Dissertacao Leonardo P Sampaio

Campus de Ilha Solteira
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA
Uma Nova Metodologia de Projeto e Controle para o Inversor Boost (CSI) Monofsico, para o Aproveitamento de Fontes Alternativas e Renovveis de Energia Eltrica
Leonardo Poltronieri Sampaio
Orientador: Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin
Dissertao de Mestrado apresentada Faculdade de Engenharia - UNESP Campus de Ilha Solteira, como parte dos requisitos para a obteno do ttulo de Mestre em Engenharia Eltrica. rea de Conhecimento: Automao.
Ilha Solteira - SP Agosto de 2010
FICHA CATALOGRFICA Elaborada pela Seo Tcnica de Aquisio e Tratamento da Informao Servio Tcnico de Biblioteca e Documentao da UNESP - Ilha Solteira.
S192n
Sampaio, Leonardo Poltronieri. Uma nova metodologia de projeto e controle para o inversor Boost (CSI) monofsico, para o aproveitamento de fontes alternativas e renovveis de energia eltrica / Leonardo Poltronieri Sampaio. --Ilha Solteira : [s.n.], 2010 110 f. : il. Dissertao (mestrado) - Universidade Estadual Paulista. Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira. rea de conhecimento: Automao, 2010 Orientador: Carlos Alberto Canesin 1. Inversores eltricos. 2. Eletrnica de potncia. 3. Energia Fontes alternativas. 4. Mtodos de espao de estados.
Agradecimentos
Agradeo Deus. Ao meu orientador, Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin, por ter conado na minha pessoa, por ter auxiliado no meu crescimento prossional e pessoal, pelo apoio neste e em outros trabalhos que realizamos desde a minha graduao. Ao Moacyr Aureliano Gomes de Brito e ao Luigi Galotto Junior, pela oportunidade de trabalhar em equipe e por terem contribudo de forma signicativa na evoluo e andamento deste trabalho. Aos colegas do Laboratrio de Eletrnica de Potncia: Luciano de Souza da Costa e Silva, Prof. Dr. Guilherme de Azevedo e Melo, Alrio Fazio Junior, Rodolfo Castanho Fernandes e Marcelo Rubia da Silva. Agradeo a minha me, Roselly de Ftima Batista Poltronieri e a meu irmo, Lucas Poltronieri Sampaio, por serem minha famlia e terem me ajudado a chegar at aqui. Aos meus avs Osvaldo e Irene pelo apoio e ensinamentos. A minha querida namorada, Juliana Aparecida de Souza, pelo incentivo, amor, carinho e por me ajudar nos momentos mais difceis. Devanir Jos de Souza, e Aparecida Sala de Souza, pais da minha namorada, pelo apoio e incentivo. Ao Prof. Dr. Dionzio Paschoareli Jnior por ter participado na banca de qualicao, trazendo contribuies signicativas para o trabalho. Aos professores Dr. Falcondes Jos Mendes de Seixas e Dr. Denizar Cruz Martins pela participao na banca de defesa de mestrado, levantando em pauta as questes mais importantes e trazendo discusses que permitiram melhorias neste trabalho. CAPES (Coordenao de Aperfeioamento de Pessoal de Nvel Superior) pelo apoio nanceiro.
Resumo
Este trabalho prope uma nova abordagem na metodologia de operao para o inversor Boost monofsico, como estrutura base para o aproveitamento de fontes alternativas e renovveis de energia eltrica. Considerando-se que equipamentos eletro/eletrnicos convencionais em CA (corrente alternada) necessitam, normalmente, de nveis e formato de tenso diferentes daqueles fornecidos por essas fontes de energia, o inversor proposto uma estrutura integrada que tem a capacidade de operar como conversor elevador de tenso e inversor, apresentando um nmero reduzido de componentes e rendimento maior, quando comparado s formas tradicionais de se associar em cascata o conversor elevador com o inversor. O projeto convencional do inversor fonte de corrente (CSI) exige uma indutncia elevada de entrada, alm disso, o modelo a pequeno sinais do CSI semelhante ao do conversor Boost no modo de conduo contnua, apresentando um zero no semi-plano direito na funo de transferncia para o controle da tenso de sada, sendo que este zero causa o conhecido efeito de fase no-mnima. Desta forma, uma metodologia especial de projeto apresentada resultando numa indutncia Boost reduzida e numa tcnica de controle utilizando um sistema multi-malhas, com alimentao direta, devidamente projetada de forma a possibilitar elevadas dinmicas de transferncia de energia. Adicionalmente, o inversor apresenta tenso de sada com reduzidas distores harmnicas (DHT), nmero reduzido de componentes de potncia e, consequentemente, elevada densidade de potncia. Neste trabalho so apresentadas as anlises qualitativa e quantitativa do inversor, a modelagem e tcnica de controle proposta, metodologia de projeto, os principais resultados de simulao e experimentais com a nalidade de demonstrar a viabilidade de aplicao da proposta.
Palavras chave: Inversor Boost Monofsico. Controle Multi-Malhas. Modelao no Espao de Estados. Qualidade da Energia Eltrica. Fontes Renovveis de Energia Eltrica. Conversores Estticos de Potncia.
Abstract
This work presents a new methodology for the operation and control of a single-phase current-source Boost Inverter, it is used as base structure for alternative and renewable electric energy sources. The electro/electronics devices normally require eletrical source in AC (alternate current) in different voltage levels and shapes those provided by the alternative and renewable electrical sources. The proposed inverter is an integrated structure able to operate as step-up DC-DC converter and inverter, it presents a reduced number of components, high efciency when compared with the traditional technique of step-up and inverter for cascade association. The conventional design of current source inverter (CSI) require a large boost inductance, therefore, the small-signal model is similar to continuous-current-mode (CCM) Boost converter, which has a right-half-plane (RHP) zero in its control-to-output transfer function, and this RHP zero causes the well-known non-minimum-phase effects. In this context, a special design with small boost inductance and a multi-loop control is proposed in order to assure stability and very fast dynamics. Furthermore, the inverter presents output voltage with very low total harmonic distortion (THD), reduced number of components and high power density. In addition, this work presents the Boost CSI operation, the proposed control technique, the main simulation and experimental results in order to demonstrate the feasibility of the proposal. .
Keywords: Single-Phase Boost Inverter. Multi-Loop Control. State-Space Modeling. Power Quality. Renewable Electric Energy Sources. Power Electronics Converters.
Lista de Figuras
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 1.10 1.11 1.12 1.13 1.14 1.15 1.16 1.17 1.18 1.19 1.20 1.21 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 Painel Fotovoltaico Tpico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Estruturas utilizadas para a adequao da energia eltrica fornecida pelo painel fotovoltaico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuito eltrico equivalente de uma clula solar . . . . . . . . . . . . . . . . . Curva I-V para um dado valor de e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuito topolgico do conversor Boost clssico . . . . . . . . . . . . . . . . . Ganho esttico do conversor Boost em funo da razo cclica, para o caso ideal e para diversos valores de . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Conversor Boost ZVS PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Conversor Boost quadrtico utilizando apenas uma chave . . . . . . . . . . . . Conversor Boost quadrtico com comutao suave . . . . . . . . . . . . . . . . Conversor Boost quadrtico com nmero reduzido de componentes . . . . . . . Modulao PWM Senoidal utilizada no Inversor VSI . . . . . . . . . . . . . . Inversor monofsico em meia-ponte clssico (VSI) . . . . . . . . . . . . . . . Conversor CC-CA Half-Bridge ZVS-PWM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Conversor em Ponte-Completa PWM Clssico (VSI) . . . . . . . . . . . . . . Inversor Fonte de Corrente (CSI) monofsico . . . . . . . . . . . . . . . . . . Inversor CSI em multinvel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Inversor CSI com modulao HPWM e snubber ressonante passivo . . . . . . . Inversor Boost Integrado. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Inversor Boost utilizando uma estrutura elevadora . . . . . . . . . . . . . . . . Inversor Full-Bridge Buck-Boost srie ressonante - FB-SRRBI . . . . . . . . . Proposta de dissertao: Inversor Boost (CSI) Monofsico . . . . . . . . . . . Inversor Boost Monofsico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Etapa de pr-carga do capacitor (0 < ), semi-ciclo positivo . . . . . . . Primeira etapa de funcionamento, semi-ciclo positivo . . . . . . . . . . . . . . Segunda etapa de funcionamento, semi-ciclo positivo . . . . . . . . . . . . . . Etapa de pr-carga do capacitor ( < + ), semi-ciclo negativo . . . . . Primeira etapa de funcionamento, semi-ciclo negativo . . . . . . . . . . . . . . Segunda etapa de funcionamento, semi-ciclo negativo . . . . . . . . . . . . . . Principais formas de onda idealizadas para a operao na frequncia de chaveamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Modulao PWM Senoidal utilizada no Inversor CSI . . . . . . . . . . . . . . 14 15 15 16 17 19 19 20 21 21 23 23 24 24 25 26 26 28 28 29 29 31 32 33 33 34 34 34 35 36
2.10 2.11 2.12 2.13 2.14 2.15 2.16 2.17 2.18 2.19 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 3.10 3.11 3.12 3.13 3.14 3.15 3.16 3.17 3.18 3.19 3.20 3.21 3.22 3.23 3.24
baco da variao de D em funo de t, para valores especcos de . . . . baco da variao de em funo de t, para valores especcos de baco da variao da DHT em funo de . . . . . . . . . . . . . . . . . . Forma de onda de corrente idealizada no indutor L . . . . . . . . . . . . . . Forma de onda de corrente idealizada na chave 1 . . . . . . . . . . . . . . . Forma de onda de corrente idealizada na chave 2 . . . . . . . . . . . . . . . Forma de onda de corrente idealizada na chave 3 . . . . . . . . . . . . . . . Forma de onda de corrente idealizada na chave 4 . . . . . . . . . . . . . . . Formas de onda de tenso e corrente idealizadas na carga . . . . . . . . . . . baco da variao de em funo de t, para de projeto . . . . . .
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38 40 41 41 41 42 42 42 43 44 48 49 49 52 52 52 53 55 55 56 56 56 57 57 58 58 58 59 61 64 65 65 66 66
Circuito equivalente para o Inversor Boost . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Primeira etapa de funcionamento do conversor Boost . . . . . . . . . . . . . . Segunda etapa de funcionamento do conversor Boost . . . . . . . . . . . . . . Circuito equivalente da equao (3.28) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuito equivalente da equao (3.29) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Representao dos circuitos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Modelo CC do inversor Boost . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuito equivalente obtido para a tenso mdia no indutor . . . . . . . . . . Circuito equivalente obtido para a corrente mdia no capacitor . . . . . . . Circuito equivalente obtido para a corrente de entrada do inversor . . . . . . . . Modelo a pequenos sinais CA do inversor Boost . . . . . . . . . . . . . . . . . Modelo a pequenos sinais CA idealizado do inversor Boost . . . . . . . . . . . Processo de linearizao, Indutncia L referida ao secundrio . . . . . . . . . . Processo de linearizao, alocao da fonte de corrente . . . . . . . . . . . . . Processo de linearizao, fonte de tenso equivalente e corrente referida ao primrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Processo de linearizao, fonte de tenso referida ao primrio . . . . . . . . . . Processo de linearizao, Indutncia L referida ao secundrio . . . . . . . . . . ^ Circuito cannico valores mdios, sem perturbaes em () e () referido ^ ao secundrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Circuito cannico valores mdios da FT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Malha de Controle de Corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Funo de Transferncia de Malha Aberta de Corrente . . . . . . . . . . . . . Funo de Transferncia de Malha Aberta de Corrente, Incluindo o Compensador de Corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Resposta ao Degrau da Funo de Transferncia de Malha Aberta de Corrente com o Compensador PI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Malha de Controle de Tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.25 Funo de Transferncia de Malha Aberta de Tenso . . . . . . . . . . . . . . 3.26 Funo de Transferncia de Malha Aberta de Tenso, Incluindo o Compensador de Tenso . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.27 Resposta ao Degrau da Funo de Transferncia de Malha Aberta de Tenso com o Compensador PI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.28 Comparao entre o controle modo corrente convencional e o controle modo corrente com realimentao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.1 Modelo do Inversor CS Boost utilizado para obteno dos resultados via simulao no ambiente MatLab . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 Formas de Onda de Tenso (azul) e de Corrente (vermelho) na Carga . . . . . . 4.3 Forma de Onda de Corrente no Indutor Boost . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4 Formas de Onda de Tenso e Corrente na Chave 1 . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 Formas de Onda de Tenso e Corrente na Chave 2 . . . . . . . . . . . . . . . 4.6 Formas de Onda de Tenso e Corrente na Chave 3 . . . . . . . . . . . . . . . 4.7 Formas de Onda de Tenso e Corrente na Chave 4 . . . . . . . . . . . . . . . 4.8 Formas de Onda de Tenso (azul) e de Corrente (vermelho) na Carga . . . . . . 4.9 Forma de Onda de Tenso na Carga, Durante o Degrau de Meia Carga para Carga Nominal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.10 Forma de Onda de Corrente no Indutor Boost, Durante o Degrau de Meia Carga para Carga Nominal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.11 Formas de Onda de Tenso (azul) e de Corrente (vermelho) - Carga no Linear 4.12 Comparao de resultados para diferentes conguraes de controle . . . . . . 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 Foto do Inversor Boost Monofsico, implementado utilizando mdulo didtico Semikron integrado ao sistema de aquisio e condicionamento de sinais . . . . Formas de Onda de Tenso (azul) e de Corrente na Carga (vermelho) - Conversor Limitado em Potncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Forma de Onda da Corrente no Indutor Boost - Conversor Limitado em Potncia Formas de Onda de Tenso (azul; 50V/div) e de Corrente na Carga (vermelho; 500mA/div) - Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Forma de Onda da Corrente no Indutor Boost (1A/div) - Experimental . . . . . Contedo harmnico da tenso de sada at a 13 ordem harmnica . . . . . Resposta ao degrau (50 a 100%), formas de onda de corrente no Indutor (vermelho; 2A/div) e de tenso na Carga (azul; 100V/div) - Experimental . . . . . Formas de Onda de Tenso (azul; 100V/div) e Corrente (vermelho; 5A/div) nas Chave 1 e 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Formas de onda de tenso (azul; 100V/div) e corrente (vermelho; 2A/div) no Capacitor - Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
67 67 68 69
71 72 73 73 74 74 74 75 75 76 76 77
78 80 80 81 81 81 82 83 83
5.10 Formas de onda de corrente (vermelho; 5A/div) no Indutor Boost e de tenso (azul; 100V/div) na carga para o Inversor Boost operando apenas com controle da corrente de entrada - Experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.11 Atuao dos sensores de corrente no indutor e de tenso na carga . . . . . . . . 5.12 Curva do rendimento do Inversor Boost Monofsico . . . . . . . . . . . . . . .
85 86 86
A.1 Ncleo toroidal - Iron Powder . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95 A.2 Curva de porcentagem de permeabilidade inicial em funo da fora magnetizante para o material 14 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 96 A.3 Curva da indutncia em funo da variao de corrente . . . . . . . . . . . . . 98 A.4 Perdas por comutao no IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99 A.5 Circuito trmico equivalente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 B.1 B.2 B.3 B.4 B.5 B.6 B.7 B.8 B.9 B.10 Montagem Experimental do Inversor Boost Monofsico . . . . Circuito equivalente do Inversor Boost com os IGBTs e diodos Sensores de tenso na carga e de corrente no indutor . . . . . . Placa contendo os sensores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Condicionamento do sinal de corrente e de tenso . . . . . . . Condicionamento do sinal de ataque das chaves . . . . . . . . Condicionamento do sinal de ataque das chaves . . . . . . . . Placa de Alimentao auxiliar . . . . . . . . . . . . . . . . . Esquemtico do Controle implementado no Simulink/MatLab Esquemtico do Controle implementado no ControlDesk . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 104 106 106 107 107 108 108 110 110
