SEL0600 - Informação

Profissional em Engenharia de
Computação I

Microeletrônica

(projeto de circuitos integrados)

Dr.João Navarro
 I.
I. Introdução
Introdução
O avanço da Eletrônica, a maior atividade
econômica atual, se deve a microeletrônica
Microeletrônica
Microeletrônica permite
permite aa construção
construção de
de
circuitos
circuitos
 menores
menores
 com
com milhões
milhões de
de componentes
componentes
 de
de baixo
baixo consumo
consumo
 mais
mais poderosos
poderosos
 confiáveis
confiáveis
 aa custos
custos razoáveis
razoáveis
mar./2014 2
 I.
I. Introdução
Introdução
Comparando
Comparando os os primeiros
primeiros computadores
computadores com
com osos de
de
hoje
hoje veremos
veremos aa diferença
diferença
 oo primeiro
primeiro computador
computador comercial,
comercial, UNIVAC
UNIVAC 1, 1,
ocupava
ocupava uma
uma sala
sala inteira,
inteira custava
inteira
inteira, custava mais
mais de
de 11 milhão
milhão
de
de dólares
dólares ee necessitava
necessitava dede 120
120 micro-segundos
micro-segundos
para
para efetuar
efetuar uma
uma adição;
adição;
 computadores
computadores de de mesa
mesa atuais
atuais custam
custam cerca
cerca dede
1000
1000 dólares
dólares ee necessitam
necessitam de de nano-segundos
nano-segundos para
para
executar
executar aa mesma
mesma operação
operação (ganho
(ganho em
em velocidade
velocidade
superior
superior aa dez
dez mil).
mil).

mar./2014 3
 I.
I. Introdução
Introdução
Microeletrônica:
Microeletrônica: aa área
área de
de microeletrônica
microeletrônica éé
composta
composta dede um
um número
número imenso
imenso de
de atividades
atividades
 projeto
projeto dede circuitos
circuitos
 fabricação
fabricação
 encapsulamento
encapsulamento
 testes
testes
 atividades
atividades relacionada (materiais, software,
relacionada (materiais, software,
equipamentos,
equipamentos, etc.)
etc.)

O que é? O que é feito no país? O que o

engenheiro da EESC pode fazer? etc.
mar./2014 4
 Conteúdo da Apresentação
 I.
I. Introdução
Introdução
 II.
II. Professor
Professor
 III.
III. Transistores
Transistores
 IV.
IV. Tecnologias
Tecnologias CMOS
CMOS
 V.
V. Projeto
Projeto de
de um
um Sistema
Sistema
 VI.
VI. Perspectivas
Perspectivas (formação
(formação ee país)
país)
 VII.
VII. Exemplo
Exemplo de
de Sistema
Sistema

5
 II.
II. Professor
Professor
Graduação
Graduação:: Eng.
Eng. Elétrica
Elétrica -- Microeletrônica:
Microeletrônica:
USP-POLI
USP-POLI (1986
(1986 –– século,
século, milênio
milênio passado)
passado)
Mestrado:
Mestrado Eng.
Mestrado
Mestrado: Eng. Elétrica
Elétrica -- Microeletrônica:
Microeletrônica: USP-
USP-
POLI
POLI -- projeto
projeto de
de conversores
conversores A/D
A/D (1991)
(1991)
Doutorado Eng.
Doutorado:
Doutorado
Doutorado: Eng. Elétrica
Elétrica -- Microeletrônica:
Microeletrônica: USP-
USP-
POLI
POLI –– técnicas
técnicas de
de circuitos
circuitos digitais
digitais de
de alta
alta
velocidade
velocidade (1998)
(1998)

Estágio
Estágio no
no CSEM:
CSEM projeto
CSEM
CSEM: projeto de
de circuitos
circuitos integrados
integrados
usando
usando gate
gate arrays
arrays ((1991)
1991)

