Cap 4 Conceitos de

Cristalografia
Jacobus W. Swart
CCS e FEEC - UNICAMP
Sumrio
Introduo
Clula unitria e sistemas cristalinos
Orientao de planos de um cristal
Determinao da estrutura de um cristal
Defeitos em cristalinos
4.1 Introduo -
Estrutura da Matria
4.2 Conceitos de Cristalografia
Substncia cristalina: tomos esto dispostos em
posies regulares no espao.
Descrio: rede + base
Rede = estrutura geomtrica
Base = distribuio dos tomos em cada ponto da rede.
Rede definido por 3 vetores
tal que:
c b a

, ,
c w b v a u r r

+ + + = '
onde, u, v, w = inteiros
Ponto r idntico ao ponto r.
Ex. Rede cbica de face
centrada com 2 tomos
por ponto de rede.

(cristal de NaCl)
Clulas Cristalogrficas
e Sistemas Cristalinos
Clula unitria: uma clula que transladado n
vezes nas direes x, y, z, gera toda a rede.
Clula primitiva: a menor clula capaz de gerar
a rede.
Clulas de Bravais: Bravais demonstrou que s
existem 14 tipos de clulas unitrias, agrupados
em 7 sistemas.
Sistema cbico (a=b=c; o=|==90):
a) cbico simples; b) cbico de corpo
centrado; c) cbco de faces centradas
Sistema tetragonal (a=b=c;
o=|==90): a) tetragonal
simples; b) tetragonal de
corpo centrado.
Sistema ortorrmbico (a=b=c; o=|==90): a) ortorrmbico simples;
b) ortorrmbico de bases centradas; c) ortorrmbico de corpo
centrado; d) ortorrmbico de faces centradas
Sistema monoclnico (a=b=c;
o==90 =|): a) monoclnico simples;
b) monoclnico de bases centradas
Sistema triclnico (a=b=c;
o=|==90)
Sistema rombodrico ou
trigonal (a=b=c; o=|==90)
Sistema hexagonal
(a=b=c; o=|=90, =120)
Exemplos:
Rede CCC: Cr, Li, Ba, Nb,
Cs, W
Rede CFC: Al, Cu, Pb, Ni,
Ag
Rede Cbico Simples:
CsCl (base 2)
Rede tipo diamante = CFC
e base 2. Os 2 tomos da
base 2 esto dispostos
alinhados na diagonal do
cubo e distantes a da
diagonal.
Pode ser vista
tambm como duas
redes CFC simples
entrelaadas e des-
locadas na diagonal
e distantes a da
diagonal.
Diamante, Si e Ge
tm esta estrutura.
GaAs e outros III-V
tambm
(zincbelnde)
Clula primitiva do diamante rombodrica ou trigonal
4.2 Definio de Planos e Direes Cristalogrficas
ndices de Miller:
a) Distncias das interseces
b) Tomar inversos dos valores
c) Reduzir os resultados a nmeros
inteiros com a mesma relao entre si
Ex.: 2 x = 1; 2 x = 1; 2 x 1 = 2
plano (1,1,2) ou (112)
Direes cristalogrficas [l,m,n]:
So expressos por 3 n
os
inteiros
com a mesma relao de um vetor
naquela direo.
Os componentes do vetor so dados como
mltiplos dos vetores de base.
A direo da diagonal em sistema tipo
paraleleppedo tem as componentes 1a, 1b, 1c, ou
seja: [111]
Em cristal cbico, a direo [l,m,n]
perpendicular ao plano (l,m,n). Ex. [100]
perpendicular ao plano (100)
Direes e Planos Equivalentes:
Do ponto de vista cristalogrfico, existem
direes e planos equivalentes, dependendo
apenas da escolha arbitrria dos eixos de base.
Ex. Direes [100], [010] e [001]
Direes equivalentes so expressos por < >,
no ex. dado temos direes <100>
Ex. Planos (100), (010) e (001)
Planos equivalentes so expressos por { }, no
ex. dado temos os planos {100}.
4.3 Determinao da Estrutura de um Cristal
A estrutura de um cristal pode ser determinado pela
anlise de difratograma de raio X.
baseado no princpio de interferncia de raios di-
fratados de acordo com a lei de Bragg:
u sen 2d n =
4.4 Defeitos em Cristais
No existe cristal perfeito.
Tipos de defeitos:
Pontuais
Lineares
Planares
Volumtricos
a) Defeitos pontuais
kT
E
v
av
e N n

=
0
Densidade de defeitos pontuais cresce com
a temperatura (rel. tipo Arrhenius). Ex. vacncias,
onde: N
0
a densidade do Si, E
av
a energia de ativao.

b) Defeitos lineares:
Discordncia de borda
ou de cunha
Discordncia
tipo parafuso
ou espiral.
c) Defeitos
planares
Stacking fault
ou falha de
empilhamento.
Plano de simetria de cristais gmeos:
Plano de contorno de gro:
d) Defeitos volumtricos
Precipitados de tomos,
ex., O, C, N, dopantes, etc.
Revelao de defeitos:
Etching: Composio:

Sirtl Cr
2
O
3
(5M):FH
(1:1)
Seeco K
2
Cr
2
O
7
(0.15M):HF
ou Cr
2
O
3
(0.15M):HF
(1:2)
Dash HF:HNO
3
:cido actico
(1:3:10)
Discordncias: a) perpendiculares (280 x) b) paralelas superfcie (55x)
Stacking faults: a) 2 min. etch (55x) e b) 25 min etch (280x)
rea de 420m de dimetro, sem defeitos.