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CAPTULO 1 LIGAES INTERATMICAS

1.1 INTRODUO Como a maioria dos materiais utilizados pelo homem slida ou lquida, interessante conhecer-se as foras de atrao que mantm os tomos unidos nestes estados. A importncia destas foras pode ser ilustrada atravs de um pedao de fio de cobre o qual apresenta em cada grama (6,02 x 1023) / 63,54 tomos. Em condies normais, as foras de atrao so fortes. Se tal no ocorresse os tomos poderiam ser facilmente separados, o metal se deformaria sob pequenas solicitaes e as vibraes atmicas associadas energia trmica provocariam a gaseificao dos tomos mesmo em temperaturas baixas. Assim, como no caso do fio de cobre, as propriedades de qualquer material dependem das foras interatmicas presentes. As atraes interatmicas so conseqncia da estrutura eletrnica dos tomos. Os gases nobres, tais como He, Ne, Ar, etc, apresentam apenas uma pequena atrao pelos outros tomos porque possuem um arranjo muito estvel de oito eltrons (dois tomos para o He) na camada mais externa ao mesmo tempo em que so eletricamente neutros pois apresentam igual nmero de prtons e eltrons. A maior parte dos outros elementos qumicos conhecidos pelo homem, ao contrrio dos gases nobres, deve adquirir a configurao estvel de oito eltrons na camada mais externa atravs de um dos seguintes mecanismos: recebendo eltrons, doando eltrons ou compartilhando eltrons. Os dois primeiros processos produzem ons negativos e positivos e, portanto, implicam na existncia de foras coulombianas de atrao entre ons de cargas opostas. O terceiro processo requer uma ntima associao entre os tomos a fim de que o compartilhamento de eltrons seja eficiente. Quando ocorrem os processos acima citados so produzidas ligaes fortes. Energias de aproximadamente 100 kcal/mol, isto , 100.000 cal / 6,02 x 1023 ligaes, so requeridas para romper as mesmas. Outras ligaes mais fracas ou secundrias, que requerem menos que 100 kcal/mol, esto tambm sempre presentes contudo somente ganham importncia quando so as nicas atuando.

Figura 1.1 Representao esquemtica do tomo de Niels Bohr (160 Sculos de Cincia, 2010).

1.2 CLASSIFICAO DAS LIGAES INTERATMICAS 1.2.1 Ligaes primrias ou fortes


Ligao inica: baseada na atrao eletrosttica entre ons de cargas opostas. tomos de

alguns elementos com 1, 2 ou 3 eltrons na camada de valncia tendem a perder facilmente estes eltrons transformado-se em ons positivos, tambm denominados ctions, enquanto que tomos de outros elementos com 5, 6 ou 7 eltrons na camada de valncia tendem a ganhar eltrons tornando-se ons negativos ou nions. Os ons positivos e negativos ficam envolvidos entre si sendo a trao igual em todas as direes. Ex: NaCl e MgCl2.

Figura 1.2 - Representao esquemtica da ligao inica no NaCl (160 Sculos de Cincia, 2010).

Figura 1.3 Foras eletrostticas mantendo os ons Na+ e Cl- unidos (160 Sculos de Cincia, 2010).

Figura 1.4 - Representao esquemtica da ligao inica no NaCl (Callister, 2007). Configurao eletrnica do NaCl: Na (11e-): 1s2 2s22p6 3s1 ; Cl (17e-): 1s2 2s22p6 3s23p5

Ligao covalente: ocorre o compartilhamento de um ou mais pares de eltrons pelos

tomos a fim de que a ligao seja permitida. Os spins de cada um dos dois eltrons constituintes de cada par compartilhado devem ser opostos bem como existe a necessidade de orbitais incompletos em cada tomo. Ex: H2, Cl2, O2, CH4, C2H6, NH3, etc.

Figura 1.5 - Ligao covalente na molcula do oxignio (O2) (160 Sculos de Cincia, 2010).

Figura 1.6 - Ligao covalente na molcula do metano (CH4) (Callister, 2007).


Ligao Metlica: se um tomo apresenta poucos eltrons de valncia, estes podem ser

removidos com relativa facilidade devido a atrao de ncleos vizinhos constituindo uma nuvem eletrnica que passa a envolver os ons positivos formados originando foras de atrao que ligam os tomos entre si. A grande mobilidade dos eltrons possibilita uma elevada condutividade trmica e eltrica visto que os mesmos no se ligam de forma permanente a nenhum dos ncleos. Ex: Cu, Au, Ag, Na, K, Al, etc.

Figura 1.7 Ligao metlica (160 Sculos de Cincia, 2010).

