ENGENHARIA ELÉTRICA

Tutor Roberto Teixeira Neto

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Assuntos secretaria:
 Atendimento ao aluno

Assuntos Acadêmicos
(coordenação):
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CALENDÁRIO ACADÊMICO

Tutor Roberto Teixeira Neto

 CALENDÁRIO DE MATÉRIAS
MATÉRIAS

TÓPICO MEDIDAS E MATERIAIS METODOLOGIA CIENTÍFICA

CIRCUITOS ELÉTRICOS II ELETRÔNICA ANALÓGICA ELETROMAGNETISMO ED - SOFTWARE MATEMÁTICO
ELÉTRICOS (PARALELA ONLINE)

FÓRUM 01/08/2022 - 22/08/2022 29/08/2022 - 19/09/2022 26/09/2022 - 17/10/2022 01/08/2022 - 17/10/2022 24/10/2022 - 14/11/2022 NÃO TEM
CONTEÚDO WEB 01/08/2022 - 10/12/2022 22/08/2022 - 10/12/2022 12/09/2022 - 10/12/2022 01/08/2022 - 10/12/2022 03/10/2022 - 10/12/2022 12/09/2022 - 10/12/2022
TELEAULA 1 01/08/2022 29/08/2022 26/09/2022 01/08/2022 24/10/2022 NÃO TEM
TELEAULA 2 08/08/2022 05/09/2022 03/10/2022 08/08/2022 31/10/2022 NÃO TEM
TELEAULA 3 15/08/2022 12/09/2022 10/10/2022 15/08/2022 07/11/2022 NÃO TEM
TELEAULA 4 22/08/2022 19/09/2022 17/10/2022 22/08/2022 14/11/2022 NÃO TEM
TELEAULA 5 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
TELEAULA 6 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
TELEAULA 7 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
TELEAULA 8 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA ATIVIDADE 1 01/08/2022 29/08/2022 26/09/2022 01/08/2022 24/10/2022 NÃO TEM
AULA ATIVIDADE 2 08/08/2022 05/09/2022 03/10/2022 08/08/2022 31/10/2022 NÃO TEM
AULA ATIVIDADE 3 15/08/2022 12/09/2022 10/10/2022 15/08/2022 07/11/2022 NÃO TEM
AULA ATIVIDADE 4 22/08/2022 19/09/2022 17/10/2022 22/08/2022 14/11/2022 NÃO TEM
AULA ATIVIDADE 5 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA ATIVIDADE 6 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA ATIVIDADE 7 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA ATIVIDADE 8 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA PRÁTICA 1 12/08/2022 09/09/2022 07/10/2022 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA PRÁTICA 2 19/08/2022 16/09/2022 14/10/2022 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA PRÁTICA 3 26/08/2022 23/09/2022 21/10/2022 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA PRÁTICA 4 02/09/2022 30/09/2022 28/10/2022 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA PRÁTICA 5 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA PRÁTICA 6 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA PRÁTICA 7 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AULA PRÁTICA 8 NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM NÃO TEM
AV. VIRTUAL 1 01/08/2022 - 29/08/2022 22/08/2022 - 19/09/2022 26/09/2022 - 17/10/2022 01/08/2022 - 07/11/2022 03/10/2022 - 14/11/2022 12/09/2022 - 10/12/2022
AV. VIRTUAL 2 01/08/2022 - 05/09/2022 22/08/2022 - 19/09/2022 26/09/2022 - 17/10/2022 01/08/2022 - 14/11/2022 03/10/2022 - 14/11/2022 12/09/2022 - 10/12/2022
PROVA PRESENCIAL 29/08/2022 26/09/2022 24/10/2022 31/10/2022 21/11/2022 NÃO TEM
PTG 01/08/2022 - 24/10/2022
TCC NÃO TEM