Lista de Tabelas
2.1 3.1 4.1 4.2 5.1 A.1 A.2 A.3 A.4 A.5 A.6 Especicaes de Projeto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Parmetros das Funes de Transferncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Parmetros de Projeto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Principais resultados de simulao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Principais resultados experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Parmetros de projeto para o indutor Boost . . . . . . Principais caractersticas para o ncleo T400-14D . . Principais caractersticas do material 14 . . . . . . . Principais caractersticas do IGBT STGW50NC60W Caractersticas tcnicas do dissipador HS15559 . . . Caractersticas tcnicas diodo Schottky SHD114536 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43 63 71 72 84
. 94 . 95 . 97 . 98 . 101 . 101
B.1 Principais caractersticas do IGBT SKM50GB123D . . . . . . . . . . . . . . . 104 B.2 Principais caractersticas do IGBT SK60GAL128 . . . . . . . . . . . . . . . . 105 B.3 Estimativa de Perdas para o Inversor operando com uma potncia de 101W na entrada, com frequncia de chaveamento de 25kHz . . . . . . . . . . . . . . . 109
Sumrio
1 Introduo 1.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Painel Fotovoltaico . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 Conversores Elevadores de Tenso do Tipo Boost . 1.4 Inversores Monofsicos . . . . . . . . . . . . . . 1.5 Estruturas Integradas Monofsicas . . . . . . . . 1.6 Proposta de trabalho . . . . . . . . . . . . . . . . 2 Inversor Boost Monofsico 2.1 Introduo . . . . . . . . . 2.2 Etapas de Funcionamento . 2.3 Anlise Quantitativa . . . . 2.4 Exemplo de Projeto . . . . 2.5 Concluses . . . . . . . . . 13 13 13 17 22 27 29 31 31 32 36 43 46 47 47 47 52 56 63 69 70 70 70 77 78 78 79 84
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3 Modelao, Funes de Transferncia e Projeto dos Controladores 3.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Equaes em Espao de Estado para o Inversor Boost . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3 Obteno do Modelo CA para Pequenos Sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4 Obteno das Funes de Transferncia a Partir do Modelo CA para Pequenos Sinais do Inversor Boost . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5 Projeto dos Controladores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.6 Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Resultados de Simulao 4.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 Resultados de Simulao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3 Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 Resultados Experimentais 5.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2 Resultados para o Inversor operando com controle da corrente de entrada e da tenso de sada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.3 Resultados para o Inversor operando apenas com controle da corrente de entrada . .
5.4 Sensor de Corrente na Entrada e da Tenso na Carga . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5 Rendimento da Estrutura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.6 Concluses . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 Concluso Geral e Continuidade do Trabalho
85 86 86 88 90 94 94 98 101 102 103 103 103 105 106 108 109 109
Referncias APNDICE A Especicaes de Projeto A.1 Projeto do Indutor Boost . . . . . . . . . . . . A.2 Especicao do Interruptor . . . . . . . . . . A.3 Especicao dos Diodos . . . . . . . . . . . A.4 Estimativa das perdas e rendimento do inversor
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APNDICE B Detalhes da Implementao em Laboratrio B.1 Introduo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.2 Estgio de Potncia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.3 Sensores de Tenso na Carga e Corrente no Indutor . . . . . B.4 Condicionamento de Sinais . . . . . . . . . . . . . . . . . . B.5 Placa de Alimentao Auxiliar . . . . . . . . . . . . . . . . B.6 Estimativa das perdas e rendimento do inversor implementado B.7 Implementao do Controle no dSPACE . . . . . . . . . . .
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13
CAPTULO 1
Introduo
1.1 Introduo
Com a evoluo da tecnologia e do processamento da energia eltrica surge a necessidade de adequar esta energia para os mais diversos tipos de aplicaes. Neste contexto, a eletrnica de potncia vem contribuindo de forma signicativa com o processamento eletrnico da energia, desenvolvendo e propondo produtos cada vez mais ecientes, com elevado fator de potncia, baixas perdas e volumes reduzidos, que vm de encontro com o desejado pelo seguimento industrial, conforme (BLAABJERG et al., 2005; BOSE, 2005). H situaes em que o dispositivo fornecedor de energia eltrica no atende as especicidades dos aparelhos eltrico-eletrnicos em corrente alternada, como so normalmente os casos do painel fotovoltaico (PV-PhotoVoltaic) e da clula a combustvel (FC-Fuel Cell), que fornecem uma tenso contnua em seus terminais de sada. Alm disso, tipicamente, a tenso ecaz para diversas aplicaes residenciais/comerciais de muito maior amplitude que a tenso mdia de sada das fontes alternativas tipo PV e FC. Neste contexto, considerando-se o interesse para este trabalho de aplicaes e aproveitamento de energia eltrica provenientes de painis fotovoltaicos, este captulo apresenta a anlise simplicada do funcionamento e das principais caractersticas do PV, apresentando uma reviso bibliogrca das principais estruturas de conversores estticos utilizadas no aproveitamento de energias alternativas e renovveis.
1.2
Painel Fotovoltaico
O Painel Fotovoltaico um dispositivo utilizado para o processo de converso da energia solar em eltrica. Dentre as fontes alternativas, a energia eltrica proveniente dos painis atualmente considerada como sendo a fonte de energia natural mais til, uma vez que esta disponvel de forma livre ao longo da Terra e participa, na Terra, como fator primrio de todos os outros processos naturais de obteno de energia. Alm disso, apesar dos fenmenos de reexo e absoro dos raios solares pela atmosfera, estima-se que a energia solar incidente sobre a superfcie da terra seja da ordem de dez mil vezes maior do que o consumo energtico mundial (AGNCIA NACIONAL DE ENERGIA ELTRICA - ANEEL, 2003). Neste contexto, o conceito de gerao distribuda de energia (GDEE), transformou-se numa possibilidade tcnica real e atual, sujeita diversas pesquisas e normatizaes em todo o mundo. A gura 1.1 ilustra um painel fotovoltaico tpico.
Captulo 1. Introduo
14
Figura 1.1: Painel Fotovoltaico Tpico. O Brasil possui excelentes nveis de radiao solar, a incidncia solar muito superior a vericada no restante do mundo, devido a sua localizao, fator que coloca o pas em vantagem com relao aos pases industrializados com relao possibilidade de utilizao da energia solar fotovoltaica (CENTRO DE REFERNCIA PARA ENERGIA SOLAR E ELICA SRGIO DE SALVO BRITO - CRESESB/CEPEL, 2000). Os PVs so muito utilizados na Europa, principalmente na Alemanha, onde a irradiao solar 1,4 vezes menor que na regio com menor incidncia no Brasil (MORAES, 2009). Este sistema pode ajudar a melhorar as condies de vida em comunidades isoladas aonde no existem redes de energia eltrica, pode ser utilizado para alimentar motores e bombas de irrigao utilizados na agricultura, pode ser utilizado para alimentar orelhes telefnicos, estaes repetidoras de rdio, TV, iluminao residencial, iluminao pblica, nas telecomunicaes, refrigeradores, aplicaes martimas, entre outras inmeras aplicaes. O formato de tenso disponvel nos terminais de sada de uma fonte alternativa de energia tipo PV em corrente contnua e geralmente est em nvel inferior ao solicitado pela aplicao em CA (motores CA, lmpadas, equipamentos eletro/eletrnicos). Para superar este problema, uma tcnica muito utilizada a de associar um conversor CC-CC elevador com um inversor fonte de tenso (VSI) (WALKER; SERNIA, 2004), outra tcnica a de utilizar uma estrutura integrada (elevador+inversor) (JAIN; AGARWAL, 2007). A gura 1.2 ilustra a associao de PV com estes dois tipos de congurao. O nvel de tenso que um PV consegue fornecer depende das caractersticas construtivas (juno p-n, associao de clulas), do nvel de incidncia de luz e da temperatura. Os sistemas de painis fotovoltaicos podem ser encontrados com diferentes nveis de tenso, corrente e potncia . Muitas vezes estes nveis de potncia (tenso e corrente) so insucientes para suprir aplicaes quando uma tenso maior necessria, assim, os painis podem ser associados em srie, analogamente, para um maior nvel de corrente os painis podem ser associados em paralelo. Adicionalmente, possvel aumentar o nvel de corrente e de tenso usando as duas
Captulo 1. Introduo
15
PV
Conversor Elevador CC/CC
PV
Inversor CC/CA Aplicao em CA
Estrutura Integrada Elevador + Inversor CC/CA
Aplicao Em CA
(a) Associao de dois conversores: elevador e inversor
(b) Uso de uma estrutura integrada para elevar e inverter a tenso
Figura 1.2: Estruturas utilizadas para a adequao da energia eltrica fornecida pelo painel fotovoltaico. conguraes simultaneamente. Para entender o comportamento eltrico de um PV necessrio criar um modelo baseado em um circuito eltrico. O modelo mais simples de uma clula solar uma fonte de corrente em paralelo com um diodo, conforme (GOW; MANNING, 1999; CASARO; MARTINS, 2008). A gura 1.3 ilustra o circuito eltrico equivalente de um PV e (1.1) expressa o equacionamento bsico do circuito.
Rs
I
+
Iph
Rp
-
Figura 1.3: Circuito eltrico equivalente de uma clula solar.
[ ] + = ( +)/ 1 Onde: V, I - Tenso e corrente nos terminais de sada de uma clula solar; Iph - Fotocorrente; Ir - Corrente de saturao reversa da clula; Rs, Rp - Resistncia srie e paralela da clula; q - Carga do eltron, 1,6 1019 C; - Fator de qualidade da juno p-n; k - Constante de Boltzmann, 1,38 1023 J/K; T - Temperatura ambiente, K.
(1.1)
Os parmetros Iph e Ir so dependentes da corrente de curto-circuito por clula, temperatura de curto circuito, temperatura de referncia, intensidade de radiao solar, energia de banda proibida e da tenso de circuito aberto por clula.
Captulo 1. Introduo
16
Desta forma, com a equao 1.1 possvel traar a curva caracterstica de tenso e corrente da clula, que depende dos valores de Rs e Rp, e dos nveis de temperatura e a radiao incidente no PV. Assim, a curva em anlise apresenta um ponto mximo de relao entre a corrente I e tenso V do mdulo, conforme ilustra a gura 1.4.
I Imax IMPP Rp
Caracterstica de Fonte de Tenso
MPP
Caracterstica de Fonte de Corrente
Rs
V 0 VMPP Vmax
Figura 1.4: Curva I-V para um dado valor de e . Para cada curva, dada pelos parmetros inerentes e externos do PV, existe um ponto de mxima potncia que pode ser extrada do painel (MPP - Maximum Power Point). Conforme se observa na gura 1.4 a resistncia Rs regula a inclinao da curva aps o valor de MPP, onde o PV atua como fonte de tenso. A resistncia Rp regula a inclinao antes do MPP, onde o mdulo comporta-se como fonte de corrente. Assim, necessrio determinar a corrente solicitada ao painel em funo de seus parmetros. Uma tcnica utilizada o seguidor do ponto de mxima potncia (MPPT - Maximum Power Point Tracking), onde uma das possibilidades de operao xar a tenso de sada do seguidor do ponto de mxima potncia (COUTO, 2000). Esta tcnica pode ser implementada atravs de hardware (analgicos ou digitais) ou atravs de softwares (algoritmos, inteligncia articial, entre outros mtodos). Existem dois tipos principais de congurao utilizando PV, classicados como aplicaes autnomas (stand-alone) ou conectadas rede de CA (grid-connected). Os sistemas autnomos operam de forma independente de outras fontes de energia (rede eltrica), servindo apenas como fornecedora de energia para cargas, usual neste tipo de aplicao o uso de dispositivos armazenadores de energias, como baterias, para o caso de falhas e falta de energia no sistema. As aplicaes conectadas a rede trabalham em paralelo com o sistema de distribuio de energia eltrica, fornecendo energia para a rede eltrica quando h um excedente de energia no PV, ou, exclusivamente quando so projetados para este m (PEARSALL; HILL, 2001). Para que a aplicao seja conectada rede necessrio sincronizar a fase da tenso fornecida pelo PV, na mesma frequncia, com a rede eltrica (considerando-se o caso monofsico, ou, fases considerando-se o caso trifsico). Uma das tcnicas sincronizar o cruzamento
Captulo 1. Introduo
17
do zero da tenso da rede com a tenso do inversor, sendo a Phase-Locked Loop (PLL) a tcnica mais utilizada. A PLL sincroniza a fase do inversor atravs de denies de potncia instantnea ou do produto escalar e da ortogonalidade, tcnica empregada por meio de algoritmos computacionais ou por circuitos analgicos/digitais (MARAFO; DECKMANN, 2005).
1.3
Conversores Elevadores de Tenso do Tipo Boost
Os painis fotovoltaicos fornecem em sua sada uma tenso mdia menor que a mnima necessria para alimentar equipamentos tipicamente residenciais, desta forma necessria a elevao deste nvel de tenso para posterior realizar a inverso para alimentao de cargas em CA. Neste contexto, o conversor elevador tem a capacidade de produzir uma tenso de sada maior ou igual tenso de entrada.
1.3.1
Conversor Boost Clssico
O conversor Boost clssico a estrutura mais simples e mais utilizada quando se deseja uma tenso de sada maior ou igual a tenso de entrada, a gura 1.5 ilustra o circuito topolgico desta estrutura (RASHID, 2001).
L1
+ Vin -
D1 CO
+ RO Vo -
S1
Figura 1.5: Circuito topolgico do conversor Boost clssico. O ganho esttico (relao entre a tenso de sada pela tenso de entrada) do conversor Boost, operando no modo de conduo contnua (MCC), dado pela equao (1.2). = Onde: - Tenso mdia de entrada; - Tenso mdia de sada; - Razo cclica. Considerando que uma associao de painis fotovoltaicos seja capaz de fornecer uma tenso mdia de 24 V, e uma tenso mdia de 300 V seja requerida no barramento CC com uma potncia de sada ( ) de 1 kW, assim, o conversor dever operar com um ganho de 12,5 e com uma razo cclica de 0,92. Idealmente o ganho esttico do conversor Boost tende ao innito quanto mais prximo a razo cclica estiver da unidade, assim se esta estrutura estiver operando com controle em 1 = 1 (1.2)
Captulo 1. Introduo
18
malha fechada com uma razo cclica de 0,92 a um degrau de carga uma pequena variao da razo cclica pode levar a estrutura a operar com uma tenso maior que 300 V, outro fator uma pequena faixa de trabalho para tal razo cclica. Outro ponto a ser considerado so os esforos nos semicondutores, para uma potncia de 1 kW ir uir uma corrente mdia de 41,67 A na entrada (1.3) e ir circular na chave uma corrente ecaz (1.4) de 40,00 A, j o diodo ir conduzir uma corrente mdia (1.5) de 3,33 A. Consequentemente, a chave ir dissipar uma potncia muito elevada, podendo ultrapassar 10 % da potncia entregue carga.
1 | ()|2 = 0 1 () =
(1.3) (1.4) (1.5)
Onde a potncia de entrada, o tempo em conduo da chave, o tempo de bloqueio da chave e a corrente de entrada. Em um projeto de um conversor deve ser efetuada uma anlise mais crtica, para vericar se a estrutura ter um comportamento prximo da idealidade conforme a equao exibida em (1.2). Devem ser levadas em conta as perdas por comutao, resistncia srie dos elementos indutivos e capacitivos, queda de tenso nos semicondutores, entre outros fatores que diminuem o ganho do conversor (ERICKSON; MAKSIMOVIC, 2001). Por exemplo, considerando apenas a resistncia srie do indutor o ganho do conversor seria representado por (1.6). = 1 (1 ) 1 + (
(1)2
(1.6)
Onde a resistncia srie do indutor e a resistncia da Carga. A gura 1.6 ilustra a curva do ganho esttico (G) do conversor Boost em funo da razo cclica (D) para a situao ideal e uma srie de curvas para o caso no ideal para uma variao da resistncia srie do indutor. Conforme ilustra a gura 1.6 o ganho do conversor pode ser comprometido pela relao entre as resistncias, dicultando o projeto do conversor que necessita de um ganho de 12,5 quando opera em carga nominal. Podem-se reduzir as perdas por comutao e diminuir o estresse de corrente dos interruptores atravs das tcnicas de comutao suave. Neste mbito, a comutao pode ocorrer pelo chaveamento tenso nula (ZVS - Zero Voltage Switching) ou pelo chaveamento corrente nula (ZCS - Zero Current Switching). Geralmente, utilizam-se circuitos adicionais com chaves auxiliares transferindo a energia que seria processada pelas chaves principais durante o processo de comutao, atravs de indutncias e de capacitncias ressonantes, transferindo a energia durante
Captulo 1. Introduo
19
6
RL/R=0
5 Ganho Esttico (G) 4 3 2 1 0

