O Transistor, 50 Anos

(The transistor, fty years)

Adenilson J. Chiquitoe Francesco Lanciotti Jr.

Departamento de Fsica Universidade Federal de S o Carlos a Caixa Postal 676 - CEP 13565 - 905 - S o Carlos / SP. a Recebido 5 de fevereiro, 1998

Neste ano, a descoberta do efeito transistor completa cinq enta anos. Marcando este acontecimento, u tratamos neste trabalho, de alguns aspectos na pesquisa em semicondutores, que culminaram na descoberta deste efeito. This year, the transistor completes fty years. In this work, we show some aspects of the researches on semiconductor physics responsible by the discovery of the transistor effect.

I Introducao
Os materiais semicondutores s o largamente respons veis a a pelo grande desenvolvimento da ind stria eletr nica e pelo u o surgimento de novas tecnologias. Este car ter acentuoua se principalmente ap s o desenvolvimento de heteroestruo tutras semicondutoras, nas quais diferentes materiais s o a unidos produzindo estruturas com propriedades eletr nicas o e opticas distintas das apresentadas pelos materiais da liga. A import ncia dessas estruturas n o se restringe apenas a a a ` tecnologia. Descobertas pertinentes a aspectos b sicos da a Fsica puderam ser alcancados somente ap s o seu desen o volvimento (efeito Hall Qu ntico [6], entre outros). a Foi no nal da d cada de 40 que os primeiros esforcos e realmente importantes foram dados nesta area. Anterior mente, a pesquisa em semicondutores baseava-se no estudo de contatos reticadores para aplicacao em circuitos de r dio-comunicacao, e era comum naquela epoca duvidara se da necessidade de tais pesquisas, frente ao avanco das v lvulas termoi nicas. Durante a Segunda Guerra Mundial, a o a pesquisa sobre materiais semicondutores (principalmente silcio e germ nio) intensicou-se [11]. A descoberta do a efeito transistor em 1948 por Bardeen e Brattain [1] marca o incio de uma nova era, tanto na pesquisa em semicondu
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tores como no desenvolvimento tecnol gico. o Apesar das pesquisas em semicondutores ser inicialmente ridicularizada frente a import ncia das v lvulas, hoje ` a a a sua necessidade e indiscutvel [5]. H cinq enta anos a u teve incio um processo de cooperacao entre Fsica de Semi condutores, tecnologia e construcao de novos dispositivos, provocando um dos mais importantes e bem sucedidos caminhos de transfer ncia do conhecimento cientco puro para e a aplicacao no desenvolvimento social. A descoberta do efeito transistor e sua posterior utilizacao como substituto das v lvulas tornou clara a alta potencialidade tecnol gica a o dos materiais semicondutores e inegavelmente foram fundamentais para que estes materiais alcancassem a import ncia a que hoje det m. Mas como se deu o incio da pesquisa em e semicondutores, particularmente em relacao a descoberta ` do efeito transistor? Neste trabalho tentamos condensar a evolucao hist rica das pesquisas iniciais nesta area, que cul o minaram com a invencao do transistor.

II As pesquisas at a descoberta do e transistor

Para falar sobre os prim rdios da pesquisa em semicono dutores que levaram a ` descoberta do efeito transistor,

