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Semicondutores Philips Especificação do produto

Triacs Série BT139

DESCRIÇÃO GERAL DADOS DE REFERÊNCIA RÁPIDA

Triacs passivados em vidro em PARÂMETRO DE SÍMBOLO MÁX. MÁX. MÁX. UNIDADE

envelope plástico, destinados a
aplicações que exijam Alto BT139- 500 600 800
capacidade de tensão transitória e de BT139- 500F 600F 800F
bloqueio bidirecional e alto desempenho BT139- 500G 600G 800G
de ciclo térmico. As aplicações típicas VDRM Tensões de estado desligado de 500 600 800 V
incluem controle de motores, iluminação pico repetitivo
industrial e doméstica, aquecimento e EUT(RMS) Corrente no estado RMS 16 16 16 UMA
comutação estática. EUTSM Corrente no estado de pico não 140 140 140 UMA
repetitivo

PINAGEM - TO220AB CONFIGURAÇÃO DE PIN SÍMBOLO

ALFINETE DESCRIÇÃO
aba

1 terminal principal 1
T2 T1
2 terminal principal 2

3 portão

G
aba terminal principal 2
123

VALORES LIMITANTES
Valores limite de acordo com o Sistema Máximo Absoluto (IEC 134).
SÍMBOLO PARÂMETRO CONDIÇÕES MÍN. MÁX. UNIDADE

- 500 - 600 - 800

VDRM Tensões de estado desligado de - 5001 6001 800 V
pico repetitivo

EUT(RMS) Corrente no estado RMS onda senoidal completa; Tmb≤onda senoidal - 16 UMA
EUTSM Pico não repetitivo completa de 99 ˚C; Tj= 25 ˚C antes do surto
corrente no estado
t = 20ms - 140 UMA
t = 16,7 ms - 150 UMA
EU2t EU2t para fusão Taxa repetitiva de t = 10ms - 98 UMA2s

dIT/dt aumento da corrente no estado EUMT= 20A; EUG= 0,2A;

ligado após dIG/dt = 0,2A/µs
desencadeando T2+ G+ - 50 UMA/µs

T2+ G- - 50 UMA/µs

T2- G- - 50 UMA/µs
T2- G+ - 10 UMA/µs

EUGM Corrente de porta de pico - 2 UMA

VGM Tensão de porta de pico - 5 V
PGM Potência máxima do portão - 5 C
PG(AV) Potência média do portão em qualquer período de 20 ms - 0,5 C
Tstg Temperatura de armazenamento - 40 150 ˚C
Tj Junção operacional - 125 ˚C
temperatura

1Embora não seja recomendado, tensões de até 800V no estado desligado podem ser aplicadas sem danos, mas o triac pode
mudar para o estado ligado. A taxa de aumento da corrente não deve exceder 15 A/µs.

Setembro de 1997 1 Rev 1.200

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Triacs Série BT139

RESISTÊNCIAS TÉRMICAS
PARÂMETRO DE SÍMBOLO CONDIÇÕES MÍN. TIPO MÁX. UNIDADE

Rº j-mb Resistência térmica ciclo completo - - 1,2 K/W

junção à base de montagem meio ciclo - - 1,7 K/W
Rth ja Resistência térmica no ar livre - 60 - K/W
junção para ambiente

CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS
Tj= 25 ˚C salvo indicação em contrário
SÍMBOLO PARÂMETRO CONDIÇÕES MÍN. TIPO MÁX. UNIDADE

BT139- ... ...F ...G

EUGT Corrente do gatilho do portão VD= 12V; EUT= 0,1A
T2+ G+ - 5 35 25 50 mA
T2+ G- - 8 35 25 50 mA
T2- G- - 10 35 25 50 mA
T2- G+ - 22 70 70 100 mA
EUeu Corrente de travamento VD= 12V; EUGT= 0,1A
T2+ G+ - 7 40 40 60 mA
T2+ G- - 20 60 60 90 mA
T2- G- - 8 40 40 60 mA
T2- G+ - 10 60 60 90 mA
EUH Segurando a corrente VD= 12V; EUGT= 0,1A - 6 30 30 60 mA
VT Tensão no estado EUT= 20A - 1.2 1,6 V
VGT Tensão do gatilho da porta VD= 12V; EUT= 0,1 AVD= - 0,7 1,5 V
400V; EUT= 0,1A; Tj= 0,25 0,4 - V
125°C
EUD Corrente de fuga de estado desligado VD= VDRM (máx.); - 0,1 0,5 mA
Tj= 125°C

CARACTERÍSTICAS DINÂMICAS
Tj= 25 ˚C salvo indicação em contrário
SÍMBOLO PARÂMETRO CONDIÇÕES MÍN. TIPO MÁX. UNIDADE

BT139- ... ...F ...G

dVD/dt Taxa crítica de aumento da VMestre= 67% VDRM (máx.); 100 50 200 250 - V/µs
tensão de estado desligado Tj= 125°C; forma de onda
exponencial; portão aberto
o circuito
dVcom/dt Taxa crítica de mudança de VMestre= 400V; Tj= 95°C; - - 10 20 - V/µs
tensão de comutação EUT(RMS)= 16A;
dIcom/dt = 7,2 A/ms; circuito
aberto do portão
tgt Tempo de ativação controlado pelo EUMT= 20A; VD= VDRM (máx.); - - - 2 - µs
portão EUG= 0,1A; dIG/dt = 5A/µs

Setembro de 1997 2 Rev 1.200

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Triacs Série BT139

Ptot / W BT139 Tmb(máx.) / C TI (RMS) / A BT139

25 95 20

= 180
99°C
20 101
1
120 15
90
15 107
60
10
30
10 113

5
5 119

0 125 0
0 5 10 15 20 - 50 0 50 100 150
TI (RMS) / A Tmb/C

Figura 1. Dissipação máxima no estado ligado, Ppequeno, versus Fig.4. Corrente rms máxima permitida IT(RMS),
corrente no estado rms, IT(RMS), Ondeα= ângulo de condução. versus temperatura base de montagem Tmb.

