em cada cristal.

Para atingir o equilíbrio, ocorre a difusão dos portadores majoritários, de modo que um
movimento de buracos aparece do cristal p para o cristal n, deixando o primeiro carregado
negativamente. Simultaneamente, há um movimento de elétrons do cristal n para o cristal p, deixando
o primeiro carregado positivamente. Se as lacunas e os elétrons não fossem partículas carregadas, esse
processo de difusão continuaria até atingir uma concentração uniforme em todo o volume. Mas a carga
do I T CO 5 šměně ště HOI I J E4 B. Condução .. O₂ + Oht B. Valência (A) semicondutor tipo p .. FIGURA
4.1: Semicondutores dopados. I0,01 v p RRS ¹O tempo de vida do portador mede quanto tempo leva
para que o processo de recombinação ocorra. O comprimento de difusão da portadora mede a
distância média que uma portadora pode percorrer antes de ser recombinada. n 05. • 10 QO
portadores dos íons que permanecem ligados à rede impedem o desenvolvimento pleno do processo de
difusão. A..... 888810000 © 001OOOO J. En Os íons carregados são a origem de um campo elétrico
orientado do semicondutor n (carregado positivamente) para o semicondutor p (carregado
negativamente). Este campo puxa os elétrons do cristal p para o cristal n e abre buracos do cristal n
para o cristal p. A direção deste processo de arrastamento é precisamente o oposto do processo de
difusão. O equilíbrio é alcançado quando os movimentos de difusão e arrasto se equilibram. No
equilíbrio, os portadores minoritários (buracos no cristal n e elétrons no cristal p) que cruzam a junção
se recombinam, de modo que os elétrons que vêm do cristal n formam ligações com os buracos no
cristal p e vice-versa. Essa recombinação ocorre na área próxima à junção, chamada de zona de carga
espacial. Esta região é despovoada de portadores e habitada apenas por íons carregados ligados à rede
que geram um campo elétrico de arrasto na junção. Este campo elétrico supõe a existência de uma
barreira de potencial que recebe o nome de potencial termodinâmico e que impede a passagem dos
portadores majoritários de um cristal para outro. Assim, uma vez que o equilíbrio é alcançado em uma
junção p-n, a corrente elétrica é zero novamente. 92221 · B. Condução .. (B) Tipo de semicondutor n.
Da Para conseguir a circulação de corrente através desta junção p-n, é necessário quebrar o equilíbrio
alcançado e reduzir o valor do potencial termodinâmico. A solução é polarizar a junção p-n. Se
aplicarmos uma diferença de potencial entre as extremidades do cristal de modo que o lado p adquira
uma tensão positiva em relação ao lado n, dizemos que a junção p-n está polarizada diretamente.
Nestas condições, a barreira de potencial é reduzida e, consequentemente, o valor do campo elétrico na
zona de junção. Portanto, a corrente de arrasto diminui e não pode compensar a corrente de difusão.
O equilíbrio não existe mais e um fluxo líquido de corrente aparece. Buracos no lado p podem agora
atravessar a zona de carga espacial e são injetados na zona n, onde são portadores minoritários. Aqui,
um excesso de buracos aparecerá em relação ao equilíbrio e, portanto, um processo de difusão e
recombinação se originará. O mesmo pode ser dito para os elétrons na zona n. Assim, duas correntes
aparecem em direções opostas, mas, como são partículas de sinais diferentes, as duas correntes não se
anulam e dão origem a uma corrente total utilizável. O critério convencional em eletricidade toma
como direção da corrente que devido às cargas positivas e, portanto, a corrente entra na junção pela
zona p e sai pela zona n. Se a diferença de potencial aplicada fizer com que a zona p esteja em uma
tensão mais baixa do que a zona n, a junção é polarizada inversamente. Nestas condições, a barreira de
potencial na junção é reforçada e a passagem de portadores de uma zona para outra é ainda mais
enfraquecida. Assim, a corrente que passa pela junção em polarização reversa é de valor muito baixo.
em B. Valência → átomo pentavalente com um elétron no orbital de condução sn I0.01 eV átomo
trivalente com um buraco em seu orbital de valência 4.1 . Teoria dos semicondutores