alguns importantes fatos hist ricos devem ser lembrados, o como as tentativas de transmiss o sem o conduzidas por a Marconi (1895), obtendo sucesso em 1901 com a transmiss o de sinais el tricos de um lado a outro do Atl ntico. a e a Surgia, ent o, as bases do r dio como o conhecemos atuala a mente. As transmiss es de r dio necessitavam de um est gio o a a de deteccao no receptor para as ondas eletromagn ticas e produzidas no transmissor uma vez que a codicacao de informacoes e feita com dois sinais el tricos: o sinal a ser e transmitido (geralmente de baixa freq encia) e um outro u chamado de portador (geralmente de alta freq encia, conu hecida como r dio-freq encia), respons vel pelo transporte a u a do primeiro. O processo de deteccao consiste na separacao dos sinais atrav s de um reticador que, a grosso modo, e elimina o sinal alternado portador deixando passar somente o sinal de baixa freq encia. Um dos primeiros est gios de u a deteccao construdos foi o coesor de Branly, que consis tia em um tubo contendo limalha de ferro. Em seguida, foi descoberto que o cristal de galena (mineral do qual extrai-se o chumbo) tinha as mesmas propriedades detectoras apresentadas pelo coesor e poderia ser usada na deteccao de ondas de r dio mais facilmente que o tubo de limalha de a ferro [3]. As propriedades detectoras mencionadas acima, referem-se a propriedade que foi, sem d vida, o que inicial` u mente motivou a pesquisa em semicondutores. Um semicondutor e um material que exibe um comportamento muito interessante quando lhe aplicada uma diferenca de poten cial: sua resist ncia a passagem de corrente el trica varia e ` e conforme variam a intensidade da d.d.p. aplicada e sua polaridade. Um reticador ideal seria aquele que apresentasse uma resist ncia innita para uma dada polarizacao e ree sist ncia nula a polarizacao inversa como mostrado na gura e 2.1 (na pr tica, obtemos valores de resist ncia muito elevaa e dos, da ordem de megaohms ou desprezivelmente pequenos, da ordem de microohms). Obviamente, este material n o a obedece a Lei de Ohm neste regime de operacao, e esta caracterstica pode ser aproveitada para v rias nalidades, a como o detector usado em r dio-comunicacao. Na gura a 2.2, pode-se observar o efeito de um reticador quando submetido a uma diferenca de potencial alternada: quando a po laridade da fonte e tal que a corrente fornecida tem a mesma direcao da seta do reticador, h a passagem de corrente para a

a carga. A d.d.p. alternada apresenta dois semiciclos de polaridade oposta variando no tempo mas, ap s o reticador o (na carga), teremos apenas uma polaridade denida. De forma an loga, e possvel separar os sinais el tricos provea e nientes da antena em um receptor de r dio, usando para isso a um reticador. Durante este perodo de desenvolvimento do r dio, a T. A. Edison trabalhava com o aprimoramento da l mpada el trica, que posteriormente baseou a cons- trucao a e das v lvulas eletr nicas, as quais tornaram-se compoa o nentes natos de todos os equipamentos eletro-eletr nicos, o bem como as respons veis pelo grande crescimento das a telecomunicacoes desde o incio deste s culo at meados e e dos anos 50. Com as v lvulas, a deteccao de sinais de a r dio pelo cristal de galena tornou-se obsoleta, e assim pera maneceu at que estudos sobre outro cristal, o germ nio, e a com propriedades reticadoras (ou semicondutoras, termo que havia surgido em 1911) mostraram que seria possvel a construcao de um detector de estado s lido. Durante esta o epoca as v lvulas dominavam o mercado e a ind stria e so a u mente em 1945 foi construdo o primeiro reticador comer cial, o 1N34 da Sylvania [3].

Figura 2.1

Figura 2.2

Os interesses acad micos, entretanto, proporcionaram e grandes avancos na area de Fsica de Estado S lido com o o aprimoramento de alguns conceitos (como o conceito de buracos e el trons em redes cristalinas). Os pesquisadores e A. H. Wilson e W. Schottky foram os primeiros a aplicar conceitos de Fsica aos semicondutores. Em 1922, Eduard Gr niesen distinguiu os semicondutores como s lidos cuja u o condutividade e funcao da temperatura. Com a mec nica a qu ntica p de-se estruturar a teoria de bandas de energia a o para s lidos, possibilitando uma vis o geral do problema. o a Nos anos 30, uma s rie de artigos e livros foram escritos e (principalmente, destacam-se os de Wilson), fornecendo uma base s lida para o desenvolvimento do estudo te rico o o sobre semicondutores. Wilson [14] esclareceu o conceito de buracos e comecou estudos num dos mais impor tantes t picos em Fsica de Semicondutores: as impurezas. o Por outro lado, Schottky contribuiu com estudos te ricoo experimentais em contatos metal-semicondutor [9], estabelecendo uma teoria baseada numa barreira de potencial que surgia entre estes dois materiais quando colocados em contato, resultado da diferenca entre funcao trabalho do metal e eletroanidade do semicondutor (conceitos estes, novssimos naquela epoca, vindos do desenvolvimento da teoria da Mec nica Qu ntica). Entre 1939 e 1945 nenhum a a avanco signicativo na area de semicondutores foi realizado, mesmo porque n o se considerava que os semicondutores a exibissem alguma import ncia fundamental em tecnologia, a mas o aspecto cientco estava cada vez mais sendo in vestigado (segundo A. B. Fowler [4] a primeira vez que o t pico semicondutor apareceu no ndice da revista Physio cal Review foi em 1946). A unica aplicacao que realmente alcancou algum m rito nesta epoca foram os detectores de e microondas baseados em contatos metal-germ nio ou metala silcio, motivados pela utilizacao de radares no front du rante a Segunda Guerra Mundial, dada a sua robustez em comparacao com as v lvulas. a Os reais avancos somente vieram com o nal da guerra: as pesquisas concentraram-se nos laborat rios da compano hia telef nica dos Estados Unidos (Bell Telephone Laborao tories), dirigidas por William Shockley, e na Universidade de Purdue, sob a direcao de Karl Lark-Horovitz. Shock ley estava empenhado em descobrir um substituto para as v lvulas que pudesse ser construdo a partir de materiais a

