CAPTULO 3

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNES

Cap. 3 Nota:

1 Na resoluo dos problemas consideraram-se as equaes de Ebers-Moll ou derivadas

UC UE I E = I ES e UT 1 R I CS e UT 1 UC UE UT I C = F I ES e 1 + I CS e UT 1
UC I C = F I B + I CE 0 e UT 1

UC I C = F I E + I CB 0 e UT 1 UC I E = R I B + I EC 0 e UT 1 UC I E = R I C + I EB 0 e UT 1 onde
UC IC UB IC

IB UE (pnp) IE

IB UE (npn) IE

Nos apontamentos tericos da disciplina as equaes anteriores devem ser alteradas, uma vez que as correntes I C e I B foram tomadas com os sentidos contrrios aos apresentados. Com efeito, tomaram-se os sentidos para as correntes que lhes correspondem quando o transstor est na zona activa directa. Assim, as equaes anteriores so equivalentes s dos apontamentos tericos se os sinais de I C e I B forem trocados.

Cap. 3

Problema TBJ1
Considerar o circuito da figura, que contm um transistor bipolar de junes com os seguintes valores:
UC
disr

= 30 V ; PC max = 5 W ; F = 50
IC UCE
R = 100

UC IB

UE EB

EC

EB = 20 V EC = 40 V

RE

IE

a) Calcular os valores das correntes e tenses indicadas. Desprezar o valor de I C 0 e supor que

U E << EB . Calcular as potncias postas em jogo nos diferentes elementos do circuito e a

relao entre elas. b) Calcular o mnimo valor que pode tomar RE , explicando quais as razes fsicas associadas limitao considerada. c) Para o caso indicado no esquema, haver algum perigo para o transistor se se interromper o circuito de base? d) Admitindo que EB sofre uma variao EB << EB e EC se mantm constante, calcular o valor de U EB .

Resoluo
a) Da anlise das malhas do circuito obtm-se:

EB U E = RE I E

(1)

Cap. 3
I E = ( I B + IC ) U C = EB EC U CE = U C U E U = RE I E

3 (2) (3) (4) (5)

Das equaes do transistor:

I C = F I B + I CE 0 exp (U C U T ) 1 (6)

De (1), desprezando U E face a EB , tem-se: I E = 200 mA . De (3) tem-se U C = 20 V . O

transistor est a funcionar na regio activa directa. De (6) tem-se I C F I B . De (2) e (6) obtm-se I C = 196 mA e I B = 4 mA . De (5) tem--se U = 20 V .

PEB = EB I B = 0,08 W
PRE = I EU = 4 W Pfor = PEB + PEC = 7,92 W

PEC = EC I C = 7,84 W
Ptr = U E I E + I CU C I CU C = 3,92 W

Pdis = PRE + Ptr = 7,92 W

b)

U C I C 5 W I C 250 mA U C = 20 V e I E = I C I B I C I E 250 mA I E RE = EC + U CE = 20 V RE 80 REmin = 80 A limitao est associada ao facto de a potncia mxima posta em jogo no transistor ser de 5 W. Ultrapassar este valor pode conduzir, por exemplo, a uma migrao dos tomos de impurezas dadoras (aceitadoras) para a zona de tipo p (n), com consequncias irreparveis para o dispositivo. I B = 0 I C = I CE 0 I E = I CE 0
U CE = EC + RE I E EC U CE > U CEdisr

c)

Cap. 3

Assim se se interromper o circuito de base a juno colectora entra em disrupo. A equao (6) deixa de ser vlida, sendo a corrente de colector limitada pelo circuito exterior. Nestas condies: U CE = U CEdisr I E RE = U CE + EC = 10 V I E = 100 mA e I C = 100 mA

A potncia posta em jogo no transistor neste caso:

Ptr U C I C = 3 W < PC max

Conclui-se que a interrupo do circuito de base no envolve perigo para o transistor. d) Nestas condies:
EB + EB (U E + U E ) RE ( I E + I E ) = 0 EB U E RE I E = 0 U + U = RE ( I E + I E ) U = RE I E

Desprezando U E obtm-se: EB = U U EB 1

Cap. 3

Problema TB2
dado o circuito da figura onde E1 = 15 V, E2 = 20 V e R = 150 . Os dados do transistor a 300 K so os seguintes:
F = 200 ; I CE 0 = 10 A ; U CE
disr

