Cap.

5 - Tirístores 1

Os tirístores são dispositivos de potência do estado sólido semicondutores formados por

camadas alternadas de tipo n e de
Anode Anode
tipo p.
p p
J1 Tirístor é a designação genérica para
n J2 n
J2 Gate dispositivos que têm a característica
p p
n n estacionária tensão--corrente com
cátod cátod duas zonas no 1º quadrante. Numa
o o
primeira zona, as correntes são baixas, podendo as tensões ser elevadas. O dispositivo está
bloqueado. As junções J1 e J3 estão directamente polarizadas e a junção J2 está
inversamente polarizada. Na segunda zona, as tensões são baixas e as correntes podem ser
elevadas. O tiristor está em condução. ATodas as junções estão directamente polarizadas.
Nesse sentido o tirístor pode ser tomado como um interruptor electrónico. A transição de 1
para 2 é instável. A tensão UB para a qual se dá essa chama-se tensão de báscula. A corrente
IL para a qual se inicia o estado de condução, designa-se por corrente de fecho. A comutação
condução-bloqueado é efectivada baixando a corrente até IH corrente de manutenção, que é
próxima de zero e inferior à corrente IL. As transições de 1 para 2 e de 2 para 1 fazem-se por
percursos diferentes, pelo que o sistema apresenta histerese. Estruturalmente, os tirístores
são constituídos por camadas alternadas do tipo p e n, que na sua forma mais simples toma
Cap. 5 - Tirístores 2

a forma de 4 camadas p-n-p-n. Os de dois terminais (ânodo e cátodo) são os díodos de

quatro camadas e têm uma tensão de báscula fixa. Os que têm um terminal adicional (porta)
são os interruptores comandados de silício (SCS) ou os rectificadores comandados de silício
(SCR), que têm uma tensão de báscula comandada por um impulso de porta. Impulsos de
porta positivos permitem baixar a tensão de báscula, facilitando a passagem bloqueado-
condução. A passagem em sentido inverso não é feita à custa de impulsos IG negativos, pois
exigiriam valores de IG muito elevados. Uma estrutura equivalente a dois SCR em paralelo,
com o ânodo de um ligado ao cátodo do outro, permite a condução no circuito nos dois
sentidos. Esta estrutura é de 5 camadas e designada por TRIAC (Triode for Alternating
Current). Geralmente a comutação condução-bloqueado é feita por passagem pelo zero de
tensão, quando a tensão aplicada é alternada sinusoidal. Em estruturas mais sofisticadas
como o GTO (Gate-Turn-Off), essa transição é feita por aplicação de impulsos de gate
negativos, existindo, no entanto, um valor máximo de corrente no tirístor que pode ser
cortada através da acção da porta. Todas estas estruturas, das mais às menos sofisticadas,
afastam-se do comportamento unidimensional, que foi adoptado como uma aproximação
razoável nos restantes dispositivos nesta disciplina. É, no entanto, ainda assim possível o seu
tratamento com considerações baseadas em modelos simples. Na lista de problemas
propostos são calculadas as evoluções temporais da corrente, tensão e/ou potência num
circuito constituído basicamente por uma fonte, um tiristor e uma carga. Geralmente
assume-se para o tirístor a característica ideal (curto-circuito quando em condução, ou um
circuito aberto, quando bloqueado) (TIR1 a TIR3). Trata-se de uma boa aproximação,
dados os valores geralmente associados para as correntes e tensões em presença. No
entanto, podem ser utilizados outros modelos (TIR4). No problema TIR5 são usados dois
díodos de 4 camadas em paralelo “costas com costas”. A situação tem um certo paralelismo
com o que se passa num TRIAC. No problema TIR6 usa-se o modelo dos 2 transístores para
o tirístor.

• Díodo de Quatro Camadas

• Modelo dos 2 transístores
• SCR
• Tirístor
• TRIAC
Cap. 5 - Tirístores 3

Problema TIR1
(SCR, característica ideal)

Considerar o circuito representado na Fig. TIR1, que inclui um SCR.

Representar graficamente a potência P(t) posta em jogo na resistência R, durante um

período da tensão U. Admitir que o período T é suficientemente longo para que seja válida a
aproximação quase estacionária. Para o tirístor, desprezar as correntes inversas e directas
correspondentes ao estado bloqueado e as tensões directas correspondentes ao estado de
condução.