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MODELOS ATÔMICOS
DISTRIBUIÇÃO ELETRÔNICA
 TABELA PERIÓDICA - CLASSIFICAÇÕES
 Raio atômico: metade da distância entre os centros de dois átomos. O raio atômico aumenta no
mesmo sentido de aumento de período ao longo de um grupo.
 Tamanho iônico: sendo chamado de ânion ao ganhar elétrons e de cátion ao perder elétrons. um
íon é um elemento que perdeu ou ganhou elétrons,
 Energia de ionização: é a energia necessária para a remoção de um elétron da camada de
valência, levando à formação de cátions.
 Afinidade eletrônica: a formação de ânions ocorre quando um átomo captura um elétron. A
capacidade de um átomo capturar elétrons é avaliada como afinidade eletrônica.
TABELA PERIÓDICA
 LIGAÇÃO IÔNICA
 Se um átomo neutro doar ou receber elétrons, ou seja, caso se torne eletricamente carregado, ele
se tornará um íon.
 Um íon positivo, chamado de cátion, é produzido quando o átomo neutro perde elétrons.
 Quando um átomo neutro ganha elétrons, forma-se um íon com carga negativa, chamado de
ânion.
 LIGAÇÃO COVALENTE
 Ligação covalente é um tipo de interação entre átomos que apresentam alta eletronegatividade,
ou seja, elevada tendência de receber elétrons. Os elementos químicos comumente envolvidos
nesse tipo de ligação são:
 Hidrogênio (H); Berílio (Be); Boro (B);
 Carbono (C); Nitrogênio (N); Fósforo (P);
 Oxigênio (O); Enxofre (S); Flúor (F);
 Cloro (Cl); Bromo (Br); Iodo (I);
 De acordo com a natureza dos elementos químicos envolvidos na ligação covalente, ela pode
ocorrer da seguinte forma:
 Entre dois átomos de Hidrogênio;
 Entre um átomo de ametal e o Hidrogênio;
 Entre átomos de um mesmo elemento químico (ametal);
 Entre átomos de elementos químicos diferentes (ambos ametais).
 LIGAÇÃO COVALENTE
 Tipos de Ligação Covalente:
 Simples
 Dupla
 Tripla
 Coordenada ou Dativa
 LIGAÇÃO METÁLICA
 São formadas entre átomos de metais fazendo com que os metais se agrupem formando os
retículos cristalinos quando em estado sólido.
LEI DE OHM
RESISTIVIDADE
 CONDUTIVIDADE
 É uma característica dos materiais que define a facilidade em que eles são capazes de transportar
cargas elétricas quando sujeitos a uma diferença de potencial elétrico.
 CONDUTIVIDADE
 É uma característica dos materiais que define a facilidade em que eles são capazes de transportar
cargas elétricas quando sujeitos a uma diferença de potencial elétrico.
CONDUTIVIDADE
BANDAS DE ENERGIA

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 MATERIAL COM IMPUREZAS
 Para temperaturas
 acima de -200 ºc

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 SEMICONDUTORES
 Um semicondutor é todo aquele material que, dependendo das circunstâncias — temperatura,
pressão, radiação e campos magnéticos —, pode atuar como condutor, permitindo a passagem de
corrente, ou como isolante, impedindo que a mesma passe.

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 SEMICONDUTORES TIPOS
 Dependendo de sua pureza, os semicondutores são classificados em dois tipos:
 Condução intrínseca: são puros, pois sua estrutura molecular é formada por um único tipo de
átomo, tais como o silício, germânio, estanho, selênio ou telúrio.

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 SEMICONDUTORES TIPOS
 Condução extrínseca: são aqueles aos quais são adicionadas impurezas em um processo
conhecido como dopagem, cujo objetivo é aumentar a condutividade dos materiais.
 DOPAGEM:
 Tipo P: ao dopar um átomo tetravalente (como o silício) com outro trivalente (como o alumínio, o
boro ou o gálio), há três elétrons para quatro ligações covalentes, produzindo um buraco (lacunas
ou vacâncias) através do qual ocorre o fluxo de elétrons que propicia a corrente elétrica.
 Devido à carga positiva do buraco, são conhecidos pela letra P.
 Tipo N: são formados ao dopar um átomo tetravalente (como o silício) com outro pentavalente
(como o fósforo, o antimônio ou o arsênio). Ao haver cinco elétrons e quatro ligações
covalentes, um elétron com carga negativa, por isso se usa a letra N, fica livre para se deslocar
através da rede cristalina, aumentando a condutividade do semicondutor intrínseco.

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DOPAGEM P X N

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 EFEITO HALL
 O efeito Hall se caracteriza basicamente pelo aparecimento de um campo elétrico transversal em
um condutor percorrido por uma corrente elétrica, quando o mesmo se encontra mergulhado em
um campo magnético.
 Na presença de um campo magnético perpendicular, o fluxo de corrente é distorcido.
 A distribuição resultante provoca o aparecimento de uma DDP entre os terminais de saída.
 Esta DDP é chamada Tensão Hall.

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 DIODOS
 É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor, sua função principal está em como
retificador de corrente elétrica e detector de sinal entre outras aplicações prática.
 A função de um diodo é para permitir que uma corrente elétrica passe em uma direção, mas
bloqueie a corrente na direção oposta, ou seja no sentido inverso.
 Este comportamento é chamado de retificação unidirecional.

