NOTAS DE AULAS DE ESTRUTURA DA MATRIA

Prof. Carlos R. A. Lima

CAPTULO 13

SLIDOS

Primeira Edio junho de 2005

CAPTULO 13 SLIDOS NDICE

13-1- Estrutura dos Slidos 13.2- Slidos Amorfos e Vidros 13.3- Espalhamento de Bragg e Zonas de Brillouin 13.4- Modos Vibracionais de uma Rede Cristalina - Facultativo 13.5- Gs de Eltrons Livres em Metais 13.6- Modelo de Banda de Energia em Slidos 13.6.1- Origem das Bandas de Energia 13.6.2- Massa Efetiva do Eltron no Cristal 13.6.3- Funes de Bloch e Modelo de Kronig Penney 13.6.4- Funes de Onda de um Eltron num Potencial Peridico Geral Facultativo 13.6.5- Soluo da Equao de Onda nas Fronteiras das Zonas de Brillouin - Facultativo 13.7- Metais, Isolantes e Semicondutores 13.8- Teoria de Semicondutores 13.9- Dispositivos Semicondutores 13.9.1- Introduo 13.9.2- Juno p-n 13.9.3- Diodos 13.9.4- Transistores
Nessa apostila aparecem sees, sub-sees e exemplos resolvidos intitulados como facultativos. Os assuntos que se referem esses casos, podem ser dispensados pelo professor durante a exposio de aula sem prejuzo da continuidade do curso de Estrutura da Matria. Entretanto, desejvel que os alunos leiam tais assuntos e discutam dvidas com o professor fora do horrio de aula. Fica a cargo do professor a cobrana ou no dos tpicos facultativos. Excluindo os tpicos facultativos, esse captulo deve ser abordado no mximo em 6 aulas de quatro crditos.

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

49

50

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

69

70

71

72

73

74

75

76

77

78

79

80

81

82

83

84

85

86

87

88

89

90

91

92

93

94

95

96

97

98

99

100

101

102

103

104

105

106

107

108

109

110

111

112

113

114

115

116

117

118

119

120

121

122

Lista de Exerccios 1- Explique a afirmao segundo a qual o principio Pauli impede que os slidos possam colapsar atingindo um volume nulo. 2- Justifique a afirmativa de que um slido uma molcula gigante. Pode-se considerar uma molcula diatmica como um pequeno slido? Justifique.
N de partculas em termos da distncia A a entre vizinhos prximos para as redes bidimensionais mostrada na Figura abaixo: (a) Triangular, ou Hexagonal , (b) Quadrada e, (c) Com uma forma de colmia de abelhas .

3- Encontre a densidade numrica superficial =

Resp.: (a)

2 1 4 1 1 , (b) 2 , (c) 2 2 a 3a 3 3a

4- Assumindo somente interaes de energia entre vizinhos prximos, encontre a energia por partcula das trs redes da questo (3).
3 Resp.: (a) 3 , (b) 2 , (c) 2
3 2

5 - Na rede hexagonal da Figura ao lado, partculas 1 vizinhas prximos, e as partculas 1 e 3 so vizinhas em aproximao. Cada partcula tem 6 vizinhos prximos. vizinhos de segunda aproximao tm cada partcula? vizinhos de terceira aproximao tm cada partcula?

e 2 so segunda Quantos Quantos

6- Encontre a densidade numrica volumtrica de partculas em termos da distncia a entre vizinhos prximos para uma rede tridimensional: (a) SC , (b) FCC e, (c) BCC. Resp.: (a)
1 4 2 , (b) 3 , (c) 3 3 a a a

7- Esferas rgidas so empilhadas de modo a formar estruturas SC, FCC e BCC, como mostrado na Figura abaixo. A primeira Figura mostra, numa das faces, quatro das oito esferas da estrutura SC, a segunda mostra, numa das faces, cinco das quatorze esferas da estrutura FCC e a terceira mostra, na diagonal, trs das nove esferas da estrutura BCC. Em todas as Figuras, as esferas preenchem o mximo de volume no interior do cubo de lado a . Mostre que as fraes f do volume ocupado pelas esferas so respectivamente 52, 4% , 74% e 68% . (Sugesto: Usando como base as Figuras ao lado encontre o raio R de cada esfera e calcule o
123

volume Vesf de todas as esfera para cada uma das estruturas. Em seguida, divida o resultado pelo volume a 3 do cubo).
a