I U
R = 10 kΩ

U
UM
UA
IG t
T/2 T
−UM

IG (mA)

I G = 2 mA U B = 200 V
2 mA U M = 300 V
t U disr = −650 V
T/2 T

Fig. TIR1

Nas figuras seguintes representam-se as evoluções temporais das tensões à entrada, aos
terminais do tirístor e na resistência, assim como da potência posta em jogo na resistência.
Cap. 5 - Tirístores 4
Cap. 5 - Tirístores 5

►◄►◄►◄
Resolução

U
UM
UB
t

UA

UB
t

−UM
UR = U −U A
UR
UM
UB
t

PR
U M2 R PR = U R2 R

U B2 R t

T/3 T/2 T

A passagem do tirístor do estado de bloqueado ao de condução dá-se quando é atingida a

tensão de báscula (UA =UB), ou seja no instante t = T/3. A passagem do estado de condução
ao estado bloqueado dá-se quando a corrente do tiristor passa pelo zero, ou seja no instante
t = T/2.

Para que o resultado apresentado esteja correcto terá que ser assumido que a duração do
impulso permita a efectivação da transição bloqueado/condução.
Cap. 5 - Tirístores 6

A duração do impulso que conduz à passagem bloqueado-

condução tem que ser no mínimo igual ao tempo de ligação. Este
período de tempo corresponde ao tempo necessário a enriquecer
de portadores a junção da estrutura do dispositivo (p-n-p-n), que
inicialmente está inversa polarizada (J2). Este tempo corresponde
à soma do tempo de atraso (tempo necessário para que a corrente
no circuito atinja 10% do valor final) com o tempo de crescimento
(tempo necessário para que a corrente passe de 10% do valor final
para 90% do valor final). Este último depende da carga.

Problema TIR2
(SCR, característica ideal)
O circuito da Fig.TIR2 contém um tirístor com as seguintes características:
• U B = 300 V para I G = 0; I H = 30 mA

• U B = 0 V para I G ≥ 3 mA; I H = 0

• U disr = −500 V

I
u = U M sen(ωt )
UM
R1
UM/2
U
t

IG

IG
Fig. TIR2
4 mA
U M = 400 V
R1 = 10 kΩ
t

Representar graficamente I (t ) , calculando o valor de I sempre que haja alteração da zona

de funcionamento do tirístor, nos casos seguintes:
Cap. 5 - Tirístores 7

a) I G indicado na figura;

b) I G identicamente nulo.

►◄►◄►◄
Resolução

a) A passagem do tirístor ao estado de condução dá-se quando se atinge a tensão de

báscula. Deste modo, quando I G = 0, o tirístor está sempre bloqueado uma vez que

U < U B ; quando I G = 4 mA , o tirístor passa ao estado de condução, uma vez que se

tem simultaneamente U > UB e I = U/R1 > IH.

A transição bloqueado/condução dá-se no instante tA, para o qual sen (ωtA)=1/2, ou

seja tA = Τ / 6.

A transição condução/bloqueado dá-se quando a corrente passa a ser inferior a I H ,

ou seja, no instante tB =T / 2.

UM

UM/2
T/2 T
t
tA

I
tB

OFF/ON ωt A = π 6
UM/R1 ON/OFF ωt B = π 2
UM
2 R1
t
T/2 T

Se IG for identicamente nulo a transição bloqueado/condução dá-se quando é

atingida a tensão de báscula UB = 300V. Corresponde ao instante t ′A , para o qual

ωt ′A = arsen ( 3 4 ) ≅ 0, 27π, ou seja 0,135T.

Cap. 5 - Tirístores 8

A transição condução/bloqueado dá-se quando a corrente toma valores inferiores a

IH, ou seja, quando no meio ciclo positivo, U = I H R = 300 V . Corresponde ao

instante t B′ , para o qual que ωt B′ = π − ωt ′A ≅ 0, 73π, ou seja, 0,365T.