semicondutores, e para tanto, trabalhava com lmes nos de silcio. Em Purdue desenvolviam-se estudos b sicos com a cristais de germ nio, procurando estabelecer bases concrea tas para o desenvolvimento de dispositivos de estado s lido. o Depois da proposta de Schottky para explicar o comportamento el trico do contato metal-semicondutor [9], algue mas observacoes experimentais comecaram a contradiz -la. e Observava-se que a altura da barreira Schottky de um contato metal-semicondutor n o variava signicativamente se a o metal da juncao era trocado. De acordo com a teoria de Schottky este comportamento era impossvel, uma vez que a altura da barreira era governada apenas pela diferenca entre funcao trabalho do metal e eletroanidade do semicondu tor. Em 1947, John Bardeen (laborat rios Bell) sugeriu que o isto acontecia devido aos estados de superfcie [2] associa dos com a dimens o nita da amostra e com imperfeicoes a da rede cristalina, o que sicamente implicava na xacao do nvel de Fermi em dado ponto dentro do gap de en ergias proibidas do semicondutor, xando, portanto, a altura da barreira Schottky. De imediato, passou-se a estudar a hip tese de Bardeen, atrav s de experimentos para a o e deteccao e caracterizacao dos estados de superfcie, experi mentos estes, realizados com dois eletrodos met licos coloa cados sobre a superfcie de um cristal semicondutor como mostrado na gura 2.3. Por m os resultados eram inconclue sivos e havia rumores de que o respons vel pelas pesquisas a (Shockley) iria cancelar o projeto. Em meio as expectati` vas, Bardeen em colaboracao com Walter Brattain (tamb m e pesquisador dos laborat rios Bell) comecou a trabalhar com o materiais puros, e em um de seus experimentos observou o efeito transistor, ou seja, a amplicacao de um sinal el trico e aplicado em um dos eletrodos (emissor). O sinal apareceu no segundo eletrodo, o coletor, com uma pot ncia sensivele mente maior (gura 2.3). Inicialmente chamou-se este dispositivo de triodo semicondutor em analogia a v lvula tri` a odo que apresentava a mesma caracterstica de amplicacao. O nome transistor, surgiu depois, sendo originalmente usado como uma abreviacao para transfer resistor, referindo-se ao fato da operacao do transistor envolver a transfer ncia de e corrente de um circuito para outro [7]. Ao contr rio do que a se pensa, esta descoberta se deu em dezembro de 1947 e n o a em junho de 1948. A divulgacao das pesquisas foi retardada durante este perodo pois os inventores juntamente com o

laborat rio estavam empenhados em obter a patente do trano sistor, a qual foi concedida somente em junho de 1948 [11]. A repercuss o desta descoberta n o foi grandiosa como a a se imagina, uma vez que n o se discutia naquela epoca a a substituicao de v lvulas por semicondutores. Mesmo assim a sugeriu-se a aplicacao deste novo dispositivo em equipa mentos ordinariamente baseados em v lvulas, como ama plicadores e osciladores. Mais uma vez, o transistor estava em desvantagem: o dispositivo construdo por Bardeen e Brattain tinha s rios problemas relacionados com a ese tabilidade e reprodutibilidade dos contatos el tricos, fato e que impedia sua aplicacao como substituto das v lvulas em a circuitos comerciais, tornando-o impr prio para aplicacoes o tecnol gicas nas quais desejava-se conabilidade. Apesar o disto, v rios transistores de contato de ponto foram cona strudos no incio da d cada de 50. Eles usavam o princpio e desenvolvido por Bardeen e Brattain, com a diferenca dos contatos met licos serem fundidos sobre a superfcie do a cristal, mas mesmo assim, ainda n o eram con veis. a a

