1 Aula Prtica de

Acionamentos Eletrnicos
Prof. Cesar da Costa
1.a Aula: Introduo

Tpicos

Objetivos do curso.
Realizar prticas (no mbito tcnico)
sobre Inversores de Freqncia, ou seja,
conexo carga, programao e
operao.

Tpicos
Ementa
Choppers:
- Princpios dos Choppers DC Bsicos
- Choppers step-down (buck)
- Choppers step-up (boost)
- Choppers buck-boost

Tpicos
Inversores:
Inversor bsico.
Inversores de fonte de tenso (VSIs).
Tcnicas de controle para inversores de
tenso.
Modulao por largura de pulso (PWM).

Tpicos
Inversores:
Inversores modulados por largura de pulso
(PWM).
Princpio bsico do inversor trifsico VSI
em ponte.
Inversor de fonte ideal de corrente (CSI).
.

Tpicos
Prtica-1: Inversor de Frequncia
Escalar da WEG CFW 07 com
velocidade analgica.
Prtica-2:
Inversor de Frequncia
Escalar da WEG CFW 07 com
velocidade Multspeed.
Pratica-3:
Inversor de Frequncia
Vetorial da WEG CFW-08

Bibliografia
1.

AHMED, A. Eletrnica de Potncia So Paulo

Prentice Hall, 2000.

2.

CAPELLI, A. Automao Industrial Controle do

Movimento e Processos Contnuos So Paulo
Editora rica - 2007.

3.

LANDER, C. W. Eletrnica Industrial Teoria e

Aplicaes So Paulo Editora Pearson 1996.

4.

Apostila Prtica de Inversores

Metodologia de Ensino

Aulas Tericas
Aulas Prticas (Lab. de Acionamento de Motores)

Avaliao

2 provas tericas
3 trabalhos prticos (Lab. de Acionamento de
Motores)
Pesquisas

Aprovao
N1 N 2)
MdiaFinal 0, 4 (
) 0,6 N 3
2

N1 = 1.a prova terica

N2 = 2.a prova terica
N3 = Trabalho prtico

Eletrnica de Potncia
A eletrnica de potncia trata das
aplicaes de dispositivos semicondutores
de potncia, como tiristores e transistores,
na converso e no controle de energia
eltrica em nveis altos de potncia
aplicados indstria.

Eletrnica de Potncia
Essa converso normalmente de AC
para DC ou vice-versa, enquanto os
parmetros
controlados
so
tenso,
corrente e frequncia.
Portanto, a eletrnica de potncia pode ser
considerada uma tecnologia interdisciplinar
que envolve trs campos bsicos: a
potncia, a eletrnica e o controle.

Chaves semicondutoras de potncia

As chaves semicondutoras de potncia
so os elementos mais importantes em
circuitos de eletrnica de potncia.
Os principais tipos de dispositivos
semicondutores usados como chaves em
circuitos de eletrnica de potncia so:

Chaves semicondutoras de potncia

Diodos;
Transistores bipolares de juno (BJTs);
Transistores de efeito de campo metalxido-semicondutor (MOSFETs);

Chaves semicondutoras de potncia

Transistores bipolares de porta isolada
(IGBTs);
Retificadores
(SCRs);
Triacs;

controlados

de

silcio

Tipos de circuitos de eletrnica de

potncia
Os circuitos de eletrnica de potncia (ou
conversores,
como
so
usualmente
chamados) podem ser divididos nas
seguintes categorias:

1. Retificadores no controlados (AC para

DC) converte uma tenso monofsica ou
trifsica em uma tenso DC e so usados
diodos como elementos de retificao.

2. Retificadores controlados (AC para DC)

converte uma tenso monofsica ou trifsica
em uma tenso varivel e so usados SCRs
como elementos de retificao.

3. Choppers DC (DC para DC) converte

uma tenso DC fixa em tenses DC variveis.

4. Inversores (DC para AC) converte uma

tenso DC fixa em uma tenso monofsica
ou trifsica AC, fixa ou varivel, e com
frequncias tambm fixas ou variveis.

5. Conversores cclicos (AC para AC) converte

uma tenso e frequncia AC fixa em uma tenso e
frequncia AC varivel.

6. Chaves estticas (AC ou DC) o dispositivo de

potncia (SCR ou triac) pode ser operado como
uma chave AC ou DC, substituindo, dessa
maneira, as chaves mecnicas e eletromagnticas
tradicionais.

Chaves estticas

Aplicaes da Eletrnica de Potncia

A transferncia

de potncia eltrica de uma fonte para uma

carga pode ser controlada pela variao da tenso de
alimentao (com o uso de um transformador varivel) ou
pela insero de um regulador (como uma chave).
Os

dispositivos semicondutores utilizados como chaves

tm a vantagem do porte pequeno, do custo baixo, da
eficincia e da utilizao para o controle automtico da
potncia.

 A aplicao

de dispositivos semicondutores em sistemas

eltricos de potncia vem crescendo incessantemente.

Os dispositivos como diodo de potncia, transistor de

potncia, SCR, TRIAC, IGBT etc, so usados como
elementos de chaveamento e controle de fornecimento de
energia de mquinas e motores eltricos.

 Dentre as aplicaes cotidianas mais comuns se destaca

o controle microprocessado de potncia.

 Os equipamentos de informtica, tais como a fonte de

alimentao chaveada do PC, o estabilizador, o no-break,
etc, utilizam como elementos principais dispositivos
semicondutores chaveadores (Mosfets, IGBTs, TJBs, etc).