R
SC FCC

R
BCC

8- Mostre que o conjunto de vetores R = a ( n1 x + n2 y + n3 z ) , onde n1 , n2 , n3 so inteiros arbitrrios e x , y , z so vetores unitrios cartesianos, d as posies das partculas em uma rede cbica simples (SC).

9- Mostre que os vetores R = a ( n1u + n2 v ) , onde n1 , n2 so inteiros arbitrrios e u e v so

vetores unitrios dados por

u=x

, v=

1 x + 3y 2

do as localizaes dos stios em uma rede hexagonal bidimensional. 10- Os vetores de uma rede recproca para uma rede hexagonal so dados por 2 G= ( m1u* + m2v* ) onde m1 e, m2 so inteiros arbitrrios e u* e v* so vetores definidos de tal a forma que , u * iu = v* iv = 1 u * iv = v* iu = 0

Encontre u * e v* em termos dos vetores unitrios x e y usando os vetores unitrios u e v

definidos na questo 8. Mostre ainda que eiG i R = 1 . 11- Se um feixe de raios X, de comprimento de onda = 0, 2nm , incide sobre uma rede cristalina e observa-se um raio espalhado num angulo = 42o na primeira ordem de difrao ( n = 1 ), encontre: (a) a separao a entre os planos cristalinos da rede e, (b) a energia do fton de raios X. Resp.: (a) a = 0,15nm , (b) E = 6, 2keV 12- Se a experincia descrita na questo 10 fosse realizada com nutrons de mesmo h comprimento de onda , = = 0, 2nm , qual seria a energia do nutron sabendo-se que sua p 27 massa M = 1, 7 10 kg . Resp.: E = 0, 02eV
124

13- Sabe-se que a esfera de Fermi evolui com uma velocidade vF ( 0 ) = ( m ) k F ( 0 ) , onde k F ( 0 ) o raio da esfera no espao dos momentos em T = 0 . Tal esfera formada por orbitais k x = ( 2 L ) nx , k y = ( 2 L ) ny , k z = ( 2 L ) nz , onde L o tamanho dos lados de uma caixa cbica correspondentes as dimenses da amostra metlica e nx , n y , nz so nmeros inteiros.
3 Cada orbital tem um elemento de volume V = k x = ( 2 L ) representado por um pequeno cubo 3

de lados k x = k y = k z para nx = n y = nz = 1 . Mostre que a energia do nvel de Fermi

3 N F = calculando o nmero total N de eltron no interior da esfera de Fermi. 2m V 3 (Sugesto: Faa o calculo de N dividindo o volume 4 k F ( 0 ) pelo volume V de um orbital 3 levando em conta o fato que cada orbital pode ocupar at dois eltrons).
2 23

14- Experimentalmente, encontra-se que a resistividade do cobre a temperatura ambiente 1 r= = 1, 7 108 .m . A separao mdia de tomos de cobre da ordem de a = 0.2nm e cada E 1 tomo contribui na conduo de eltrons, resultando numa densidade 3 . (a) Encontre o a tempo de relaxao no metal, o livre caminho mdio l de um eltron de conduo e compare-o com a distncia interatmica a . (b) Sabendo-se que a energia de Fermi do cobre F = 7, 0eV , encontre a velocidade de Fermi vF de um eltron nesse metal. Resp.: (a) = 2, 0 1014 s , l = 31nm , (b) vF = 1, 6 106 m / s 15- O modelo de bandas de energia em um cristal pode ser descrito tambm por um mtodo terico denominado de Mtodo da Ligao Compacta que anlogo ao que se fez com a molcula de H 2+ no captulo 11. Nesse mtodo a funo de onda do eltron ( x ) dada por uma superposio de N orbitais inicos n ( x ) que compem o cristal, isto