UM/R1
3/4UM/R1

T/2 T t

t ′A t ′B

Problema TIR3
(SCR, característica ideal)

O circuito da Fig. TIR3(a) contém um tirístor com as seguintes características:

• U B = 400 V para I G = 0 ; I H = 30 mA ;

• U B = 0 para I G ≥ 5 mA; I H = 0 ;

• U disr = −500 V

a) Admitir a evolução temporal de I G dada na Fig.TIR3(c). Representar graficamente U R em

função do tempo para a tensão U indicada na Fig.TIR3(b) e ainda para o caso em que a
tensão U tenha um valor constante e igual a U M a partir do instante inicial. Justificar as
aproximações feitas.

b) Se a resistência passar a ter o valor de 20 kΩ indicar, justificadamente, quais as alterações

nos gráficos traçados em a).

c) Que condições deve impor ao impulso de gate para que as soluções apresentadas em a) e
b) sejam válidas?

R = 200 Ω

U = U M sen ( ωt )

U M = 100 V; ω = 2πf ; f = 50 Hz
Cap. 5 - Tirístores 9

R UR (b)
U IG T/2 T
t

IG (mA)

(a) (c)
10
Fig TIR3
t

►◄►◄►◄
Resolução

a)
U U
UM UM

T/4 T/2
t t

UR UR

UM UM

T/4
t t
(a1) (a2)

A transição bloqueado/condução dá-se quando é atingida a tensão de báscula, o que só

acontece quando se aplica o impulso de gate (a tensão de báscula é nula), ou seja, no
instante t = T 4 . A transição condução/bloqueado dá-se quando a tensão de entrada
passa a negativa, o que corresponde ao instante T /2 para o caso (a1), e nunca acontece
no caso em que a tensão de entrada apresenta o valor constante U M ( caso (a2)). Significa
que neste último caso, o tirístor permanecerá no estado de condução, mesmo após a
retirada do impulso.
Cap. 5 - Tirístores 10

b) Se a resistência for de 20 kΩ o gráfico de U R não se altera para o caso (a1).

Em relação ao caso (a2), após a passagem ao estado de condução a corrente é dada

por U M R = 5 mA e não por 500 mA como na alínea anterior. Nessas condições a

passagem ao estado de condução só será possível se I ≥ I H . Enquanto durar o

impulso de gate, verifica-se que I ≥ I H e, portanto, o tirístor estará a conduzir;

quando desaparecer o impulso de gate, a corrente anódica torna-se menor que o
valor de I H (30 mA), bloquendo o tirístor. O gráfico de UR será assim dado por:

UR

UM

T
t
T/4 3T/4

c) Para que o raciocínio apresentado em a) e b) seja válido é necessário que:

• o impulso de gate actue durante o meio ciclo-positivo da onda de entrada, no
caso desta ser sinusoidal;
• a duração do impulso permita a efectivação completa da transição
bloqueado/condução, ou seja, que seja pelo menos igual ao tempo de ligação
do tiristor (turn on , na designação anglo-saxónica).

Problema TIR4

(Díodo de quatro camadas)

Considerar o circuito da Fig.TIR4 em que o tiristor tem a característica tensão-corrente

apresentada. Para uma tensão de entrada U = U M sin ωt com U M = 300 V e R = 1k Ω,

represente a variação no tempo de U a e I , calculando os valores característicos.

Coordenadas dos pontos P, Q e R no plano (U a , I ) : P(200; 1); Q(2,5 ;0, 4); R(−200 ;0), com

Ua expresso em V e I expresso em mA.

Cap. 5 - Tirístores 11

R I

U Ua

Fig. TIR4

I(mA
)

-200 Q P

R 2,5 200 Ua(V)

►◄►◄►◄
Resolução

Designemos por t1 o instante em que a tensão U a = U B = 200 V. Nesse instante a tensão de

entrada é igual a U ( t1 ) = U a + RI = 200 + 1 = 201 V. O instante t1 , corresponde ao momento

em que o tiristor passa do estado bloqueado para o estado de condução. É obtido de

ωt1 = arcsin ( 200 / 300 ) ≅ 0, 23π, ou seja, t1 ≅ 0,12T .

No intervalo de tempo 0 < t < t1 o tirístor é equivalente a uma resistência de valor

RT =200kΩ. O circuito é um divisor de tensão e, portanto,

U a ( t ) = U ( t ) × RT / ( R + RT ) e I ( t ) = U ( t ) / ( R + RT ) ,

com U a ( t1 ) = U B = 200 V; I ( t1 ) = 1mA.