ITSM / A BT139 TI (RMS) / A BT139

1000 50

40

30
100
deTu /dt limisto
20
EU EU
TSM
T2- G+ q ruma
nt
de Anúncios
T

time 10
T

Tji não
tiaeu
= 25 C máximo

10 0
10 us 100us 1 ms 10 ms 100 ms 0,01 0,1 1 10
T/s duração do surto / s

Figura 2. Pico não repetitivo máximo permitido Fig.5. Corrente de estado ativa rms repetitiva máxima
corrente no estado ITSM, versus largura de pulso tp, por permissível IT(RMS), versus duração do surto, para sinusoidal
correntes senoidais, tp≤20 ms. correntes, f = 50 Hz; Tmb≤99°C.

ITSM / A BT139 VGT(Tj)

150 VGT (25 C) BT136
1,6
EU ISTO
SM
T
1,4
T t e
Eu estou

100 Tj inicial = 25 C max 1.2

50 0,8

0,6

0 0,4
1 10 100 1000 - 50 0 50 100 150
Número de ciclos a 50Hz Tj/C

Fig.3. Pico não repetitivo máximo permitido Fig.6. Tensão de disparo de porta normalizada VGT(Tj
corrente no estado ITSM, versus número de ciclos, para )/VGT(25˚C), versus temperatura de junção Tj.
correntes senoidais, f = 50 Hz.

Setembro de 1997 3 Rev 1.200

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Triacs Série BT139

IGT(Tj) TI / A BT139
IGT (25 C) BT139 50
3 Tj = 125 C
T 2+ G+ Tj = 25 C
T 2+ G- tipo máximo

2,5 40
T 2- G- Vo = 1,195 V
rs = 0,018 Ohms
T 2- G+
2 30

1,5
20
1
10
0,5

0 0
- 50 0 50 100 150 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
Tj/C VT/V

Fig.7. Corrente de disparo do portão normalizado Fig.10. Característica típica e máxima de estado ligado.
EUGT(Tj)/ EUGT(25˚C), versus temperatura de junção Tj.

IL(Tj) Zth j-mb (K/W) BT139

10
IL (25 C) TRIAC
3

2,5 1 você
não
directeu
ofinal

2 bde
eueu
r ction / D eu

0,1
1,5

P tp
1 D

0,01

0,5 t

0 0,001
- 50 0 50 100 150 10 us 0,1 ms 1 ms 10 ms 0,1 segundo 1s 10s
Tj/C tp/s

Fig.8. Corrente de travamento normalizada Ieu(Tj)/ EUeu(25°C), Fig.11. Impedância térmica transitória Zº j-mb, contra
versus temperatura de junção Tj. largura de pulso tp.

IH(Tj) dV/dt (V/us)

1000
IH(25C) TRIAC
3 dof-stuma
te dV/dt limite t
BT1 39...G SER IES

2,5
BT 139 S ERI E S
100
2 BT1 39...F SER IES

1,5 dIcom/dt=
20 UMA/
ms 16 12 9.3 7.2 5.6
1 10

0,5

0 1
- 50 0 50 100 150 0 50 100 150
Tj/C Tj/C

Fig.9. Corrente de retenção normalizada IH(Tj)/ EUH(25°C), Fig.12. Comutação típica dV/dt versus temperatura de
versus temperatura de junção Tj. junção, comutação de parâmetro dIT/dt. O triac deve
comutar quando o dV/dt estiver abaixo do valor na
curva apropriada para pré-comutação dIT/dt.

Setembro de 1997 4 Rev 1.200

Semicondutores Philips Especificação do produto

Triacs Série BT139

DADOS MECÂNICOS

Dimensões em mm
4,5
Massa líquida: 2 g máximo

10,3
máximo

1,3
3,7

2,8 5,9
min

15,8
máximo

3,0 máx.
3,0
não estanhado
13,5
min
1,3
máximo 1 2 3
(2x) 0,9 máx. (3x)
0,6
2,54 2,54 2,4

Fig.13. TO220AB; pino 2 conectado à base de montagem.

Notas
1. Consulte as instruções de montagem dos envelopes TO220.
2. Epóxi atende UL94 V0 em 1/8".

Setembro de 1997 5 Rev 1.200

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Triacs Série BT139

DEFINIÇÕES
Status da folha de dados

Especificação do objetivo Esta folha de dados contém especificações de metas ou objetivos para o desenvolvimento de produtos.

Especificação preliminar Esta folha de dados contém dados preliminares; dados suplementares podem ser publicados posteriormente.

Especificação do produto Esta folha de dados contém especificações do produto final.

Valores limitantes

Os valores limite são fornecidos de acordo com o Absolute Maximum Rating System (IEC 134). O estresse acima de um ou mais
valores limite pode causar danos permanentes ao dispositivo. Estas são apenas classificações de estresse e a operação do dispositivo
nestas ou em quaisquer outras condições acima daquelas indicadas nas seções de Características desta especificação não está
implícita. A exposição a valores limitantes por longos períodos pode afetar a confiabilidade do dispositivo.
Informações do aplicativo

Quando as informações de aplicação são fornecidas, elas são consultivas e não fazem parte da especificação.
-Philips Electronics NV 1997
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Setembro de 1997 6 Rev 1.200