RL/R=0,01
RL/R=0,02 RL/R=0,05 RL/R=0,1
0,2
0,4
0,6
0,8
Razo Cclica (D)

Figura 1.6: Ganho esttico do conversor Boost em funo da razo cclica, para o caso ideal e para diversos valores de . as transies para a conduo e/ou bloqueio de forma ressonante, e, em algumas estruturas as capacitncias intrnsecas dos interruptores podem ser absorvidas neste processo de comutao (POMILIO, 2010). Desta forma, em (DUARTE; CANESIN, 2004) os autores propem um circuito de comutao adicional para o conversor Boost clssico para realizar a comutao suave, conforme ilustra a gura 1.7. A estrutura proposta opera em ZVS para a chave principal e ZCZVS para as chaves auxiliares. O circuito adicional absorve as capacitncias intrnsecas dos interruptores e diodos, minimizando as perdas da recuperao reversa do diodo boost e diodos em anti-paralelo com a chave principal. Assim, a estrutura apresenta uma ecincia maior que o conversor clssico, opera com menores perdas e reduz o nvel de interferncias eletromagnticas (IEM).
Cr D Lr Iin Cr2 S2 Cr1 S1 DS1 DS2 Vo
Figura 1.7: Conversor Boost ZVS PWM.
Captulo 1. Introduo
20
1.3.2
Conversor Boost Quadrtico
Em muitas aplicaes onde a necessidade de ganho esttico seja elevada, os conversores CC/CC clssicos podem no atender as especicaes usuais de desempenho, assim, muitos pesquisadores comearam a modicar os conversores proporcionando um aumento na faixa de operao do ganho da estrutura. Desta forma, em (LUO; YE, 2005) apresenta-se uma forma de elevar o ganho do conversor Boost clssico atravs da adio de dois diodos, um capacitor e um indutor ao circuito, conseguindo assim um conversor Boost quadrtico, conforme ilustra a gura 1.8. A tcnica utilizada no trabalho a m de aumentar o ganho esttico usualmente conhecida como lift, que permite elevar o ganho do conversor de diferentes formas, obtendo as seguintes estruturas derivadas do conversor Boost: Boost duplo, triplo, quadrtico, at se generalizar o conversor em uma estrutura de N-sima ordem.
L1
+ Vin -
D1 D2 C1
L2
D3 CO RO + Vo -
S1
Figura 1.8: Conversor Boost quadrtico utilizando apenas uma chave. Desta forma, o ganho do conversor Boost quadrtico dado por: ( = 1 1 )2 (1.7)
Como observa-se em (1.7) a razo cclica desta estrutura para o mesmo ganho analisado anteriormente (12,5) a razo cclica ser de 0,717, j a corrente ecaz que uir sobre a chave ser de 35,42 A. Porm, esta estrutura utiliza um nmero maior de componentes, so necessrios dois diodos, um capacitor e um indutor a mais que o Boost clssico. Desta forma, esses elementos adicionais diminuem o rendimento do conversor, e contribuem para um aumento no custo nal do projeto. O Boost quadrtico apresentado na gura 1.8 opera no modo de conduo contnua e no possui nenhum circuito de auxilio a comutao, isso eleva a perdas por comutao e possivelmente os nveis de IEM. Assim, no trabalho (BARRETO et al., 2002) proposto um circuito adicional para que o conversor funcione com comutao suave, conforme ilustra a gura 1.9. Para a comutao suave do conversor so utilizados dois circuitos auxiliares, um para cada Boost, a clula opera em ZVS para a chave principal e em ZCS para as chaves auxiliares. Com a incluso destas clulas o conversor no opera com um ganho exatamente quadrtico e seu valor tambm depender dos elementos ressonantes, porm, a chave ir operar sem esforos adicionais de tenso, os nveis de IEM cam reduzidos e diminuem-se as perdas na comutao, melhorando a performance, a vida til e o rendimento da estrutura. Entretanto, o nmero de
Captulo 1. Introduo
21
D2
L1
D1 Cr1
L2
D3
Cr 2
+ Vin -
Sr1 Dr1
Va1 + Lr1 -
C1
S1
Sr 2 Dr 2
Va 2+ CO Lr 2 -
RO + Vo -
Figura 1.9: Conversor Boost quadrtico com comutao suave. componentes passivos e ativos, assim como o custo, podem inviabilizar tal tcnica para aplicaes prticas. Usualmente o Boost quadrtico utilizado quando se deseja tenses elevadas na carga e um alto valor de ganho esttico, assim, essas duas caractersticas fazem com que a chave tenha que suportar uma tenso elevada durante o bloqueio e que consiga conduzir uma corrente elevada. Esses fatores exigem um semicondutor mais robusto, que pode encarecer o projeto nal do conversor, alm de aumentar a potncia dissipada na chave. Desta forma, no trabalho (NOVAES et al., 2007) prope-se duas modicaes no conversor Boost quadrtico, a retirada de um dos diodos e a incluso de uma chave adicional, conforme ilustra a gura 1.10. A caracterstica principal deste novo conversor proposto a reduo signicativa da tenso de bloqueio das chaves, que diminui a potncia dissipada nos semicondutores, alm da reduo de um diodo na estrutura, como desvantagem a estrutura no opera com um ganho exatamente quadrtico, a chave principal 2 no est normalmente na massa (referncia) de 1 e o conversor no opera com comutao suave. Neste contexto, considerando-se a possibilidade de se trabalhar com estruturas Boost com ganho elevado, e, a possibilidade de se reduzir custos para a estrutura clssica Boost + inversor, atravs de processo de integrao das mesmas, nos prximos itens avaliam-se os estudos conduzidos at ento para tais atributos.
L1
+ Vin -
D1
L2 S2 C1
D2
CO
S1
RO + Vo -
Figura 1.10: Conversor Boost quadrtico com nmero reduzido de componentes.
Captulo 1. Introduo
22
1.4
Inversores Monofsicos
Os inversores de tenso so estruturas capazes de converter uma fonte de energia CC em uma fonte de energia CA, podendo controlar o nvel do valor ecaz da tenso de sada e da frequncia fundamental. So utilizados em diversas aplicaes, como acionamento de motores de induo, aquecimento de fornos eltricos, fontes ininterruptas de energia, aproveitamento de fontes alternativas de energia, etc (ERICKSON; MAKSIMOVIC, 2001). Os inversores podem ser alimentados por tenso (VSI - Voltage Source Inverter) ou por corrente (CSI - Current Source Inverter), atravs de sistemas monofsicos ou trifsicos. Basicamente, existem trs estruturas principais empregadas em topologias monofsicas para VSI: Meia-ponte (HB - Half-Bridge), Ponte-completa (FB - Full-Bridge) e Push-pull. A forma da tenso de sada do inversor depende da tcnica utilizada no controle das chaves. A tcnica de modulao mais utilizada a modulao por largura de pulso (PWM Pulse Width Modulation). Nela a frequncia de operao da estrutura xada e a transferncia de potncia dada pela variao da razo cclica. Esta tcnica permite um equacionamento e uma modelao mais simples da estrutura, o que facilita o controle das chaves. Na modulao PWM senoidal (SPWM), o comando mais utilizado em estruturas monofsicas atravs de uma portadora senoidal, onde a forma de onda alternada de sada gerada a partir da comparao da portadora senoidal, com a frequncia da tenso de sada desejada, com um sinal triangular que impem a frequncia de operao dos interruptores, conforme gura 1.11.
1.4.1
Inversores Monofsicos do tipo VSI
A grande utilizao do VSI devido simplicidade de projeto e implementao, uma vez que este conversor inerentemente estvel, apresentando comportamento similar ao conversor Buck, conforme (VILLALVA; FILHO, 2008). A gura 1.12 ilustra o conversor monofsico em meia-ponte clssico, com comutao forada. O funcionamento da estrutura dado pela operao complementar das chaves, deve haver um tempo morto entre a entrada em conduo e o bloqueio das chaves, a m de evitar um curto com a tenso de entrada. O conversor em meia-ponte a estrutura inversora mais simples e de implementao fcil, porm, necessita de uma fonte de alimentao CC com ponto mdio, que proporcionada usualmente por capacitores. Essa estrutura usualmente empregada em baixas potncias devido tenso aplicada na carga ser metade da tenso de entrada, e, a DHT da tenso na carga elevada (superior a 10%). Esse conversor apresenta grandes perdas por comutao quando operado em elevadas frequncias, o que limita a frequncia de operao da estrutura, alm de elevados nveis de interferncias eletromagnticas provocados pela interrupo brusca do uxo de energia que circula nas chaves durante a entrada/bloqueio das chaves.
Captulo 1. Introduo
23
Vtri Vsen t
0 2
S1,S2 t
0
S3,S4 t
0
+Vo t
0
-Vo
Perodo da triangular (Ttri) Perodo da rede (Tsen)
Figura 1.11: Modulao PWM Senoidal utilizada no Inversor VSI.
Vin + C1 2 -
S1
D1
+ Vin -
Lf - RO +
S2 D2
Vin + Cf - C2 2
Figura 1.12: Inversor monofsico em meia-ponte clssico (VSI). Uma alternativa encontrada pelos autores em (SOARES, 2004) a m de melhorar o conversor em meia-ponte foi a de usar a tcnica de comutao suave, conforme ilustra a gura 1.13. A estrutura apresenta comutao do tipo ZVS-PWM para os interruptores principais e ZCS-PWM para os interruptores auxiliares. A estrutura utilizada na clula ressonante possibilita a absoro das capacitncias intrnsecas dos transistores, das capacitncias intrnsecas de juno dos diodos e das capacitncias parasitas do conversor, possibilitando que a estrutura opere em elevada frequncia e com elevada densidade de potncia. Alm disso, o conversor apresenta uma reduzida distoro harmnica total (DHT) e um rendimento acima de 96%.
Captulo 1. Introduo
Cra1 Lr1 VE
2
24
DSa1
1
Da1
Sa1 LO
Cr1
Sp1
DSp1
CO VE
3 2
RO VE
2
Sa2
6
Da2
Cr2
Sp2
DSp2
Lr2 Cra2
0
DSa2
Figura 1.13: Conversor CC-CA Half-Bridge ZVS-PWM. Por outro lado, o conversor em ponte-completa consegue entregar carga uma tenso igual da entrada, o dobro da tenso que o conversor em meia-ponte fornecia carga, isso permite que a estrutura opere com potncias mais elevadas (RASHID, 2001; ERICKSON; MAKSIMOVIC, 2001). O conversor possui dois braos inversores, sendo que duas chaves (1 e 2 ) entram em conduo em conjunto, enquanto as outras duas chaves (3 e 4 ) esto bloqueadas, conforme ilustra a gura 1.14.
S1
S3 D1 Lf D3
+ Vin S4
+ RO S2
D4
Cf
D2
Figura 1.14: Conversor em Ponte-Completa PWM Clssico (VSI). Apesar da estrutura apresentada na gura 1.14 conseguir operar com uma potncia maior, as perdas pela comutao so mais elevadas, devido presena de quatro interruptores na estrutura. Alm de problemas com a recuperao reversa dos diodos em anti-paralelo com as chaves, fazendo com que os interruptores sofram grandes derivadas e picos de correntes elevados, diminuindo a ecincia do conversor e elevando o nvel de IEM, fatores que ocorrem tanto para o inversor em ponte-completa quanto para o inversor em meia-ponte. Considerando-se a necessidade de aplicaes no aproveitamento de energia eltrica proveniente de painis fotovoltaicos, e, a necessidade de se elevar e inverter a tenso para alimentao de cargas em CA, nos prximos itens sero analisadas estruturas CSI integradas com funo Boost e Buck-Boost.
Captulo 1. Introduo
25
1.4.2
Inversores monofsicos do tipo CSI
Os inversores monofsicos do tipo fonte de corrente so estruturas capazes de controlar a tenso alternada fornecida para a carga (frequncia e valor ecaz da tenso na carga) (RASHID, 2001; WANG et al., 2007), conforme ilustra a gura 1.15. As principais caractersticas do inversor CSI so: Integrao da ao Boost e inversor; Capacidade de produzir tenso ecaz na sada maior que valor mdio da tenso de entrada; Possibilidade de modulao por largura de pulso (PWM); Pode-se obter o modelo matemtico do inversor considerando o funcionamento similar ao do conversor Boost.
Lin S1 D1
Lf
S4 D4
S3
D3
S1
D1
Lf
S3
D3
+ Vin -
+ RO Cf
S2 D2
+
Iin
+
Cf
RO
S2 D2
S4
D4
(a) Indutor em srie com a tenso de entrada
(b) Modelo genrico considerando fonte de corrente na entrada
Figura 1.15: Inversor Fonte de Corrente (CSI) monofsico. A modulao PWM clssica para este tipo de inversor gera um grande contedo harm nico na corrente, alm de problemas de picos de corrente e das derivadas durante o chaveamento da estrutura. Desta forma, nos artigos (LO et al., 2005; HIRACHI; TOMOKUNI, 1997) so propostas modicaes na modulao PWM com a nalidade de reduzir a mudana abrupta da corrente (+ ), diminuindo assim os picos (spikes) de corrente, tambm pode ser amostrado o valor instantneo da corrente da entrada atravs de um sensor (shunt), assim, podese comparar a corrente amostrada com uma forma de onda senoidal de referncia, diminuindo a DHT da estrutura (observa-se que os diodos em srie com os interruptores indicam que tais interruptores devem ser unidirecionais em corrente, no havendo a real necessidade dos mesmos, caso sejam esses realmente unidirecionais em corrente). Em (VZQUEZ et al., 2009a) proposto um inversor CSI multinvel, onde so utilizados um diodo e duas chaves adicionais, conforme ilustra a gura 1.16. Com a estrutura proposta
Captulo 1. Introduo
26
consegue-se aproximar corrente entregue a carga ( ) com um formato mais prximo ao senoidal, conseguindo-se eliminar harmnicas de baixas frequncias, que o ltro normalmente no consegue ltrar. Entretanto, tal aplicao para estrutura conectada rede de CA. A modulao empregada no inversor CSI similar tcnica clssica empregada no inversor VSI.
Lin1
Lin 2
S1
+ Vin -
D1
S2
D2
Sa
Da
Sb
Db
Lf
Vrede
Sc Dc
S3
D3
Cf
Figura 1.16: Inversor CSI em multinvel. A gura 1.17 ilustra o inversor CSI com snubber ressonante e modulao hbrida por largura de pulso (HPWM - Hybrid Pulse Width Modulation) (LI; CHUNG, 2008). A modulao dada atravs de duas chaves operando em baixa frequncia e duas trabalhando em alta frequncia, para a comutao suave no so utilizadas chaves auxiliares. A associao da modulao e do snubber permite que a estrutura opere com rendimento superior a 91 %, valor superior ao tipico para o inversor CSI clssico.
Figura 1.17: Inversor CSI com modulao HPWM e snubber ressonante passivo.
Captulo 1. Introduo
27
Em geral, o CSI possui caracterstica de fonte de corrente na entrada, o indutor normalmente projetado de elevada dimenso para garantir a energia que deve ser entregue carga (VZQUEZ et al., 2009b). O modelo a pequenos sinais do CSI semelhante ao do conversor CC-CC Boost no modo contnuo, que apresenta caractersticas de sistema de fase no-mnima (o zero no semi-plano direito (RHPZ) inuenciado principalmente pelo indutor), ocasionando uma resposta lenta s dinmicas exigidas pelas aplicaes (LOH et al., 2008). Alm disso, como a modulao dada pela corrente, o controle da estrutura realizado atravs do controle da corrente de sada, inviabilizando a sustentao de uma tenso ecaz com pequenas variaes. Estas caractersticas dicultam o projeto e o controle da estrutura e desestimulam a utilizao do CSI como estrutura integrada para aplicaes onde se deseja conectar um painel/bateria a uma carga em CA.
1.5
Estruturas Integradas Monofsicas
Neste item so apresentadas as principais estruturas monofsicas integradas, que so capazes de elevar e inverter a tenso entregue carga em uma s estrutura, como o CSI clssico. Em muitas aplicaes necessrio maximizar o aproveitamento da energia disponvel, como as aplicaes que utilizam energias geradas a partir de painis fotovoltaicos que possuem um rendimento baixo ( 15%). Desta forma, necessrio maximizar o rendimento da estrutura que far o condicionamento da energia eltrica entregue carga. A associao em cascata de conversor elevador mais inversor apresenta um rendimento menor que cada estrutura operando independentemente, devido multiplicao dos rendimentos individuais (KJAER et al., 2005), assim, uma estrutura integrada alm de poder oferecer um rendimento maior tambm possui menos componentes, diminuindo custos e aumentando a densidade de potncia da estrutura. Neste contexto, em (CCERES; BARBI, 1999) proposto o inversor Boost, conforme ilustra a gura 1.18. A estrutura consiste de dois Boost bi-direcionais em corrente, conectados em paralelo com a carga, produzindo uma tenso alternada com nvel CC em cada conversor. Os conversores operam com defasagem de 180 entre si, resultando em tenso alternada sem nvel CC para a carga. Cada conversor opera com ganho conforme (1.8), sendo o ganho total da estrutura igual a (1.9).
2 1 1 = = 1 2 1 = (1 )
(1.8) (1.9)
Apesar da estrutura apresentada na gura 1.18 conseguir elevar e inverter a tenso de entrada, a estrutura apresenta um controle complexo, devido a necessidade de se gerar sada alternada com nvel contnuo em cada brao do inversor. Desta forma em (LIANG et al., 2002)
Captulo 1. Introduo
28
Ro
+
Vo
C + -
Ro
C1 + -
L1
L2
+ Boost B
+ C - 2
Vo
Boost A
Vin
Vin
+ -
(a) Conversor Boost CC-CC bidirecional em corrente
(b) Inversor Boost
Figura 1.18: Inversor Boost Integrado. apresentada uma nova topologia de inversor Boost, com um ganho idntico ao conversor Boost CC/CC, utilizando apenas uma etapa Boost, conforme ilustra a gura 1.19.
Lf
D3 S1 S3 D1
VDC1
C A + R Vo G A
+ Vin S2 S4 D2
+ VDC 2 D4
Figura 1.19: Inversor Boost utilizando uma estrutura elevadora. A estrutura inversora apresentada na gura 1.19 por utilizar apenas um conversor Boost possibilita controle mais simples, onde usualmente empregado o controle no modo corrente e possui volume reduzido. Para a operao da estrutura, duas chaves podem operar em baixa frequncia e as outras duas podem operar em alta frequncia, diminuindo as perdas durante o chaveamento. Entretanto, a DHT da tenso de sada para cargas no lineares pode ser elevada. No trabalho (WANG, 2004) apresentado o inversor Buck-Boost em Ponte completa srie-ressonante (FB-SRBBI - Full-Bridge Series-Resonant Buck-Boost Inverter) que possibilita tenso de sada tanto maior quanto menor que a de entrada, conforme ilustra a gura 1.20. O autor apresenta uma clula ressonante ZCS em srie com a carga sem a necessidade de chaves auxiliares, o que torna a estrutura simples e compacta, aumentando a densidade de potncia do conversor. Porem, para potncia tpicas de 1 kW, o peso e volume dos elementos magnticos torna a estrutura inadequada, alm de DHT elevadas para a tenso na carga para cargas no lineares.
+ -
Captulo 1. Introduo
29
Figura 1.20: Inversor Full-Bridge Buck-Boost srie ressonante - FB-SRRBI.
1.6
Proposta de trabalho
O objetivo principal desta dissertao o desenvolvimento de uma estrutura que seja capaz de fornecer um nvel adequado de tenso e corrente para cargas isoladas (stand-alone), onde a fonte de energia um conjunto de painis fotovoltaicos, considerando-se cargas tpicas residenciais monofsicas em CA. A estrutura de dois estgios a mais utilizada, devido as facilidades de controle, porm apresenta um nmero maior de componentes e um rendimento menor que a estrutura integrada. Dentre as estruturas integradas o inversor fonte de corrente (CSI), conforme ilustra a gura 1.21, a topologia que apresenta um menor nmero de componentes, porm, apresenta um comportamento semelhante ao conversor Boost, possui um indutor de dimenso elevada para operar como fonte de corrente, no modo de corrente contnua, e quando modelado por valores mdios de tenso, utilizando apenas uma malha de controle apresenta um zero no semi-plano direito, o que diculta sua operao dinmica e torna o controle lento e muitas vezes invivel.
Lin S1
+ Vin + RO -
S3
S2
Cf
S4
Figura 1.21: Proposta de dissertao: Inversor Boost (CSI) Monofsico. Desta forma, de acordo com as desvantagens e vantagens das estruturas apresentadas,
Captulo 1. Introduo
30
este trabalho prope o desenvolvimento e implementao de uma nova abordagem na metodologia de operao para o inversor Boost monofsico da gura 1.21. Como principal vantagem, a estrutura apresenta uma indutncia de entrada reduzida e controlada utilizando-se um sistema multi-malhas, devidamente projetada de forma a possibilitar elevadas dinmicas de transferncia de energia, e, ainda, com reduzidas distores harmnicas para a tenso de sada, nmero de componentes reduzido e elevada densidade de potncia. Este trabalho foi dividido em captulos, na seguinte sequncia: No captulo 2, apresenta-se a estrutura do inversor Boost monofsico, ilustrando o funcionamento da estrutura, as anlises qualitativa e quantitativa e, um exemplo de projeto para determinados dados de especicao. No captulo 3 apresentada a modelao matemtica do inversor Boost atravs da modelao em espao de estados, obtendo-se os modelos CC e CA do conversor, as principais funes de transferncias pertinentes ao projeto dos controladores de tenso e corrente. As funes esto representadas no plano (contnuo). No captulo 4, so apresentados os resultados de simulao para o inversor Boost, com controle multi-malhas, implementado no software MatLab/Simulink. No captulo 5 os resultados experimentais para o Inversor Boost monofsico controlado de forma digital atravs da plataforma dSPACE ACE1104 STD_USB so apresentados, incluindo-se respostas dinmicas para degraus de carga, a m de demonstrar a funcionalidade da metologia proposta. As concluses e propostas de continuidade para o trabalho so apresentadas no captulo 6.
31
CAPTULO 2
Inversor Boost Monofsico

2.1 Introduo
A estrutura de potncia selecionada para realizar a converso de energia proveniente de fontes renovveis de energia (Painel fotovoltaico, Clula combustvel) o inversor Boost monofsico, conforme ilustra a gura 2.1.
S1
+ Vin -
VO
+ RO -
S3
S2
Cf
S4
S1 S2 S3 S4 IL Iref CONTROLE Vo Vref
Figura 2.1: Inversor Boost Monofsico. O inversor ser projetado para operar no modo de conduo contnua a m de reduzir os nveis de corrente nos semicondutores, uma vez que os picos de corrente tendem a se elevar no modo de conduo descontnua para garantir a mesma potncia entregue carga. Uma das vantagens da estrutura a capacidade de produzir uma tenso de sada ecaz maior que a tenso mdia de entrada, eliminando a necessidade de incluso de um estgio CC/CC elevador, aumentando assim o rendimento, a densidade de potncia e reduzindo custos da estrutura nal. O inversor fonte de corrente possui um comportamento dual ao inversor fonte de tenso, ou seja, a converso CC-CA realizada diretamente atravs da modulao da corrente de entrada, sendo utilizada principalmente no acionamentos de mquinas eltricas e na conexo do PV com a rede eltrica (VZQUEZ et al., 2009a; WANG et al., 2007).
Captulo 2. Inversor Boost Monofsico
32
2.2
Etapas de Funcionamento
Neste tpico apresentam-se as etapas de funcionamento do inversor CS Boost. De forma a simplicar a anlise da estrutura foram consideradas as seguintes hipteses: Elementos reativos ideais (sem resistncia srie ou elementos parasitas); Semicondutores ideais (entrada em conduo e bloqueio instantneos; curtos-circuitos quando em conduo e circuitos abertos quando bloqueados); Corrente mdia no capacitor nula; Tenso mdia no indutor nula; O circuito opera em regime permanente.
2.2.1
Semi-ciclo Positivo
Etapa de pr-carga do Capacitor (0, ) O inversor Boost opera de forma semelhante ao conversor Boost, assim, enquanto a tenso de sada () for menor que a tenso de entrada o inversor no consegue operar. No instante de tempo = 0 o capacitor est descarregado, e durante este intervalo (0 < ) pode-se realizar a pr-carga do capacitor at que a tenso de sada se iguale com a tenso de entrada ( () = ), mandando para conduo as chaves 1 e 4 , conforme ilustra a gura 2.2.
L
L
S1
+ Vin +
VO RO
Cf
-
S3
+ Vin -
+ -
VL iL
iCf C f+ -
iRo
+ -
RO V (t ) O
S2
S4
(a) Trajetria da Corrente
(b) Circuito Equivalente
Figura 2.2: Etapa de pr-carga do capacitor (0 < ), semi-ciclo positivo.
Primeira Etapa (0 , 1 ) No instante inicial 0 as chaves 1 e 2 so comandadas para conduo enquanto as chaves 3 e 4 cam bloqueadas, conforme a gura 2.3. Nesta etapa o indutor L carregado e a corrente cresce de forma linear com o tempo, enquanto que o capacitor fornece energia para a carga.

L
L
33
S1
+ Vin +
S3 VO RO
Cf
+ Vin -
+ -
VL iL
iCf C f+ -
iRo
+ -
RO V (t ) O
S2
S4
Figura 2.3: Primeira etapa de funcionamento, semi-ciclo positivo. Segunda etapa (1 , 2 ) No inicio da segunda etapa a chave 2 bloqueada e a chave 4 comandada para conduo, a chave 3 continua bloqueada, conforme ilustra a gura 2.4. Nesta etapa o indutor L fornece energia para a carga e para o capacitor , fazendo com que a corrente no indutor decresa de forma linear.
L
L
S1
+ Vin +
VO RO
Cf
-
S3
+ Vin -
+ -
VL iL
iCf C f+ -
iRo
+ -
RO V (t ) O
S2
S4
Figura 2.4: Segunda etapa de funcionamento, semi-ciclo positivo.
2.2.2
Semi-ciclo Negativo
Etapa de pr-carga do Capacitor (, + ) No instante de tempo = o capacitor est descarregado, e durante este intervalo ( < + ) pode-se realizar a pr-carga do capacitor at que a tenso de sada se iguale com a tenso de entrada ( () = ), mandando para conduo as chaves 3 e 2 , conforme ilustra a gura 2.5. Primeira etapa (0 , 1 ) No inicio da primeira etapa as chaves 3 e 4 so comandadas para conduo enquanto as chaves 1 e 2 cam bloqueadas, conforme a gura 2.6. Nesta etapa o indutor L carregado, a corrente cresce de forma linear com o tempo, enquanto que o capacitor fornece energia para a carga.

L
L
34
S1
+ Vin -
+ -
VO
- RO +
S3
+ Vin -
VL iL
iCf C f+ -
iRo
+ -
RO VO (t )
S2
Cf
S4
Figura 2.5: Etapa de pr-carga do capacitor ( < + ), semi-ciclo negativo.