= 30 V ; Pmax = 1 W

U E = 0, 4 V

para

I E = 100 mA

a) Calcular as correntes e tenses indicadas na figura. b) Calcular os valores de U 0 E1 e de E1 I B , supondo que E1 uma variao da tenso E1 sendo E1 << E1 e que U 0 e I B so as correspondentes variaes de U 0 e
I B . Considerar E2 constante.

c) Calcular o valor mximo que E2 pode tomar supondo E1 constante, de modo que no sejam excedidos os limites de funcionamento do transistor.
UC IB UCE UE E2 E1 R IC

IE

Resoluo
a) Das equaes do transistor sendo U C = U CB e U E = U EB :
I C = F I B + I CE 0 exp (U C U T ) 1

(1)

Cap. 3

I E = I ES exp (U E U T ) 1 R I CS exp (U C U T ) 1 Das equaes do circuito: E1 = U E + RI E U C = E2 + E1 I E = I B IC

(2)

(3) (4) (5)

De (4) tem-se U C = 5 V . Deste modo, utilizando (1) -se conduzido a I C F I B I CE 0 . De (3), desprezando U E face a E1 (juno emissor-base polarizada directamente) tem-se De (1), (3) e (5) tem-se: I C 99,5 mA e I B 0,5 mA

Sendo U 0 = RI E E1 = 15 V . De (2) e para os valores dados I E = 0,1 A e U CE = 5 V ) podemos concluir que:

I E I ES exp (U E U T )

(U E = 0, 4 V ,

(7)

o que nos permite calcular I ES . Obtm-se I ES 20,8 nA . Os valores de U E e das correntes podem ser determinados a partir das equaes (3) e (7), uma vez que o transistor est na zona activa directa. Por um processo iterativo obtm-se: I E 97,3 mA e U E 0,399 V . b) Desprezando U E em face de E1 obtm-se: U 0 E1 U 0 E1 1 Nessas condies:
E1 = RI E = R (1 + F ) I B E1 I B = R (1 + F ) = 30 k

c) Para que o transistor no entre na saturao deve verificar-se a seguinte condio: U C = E2 + E1 < 0 E2 > 15 V Sendo I E 100 mA teremos I C 99,5 mA e para que o transistor no exceda a potncia mxima:

Cap. 3 U C > 10 V E2 + E1 > 10 E2 < 25 V Como para E2 = 25 V se tem U CE < U CE

disr

, a juno colectora no entra em disrupo (o

que invalidaria as equaes 1 ou 2), este valor corresponde efectivamente ao mximo valor de E2 para o qual a potncia mxima do transistor no excedida.

Cap. 3

Problema TB3
Considerar o circuito da figura onde T um transistor bipolar de junes de germnio com os seguintes parmetros a 300 K: F = 100 ; I CE 0 = 1 A ; Pmax = 50 mW
U BE = 0,3 V

para
UC

I E = 10 mA

U C = 10 V

IB

IC UCE

RC

UBE RB IE U0

E2

RB = 100 k ; RC = 3 k ; E2 = 10 V

a) Calcular o valor das correntes e tenses indicadas e a potncia posta em jogo no transistor quando: a1) U 0 = 10 V a2) U 0 = 0 V b) Determinar, para U 0 = 10 V , o valor mnimo de RC para que no seja excedida a potncia mxima no transistor. c) Desenhar um esquema correspondente ao indicado, utilizando um transistor MOSFET, de modo a obter um funcionamento idntico ao referido em a). Indicar justificadamente, qual o tipo e as caractersticas a exigir para esse transistor.

Resoluo
a1) Com U 0 = 10 V a juno emissor-base est polarizada directamente. Nessas condies:
I B = (U 0 U BE ) RB U 0 RB = 0,1 mA

Cap. 3

As equaes de Ebers-Moll para o transistor npn podem ser obtidas das equivalentes para o transistor pnp por um dos processos seguintes: ou mantemos as equaes e mudamos os sentidos de referncias das correntes (que passam a sair) e das tenses (que deixam de ser referenciadas base), ou mantemos os sentidos de referncia e trocamos os sinais de I C ,
I B , I E , U C e U E nas equaes. Optmos pela segunda soluo. Duas situaes so

possveis nas condies do problema: o transistor na regio activa directa

(U CB = U C > 0 )

ou na saturao (U CB = U C < 0 ) . Consideremos por hiptese o 1 caso.