mar./2014 6
 II.
II. Professor
Professor
Pesquisador
Pesquisador nana USP-POLI:
USP-POLI projeto
USP-POLI
USP-POLI: projeto de
de circuitos
circuitos
integrados
integrados
-- Circuitos
Circuitos analógicos
analógicos
-- Circuitos
Circuitos digitais
digitais de
de alta
alta velocidade
velocidade
-- Circuitos
Circuitos receptores/transmissores
receptores/transmissores RF RF
(1991-2005)
(1991-2005)
Professor
Professor nono SENAC
SENAC (Ciências
(Ciências de
de Computação):
Computação):
-- Organização
Organização de
de Computadores
Computadores
-- Arquitetura
Arquitetura de
de Computadores
Computadores
(2001-2005)
(2001-2005)
mar./2014 7
 II.
II. Professor
Professor
Professor
Professor nono EESC
EESC
Disciplinas
Disciplinas
-- Circuitos
Circuitos Eletrônicos
Eletrônicos II
-- Circuitos
Circuitos Eletrônicos
Eletrônicos II
II
-- Fundamentos
Fundamentos de de Microeletrônica
Microeletrônica
-- Projeto
Projeto de
de Circuitos
Circuitos Integrados
Integrados Analógicos
Analógicos
-- Projeto
Projeto de
de Circuitos
Circuitos Integrados
Integrados Digitais
Digitais II
-- Projeto
Projeto de
de Circuitos
Circuitos Integrados
Integrados Digitais
Digitais II
II
Pesquisa
Pesquisa
-- Projeto
Projeto Automático
Automático de
de Circuitos
Circuitos Analógicos
Analógicos
-- Circuitos
Circuitos RF
RF
-- Circuito
Circuito de
de Low
Low Power
Power
mar./2014 8
 III.
III. Transistores
Transistores
Para
Para aa implementação
implementação de
de circuitos
circuitos éé útil:
útil:
 Circuitos
Circuitos Analógicos
Analógicos:: um
um dispositivo
dispositivo que
que permita
permita
controlar
controlar uma
uma alta
alta corrente
corrente com
com uma
uma baixa
baixa corrente
corrente
(amplificar)
(amplificar)
 Circuitos
Circuitos digitais:
digitais: um
um dispositivo
dispositivo que
que possa
possa trabalhar
trabalhar
como
como uma
uma chave,
chave, com
com um estado on
um estado on (conduzindo)
(conduzindo) ee
outro off
outro off (cortado)
(cortado)

on
off
Válvula foi uma das primeiras opções

mar./2014 9
 Válvulas: Diodo

• O filamento é aquecido fornecendo energia aos elétrons que podem sair do metal;
• Se a tensão entre ânodo e cátodo for positiva, haverá uma corrente. Adicionalmente,
o campo elétrico e a corrente existentes diminuem a barreira de potencial para
extração dos eletróns, aumentando a corrente;
• Se a tensão entre ânodo e cátodo for negativa, não haverá uma corrente.
mar./2019 10
 III.
III. Transistores
Transistores
Transistor FET ((field
Transistor FET field effect
effect transistor
transistor):
):
controlar
controlar uma
uma região
região dede condução
condução (canal)
(canal)
através
através de
de campo
campo elétrico
elétrico

tensão + isolante
condutor
condutor -- - - - - condutor
mal
condutor

Conduz: a resistência é modulada pela tensão

mar./2014 11
 Evolução
Evolução dos
dos Transistores
Transistores
1959: Atalla e
Kahng, Bell 1970: primeira
98% da produção
1947: transistores Labs., memória de circuitos
bipolares - Bardeen, conseguem DRAM, 1Kbit, semicondutores é
frabricar e Intel (PMOS)
Brattain e silício;
Schockley (Bell operar o
1925: princípio primeiro MOS 75% é CMOS
Telephone
dos Laboratories). Segue
transistores daí a explicação da 1971: primeiro
FET - J. física básica do 1962/1963: CMOS microprocessador
transistor - Weimer, RCA e 4004 Intel
Lilienfeld
Wanlass, Fairchild (NMOS)

1920 1930 1940 1950 1960 1970 1980 1990 2010

1964:
1958/1959:
1935: O.Heil 1959: primeiros intesificação
propõe estrutura desenvolvimento
dos primeiros C.I.s
processo transistor do uso do
similar ao FET planar - CMOS
- J.Kilby, Texas es MOS
transistor
Instruments, e J.Hoermi, comerciais
moderno
Noyce, Fairchild. Fairchild Fairchild e
RCA
mar./2014 12
1948: transistores bipolares - Bardeen, Brattain e Shockley (BellTelephone
Laboratories). Segue daí a explicação da física básica do transistor.

Bardeen, Brattain e Shockley ganharam o

prêmio Nobel de física pelas pesquisas em
semicondutores e descoberta do efeito
transistor em 1956.
1956 Bardeen recebeu outro
Nobel em 1972 pelo desenvolvimento da teoria
da supercondutividade. 13
mar./2008
1958/1959: desenvolvimento dos primeiros C.I.s -
J.Kilby Texas Instruments, e Noyce,
J.Kilby, Noyce Fairchild.

Jack S. Kilby recebeu o prêmio Nobel em 2000 por sua

contribuição na invenção do circuito integrado.
Robert Noyce,
Noyce após trabalhar na empresa de Schockley,
fundou com outros colegas, em 1957, a Fairchild. Esta
empresa dominou a área de circuitos analógicos na década
de 60. Em 1968 deixou a Fairchild para fundar a Intel.
14
1959: Atalla e Kahng, Bell Labs., conseguem frabricar
e operar o primeiro MOS

MOS
MOS

Óxido
Metal de Si
Si-dopado -- - - - - Si-dopado
Si

mar./2008 15
1964: primeiros transistores MOS comerciais
Fairchild e RCA

mar./2014 16
 1971: primeiro microprocessador
4004 Intel (NMOS): Clock: 108 KHz; tecnologia 10 m
PMOS; número de transistores: 2300; área 12mm2

mar./2014 17
Intesificação do uso
do CMOS: 8088 (ano
1978); Clock 10 MHz;
tecnologia 1,5 m
CMOS; número de
transistores: 29000;
área 33 mm2

mar./2014 18
 98% da produção de
circuitos semicondutores é
silício;
75% é CMOS:

• i7 – 5960X (ano 2014);

• 8 cores;
• Clock 3,0 GHz;
• tecnologia 22 nm
CMOS FinFET;
• número de
transistores: 2,6
bilhões;
• potência de 140W
•área 17,6 mm X 20,2
mm = 355 mm2

mar./2014 19
 IV.
IV. Tecnologias
Tecnologias CMOS
CMOS
Hoje:
Hoje: mais
mais que
que 75%
75% dos
dos circuitos
circuitos
semicondutores
semicondutores são
são fabricados
fabricados com
com CMOS.
CMOS.
CMOS-vantagens
CMOS-vantagens
menor
menor custo
custo (???);
(???);
maior
maior nível
nível de
de integração;
integração;
menor
menor consumo
consumo de de potência.
potência.
FUTURO
FUTURO (CMOS)?
(CMOS)?
extrapolações
extrapolações feitas no National
feitas no National Roadmap
Roadmap for
for
Semiconductors
Semiconductors (NTRS)
(NTRS) produzido
produzido pelo
pelo SIA,
SIA,
NTRS2011:
NTRS2011:
mar./2014 20
 Ano do início de produção 2015 2016 2018 2020 2022 2024 2026
linhas densas (DRAM half 23 20 15,9 12,6 10 8,0 6,3
pitch) (nm)
linhas isoladas (gates de 17 18 14 10,6 8,9 7,4 5,9
microprocessador (L)) (nm)
área do chip (mm2) DRAM 376 299 376 474 299 188 237
Funções por chip 137 137 275 549 549 549 1099
DRAM(Gbits)
área do chip (mm2) 328 520 328 413 520 328 413
microprocessador
Funções por chip 8848 17696 17696 35391 70782 70782 141564
processador (Mtransistores)
Total de packge Pins/Balls 6191 6501 7167 7902 8712 9605 -
(ASIC alta performance)
freqüência on-chip-local 4,38 4,55 4,97 5,33 5,76 6,23 6,74
(alta performance) (GHz)
número mínimo de máscaras 25 25 25 27 27 29 29
VDD para lógica (V) 0,81 0,78 0,72 0,67 0,63 0,59 0,54
dissipação de potência (alta 143 130 136 130 130 - -
performance) (W)
dissipação de potência 3,0 3,0 3,0 3,0 3,0 3,0 3,0
(equipamentos c/ bateria) (W)

mar./2008 21
 5,43
5,43 Amstrong
Amstrong == 0,543
0,543 nm
nm

mar./2015 22
mar./2019 23
Exemplo de CI com múltiplos metais

mar./2008 24
 Exemplo de CI com múltiplos metais
by Lightspeed
Flip chip
redistribution Metal 8

Power & Metal 7

shielding
Metal 6
Customer Via 5
design
Metal 5
specific
Metal 4
Standard for Metal 3
all designs:
RAM Metal 2
I / Os Metal 1
Logic blocks
PLLs Transistors

Stacked via
technology

mar./2014 25
 início freqüências do bus número de transistores Alimentaç SPECint 2000
clock (MHz) width (tecnologia) ão
usadas (V)
4004 nov./71 0,108 4 2300 (PMOS 10m) 5 0,01

8008 abr./72 0,2 8 3500 (PMOS 10m) 5 0,01

8080 abr./74 2 8 6000 (PMOS 6m) 5 0,06

8086 jun./78 5; 8; 10 16 29000 (NMOS 3m) 5 0,12; 0,13; 0,15

8088 jun./79 5; 8 8 29000 (CMOS 3m) 5 0,15

80286 jan./82 6; 10; 12 16 134000 (CMOS 1,5m) 5 0,18; 0,29; 0,52

386 DX out./85 16; 20; 25; 33 32 275000 (CMOS 1,5m; 1mm) 5 1,07; 1,27; 1,65

386 SX jun./88 16; 20; 25; 33 16 275000 (CMOS 1m) 5 -

486 DX abr./89 25; 33; 50 32 1,2 milhões (CMOS 1m; 5 4,41; 4,88; 8,77
0,8m)
486 DX4 mar./94 100 32 1,6 milhões (BiCMOS 0,6m) 3.3 14,34

486 SX abr./91 16; 20; 25; 33 32 1,185 milhões (CMOS 1m) 5 -

Pentium mar./93 66; 100; 120; 133; 32 3,2 milhões (BiCMOS 0,8m; 5; 3,3 20,46; 35; 39; 43; 51; 61
166; 200 0,6m; 0,35m )
Pentium MMX jan./97 200; 233 32 4,5 milhões (BiCMOS 0,35m ) 3,3 68, 76

