Eletrônicos

Introdução ao PSPICE
Objetivo
Este documento fornece uma breve descrição do SPICE. Esta descrição está longe de ser complete, pois o SPICE é um
poderoso simulador de circuitos que possui inúmeras funcionalidades. Entretanto, este documento servirá como
referencia para os estudantes para uma aula introdutória. Para maiores informações, por favor, consulte o manual do
SPICE ou algum dos diversos livros listados no final deste documento.

1. Introdução

O SPICE é um simulador de propósito geral de circuitos analógicos que é utilizado para verificar projetos de circuitos e
prever o comportamento dos circuitos. Isto é de particular importância para circuitos integrados. Foi por isso que ele foi
inicialmente desenvolvido no Electronics Research Laboratory da University of California, Berkeley (1975), e o acrônimo
SPICE significa:

Simulation Program for Integrated Circuits Emphasis.

O SPICE pode realizar diferentes tipos de análise de circuitos, dentre as quais destacam-se:

 Análise CC não-linear: calcula a curva de transferência CC.

 Análise de transitório não-linear: calcula tensão e corrente como uma função do tempo quando grandes sinais
são aplicados.
 Análise linear CA: calcula a saída como uma função da frequência. É gerado um diagrama de Bode.
 Análise de ruído
 Análise de sensibilidade
 Análise de distorção
 Análise de Fourier: calcula e traça o espectro de frequências.
 Análise Monte Carlo

Adicionalmente, o PSPICE tem bibliotecas analógicas e digitais de componentes padrão (como NAND, NOR, flip-flops, e
outras portas digitais, amplificadores operacionais, etc). Isso o torna uma ferramenta útil para uma ampla gama de
aplicações analógicas e digitais.

Todas as análises podem ser feitas em diferentes temperaturas. A temperatura padrão é 300K (27C).

O circuito pode conter os seguintes componentes:

 Fontes de tensão e de corrente dependentes e independentes

 Resistores
 Capacitores
 Indutores
 Indutores mútuos
 Linhas de transmissão
 Amplificadores operacionais
 Chaves
 Diodos
 Transistores Bipolar
 Transistores MOS
 JFET
 MESFET
 Portas digitais
2. Topologia e Análise

Um arquivo de entrada do PSPICE, chamado de arquivo fonte, consiste em três partes:

1. Declaração de dados: descrição dos componentes e as interconexões.

2. Declaração de controle: estabelece o tipo de análise a ser realizada no circuito.
3. Declaração de saída: especifica quais saídas devem ser impressas ou traçadas.

Apesar destas declarações poderem aparecer em qualquer ordem, é recomendado que elas sejam fornecidas na ordem
acima. Duas outras declarações são necessárias: a declaração de título e a declaração de encerramento. A declaração
de título é a primeira linha e pode conter qualquer informação, enquanto a declaração te encerramento é sempre .END.
Esta declaração deve estar em uma linha seguido de um carriage return! Adicionalmente podemos inserir declaração de
comentário, que deve começar com um asterisco (*) e são ignoradas pelo SPICE.

DECLARAÇÃO DE TITULO
DECLARAÇÃO DE ELEMENTOS
.
.
DECLARAÇÃO DE COMANDOS (CONTROLE)
DECLARAÇÃO DE SAÍDA
.END <CR>

Formato: A declaração tem um formato livre e consiste de campos separados por um espaço em branco. Se
continuarmos a declaração na próxima linha, devemos utilizar o sinal "+" (sinal de continuidade) no início da próxima
linha. Os números podem ser inteiros ou de ponto flutuante. Por exemplo:

RES1 1 0 3500 or RES1 1 0 3.5E3

Podem ser também utilizados os seguintes fatores de escala:

Potência de dez Nome SI Sufixo do PSPICE

-15 Femto f ou F
-12 Pico p ou P
-9 Nano n ou N
-6 micro u ou U
-3 mili m ou M
+3 kilo k ou K
+6 mega meg ou MEG
+9 giga g ou G
+12 tera t ou T

Tanto letras maiúsculas quanto minúsculas são permitidas. Por exemplo, podemos especificar um capacitor de 225
picofarad das seguintes maneiras:

225P, 225p, 225pF; 225pFarad; 225E-12; 0.225N, etc.