L
L
S1
+ Vin -
+ -
VO
- RO +
S3
+ Vin -
VL iL
iCf C f+
iRo
+
RO V (t ) O
S2
Cf
S4
Figura 2.6: Primeira etapa de funcionamento, semi-ciclo negativo. Segunda etapa (1 , 2 ) No inicio da segunda etapa a chave 4 bloqueada e a chave 2 comanda para conduo, as chaves 1 e 3 cam bloqueadas, conforme exibe a gura 2.7. Nesta etapa o indutor L fornece energia para a carga, e a corrente no indutor decresce de forma linear.
L
L
S1
+ Vin -
+ -
VO
- RO +
S3
+ Vin -
VL iL
iCf C f+ -
iRo
+ -
RO VO (t )
S2
Cf
S4
Figura 2.7: Segunda etapa de funcionamento, semi-ciclo negativo. As formas de onda idealizadas para a operao na frequncia de chaveamento para os principais componentes do circuito so ilustradas na gura 2.8.

ILsup iL(t) iL ILinf VL(t) t VO(t)-Vin ILsup iS2(t) t
35
Vin
ILinf iS4(t)
ILsup
ILinf
t VO(t) VO
Vosup
Voinf
t0 t1 ton = t1 toff = t2 T = t1+t2 t2
Figura 2.8: Principais formas de onda idealizadas para a operao na frequncia de chaveamento.
2.2.3
Modulao PWM Senoidal
Para o chaveamento foi utilizada a modulao PWM senoidal de trs nveis, conforme ilustra a gura 2.9. As chaves 1 e 3 operam na frequncia de chaveamento da rede, enquanto as chaves 2 e 4 operam na frequncia da portadora triangular. gerado um sinal senoidal modicado, considerando os intervalos de pr-carga do capacitor , com a frequncia de sada desejada e uma triangular com a frequncia de chaveamento do inversor. Os sinais so enviados a um comparador gerando um pulso quando o nvel de tenso da triangular for maior que o nvel de tenso senoidal, denido como ndice de modulao que calculado conforme (2.1). Na gura 2.9 o termo representa a mnima tenso na modulante senoidal para que ocorra a operao do inversor. = (2.1)
36
Vtri Vsen Vinf

0 - + 2- 2
S1 t
0
S2 t
0
S3 t
0
S4 t
0
Perodo da triangular (Ttri) Perodo da rede (Tsen)
Figura 2.9: Modulao PWM Senoidal utilizada no Inversor CSI. A modulao por largura de pulso senoidal (SPWM - Sinusoidal Pulse Width Modulation) tem por nalidade dar um formato senoidal na forma de onda modulada, assim, a relao entre o perodo da senoidal e da triangular um ndice (N) que relaciona o nvel de valor ecaz nas ordens harmnicas, conforme (2.2). De uma forma geral, esse valor deve ser inteiro e positivo a m de se ter um maior valor ecaz na componente fundamental da forma de onda, reduzindo o volume do ltro e diminuindo a taxa de distoro harmnica na forma de onda modulada. = (2.2)
2.3
Anlise Quantitativa
Para a anlise quantitativa do inversor Boost ser considerado apenas o semi-ciclo positivo de operao. Neste intervalo de operao a tenso de entrada do inversor constante e igual , enquanto que a tenso de sada () uma senoidal reticada e seu mdulo representado na equao 2.3. | ()| = |sen()| (2.3)
37
onde: = 2 ; a frequncia alternada de sada e a tenso de pico de sada. Conforme demonstra a literatura bsica (ERICKSON; MAKSIMOVIC, 2001) o ganho do conversor Boost pode ser calculado conforme 2.4. = (2.4)
Como a tenso de sada do inversor Boost alternada o ganho varivel com o tempo, assim, o ganho em funo da tenso de sada () pode ser obtida em (2.5). () = |sen()| () = (2.5)
Reorganizando a expresso (2.5) obtm-se a expresso da razo cclica () varivel com o tempo, conforme (2.6). () = 1 Denindo a relao : = obtm-se: () = 1 |sen()| (2.8) (2.7) |sen()| (2.6)
Atravs da equao (2.8) possvel visualizar o comportamento da razo cclica com a variao de para um valor especico de , conforme ilustra a gura 2.10.
38
1,0 = 0,05 0,8 Razo Cclica (D) = 0,2 = 0,4
0,6
0,4
= 0,6 = 0,8 0 /4 /2 t 3/4
0,2
Figura 2.10: baco da variao de D em funo de t, para valores especcos de . Obviamente, conforme gura 2.10, quanto maior a relao , maior ser a distoro harmnica presente na tenso de sada, uma vez que o perodo de operao Boost reduzido, e alm disso, a ao Boost somente possvel para | ()| . A corrente ( ) no indutor L cresce de forma linear no incio da primeira etapa de funcionamento tanto para o semi-ciclo positivo, quanto para o semi-ciclo negativo, conforme (2.9). (2.9) Ao nal da primeira etapa, quando = , a corrente no indutor atinge seu valor mximo ( ()), que dado por (2.10). 1 () = () + () = () + (2.10)
possvel obter a ondulao (ripple) de corrente atravs da diferena entre o valor mximo e mnimo de corrente ( = ). (2.11) Durante a segunda etapa de funcionamento (1 e 4 conduzindo) a corrente no indutor L decresce de forma linear, conforme ilustra (2.12). = 2 () = () + No instante em que = (2.12) a corrente no indutor atinge o valor mnimo ( ), que
39
representada conforme (2.13). () (2.13) Substituindo a diferena das corrente mxima e mnima pela ondulao de corrente e substituindo () por (2.3) na expresso (2.13) obtem-se (2.14). () = () + |sen()| (2.14) Somando os tempos de carga e descarga do indutor obtm-se o perodo ( ) de funcionamento do conversor, em alta frequncia de chaveamento, que constante durante a operao da estrutura sendo representado por (2.15). = = + Onde: o tempo de chave fechada e o tempo de chave aberta. Reorganizando as expresses (2.11) e (2.14) e substituindo em (2.15) obtm-se a expresso (2.16). = + |sen()| (2.16) (2.15)
Agrupando os termos comuns em (2.16) obtm-se: ( = Reorganizando (2.17): |sen()| = ( |sen()| ) [ ] (2.18) 1 1 + |sen()| ) (2.17)
Dividindo a expresso (2.18) por e usando a relao (2.7) obtm-se: |sen()| = (|sen()| ) Rearranjando os termos de (2.19) obtm-se: =1 |sen()| (2.20) [ ] (2.19)
A expresso (2.20) demonstra que a ondulao de corrente no indutor varivel com o tempo, desta forma, pode-se normalizar a ondulao de corrente conforme (2.21): = (2.21)
40
Resultando em (2.22). = 1 |sen()| (2.22)
Conforme verica-se na expresso (2.22) a corrente no indutor varia com o tempo com o mesmo comportamento da variao da razo cclica, exibido na expresso (2.6). Desta forma, para uma melhor visualizao da variao da corrente no indutor, plotou-se o baco da variao da ondulao da corrente pelo tempo, conforme ilustra a gura 2.11.
1,0 = 0,05 Ondulao de Corrente (ILNorm) 0,8 = 0,2 = 0,4
0,6
0,4
= 0,6 = 0,8 0 /4 /2 t 3/4
0,2
Figura 2.11: baco da variao de em funo de t, para valores especcos de . Atravs da srie de Fourier a forma de onda de tenso de sada, considerando o tempo de pr-carga, foi decomposta, obtendo-se as ordem harmnicas de tenso, permitindo a obteno da DHT em funo do tempo de pr-carga (), conforme ilustra a gura 2.12. De acordo com as especicaes de projeto, apresentadas na tabela 2.1, para a tenso de sada = 127 e tenso de entrada = 24 , a relao igual a 0,1333. Atravs da equao (2.23) verica-se que o tempo de pr-carga para as especicaes de projeto muito pequeno. = arcsen () = 7,66 (2.23)
Nas guras 2.13 at 2.18 so apresentadas as principais formas de onda de corrente e tenso, para um perodo genrico de sada normalizado em funo de e com uma frequncia de chaveamento genrica. Com a nalidade de facilitar o entendimento, as ondulaes de corrente e tenso nas formas de onda foram suprimidas, uma vez que a frequncia de chaveamento muito superior frequncia de sada do inversor.
41
Relao de tenso 0,5556 0,7071
Variao da DHT em funo de

100 90 Distoro Harmnica - DHT (%) 80 70 60 50 40 30 20 10 0 0 /16 /8 3/16 /4 5/4 3/8 7/4 0 0,1951 0,3827 0,8315 0,9239 0,9808
Tempo de pr- carga (radianos)
Figura 2.12: baco da variao da DHT em funo de .
ILpico
IL
t 0 2
Figura 2.13: Forma de onda de corrente idealizada no indutor L.
IS1 ILpico t 0 2
Figura 2.14: Forma de onda de corrente idealizada na chave 1 .
42
ILpico
IS2
t
0 - + 2+ 2
ILpico
IS3
t 0 2
IS4 ILpico t
0 - + 2+ 2
43
Vo, Io VOpico IOpico 0 IO(t) VO(t) t 2
Figura 2.18: Formas de onda de tenso e corrente idealizadas na carga.
2.4
Exemplo de Projeto
Neste tpico ser ilustrada uma metodologia de projeto para o inversor Boost CS, operando em MCC com controle por valores mdios instantneos. As especicaes de projeto esto ilustradas na Tabela 2.1. Tabela 2.1: Especicaes de Projeto. Parmetro Tenso de Entrada ( ) Tenso Ecaz de Sada ( ) Potncia de Sada ( ) Frequncia de chaveamento ( ) Frequncia de sada ( ) Ondulao de Corrente no Indutor ( ) Ondulao de Tenso no Capacitor ( ) Valor 24 V 127 V 1000 W 50 KHz 60 Hz 10 % 5%
2.4.1
Clculo do Indutor
O indutor calculado para a condio de ondulao da corrente mxima, ou seja, quando |sen()| = 1. Isolando a varivel na equao (2.21) possvel calcular o valor da indutncia, conforme a expresso (2.24). = (2.24)
44
Onde: = 1 (2.25)
Atravs das equaes determinadas anteriormente tem-se que a relao igual 0,133 e a ondulao mxima de corrente normalizada para este valor de = 0,867. A gura 2.19 ilustra a ondulao normalizada de corrente para o valor de de projeto.
1,0 = 0,133 Ondulao de Corrente (ILNorm) 0,8
0,6
0,4
0,2
/4
/2 t
3/4
Figura 2.19: baco da variao de em funo de t, para de projeto. A corrente mdia no indutor de entrada pode ser calculada como: = (2.26)
A corrente ecaz no indutor de entrada dada por (2.27). = 1 (2.27)
Desta forma, a corrente mdia no indutor = 41,67 A, a ondulao de corrente = 4,17 A e a corrente ecaz no indutor = 59,00 A. Atravs desses valores e fazendo o uso da equao (2.24) obtm-se um indutor de = 100 H. Observa-se que, considerando-se a operao do CSI Boost clssico, a indutncia boost de entrada seria de aproximadamente 10 mH, cerca de 100 vezes maior, para o mesmo nvel de potncia processada. Outros detalhes para o projeto do indutor encontram-se no apndice A.
2.4.2
Clculo do Capacitor
O capacitor de sada trabalha na frequncia de chaveamento ( ) da estrutura, fornecendo energia para a carga durante a primeira etapa da estrutura (durante o carregamento de ). Assim, o capacitor pode ser calculado atravs da equao (2.28) considerando o ponto de mxima transferncia de energia, durante o pico da forma de onda de tenso.
45
(2.28) Considerando que a ondulao ( ) da tenso de sada com o tempo linear, pode-se expressar a equao (2.28) como: = Sabendo que = a variao do tempo e que = () , tem-se: = = () (2.29)
(2.30)
Reorganizando a expresso (2.30), e considerando a situao em que o capacitor precisa fornecer a mxima energia (() = 1) possvel determinar o capacitor de sada , conforme (2.31). = (1 ) (2.31)
Calculando a variao de tenso = 127 2 0,05 = 9 V, tem-se que o capacitor = 21,4 F. Adotando o capacitor comercial mais prximo ao projetado, sem que comprometa o funcionamento da estrutura tem-se que = 18 F.
2.4.3
Especicao das chaves
As chaves 1 e 3 operam em baixa frequncia, trabalhando na metade do perodo da sada do inversor (60 Hz). As chaves 2 e 4 operam em alta frequncia, durante o semi-ciclo positivo a chave 2 controla a primeira etapa da operao Boost e a chave 4 controla a segunda etapa de funcionamento, durante o semi-ciclo negativo o inverso ocorre. Desta forma, somando os valores ecazes instantneos de cada etapa de operao as chaves 2 e 4 possuem um valor de corrente ecaz igual ao valor ecaz das chaves 1 e 3 . O valor ecaz da corrente que ui pela chave pode ser obtido atravs da equao (2.32). = 1
2
| ()|2
(2.32)
Substituindo as variveis na equao (2.32), considerando que a corrente que ui pela chave a mesma corrente que passa pelo indutor, considerando que a chave ir operar entre 0 obtm-se: = 1 2
0
2 sen()
(2.33)
Reorganizando a expresso (2.33) tem-se:
46
1 2 2
sen()2
(2.34)
Desenvolvendo a expresso da integral relacionado com a expresso (2.34) obtm-se a seguinte relao: sen()2 = (2 ) 2 4 (2.35)
Usando a relao apresentada em (2.35) na expresso (2.34) e fazendo as substituies necessrias obtm-se o valor da corrente ecaz na chave, conforme ilustra (2.36). (2.36) 2 Substituindo o valor de pico da corrente no indutor pelo valor ecaz correspondente, tem-se: = = 2 (2.37)
Considerando-se idealmente que a estrutura opera com rendimento mximo, com a nalidade de facilitar os clculos. Desta forma, a corrente ecaz no indutor de 59,00 A e a corrente ecaz na chave 41,70 A. O clculo das perdas por conduo e comutao, e a estimava de perdas totais no inversor e de rendimento da estrutura encontram-se no apndice A.
2.4.4
Clculo da Resistncia de Carga

Considerando que a carga de sada puramente resistiva tem-se: =
2
(2.38)
Assim, o valor da resistncia de sada igual a 16,13.
2.5
Concluses
As anlises qualitativa e quantitativa para o inversor Boost monofsico, demonstram a funcionalidade do conversor, proporcionando uma metodologia de projeto e permitindo o controle da tenso de sada, e atravs dos bacos pode-se vericar que a DHT da tenso de sada ser menor quanto menor for o valor da relao , ou seja, diminui-se o tempo de prcarga. Adicionalmente, um exemplo de projeto foi desenvolvido a m de se demonstrar os procedimentos para a implementao da estrutura.
47
CAPTULO 3
Modelao, Funes de Transferncia e Projeto dos Controladores

3.1 Introduo
Os conversores estticos de potncia so utilizados nas mais diversas aplicaes. Neste contexto, o inversor Boost deve funcionar conforme as especicaes de projetos, entregando nveis adequados de tenso e corrente para os mais diversos tipos e quantidades de aparelhos eltricos/eletrnicos conectados na estrutura. O conversores estticos so estruturas cujos circuitos eltricos possuem comportamentos matemticos no-lineares, dessa forma, o mtodo escolhido para a obteno deste modelo apresentado em (ERICKSON; MAKSIMOVIC, 2001; BRITO, 2008) e consiste em analisar o conversor a partir de seus dois estados de funcionamento, no modo de conduo contnua, representados pela condio do interruptor principal (aberto ou fechado), obtendo-se equaes para dois estados distintos. A analise realizada atravs do balano de energia no indutor e no capacitor, em um determinado perodo de comutao, atravs dos valores mdios. As funes de transferncias so obtidas a partir de um modelo do conversor linearizado em torno de um ponto de operao. O modelo apresentado neste captulo representa o funcionamento fundamental dos circuitos analisados, onde o equacionamento simplicado atravs da modelao por valores mdios das variveis, desprezando-se as ondulaes de corrente no indutor e as ondulaes de tenso no capacitor. Essa metodologia possibilita uma anlise rpida do funcionamento do circuito, uma vez que no h a necessidade de se trabalhar com os intervalos de comutao, permitindo descrever o que ocorre tanto para pequenos quanto para grandes sinais. Neste captulo ilustrar-se- a obteno de um modelo CA a pequenos sinais para o inversor Boost, e a partir dele apresentar-se- o equacionamento para a obteno das funes de transferncia necessrias para o projeto dos compensadores de tenso e de corrente no plano S (contnuo).
3.2
Equaes em Espao de Estado para o Inversor Boost
Esta seo apresenta o equacionamento para a obteno de um modelo em pequenos sinais para o inversor Boost. Na gura 3.1 apresentado o modelo equivalente para o inversor Boost.
Captulo 3. Modelao, Funes de Transferncia e Projeto dos Controladores
48
D
S
vIn (t )
+ -
Cf
+ RO vO (t ) -
Figura 3.1: Circuito equivalente para o Inversor Boost. Um sistema linear invariante no tempo pode ser representado em espao de estados atravs de uma matriz cannica, conforme (3.1).
() = () + () () = () + ()
(3.1)
Onde () o vetor de estados que representa a corrente no indutor, a tenso no capacitor, entre outras variveis de interesse. As variveis de entrada so representadas pelo vetor de entrada (), que geralmente so fontes independentes. O vetor de sada () representa as variveis de sada, a serem mensuradas ou controladas. As matrizes A, B, C e E so constantes de proporcionalidades. A matriz K contm tipicamente os valores de capacitncia, indutncia prpria e mtua. Desta forma, as variveis eltricas a serem analisadas no inversor Boost so a corrente no indutor () e a tenso no capacitor (), representadas pelo vetor de estados () como: [ () = () () ] (3.2)
No modelo apresentado ser considerado algumas das no-linearidades da estrutura, como a queda de tenso no diodo quando est conduzindo e a resistncia srie da chave em conduo. Assim, como variveis de entrada tem-se a fonte de tenso (fonte independente) e a queda de tenso no diodo , conforme (3.3). [ () = () ] (3.3)
Para o modelo utilizado necessrio calcular a corrente de entrada do conversor , como fonte dependente de corrente representado pelo vetor sada () como: () = [ () ] (3.4)
A estrutura Boost no modo de conduo contnua (MCC) possui duas etapas de operao, a primeira quando a chave est conduzindo e a segunda quando est bloqueada. Assim, a gura 3.2 ilustra a primeira etapa de operao do conversor.
49
iIn (t )
+ vIn (t ) -
L
iL (t )
Ron C f
+ RO vO (t ) -
Figura 3.2: Primeira etapa de funcionamento do conversor Boost. A tenso no indutor , a corrente no capacitor e a corrente de entrada para o intervalo de tempo em que est conduzindo podem ser calculadas como:
() = () () () () = () = ()
(3.5) (3.6) (3.7)
Estas equaes podem ser expressas atravs das matrizes de espaos de estados, como:
0 0
() ()
] =
0 0 1 ] [
] [
() () [
] +
1 0 0 0
] [
()
] (3.8)
()
1 0
() ()
] +
0 0
()
] (3.9)
A segunda etapa de operao do conversor inicia quando a chave comandada para o bloqueio, conforme ilustra a gura 3.3.
iIn (t )
vIn (t )
+ -
VD
Cf
+ RO vO (t ) -
Figura 3.3: Segunda etapa de funcionamento do conversor Boost. A tenso no indutor , a corrente no capacitor e a corrente de entrada para o intervalo de tempo em que est bloqueado podem ser calculadas como:
() = () () () () = () () = ()
(3.10) (3.11) (3.12)
50
Consequentemente, as matrizes de espao de estados so expressas por (3.13) e (3.14).
0 0
() () ]
] =
0 1 1 1 ] [
] [
() () ] + [
] +
1 1 0 0 [
] [
()
] (3.13)
()
1 0
() ()
0 0
()
] (3.14)
O modelo mdio do conversor em equilbrio (Modelo CC) pode ser obtido por (3.15), desde que as frequncias naturais do conversor e das constantes de tempo das variveis de entrada sejam muito menores que a frequncia de chaveamento do conversor.
0 = + Onde: = Vetor de estado em equilbrio (CC) = Vetor de entrada em equilbrio (CC) = Vetor de sada em equilbrio (CC) As matrizes mdias so determinadas por (3.16). = + (3.15)
= 1 + 2 = 1 + 2 = 1 + 2 = 1 + 2 (3.16)
Onde representa a razo cclica do conversor e a razo do tempo de chave ( ) aberta pelo perodo , ou seja, o complemento da razo cclica (1 ). Desta forma, as constantes de proporcionalidades A, B, C e E so dadas por:
[ =
0 0 1
] +
0 1 1 1
] =
] (3.17)
51
[ =
1 0 0 0 [
] + ]
1 1 0 0 [ 1 0
] = ]
1 0 0 1 0 ]
] (3.18)
1 0
(3.19)
0 0
0 0
0 0
(3.20)
Substituindo as constantes A, B, C e E na equao de equilbrio (CC) (3.15), tem-se: [ 0 0 ] = [ 1 ] = [ 1 0 ] ] [ [ ] ] [ ] 1 + 0 0 [ ] [ ] + 0 0 ] [ (3.21)
(3.22)
A soluo do sistema em equilbrio, tendo em vista as equaes mdias do sistema linear em equilbrio dada por (3.23).
= 1 = ( 1 + ) (3.23)
A matriz inversa 1 pode ser obtida atravs do uso da matriz adjunta (BARATOJO, 2008), conforme (3.24). 1 = 1 () () (3.24)
Atravs da equao (3.24) a matriz inversa A dada por (3.25). ( 1 = 1 2 + ) [