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 DIODOS
 As cargas recombinadas geram um campo elétrico que irá criar uma força de oposição ao
movimento dos elétrons - barreira de potencial:
 Silício: 0,7 V;
 Germânio: 0,3 V.

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COMPORTAMENTO - DIODO

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COMPORTAMENTO - DIODO

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TIPOS DE DIODOS

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 TRANSISTOR
 Os transistores têm duas funções básicas: amplificar a corrente elétrica ou barrar a sua passagem.
Quando na função de amplificador, os transistores são alimentados por uma baixa corrente elétrica
de entrada, amplificando-a e, assim, produzindo uma corrente elétrica de saída com maior
intensidade.
 Os transistores também podem funcionar como interruptores, ligando ou desligando a corrente
elétrica em um circuito: da mesma forma como eles são capazes de amplificar a corrente elétrica,
eles também são capazes de atenuá-la, e esse processo pode ocorrer em uma grande velocidade.

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 TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO - TBJ
 Essa categoria de transistor recebe essa denominação por possuir duas junções PN combinadas e
por envolver tanto cargas positivas, quanto cargas negativas no processo de condução.
 Os dois tipos de TBJ mais comuns são os NPN e os PNP.
 Nos transistores PNP, a corrente é composta majoritariamente de cargas positivas (lacunas),
enquanto que nos NPN a corrente é composta majoritariamente de elétrons.
 Os três terminais do transistor bipolar de junção são denominados base, coletor e emissor.
 O terminal da base é responsável por controlar o processo de condução
 O emissor e o coletor são os terminais de entrada e saída da corrente principal de condução.
 Quando polarizado de maneira correta, essas junções PN podem ser consideradas como
dois diodos, com a junção base-emissor equivalendo a um diodo polarizado diretamente e a
junção base-coletor a um diodo polarizado inversamente.

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TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO - TBJ

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TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO - TBJ

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 TRANSISTOR - FET
 JFET é a abreviação de "Junction Field Effect Transistor" (Transistor de Junção de Efeito de Campo).
 Esse modelo de transistor é subdividido em duas categorias, o JFET de Canal N e o JFET de Canal P.
 Este componente possui uma camada de semicondutor tipo N, ou tipo P, conectado ao terminal
"Drain" (Dreno - D), que atravessa todo o componente até o terminal "Source" (Fonte - S).

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 TRANSISTOR - MOSFET
 Seu nome é um acrônimo para "Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor"
(Transistor de Efeito de Campo de Metal Óxido
Semicondutor).
 Eles são subdivididos em duas categorias, os
MOSFETs de Canal N e de Canal P, e cada
uma dessas categorias é novamente
subdividida em outras duas categorias, os
MOSFETs de "Enhancement" (Enriquecimento)
e os MOSFETs de "Depletion" (Depleção).
 É possível observar, com os símbolos, a
diferença entre os modelos de Enriquecimento
e de Depleção. Os MOSFETs de Depleção
possuem os terminais Dreno, Fonte e Substrato
interligados, diferentemente dos modelos de
Enriquecimento, que possuem estes terminais
separados.

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 EXERCÍCIOS
 Um fio de alumínio (condutividade de 3,8x10^7(Ωm)-1) com 10 m de comprimento deve
experimentar uma queda de voltagem de menos do que 1,0 V quando uma corrente de 5 A passar
através dele. Calcule o diâmetro mínimo que esse fio deve possuir.
 RESPOSTA:
 Inicialmente, calcula-se a resistividade do alumínio, com isso, obtêm-se a área da seção transversal
do fio.

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 EXERCÍCIOS
 Um fio de alumínio (condutividade de 3,8x107(Ωm)-1) com 10 m de comprimento deve
experimentar uma queda de voltagem de menos do que 1,0 V quando uma corrente de 5 A passar
através dele. Calcule o diâmetro mínimo que esse fio deve possuir.
 RESPOSTA:
 Calculando o diâmetro, do fio.

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 EXERCÍCIOS
 Determinada liga metálica possui condutividade elétrica de 1,5.107 (Ω.m)^-1 e mobilidade dos
elétrons de 0,0045 m²/V.s. Considere uma amostra com 25 mm de espessura, a qual circula uma
corrente elétrica de 50 A. Calcule qual é o campo magnético que precisa ser imposto para gerar
uma tensão de Hall de - 2.10^-7 V.
 Para se determinar o campo magnético (Bz) é necessário que inicialmente seja determinado o
coeficiente de Hall (RH). Após calcula-se o campo.