2.1 Declarações

Fontes CC Independentes

Fonte de tensão:

Vname N1 N2 Type Value

Fonte de corrente:

Iname N1 N2 Type Value

onde:
 N1 é o nó do terminal positivo
 N2 é o nó do terminal negativo
  Type p
pode ser DCC, AC ou TRA AN, depende endo do tipo de análise (v
ver declaraçõões de contrrole)
 Value fornece o va
alor da fonte
 me de uma fo
O nom onte de tensãão e de corre
ente deve co
omeçar com V e I, respecctivamente.

Exemplos:

Vin 2 0 DC 10
Is 3 4 D
DC 1.5

A dire
eção da corre
ente positiva através da fonte
f de corrrente ou tens
são é do nó positivo
p (N1)) para o nó negativo (N2)):

Convenções
C s de Tensão
o e Correntee:

1. O SPICE sem mpre atribui uma

u referênc
cia positiva p
para o primeiiro nó e usa a convençãoo do sinal pa
assivo para atribuir
a
a referencia de corrente.
2. O SPICE usa a análise de e tensão noss nós. Ele reesolve para as tensões desconhecid
d das dos nós e também para
p as
co
orrentes dessconhecidas através das fontes de te ensão independentes. Is sto nos forneece uma maneira de enccontrar
ass correntes ffluindo nos elementos:
e podemos
p e uma fonte de tensão. Portanto,
obtter a corrente através de P poddemos
inserir uma fonte de tensã ão independeente de valorr zero em série com o eleemento cuja corrente dessejamos connhecer,
co
omo mostrad do no exemp plo abaixo:

O valoor da corren
nte será possitivo se ela fluir do term
minal positive
e para o neggativo atravéés da fonte, como no exxemplo
acimaa. Algumas vversões do PSPICE
P perm
mite-nos con nhecer uma corrente
c avés de um resistor sem
atra m utilizar uma
a fonte
de ten
nsão (Ex: I(R
R1) fornece a corrente noo resistor R1)).

Fonte
es Dependen
ntes

Fonte de tensão ccontrolada po

or tensão:

Ename N1
1 N2 NC1 NC2
N Value

Fonte de corrente controlada por

p tensão:

1 N2 NC1 NC2
Gname N1 N Value

Fonte de tensão ccontrolada po

or corrente:

Hname N1
1 N2 Vcont
trol Value
e

Fonte de corrente controlada por

p corrente::

1 N2 Vcont
Fname N1 trol Value
e

onde:
 N1 e N
N2 são os teerminais positivos e nega ativos de umaa fonte dependente respeectivamente.
 NC1 e NC2 são oss terminais positivos
p e ne
egativos de uma
u fonte de
e tensão conntrolada, resp
pectivamente e.
 Vconttrol é a fonte
e de tensão de valor zerro usada pra a medir a coorrente de coontrole (a co
orrente posittiva flui
para o terminal poositivo da fon
nte de tensãoo de controle
e!).

Exemplos:

F1 0 3 V
Vmeas 0.5
Vmeas 4 0 DC 0
Resis
stores

Rname N1
1 N2 Value
e

Capac
citores (C) e Indutores (L)

Cname N1
1 N2 Value
e <IC>

Lname N1
1 N2 Value
e <IC>

onde:
 N1 é o nó positivoo
 N2 é o nó negativo o
 IC é a condição innicial (tensão
o ou corrente
e CC).
 O sím
mbolo < > significa que o campo é opccional. Se nã
ão especifica
ado, é assum
mido ser zero
o. No caso de
e um
induto
or, a corrente
e flui de N1 para
p N2.

Exemplo:

Cap5 3 4 35E-12 5
L12 7 3 6.25E-3 1m
1

Fonte
es Senoidais
s

Vname N1
1 N2 SIN(V
VO VA FREQ
Q TD THETA
A PHASE)

que re
epresenta um
ma fonte de tensão
t senoiidal amortec ida que segu
ue a seguinte
e equação:

Vname = V p[-THETA.(t - TD)] sin[2p

VO + VA exp pi.f (t - TD) + (Phase/360))]

onde:
 VOO: tensão de offset em voolts.
 VAA: amplitude em volts.
 f = FREQ: a frequênccia em hertz..
 TDD: atraso em segundos
 THHETA: mortecimento
fator de am o por segund
do
 Phase: fase em grraus

Se TD
D, THETA e P
PHASE não forem espec assumido serrem zero (0).
cificadas, é a

Exemplo:

VG 1 2 S
SIN(5 10 50
5 0.2 0.1
1)
 VG2 3 4 SIN(0 10 50)

O ultim
mo exemplo é uma senoide sem amo
ortecimento, sem atraso com uma am
mplitude de 110V e frequê
ência de 50 Hz.
H

Para gerar uma ffunção cosse

eno, você pode fazer usso do relacionamento de fase entree seno e co
osseno. Abaixo um
exemp onda cossenoidal sem attraso com um
plo de uma o ma amplitude
e de 5V e frequência de 550 Hz.

