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MOSEFT (Transistor de Efeito de Campo) canal-N e canal-P

+12V
+11V
+10V
+12V(1) RL4(2) +12V(2) Q7(S)
SW1
+9V

+8V
Q7
RL4 IRF9530
480 Id = -8.2A (100°C)
R4 Vds = -100V
+88.8 SW-ROT-6 10k Vgs = -10V
Volts

D5
LED-RED RL3
+12V VF=2.2V 480
+4V IMAX=20mA
+3V
+88.8
SW2 Volts
+2V
Q6 D6
IRF530 LED-RED
Id = 10A (100°C) VF=2.2V
+1V
Vds = 100V IMAX=20mA
Vgs = 10V
R3
SW-ROT-6 10k

Topologia com MOSFET canal-N Topologia com MOSFET canal-P

VDS

Dreno
MOSFET canal-N
IDS

VGS
controle ON-OFF
Q3 - região de saturação: Vgs > Vth; Vds > Vgs - Vth.
IRF530 Cgd
Gate
- região de corte: Vgs < Vth; Id = 0 A.
Cds
controle linear de potência
Cgs
- região de triodo: Vgs > Vth; Vds < Vgs -Vth.

operação como resistência variável

Source

prof. Aglailson Olivindo


O MOSFET funciona como uma fonte de corrente controlada por tensão diferente do BJT controlado por corrente. Acionamentos de Máquinas Elétricas I
Referência: http://www4.pucsp.br/~elo2eng/Aula_06_DCE3_2018.pdf
IFCE - campus Sobral

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