1
] (3.25)
Substituindo 1 exibida em (3.25) na expresso (3.23) obtm-se (3.26) e (3.27). [ ] = ( 1+ ( = 1+ 1

2
) [ )
21 1
1
1 1
1
2
1 2
] ] [ ]
] [
(3.26)
(3.27)
Expandindo a primeira linha da matriz (3.26) obtm-se a expresso (3.28).
52
= 0
(3.28)
Fazendo-se o uso da equao (3.28) possvel desenhar o circuito equivalente, conforme ilustra a gura 3.4.
I In VIn
+ -
D ' Ron
'
' DVD + -
' + DV O -
Figura 3.4: Circuito equivalente da equao (3.28). Expandindo a segunda linha da matriz (3.27) obtm-se a expresso (3.29). =0 (3.29)
Fazendo-se o uso da equao (3.29) possvel desenhar o circuito equivalente, conforme ilustra a gura 3.5.
D ' I In
+ VO -
RO
Figura 3.5: Circuito equivalente da equao (3.29). Os circuitos apresentados nas equaes (3.28) e (3.29) podem ser desenhados em conjunto, conforme demonstra a gura 3.6.
I In
+ VIn -
D ' Ron
+
' DVD + -
DVO + -
D I In
'
+ VO -
RO
Figura 3.6: Representao dos circuitos. Analisando a gura 3.6 verica-se que as fonte de tenso e a fonte de corrente podem ser agrupadas em um transformador CC ideal, com razo de transformao : 1. Consequentemente, o circuito equivalente pode ser representado conforme a gura 3.7.
3.3
Obteno do Modelo CA para Pequenos Sinais
No modelo CA para pequenos sinais a ser apresentado as ondulaes de tenso e corrente so desprezadas, uma vez que o conversor opera no modo de conduo contnua (MCC)
53
I In
+ VIn -
D ' Ron
+
' DVD + -
+ VO
RO
D ' :1
Figura 3.7: Modelo CC do inversor Boost. e as ondulaes so pequenas, e o modelo tem a nalidade de ilustrar o valor mdio das variveis do circuito. Desta forma, os valores mdios de tenso no indutor e a corrente no capacitor podem ser obtidos a partir da equao (3.30). () 1 =
+
( )
Desta forma, a tenso mdia no indutor e a corrente mdia no capacitor podem ser obtidas a partir de (3.31) e (3.32).
= () = ()
A seguir so inseridas perturbaes no sistema, ou seja, pequenas variaes nos sinais e posteriormente linearizam-se as equaes em torno de um ponto de operao. Com a insero das perturbaes, assume-se que cada varivel composta pelo seu valor CC (representado com letra inicial maiscula) mais uma pequena variao CA (representado pela varivel com sinal de acento circunexo na primeira letra) sobreposta ao sinal, portanto tm-se:
() () ()
= + () ^ = + () ^
= + () ^ ^ () = + () ^ () = ()
Desta forma, inserindo essas pertubaes nos sistemas de equaes que representam os dois subintervalos obtm-se (3.38) e (3.39).
(3.30) (3.31) (3.32) (3.33) (3.34) (3.35) (3.36) (3.37)
54
(( ) ( ) ) ( + ()) ^ ^ ^ = + () 1 + () 2 ( + ()) ^ (( ) ( ) ) ^ ^ + + () 1 + () 2 ( + ()) ^
(3.38)
+ () = ^
) ( ) ) ^ ^ + () 1 + () 2 ( + ()) ^ (( ) ( ) ) ^ ^ + + () 1 + () 2 ( + ()) ^
((
(3.39)
Desenvolvendo as expresses (3.38) e (3.39), desprezando-se os termos de segunda ordem, possvel obter o modelo CA mdio de pequenos sinais, conforme demonstra as equaes (3.40) e (3.41).
^() ^ = () + () + {(1 2 ) + (1 2 ) } () ^ ^
(3.40)
^ () = () + () + {(1 2 ) + (1 2 ) } () ^ ^ ^
(3.41)
Os termos de 1 ordem das equaes (3.40) e (3.41) so apresentados em (3.42) e (3.43).
(1 2 ) + (1 2 ) = + 0 [ ] + = (1 2 ) + (1 2 ) = [0]
] = (3.42) (3.43)
Desta forma, substituindo-se as matrizes , , e , as equaes (3.42) e (3.43) nas equaes (3.40) e (3.41), os sistemas de equaes de anlise a pequenos sinais CA pode ser reescrito como:
55
^ () () ^
] [ ] ^ () = + 1 () ^ ] [ ] [ [ ] () ^ 1 ^ + + ()(3.44) + 0 0 0 [ ] [ ] ] [ ] [ ] ^ () () ^ = + 0 0 (3.45) 1 0 () ^ 0
A queda de tenso no diodo em conduo foi considerado como um valor constante e igual a . Desta forma, no modelo a pequenos sinais CA a variao da queda de tenso () ^ igual a zero. Os sistemas de equaes apresentados em (3.44) e (3.45) podem ser representados na forma escalar, conforme (3.46), (3.47) e (3.48).
^ () = + () ^ = ^ () =
() ^ () ^ ^ () + ( + ) () ^ () ^ ^ ^ () () ^ () (3.46) (3.47) (3.48)
Com as equaes apresentadas em (3.46), (3.47) e (3.48) pode-se construir os circuitos equivalentes para cada uma das equaes. Da equao (3.46) pode-se obter o circuito representado na gura 3.8.
iIn (t )
+
L
L diL (t ) dt
-
D ' Ron
+
(VO - I L Ron +VD )d (t ) - +

+ D 'vO -
vIn (t )
+ -
Figura 3.8: Circuito equivalente obtido para a tenso mdia no indutor . Da equao (3.47) pode-se obter o circuito representado na gura 3.9.
Figura 3.9: Circuito equivalente obtido para a corrente mdia no capacitor .
D 'iIn
I L d (t )
Cf
dvO (t ) dt
RO
vO (t )
56
iIn (t )
vIn (t )
+ -
iL (t )
Figura 3.10: Circuito equivalente obtido para a corrente de entrada do inversor. Da equao (3.48) pode-se obter o circuito representado na gura 3.10. Pode-se representar os trs circuitos das guras 3.8 at 3.10 em conjunto. Alm disso, pode-se realizar a mesma considerao efetuada no circuito ilustrado na gura 3.7, ou seja, as fontes de tenso e a fonte de corrente ^ podem ser agrupadas em um transformador ^ CC ideal, com razo de transformao : 1. Consequentemente, o circuito equivalente pode ser representado conforme a gura 3.11.
iIn (t )
+
L
L diL (t ) dt
+
D ' Ron
+
(VO - I L Ron +VD )d (t ) - +

-
vIn (t )
+ -
I L d (t )
D ' :1
Cf
dvO (t ) dt
RO
vO (t )
Figura 3.11: Modelo a pequenos sinais CA do inversor Boost. Pode-se representar um circuito equivalente idealizado do inversor Boost, desprezandose a queda de tenso no diodo e a resistncia srie da chave , conforme ilustra a gura 3.12.
iIn (t )
vIn (t )
+ -
L
L diL (t ) dt
VO d (t ) - +
-
I L d (t )
D ' :1
Cf
dvO (t ) dt
RO
vO (t )
Figura 3.12: Modelo a pequenos sinais CA idealizado do inversor Boost.
3.4
Obteno das Funes de Transferncia a Partir do Modelo CA para Pequenos Sinais do Inversor Boost
A partir do modelo a pequenos sinais CA apresentado na gura 3.12 pode-se obter as funes de transferncias desejadas. Alm disso, atravs da relao de transformao pode-se referir um componente do circuito do primrio para o secundrio, ou vice-versa, as principais relaes de transformao so:
57
1 = 2 ( ) 1 1 = 2 1 = 2 2
(3.49) (3.50) (3.51)
Desta forma, possvel referir a indutncia no primrio, para o secundrio, conforme ilustra a gura 3.13.
V d (t ) iIn (t ) - O +
vIn (t )
+ -
L D '2
Cf
IL
d (t )
RO + vO (t ) -
D ' :1
Figura 3.13: Processo de linearizao, Indutncia L referida ao secundrio. A ideia deixar as fontes de energia do lado primrio e os elementos passivos no secundrio, assim atravs do teorema de Thvenin pode-se alocar a fonte de corrente antes da indutncia 2 , conforme a 3.14.
V d (t ) iIn (t ) - O +
vIn (t )
+ -
L D '2
I L d (t )
D ' :1
Cf I L d (t )
RO + vO (t ) -
Figura 3.14: Processo de linearizao, alocao da fonte de corrente. A corrente em paralelo com o indutor pode ser solucionada aplicando Laplace na equao da tenso mdia no indutor (3.31) e fazendo as devidas manipulaes chega-se em (3.52). Assim, a gura 3.15 ilustra a fonte de tenso equivalente a fonte de corrente em paralelo com o indutor, e com a fonte de corrente referida ao primrio.
L () = L { }
} =
^ () 2
(3.52)

I L Ls d (s) 2
58
iIn ( s)
vIn ( s)
+ -
VO d ( s) - +
I L d ( s) D'
D ' :1
D'
Cf
RO + vO ( s) -
Figura 3.15: Processo de linearizao, fonte de tenso equivalente e corrente referida ao primrio. Consequentemente, a fonte de tenso pode ser referida ao primrio, conforme ilustra a gura 3.16.
V d (s) In ( s) - O i +
vIn ( s)
+ -
I L Ls d (s) D'
L D '2
Cf
L d ( s) D'
D ' :1
RO + vO ( s) -
Figura 3.16: Processo de linearizao, fonte de tenso referida ao primrio. Associando as fontes de tenso e ajustando os termos, obtm-se o modelo a pequenos sinais ilustrado na gura 3.17.
iIn ( s)
vIn ( s)
+ -
e( s ) d ( s ) - +
jd ( s )
1:N
Leq
Cf
RO + vO ( s) -
Figura 3.17: Processo de linearizao, Indutncia L referida ao secundrio. Onde:
59
2 = 2 ) ( () = 1 1 = =
(3.53)
3.4.1
Funo de Transferncia ()
Com o circuito cannico pode-se obter as funes de transferncia (FT) do conversor. Para obter a funo de transferncia de () deve-se considerar as variaes de () em ^ ^ relao a ^ (), sendo nula a perturbao em (), conforme (3.54). A gura 3.18 ilustra o circuito correspondente a FT () com as fontes de tenso e corrente referidos ao primrio. () ^ () = ^ () ^ ()=0 (3.54)
iIn ( s ) N
vIn ( s) N
+ -
Leq
RO + vO (t ) -
Cf
^ Figura 3.18: Circuito cannico valores mdios, sem perturbaes em () e () referido ao ^ secundrio. A corrente de entrada que circula no indutor pode ser descrita por (3.55). ^ () () ^ = Onde a impedncia total do sistema dada por (3.56). (3.55)
= + = + //
1 2 + + = 1 +
(3.56)
Onde a impedncia de sada do inversor (resistncia e capacitor ). Sabendo que a corrente de entrada igual a corrente no indutor (^ = ^ ), substituindo (3.56) em (3.55) obtm-se (3.57).
60
() = ^
^ () 2 + + 2 1 +
(3.57)
Atravs do mtodo dos ns obtm-se a seguinte relao: ^ ^ () ()() ^ ^ ()() ^ = 1+

(3.58)
Substituindo (3.57) em (3.58) e reorganizando a expresso obtm-se:
^ () = () ( + + )() ^ ^ ^ () 2 + + ^ = () ( + + )() ^ 1 + () ^ = (3.59) ^ () (1 + ) Consequentemente, a funo de transferncia (FT) () dada por (3.60). () ^ = () = ^ () 1 + ^ ()=0 (3.60)
A FT () pode ser comparada com uma funo de transferncia de primeira ordem, possuindo um ganho CC, e um polo na frequncia 1 : 1 () = 1 + 1 Onde: [ ] (3.61)
= 1 1 =
(3.62) (3.63)
3.4.2
Funo de Transferncia ()
A funo de transferncia () obtida da mesma forma que (), considerando ^ as pertubaes em ^ () e (), e referindo os componentes do primrio para o secundrio, conforme (3.64). A gura 3.19 ilustra o circuito correspondente FT (). ^ () () = ^ () (3.64)
()=0 ^
61
iIn ( s ) N + vIn ( s) N -
e( s )d ( s ) N Leq A - +
jd ( s ) N
Cf
RO + VO -
Figura 3.19: Circuito cannico valores mdios da FT . Analisando as correntes que entram e saem do n A tem-se: ^ ^ () () = + Onde: ^ () Substituindo (3.66) em (3.65) obtm-se (3.67). = ^ ^ ^ () () ()() = + Reescrevendo-se (3.67), obtm-se (3.68) e (3.69) (3.66) (3.65)
(3.67)
( ) ^ ^ () () () 2 = + ( ) 2 ^ () () = + ^ ()
(3.68) (3.69)
Fazendo uso das relaes de transformaes dadas em (3.49), (3.50) e (3.51) tem-se:
( ) ^ () = + 1 ^ 2 2 () = + ( ) 2 2 ( ) + = 2 Substituindo-se a impedncia (3.56) em (3.72) tem-se:
(3.70) (3.71) (3.72)
62
+ ^ () = 2 ++ ^ 2 () 1+ ) ( 2 + 2 = 2 2 + + ( ) 1 + 2 2 = 2 1 + + 2 ) ( 1 + 2 2 = 2 1 + 2 + 2 2 Consequentemente, a funo de transferncia (FT) () dada por (3.77). ^ () () = ^ () 2 = 2 ( 1 + 2 1 + 2 + 2 2

2 ++ 1+
(3.73) (3.74) (3.75) (3.76)
) (3.77)
()=0 ^
A FT () pode ser comparada com a forma padro de segunda ordem, possuindo um ganho CC, um zero na frequncia e um par de polos quadrticos na frequncia de ressonncia , sendo a forma padro representada em (3.78). () = Onde: 1+ 1+

+ (

)2
(3.78)
2 2 2 = = =
(3.79) (3.80) (3.81) (3.82)
A varivel denominada de fator de qualidade e est vinculada com o coeciente de amortecimento do sistema () pela expresso (3.83). = 1 2 (3.83)
Desta forma, com as equaes (3.61) e (3.78) e com os valores de projeto obtidos no captulo 2 tem-se:
63
] 1 () = 3 1 + 3446 ] [ 1 + 6893 () = 441 ( )2 1 + 5757 + 4454 A tabela 3.1 exibe os parmetros das funes de transferncia e . Tabela 3.1: Parmetros das Funes de Transferncia. Parmetro 1 Valor 3 441 3446 6893 1,30 4454
(3.84) (3.85)
3.5
Projeto dos Controladores
Para realizar o controle do inversor Boost proposto o controle multi-malhas composto por duas malhas de controle, uma malha externa de tenso e uma malha interna de corrente, ambas rpidas, para garantir o formato senoidal da tenso na carga, alm de oferecer dinmicas elevadas e estabilidade. A malha de corrente necessita de uma frequncia de cruzamento de ganho elevada, com valor superior a frequncia de cruzamento de ganho da malha de tenso, de forma a garantir que o controle seja rpido e garanta o formato senoidal na tenso de sada. Por outro lado, quando trabalha-se com controle digital utilizando DSP (Digital Signal Processing) pode-se ter um limite quanto a velocidade de amostragem das formas de ondas, tempo de processamento das informaes e atuao do controle, podendo a malha de corrente no operar com a frequncia de cruzamento projetada. A melhor alternativa nesta situao inserir a malha de alimentao direta (feedforward) ao controle proposto (GALOTTO et al., 2009; SAMPAIO et al., 2010).
3.5.1
Projeto do Controlador de Corrente
A malha de controle da corrente est representada na gura 3.20 e engloba o ganho do sensor de corrente, o compensador, o ganho do modulador e a planta de corrente do conversor. Esta malha apresenta frequncia de cruzamento de ganho elevada, sendo a malha mais rpida do conversor e responsvel por reduzir a ordem do sistema de controle, fazendo com que o capacitor de sada seja carregado com caractersticas de fonte de corrente.
64
I ref
+ -
Erro
VC
Ci ( s)
1 VPV
d
Gid
IL
Ki
Figura 3.20: Malha de Controle de Corrente. A malha de corrente composta pelos seguintes blocos: (): Funo de transferncia do compensador de corrente; : Funo de transferncia da planta;
1
: Funo de transferncia do comparador PWM;
: Funo de transferncia do sensor de corrente. O projeto do compensador foi realizado no plano contnuo, usando a ferramenta no domnio da frequncia, lanando mo dos diagramas de bode de mdulo e de fase, adotando 1 1 1 = 60 e = 30 . O compensador escolhido para a malha de controle de corrente do tipo Proporcional-Integral (PI), conforme (3.86). 80( + 4000) (3.86) Para a malha de controle de corrente mostra-se o diagrama de bode do sistema no compensado, gura 3.21, e aps a adio do compensador, o sistema apresenta elevada frequncia de cruzamento de ganho, em torno de 9 kHz e tima margem de fase, em torno de 83 (graus), o que pode ser visualizado na gura 3.22. () =

0 Mdulo (dB) -10 -20 -30 -40 0 Fase () -45 -90 10 3 Frequncia (Hz) 10 4
65
-135 2 10
Figura 3.21: Funo de Transferncia de Malha Aberta de Corrente.
80 Mdulo (dB) 60 40 20 0 -20 -60 -90 fcruzamento=9kHz Mfase=83
Fase ()
-120 -150 101 102 103 Frequncia (Hz) 104 105
Figura 3.22: Funo de Transferncia de Malha Aberta de Corrente, Incluindo o Compensador de Corrente. Para visualizar a qualidade da compensao efetuada, aplicou-se um degrau funo de transferncia de corrente com o compensador projetado, podendo, a resposta ser visualizada na gura 3.23. Desta forma, verica-se que o compensador PI de corrente torna a malha de corrente extremamente rpida e estvel.