Vcos 1 2 SIN(0 5 50 0 0 90
0)

Fonte
e Linear Partticionada (P
PWL)

Vname N1
1 N2 PWL(T
T1 V1 T2 V2
V T3 V3 .
...)

na qual (Ti Vi) esp

pecifica o valor Vi da fontte no tempo T
Ti.

Exem
mplo:

Vgpwl 1 2 PWL(0 0 10U 5 10

00U 5 110U
U 0)

Pulso
o

Vname N1
1 N2 PULSE
E(V1 V2 TD
D Tr Tf PW
W Period)

 V1: tensão inicial

 V2: tensão de pico o
 TD: tempo de atraso inicial
 Tr: tempo o de subida
 Tf: tempo o de descida
 pwf: larguraa do pulso
 Periodd: perioddo

Outras fontes com

mo fontes po
olinomial con odulada FM, etc. podem ser especificadas.
ntrolada, fontte exponencial, fonte mo
Para estes
e compoonentes, conssultar o manual do PSPI CE.

Chave
es Controla
adas por Ten
nsão e Corre
ente

Contro
olada por Te
ensão:

Sname N1
1 N2 C1 C2
2 Mname

Contro
olada por Co
orrente:

Wname N1
1 N2 Vname
e Mname
  N1 e N2 são os terminais da chave.
 C1 e C2 são os terminais de controle.
 Vname é fonte de tensão de valor zero cuja corrente controla a chave.
 Mname se refere ao modelo da chave que é definida em outra declaração (ver declaração de modelo).

A declaração .MODEL permite-nos especificar os parâmetros de uma variedade de dispositivos usados no SPICE, tais
como chaves, diodos, transistores, etc. No caso de uma chave temos:

.MODEL Mname Dname(Pvalues)

 Mname se refere a Mname na declaração de dados da chave.

 Dname é o nome do dispositivo: Vswitch ou Iswitch.
 Pvalues são os valores dos parâmetros da chave, tais como RON (resistência on), ROFF (resistência
off), VON (a tensão de controle para ON; default = 1V), VOFF (tensão de controle para OFF; default =
0V), etc.
Exemplo:

S15 3 5 8 9 SMOD

.MODEL SMOD VSWITCH(RON = 10, VON = 0, ROFF = 100MEG)

Amplificadores Operacionais e Outros Elementos

Um amplificador operacional pode ser simulado de diferentes maneiras. O primeiro método é modelar o amplificador por
resistores, capacitores e fontes dependentes. Como exemplo, um amplificador operacional ideal é facilmente simulado
usando uma fonte de tensão dependente de tensão. A segunda opção usa transistores para modelar o AmpOp. A
biblioteca de dispositivos contém modelos dos AmpOp mais comuns. A versão educacional do PSPICE possui macro
modelos para os amplificadores lineares LM324 e uA741 que estão incluídos no arquivo EVAL.LIB. A versão profissional
vem com bibliotecas de diversos amplificadores e dispositivos comerciais.

Um exemplo do primeiro método (modelo AC linear) é apresentado abaixo para o AmpOp uA741. Definimos um sub-
circuito para o AmpOp.

* Subcircuit for 741 opamp

.subckt opamp741 1 2 3
* +in (=1) -in (=2) out (=3)
rin 1 2 2meg
rout 6 3 75
e 4 0 1 2 100k
rbw 4 5 0.5meg
cbw 5 0 31.85nf
eout 6 0 5 0 1
.ends opamp741

Sub-circuitos

Um sub-circuito permite-nos definir uma coleção de elementos como um sub-circuito (e.g. um amplificador operacional) e
inserir esta descrição no circuito global (como faríamos para qualquer outro elemento).

Definindo um Sub-circuito

Um sub-circuito é definido através de uma declaração de controle .SUBCKT, seguido pela descrição do circuito como se
segue:

.SUBCKT SUBNAME N1 N2 N3 ...