Da equao do transistor: I C = F I B + I CE 0 exp ( U C U T ) 1 F I B I CE 0 I C 10 mA Da anlise do circuito:

U C = U CE U BE U CE = EC RC I C = 20 V

o que no confirma a hiptese. O transistor est na saturao. Nessas condies:

U CE 0 I C EC RC = 3,33 mA

Da equao: I C = F I B + I CE 0 exp ( U C UT ) 1 obtm-se U C = 0, 288 V . A partir da equao de Ebers-Moll: I E = I ES exp ( U E U T ) 1 R I CS exp ( U C U T ) 1 e dos dados do problema (U E = 0,3 V para I E = 10 mA e U C = 10 V ) obtm-se I E = I ES exp ( U E UT ) 1 + R I CS I ES exp ( U E U T ) I ES 97 nA Como R I CS = F I ES =
(2): 3, 43 103 I Es exp ( U E UT ) 1 exp ( U C U T ) + 1 . Atendendo a que U C 0, 228 V tem-se U E 0, 28 V . Nessas condies: Ptr = I EU E + I CU C 0, 201 mW Nota: Os valores determinados para U E e U C permitir-nos-iam inicializar um processo iterativo que nos conduziria a valores mais aproximados para as coordenadas do ponto de F I ES I ES e I E = I B I C = 3, 43 mA , tem-se usando 1 + F

(1)

(2)

Cap. 3 funcionamento em repouso do transistor. a2) U 0 = 0

10

Atendendo caracterstica estacionria de entrada de uma montagem de emissor-comum I B = I B (U BE )U

CE

, o ponto de funcionamento em repouso corresponde ao ponto P da

figura seguinte.

IB
U CE >> 0

Recta de declive 1 RB P Corte

UBE

Zona activa directa

O transistor est a funcionar na zona activa directa (U BE > 0 e U CE > 0 ) mas muito prximo da fronteira com a regio de corte (representada na figura pela parte tracejada da caracterstica). No corte seria necessrio aplicar uma tenso U 0 < 0 . Na zona de funcionamento considerada as correntes so obtidas de:
I E = I ES ( U EP ) R I CS ( U CP ) I ES ( U EP ) + R I CS I C = I CS ( U CP ) F I ES ( U EP ) I CS F I ES ( U EP ) I B = I C I E I ES (1 F ) ( U EP ) + I CS ( R 1)

sendo ( U ) = exp ( U UT ) 1 . As correntes so todas desprezveis. Com U EP muito prximo de zero, como se v pela figura, tem-se: U CE EC = 10 V A potncia posta em jogo no transistor desprezvel porque as correntes I E , I C e I B o so tambm.

Cap. 3

11

b) Para que a potncia posta em jogo no transistor ultrapasse a potncia mxima, o transistor ou se encontra na zona activa directa ou na situao de disrupo do colector. Com efeito, no corte as correntes so praticamente nulas e na saturao as tenses so desprezveis. Admitamos que o transistor est na regio activa directa. Nessas condies: U CE = EC RC I C < 0 RC < EC I C I C F I B = F U 0 RB De (3) e (4) obtm-se: RC < EC RB = 1 k FU 0 (3) (4)

1 k representa o valor mximo da resistncia de colector para que o transistor esteja na regio activa directa. Para que a potncia posta em jogo no transistor seja inferior a Pmax deve verificar-se:
I CU CE < 50 103

U CE = EC RC I C EC RC I C <

50 503 RC > 500 IC

500 representa o valor mnimo da resistncia de colector de modo a garantir que a potncia mxima do transistor no seja excedida.

Zona para a qual P > Pmax

Zona Activa Directa

Saturao

500

1000

RC ( )

c) Atendendo polaridade da bateria EC tem-se U DS > 0 , o que nos obriga utilizao de um MOSFET de canal n. Interessa que o transistor esteja ao corte com U 0 = U GS = 0 e com corrente de dreno positiva para U 0 = U GS = 10 V . Ento o valor da tenso gate-fonte de limiar, U GS lim , dever estar compreendido entre 0 e 10 V. O MOSFET de canal n dever ser de enriquecimento (U GS lim > 0 ) .