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 MATERIAIS DIELÉTRICOS
 Os dielétricos, também chamados de isolantes, são os materiais que fazem oposição à passagem
da corrente elétrica.
 Nesses materiais os elétrons estão fortemente ligados ao núcleo dos átomos, ou seja, as substâncias
dielétricas não possuem elétrons livres (fator necessário para que haja passagem de corrente
elétrica).
 Dessa forma, não há possibilidade de passagem de corrente elétrica através dos dielétricos, os
quais podem ser: borracha, porcelana, vidro, plástico, madeira e muitos outros.

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 MATERIAIS DIELÉTRICOS
 Barrar a passagem da corrente elétrica
 Acumular cargas elétricas em razão de sua polarização
 Evitar a ruptura dielétrica do ar em fios de alta tensão
 Isolar componentes elétricos

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 MATERIAIS DIELÉTRICOS
 A ruptura da rigidez dielétrica ocorre quando o campo elétrico externo aplicado a um dielétrico é
grande o suficiente para que esse material deixe de ser um isolante elétrico e passe a ser condutor
de eletricidade.
 Quando isso ocorre, os elétrons desse material, que antes eram fortemente ligados aos núcleos
atômicos, passam a ser conduzidos através da sua rede cristalina.
 Esse processo é geralmente violento, produz uma grande quantidade de calor e pode causar danos
irreversíveis ao dielétrico.

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 MATERIAIS DIELÉTRICOS
 Capacitores: Esses são dispositivos elétricos formados por duas placas condutoras “recheadas” por
um meio dielétrico. O campo elétrico formado entre as placas polariza esse meio, e isso aumenta a
capacidade desses dispositivos de armazenarem cargas elétricas.

 Transformadores: Os vernizes utilizados nos fios das bobinas dos transformadores são capazes de
isolá-los uns dos outros, bem como o óleo que é utilizado para refrigerá-los tem propriedades
dielétricas.

 Sensores diversos: Existe uma grande gama de sensores de pressão, temperatura e luz que utiliza
dielétricos para indicar variações mínimas nessas grandezas.

 Telas touchscreen: As telas dos smartphones são feitas de materiais dielétricos. Quando o dedo toca
a tela, fecha-se um circuito similar a um capacitor. Pequenas variações de cargas são detectadas
indicando a ocorrência do toque.

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 MATERIAIS DIELÉTRICOS - POLARIZAÇÃO
 Polarização eletrônica
 Ocorre o deslocamento do núcleo atômico com a aplicação de um campo elétrico;
 Essa polarização diminui com o aumento da temperatura.

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 MATERIAIS DIELÉTRICOS - POLARIZAÇÃO
 Polarização iônica
 Acontece apenas nos materiais que possuem ligações iônicas;
 O campo elétrico gera um deslocamento dos íons em sentidos contrários;
 Aumenta com a temperatura.

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 MATERIAIS DIELÉTRICOS - POLARIZAÇÃO
 Polarização de orientação
 Materiais com momento de dipolo permanente;
 Momentos de dipolo se alinham em direção do campo elétrico aplicado.

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CAPACITÂNCIA

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 CAPACITÂNCIA
 Constante dielétrica
 Constante dielétrica é a constante física que influencia o acúmulo de cargas de um capacitor.
 Quanto maior for a constante dielétrica de um meio, maior será a sua capacidade de acumular
cargas para uma determinada diferença de potencial.

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 DENSIDADE DE FLUXO ELÉTRICO
 A densidade de fluxo elétrico indica a densidade de cargas na superfície do capacitor.
 Ao colocar um material dielétrico dentro de um capacitor, devemos considerar os efeitos da
polarização, os dipolos elétricos do material produzem seu próprio campo elétrico.

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RIGIDEZ DIELÉTRICA

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 MATERIAIS PIEZOELÉTRICOS
 Materiais com propriedade de gerar eletricidade a partir de uma pressão mecânica e vice-versa
 A distância entre os íons do material piezoelétrico gera um dipolo elétrico
 Ao pressionar o material, a distância entre os dipolos muda.
 No material piezoelétrico há excesso de cargas nas superfícies:
 Aplicação de uma pressão  redução da distância dos dipolos diferença de potencial:
conversão de energia mecânica em elétrica;
 Aplicação de diferença de potencial aumento da distância dos dipolos  material alongado:
conversão de energia elétrica em mecânica;

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 EXERCÍCIOS
 (Callister e Rethwisch, 2016, p. 720) Uma carga de 2,0 × 10^–10 C deve ser armazenada em um
capacitor de placas paralelas que apresenta uma área de 650 mm2 e uma separação entre placas
de 4,0 mm.
 Dados:ε0=8,85x10^-12 F/m.
 (a) Qual é a voltagem necessária se um material com constante dielétrica de 3,5 for colocado entre
as placas?