( x ) = Cnn ( x )
n =1

(15.1)

onde, para um caso particular de um eltron 3s num caroo inico de sdio centrado em x = Rn ,

n ( x ) = 3s ( x Rn )

(15.2)

e, Cn so constantes a serem determinadas. Para o problema em questo, a equao de Schrdinger independente do tempo, :
N K + VN ( x ) = E ( x ) (15.3) n =1 2 d2 onde o operador energia cintica K = 2 . Do fato que cada n ( x ) uma funo 3s 2m dx

correspondente a uma energia potencial Vn localizada em Rn , ento

125

[ K + VN ]n ( x ) = En ( x )
onde E0 a energia do estado 3s . Substitua a eq. (15.1) na eq. (15.2) e mostre que
C1 ( E0 + V2 + ..... + VN ) 1 + C2 (V1 + E0 + V3 + ..... + VN ) 2 + ...... + C N (V1 + ..... + VN 1 + E0 ) N = E ( C11 + C22 + ...... + C N N )

(15.4)

(15.5)

16- No exerccio anterior, as constantes Cn que a parecem na eq. (15.5), podem ser determinadas multiplicando-se essa equao por n e ento integrando-se sobre todos os valores de x . Procedendo-se os clculos, possvel executar um determinado nmero de simplificaes e aproximaes na equao resultante. Por exemplo, como V1 grande somente nas vizinhanas do stio 1, V2 nas vizinhanas do stio 2, e assim por diante, espera-se que qualquer integral envolvendo stios afastados seja relativamente pequena. Essas integrais so anlogas as integrais de sobreposio obtidas na maioria das ligaes moleculares. Dentre essas integrais pode-se destacar:

V dx 0
1 1 3

ou

V dx 0
1 2 3

(16.1)

Por outro lado, integrais envolvendo stios que so vizinhos adjacentes, tais como:

J 12 = 1V12dx

(16.2)

no podem ser desprezadas e, uma medida da probabilidade de um eltron tunelar de um stio para o seu vizinho. Para esses vizinhos adjacentes, tais probabilidades so sempre iguais, isto : J 12 = J 21 = J nn 1 = J (16.3) Existem ainda duas outras integrais de sobreposio de vizinhos prximos, do tipo:

Q = 2 (V1 + V3 ) 2dx

I = 21dx = 12dx

(16.4)

que devem ser considerados nos clculos, onde Q um potencial mdio de interao de um eltron no stio 2 com os caroos inicos vizinhos 1 e 3, e I um termo de interferncia quntica que ocorre na integral de normalizao da autofuno ( x ) . Enquanto Q e I so correes que devem ser includas nos clculos rigorosos da energia eletrnica, elas no contribuem para o valor total da energia uma vez que simplesmente deslocam sua referncia como um todo. A partir dessas discusses e da condio de normalizao n2 dx = 1 , mostre que a eq. (15.5) do exerccio anterior se reduz, a:

Cn ( E0 E ) + ( Cn 1 + Cn +1 ) J = 0

(16.5)

126

para n = 1, 2,3,....., N . Note que, se J = 0 , a soluo para a energia exatamente a energia atmica localizada E0 . Entretanto, para J 0 , cada Cn acoplado aos seus stios vizinhos Cn 1 e Cn +1 , por esse pequeno termo de tunelamento quntico. 17- No exerccio anterior, a eq. (16.5) compe um sistema de N equaes homogneas e N incgnitas Cn , que pode ser difcil de ser manuseada. Um procedimento de soluo mais simples baseia-se na suposio de que o tunelamento do eltron sobre um anel com N stios resulta numa soluo de uma onda progressiva dada, por (17.1) Cn = CeikRn onde k o nmero de onda associado ao movimento eletrnico, e C uma constante de normalizao. As posies Rn dos N ins podem ser tomadas como 0, a, 2a,......, ( N 1) a , ou

Rn = ( n 1) a

n = 1, 2,......, N

(17.2)

(a) Substituindo-se a eq. (17.1) na eq. (16.5), mostre que:

E Ek = E0 + 2 J cos ka

(17.3)

Essa equao revela que os nveis de energia Ek dos eltrons so ainda E0 , entretanto, agora com uma correo de tunelamento que depende de J . Essa correo responsvel pelas bandas de energia no cristal como no grfico abaixo, que mostra o comportamento de Ek em funo de k , para a primeira zona de Brillouin [ a , + a ] , de acordo com a eq. (17.3).

