Universidade Federal de Santa Maria

ELC1113 - DISPOSITIVOS E CIRCUITOS

ELETRÔNICOS I

Prova 1

Professor:
Aluno:
Mário Lúcio da Silva Martins
Giulia R Herdies
Departamento de Eletrônica e
2020510269
Computação - DELC

11 de julho de 2022
Prova 1 G R Herdies

Analisar o circuito amplificador da Figura 1

1. Encontrar VC E q , IC q , IB q para ambos estágios
2. Encontrar o modelo de pequenos sinais
3. Simular o circuito considerando um sinal de entrada de 20mV

Figura 1: Circuito Amplificador

Utilizar os seguintes valores:
VC C = 12V R1 = 1kΩ R2 = 57kΩ R3 = 10kΩ R4 = 4.7kΩ

R5 = 1kΩ R6 = 39kΩ R7 = 27kΩ R8 = 470kΩ R9 = 820kΩ

C1 = C2 = C3 = C4 = 4.7µF β1 = 100 β2 = 120

Análises
1. Equações usadas para a realização da análise são:
ET H − VB C
VC E q = VC C − IC RC IC q = βIB q IB q =
RT H + (β + 1)RE

sendo ET H e RT H , respectivamente :
R2 VC C
ET H = VR2 = RT H = R1 ||R2
R1 + R2

1
Prova 1 G R Herdies

Primeiro estágio (β = β1 ):
R3 VC C 10kΩ(12V )
ET H = = = 1.79V
R3 + R2 10kΩ + 57kΩ

R2 R3 10kΩ(57kΩ)
RT H = R1 ||R2 = = = 8.5kΩ
R2 + R3 10kΩ + 57kΩ

ET H − VB C 1.79V − 0.7V
IB q = = = 9.95µA
RT H + (β + 1)RE 8.5kΩ + (100 + 1)1

IC q = β1 IB q = 100(9.95µA) = 9.95(10−4 )A

VC E q = VC C − IC RC = 12V + (9.95µA)(4.7kΩ + 1kΩ) = 6.23V

Na simulação feita no software LTSpice obtemos que VC E q = 6.053V , IC = 1mA e

IB = 9.91µA para o primeiro estágio localizado em Q1 .
Segundo estágio (β = β2 ):

R7 VC C 27kΩ(12V )
ET H = = = 4.9V
R7 + R6 27kΩ + 39kΩ

39kΩ(27kΩ)
RT H = R6 ||R7 = = 15.95kΩ
39kΩ + 27kΩ

ET H − VB C 4.9V − 0.7V
IB q = = = 73.8nA
RT H + (β + 1)RE 15.95kΩ + (120 + 1)470kΩ

IC q = β1 IB q = 120(73.8nA) = 8.85µA

VC E q = VC C − IC RC = 12V + (8.85µA)(0 + 470kΩ) = 7.83V

Com base na simulação feita no software LTspice temos que para o segundo estágio
localizado em Q2 VC E q = 7.624V , IC = 9.23µA, IB = 71.8nA.
2. As relações usadas para encontrar o modelo de pequenos sinais são:
26mV
R′ = Ra ||Rb re =
IE

2
Prova 1 G R Herdies

−RC ||ro
Zi = R′ ||β(re) ZO = RE ||ro Au =
re
- Primeiro estágio:

R3 (VC C ) 10kΩ(12V )
VB = = = 1.79V VE = VB −VB E = 1.79V −0.7V = 1.09V
R3 + R2 10kΩ + 57kΩ

VE 1.09V 26mV
IE = = = 1.09V re = = 23.85Ω
R5 1kΩ 1.09V

10kΩ(57kΩ)
R′ = R2 ||R3 = = 8.5Ω
10kΩ + 57kΩ

8.5Ω(2.385KΩ)
Zi = R′ ||β1 (re) = 8.5Ω||100(23.85Ω) = = 1.86kΩ Zo = R4 = 4.7kΩ
8.5Ω + 2.385KΩ

−RC −4.7kΩ
Au = = = - 197.06
re 23.85Ω
- Segundo estágio

R7 (VC C ) 27kΩ(12V )
VB = = = 4.90V VE = VB −VB E = 4.90V −0.7V = 4.20V
R6 + R7 39kΩ + 27kΩ

VE 4.20V 26mV
IE = = = 8.93µA re = = 2.909kΩ
R8 470kΩ 8.93V

39kΩ(27kΩ)
R′ = R6 ||R7 = = 15.95kΩ
39kΩ + 27kΩ

Zi = R′ ||β2 (re) = 15.95kΩ||120(2.909kΩ) = 15.25kΩ Zo = R9 ||R8 = 298.7kΩ

RE
Au = =1
RE

3
Prova 1 G R Herdies

Estágio 1 Estágio 2
Zi 1.86kΩ 15.25kΩ
ZO 4.7kΩ 298.7kΩ
Au −197.06 1
Tabela 1: Tabela 1: Resultados para o modelo de pequenos sinais.

Os principais resultados para o modelo de pequenos sinais estão na Tabela 1:

O modelo de pequenos sinais pode ser expressado pela Figura 2 para o primeiro
estágio e o segundo estágio.

Figura 2: Modelo de pequenos sinais