A corrente e a tensão no tirístor mantêm a forma da onda de entrada, ou seja, de variação

sinusoidal no tempo.

Designemos por t2 o instante em que a corrente I = 0, 4 mA, ou seja, o valor no ponto Q da

característica. Corresponde ao instante em que o tiristor sai do estado de condução e
bloqueia. Nesse instante a tensão de entrada é igual a

U ( t2 ) = U a + RI = 2,5 + 0, 4 = 2,9 V.
Cap. 5 - Tirístores 12

É obtido de ωt2 = arcsin ( 2,9 / 300 ) ≅ π / 2, ou seja, t2 ≅ T / 2. No intervalo de tempo

t1 < t < t2 o tirístor é equivalente a uma fonte de tensão de valor U a = 2,5 V. A corrente no

circuito é assim dada por I ( t ) = (U ( t ) − 2,5 ) / R, e, mais uma vez, mantém a forma de onda

da tensão de entrada.

Como pontos notáveis da curva da evolução temporal de corrente são de assinalar:

• ( )  ( )
I t1+ = U t1+ − 2, 5 / R = 198,5mA;

• I (T / 4 ) = ( 300 − 2,5 ) / R = 297,5mA;

• ( )
I t2− = 0, 4 mA.

No meio ciclo negativo e até entrar em disrupção, o tiristor comporta-se como um circuito
aberto, e, portanto, I ( t ) = 0; U a (t ) = U (t ). Corresponde aos intervalos de tempo

T / 2 < t < t3 e t4 < t < T , onde ωt3 = arcsin ( −200 / 300 ) ; ωt4 = arcsin ( −200 / 300 ) com

ωt3 < 3T / 4 e ωt4 > 3T / 4. Verifica-se por razões de Trigonometria que

ωt3 − T / 2 = T − ωt4 . Obtém-se:

t3 ≅ 0, 616T ; t4 ≅ 0,884T

Finalmente, no intervalo t3 < t < t4 , o tirístor está na disrupção e, portanto, comporta-se

como uma fonte de tensão de valor -200V, ou seja, U a (t ) = −200 V e I (t ) = (U + 200 ) / R.

Como ponto notável tem-se: I (3T / 4) = −100 mA.

Neste intervalo de tempo a forma de onda da corrente é a mesma que a forma de onda da
tensão de entrada, ou seja, de variação temporal sinusoidal.

É de referir que os resultados obtidos não se afastariam muito dos que teriam sido obtidos
se se tivesse usado um modelo ideal para o tiristor (curto-circuito na condução, e circuito
aberto quando bloqueado). Em resumo:

• 0 < t < t1 : U a ( t ) = U ( t ) × 200 / 201 e I ( t ) = U ( t ) / 201 ;

• t1 < t < t2 : U a = 2,5 V e I ( t ) = (U ( t ) − 2,5 ) / 1 ;

• t2 < t < t3 : U a (t ) = U (t ) e I ( t ) = 0;

• t3 < t < t4 : U a (t ) = −200 V e I (t ) = U ( t ) + 200  / 1 ;

Cap. 5 - Tirístores 13

• t4 < t < T , U a (t ) = U (t ) e I ( t ) = 0 .

U Ua
UM UB

T/4 T/2 t2 t3 t4
t t
t1

I Udisr

297 , 5
198, 5

t1 t2 t3 t4
t
−100

Problema TIR5
(Díodo de quatro camadas)

Considerar o circuito da Fig.TIR5 onde os díodos de quatro camadas apresentam a 300K os

valores característicos: U B = 50 V; U AKdisr = −150V. Na característica estacionária I(U) dos
tirístores despreze a queda de tensão directa no estado de condução e as correntes no
estado bloqueado. Esboce justificadamente um período das variações temporais da corrente
em R1 e da tensão V0 quando Vi ( t ) = 100sin ωt [ V ] com f = ω / ( 2π ) = 50Hz, indicando

todos os pontos notáveis das curvas obtidas. Dados do circuito: R1 = R2 = 5k Ω.