40
66
30 Amplitude
20
10
0,2
0,4
0,6 Tempo (ms)
0,8
1,0
1,2
Figura 3.23: Resposta ao Degrau da Funo de Transferncia de Malha Aberta de Corrente com o Compensador PI.
3.5.2
Projeto do Controlador de Tenso
A malha de controle de tenso, representada na gura 3.24, responsvel por garantir o formato e o valor ecaz da tenso de sada e ainda engloba a malha de controle de corrente, j que a sada do compensador de tenso a referncia para a malha de corrente. Esta malha contempla o ganho do sensor de tenso, o compensador de tenso, a malha interna de corrente e a planta de tenso do conversor. O clculo do valor absoluto, presente na realimentao de tenso, de extrema importncia para realizar o controle da estrutura, uma vez que elimina a incompatibilidade natural entre a sada do inversor que alternada e da corrente no indutor Boost que contnua, tornando as duas variveis de controle, tenso de sada e corrente no indutor, compatveis, vistas pelo sistema de controle.
Vref
Ev
-
Cv ( s )
I ref +
Ei
-
Ci ( s)
VC
VPV
Ki
Gid
IL
Gvi
Vout
Abs
Figura 3.24: Malha de Controle de Tenso. A malha de corrente composta pelos seguintes blocos: (): Funo de transferncia do compensador de tenso; : Funo de transferncia da planta de tenso;
Kv
67
: Funo de transferncia do sensor de tenso. O diagrama de bode da funo de transferncia de malha aberta de tenso, incluindo a malha interna de corrente, apresentado na gura 3.25, onde se verica que o sistema muito lento; contudo, aps a adio do compensador PI, vide gura 3.26, o sistema apresenta frequncia de cruzamento em torno de 650 Hz, e uma margem de fase adequada, mantendo o sistema rpido e estvel, com relao tenso de sada de 60 Hz, que a tenso a ser controlada. 1 Adotou-se = 60 .
5 0 -5 -10 -15 -20 -25 0
Fase ()
Mdulo (dB)
-45
-90 1 10
102 Frequncia (Hz)
103
104
Figura 3.25: Funo de Transferncia de Malha Aberta de Tenso.

60 Mdulo (dB) 40 20 0 -20 -40 -90 -100 -110 -120 1 10 102 Frequncia (Hz) 103 104 fcruzamento=650Hz Mfase=65
Figura 3.26: Funo de Transferncia de Malha Aberta de Tenso, Incluindo o Compensador de Tenso. O projeto do compensador foi realizado no plano contnuo, usando a ferramenta no domnio da frequncia, lanando mo dos diagramas de bode de mdulo e de fase. O compensador escolhido para a malha de controle de tenso do tipo Proporcional-Integral (PI), conforme (3.87).
Fase ()
68
0,5( + 8000) (3.87) Para visualizar a qualidade da compensao efetuada, aplicou-se um degrau funo de transferncia de tenso com o compensador projetado, podendo a resposta ser vericada na gura 3.27. Assim, verica-se que o compensador PI de tenso torna a malha de tenso rpida e estvel. () =
80
60 Amplitude
40
20
0,2
0,4
0,6
0,8 Tempo (ms)
1,0
1,2
1,4
1,6
Figura 3.27: Resposta ao Degrau da Funo de Transferncia de Malha Aberta de Tenso com o Compensador PI.
3.5.3
Malhas de Alimentao Direta (feedforward)
Para o conversor Boost, as equaes (3.88) e (3.89), obtidas a partir do modelo mdio em espao de estados, podem determinar a relao entre a razo cclica e a derivada dos estados.
() = () + () () = () ()
(3.88) (3.89)
Utilizando estas equaes, possvel saber a inuncia das entradas e dos estados na dinmica do sistema. O erro de tenso enviado para o controlador determinar a derivada necessria para compensar a resposta de tenso. Esta derivada de tenso inserida na equao (3.89) que determinar a referncia de corrente necessria. Da mesma forma, o erro de corrente enviado ao segundo controlador que determinar a derivada de corrente desejada. Finalmente, com a equao (3.88) obtm-se a razo cclica. Esta estratgia de controle est ilustrada na gura 3.28. Observa-se que tal tcnica foi utilizada em um conversor boost CC/CC, onde os efeitos na corrente e na tenso foram avalia-
69
dos para diferentes nmeros de sensores (GALOTTO et al., 2009). Entre os benefcios observados esto: possibilidade de trabalhar com ganho de retroao reduzido, melhorando a estabilidade, maior atenuao de distrbios e reduo do efeito da no-linearidade do conversor. No caso do conversor elevador CC/CA, o ponto de operao varia continuamente prejudicando a metodologia convencional de projeto por modelos de pequenos sinais. Desta forma, a importncia desta estratgia de controle para a aplicao de sada alternada destacada. A Figura 3.28 mostra a maneira como foi feita a combinao da malha direta com a realimentao (3.28b) em comparao com o controle em modo corrente convencional (3.28a). O modo de controle em corrente convencional pode ser observado em (TANG et al., 1993).
+ Vo * Cv ( s ) Vo
+ IL * Ci ( s ) IL
(a) Metodologia Convencional
+ -
Vo *
Cv ( s )
Vo
( A)
dVo * C. dt
+ -
IL *
Ci ( s )
IL
L.
( B)
dI L * dt
(b) Malha direta com realimentao Figura 3.28: Comparao entre o controle modo corrente convencional e o controle modo corrente com realimentao. Os blocos A e B ilustrados na gura 3.28 so montados de acordo com as equaes (3.88) e (3.89), respectivamente.
3.6
Concluses
Apresentou-se neste captulo a modelao via espao de estados, encontrando-se os modelos CC e CA para pequenos sinais para o circuito equivalente do inversor Boost monofsico. Atravs destes modelos pode-se obter as principais funes de transferncia do conversor e na sequncia apresentou-se uma metodologia para o projeto dos controladores de corrente e tenso. O controle realizado atravs de multi-malhas, o que proporciona um controle rpido para variaes na carga. O controle altera a razo cclica com a nalidade de controlar a corrente no indutor, e, por consequncia controlar a tenso de sada.
70
CAPTULO 4
Resultados de Simulao
4.1 Introduo
Fazendo uso do procedimento de projeto, da modelao e do projeto dos controladores do inversor Boost pode-se realizar simulaes computacionais de forma a vericar e validar a proposta da dissertao, analisando se ela atende aos requisitos de qualidade, tais como: tempo de estabelecimento da tenso de sada; porcentagem de sobresinal; se a tenso de sada se mantm regulada em torno da tenso nominal de carga; se a corrente de entrada mantm o formato senoidal reticado. Desta forma, este captulo apresenta os resultados de simulao para o inversor Boost a m de validar o funcionamento da estrutura, tanto para regime permanente, quanto para degrau de carga e para cargas no-lineares. Maiores detalhes sobre as especicaes de projeto podem ser encontrados no Apndice A.
4.2
Resultados de Simulao
A ferramenta computacional utilizada para as simulaes foi o software Simulink, presente no ambiente MatLab, no qual possvel modelar e analisar a dinmica de sistemas e possibilita a integrao de projetos de potncia com projetos de controle de forma simples e ecaz. As simulaes foram realizadas utilizando-se de um modelo chaveado para o inversor CSI Boost a m de se obter resultados mais precisos. Na gura 4.1, apresenta-se todo o circuito simulado, incluindo o modelo construdo, a estratgia de controle e de modulao. Os parmetros de projeto utilizados na simulao, obtidos de acordo com as equaes apresentadas nos captulos 2 e 3, se encontram na tabela 4.1. Na tabela 4.2 so apresentados os principais resultados obtidos em simulao. Na gura 4.2, so apresentadas as formas de onda de tenso e de corrente na carga, em regime permanente, onde se verica o formato senoidal da tenso, que apresenta reduzido contedo harmnico, com uma distoro harmnica total (DHT) de apenas 3,8%. Esta DHT extremamente baixa se considerarmos que os conversores do tipo Boost apresentam diculdades em seu controle, como o zero no semiplano direito e ainda, tem como caracterstica inerente, no funcionarem de forma adequada quando a tenso de sada menor do que a de entrada. Este efeito pode ser visualizado na tenso de sada do inversor quando seu valor instantneo menor do que o valor da tenso de entrada, que est minimizado com uma atuao eciente do
Captulo 4. Resultados de Simulao
71
Degrau
Out1
Continuous powergui
+ i -
IL Goto
S1
F5
S3
F7
[ITotal] Goto6
+ + v -
[VC] Goto1
Iin
L
g C C g
i -
VCarga From2 [VC] Sw

2
Iin1
g 1
S1
E
S3
E
voltage Tenso
F8 Vdce S2
From4 IL Current Corrente
Cf
C C g
F9 S4 S4
S2
E
RL
E
time Clock From5 Tempo
Goto2 Goto3 S2 Goto5 S4 S1

Modulante lei de controle Vref
[ITotal]
load Tenso1
Ref. Goto4 S3
Vref Vref1 Ientrada g Vsaida
[VC] From6 IL From3 [VC]
signal rms
127.9
RMS From1
signal THD
Vrms 3.827
modulador
Controle
100 Gain
DHT1
DHT
Figura 4.1: Modelo do Inversor CS Boost utilizado para obteno dos resultados via simulao no ambiente MatLab.
Tabela 4.1: Parmetros de Projeto. Parmetro Tenso de Entrada Tenso Ecaz de Sada Potncia de Sada Frequncia de chaveamento Frequncia de sada Ondulao de Corrente no Indutor Ondulao de Tenso no Capacitor Indutncia Boost Capacitor de Sada Ganho do Sensor de Corrente Ganho do Sensor de Tenso Ganho do Modulador PWM Valor 24 V 127 V 1000 W 50 kHz 60 Hz 10 % 5% 100 H 18 F 1/30 1/60 60
72
Tabela 4.2: Principais resultados de simulao. Componente Valor
Chave 1 , 2 , 3 e 4 Tenso de Pico Corrente ecaz Corrente mdia Indutor Tenso ecaz Corrente ecaz Corrente mdia Capacitor Tenso ecaz Corrente ecaz Carga Tenso ecaz Corrente ecaz modulador.
200 20
181,00 V 41,10 A 23,30 A
46,70 V 54,30 A 44,30 A
127,80 V 27,70 A
127,80 V 7,90 A
VO IO
100 10
Corrente (A)
Tenso (V)
-100
-10
-200
-20 0 10 20 30 Tempo (ms) 40 50 60
Figura 4.2: Formas de Onda de Tenso (azul) e de Corrente (vermelho) na Carga. A corrente no indutor de entrada, para a operao com carga nominal, apresentada na gura 4.3.

100
73
80
Corrente(A)
60
40
20
10
20
30 Tempo(ms)
40
50
60
Figura 4.3: Forma de Onda de Corrente no Indutor Boost. A corrente no indutor pulsante no dobro da frequncia da rede, devido caracterstica da carga ser pulsante. Esta oscilao ocorre devido ausncia de um estgio intermedirio com um barramento CC, o qual proporcionaria um desacoplamento de potncia, entretanto elevando peso, volume e custos. Portanto, este efeito caracterstico deste tipo de conversor. As guras 4.4 at 4.7 ilustram as formas de onda de tenso e corrente nas chaves 1 , 2 , 3 e 4 , exibindo a forma de onda de tenso na cor azul e a de corrente na cor vermelha. Como as chaves 2 e 4 operam em alta frequncia, so exibidas o comportamento da tenso e corrente em baixa frequncia (60 Hz) e detalhes em alta frequncia (50 kHz).
200
IS1
VS1
100
150 Tenso (V)
75 Corrente (A)
100
50
50
25
0 0
10
20
30 40 Tempo (ms)
50
60
66
Figura 4.4: Formas de Onda de Tenso (Azul) e Corrente (Vermelho) na Chave 1 .

200 150 100 Tenso (V) 50 0 -50 -100 -150 -200 0 10 20 30 Tempo (ms) 40 50 60 100 200
74
IS2
150 Tenso (V) Corrente (A)
IS2
75 50 25 0 -25
VS2
100
75 Corrente (A)
100
50
VS2
-50 -75 -100 66
50
25
0 4,41
4,43
4,45 Tempo (ms)
4,47
0 4,49
(a) Formas de ondas em baixa frequncia de sada ( = 60 Hz)
(b) Formas de ondas com detalhes na frequncia de chaveamento ( = 50 kHz)
200
VS3 IS3
100
150 Tenso (V)
75 Corrente (A)
100
50
50
25
0 0
0 10 20 30 40 Tempo (ms) 50 60 66
200 150 100 Tenso (V) 50 0 -50 -100 -150 -200 0 10 20 30 Tempo (ms) 40 50 60
100
200 150 100 Tenso (V) 50 0 -50 -100 -150 -200 4,41 4,43 4,45 Tempo (ms) 4,47 Corrente (A)
100
IS4
75 50 25 0 -25
IS4
75 50 25 0 Corrente (A)
VS4
-25 -50 -75
VS4
-50 -75 -100 66
-100 4,49
(a) Formas de ondas em baixa frequncia de sada ( = 60 Hz)
(b) Formas de ondas com detalhes na frequncia de chaveamento ( = 50 kHz)
Figura 4.7: Formas de Onda de Tenso (Azul) e Corrente (Vermelho) na Chave 4 . Para vericar o funcionamento da estrutura alimentando uma carga indutiva, simulouse o sistema com uma carga de 650 em paralelo com uma de 350 VA, com fator de deslocamento de 0,6 em atraso. Na gura 4.8 mostram-se as formas de onda de tenso e de corrente na carga, em regime permanente, onde se verica o formato senoidal da tenso, que apresenta
75
reduzido contedo harmnico, com uma DHT de 5,7%, demonstrando que a estrutura apresenta um bom comportamento para alimentar cargas indutivas.
200 20
VO
100 Tenso (V)
IO
10 Corrente (A)
-100
-10
-200
20
30
40
50 Tempo (ms)
60
70
80
-20
Figura 4.8: Formas de Onda de Tenso (azul) e de Corrente (vermelho) na Carga. A m de se vericar as dinmicas dos compensadores projetados aplicado um degrau de carga, variando de meia carga para a carga nominal. O degrau de carga aplicado quando a tenso de sada passa por seu valor mximo instantneo, sendo, portanto, aplicado no ponto mais crtico. A resposta do inversor pode ser visualizada nas guras 4.9 e 4.10, que apresentam a tenso de sada do inversor, e a corrente no indutor Boost, respectivamente.
200
100 Tenso (V)
-100
-200 0
10
20 Tempo (ms)
30
40
50
Figura 4.9: Forma de Onda de Tenso na Carga, Durante o Degrau de Meia Carga para Carga Nominal.