Cap. 3

12

Problema TB4
Considerar a montagem da figura, que inclui um transistor bipolar de junes com as seguintes caractersticas a T = 300 K :
F = 50 ; R = 10 ; I CE 0 = 0,5 mA ; U Cdisr = 15 V ; PCmax = 500 mW

RB UC IB

RC

U1

E IE
E = 20 V ; RC = 1,5 k

a) Calcular RB que garante que I B = 0, 2 mA . Calcular os valores das correntes e tenses assinaladas na figura. Considerar U E << E . b) Supondo vlidas as caractersticas estacionrias, calcular U1 U E , onde U E uma pequena variao de U E e U1 a correspondente variao de U1 . c) Se pretender substituir o transistor de junes por um transistor de efeito de campo, indicar, justificadamente, qual o tipo a escolher.

Resoluo
a) Desprezando U E tem-se: RB I B E RB 100 k

Cap. 3 Considerar a equao do transistor: I C F I B + I CE 0 exp (U C UT ) 1

13

Admitir por hiptese que o transistor est a funcionar na regio activa directa

(U C << UT ) . Nessas condies:

I C F I B I Ce0 10,5 mA I E = I B I C 10,7 mA U C = E RC I C 4, 25 (V) Confirma-se portanto a hiptese. Nessas condies: U1 = RC I C 15,75 (V)

b) Considerar a equao de Ebers-Moll e o facto de o transistor se encontrar na zona activa directa: I E = I ES exp (U E U T ) 1 R I CS exp (U C U T ) 1 I ES exp (U E UT ) Na equao anterior desprezou-se 1 em face de exp (U E U T ) e ainda a influncia da tenso de colector na corrente de emissor. Por diferenciao obtm-se:
U E I E = I ES exp (U E UT ) exp 1 UT Se U E << UT obtm-se:

I E I ES exp (U E UT )

U E UT

Ou, atendendo a que I ES exp (U E U T ) I E 0 (corrente de emissor correspondente ao funcionamento em repouso), obtm-se:
U E = U T I E IE0

e
U1 = RC I C = RC F U1 RC I E 0 U1 I E = F 605,8 1 + F 1 + F UT U E UT

Cap. 3 c)

14

RG
G D S

RD E UDS UGS

No circuito da figura tem-se U GS < 0 e U DS < 0 . Excluem-se assim o JFET e o MOSFET de canal n pois com U DS < 0 no seria possvel levar os transistores saturao (no possvel estrangular o canal do lado do dreno nessas condies). Exclui-se tambm o JFET de canal p pois nessas condies haveria corrente de gate (tratamento unidimensional do dispositivo no seria possvel), alm de que o controlo da largura do canal atravs de U GS seria muito fraco. Resta o transistor MOSFET de canal p. Caso este seja de empobrecimento (U GS lim > 0 ) no existem restries a fazer. Se for de enriquecimento

(U GS lim < 0 )

deve utilizar-se um transistor com tenso gate-fonte de limiar de mdulo

inferior tenso aplicada. As solues possveis so:

RG G B

RD E

RG G S B

RD E

(U GS lim

qualquer )

(U GS lim > U GS = E )

Cap. 3

15

Problema TB5
dado o circuito da figura contendo um transistor npn de germnio a 300 K com as seguintes caractersticas: F = 200 ; I CE 0 = 1 A ; U Cdisr = 30 V ; PC max = 100 mW ; U E = 0,3 V para I E = 10 mA a) Determinar as correntes e tenses indicadas. b) Calcular o valor de U CE EB supondo que EB << EB e que EC constante. Determinar ainda entre que limites de EB vlido o resultado obtido. c) Calcular os novos valores de a) se RB for infinito (circuito de base interrompido). Qual o mximo valor de RB que permite manter o transistor na zona activa directa?

IC IB RB UC

RC

EC EB UE IE UCE

EC = 40 V ; EB = 20 V ; RC = 5 k ; RB = 1,3 M

Resoluo
a) Desprezando U E face a EB (juno emissora directamente polarizada) tem-se: I B EB RB = 15, 4 A Hiptese: transistor na zona activa directa (U E < 0 e U C > 0 ) I C = F I B + I CE 0 exp ( U C U T ) 1 F I B I CE 0

Cap. 3 Obtendo-se sucessivamente: I C 3,1 mA ; I E = I B I C 3,12 mA ; U CE = EC RC I C U C 24,6 V Confirma a hiptese. Para o clculo de U E pode partir-se de: I E = I ES exp ( U E U T ) 1 R I CS exp ( U C U T ) 1 Uma vez que o transistor est na zona activa directa tem-se:

16

I E I ES exp ( U E U T ) 102 I ES exp ( 0,3 0,026 ) I ES 97 nA Podem obter-se os valores de I E e de U E a partir do conjunto de equaes:
I E I ES exp ( U E UT ) = 97 exp ( U E U T ) ( nA )

I E = I B IC U CE = EC RC I C = U C U E U C b)
U CE = RC I C e EB = RB I B e I C = F I B U CE R I R = C C = C F = 0,77 E B RB I B RB

O resultado anterior pressupe o transistor a funcionar na zona activa directa. Com efeito, desprezou-se U E e considerou-se I C = F I B . Para tal devem verificar-se as seguintes condies: U E < 0 EB > 0 U C > 0 EC + RC I C < 0 EC < F EB RC EB < 52 V RB

Para que o resultado seja vlido dever verificar-se 0 < EB < 52 (V) . c) I B = 0 I C = I CE 0 = 1 A U CE = EC RC I C 40 V > U CEdisr O transistor est a funcionar na zona de disrupo do colector, pelo que as equaes de Ebers-Moll ou derivadas no so vlidas. Nesse caso tem-se:

Cap. 3 U CE = U CEdisr = 30 V I C RC = EC U CE = 10 I C = 2 mA A potncia posta em jogo no transistor P = I CU C = 60 mW < Pmax RB = I B = 0 I C = I E = 2 mA ; U CE = 30 V Para que o transistor se mantenha na zona activa directa: U CE < 30 V I C RC = EC U CE > 10 I C > 2 mA I B I C F > 0,01 mA ou sendo EB RB I B -se conduzido condio RB < EB I B = 2 M .

17

O valor mximo de RB que garante o funcionamento na zona activa directa RBmax = 2 M .

Cap. 3

18

Problema TB6
Considerar o transistor bipolar npn na montagem seguinte:
URC

IC UC

RC EC

IB

RB

EB

UE IE

UCE

EC = 50 V ; EB = 10 V ; RB = 10 k ; F = 100 ; R = 10 U Edisr = 3 V ; U Cdisr = 30 V ; Pmax = 0,5 W ; I CB 0 = 0,1 A

a) Dimensionar o intervalo de valores que RC pode tomar de forma a que no seja excedida a potncia mxima do transistor. Para o valor de RC que conduz potncia mxima, calcular o valor das correntes e tenses indicadas na figura. b) Representar graficamente a potncia posta em jogo no transistor em funo de RC quando esta tomar os valores no intervalo definido em a). Indicar nesse grfico as diferentes zonas de funcionamento do transistor, bem como os valores de RC que as separam. c) Indicar, justificadamente, como seriam alterados os resultados da alnea a) se, no circuito da figura, se trocassem os terminais de emissor e de colector.

Resoluo
a)
I CU CE < Pmax I C ( EC RC I C ) < Pmax

(*)

I B EB RB I B 1 mA

Cap. 3 Admitindo como hiptese o funcionamento na zona activa directa tem-se: I C F I B = 100 mA Substituindo em (*) obtm-se: RC > 450

19

Note-se que na regio activa directa ou na situao de alguma das junes se encontrar em disrupo que a potncia no transistor pode atingir o valor mximo admissvel uma vez que as tenses so desprezveis na saturao e as correntes so desprezveis no corte . Para RC = 450 tem-se I B = 1 mA e I C = 100 mA pelo que: U CE = EC RC I C = 5 U C o que confirma a hiptese de regio activa directa. Nessas condies: U RC = I C RC 45 V ; I E = I B I C 101 mA b) A juno colectora entra em disrupo quando U CE = 30 V , ou seja I C RC = 20 V , o que corresponde para I C = 100 mA a um valor de RC = 200 , ou seja, fora do intervalo definido em a). Enquanto estiver na zona activa directa tem-se I C = 100 mA , pelo que:
P I CU C I C ( EC RC I C ) = A BRC

sendo A e B duas constantes positivas. Na zona activa directa P tem um andamento praticamente linear com RC . Por outro lado, na saturao: ECE 0 EC RC I C RC 500 e portanto P 0 .
P

Pmax

450

500 Zona activa directa Saturao

RC ()