Declaração dos elementos

.
.
.
.ENDS SUBNAME
na qual SUBNAME é o nome do sub-circuito e N1, N2, N3 são os nós externos do sub-circuito. Os nós externos não
podem ser zero (0). O numero dos nós usados internamente no sub-circuito são estritamente locais, exceto o nó 0 que é
sempre global.

Usando um sub-circuito

A declaração de elementos para um sub-circuito é similar a qualquer outro elemento. O formato é como se segue:

Xname N1 N2 N3 ... SUBNAME

na qual Xname se refere aos elementos (sub-circuito) sendo usados; N1, N2, N3 são os nós aos quais os nós externos
do sub-circuito são conectados, e SUBNAME é o nome do sub-circuito sendo usado.

Um exemplo de um circuito inversor com amplificador operacional usando o sub-circuito do uA741 é apresentado
abaixo. O sub-circuito é chamado de x1.

vs 1 0 dc 5
r1 1 2 200
rf 2 3 1k
x1 0 2 3 opamp741
.dc vs 0 10 1
.plot dc v(3)
.end

Dispositivos Semicondutores

A maioria dos elementos que foram descritos anteriormente necessitam somente de poucos parâmetros para especificar
suas características elétricas. Entretanto, os modelos para dispositivos semicondutores necessitam de muitos valores de
parâmetros. Um conjunto de parâmetros de modelo de dispositivo é definido em uma declaração separada .MODEL para
a qual é atribuída um nome único. Este método alivia a necessidade de especificar todos os parâmetros do modelo em
cada utilização do elemento. Portanto, um dispositivo semicondutor é especificado por duas linhas de comando: uma
declaração do elemento e uma declaração de modelo.

A sintaxe para a declaração de modelo é:

.MODEL MODName Type (parameter values)

onde MODName é o nome do modelo para o dispositivo. Type refere-se ao tipo do dispositivo e pode ser qualquer um
dos seguintes:

TYPE Dispositivo
D Diodo
NPN Transistor Bipolar npn
PNP Transistor Bipolar pnp
NMOS Transistor nmos
PMOS Transistor pmos
NJF Modelo JFET canal N
PJF Modelo JFET canal P

Os valores dos parâmetros especificam as características dos dispositivos como explicado a seguir.

Diodo

Declaração do elemento:

Dname N+ N- MODName

Declaração do modelo:

.MODEL MODName D (IS= N= Rs= CJO= Tt= BV= IBV=)

O nome do elemento começa com D para indicar que o elemento é um diodo, N+ e N- são os dois números dos nós e
MODName é o nome do modelo do diodo que é especificado na linha .MODEL. Os valores que podem ser especificados
incluem:
  a corrente de saturação, IS (default=1E-14A)
 o coeficiente de emissão, N (=1)
 a resistência em série, RS (=0 ohm)
 capacitância da junção, CJO (=0F)
 tempo de trânsito, TT (=0sec)
 tensão de ruptura para polarização reversa, BV (=infinito)
 corrente de ruptura para polarização reversa, IBV (=1xE-10A).

Se um parâmetro não for especificada o valor default é considerado.

Como exemplo, os parâmetros do modelo para um diodo comercial 1N4148 são os seguintes:

.model D1N4148 D (IS=0.1PA, RS=16 CJO=2PF TT=12N BV=100 IBV=0.1PA)

Transistor Bipolar

Declaração do elemento:

Qname C B E BJT_modelName

Declaração do modelo:

.MODEL BJT_modName NPN (BF=val IS=val VAF=val)

na qual BF é o ganho de corrente de emissor comum ß, IS é a corrente de saturação e VAF é a tensão de Early. Se
valores não forem especificados, os valores padrão são assumidos (ß=100; IS=1E-16A e VAF=[infinito]). Outros
par6ametros podem ser especificados, incluindo as capacitâncias de junção CJE (0pF) e CJC (0pF), os tempos de
trânsito TT (0sec) e TR (0sec), as resistências da base RB (0 Ohm), emissor RE (0 Ohm) e coletor RC (0 Ohm).

