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1- IMPERFEIES CRISTALINAS
- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha (discordncias)
-Defeitos de interface (gro e
maclas)
-Defeitos volumtricos (incluses,
precipitados)
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O QUE UM DEFEITO?
uma imperfeio ou um "erro" no arranjo
peridico regular dos tomos em um cristal.
Pode envolver uma irregularidade
na posio dos tomos
no tipo de tomos
O tipo e o nmero de defeitos dependem do
material, do meio ambiente, e das circunstncias
sob as quais o material foi processado.
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Apenas uma pequena frao dos stios
(ou posies) atmicos so imperfeitos
Menos de 1 em 1 milho
Menos sendo poucos eles influenciam
muito as propriedades dos materiais e
nem sempre de forma negativa
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IMPERFEIES ESTRUTURAIS
- IMPORTNCIADEFEITOS
INTRODUO
SELETIVA
CONTROLE
DO NMERO
ARRANJO
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
IMPERFEIES ESTRUTURAIS
Defeitos Pontuais
associados c/ 1 ou 2
posies atmicas
Defeitos lineares
uma dimenso
Defeitos volumtricos
(fronteiras) duas
dimenses
trs dimenses
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1- DEFEITOS PONTUAIS
Vacncias ou vazios
tomos Intersticiais
Schottky
Ocorrem em slidos inicos
Frenkel
1- DEFEITOS PONTUAIS
influem principalmente as propriedades
pticas e eltricas dos materiais;
influem em processos como difuso,
transformao de fases, fluncia, etc
tomos de soluto geram defeitos
ponstuais
VACNCIAS OU VAZIOS
Envolve a falta de um
tomo
So formados durante
a solidificao do
material cristalino ou
como resultado das
vibraes atmicas (os
tomos deslocam-se de
suas posies normais)
A energia livre do
material depende do
nmero ou
concentrao de
vacncias presentes
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VACNCIAS OU VAZIOS EM
EQUILBRIO
O nmero de vacncias aumenta
exponencialmente com a temperatura
Nv= N exp (-Qv/KT)
Nv= nmero de vacncias
N= nmero total de stios atmicos
Qv= energia requerida para formao de vacncias
K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou
8,62x10-5 eV/ at.K
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INTERSTICIAIS
Envolve um tomo extra no
interstcio (do prprio
cristal)
Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na
criao de uma vacncia,
por isso este defeito
menos provvel que uma
vacncia
12
13
FRENKEL
Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio
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SCHOTTKY
Presentes em
compostos que tem
que manter o
balano de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction
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CONSIDERAES GERAIS
Vazios e Schottky favorecem a difuso
Estruturas de empacotamento fechado tem
um menor nmero intersticiais e Frenkel
que de vazios e Schottky
LIGAS METLICAS
A ADIO DE ELEMENTOS
DE LIGA PODE FORMAR
Solues slidas
% elemento < limite
solubilidade
Segunda fase % elemento > limite de
solubilidade
de
A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de elemento (ou impureza)
Concentrao do elemento (ou impureza)
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Termos usados
Elemento de liga ou Impureza
soluto (< quantidade)
Matriz ou
Hospedeiro
solvente
(>quantidade)
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SOLUES SLIDAS
21
SOLUES SLIDAS
Nas solues slidas as impurezas ou
elementos de liga podem ser do tipo:
- Intersticial
- Substitucional
Ordenada
Desordenada
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SOLUES SLIDAS
INTERSTICIAIS
INTERSTICIAL
EXEMPLO DE SOLUO
SLIDA INTERSTICIAL
Fe + C
solubilidade mxima do C no
Fe 2,1% a 910 C (Fe CFC)
INTERSTICIAIS NA CCC E
CFC
Nessas estruturas existem 2 tipos de
intersticiais, um stio menor e um maior
A impureza geralmente ocupa o stio
maior
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INTERSTICIAIS NA CFC
Existem 13 posies
intersticiais
(octaedros- formados
por 6 tomos) e 8
posies intersticiais
(tetraedros formados
por 4 tomos)= 21
O Stio maior o
octadrico
26
INTERSTICIAIS (octaedros)
NA CFC
Existem 13 posies intersticiais
(octaedros)
1 Centro do octaedro
de coordenadas (, , )
12 localizado no centro
das arestas (, 0,0)
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INTERSTICIAIS (tetraedros)
NA CFC