R1

R2 R2
Fig. TIR5
Vi A K V0
T1 T2
K A

►◄►◄►◄
Resolução
Cap. 5 - Tirístores 14

Designe-se por t1 o instante em que a tensão U AK 1 = U B = 50 V. No intervalo 0 < t < t1 os

tirístores 1 e 2 estão bloqueados. A corrente em R1 é nula e a tensão de saída é igual à

tensão de entrada V0 ( t ) = Vi ( t ) .

O instante t1 corresponde ao instante em que o tiristor 1 passa do estado bloqueado para o

estado de condução. A tensão de entrada é igual a 50 V. O tiristor 2 mantém-se bloqueado. A
corrente em R1 é dada pela corrente que passa no divisor de tensão constituído pela série

de resistências R1 e R2 . Esta situação mantém-se durante o intervalo t1 < t < T / 2, para o

qual: I R1 ( t ) = Vi ( t ) / ( R1 + R2 ) e V0 ( t ) = Vi ( t ) × R2 / ( R1 + R2 ) = Vi ( t ) / 2.

No meio ciclo negativo da tensão de entrada, trocam-se os papéis dos tiristores 1 e 2. No

intervalo de tempo T/2< t < t2 com t2 = T/2 +t1, os tirístores 1 e 2 estão bloqueados, a
corrente em R1 é nula e a tensão de saída é igual à tensão de entrada, V0 ( t ) = Vi ( t ) .

O instante t2 , corresponde ao instante em que o tiristor 2 passa do estado bloqueado para o

estado de condução. A tensão de entrada é igual a -50 V. O tiristor 1 mantém-se bloqueado.
A corrente em R1 é dada pela corrente que passa no divisor de tensão constituído pela série

de resistências R1 e R2 . Esta situação mantém-se durante o intervalo t2 < t < T , para o

qual: I R1 ( t ) = Vi ( t ) / ( R1 + R2 ) e V0 ( t ) = Vi ( t ) / 2.

Vi(V) V0(V)
100
50 50
t1 t2 25 t2 t
t
t1
I(mA)
10
5
t1 t2
t

−5
−10
Cap. 5 - Tirístores 15

Problema TIR6
(Modelo dos dois transístores para o tiristor)

Considerar o SCR da Fig.TIR6 a). Um dos modelos frequentemente utilizado para esta
estrutura é o representado na Fig. TIR6b) com dois transístores bipolares, um do tipo p-n-p e
outro do tipo n-p-n.

A
A
A I A = I E1
G
IA
IB1
p (1)
J1 K
n (2) IG IC2
UA IC1
J2
p (3)
J3 IG IB2
n (4)
G
UG
IK
IE2 = IK
Fig. TIR6
K (a)
(b)
K
a) A partir das equações de Ebers-Moll para os dois transístores calcule a relação entre
a corrente no tirístor e os ganhos de corrente αF1 e αF2 dos dois transístores quando
a corrente IG = 0.
b) Repetir a) para um impulso não nulo de corrente de porta IG . Comente as diferenças
encontradas com a).
c) Considere o circuito da figura seguinte,
que corresponde ao da Fig.TIR6b) mas IA
com uma resistência em paralelo com a
junção emissora do transístor n-p-n.
Calcule a relação entre a corrente
anódica e as correntes IG e IR. Comente IG
as diferenças com a) e b). G

IK
IR
Cap. 5 - Tirístores 16

►◄►◄►◄
Resolução

a) A estrutura p-n-p-n com IG=0 corresponde ao díodo de 4 camadas.

A IA

IA UE1
IB1

p (1)
J1 UC1 IC2
n (2) n (2)
U IC1
J2 J′2 UC2
p (3) p (3)
IB2
J3
n (4)

UE2
IE2
K
(a) (b)
K

A partir das equações derivadas de Ebers-Moll para os transístores p-n-p e n-p-n,

tem-se, admitindo que ambos os transístores estão na zona activa directa (ZAD):

( )
IC1 = α F1I A − ICB 01 eU C1 /UT − 1 = α F1I A + ICB 01 (TIR6.1)

( )
IC 2 = α F 2 I K − ICB 02 eU C 2 /UT − 1 = α F 2 I K + ICB 02 (TIR6.2)