Figura 1.8 Ligao metlica (Callister, 2007). 1.2.2 Ligaes secundrias ou fracas (Foras de Van der Waals) Dipolo eltrico: ocorre quando o centro de cargas positivas no coincide com o centro de cargas negativas.

Figura 1.9 Dipolo eltrico (Callister, 2007).


Polarizao molecular: em molculas assimtricas ocorre um desbalanceamento eltrico ou

polarizao em virtude dos eltrons compartilhados circundarem mais eficazmente um dos ncleos positivos. Conseqentemente, o centro de cargas positivas no coincide com o centro de cargas negativas originando ento um dipolo eltrico. Os dipolos resultantes proporcionam foras de atrao secundrias entre as molculas pois a extremidade negativa de um atrada pela positiva do outro. Ex: HCl e HF.

(a)

(b) Figura 1.10 Polarizao molecular (Callister, 2007).

Efeitos de disperso: polarizao momentnea de tomos neutros ou molculas simtricas

decorrente do movimento ao acaso dos eltrons em suas orbitas. Ex: Gases nobres (camadas externas sempre completas de eltrons)

Figura 1.11 - Efeitos de disperso (Callister, 2007).


Ponte de hidrognio: um caso particular da polarizao molecular. conseqncia da

atrao, por parte de eltrons de tomos adjacentes, de ncleos expostos de hidrognio de uma molcula. Ex: H2O, NH3, etc.

Figura 1.12 Ponte de hidrognio (Callister, 2007).

1.3 DISTNCIAS INTERATMICAS Foras de atrao: definidas pelos vrios tipos de ligaes qumicas quando os tomos de um mesmo ou de diferentes elementos tendem a uma estabilidade energtica. Foras de repulso: resultam principalmente do fato de que uma aproximao excessiva torna os eltrons suficientemente prximos de modo a se repelirem. A anlise destas foras em nvel atmico pode ser realizada atravs da Figura 1.9. Assim, tem-se que:

Figura 1.13 Variao das foras de atrao e repulso em funo da distncia interatmica (Callister, 2007). (a) Quando a distncia interatmica entre os tomos infinita FA = FR = 0, logo R = 0 (b) Devido aproximao entre os tomos a fora de atrao aumenta de intensidade. A fora de repulso permanece nula. Neste caso, temos que R = FA pois FR = 0 (c) Em seguida a fora de repulso comea a atuar embora a fora de atrao ainda predomine. Assim, FA > FR e R FA (d) Na distncia interatmica de equilbrio rO ocorre o equilbrio entre as foras atuantes, isto , FA = FR 0, logo R = 0 (e) Para uma distncia interatmica menor que rO a fora de repulso passa a predominar embora a fora de atrao no seja nula. Logo, FA < FR e R FR 1.4 RAIOS ATMICO E INICO A distncia interatmica de equilbrio rO entre os centros de dois tomos vizinhos pode ser considerada como sendo a soma de seus raios. Ex: O raio do tomo de ferro equivale a 1,24 A. Logo, a distncia interatmica de equilbrio entre os centros de dois tomos de ferro corresponde a rO = 2 x 1,24 A = 2,48 A. Alguns fatores podem normalmente alterar o valor dos raios atmico ou inico de um material

e, por conseguinte, o valor da distncia interatmica de equilbrio do mesmo. Entre estes podemos citar os seguintes:
(a) Temperatura: pode aumentar ou diminuir o valor de rO uma vez que responsvel,

respectivamente, pela expanso ou contrao trmicas dos materiais.


(b) Nmero de tomos adjacentes: aumenta rO pois quanto maior o nmero de tomos adjacentes

maior a repulso eletrnica proveniente dos tomos vizinhos.


(c) Ligaes covalentes: rO ser tanto menor quanto maior for o nmero de eltrons compartilhados

por covalncia.
(d) Valncia do on: a mudana de raios inicos implica em alterao na distncia interatmica de

equilbrio rO. Ex: Raio do Fe = 1,24 A ; Raio do Fe +2 = 0,83 A. (Devido a retirada de dois eltrons da camada mais externa, os vinte e quatro eltrons remanescentes sero atrados mais fortemente pelo ncleo cuja carga positiva continuar correspondendo a vinte e seis prtons. No caso de um on negativo, rO seria aumentada pois a existncia de um nmero de eltrons superior ao nmero de prtons implicaria em um aumento do raio inico uma vez que os eltrons seriam menos fortemente atrados pelo ncleo. Ex: Raio do Cl < Cl-1

Figura 1.14 Influncia do nmero de tomos adjacentes no valor do raio inico de um material (160 Sculos de Cincia, 2010).

Figura 1.15 Influncia da valncia do on no valor do raio inico de um material.