Cap. 3

20

c) Trocando os terminais do emissor e do colector o transistor passaria a funcionar em princpio na zona activa inversa. Nesse caso: I B EB RB = 1 mA I E R I B = 10 mA A potncia posta em jogo no transistor neste caso sempre inferior ao valor mximo. Com efeito na regio activa inversa:

( I EU E )max 10U Edisr

= 0,03 < Pmax

No entanto, atendendo a que U Edisr < U Cdisr a polarizao inversa da juno emissora atingida mais facilmente do que em a). Nestas condies: U CE 3 V I E = ( EC + U CE ) RC = 47 RC No limiar da disrupo da juno emissora/regio activa inversa tem-se: I E = 10 mA e U CE = 3 V RC = 4700 k Na disrupo para que a potncia se encontre abaixo do valor mximo permitido deve verificar-se a seguinte condio: I EU E 3I E < Pmax I E < 166,7 mA RC > 282 Por outro lado, no limiar da saturao/regio activa inversa tem-se: U CE 0 e I E 10 mA RC EC I E 5000 Em resumo: 0 < RC < 282 282 < RC < 4700 4700 < RC < 5000 RC > 5000 P > Pmax (destruio do transistor) Transistor na disrupo da juno emissora Transistor na zona activa inversa Transistor na saturao

Cap. 3

21

Problema TB7
Admitir que o transitor utilizado na montagem da figura seguinte possui as seguintes especificaes a 300 K:
F = 100 ; Pmax = 500 mW ; U Cdisr = 40 V
URC IC RC UCE EB UE RE IE URE

IB

RB

UC

EC

EB = 5 V ; EC = 10 V ; RE = 100 ; RC = 1 k a) Calcular RB de modo a que U CE = EC 2 . Calcular as correntes e tenses indicadas na figura. b) Calcular U RE E1 e U RC E1 na aproximao quase-estacionria, com U RE e U RC U RC para uma variao E1 U RE

E1 , e supondo constantes os restantes

parmetros do circuito. c) Considerar I C = F I B . Partindo do ponto de funcionamento correspondente diga, justificadamente, se faria aumentar ou diminuir E1, E2 , RC , RB , RE e F se pretendesse por modificao de apenas um deles de cada vez: c1- levar o transistor saturao; c2- baixar a potncia posta em jogo no transistor.

Resoluo
a) I C RC I E RE + U CE = EC

Cap. 3 U CE = EC 2

22

Sendo U CE = 5 V o transistor est na zona activa directa. Deste modo I C F I B e portanto: I C 4,54 mA ; I B 45, 4 A ; I E = I C I B I C Da anlise do circuito de entrada tem-se: EB = RB I B U E RE I E desprezando U E face a EB (juno emissora directamente polarizada) tem-se: RB = ( EB + RE I E ) I B = 100 k U RE = I E RE 0, 454 V U RC = RC I C = 4,54 V b) O problema pode ser resolvido a partir do circuito para componentes incrementais, onde se traduz a variao EB por um sinal eb . Estando o transistor na zona activa directa a resistncia r responsvel pela queda de tenso incremental ube e dada por:

r =

F F = UT = 572 gm IC

eb = RB + r + (1 + F ) RE ib
u RE = (1 + F ) RE ib

uRC = F RC ib
ib
RB B C

eb

ube

F ib
RC E

RE

Cap. 3

23

(1 + F ) RE u RE = 0,09 eb RB + r + (1 + F ) RE
u RC F RC = 0,9 eb RB + r + (1 + F ) RE O procedimento idntico ao adoptado na resoluo do problema TB5-b), por exemplo, desde que se considere ube = ube = U E 0 . Corresponde a desprezar r face a
RB + (1 + F ) RE , o que se verifica ser uma boa aproximao.

c)

RB = F RC e EB RB I B + U CB + RC I C EC = 0 U CB = EC EB > 0 O transistor est na zona activa directa. U CE U CB = EC EB = EC 2 Verifica-se que para valores constantes de EC , RC e RE o ponto de funcionamento em repouso varia com EB e RB , sendo mxima a potncia posta em jogo no transistor quando U CE EC 2 . P U CE I C EC ( RC + RE ) I C I C dP P = Pmax = 0 EC 2 ( RC + RE ) I C = 0 dI C EC IC = U CE = EC ( RC + RE ) I C = EC 2 2 ( RC + RE )
IC

E2 RC + RE

I B = EC RC + RE (1 + F )