Ou, tendo em conta que I K = IC1 + IC 2 e que IA = IK:

I +I
I A = CB 01 CB 02 (TIR6.3)
1 − α F1 − α F 2

Tendo as bases dos “transístores” comprimentos longos (maiores do que os

comprimentos de difusão dos electrões e dos buracos), os valores dos ganhos αF1 e
αF2 são baixos, de forma que para correntes nulas se tenha αFtot= αF1+ αF2 menor do
que 1. No entanto, à medida que UAK aumenta, os valores dos ganhos de corrente
(βF e, portanto, αF) crescem no silício, uma vez que as correntes de difusão são cada
Cap. 5 - Tirístores 17

vez mais importantes do que as correntes de recombinação (ver característica

estacionária tensão-corrente no silício). Quando αFtot for igual a 1, a equação (TIR6.3)
mostra que a corrente no tirístor tende para infinito. Fisicamente, esta situação
significa que o funcionamento do dispositivo passa a ser regido por equações
distintas.

Efectivamente, nessa situação é atingida a tensão de báscula do tirístor e as

equações (TIR6.1) e (TIR6.2) deixam de ser validas porque os “transístores” não se
encontram na ZAD e passam a estar saturados. Logo, J2 e J’2 passam a estar
directamente polarizadas e UC1 e UC2 tornam-se desprezáveis. As junções ficam
todas directamente polarizadas e a tensão UAK torna-se de baixo valor: o tirístor
passa ao estado de condução e o valor de UAK imediatamente antes da comutação é
a tensão de báscula do tirístor.

De realçar que no modelo dos dois transístores, se

estes fossem transístores reais, os valores dos ganhos
de corrente αF garantiriam à partida um valor de αFtot
superior a 1, ou seja, a tensão de báscula seria nula,
desaparecendo a zona bloqueada do 1º quadrante.
Com transístores reais a montagem dos transístores
coloca os dois transístores saturados e nunca na ZAD.

b) Nesta situação tem-se IA+IG = IK. Por um procedimento análogo ao anterior, a

equação (TIR6.3) é substituída por:

I +I + α F 2 IG
I A = CB 01 CB 02 (TIR6.4)
1 − α F1 − α F 2

A situação de báscula é variável, sendo função do impulso de porta: a tensão de

báscula diminui com impulsos de porta positivos. Trata-se do rectificador comandado
de silício (SCR), onde se pode controlar a comutação OFF/ON através de impulsos na
porta.
Cap. 5 - Tirístores 18

No SCR e no SCS pode-se controlar a comutação OFF/ON

através de impulsos na porta. A tensão de báscula diminui
com impulsos positivos na porta. Para impulsos com
amplitudes acima de um dado valor, a tensão de báscula
reduz-se a zero, o que significa que a comutação se dá no
preciso instante em que se actua na porta. Em estruturas
como o GTO, a comutação ON/OFF pode fazer-se por
imposição de impulsos negativos na porta.

c) Nesta situação tem-se IA+IG = IR+ IK. Por um procedimento análogo aos anteriores,
a equação (TIR6.3) é substituída por:

I +I + α F 2 IG − α F 2 I R
I A = CB 01 CB 02 (TIR6.5)
1 − α F1 − α F 2

O efeito da inclusão de uma resistência em paralelo com a junção emissora é,

portanto, contrária à do impulso da porta. A tensão de báscula aumenta à medida
que R diminui.

 I 
I A + IG = I K + I R = I K 1 + R  = IK θ (TIR6.6)
 IK 

Em termos físicos a inclusão de R na estrutura é tornar a junção emissora menos

eficiente na ação amplificadora do “transístor”, diminuindo o valor de αF2, que passa
α
a ser α 'F 2 = F 2 .
θ

A subida de temperatura nos semicondutores induz a subida

das correntes de saturação ICBO1 e ICBO2. Como se pode
verificar nas equações (TIR6.3 a TIR6.5), a subida dessas
correntes conduz a uma diminuição da tensão da báscula.
Por outro lado, a inclusão de R por fabrico na estrutura do
tirístor conduz a um aumento da tensão de báscula,
compensando o efeito da temperatura. Estruturas de
tirístores com resistências incluídas são mais estáveis do
Cap. 5 - Tirístores 19