Pentium Pro nov./95 200 32 5,5 milhões (BiCMOS 0,35m) 3,3 93

Pentium II maio/97 300; 333 32 7,5 milhões (CMOS 0,35m e 2,8; 2,0 128; 138
0,25m)
Pentium III fev./99 500; 733; 1000 32 9,5 e 28 milhões (CMOS 2; 1,65; 220; 335; 442
0,25m e 0,18m) 1,7
Pentium IV nov./00 1500; 2000 32 42 milhões (CMOS 0,18m) 1,7 536; 656
(Willamette)
Pentium IV mar./2008
jan./02 2200; 2533; 3000 32 55 milhões 1,5 811; 882;26
1107
(Northwood) (CMOS 0,13m)
 5
10
Pentium IV
Número de
transistores Pentium IV
(mil) Pentium III
4
10
Pentium II
Pentium Pro
Pentium
3
10 486DX

386DX
2

Dobra
Dobra aa cada
cada 18
18
10
286

1
8086 meses!!!
meses!!!
10
8080
8008
0
4004
10
1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005

Ano de Lançamento
Número de transistores em função do ano de lançamento para os
mar./2008
principais microprocessadores da Intel. 27
 4
10

SPECint
10
3 Dobra
Dobra aa cada
cada 18
18 Pentium IV
2000
meses!!!
meses!!!
Pentium IV
Pentium III
Pentium II
2
10
Pentium Pro

1 Pentium
10

486DX
0
10 386DX

-1 286
10 8086
8080
4004
10
-2
8008
1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005

Ano de Lançamento
Desempenho avaliado pelo SPECint 2000 em função do ano de
lançamento para os principais microprocessadores da Intel.
mar./2014 28
 Mais
Mais tendencias
tendencias

mar./2019 29
 IV.
IV. Tecnologias
Tecnologias CMOS
CMOS
Conclusão
Conclusão:: graças
graças aa tecnologia
tecnologia CMOS
CMOS ee sua
sua
miniaturização
miniaturização temos:
temos:
•• Altos
Altos níveis
níveis de
de integração
integração (muitos
(muitos transistores
transistores ee funções
funções
num
num circuito).
circuito). O O i7
i7 –– 5960X
5960X (ano
(ano 2014)
2014) tem
tem 88 cores,
cores, éé
feito
feito numa
numa tecnologia
tecnologia CMOS
CMOS FinFet
FinFet dede 22
22 nm
nm ee tem
tem cerca
cerca
de
de 2,6
2,6 bilhões
bilhões
•• baixo
baixo consumo
consumo de de potência:
potência um
potência
potência: um transistor
transistor pode
pode trabalhar
trabalhar
com
com algumas
algumas dezenas
dezenas de de nano
nano Amperes;
Amperes;
•• altas
altas velocidades
velocidades ee desempenho
desempenho (circuitos
(circuitos CMOS
CMOS chegam
chegam aa
20
20 GHz)
GHz)
•• baixos
baixos custos
custos (o
(o preço
preço dede fabricação
fabricação dede um
um processador
processador
esta
esta próximo
próximo aa 100100 dólares)
dólares)
•• Altissíma
Altissíma confiabilidade
mar./2014 confiabilidade 30
 IV.
IV. Tecnologias
Tecnologias CMOS
CMOS
baixos
baixos custos:
custos
custos:
custos
•• 1958
1958
11 transistor
transistor == 10
10 US$;
US$;
first
first integrated
integrated circuit
circuit with
with 44 transistors:
transistors: 150
150 US$;
US$;
market
market 218.10
218.106 US$.
6
US$.

•• 2010
2010
for
for 10
10 US$,
US$, you
you receive
receive 50.10
50.106 transistors
6
transistors (with
(with passive
passive
components,
components, interconnects,
interconnects, ...);
...);
Commercial
Commercial circuits
circuits have
have millions
millions ofof transistors;
transistors;
market
market 150.10
150.109 US$
9
US$

mar./2014 31
 V.
V. Projeto
Projeto de
de um
um Sistema
Sistema
Filtro seletor
de canal
Mixer Amplificador

Antena LNA
90° Oscilador Dem.
local
Filtro de saída

Blocos: processador,
Entrada
(seleciona banda) Processamento
Processamento
digital
Mixer
fonte, receptor,
digital
D I
/ D
transmissor, etc.
s(t)co entrada
PA buffer A/ sf
A
90°
Produto Filtro de
Oscilador
local
Tel. Wireless
saída D Q
/ D s(t)se
A/ nf
A

Receptor/transmissor,
Transceptor
(conversão direta)

Projeto
(Foudry já
definida)

mar./2014 32
 Testes
on wafer

Corte dos
circuitos circuitos

Foundry: fabrica
o circuito

wafer São necessários:

• equipamentos Novos testes encapsulamento
• software on wafer
• etc.
33
Wafer
Wafer

mar./2014 34
CI
CI

fev./2014 35
 V.
V. Projeto
Projeto de
de um
um Sistema
Sistema
Conclusão
Conclusão:: há
há uma
uma variedade
variedade enorme
enorme de
de
atividades
atividades no
no desenvolvimento
desenvolvimento de
de um
um sistema
sistema
eletrônico
eletrônico
•• Projeto
Projeto do
do sistema
sistema
•• Projeto
Projeto dos
dos blocos
blocos
•• Fabricação
Fabricação dos
dos blocos
blocos em uma Foundry
em uma Foundry
•• Encapsulamento
Encapsulamento
•• Testes
Testes
Todas
Todas estas
estas atividades
atividades podem
podem ser
ser realizadas
realizadas por
por
uma
uma mesma
mesma empresa
empresa ou
ou por
por empresas
empresas diferentes
diferentes
mar./2019 36
 V.
V. Projeto
Projeto de
de um
um Sistema
Sistema
•• empresas
empresas podem
podem fazer
fazer oo projeto
projeto do
do sistema
sistema ee dos
dos
blocos,
blocos
blocos, ter foundries
blocos ter foundries,, encapsular
encapsular ee testar:
testar são
testar
testar: são
poucas
poucas (as
(as grandes
grandes japonesas,
japonesas, Philips,
Philips, etc.).
etc.).
•• empresas
empresas podem
podem projetar
projetar oo sistema
sistema ee os
os blocos,
blocos,
contratando
contratando fabricas
fabricas para
para aa implementação
implementação
((fabless)
fabless)
•• empresas
empresas podem
podem projetar
projetar oo sistema
sistema apenas
apenas (os
(os
outros
outros serviços
serviços são
são feitos
feitos por
por terceiros)
terceiros)
•• empresas
empresas podem
podem projetar
projetar blocos
blocos especificados
especificados
por clientes ((design
por clientes design house;
house; Freescale
Freescale (NXP)
(NXP)
mar./2014 37
 V.
V. Projeto
Projeto de
de um
um Sistema
Sistema
•• empresas
empresas podem
podem fazer
fazer oo projeto
projeto dos
dos blocos
blocos ee têm
têm
foundries
foundries,, encapsulam
encapsulam ee testam
testam (INTEL).
(INTEL). Não
Não
fazem
fazem oo sistema
sistema (computador)
(computador)
•• empresas
empresas podem
podem fazer
fazer oo projeto
projeto dos
dos blocos
blocos ee
testar
testar (AMD).
(AMD).
•• empresas
empresas podem
podem apenas
apenas fabricar
fabricar oo projeto
projeto de
de
outros
outros (empresas
(empresas em
em Taiwan
Taiwan são
são aa melhores
melhores nesta
nesta
área)
área)
•• empresas
empresas podem
podem apenas
apenas encapsular
encapsular
•• empresas
empresas podem
podem ...
... etc.
etc. Diversas
Diversas
combinações
combinações
mar./2008
são
são viáveis.
viáveis. 38
 V.
V. Projeto
Projeto de
de um
um Sistema
Sistema
Cada
Cada uma
uma das
das atividades
atividades tem
tem características
características
diferentes:
diferentes:
•• quem
quem faz
faz oo sistema
sistema deve
deve conhecer
conhecer oo mercado,
mercado, poder
poder fazer
fazer aa
distribuição,
distribuição, etc.,
etc., ter
ter uma
uma equipe
equipe dede dezenas
dezenas dede engenheiros
engenheiros
•• quem
quem faz
faz oo projeto
projeto deve ter know
deve ter know how
how de
de projeto,
projeto,
normalmente
normalmente muitas
muitas ferramentas
ferramentas de de CAD
CAD (talvez
(talvez alguns
alguns
milhões
milhões em
em CAD)
CAD) ee umauma equipe
equipe de
de poucos
poucos ou
ou centenas
centenas dede
engenheiros.
engenheiros.
•• quem
quem fabrica
fabrica deve
deve ter
ter um
um número
número grande
grande de
de pessoas,
pessoas,
centenas
centenas dede engenheiros
engenheiros ee técnicos
técnicos de
de diversas
diversas área,
área, um
um
capital
capital grande
grande emem equipamentos
equipamentos ee instalações
instalações (uma
(uma fabrica
fabrica
barata
barata custa
custa uns
uns 100
100 milhões
milhões de
de dólares;
dólares; uma fabrica top
uma fabrica top,,
uns
uns 10
10 bilhões
bilhões de
de dólares)
dólares)
mar./2008 39
 VI.
VI. Perspectivas
Perspectivas
((formação
formação ee país
país))
Curso
Curso de
de Engenharia
Engenharia de de Computação
Computação dede São
São Carlos
Carlos
•• formação
formação básica
básica de
de engenharia
engenharia elétrica
elétrica
•• algumas
algumas disciplinas
disciplinas específicas
específicas sobre
sobre projetos
projetos de
de
circuitos
circuitos integrados
integrados
-- Fundamentos
Fundamentos dede Microeletrônica
Microeletrônica (noções
(noções sobre
sobre
fabricação)
fabricação)
-- Projeto
Projeto de
de Circuitos
Circuitos Integrados
Integrados Analógicos
Analógicos
-- Projeto
Projeto de
de Circuitos
Circuitos Integrados
Integrados Digitais
Digitais II
-- Projeto
Projeto de
de Circuitos
Circuitos Integrados
Integrados Digitais
Digitais II
II

mar./2014 40
 VI.
VI. Perspectivas
Perspectivas
((formação
formação ee país
país))
O
O aluno
aluno tem
tem formação
formação para,
para, caso
caso deseje,
deseje, participar
participar
do
do projetos
projetos de
de sistemas
sistemas ou
ou de
de blocos.
blocos. Tal
Tal atividade
atividade
pode
pode ser
ser feita
feita em
em qualquer
qualquer empresa
empresa ou
ou em
em empresas
empresas
especializadas
especializadas dede projetos.
projetos.