Existem 8 posies intersticiais
(tetraedros)
1 Centro do tetraedro
de coordenadas (1/4, 1/4, 1/4)
28
r= 0,41R
29
INTERSTICIAIS NA CCC
Existem 18
posies
intersticiais
(octaedros) e 24
posies
intersticiais
(tetraedros)= 42
O Stio maior o
tetradrico
30
INTERSTICIAIS (octaedro)
NA CCC
Existem 18 posies
intersticiais (octaedro)
6 Centro das faces
posies (, , 0)
12 Centro
de arestas (, 0,0)
31
INTERSTICIAIS (tetraedros)
NA CCC
Existem 24 posies
intersticiais
(tetraedros)
4 tetraedros
Para cada uma das seis faces
(1/2, 1/4, 0)
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r= 0,29R
33
ccc
cfc
34
rFe= 0,124 nm
rC= 0,071 nm
Espao intersticial octradrico= 0,019 nm
- 0,052 nm
rFe= 0,124 nm
rC= 0,071 nm
Espao intersticial tetradrico= 0,035 nm
- 0,036 nm
ccc
35
rFe= 0,124 nm
rC= 0,071 nm
Espao intersticial octradrico= 0,052 nm
- 0,019 nm
cfc
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SOLUBILIDADE DO CARBONO
NO FERRO
Apesar da clula unitria CCC
apresentar diversas posies
intersticiais, a solubilidade de carbono
no Fe maior em clulas CFC, pois as
mesmas concentram o espao vazio da
clula, nas posies intersticiais
octadricas.
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INTERSTICIAIS NA HC
Existem 6 posies
intersticiais
(octaedros) e 8
posies
intersticiais
(tetraedros)= 14
O Stio maior o
octadrico
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INTERSTICIAIS (octaedros)
NA HC
Existem 6 posies intersticiais (octaedros)
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INTERSTICIAIS (tetraedros)
NA HC
Existem 8 posies intersticiais (tetraedros)
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SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
(TIPOS)
SUBSTITUCIONAL
ORDENADA
SUBSTITUCIONAL
DESORDENADA
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SOLUES SLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
REGRA DE HOME-ROTHERY
Raio atmico
deve ter uma
diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode promover distores na
rede e assim formao de nova fase
Estrutura cristalina
mesma
Eletronegatividade
prximas
Valncia
mesma ou maior que a
do
hospedeiro
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so solveis em todas as
propores
Cu
Ni
Raio atmico
0,128nm=1,28 A
0,125 nm=1,25A
Estrutura
CFC
CFC
Eletronegatividade
1,9
1,8
Valncia
+1(asvezes+2)
+2
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2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
As discordncias esto associadas com a
cristalizao e a deformao (origem: trmica,
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2- DEFEITOS LINEARES:
DISCORDNCIAS
Podem ser:
- Cunha
- Hlice
- Mista
46
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2.1- DISCORDNCIA EM
CUNHA
Envolve um SEMIplano extra de
tomos
O vetor de Burger
perpendicular
direo da linha da
discordncia
Envolve zonas de
trao e compresso
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DISCORDNCIAS EM
CUNHA
49
DISCORDNCIAS EM
CUNHA
50
2.2- DISCORDANCIA EM
CUNHA (Tenses)
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2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE
Produz distoro na
rede
O vetor de burger
paralelo direo
da linha de
discordncia
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DISCORDANCIA EM HLICE
53
2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE
54
2.2- DISCORDANCIA EM
HLICE (Tenses)
Campo de tenses simtrico e
paralelo ao vetor de burger (no
envolve componentes de trao ou
compresso)
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Energia e Discordncias
A energia associada a uma discordncia
depende do vetor de Burger (varia com o
quadrado do vetor de Burger)
Discordncia com alto vetor de Burger tende
a se dissociar em duas ou mais
discordncias de menor vetor de Burger
(como o vetor menor que o vetor da rede
chamado de falha de empilhamento-stacking
fault)
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Dissociao de Discordncias
stacking fault
Exerccio 15
O vetor de Burger (b) para estruturas cbicas de
face centrada (CFC) e cbica de corpo centrado
(CCC) pode ser expresso como:
b= a/2 [hkl]
onde [hkl] a direo cristalogrfica de maior
densidade atmica.
Quais so as representaes para o vetor de
Burgers para as estruturas CFC e CCC?
Se a magnitude do vetor de de Burges b igual
a a/2 (h2+k2+l2)1/2, determine o valor de b para o
Alumnio.