Como exemplo, os parâmetros de modelo para o transistor 2N2222A NPN são apresentados abaixo:

.model Q2N2222A NPN (IS=14.34F XTI=3 EG=1.11 VAF= 74.03 BF=255.9 NE=1.307
ISE=14.34F IKF=.2847 XTB=1.5 BR=6.092 NC=2 ISC=0 IKR=0 RC=1 CJC=7.306P MJC=.3416
VJC=.75 FC=.5 CJE=22.01P MJE=.377 VJE=.75 TR=46.91N TF=411.1P ITF=.6 VTF=1.7 XTF=3
RB=10)

Note que um sinal de continuação “+“ deve ser adicionado no início de uma nova linha.

MOSFETS

Elemento:

Mname ND NG NS <NB> ModName L= W=

O nome do transistor MOS (Mname) deve começar com um M; ND, NG, NS e NB são os números dos nós dos terminais
de Dreno (Drain), Porta (Gate), Fonte (Source) e Substrato (Bulk), respectivamente. ModName é o nome do modelo do
transistor. L e W são o comprimento e largura da porta (em metros).

Os parâmetros acima são geralmente suficientes para especificarmos transistores discretos. Entretanto, para simulações
de circuitos integrados devemos especificar outros valores de parâmetros relacionados a geometria do transistor. Estes
são opcionais.

Mname ND NG NS NB ModName <L=VAL> <W=VAL> <AD=VAL> <AS=VAL> <PD=VAL> <PS=VAL>

<NRD=VAL> <OFF> <IC=VDS.VGS.VBS>

na qual
 AD e AS são de difusão da fonte e do dreno (em m2).
 PD e PS são os valores (em m) do perímetro da fonte e do dreno.
 NRD é o número de quadrados da difusão do dreno para cálculos de resistência.
 OFF ajusta a condição inicial para desligado.
 A especificação da condição inicial usando IC=VDS, VGS, VBS está relacionada ao uso com a opção UIC de
.TRAN, quando uma análise de transitório é desejada, mas começando em um ponto diferente do ponto de
operação quiescente.
Declaração de modelo:

.MODEL ModName NMOS (KP= VT0= lambda= gamma=)

no qual KP=uCox e VTO é a tensão de limiar (threshold). Os valores padrão são KP=20uA/V2; e o restante igual a zero
(0). Existem diversos outros parâmetros do transistor que podem ser especificados, em particular quando realizamos
simulações de circuitos integrados. O formato geral da declaração .MODEL é a seguinte:

.MODEL ModName NMOS (<LEVEL=val> <keyname=val> ... )

.MODEL ModName PMOS (<LEVEL=val> <keyname=val> ... )

LEVEL diz respeito ao modelo MOSFET que descreve as características I-V do terminal dos transistores. LEVEL 1 é o
modelo Mosfet mais simples e em geral suficiente para descrever transistores discretos. Entretanto, para simular
transistores de circuitos integrados, necessitamos utilizar modelos mais sofisticados. LEVEL 2 inclui modelos de segunda
ordem, enquanto LEVEL 3 é um modelo semi-empírico que é melhor adaptado para transístores de canal curto. Outro
modelo que é especialmente adaptado para modelar os efeitos de canal curto é chamado de modelo BSIM.

JFETS

Elemento:

Jname ND NG NS ModName

onde ND, NG e NS são os números dos nós dos terminais Dreno, Porta (Gate) e Fonte (Source), respectivamente.
ModName é o nome do modelo do transistor.

Declaração de modelo:

.MODEL ModName NJF (parameter= )

.MODEL ModName PJF (parameter= )

para o N-JFET e P-JFET respectivamente. Uma lista parcial dos parâmetros que podem ser especificados é: VT0
(tensão de limiar (threshold), -2V padrão para N_JFET), BETA (coeficiente de transcondutância, 1E-4 A/V2), LAMBDA
(modulação do comprimento do canal, 0 /V), IS (corrente de saturação da porta p-n, 1E-14A), CGD e CGS (capacitâncias
de junção do dreno e fonte para polarização zero, 0pf), RD e RS (resistências de dreno e fonte, 0 Ohm).

2.2 Tipo de Análise

.OP

Esta declaração instrui o PSPICE a calcular os pontos de operação CC:

 tensão no nós
 corrente em cada fonte de tensão
 ponto de operação para cada elemento

No PSPICE geralmente não é necessário especificar .OP, pois ele fornece automaticamente as tensão CC dos nós.