100 80 60 Corrente(A) 40 20 0 -20
76
10
15
20
25 30 Tempo(ms)
35
40
45
50
Figura 4.10: Forma de Onda de Corrente no Indutor Boost, Durante o Degrau de Meia Carga para Carga Nominal. Para vericar o funcionamento da estrutura alimentando uma carga no linear, simulouse o sistema com uma carga de 700 em paralelo com um reticador monofsico com ltro capacitivo na sada de 300 VA. Na gura 4.11, mostram-se as formas de onda de tenso e de corrente na carga, em regime permanente, onde se verica o formato senoidal da tenso, que apresenta reduzido contedo harmnico, com uma distoro harmnica total (DHT) de 5,9%.
200 20
IO
100 Tenso (V)
VO
10 Corrente (A)
-100
-10
-200
20
30
40
50 Tempo (ms)
60
70
80
-20
Figura 4.11: Formas de Onda de Tenso (azul) e de Corrente (vermelho) na Carga - Carga no Linear. A alta velocidade de resposta dos compensadores pode ser problemtica na implementao prtica devido aos atrasos de sensores, processadores e conversores A/D, por exemplo. Estes pequenos atrasos so relevantes em malhas realimentadas de forma rpida e geralmente levam instabilidade. Entretanto, com a combinao de malhas de alimentao direta (feedforward), as malhas de realimentao podem ser mais lentas sem prejudicar o rastreamento e a rejeio de distrbios. A gura 4.12 mostra a comparao dos resultados de trs diferentes conguraes de controle. Pode ser observado que o distrbio de tenso atenuado em relao
77
ao controle somente com retroao. A principal vantagem est no aumento das margens de estabilidade do sistema, visto que a retroao pode ser sintonizada em menor frequncia.
180 170 160 150 140 130 120 19,5 20,0 20,5 21,0 21,5 22,0 Tempo (ms) 22,5 23,0 23,5 Vref Feedback Back+Forward s/ Io Back+Forward c/ Io
Figura 4.12: Comparao de resultados para diferentes conguraes de controle.
4.3
Concluses
Apresentou-se o inversor Boost monofsico implementado no software MatLab (Simulink), com controle multi-malhas, demonstrando a nova metodologia de projeto para o inversor fonte de corrente. Ilustrou-se os resultados de simulao mais relevantes, onde se verica que o controle atua de forma extremamente rpida e estvel, demonstrando que a abordagem de projeto e controle funciona corretamente. A DHT obtida para a tenso de sada reduzida, principalmente levando-se em considerao as caractersticas dinmicas convencionais que os conversores do tipo Boost apresentam, em funo do projeto exigir uma indutncia elevada na entrada, e da existncia de zero no semi-plano direito na funo de transferncia de controle da sada. Apresentaram-se as variaes de carga, as formas de onda de tenso e corrente para cargas do tipo resistiva-indutiva (RL) e resultados para cargas do tipo no-linear (reticador), sendo que o controle proposto operou com pleno xito, conforme projetado, resultando em reduzidas DHT para a tenso de sada, para os tipos de cargas testados.
Tenso (V)
78
CAPTULO 5
Resultados Experimentais
5.1 Introduo
Neste captulo so apresentados os principais resultados obtidos do Inversor Boost Monofsico implementado em laboratrio, controlado de forma digital utilizando-se uma plataforma DSP (dSPACE ACE1104). O Inversor foi implementado atravs da adaptao de um mdulo da Semikron, integrando os dispositivos de potncia (indutor, capacitor, resistor e circuito de proteo), o condicionamento de sinais e o processamento de sinais (analgico e digital), conforme ilustrado na gura 5.1. Detalhes da implementao em laboratrio podem ser encontrados no Apndice B.
Figura 5.1: Foto do Inversor Boost Monofsico, implementado utilizando mdulo didtico Semikron integrado ao sistema de aquisio e condicionamento de sinais. De modo geral, o mdulo Semikron empregado utilizado em aplicaes tpicas como reticador monofsico ou trifsico e inversor VSI monofsico ou trifsico, operando com frequncia entre 10 a 25 kHz. Para a implementao do inversor o mdulo disponibiliza IGBTs
Captulo 5. Resultados Experimentais
79
(SKM50GB123D) com diodos em anti-paralelo e, devido ao inversor proposto necessitar de chaves unidirecionais, a m de no colocar o capacitor de sada em curto, houve a necessidade de associao de diodos em srie com as chaves, com a nalidade de inibir a ao dos referidos diodos em anti-paralelo. Em relao ao driver utilizado no mdulo (SKHI22A), o mesmo possui uma pr-programao para operar com razes cclicas inferiores a 0,9, e tambm apresenta um atraso de propagao do pulso da ordem de 1,4 s. O controle digital foi implementado utilizando o software de desenvolvimento MatLab/Simulink, que integrado plataforma DSPACE ACE1104, possibilitando que o desenvolvimento prtico seja realizado em tempo real. Aps o desenvolvimento de todo o controle e monitorao do controle digital no dispositivo, vericou-se que o mesmo permitia uma amostragem mxima de 38 kHz. Devido s limitaes de chaveamento utilizou-se a frequncia de chaveamento da estrutura em 24 kHz, como forma de obter um nmero inteiro entre a relao do perodo da frequncia de sada com a de chaveamento ( ). Uma limitao adicional, na utilizao deste mdulo e drivers, foi quanto frequncia de amostragem para o controle, tendo de ser ajustada em 38 kHz. Por tais motivos, as dinmicas das malhas de controle foram prejudicadas e por consequncia a operao da estrutura. Observa-se que, para realizar o controle timo da tenso de sada, a razo cclica do conversor precisa, em alguns instantes, ser maior do que 0,9, e, os sinais de controle no devem apresentar atrasos signicativos. Entretanto, como a razo cclica estava limitada, houve a necessidade de reduzi-l para o valor mximo de 0,89, o que ainda foi relativamente elevada para o driver, visto que o mesmo apresenta atrasos de propagao de pulsos elevados (aproximadamente de 1,4 s). Finalmente, considerando-se a necessidade de alimentao da estrutura, para testes laboratoriais, atravs de uma fonte de tenso de 24 V, a qual deveria proporcionar elevadas correntes para os parmetros nominais de projeto, houveram diculdades na extrao de potncias prximas nominal, em funo das limitaes atuais das fontes existentes no LEP-Laboratrio de Eletrnica de Potncia (FE/IS-UNESP).
5.2
Resultados para o Inversor operando com controle da corrente de entrada e da tenso de sada
Devido as limitaes apresentadas anteriormente, obteve-se uma potncia mxima processada de 100 W na entrada do conversor. Desta forma, com o propsito de validar a estratgia de controle, mesmo diante das limitaes laboratoriais, foram realizadas novas simulaes ajustadas para esta nova condio e, estas esto apresentas a seguir. Na gura 5.2 apresentada a tenso e a corrente na carga, e, na gura 5.3 a forma de onda de corrente no indutor Boost. De acordo com os novos resultados de simulao, verica-se o mesmo comportamento
80
daqueles para a simulao com carga nominal. Entretanto, a distoro harmnica de tenso alcanada para esta carga foi de 7 %, o que considerado um valor reduzido para o nvel de potncia processada (cerca de 100 W) e operao isolada da rede.
200
VO IO
100
Corrente(A)
Tenso(V)
-100
-200
2 0 10 20 30 Tempo(ms) 40 50 60
Figura 5.2: Formas de Onda de Tenso (azul) e de Corrente na Carga (vermelho) - Conversor Limitado em Potncia.
10
Corrente(A)
10
20
30 Tempo(ms)
40
50
60
Figura 5.3: Forma de Onda da Corrente no Indutor Boost - Conversor Limitado em Potncia. As guras 5.4 e 5.5 ilustram os resultados experimentais obtidos, apresentando as formas de onda de corrente e de tenso na carga, e a forma de onda da corrente no indutor Boost. Pde-se vericar um comportamento muito prximo ao simulado, com uma DHT na tenso de sada de 7,7 %. Os valores ecaz de tenso e corrente obtidos na carga foram de 123,3 V e 0,7 A, respectivamente e, conseguindo-se fornecer carga uma potncia de 86 W.
81
VO IO
Figura 5.4: Formas de Onda de Tenso (azul; 50V/div) e de Corrente na Carga (vermelho; 500mA/div) - Experimental.
Figura 5.5: Forma de Onda da Corrente no Indutor Boost (1A/div) - Experimental. A gura 5.6 ilustra o contedo harmnico da tenso de sada ( ), exibindo-se as percentagens das componentes harmnicas, em relao fundamental, at a 13 ordem.
Anlise Harmnica da Tenso
% da fundamental
5,00% 4,00% 3,00% 2,00% 1,00% 0,00%
2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
DHT = 7,7%
Ordem Harmnica
Figura 5.6: Contedo harmnico da tenso de sada at a 13 ordem harmnica.
82
De acordo com os resultados obtidos a fonte de tenso de entrada apresentou uma tenso e corrente mdia de 24 V e 4,22 A, respectivamente, disponibilizando para o circuito uma potncia ativa de 101 W. Observa-se que as medies de potncia foram executadas com o analisador de energia Yokogawa WT3000. Desta forma, utilizando a equao da ecincia (5.1) o conversor apresentou uma ecincia de 85 %, valor prximo ao esperado, tendo em vista que todo o circuito de potncia utilizado (mdulo Semikron, 2 kVA) est superdimensionado para a potncia drenada, alm do que, foram inseridos componentes adicionais, diodos em srie com as chaves do mdulo Semikron, os quais contribuem para a reduo do rendimento da estrutura. = 86 = = 85 % 101 (5.1)
A gura 5.7 ilustra a resposta da estratgia de controle, quando aplicado um degrau de carga no conversor, variando a potncia de sada de 50 % para 100 %, observa-se que o controle atua de forma rpida e eciente.
iL
VO
Figura 5.7: Resposta ao degrau (50 a 100%), formas de onda de corrente no Indutor (vermelho; 2A/div) e de tenso na Carga (azul; 100V/div) - Experimental. As guras 5.8a e 5.8b ilustram as formas de onda de tenso e corrente nos interruptores 1 e 2 , respectivamente. A tenso e corrente para a chave 3 possui um comportamento similar aos ilustrado para a chave 1 , com tempo de conduo complementar a 1 , e o mesmo vale para a chave 4 em relao a 2 . As formas de onda de tenso e corrente no capacitor de sada so apresentadas na gura 5.9.
83
VS2 VS1
IS1
IS2
(a) Chave 1 , operando a 60 Hz
(b) Chave 2 , operando a 24 kHz
Figura 5.8: Formas de Onda de Tenso (azul; 100V/div) e Corrente (vermelho; 5A/div) nas Chave 1 e 2 .
VO
ICf
Figura 5.9: Formas de onda de tenso (azul; 100V/div) e corrente (vermelho; 2A/div) no Capacitor. Na tabela 5.1 so apresentados os principais resultados obtidos durante os ensaios laboratoriais.
84
Tabela 5.1: Principais resultados experimental. Componente Valor
Fonte de tenso de entrada Tenso mdia Corrente mdia Potncia ativa Indutor Tenso ecaz Corrente ecaz Corrente mdia Chaves 1 , 2 , 3 e 4 Tenso de Pico Corrente ecaz Corrente mdia 180,0 V 2,3 A 1,2 A 43,1 V 5,1 A 4,2 A 24,0 V 4,2 A 101,0 W
Diodo srie com as chaves 1 , 2 , 3 e 4 Tenso de Pico Corrente ecaz Corrente mdia Capacitor Tenso ecaz Corrente ecaz Carga Tenso ecaz Corrente ecaz Potncia ativa Rendimento () 123,3 V 0,7 A 86,3 W 85,0 % 123,3 V 1,7 A 180,0 V 2,3 A 1,2 A
5.3
Resultados para o Inversor operando apenas com controle da corrente de entrada
Quando o conversor opera com controle da corrente de entrada e da tenso de sada consegue-se dar um formato senoidal para a tenso de sada. Como o conversor opera com um ganho (G) terico de 7,5, a razo cclica (D) ser superior ao valor terico de 0,867 para
85
conseguir fornecer carga uma tenso ecaz de 127 V, devido as perdas existentes no circuito (resistncias srie do indutor, queda de tenso nos semicondutores, capacitncias parasitas, entre outros fatores). Desta forma, na gura 5.10 ilustrado as formas de onda de corrente no indutor Boost e de tenso na carga para o conversor operando apenas com o controle da corrente de entrada, como o controle no impe a tenso de sada o conversor consegue operar com uma corrente de entrada maior, uma vez que a razo cclica est inferior a 0,9, fator limitante dos drivers disponveis para utilizao no mdulo didtico da Semikron.
IL
VO
Figura 5.10: Formas de onda de corrente (vermelho; 5A/div) no Indutor Boost e de tenso (azul; 100V/div) na carga para o Inversor Boost operando apenas com controle da corrente de entrada - Experimental.
5.4
Sensor de Corrente na Entrada e da Tenso na Carga
A gura 5.11a ilustra a forma de onda de corrente no indutor Boost (entrada) real e a forma de onda de corrente obtida pelo sensor de corrente, passando pelo condicionamento de sinal. Da mesma forma, a forma de onda de tenso na carga e a respectiva forma de onda obtida pelo sensor de tenso apresentada na gura 5.11b. Pode-se vericar que tanto o sensor de corrente, quanto o sensor de tenso conseguem amostrar as formas de onda adequadamente, garantindo uma boa qualidade nas informaes que sero disponibilizadas para a atuao do controle.
86
Corrente no Indutor
Tenso na Carga
Sensor de corrente
Sensor de Tenso
(a) Sensor de corrente
(b) Sensor de tenso
Figura 5.11: Atuao dos sensores de corrente no indutor e de tenso na carga. (a) Forma de onda de corrente no indutor (vermelho; 5A/div) e de tenso no sensor de corrente (verde; 2V/div). (b) Forma de onda de tenso na carga (verde; 100V/div) e de tenso no sensor de tenso (verde; 5V/div).
5.5
Rendimento da Estrutura
Diante das limitaes descritas anteriormente foi possvel traar um perl de ecincia da estrutura at 20 % da potncia nominal especicada para o projeto (1 kW), limitando-se a avaliao deste parmetro, conforme ilustra a gura 5.12. Pode ser observado na gura 5.12 que a ecincia da estrutura melhora conforme aumenta-se a potncia na carga e, possivelmente, para a potncia nominal especicada e para uma implementao com os componentes recomendados, o inversor operar com uma melhor ecincia.
Rendimento x Potncia
Rendimento () (%)
0,87 0,86 0,85 0,84 0,83 0,82 40 70 100 130 160 190
Experimental Interpolao
Potncia na Carga (W)
Figura 5.12: Curva da rendimento do Inversor Boost Monofsico.
5.6
Concluses
As limitaes encontradas durante a implementao e os testes experimentais no prejudicaram a vericao da metodologia de projeto e controle propostos. Apesar da baixa potncia obtida com o inversor CS Boost, em torno de 100 W na entrada, a DHT obtida foi de 7,7 %, sendo reduzida para esta potncia, levando-se em considerao que a aplicao para
87
alimentao de cargas isoladas da rede em CA (stand-alone). Alm disso, o formato e os valores vericados em simulao se aproximam muito dos encontrados na implementao laboratorial, e, a anlise dinmica demonstrou que o controle implementado opera de forma excelente. Um hardware especco para o conversor CSI proposto pode melhorar muito os resultados de potncia encontrados, alm do que, um sistema de controle que permita maior frequncia de amostragem e menores atrasos deve melhorar os formatos das correntes e tenses no conversor, alm de reduzir a DHT de tenso.
88
CAPTULO 6
Concluso Geral e Continuidade do Trabalho

A nova abordagem para o Inversor Boost proposta nesta dissertao possibilita que a estrutura opere de forma adequada para diferentes tipos de cargas (resistiva, indutiva e no linear), propiciando uma DHT reduzida, e, atravs do controle multi-malhas, com alimentao direta, o conversor atua de forma rpida e estvel mesmo diante de variaes de cargas. Comparando a abordagem proposta nesta dissertao com a metodologia clssica de operao para o inversor fonte de corrente, verica-se que o indutor de entrada reduzido para esta nova metodologia. Considerando-se as mesmas especicaes de projeto conseguiuse reduzir o valor da indutncia em aproximadamente 100 vezes, o que leva diminuio de peso, volume e custos. Alm disso, com a metodologia clssica o controle apresenta dinmicas reduzidas, podendo inviabilizar e dicultar o uso no aproveitamento de fontes alternativas e renovveis de energia eltrica, onde a carga isolada. O prottipo foi implementado atravs da adaptao de um mdulo didtico da Semikron, usualmente utilizado como inversor VSI, adicionalmente, em funo da limitao da fonte empregada para os ensaios, a estrutura cou limitada a operar com uma potncia de entrada em torno de 100W. Alm destes fatos, os drivers presentes no mdulo Semikron possuem limitao de razo cclica e tempo morto inadequado para a topologia e controle propostos, assim como, o controle implementado atravs da plataforma dSPACE ACE1104, com emulao de DSP TMS320F2407, restringiu a velocidade das malhas de controle. Apesar da baixa potncia e reduzida velocidade possvel para as malhas de controle, conseguiu-se demonstrar a metodologia de projeto e de controle propostas, obtendo-se uma DHT (7,7 %) reduzida na tenso de sada, e respostas dinmicas frente a degraus de carga muito rpidas e estveis. Como proposta de continuidade de trabalho prope-se o desenvolvimento de um prottipo dedicado ao projeto (Hardware dedicado), utilizando-se IGBTs rpidos, unidirecionais e de reduzidas perdas, a m de se reduzir as perdas em conduo e por comutao, e, a utilizao de circuitos de gate (drivers) que consigam operar com razo cclica e frequncias elevadas. Alm disso, de forma a garantir que a malha de corrente opere com frequncia de cruzamento de ganho elevado, poder-se-ia implementar a malha de corrente e os sinais de comando para as chaves externamente ao dSPACE, ou seja, atravs de circuitos analgicos.
Captulo 6. Concluso Geral e Continuidade do Trabalho
89
Finalmente, aplicar tcnicas de MPPT ao Inversor Boost Monofsico, de forma a se obter o mximo aproveitamento da energia, quando do acoplamento da estrutura painis fotovoltaicos.
90
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94
APNDICE A
Especicaes de Projeto
Este apndice tem a nalidade de detalhar o procedimento de projeto para o Inversor Boost, demonstrando como projetar o indutor Boost, as especicaes dos interruptores de potncia, o clculo trmico e as principais perdas na estrutura. Os principais valores obtidos teoricamente pode ser consultado na tabela 4.2, apresentada no captulo 4, na pgina 72.
A.1
Projeto do Indutor Boost
Com a nalidade de reduzir as perdas magnticas e melhorar o desempenho do inversor, o indutor Boost foi projetado utilizando ncleo toroidal de Iron Powder. Na tabela A.1 so apresentados os principais valores e parmetros utilizados para a implementao do indutor. Tabela A.1: Parmetros de projeto para o indutor Boost. Parmetro Tenso mdia de entrada Tenso ecaz de sada Corrente mdia mxima de entrada Corrente mxima de entrada Frequncia de operao do indutor Frequncia de chaveamento Potncia de operao Indutncia de entrada Temperatura mdia no indutor Fator de utilizao K Temperatura mxima no indutor Mxima permeabilidade CC Densidade de uxo magntico Bmax Densidade de corrente Jmax Valor 24 V 127 V 50 A 80 A 120 Hz 50 kHz 1000 W 100 H 40 C 0,57 100 C 50 % 0,3 T 400 /2
Na gura A.1 ilustrado um ncleo toroidal com as principais dimenses fsicas utilizadas em projeto.
APNDICE A. Especicaes de Projeto

ID ID: Dimetro interno OD: Dimetro externo Ht: Altura At: rea transversal
95
Ht At OD
Figura A.1: Ncleo toroidal - Iron Powder. O projeto do ncleo leva em conta a densidade de uxo magntico que ir circular no ncleo, assim, a energia armazenada no indutor pode ser calculada por (A.1). 1 2 = 0,125 J (A.1) 2 De maneira geral, para o projeto de indutores utiliza-se o produto da rea transversal (At) do ncleo pela rea da janela do ncleo (Aw), que indicando o quanto de enrolamento ser necessrio para permitir a passagem do uxo magntico. Esse produto AtAw pode ser calculado pela equao (A.2). = = 2 104 = 35,9 cm4 (A.2)
Escolheu-se o ncleo T400-14D fabricado pela MicroMetals, o termo 400 indica o tamanho do dimetro externo em 100 vezes o valor, na unidade de polegadas, o termo 14 indica o material e o termo D indica a altura do toroide. Na tabela A.2 apresentado os principais caractersticas do ncleo escolhido. Tabela A.2: Principais caractersticas para o ncleo T400-14D. Ncleo Al (/ 2 ) 45,50 OD () 10,20 ID () 5,72 Ht () 3,30 At (2 ) 6,85 l () 25 Vol (3 ) 171 MLT (/ ) 11,1
T400-14D
O nmero de espiras necessrias para obter a indutncia desejada dada por: = = 48 (%0 )
(A.3)
Onde %0 a porcentagem de permeabilidade inicial em funo da fora magnetizante CC (H). A fora magnetizante pode ser calculada por (A.4). = 0,4 A = 120,6 cm (A.4)
96
Atravs do valor obtido em (A.4) pode-se obter a porcentagem de permeabilidade inicial, atravs da curva de porcentagem de permeabilidade inicial em funo da fora magnetizante para o material 14 ilustrado na gura A.2.
Porcentagem de Permeabilidade Inicial x Fora Magnetizante CC 100 %0 90 80 70 1 2 3 4 6 7 10 15 20 30 40 60 100 H - Fora Magnetizante CC
Em Oersted (1 Oersted = 0,796A/cm)
200 300
500
1000
Figura A.2: Curva de porcentagem de permeabilidade inicial em funo da fora magnetizante para o material 14. A rea da janela do ncleo T400-14D pode ser calculada por (A.5). ( = 2 )2 = 25,70 cm2 (A.5)
Utilizando o fator de utilizao K a rea disponvel para preenchimento do enrolamento 14,90 cm2 . Dividindo este valor pelo nmero de espiras tem-se a rea disponvel por enrolamento: 0,3105 cm2 . Escolheu-se o o AWG 20, que possui uma rea com isolao de 0,0062 cm2 , possibilitando que seja utilizado um conjunto de 50 os (Litz). Segue-se as principais caractersticas do o AWG 20: Dimetro cobre (Dc): 0,081; rea cobre (Ac): 0,00522 ; Dimetro isolao (Di): 0,089; rea isolao (Ai): 0,00622 ; Resistncia 20C (20 ): 0,00033/; Resistncia 100C (100 ): 0,00044/; Corrente para 450A/cm2 ( ): 2,32. O parmetro MLT apresentado na tabela A.2 informa o comprimento mdio do o por volta no ncleo (MLT - Mean Length Turn), assim, o comprimento total do o para cada espira dada por (A.6). = = 532,8 cm (A.6)
97
A resistncia srie para cada o dada por (A.7). = 20 = 0,1758 (A.7)
Considerando que so 50 os em paralelo, a resistncia total ser de 3,52 m (A.8). Assim, as perdas totais no enrolamento pode ser calculador por: = 20 = 3,52 m (A.8)
= 2 = 8,8 W
(A.9)
Para calcular as perdas no ncleo deve-se primeiro calcular o pico da variao CA da ^ densidade de uxo magntico (), conforme (A.10). ^ = 108 = 64,20 Gauss 4,44 (A.10)
Onde a tenso ecaz no indutor Boost. ^ Com o valor de calcula-se as perdas no ncleo por (A.11) (OLIVER, 2002). =
^ 3 2 ^ + 2 = 1,44 mW/cm3
^ 2.3
^ 1.65
(A.11)
Onde a, b, c e d so parmetros intrnsecos do material empregado na construo do ncleo, para o material 14 utilizado no ncleo esses valores so apresentados na tabela (A.3). Tabela A.3: Principais caractersticas do material 14. Parmetro a b c d Valor 4,0 109 3,0 108 2,7 106 1,6 1014
Finalmente, para determinar as perdas no ncleo calcula-se o produto do volume do ncleo utilizado pelo valor determinado em (A.11), conforme (A.12). = 0,25 W (A.12) 1000 A empresa Micrometals, fabricante de ncleos Iron Powder, disponibiliza no site (MICROMETALS, 2010) uma ferramenta computacional para auxiliar no projeto do indutor. Com o uso da ferramenta, utilizando os mesmos parmetros de projeto, pode-se obter a curva da =
98
indutncia em funo da variao de corrente que ui pelo indutor, conforme ilustra a gura A.3.
Indutncia x Corrente no Indutor
120 Indutncia (H) 90 60 30 0 1 10 Corrente (A) 50 100 200
Ncleo: T400-14D: 48 voltas, 50 Litz, 100H
Figura A.3: Curva da indutncia em funo da variao de corrente.
A.2
Especicao do Interruptor
Para o funcionamento do inversor so necessrio quatro interruptores unidirecionais em corrente, das quais duas iro operar em baixa frequncia e duas iro operar em alta frequncia. Os interruptores quando em conduo precisam suportar uma corrente ecaz de 41,10 A, quando em bloqueio a tenso sobre o mesmo de 180,00 V, e precisa operar com frequncia de 50 kHz. Com estas especicaes pode-se utilizar o IGBT unidirecional STGW50NC60W, as principais caractersticas deste IGBT apresentado na tabela (A.4). Tabela A.4: Principais caractersticas do IGBT STGW50NC60W. Parmetro Tenso Coletor-Emissor Corrente no Coletor a 25 C Tenso Mxima de Saturao Coletor-Emissor Tempo de subida da corrente Tempo de descida da corrente Resistncia trmica juno-cpsula Resistncia trmica juno-ambiente Temperatura mxima de juno Valor 600 V 100 A 2,6 V 17 ns 35 ns 0,45 C/W 50 C/W 150 C
A.2.1
Perdas em Conduo
As perdas em conduo no IGBT so calculadas pelo produto da tenso direta e pela corrente que circula do coletor para o emissor semicondutor, conforme (A.13). 1 =
0
() () =
(A.13)
99
Onde a corrente mdia na chave. Assim, a perda em conduo para as chaves dado por (A.14). 1 = 2 = 3 = 4 = 33,00 W (A.14)
A.2.2
Perdas por Comutao
As perdas por comutao ocorrem durante a entrada em conduo e no bloqueio do interruptor, conforme ilustra a gura A.4.
IS,VCE VCC IS VCEsat