Ek

E0 + 2 J E0 E0 2 J

+ a

Outras bandas de energia correspondentes a outros orbitais atmicos podem tambm ser obtido. Estados de energias mais baixos, tais como 1s, 2 s, e 2 p para o exemplo do sdio, so to compactos que raramente permitem tunelamento eletrnico ( J = 0 ). Por outro lado, estados mais elevados, tais como 3 p, 3d , e assim por diante, raramente confinam eltrons. As regies entre as bandas de energias permitidas para cada estado definem os gaps de energias proibidas. (b) De acordo com a condio de contorno peridica, quando o eltron alcana o stio N + 1 , assume-se que ele retorna ao stio 1. Use esta condio na eq. (17.1), tal que C N +1 = C1 , para mostrar que, cos kNa + isenkNa = 1 , ou seja, que os valores permitidos de k na banda de energia, so 2 com, n = 0, 1, 2,...... (17.4) k= n L onde L = Na o comprimento do cristal.

127

18- A largura da banda proibida que separa a banda de valncia da banda de conduo do silcio 1,14eV temperatura ambiente. Qual o comprimento de onda de um fton capaz de excitar um eltron do topo da banda de valncia para a base da banda de conduo? Resp.: = 1, 09 m 19- Um fton com um comprimento de onda de 3, 35 m tem exatamente a energia suficiente para excitar um eltron da banda de valncia para a banda de conduo de um cristal de sulfeto de chumbo. (a) Determine a largura da banda proibida do sulfeto de chumbo. (b) Determine a temperatura T para a qual kT igual largura da banda proibida. 20- Considere um pequeno cristal cbico de silcio com 100nm de aresta. (a) Sabendo-se que para o silcio a massa atmica M = 28 g e densidade = 2,33g / cm 3 , calcule o nmero total N de tomos de silcio no cristal. Use o nmero de Avogadro N A = 6, 06 1023 partculas / mol . (b) Sabendo-se que a banda de conduo do silcio tem uma largura de 13eV e que existem 4 N estados nesta banda, onde o nmero 4 se refere a quatro funes de onda espacialmente antisimtricas ( uma para o orbital 3s e 3 para o orbital 3 p ) , estime o valor da distncia entre estados adjacentes na banda de conduo. Resp.: (a) 5,01 107 , (b) 6,5 108 eV 21- Sabendo-se as configuraes eletrnicas dos seguintes elementos: Silcio (Si): .....3s 2 3 p 2 , Alumnio (Al): .....3s 2 3 p , Fsforo (P): .....3s 2 3 p 3 , que tipo de semicondutor obtido quando o silcio dopado (a) com alumnio, (b) com fsforo? Justifique. Resp.: (a) tipo p , (b) tipo n 22- Utilizando-se a equao da corrente eltrica total do lado n para o lado p numa juno p-n polarizada diretamente, determine a tenso de polarizao Vb para a qual o termo exponencial (a) igual a 10 , (b) igual a 0,1 , quando a temperatura T = 300K . (c) Calcule a variao percentual da corrente eltrica total do lado n para o lado p numa juno p-n polarizada diretamente quando a tenso de polarizao Vb aumenta de 0,1V para 0, 2V . Resp.: (a) 59,6mV , (b) 59,6mV 23- Sabe-se que a curva caracterstica corrente tenso de um diodo ideal de silcio i = i0 ( e eVb / kBT 1) . Supondo-se que k BT = 0,025eV (temperatura ambiente) e i0 = 1nA , (a) mostre que a resistncia do diodo R = 25M para pequenas tenses inversas. ( Sugesto: Faa uma expanso em srie de Taylor da funo exponencial ou use uma calculadora e escolha um valor pequeno e negativo para Vb ).

128