.DC

Esta declaração permite incrementar uma fonte independente em uma determinada faixa com um passo especificado. O
formato é o seguinte:

.DC SRCname START STOP STEP

na qual SRC name é o nome da fonte que desejamos variar; START e STOP são os valores inicial e final,
respectivamente; e STEP é o tamanho do incremento.

Exemplo:
 .DC V1 0 20 2

Quando os valores START e STOP são idênticos (e Step é zero), o comando .DC produz um único valor.

Podemos aninhar comandos DC que são frequentemente utilizados para traçar características do transistor, como a
corrente de dreno ids versus a tensão dreno-fonte Vds para diferentes tensões da porta Vgs. Isso pode ser feito como se
segue:

.DC SRCname1 START STOP STEP SRCname2 START STOP STEP

Exemplo:

.DC Vds 0 5 0.5 Vgs 0 5 1

No exemplo acima, a tensão Vds será incrementada de 0 a 5V em passos de 1V para cada valor de Vgs.

.TF

Esta declaração instrui o PSPICE a calcular as seguintes características de pequenos sinais:

1. a razão entre a variável de saída e de entrada (ganho ou ganho de transferência)

2. a resistência com relação a fonte de entrada
3. a resistência com relação aos terminais de saída

.TF OUTVAR INSRC

na qual OUTVAR é o nome da variável de saída e INSRC é a fonte de entrada.

Exemplo:

.TF V(3,0) VIN

O comando .TF pode ser usado para encontrar o equivalente Thevenin da resistência de pequenos sinais. (A tensão
Thevenin é dada pela tensão nodal no terminal de circuito aberto, como um resultado do comando .OP).

.SENS

Instrui o PSpice a calcular as sensibilidades CC de pequeno sinal para cada variável de saída especificada em relação a
cada parâmetro do circuito.

.SENS VARIABLE

Exemplo:

.SENS V(3,0)

.TRAN

Este comando especifica o intervalo de tempo no qual a análise de transitório será realizada e os incrementos de tempo.
O formato é o seguinte:

.TRAN TSTEP TSTOP <TSTART <TMAX>> <UIC>

 TSTEP: é o increment de tempo

 TSTOP: é o tempo final
 TSTART: é o tempo inicial (se omitido, é assumido TSTART = 0)
 TMAX: é o tamanho de passo máximo.
  UIC significa Use Initial Condition e instrui o PSpice not to do the quiescent operating point before beginning
the transient analysis. If UIC is specified, PSpice will use the initial conditions specified in the element
statements (see data statement) IC = value.

.IC

Este comando fornece uma maneira alternativa para especificar condições iniciais dos nós (e portanto sobre
capacitores).

.IC Vnode1 = value Vnode2 = value etc.

.AC

Este comando é usado para especificar a análise em frequência (AC). O formato é como se segue:

.AC LIN NP FSTART FSTOP

.AC DEC ND FSTART FSTOP
.AC OCT NO FSTART FSTOP

onde LIN se refere a variação linear de frequência, DEC e OCT para variações de décadas e oitavas respectivamente.
NP se refere ao número de ponto e ND e NO ao número de pontos de frequência por década e oitava. FSTART e
FSTOP são as frequencias de início e fim em Hertz

Exemplo:

.AC DEC 10 1000 1E6

2.3 Saída

Estas declarações irão instruir o PSpice a qual saída gerar. Se não for especificada uma saída, o PSpice irá calcular
sempre os pontos de operação CC. Os dois tipos de saída são impressa e traçado. A impressa é uma tabela de pontos
de dados e um traçado é uma representação gráfica.

.PRINT TYPE OV1 OV2 OV3 ...

.PLOT TYPE OV1 OV2 OV3 ...

na qual TYPE especifica o tipo da análise a ser impressa ou traçada e pode ser:

 DC
 TRAN
 AC

As variáveis de saída são OV1, OV2 e podem ser tensões ou corrente em fontes de tensão. Tensões nodais e correntes
nos dispositivos podem ser especificadas como magnitude (M), fase (P), real (R) ou imaginário (I) adicionando os sufixos
abaixo à V ou I:

 M: Magnitude
 DB: Magnitude in dB (deciBells)
 P: Fase
 R: Parte real
 I: Parte imaginária

Exemplos:

.PLOT DC V(1,2) V(3) I(Vmeas)

.PRINT TRAN V(3,1) I(Vmeas)
.PLOT AC VM(3,0) VDB(4,2) VM(2,1) VP(3,1) IR(V2)