E2/2

E2

UCE

Cap. 3

24

O ponto de funcionamento em repouso dado pela interseco da curva caracterstica de sada, correspondente a um dado valor de I B , e a recta de carga resultante da anlise da malha de sada do circuito. Para levar o transistor saturao teremos de fazer tender U CE para zero, ou seja, aumentar EB , diminuir EC ; aumentar RC ; diminuir RB ou diminuir F . Como U CE praticamente independente de RE a sua alterao no retira o transistor da zona activa directa ( U CE praticamente fixo de valor EC 2 ). Uma anlise grfica parece ser particularmente elucidativa. As figuras seguintes mostram o sentido em que se desloca o ponto de funcionamento em repouso quando varia cada um dos parmetros. A seta corresponde ao sentido da evoluo para uma variao crescente do parmetro.

IC P

IC

IC

P P P UCE (EB) (EC) UCE P

UCE (RC)

IC P P

IC P P

IC

P P

UCE (RB) (F)

UCE (RE)

UCE

Como se demonstrou atrs, para uma recta de carga fixa, a variao da corrente de base provoca uma alterao do ponto de funcionamento em repouso e da potncia posta em jogo no transistor, sendo esta mxima quando U CE = EC 2 . Assim, qualquer variao de EB , RB e F (aumento ou diminuio) provocar uma diminuio da potncia posta em jogo

Cap. 3

25

no transistor. Os outros factores provocam uma alterao da recta de carga. A anlise grfica permite rapidamente concluir que para diminuir a potncia posta em jogo no transistor se deve diminuir EC , aumentar RC ou aumentar RE . Neste ltimo caso existe variao simultnea da caracterstica de sada e da recta de carga. No entanto, e como se viu, U CE permanece praticamente constante. Diminuir a potncia corresponder assim a diminuir a corrente de colector. Atendendo a que:
I C ( EC U CE ) ( RC + RE )

a diminuio da potncia obtida custa do aumento de RE .

Cap. 3

26

Problema TB8
Considerar o circuito da figura (a) onde U1 a tenso da figura (b). Desprezar as quedas de tenso das junes directamente polarizadas.
U1 RB iE RE U1 UM T T/2 UCE UC iC EC iB
EC = 20 V RE = 1 k

(a)

U M = 150 V

(b)

UM

a) Calcular RB de forma a que U C = 25 V quando U1 = 75 V . Representar iB (t ) e U CE (t ) para 0 t T 2 . b) Para U1 = 75 V calcular U CE U1 com U1 U1 na aproximao quase-estacionria.

c) Calcular a potncia posta em jogo no transistor quando U1 = 150 V e o terminal da base est em aberto. F = 100 ; R = 5 ; I CE = 10 A ; U Cdisr = 100 V ; U Edisr = 25 V

Resoluo
a) EC = RB I B U C RB I B = EC + U C = 5 V Como U C < 0 e U E > 0 o transistor est na zona activa directa. RE I E U1 + RB I B = 70 V I E 70 mA I C = I E I B F I E 70 mA F + 1

Cap. 3 I B I C F = 0,7 mA RB 7 k
U CE (t ) = RE iE (t ) + U1 (t ) EC (1 + F ) RE iB (t ) + U1 (t ) EC

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(1) (2)

iB (t )

EC + U CE (t ) (1 + F ) E (1 + F ) U (t ) iE (t ) C CE RB RB RB

De (1) e (2) obtm-se:

U CE (t ) = EC + U1 (t ) RE 1 + R (1 + F ) B (3)

Substituindo (3) em (2) obtm-se: iB (t ) = EC + U CE (t ) RB

UCE(t) T/4 T/2 t 10/7 20 29,8

iB(t) (mA) T/4 T/2 T

b) De (3) obtm-se:

U CE =

U1 1+ RE (1 + F ) RB

U CE 1 = 0,067 U1 1 + RE 1 + ( F) RB

c) Com a base em aberto tem-se: I C = I CE 0 exp (U C UT ) 1 I CE 0

U CE = EC + U1 RE I C 170 < U Cdisr U CE = U Cdisr = 100 V

(4)

O transistor est com a juno colectora em disrupo o que invalida a equao (4). A corrente de colector assim obtida de: U CE = EC + U1 RE I C = 100 I C = 70 mA = I E A potncia posta em jogo no transistor dada por: P = U C IC = 7 W