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OBSERVAO DAS
DISCORDANCIAS
Diretamente
TEM ou HRTEM
Indiretamente
SEM e
microscopia ptica (aps ataque
qumico seletivo)
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DISCORDNCIAS NO TEM
60
DISCORDNCIAS NO
HRTEM
61
DISCORDNCIAS NO
HRTEM
62
MOVIMENTO DE
DISCORDNCIAS
GLIDE: ocorre a
baixas temperaturas
e envolve quebra de
ligaes localizadas.
A discordncia se
move no plano que
contm a linha de
discordncia e o
vetor de burger
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MOVIMENTO DE
DISCORDNCIAS
CLIMB: ocorre a altas
temperaturas (pois
ocorre por difuso e
migrao de vacncias)
e envolve adio e
remoo de tomos do
semi-plano extra. A
discordncia se move
perpendicular ao plano
que contm a linha de
discordncia e o vetor
de burger
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CONSIDERAES GERAIS
A quantidade e o movimento das discordncias
podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos
Com o aumento da temperatura h um aumento na
velocidade de deslocamento das discordncias
favorecendo o aniquilamento mtuo das mesmas e
formao de discordncias nicas
Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
torno das discordncias formando uma atmosfera de
impurezas
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CONSIDERAES GERAIS
A densidade das discordncias depende da
orientao cristalogrfica, pois o
cisalhamento se d mais facilmente nos
planos de maior densidade atmica
As discordncias geram vacncias
As discordncias influem nos processos de
difuso
A formao de discordncias contribuem
para a deformao plstica
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3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
Envolvem fronteiras (defeitos em duas
dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes
estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas
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3- DEFEITOS PLANOS
OU INTERFACIAIS
Superfcie externa
Contorno de gro
Fronteiras entre fases
Maclas ou Twins
Defeitos de empilhamento
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3.1- DEFEITOS NA
SUPERFCIE EXTERNA
o mais bvio
Na superfcie os tomos no esto
completamente ligados
Ento o estado energia dos tomos na
superfcie maior que no interior do cristal
Os materiais tendem a minimizar esta
energia
A energia superficial expressa em erg/cm2
ou J/m2)
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Corresponde
Monocristal e Policristal
Monocristal:Materialcomapenasumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmapenasumgro
Policristal:Materialcommaisdeumaorientao
cristalina,ouseja,quecontmvriosgros
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LINGOTE DE ALUMNIO
POLICRISTALINO
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GRO
A forma do gro controlada:
controlada
- pela presena dos gros circunvizinhos
O tamanho de gro controlado
- Composio qumica
- Taxa (velocidade) de cristalizao ou
solidificao
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O tamanho de gro
controlado
- Composio
- Taxa de cristalizao ou
solidificao
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CONTORNO DE PEQUENO
NGULO
Ocorre quando a
desorientao dos
cristais pequena
formado pelo
alinhamento de
discordncias
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GROS VISTOS NO
MICROSCPIO TICO
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TAMANHO DE GRO
O tamanho de gro influi nas propriedades dos
materiais
Para a determinao do tamanho de gro utiliza-se
cartas padres
ASTM
ou
ABNT
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DETERMINAO DO
TAMANHO DE GRO (ASTM)
Tamanho: 1-10
Aumento: 100 X
N= 2 n-1
N= nmero mdio de gros por polegada
quadrada
n= tamanho de gro
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CRESCIMENTO DO GRO
com a temperatura
3.3- TWINS
MACLAS OU CRISTAIS GMEOS
um tipo especial de
contorno de gro
Os tomos de um lado
do contorno so imagens
especulares dos tomos
do outro lado do
contorno
A macla ocorre num
plano definido e numa
direo especfica,
dependendo da
estrutura cristalina
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4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
So introduzidas no processamento do
material e/ou na fabricao do
componente
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4- IMPERFEIES
VOLUMTRICAS
- Incluses
- Precipitados
Impurezas estranhas
so aglomerados de partculas
cuja composio difere da matriz
- Fases
- Porosidade
formao de gases
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Incluses
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Incluses
Porosidade
COMPACTADO DE P DE
FERRO,COMPACTAO
UNIAXIAL EM MATRIZ DE
DUPLO EFEITO, A 550 MPa
COMPACTADO DE P DE FERRO
APS SINTERIZAO
A 1150oC, POR 120min EM
ATMOSFERA DE HIDROGNIO
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EXEMPLOS DE SEGUNDA
FASE
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Micrografia da Liga
Al-3,5%Cu no Estado Bruto de Fuso
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