O
O trabalho em foundries
trabalho em foundries exige
exige
especializações
especializações posteriores.
posteriores. Não
Não há
há no
no país
país
cursos
cursos de
de graduação
graduação que
que preparem
preparem técnicos
técnicos
para
para trabalho em foundries
trabalho em foundries..
mar./2014 41
 VI.
VI. Perspectivas
Perspectivas
((formação
formação ee país
país))
•• não
não há ainda foundries
há ainda foundries no
no país:
país: oo investimento
investimento éé
muito
muito alto
alto para
para um
um mercado
mercado pequeno
pequeno
•• há
há uma
uma empresa
empresa dede design
design house
house (NXP,
(NXP, ex-
ex-
FreeScale,
FreeScale, ex-Motorola)
ex-Motorola)
•• há diversas design
há diversas design houses
houses incentivadas
incentivadas pelopelo governo
governo
•• algumas
algumas empresas
empresas desenvolveram
desenvolveram alguns
alguns circuitos
circuitos
integrados
integrados ee fabricaram
fabricaram fora
fora do
do país.
país.
•• qualquer
qualquer empresa
empresa pode
pode transformar
transformar um um produto
produto emem
CI,
CI, desde
desde que
que tenha
tenha um
um mercado
mercado potencial
potencial grande
grande
mar./2014 42
VI.
VI. Perspectivas
Perspectivas

mar./2014 43
 Centros
Centros de
de Projeto
Projeto no
no Brasil
Brasil (2012)
(2012)
1.1.Centro
CentrodedeApoio
Apoioao
aoDesenvolvimento
DesenvolvimentoTecnológico/UnBTecnológico/UnB(CDT) (CDT)DF-Chip
DF-Chip
2.
2.Centro
Centrode
deCiência,
Ciência, Tecnologia
Tecnologia
Centros eeInovação
de Projeto descritosInovação do
dodo
a seguir participam Polo
Polo industrial
industrial
Programa CI de
de
Manaus
Manaus(CT-PIM)
Brasil.
(CT-PIM) 1. Centro de Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico/UnB (CDT) DF-
3.
3.Centro
Centrode
deEstudos
Chip
Estudos Avançados
Avançados
2. Centro
dodoRecife
de Ciência, TecnologiaRecife (CESAR)
e Inovação(CESAR)
do Pólo industrial de
4.
4.Centro
Centrode
dePesquisas Wernher
Manaus (CT-PIM)
Pesquisas
3. CentroWernher
Von
VonBraun
de Estudos Avançados Braun
do Recife (CESAR)
5.
5.Centro
Centrode
deTecnologia
Tecnologia
4. Centro da
da
de Informação
Informação
Pesquisas Wernher VonRenato
Renato
Braun
5. Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer
Archer
Archer
(CTI)
(CTI)
(CTI)
6.
6.Centro
CentroNacional de
Nacional6.de Tecnologia
Tecnologia
Centro Eletrônica
Eletrônica Avançada
Eletrônica
Nacional de Tecnologia
Avançada
Avançada (CEITEC)(CEITEC)
(CEITEC)
7. Centro para Tecnologias Estratégicas do Nordeste (CETENE)
7.
7.Centro
Centropara
paraTecnologias
Tecnologias Estratégicas
Estratégicas
8. Chipus Microeletrônica (Chipus) do
doNordeste
Nordeste(CETENE) (CETENE)
9. Design House Belo Horizonte/UFMG (DH BH)
8.
8.Chipus
ChipusMicroeletrônica
10. ExcelChip(Chipus)
Microeletrônica (Chipus)
Sistemas Eletrônicos
11. Floripa DH
9.
9.Design
DesignHouse
HouseBelo
Belo Horizonte/UFMG
Horizonte/UFMG
12. Freescale Semiconductor (DH
(DHBH) BH)
10.
10.ExcelChip
ExcelChipSistemas
SistemasEletrônicos
13. Idea! Sistemas Eletrônicos
Eletrônicos
11.
11.Floripa
FloripaDH
DH
12.
12.Freescale
FreescaleSemiconductor
Semiconductor
13.
13.Idea!
Idea!Sistemas
SistemasEletrônicos
Eletrônicos
mar./2014 44
 Centros
Centros de
de Projeto
Projeto no
no Brasil
Brasil
14.
14. Instituto
Instituto de
de Pesquisas
Pesquisas Eldorado
Eldorado
15.
15. Laboratório
Laboratório dede Sistemas
Sistemas Integráveis
Integráveis Tecnológico
Tecnológico (LSI-
(LSI-
TEC)
TEC)
16.
16. Núcleo
Núcleo dede Projeto
Projeto de
de Circuitos
Circuitos Integrados/UFRJ
Integrados/UFRJ (NPCI
(NPCI
COPPE)
COPPE)
17.
17. Núcleo
Núcleo Interdepartamental
Interdepartamental de de Microeletrônica/UFSC
Microeletrônica/UFSC
(NIMETEC)
(NIMETEC)
18.
18. Perceptia
Perceptia
19.
19. Santa
Santa Maria
Maria Design
Design House
House
20.
20. Siliconreef
Siliconreef
21.
21. STI
STI Microelectronics
Microelectronics
22.
22. TE@I2
TE@I2 Design
Design House/UFPE
House/UFPE
mar./2014 45
 VI.
VI. Perspectivas
Perspectivas
((formação
formação ee país
país))
•• A
A não
não existência
existência nono país
país de
de capacidade
capacidade de
de projeto
projeto
faz
faz com
com que
que aa indústria
indústria de
de eletrônica
eletrônica nacional
nacional
•• tenha
tenha dede baixo
baixo valor
valor agregado
agregado
•• seja
seja de
de montagem
montagem dede produtos
produtos projetados
projetados no
no
exterior
exterior