Dispositivos de potncia: caractersticas e

funcionamento
1. Diodos de potncia
O diodo mostrado abaixo formado pela juno dos materiais dos tipos N e P.
Desta forma, s h passagem de corrente eltrica quando for imposto um
potencial maior no lado P do que no lado N. Devido a uma barreira de potencial
formada nesta juno (V), necessria uma d.d.p. com valor acima de 0,6V
(em diodos de sinal) para que haja a conduo. Em diodos de potncia, esta
tenso necessria gira em torno de 1 a 2V.

1. Diodos de potncia
Na figura 05 vemos o aspecto fsico de um diodo de potncia

caracterizado pelo anodo rosqueado.

Figura 05 Aspecto fsico do diodo de potncia

1. Diodos de potncia
Principais valores nominais para os diodos:
O valor nominal da tenso de pico inversa (peak inverse voltage

PIV) a tenso inversa mxima que pode ser ligada nos terminais do
diodo sem ruptura.
Se for excedido a PIV nominal, o diodo comea a conduzir na direo
inversa e pode ser danificado no mesmo instante.
Os valores nominais da PIV so de dezenas a milhares de volts,
dependendo do tipo do diodo. Os valores nominais da PIV so tambm
chamados de tenso de pico reversa (PRV) ou tenso de ruptura
(VBR).

1. Diodos de potncia
Corrente

direta mdia mxima If(avg)Max

A corrente direta mdia mxima a corrente mxima

que um diodo pode aguentar com segurana quando
estiver diretamente polarizado.
Os diodos de potncia esto disponveis com valores
nominais que vo desde alguns poucos a centenas de
ampres.

2. Transistor bipolar de juno (TJB)

Um transistor bipolar um dispositivo de trs camadas
P e N (P-N-P ou N-P-N), cujos smbolos so mostrados
na figura 07.

2. Transistor bipolar de juno (TJB)

De modo geral, o TJB de potncia segue os mesmos
parmetros do transistor de sinal. Algumas caractersticas
so prprias devido aos nveis de correntes e tenses que o
dispositivo trabalha, por exemplo:
a) o ganho varia entre 15 e 100;
b) operao como chave, variando entre os estados de corte e
saturao;
c) tenso e corrente mximas de coletor de 700V e 800A,
respectivamente;
d) tenso de saturao de 1,1V para um transistor de silcio.
e) tenso de bloqueio reverso entre coletor e emissor em torno de 20V,
de modo que o impede de trabalhar em AC.

3. Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor

(MOSFET)
O transistor de efeito de campo de semicondutor de xido
metlico (MOSFET) de potncia um dispositivo para uso
como chave em nveis de potncia.

Os terminais principais so o dreno e a fonte, com a

corrente fluindo do dreno para a fonte e sendo
controlada pela tenso entre a porta e a fonte.

3. Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor

(MOSFET)
Abaixo mostrado o smbolo do MOSFET:

3. Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor

(MOSFET)
O MOSFET um transistor de chaveamento rpido,
caracterizado por uma alta impedncia de entrada,
apropriado para potncias baixas (at alguns quilowatts) e
para aplicaes de alta frequncia (at 100kHz).

O MOSFET infelizmente sozinho no consegue bloquear

uma tenso reversa entre dreno e fonte.

3. Transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor

(MOSFET)
Isto de deve a um diodo
acoplado internamente a sua
estrutura em antiparalelo.
Este diodo chamado de
diodo de corpo e serve para
permitir um caminho de
retorno para a corrente para
a maioria das aplicaes de
chaveamento. Este diodo
visto na figura ao lado.

4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as
caractersticas de baixa queda de tenso de saturao do
TJB com as excelentes caractersticas de chaveamento e
simplicidade dos circuitos de controle da porta do MOSFET.

Figura 11 Smbolo do IGBT

4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicaes de alta
tenso, nas quais as perdas na conduo precisam ser
mantidas em valores baixos.
Embora as velocidades de chaveamento dos IGBTs sejam
maiores (at 50 kHz) do que as dos TJBs, so menores que
as dos MOSFETs.

4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)

Portanto, as frequncias mximas de chaveamento
possveis com IGBT ficam entre as dos TJBs e as dos
MOSFETs.

Ao contrrio do que ocorre no MOSFET, o IGBT no tem

qualquer diodo reverso interno. Assim, sua capacidade de
bloqueio para tenses inversas muito ruim. A tenso
inversa mxima que ele pode suportar de menos de 10 V.

5. Retificador controlado de silcio (SCR)

O SCR um dispositivo de trs terminais, chamados de
anodo (A), catodo (K) e gatilho (G), como mostra a figura a
seguir:

5. Retificador controlado de silcio (SCR)

Podemos considerar o SCR um diodo controlado pelo
terminal de gatilho. No SCR, apesar da tenso ser positiva,
o mesmo ainda permanece bloqueado (corrente nula).

S quando for aplicado um pulso de gatilho, que o

SCR passar a conduzir corrente, comportando-se como
um curto-circuito.

6. TRIAC

Para se evitar a necessidade de utilizao de dois SCRs

em antiparalelo, foi desenvolvido o TRIAC.

TRI (triodo ou dispositivo de trs terminais) e AC (corrente

alternada) formam o nome deste elemento, cuja principal
caracterstica permitir o controle de passagem de corrente
alternada.

6. TRIAC
As

condies de disparo so
anlogas ao do SCR. Podendo ser
disparado com corrente de gatilho
positiva ou negativa.
Em conduo, apresenta-se
quase como um curto-circuito
com queda de tenso entre 1V e
2V.
Os terminais so chamados de
anodo 1 (A1 ou MT1), anodo 2
(A2 ou MT2) e gatilho (G)

Figura 23 Smbolo do triac

6. TRIAC
O TRIAC pode ser disparado em qualquer polaridade de
tenso e sentido de corrente, desta forma ele opera nos
quatro quadrantes, tomando-se o terminal A1 como
referncia.

Quadrantes de polarizao do triac