de el trons e introduzido no cristal de silcio, estar apto a e a ceder (ou receber) el trons. Se houver doacao (aceitacao) de e el trons, o material e dito tipo n (p). Nesta nova situacao, o e cristal semicondutor pode conduzir eletricidade. O transistor bipolar criado por Shockley [10] era ainda te rico, mas com este novo formato, os transistores podeo riam vir a ser utilizados comercialmente - como ocorreu na d cada de 50, quando comecaram a ser utilizados em pee quena escala para a construcao dos mais diversos equipa mentos. A operacao do transistor bipolar e basicamente a mesma do seu precursor, o transistor de contato de ponto. O dispositivo bipolar constitui-se da sobreposicao de tr s ca e madas semicondutoras: uma tipo n (p) denominada base e outras duas, tipo p (n) denominadas coletor e emissor (gura 2.4). Neste dispositivo uma corrente de controle e aplicada entre o emissor e a base. Os el trons s o injetados na base e a atrav s da juncao com o emissor (devido a diferenca de poe ` e tencial Vbe ) e uem atrav s da juncao com o coletor para o circuito externo (devido a d.d.p. V ce ). Quando a voltagem ` na base varia, a corrente no circuito externo varia proporcionalmente [8,12].

Figura 2.3

Somente em 1949, William Shockley, respons vel pelo a grupo de pesquisa em semicondutores nos Laborat rios o Bell, aperfeicoou o transistor de contato de ponto (criado por Bardeen e Brattain) desenvolvendo o transistor de juncao bipolar, baseado no conceito de dopagem em semicondutores, o qual ele pr prio ajudou a esclarecer e desenvolver o [10]. Em poucas palavras, dopagem signica a inclus o a de um atomo estranho em uma rede cristalina homog nea. e Tomemos como exemplo a dopagem de um cristal de silcio, cujos atomos possuem quatro el trons em suas camadas e mais externas. Microscopicamente, se n o houver el trons a e livres na rede cristalina, o silcio comporta-se como um isolante. Se um atomo com um n mero maior (ou menor) u Em 1956, Bardeen, Brattain e Shockley receberam o Pr mio Nobel de Fsica pela descoberta e aperfeicoamento e do transistor. Bardeen e Brattain seguiram na pesquisa b sica de Fsica de Estado S lido, enquanto que Shockley a o voltou-se para a ind stria criando a empresa Shockley Semiu conductor Co. que posteriormente deu origem a Intel [8]. ` Dadas as possibilidades de aplicacao dos transistores (ou mais fundamentalmente, dos semicondutores em geral) e o ainda reduzido conhecimento acerca destes materiais,
Figura 2.4

tornava-se imperativo que os esforcos fossem voltados para a pesquisa b sica em Fsica de Estado S lido. Houve, ent o, a o a uma grande explos o de interesse por parte de cientistas a e empres rios do mundo todo, estabelecendo-se uma forte a relacao entre ind stria e pesquisa cientca e os subsdios u para o progresso nas aplicacoes do transistor impulsionaram n o somente o desenvolvimento deste, como tamb m o surga e imento de novos dispositivos baseados em materiais semicondutores. N o houve ainda uma revolucao na ci ncia e tecnologia a e que superasse a que foi criada pela descoberta do transistor. A maioria dos equipamentos eletro-eletr nicos de que hoje o dispomos s o baseados em transistores ou em seus derivaa dos diretos como os circuitos integrados. E importante lembrar que um circuito integrado nada mais e que um aglomer ado de transistores, resistores e capacitores, construdos so bre uma unica pastilha de semicondutor [13]. Efetivamente, os primeiros transistores foram construdos com silcio e germ nio somente, mas com as pesquisas, outros materiais e a ligas (como o GaAs) tornaram-se importantes sobretudo em dispositivos que exigem alta velocidade de resposta. Atualmente n o mais se discute a import ncia do transistor e das a a pesquisas subseq entes em Fsica de Semicondutores, haja u visto o papel que estes materiais desempenham em nossa sociedade. Apesar dos muitos resultados em Fsica pura que pud eram ser observados com o advento dos semicondutores, a pesquisa realizada com estes materiais continua a depender de sua import ncia tecnol gica. Existem ainda muitos proba o lemas em semicondutores que podem se tornar importantes e respons veis por mudancas como a provocada pelo trana sistor.