0
IS,VCE
VCC IS VCEsat
t
0
tr
(a) Entrada em Conduo
tf
(b) Bloqueio da Conduo
Figura A.4: Perdas por comutao no IGBT. As perdas por comutao podem ser desprezadas para as chaves que operam em baixa frequncia (1 e 3 ), devido a comutao dessas chaves serem muito inferiores quando comparadas com as chaves que operam em frequncias mais elevadas (2 e 4 ). Assim, a perdas por comutao pode ser obtida atravs de (A.15). ( + ) = 6,8 W (A.15) 2 As perdas totais nos semicondutores operando na frequncia da tenso de sada so dadas por (A.16) e para as chaves operando na em frequncia elevada so obtidas por (A.17). = 1 = 3 = 1 = 33,00 W (A.16)
2 = 4 2 + = 40,00 W
(A.17)
A.2.3
Especicao do Dissipador Trmico
Para que os semicondutores operem de forma adequada precisam trabalhar abaixo da temperatura mxima permitida, e normalmente apresentam uma dissipao trmica elevada, no conseguindo dissipar essa energia trmica para o ambiente (BARBI, 2007; MELO, 2010). Desta forma, necessrio o uso de dissipador de calor nos conversores chaveados, garantindo que a mxima temperatura de juno admissvel que abaixo dos valor denido pelo fabricante. A
100
gura A.5 ilustra o circuito trmico equivalente para os quatro IGBT do inversor Boost dispostos em um dissipador trmico.
PS_Total1 Tj1 PS_Total2 Tj2 PS_Total3 Tj3 PS_Total4 Tj4 Rthjc4 Tc4 Rthjc3 Tc3 Rthcd4 Td4 Rthjc2 Tc2 Rthcd3 Td3 Rthjc1 Tc1 Rthcd2 Td2 Td Rthda Ta Rthcd1 Td1
Figura A.5: Circuito trmico equivalente. Onde: representa a perda na chave ; a resistncia trmica juno-cpsula na chave ; a resistncia trmica cpsula-dissipador na chave (0,2 / ); a resistncia trmica dissipador-ambiente; a temperatura mxima de juno na chave ; a temperatura da cpsula na chave ; a temperatura do dissipador para chave ; a temperatura total do dissipador; a temperatura ambiente; varia de 1 a 4, conforme a gura A.5. Primeiramente, calcula-se a temperatura no dissipador para cada chave, conforme (A.18) e (A.19).
1 = 3 = 1 1 (1 + 1 ) = 128,55 o C 2 = 4 = 2 2 (2 + 2 ) = 124,00 o C
(A.18) (A.19)
Adota-se a menor temperatura e calcula-se a resistncia trmica do dissipadorambiente, conforme (A.20)
101
= 0,58 o C/W + 2 + 3 + 4
(A.20)
O dissipador escolhido deve possuir uma resistncia trmica de dissipador-ambiente menor que o calculado. A tabela A.5 apresenta as principais caractersticas tcnicas deste dissipador. Tabela A.5: Caractersticas tcnicas do dissipador HS15559. Parmetro Valor
Resistncia trmica sem ventilao forada 0,73 C/W/4 Resistncia trmica com ventilao forada a 6m/s 0,18 C/W/4 Dimenses 15,5x5,9 cm Massa por metro linear 18 kg/m Desta forma, utilizando o dissipador HS15559 com comprimento de 20,0cm consegue uma resistncia trmica dissipador-ambiente de 0,52 C/W.
A.3
Especicao dos Diodos
Em muita situaes pode-se no ter a disposio IGBT unidirecional em corrente. usual o IGBT vir associado com um diodo em anti-paralelo, a m de evitar que uma tenso reversa seja aplicada ao IGBT, principalmente quando uma carga indutiva conecta/desconectada, possibilitando que tenses revesas elevadas apaream e prejudiquem o funcionamento da chave. Desta forma, quando utilizado uma chave bidirecional ser necessrio utilizar um diodo em srie com a chave, com a nalidade de inibir a entrada em conduo do diodo em antiparalelo. Outra caracterstica que deve ser levada em considerao que o tempo de recuperao reversa do diodo srie deve ser maior que do diodo em anti-paralelo. Assim, para os parmetros de projeto do Inversor Boost aconselhvel a utilizao de diodos do tipo Schottky. Uma opo seria o diodo Schottky SHD114536, onde suas principais caractersticas so apresentadas na tabela A.6. Tabela A.6: Caractersticas tcnicas diodo Schottky SHD114536. Parmetro Mxima tenso de pico reversa Mxima corrente mdia em conduo Resistncia trmica juno-cpsula Queda de tenso em conduo ( = 25 ) Queda de tenso em conduo ( = 125 ) Valor 200 V 60 A 0,35 C/W 0,95 V 0,79 V
102
A.3.1
Perda em conduo
A perda em conduo para o diodo pode ser calculado atravs de (A.21). = Onde a corrente mdia que ui pelo diodo durante a conduo (A.21)
A.3.2
Perda por comutao

As perdas por comutao para o diodo pode ser calculado atravs de A.22). 2 Onde o tempo de recuperao reversa do diodo. = (A.22)
A.4
Estimativa das perdas e rendimento do inversor

As perdas estimada para o inversor dada por (A.23).
= + + 1 + 2 + 3 + 4 = 155,00 W
(A.23)
A estimativa de rendimento do inversor Boost pode ser obtido atravs da equao (A.24). = = 84,50 % (A.24)
103
APNDICE B
Detalhes da Implementao em Laboratrio

B.1 Introduo
Os circuitos que compem o Inversor Boost podem ser agrupados em quatro grupos distintos, sendo eles: o primeiro grupo envolve os componentes do circuito de potncia e os sensores; o segundo grupo envolve os estgios de condicionamento; o terceiro grupo engloba o processador digital de sinais, onde neste projeto utiliza-se o kit dSPACE ACE1104 e nalmente, o quarto grupo, que se refere ao circuito de comando, que recebe as informaes do dSPACE e atua nos interruptores do circuito de potncia. Desta forma, neste apndice so apresentados os detalhes da implementao em laboratrio para o Inversor Boost Monofsico. A gura B.1 ilustra a montagem experimental.
Figura B.1: Montagem Experimental do Inversor Boost Monofsico.
B.2
Estgio de Potncia
O circuito de potncia para o Inversor Boost Monofsico, como comentado no captulo 5, foi implementado a partir da adaptao do mdulo de ensino didtico da Semikron, tipicamente para aplicaes em inversores fonte de tenso. A viso geral da estrutura de potncia pode ser visualizada na gura 5.1, na pgina 78. A tabela B.1 apresenta as principais caractersticas para o IGBT SKM50GB123D dis-
APNDICE B. Detalhes da Implementao em Laboratrio
104
ponvel para utilizao no mdulo didtico. Tabela B.1: Principais caractersticas do IGBT SKM50GB123D. Parmetro Tenso Coletor-Emissor Corrente no Coletor a 25 C Tenso Mxima de Saturao Coletor-Emissor Tempo de subida da corrente Tempo de descida da corrente Resistncia trmica juno-cpsula Temperatura mxima de juno Valor 1200 V 50 A 3,0 V 60 ns 45 ns 0,4 C/W 150 C
Devido aos IGBTs possurem diodos em anti-paralelo houve a necessidade do adicionamento de diodos em srie com o IGBT, utilizou-se os dois diodos do mdulo de IGBT SK60GAL128 que possui um IGBT com um diodo em anti-paralelo e outro diodo em antisrie, tipicamente utilizado para implementao do conversor Boost, conforme gura B.2.
Lin S1
+
DS1
Sa1
SKM50GB123D SK60GAL128D SK60GAL128
S3
DS3
DSa1
Da2
Vin -
+ RO -
DSa3
Da4
Sa3
Cf
S2
DS2
SKM50GB123D
S4
DS4
Figura B.2: Circuito equivalente do Inversor Boost com os IGBTs e diodos. Observao: os IGBTS 1 e 3 nunca so comandados para conduo, utiliza-se apenas os diodos em anti-paralelo com esses IGBTs. A tabela B.2 apresenta as principais caractersticas tcnicas para o IGBT SK60GAL128.
105
Tabela B.2: Principais caractersticas do IGBT SK60GAL128. Parmetro Diodo Anti-paralelo Valor 1200 V 57 A 0,9 K/W 1,1 V Diodo Anti-srie Valor 1200 V 33 A 2,1 K/W 1,2 V
Mxima tenso de pico reversa Mxima corrente mdia em conduo Resistncia trmica juno-cpsula Queda de tenso em conduo ( = 25 )
B.3
Sensores de Tenso na Carga e Corrente no Indutor
Os sensores de tenso na carga e corrente no indutor foram implementados em uma placa independente, onde se optou pela utilizao de sensores, que operam atravs do efeito Hall, com a nalidade de amostrar as formas de onda da tenso no capacitor de sada e da corrente no indutor boost, e devido a tecnologia empregada nos sensores facilitarem o isolamento do circuito de potncia do circuito de condicionamento. Optou-se por utilizar sensor do tipo Hall LA55-P, da fabricante LEM, para sensorar a corrente no indutor devido a algumas vantagens, tais como: isolao galvnica entre primrio e secundrio; uma boa relao linear entre primrio e secundrio; offset praticamente ausente; tempo de resposta muito rpido (menor do que 1s); ampla faixa de variao de frequncia (0 at 200kHz); alta imunidade para rudos externos; capacidade elevada de corrente (0 a 50A). A relao de converso do primrio para o secundrio , respectivamente, de 1 para /1000, onde a quantidade de espiras enroladas. No secundrio do sensor conectada uma resistncia em paralelo, sendo o seu valor tpico entre 10 a 160, convertendo a corrente de sada ( ) em um valor de tenso adequado para o circuito de condicionamento. O sensor selecionado para amostar a tenso o LV-25P, que apresenta excelente preciso, boa linearidade, baixa inuncia de temperatura, tempo de resposta rpido, imunidade elevada a interferncias e inuncia pequena a rudos de modo comum. Este sensor especicado para medir tenses entre 10 e 500V, deve-se inserir uma resistncia em srie com o primrio a m de obter uma corrente proporcional a tenso que est sendo medida. No secundrio do sensor conectada uma resistncia em paralelo, com valor tpico entre 100 a 350, convertendo a corrente de sada ( ) em um valor de tenso . Na gura B.3, apresenta-se o esquemtico dos sensores de tenso na carga e corrente no indutor.

Sensor de corrente LA 55-P (Efeito Hall) +15V -15V +15V -15V + 180V R1 21,8k LA 25-P (Efeito Hall) Alimentao Sinal Lgico de sada iVsensor VVsensor RVsensor 322 -15V +15V C1 100nF
SMA
106
Alimentao Sinal Lgico de sada
+15V -15V iIsensor VIsensor M iL(t) RIsensor 124

SMA
C1 100nF
GND potncia
(a) Sensor de tenso
(b) Sensor de corrente
Figura B.3: Sensores de tenso na carga e de corrente no indutor. Na gura B.4apresenta-se a placa contendo os sensores implementada em laboratrio.
Figura B.4: Placa contendo os sensores.
B.4
Condicionamento de Sinais
Uma placa de circuito impresso foi desenvolvida para receber todos os componentes do estgio de condicionamento e ataque das chaves. Este estgio responsvel pela adequao das amplitudes dos sinais que ser enviado para o AD do dSPACE, explorando ao mximo a escala permitida, ltragem de rudos (ltros anti-aliasing), e tambm responsvel pelo recebimento dos sinais PWM e envio do sinal de ataque para o mdulo Semikron. O circuito de condicionamento para a corrente do indutor e da tenso no capacitor contm um buffer, um ltro anti-aliasing, uma proteo de sobretenso (diodo Zener). Na gura B.5 apresenta-se um desenho esquemtico para o estgio de condicionamento da corrente no indutor e da tenso na carga.

Condicionamento de Corrente
Filtro anti-aliasing Buffer
Sinal Lgico de entrada (Corrente)
107
+15V +15V
C1 100nF
C4 100nF
SMA
LM6171
R1 2k2
C2 100nF
LM6171
R2 220
C5 100nF
120Hz/6V
AD1 - DSP +6V
+
C3 4,7nF
-15V
+
-15V
KIL
+15V -15V
Alimentao
Condicionamento de Tenso
Filtro anti-aliasing Buffer
Sinal Lgico de entrada (Tenso)
+15V +15V
C1 100nF
C4 100nF
SMA
LM6171
R1 2k2
C2 100nF
LM6171
R2 220
C5 100nF
60Hz/6V
AD2 - DSP -6V
+
C3 4,7nF
-15V
+
-15V
+6V
KVO
Figura B.5: Condicionamento do sinal de corrente e de tenso. Os sinais de pulsos para as chaves so gerados pelo DSP, cada sinal recebido pela placa de condicionamento e passa por dois buffers: pelo de tenso e, em seguida, pelo de corrente. Assim, este sinal conduzido para o driver (SKHI22A) de ataque das chaves, localizado no mdulo da Semikron, conforme ilustra a gura B.6.
Buffer de tenso R1 470
DSP I/O1
Buffer de Corrente
Pulso Chave S1
BNC

DSP I/O2
Buffer de Corrente
Pulso Chave S3
SMA
74LS07 R2 10k
4050 R3 10k
74LS07 R2 10k
4050 R3 10k
+15V
Alimentao Buffer de tenso R1 470 Buffer de Corrente Pulso Chave S2

SMA

DSP PWM2
Buffer de Corrente
Pulso Chave S4
SMA
DSP PWM1
74LS07 R2 10k
4050 R3 10k
74LS07 R2 10k
4050 R3 10k
Figura B.6: Condicionamento do sinal de ataque das chaves. A gura B.7 exibe a placa de circuito impresso desenvolvida para o estgio de condicionamento de sinais.
108
Figura B.7: Condicionamento do sinal de ataque das chaves.
B.5
Placa de Alimentao Auxiliar
Para alimentar os sensores do tipo Hall e todo o estgio de condicionamento desenvolvese uma placa de circuito impresso para funcionar como fonte de alimentao auxiliar, conforme ilustra a gura B.8.
Figura B.8: Placa de Alimentao auxiliar.
109
B.6
Estimativa das perdas e rendimento do inversor implementado
De acordo com as equaes apresentadas no apndice A calculou-se as perdas estimadas para o inversor implementado operando na frequncia de 25kHz e para uma potncia de 101W na entrada, utilizou-se os valores mensurados experimentalmente, que esto dispostos na tabela 5.1. Com a nalidade de comparar o projeto do inversor com IGBTs unidirecionais apresentado no apndice A com o inversor Boost utilizando os IGBTs e diodos srie especicados neste apndice, a tabela B.3 apresenta as perdas estimadas para o inversor Boost operando com potncia de entrada de 101W, com frequncia de chaveamento de 25 kHz, frequncia mxima suportada pelo driver SKHI22A. Tabela B.3: Estimativa de Perdas para o Inversor operando com uma potncia de 101W na entrada, com frequncia de chaveamento de 25kHz. Componente Perdas (W) (101W na entrada) 0,30 1,50 1,90 1,50 1,90 1,20 1,37 1,20 1,37 12,24 87,88%
Indutor IGBT 1 IGBT 2 IGBT 3 IGBT 4 Diodo 1 Diodo 2 Diodo 2 Diodo 4 Perdas Totais Rendimento
B.7
Implementao do Controle no dSPACE
O controle para o inversor Boost monofsico foi implementado utilizando a ferramenta Simulink/MatLab, fazendo-se uso das caixas de ferramentas (toolboox) padres do MatLab em conjunto com as caixas de ferramentas fornecidas pelo kit dSPACE ACE 1104, conforme ilustra a gura B.9. Atravs do esquemtico implementado no Simulink, o MatLab gera um contedo de dados que enviado para a plataforma ControlDesk, que fornecido pelo kit dSPACE, e permite uma maior interao entre o Inversor e o controle digital. Atravs desta plataforma possvel
110
Figura B.9: Esquemtico do Controle implementado no Simulink/MatLab. modicar os paramtros de controle e visualizar tanto os sinais que so recebidos quanto os sinais internos do controle no dSPACE. A gura B.10 exibe a programao utilizada no controle do inversor Boost, onde possvel modicar o compensador de corrente e de tenso, modicar o pico da senoidal de referncia e, pode-se observar as formas de onda de tenso na carga, de corrente no indutor e a sada do compensador de corrente (modulante senoidal).
Figura B.10: Esquemtico do Controle implementado no ControlDesk.

Dissertacao Leonardo P Sampaio

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Campus de Ilha Solteira

PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA ELTRICA

Leonardo Poltronieri Sampaio

Orientador: Prof. Dr. Carlos Alberto Canesin

Ilha Solteira - SP Agosto de 2010

Conversor Elevador CC/CC

Estrutura Integrada Elevador + Inversor CC/CA

(a) Associao de dois conversores: elevador e inversor

(b) Uso de uma estrutura integrada para elevar e inverter a tenso

Figura 1.3: Circuito eltrico equivalente de uma clula solar.

Conversores Elevadores de Tenso do Tipo Boost

Conversor Boost Clssico

(1.3) (1.4) (1.5)

5 Ganho Esttico (G) 4 3 2 1 0

RL/R=0,02 RL/R=0,05 RL/R=0,1

Razo Cclica (D)

Figura 1.7: Conversor Boost ZVS PWM.

Conversor Boost Quadrtico

Figura 1.10: Conversor Boost quadrtico com nmero reduzido de componentes.

Inversores Monofsicos do tipo VSI

Figura 1.11: Modulao PWM Senoidal utilizada no Inversor VSI.

Inversores monofsicos do tipo CSI

(a) Indutor em srie com a tenso de entrada

(b) Modelo genrico considerando fonte de corrente na entrada

Estruturas Integradas Monofsicas

(a) Conversor Boost CC-CC bidirecional em corrente

(b) Inversor Boost

Figura 1.20: Inversor Full-Bridge Buck-Boost srie ressonante - FB-SRRBI.

Inversor Boost Monofsico

S1 S2 S3 S4 IL Iref CONTROLE Vo Vref

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

(a) Trajetria da Corrente

(b) Circuito Equivalente

Figura 2.2: Etapa de pr-carga do capacitor (0 < ), semi-ciclo positivo.

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

(a) Trajetria da Corrente

(b) Circuito Equivalente

(a) Trajetria da Corrente

(b) Circuito Equivalente

Figura 2.4: Segunda etapa de funcionamento, semi-ciclo positivo.

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

(a) Trajetria da Corrente

(b) Circuito Equivalente

Figura 2.5: Etapa de pr-carga do capacitor ( < + ), semi-ciclo negativo.

(a) Trajetria da Corrente

(b) Circuito Equivalente

(a) Trajetria da Corrente

(b) Circuito Equivalente

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

Modulao PWM Senoidal

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

Vtri Vsen Vinf

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

1,0 = 0,05 0,8 Razo Cclica (D) = 0,2 = 0,4

= 0,6 = 0,8 0 /4 /2 t 3/4

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

Resultando em (2.22). = 1 |sen()| (2.22)

1,0 = 0,05 Ondulao de Corrente (ILNorm) 0,8 = 0,2 = 0,4

= 0,6 = 0,8 0 /4 /2 t 3/4

Captulo 2. Inversor Boost Monofsico

Variao da DHT em funo de