Diferencial do cntfet:

O CNTFET usa o CNT como um canal entre a fonte e o dreno no MOSFET de silício
convencional, como mostrado na Fig. 11

Aplicações:

CNTFET Based OTRA and its Application as Inverse Low Pass Filter

Para ultrapassar isto, MOS como o CNTFET foi desenvolvido. São formados pela colocação de
CNTs entre regiões de fonte e drenagem dopadas. Isto resultou em condução e maior corrente
ON e correntes de fuga baixas.

Os CNTFETs são muito melhores do que os MOSFETs como comprimento de canal do pode ser
facilmente modificado até poucos nanómetros do que o mais tarde, a condução balística é
possível em CNTFETs mas não em MOSFETs, a capacidade do portão é maior no CNTFET que
permite uma comutação mais rápida. Como a porta CNTFET pode ser melhor controlada,
consequentemente a transcondutância é maior em CNTFET. A tensão limite é mais baixa no
CNTFET, o que causa baixa dissipação de energia.

CNTFET based Logic Circuits: A Brief Review

Os CNTFETs fornecem um oportunidade única de controlar a tensão limite por alteração do

vector de quiralidade, ou do diâmetro do CNT.

O CNTFET é uma alternativa promissora ao silício transístor para design de baixa potência e
alto desempenho devido ao seu transporte balístico e baixa corrente OFF propriedades.

Posso usar o 17 como contexto ou exemplificando os seus primeiros usos

Os circuitos de um, dois, e três transístores foram demonstrou experimentalmente exibir uma
gama de digital operações lógicas tais como porta NAND, porta NOR, inversor, Célula SRAM e
oscilador de anel. Para lógica complementar, tecnologias descritas em [17] foram utilizadas
para construir as primeiras relatou portões lógicos complementares da CNTFET. O o
crescimento de nanotubos em substratos de safira ou quartzo foi também noticiado
recentemente.

Propriedades específicas do CNTFET permitindo a criação de funções lógicas completamente

novas, inacessíveis para circuitos baseados em MOSFET

O comportamento ambipolar tem sido relatado em CNTFETs [21].

CNTFET Technology for RF Applications: Review and Future Perspective

Os CNTFETS podem atuar em frenquancias superiores a 110GHz

Cientísttas conseguiram produzir CNTFETs com mais carbono em suas composições em relação
ao silício. Conseguiram fazer um CNTFET com cerca de 6 a 7 CNT/ µm (isso representa cerca de
2/3 de um semicondutor mosfet)

“Em 2019, o grupo PKU publicou resultados [90] com base em uma solução derivada de filmes
CNT orientados aleatoriamente com uma transcondutância de até 380 μS / μm. Devido à alta
densidade combinada com a redução bem sucedida do comprimento do canal, o fmax
extrínseco extrínseco ultrapassou os 100 GHz para dispositivos de 30 nm de comprimento de
porta, representando o melhor desempenho extrínseco (apenas almofada desincorporada) até
à até à data

Traduzido com a versão gratuita do tradutor - www.DeepL.com/Translator

Comparative study of leakage power in CNTFET over MOSFET device

Conclusão: é de grande importância para a indústria desenvolver tecnologias que permitam a

implementação contínua de dispositivos de desempenho cada vez mais elevado. dispositivos
de desempenho cada vez mais elevado. O CNTFET é uma das mais novas tecnologias mais
promissoras que poderão substituir a eletrônica de silício.

Através dos resultados apresentados nas Figs. 4 e 5, podemos concluir que, no regime de
nanoescala, os dispositivos CNTFET são vantajosos em relação aos MOSFET devido à sua
menor capacitância quântica, enquanto nos MOSFET o valor da capacitância quântica continua
a aumentar, o que leva a um aumento do atraso de propagação e, consequentemente, a uma
degradação do desempenho.