alizados no Instituto de Fsica da USP-SP sobre efeitos magneto-oscilat rios. Em 1970-71 a Fsica de Semicono dutores tomou um grande impulso com a criacao de um grande grupo de pesquisa na rec m criada UNICAMP. Soe mente a partir de 1978 (nesse ano havia sido realizado o primeiro Encontro Nacional de Fsica da Mat ria Conden e sada) e que a Fsica de Semicondutores foi realmente im pulsionada, tornando-se hoje a area da mat ria condensada e com o maior n mero de pesquisadores [15]. u A pesquisa em semicondutores teve este grande impulso tamb m por comecar a ser considerada pelo governo como e uma area estrat gica dos pontos de vista econ mico e mili e o tar, tanto que por volta de 1980, foi elaborado o Plano Diretor de Semicondutores pelo GEICOM (Grupo Executivo Interministerial de Componentes e Materiais), com vistas a ` regulamentacao das atividades comerciais e industriais rela cionadas com semicondutores no Brasil. Cabia, portanto, as universidades a parte de pesquisa e desenvolvimento e ` ainda, a formacao de recursos humanos. Foram estabeleci das normas e regulamentacoes para a fabricacao de compo nentes, para a criacao de laborat rios e centros de pesquisa o em todo o pas. Em funcao deste plano, surgiram grupos de pesquisa em v rias universidades, como por exemplo: UFSa Car, USP-S o Carlos, PUC/RJ, UFF, UnB, COPPE, UFRN, a UFRJ, UFMJ, entre outras [15]. Devido ao grande desenvolvimento internacional alcancado na pesquisa em semicondutores, o Brasil tamb m e teve essa area bastante estimulada nesta ultima d cada, prin e cipalmente com o estudo (te rico e experimental) de proo priedades opticas e el tricas de estruturas heterog neas, e e como as superredes.

IV III A pesquisa em semicondutores no ` Brasil, a epoca do transistor

No Brasil, o desenvolvimento da Fsica de Semicondutores, e portanto do estudo de dispositivos eletr nicos como o trano sistor e relativamente recente: aproximadamente 20 anos (1963) ap s da descoberta do efeito transistor nos Estados o Unidos, e que a comunidade cientca brasileira comecou a ver a import ncia desta nova area. a Data de 1963 os primeiros trabalhos experimentais em semicondutores, re-

Conclus o a

Abordamos de forma sucinta a hist ria da descoberta do o efeito transistor seguindo a ordem cronol gica dos estudos o que a possibilitaram. Obviamente, este trabalho n o prea tende conter um estudo detalhado acerca da evolucao do transistor, mas apresentar o mais didaticamente possvel as circunst ncias que motivaram o incio das pesquisas. Este a trabalho n o foi o primeiro e nem ser o ultimo a tratar deste a a assunto, dada a sua import ncia, mas esperamos que possa a dar uma vis o geral sobre este fato hist rico revolucion rio. a o a

Refer ncias e
[1] J. Bardeen and W.H. Brattain, (1948). Physical Review 74, 230

[8] C. T. Sah, Fundamentals of Solid-State Electronics World Scientic Publishing Co. Pte. Ltd., 1991 [9] W. Schottky, Naturwissenschaften 26, 843 (1938). [10] W. Shockley, Bell Syst. Tech. J. 28, 435 (1949). [11] F. Seitz, Physics Today, janeiro, pag. 22 (1995). [12] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, John Wiley and Sons, 1985. [13] S. M. Sze, VLSI Technology , editado por S.M. Sze, McGraw-Hill Book Company, 1983. [14] Veja por exemplo: A. H. Wilson, Proc. Roy. Soc. A134, 279 (1931). [15] Veja por exemplo:A Fsica no Brasil na Pr xima D cada o e Fsica da Mat ria Condensada, SBF, 1990. e

[2] J. Bardeen, Physical Review 71, 717 (1947). [3] A. Fanzeres, Consertos de Aparelhos Transistorizados, Editora Tecnoprint, Rio de Janeiro, 1985. [4] A. B. Fowler, Physics Today , outubro, pag. 59 (1993). [5] N. Holonyak Jr., Physics Today, abril, pag. 36 (1992). [6] K. von Klitzing, G. Dorda and M. Pepper, Physical Review 45, 494 (1980). [7] M. Ali Omar, Elementary Solid State Physics - Principles and Applications, Addison-Wesley Publishing Company, Reading, 1974.