•• O
O governo
governo tem
tem procurado,
procurado, de
de forma
forma tímida
tímida ainda,
ainda,
incentivar
incentivar aa microeletrônica
microeletrônica por
por temer
temer asas
implicações
implicações dodo fracasso
fracasso nessa
nessa área
área (extinção
(extinção da
da
industria
industria eletrônica).
eletrônica).
mar./2014 46
 VII.
VII. Exemplo
Exemplo de
de Sistema
Sistema
Banda

desejada

Transceptor
Transceptor
Canal
Mixer
Filtro seletor
de canal Amplificador
Conversão
Conversão
direta
direta
desejado
FRF

Antena LNA FRF

Oscilador
90° Demodulador
local
Filtro de
Entrada saída
(seleciona banda)
Processamento
Processamento
digital
digital
Mixer
D/A
D/A
I
entrada
s(t)cos

PA buffer FRF

90°
Oscilador
local
Filtro de
saída
D/A
D/A
Q
s(t)sen

CI
mar./2014 47
 Conversão direta ++ CMOS
Conversão direta CMOS
Filtro seletor
Mixer
C.I.
C.I. Contendo
de canal Amplificador
FRF
Contendo
LNA
todo
todo
F RF
oo circuito
circuito
90° transceiver
transceiver
Oscilador
Demodulador
local
Filtro de
Entrada saída
(seleciona banda)
Processamento
Processamento
digital
Vantagens
Vantagens Mixer
D/A I
digital

menor D/A entrada

menor circuito,
circuito, consumo
consumo de
de
s(t)cos

potência
potência ee custo;
custo;
PA buffer FRF

mais
mais confiável.
confiável. 90°
Oscilador
local
Filtro de

Desvantagens
saída
Desvantagens D/A
D/A
Q
s(t)sen
problemas
problemas com
com DC;
DC;

conteudo
maior
maior dificuldade
dificuldade para
para projeto.
projeto.
mar./2014 48
 Blocos
Blocos Importantes
Importantes
1. Indutores – são necessários para a construção de filtros de alta
freqüência. Também são usados para casamento de impedância e
como carga pois não adicionam ruído.

Tecnologias
Tecnologias CMOS
CMOS convencionais
convencionais
•• são
são desenvolvidas
desenvolvidas para
para implementar
implementar dede modo
modo eficiente
eficiente
transistores;
transistores;
•• permitem
permitem aa fabricação
fabricação dede resistores
resistores ee capacitores
capacitores com
com
nenhuma
nenhuma ou ou poucas
poucas modificações;
modificações;
•• os
os indutores
indutores possíveis
possíveis apresentam
apresentam baixo
baixo fator
fator de
de
qualidade
qualidade (Q (Q em
em torno
torno de
de 5).
5).

mar./2014 49
 Implementação
Implementação de
de indutores
indutores

Indutores
Indutores nonocamadas
nonocamadas
•• baixa
baixa indutância
indutância (da
(da ordem
ordem de
de
dezenas
dezenas dede nanoHenrys);
nanoHenrys);
•• apresentam
apresentam capacitâncias
capacitâncias ee
resistências
resistências parasitas
parasitas reduzindo
reduzindo oo
fator
fator Q.
Q.
mar./2014 50
Indutores
Indutores comcom múltiplas
múltiplas camadas
camadas
•• reduz
reduz aa resistência
resistência série
série ee
aumenta
aumenta oo Q. Q.
•• aumenta
aumenta as as capacitâncias
capacitâncias
parasitas
parasitas

Indutores
Indutores ativo
ativo
•• alto
alto Q;
Q;
•• aumentam
aumentam ruído;
ruído;
•• aumentam
aumentam distorção.
distorção.
mar./2014 51
2. amplificadores de Baixo Ruído (LNA) - o amplificador deve fornecer
ganho satisfatório com baixo nível de ruído, de forma que não
comprometa a taxa de erro do circuito.

