Diodos Especiais

Fotodiodos PN
Uma juno PN pode emitir luz sob ao de uma corrente eltrica conforme j visto. E o processo inverso tambm possvel, ou seja, a luz pode gerar uma corrente eltrica em uma juno PN.

Figura 01 A Figura 01 deste tpico d idia da seo transversal de um fotodiodo comum de silcio.

basicamente um diodo de juno com caractersticas construtivas para direcionar a incidncia de luz para a camada P. Esta ltima, por sua vez, bastante delgada e sua espessura tem relao com o comprimento de onda da luz a detectar.

Figura 02 Um fotodiodo pode operar no modo fotovoltaico, isto , sem nenhuma polarizao.

A Figura 02 (a) mostra a ligao bsica.

Desde que a tenso gerada muito baixa, comum o uso de um amplificador operacional como em (b) da mesma figura. Neste circuito, os pulsos de sada so invertidos em relao aos pulsos de luz na entrada.

Figura 03 No modo fotocondutivo, o fotodiodo polarizado por um potencial de uma fonte externa.

A Figura 03 mostra dois arranjos bsicos (sem inverso e com inverso de pulso) com uso de amplificadores operacionais. Observar que, em qualquer caso, o fotodiodo deve trabalhar com polarizao inversa.

Diodos tnel
So diodos de juno PN com elevadas concentraes de impurezas (dopagem) em ambas as camadas. Nessa situao, a regio de depleo muito estreita, na faixa de "algumas dezenas de tomos" de espessura.

Figura 01 A proximidade das partes ativas das camadas permite o efeito tnel, que, por enquanto, no aqui informado em seus aspectos atmicos.

O resultado o comportamento de resistncia negativa, isto , a corrente diminui com o aumento de tenso, em uma parte da curva de polarizao direta. Ver Figura 01 (a).

A caracterstica de resistncia negativa permite a construo de osciladores simples como o circuito da Figura 01 (b). A elevada dopagem faz com que a maior parte dos portadores sejam buracos e eltrons, que tm ao bastante rpida. Assim, pode operar em freqncias elevadas. Entretanto, os diodos tnel so pouco usados atualmente. As principais desvantagens so a baixa potncia e o custo, fatores que so melhor atendidos por outras tecnologias.

Diodos Gunn
O diodo Gunn tem uma caracterstica bastante particular: construdo apenas com semicondutor tipo N, ao contrrio do par PN dos demais. Na realidade, um oscilador de microondas.

Figura 01 assim denominado em homenagem a J Gunn, descobridor (em 1963) do efeito da gerao de microondas por semicondutores N. So construdos em trs camadas conforme indicado na Figura 01 (a). A camada central tem um nvel de dopagem menor.

O dispositivo exibe caracterstica de resistncia negativa conforme grfico (c) da mesma figura.

O material semicondutor pode ser arsenieto de glio (GaAs) ou nitreto de glio (GaN), este ltimo para freqncias mais elevadas. Podem oscilar em freqncias de cerca de 5 GHz at cerca de 140 GHz. Em geral so fornecidos como parte de um conjunto oscilador conforme (d) da figura. (b) o circuito equivalente do diodo oscilante na cavidade. A freqncia gerada por um diodo Gunn depende principalmente da espessura da camada ativa. Entretanto, dentro de certos limites, ela pode ser ajustada pela ressonncia da cavidade. Na figura citada, isso dado pela haste de sintonia.

Diodos varactor

Figura 01 Conforme visto no primeiro tpico da pgina anterior, um diodo de juno inversamente polarizado apresenta uma regio de depleo entre as camadas P e N. A espessura dessa regio aumenta com o aumento da polarizao inversa e ela quase no conduz (como um dieltrico), ou seja, um diodo inversamente polarizado pode

funcionar como um capacitor, cuja capacitncia varia de acordo com a tenso aplicada. Ver Figura 01 (a). Conhecidos tambm pelo nome varicap, tais diodos so basicamente diodos de juno construdos especificamente para funcionar como capacitores variveis. Sintonia de circuitos a principal aplicao. O grfico (b) da Figura 01 uma variao capacitncia x tenso inversa tpica. Em (c), smbolos usuais para diagramas. Em (d), exemplo da sintonia com varactor de um circuito ressonante para uso em osciladores.

Diodos PIN

Figura 01 O nome devido existncia de uma camada I ("intrnseca" - silcio sem dopagem) entre as camadas P e N conforme esboo da Figura 01 (a). Quando diretamente polarizado, buracos e eltrons so injetados na camada intrnseca I e suas cargas no se anulam de imediato, elas ficam ativas por um determinado perodo. Isso resulta em uma carga mdia na camada que possibilita a conduo. Na polarizao

nula ou inversa, no h carga armazenada e o diodo se comporta como um capacitor em paralelo com a resistncia prpria do conjunto. Com tenso contnua ou de baixa freqncia, o diodo PIN tem comportamento prximo do diodo de juno PN. Em freqncia mais altas, de perodos inferiores ao tempo de durao das cargas, a resistncia apresenta uma variao caracterstica com a corrente. Isso d ao componente aplicaes variadas em altas freqncias, como chaves, atenuadores, filtros, limitadores, etc. A Figura 01 (c) d exemplo de uso como chave de radiofreqncia em um conjunto transmissor e receptor que compartilham a mesma antena. Se +V aplicado, o transmissor conectado antena e o receptor, bloqueado. E vice-versa.