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 EXERCÍCIOS
 (Callister e Rethwisch, 2016, p. 720) Uma carga de 2,0 × 10^–10 C deve ser armazenada em um
capacitor de placas paralelas que apresenta uma área de 650 mm2 e uma separação entre placas
de 4,0 mm.
 Dados:ε0=8,85x10^-12 F/m.
 (b) Qual voltagem seria necessária se fosse utilizado o vácuo?

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 EXERCÍCIOS
 (Callister e Rethwisch, 2016, p. 720) Uma carga de 2,0 × 10^–10 C deve ser armazenada em um
capacitor de placas paralelas que apresenta uma área de 650 mm2 e uma separação entre placas
de 4,0 mm.
 Dados:ε0=8,85x10^-12 F/m.
 (c) Quais são as capacitâncias para os itens (a) e (b)?

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 EXERCÍCIOS
 (Callister e Rethwisch, 2016, p. 720) Uma barra metálica com 0,4 m alonga-se 0,48 mm ao ser
aquecida de 20ºC a 100ºC. Determine o valor do coeficiente de expansão térmica linear para esse
material.

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 CAMPO MAGNÉTICO
 O campo magnético pode ser gerado por uma corrente elétrica circulando por um condutor.
 O termo campo magnético pode ser utilizado para dois vetores diferentes:
 H -- intensidade do campo magnético, independe do material;
 B -- densidade de fluxo, depende do material.

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 REGRA DA MÃO DIREITA
 O polegar da mão direita
indica o sentido
convencional da corrente
elétrica;
 Os outros dedos, ao
envolverem o condutor
por onde passa a
corrente, dão o sentido
das linhas de campo
magnético.

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REGRA DA MÃO DIREITA

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REGRA DA MÃO DIREITA

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 LEI DE AMPÉRE
 A intensidade do campo (H) gerado por um condutor longo percorrido por uma corrente (I), a uma
distância (R) do fio será:

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 LEI DE AMPÉRE
 Se criarmos uma bobina, a intensidade do campo será:

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 LEI DE AMPÉRE
 Para vários enrolamentos no formato toroidal, a intensidade do campo será:

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 CAMPO MAGNÉTICO
 Para avaliar o campo magnético (B) no interior de um material utilizamos a densidade de fluxo
magnético:

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 FORÇA MAGNÉTICA
 A força magnética resulta da força eletromagnética, uma das quatro forças fundamentais da
natureza.
 Ela depende da interação entre as partículas em um campo magnético.

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 EXEMPLO
 Suponha que temos um fio percorrido por uma corrente de intensidade igual a 5 A.
 Determine o campo magnético de um ponto situado a 2 cm do fio.

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 EXEMPLO
 Uma bobina (solenoide) com 0,25 m de comprimento e que possui 400 espiras conduz uma corrente
de 15 A.
 (a) Qual é a magnitude da intensidade do campo magnético H?

 (b) Calcule a densidade do fluxo B se a bobina estiver no vácuo.

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 EXEMPLO
 Um ímã de uma barra de ferro com coercividade (intensidade de campo externo necessária para
desmagnetizar o material) de 7.000 A/m deve ser desmagnetizada.
 Se a barra for inserida no interior de uma bobina cilíndrica com 0,25 m de comprimento e 150
espiras, qual será a corrente elétrica exigida para gerar o campo magnético necessário?

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 MATERIAIS DIAMAGNÉTICOS
 Magnetismo não é permanente e ocorre somente na presença de campo externo.

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 MATERIAIS PARAMAGNÉTICOS
 Possuem um momento magnético permanente fraco, que se alinha com a aplicação de um campo
externo.

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 MATERIAIS FERROMAGNÉTICOS
 Possuem momento magnético permanente sem a necessidade de campo externo.

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 FLUXO MAGNÉTICO
 Quando uma bobina com N enrolamentos é enrolada em um material ferromagnético e uma
corrente é aplicada, gera-se um fluxo magnético.

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 HISTERESE MAGNÉTICA
 A histerese magnética é feita controlando-se a intensidade e a direção de um campo magnético
externo que atravessa um material ferromagnético.
 Esse campo magnético externo, geralmente denotado pelo símbolo H, faz com que os domínios
magnéticos, que são regiões microscópicas no interior do material, alinhem os dipolos magnéticos
dos átomos com o campo magnético externo.
 O alinhamento desses pequenos domínios magnéticos produz um campo magnético resultante não
nulo, induzido no interior do material.

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HISTERESE MAGNÉTICA

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HISTERESE MAGNÉTICA

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