vDD
Características
Características
14 mA 6,2 nH •• aa entrada
entrada deve
deve ter
ter impedância
impedância
vRF casada;
casada;
vB
120/ •• recebe
recebe sinais
sinais muito
muito pequenos
pequenos em
em
vvIN (micro volts);
0,35m IN (micro volts);
3,4 nH •• utiliza
utiliza vários
vários indutores
indutores (para
(para
290/
casamento
casamento ee para para carga).
carga).
vIN 0,35m

1,6 nH

transceptor

mar./2014 52
3. mixer - faz a conversão da freqüência, realizando a multiplicação de
dois sinais (RF – a ser convertido e LO – proveniente do oscilador
local). Consiste de um transcondutor linear, podendo ser ativos ou
passivos.

vDD
1 K

Características
Características
30/0,35m
•• não
não apresenta
apresenta tantos
tantos
vLO problemas
problemas de de ruído;
ruído;
vRF •• não
não utiliza
utiliza indutores;
indutores;
100/0,35m •• cuidados
cuidados com
com distorção.
distorção.
1 mA
Mixer ativo
transceptor

mar./2014 53
4. oscilador – Gera um sinal periódico, com boa precisão e baixo ruído
de fase, para ser usado na conversão da freqüência;

vDD Características
Características
2 mA •• deve
deve apresentar
apresentar baixo
baixo ruído
ruído de
de
IDD fase;
fase;
•• utiliza
utiliza indutores;
indutores;
3,1 nH •• deve
deve ter
ter aa freqüência
freqüência
controlável
controlável para
para ser
ser utilizado
utilizado emem
phase
phase looked
looked loops
loops (PLL)
(PLL)
D2 D1

vCONT
100/0,35m transceptor

mar./2014 54
5. amplificadores de potência (PA) - o amplificador que deve fornecer
ganho e potência satisfatórios para que o sinal transmitido tenha o
alcance desejado;
Características
Características
•• deve
deve fornecer
fornecer alta
alta potência
potência (1W
(1W
para
para celulares);
celulares);
vDD •• utiliza
utiliza indutores
indutores externos;
externos;
55 mAef •• alta
alta potência
potência éé bastante
bastante dificil
dificil
para
para tecnologias
tecnologias CMOS
CMOS
RFC (Externo)
4,2 nH 2 nH vOUT
vIN
0,6 p F 0,2 p F 2,2 p F

450/0,35m
transceptor

mar./2014 55
6. Sintetizador de sinais: o sintetizador que gerar tons em frequëncias
diferentes para permitir a sintonia em vários canais;

Características
Características
•• utiliza
utiliza umum VCO;
VCO;
•• precisa
precisa de de um
um sinal
sinal externo
externo
de
de referência;
referência;
•• do
do filtro
filtro depende
depende
características
características de de
Sinal de
Referência
Sinal
de erro
Controle do
oscilador
funcionamento;
funcionamento;
PDF Filtro

Sinal de
Divisor Saída
Sinal de
Saída dividido por N

mar./2014 56
7. filtros – filtros passa baixa e passa banda, que
selecionam os sinais a serem demodulados/modulados
(a complexidade dos filtros depende do tipo de modulação/demodulação
sendo usado)

8. conversores A/D: transformam o sinal analógico que foi

demodulado em sinal digital para posterior tratamento;
(aparecem apenas nos circuitos demoduladores mais sofsiticados. O
número de bits e a freqüência de amostragem dependem do
demodulador)

9. conversores D/A – transformam sinais digitais em

analógicos para a transmissão; (aparecem apenas em alguns
circuitos moduladores)

10. circuito para o processamento digital do sinal. (podem ser

implementado com DSPs, processadores ou hardware específico)
conteudo

mar./2014 57
 3700m
LNA
LNA++
Mixer
Mixer++ Amplificador
Amplificador
Oscilador
Oscilador de
depotência
potência

Mixer
Mixer++
Oscilador
Oscilador Oscilador
Oscilador

LNA
LNA

Estruturas
Estruturasde
detestes
testes Sintetizador
Sintetizador
implementada
implementadaem
em de
desinais
sinais
tecnologia
tecnologiaCMOS
CMOS
0,35m
0,35m Mixer
Mixer conteudo
2600m
mar./2014 58
 200m

LNA
LNA
100m

975m

tecnologia
tecnologiaCMOS
CMOS0,35m
0,35m
44metais
metaiseedois
doispolis
975m polis

mar./2014 59
 Mixer
Mixer
200m

820m

100m

tecnologia
tecnologiaCMOS
800m CMOS
0,35m
0,35m
mar./2014 60
 Oscilador
Oscilador

1350m

tecnologia
tecnologiaCMOS
CMOS
1250m 0,35m
0,35m
mar./2014 61
 PA
PA

1016m

tecnologia
tecnologiaCMOS
CMOS
1215m
0,35m
0,35m
mar./2014 62
 Frequency
Frequency
Synthesizer
Synthesizer

1145m

CMOS
CMOStechnology
technology
1450m 0.35m
0.35m
mar./2014 63
 PADs

GND
Sinal de alta freqüência
GND

circuito

Circuito sem
mar./2008
Circuito sem pontas de prova 64
encapsulamento
encapsulamento