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Universidade Federal de Santa Catarina Departamento de Engenharia Eltrica Laboratrio de Materiais Eltricos EEL 7051 Professor Clvis Antnio

o Petry
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Experincia 05 Resistncia de Isolamento

Fbio P. Bauer Tiago Natan A Veiga

Florianpolis, julho de 2006.

Sumrio
1. Objetivos ........................................................................................................ 3 2. Introduo ...................................................................................................... 4 3. Aterramentos.................................................................................................. 5 3.1 Esquemas de Aterramento ....................................................................... 5 3.2 Esquema TN............................................................................................. 6 3.3 Esquema TT ............................................................................................. 6 3.4 Esquema IT .............................................................................................. 6 4. Ensaios de Laboratrio .................................................................................. 7 4.1 Materiais Utilizados................................................................................... 7 4.2 Ensaio da Resistncia de Isolamento ....................................................... 7 5. Concluses..................................................................................................... 9 6. Referncias Bibliogrficas ............................................................................ 10

1. Objetivos
Medir a resistncia de isolamento das bancadas do laboratrio de Materiais Eltricos; Concluir se as medidas obtidas oferecem segurana suficiente para os usurios.

2. Introduo
A resistncia de isolamento de fios condutores estabelece um importante parmetro na segurana que uma rede eltrica pode oferecer. A resistncia de isolamento a resistncia entre dois corpos condutores separados por um material dieltrico, em condies de ensaio especificadas. Est associada a perdas de Joule nos dieltricos, portanto ao comportamento em baixa freqncia. Para as condies de ensaio desenvolvidas em laboratrio, procurou-se satisfazer as condies mnimas de isolao estabelecidas pela NBR 5410:2004. As resistncias de isolamento so essenciais para a segurana dos usurios de uma rede eltrica, uma vez que a proteo contra choques pode ser realizada de forma trivial com dispositivos de proteo em SELV (System of Extra Low Voltage) ou PELV (SELV no separado da terra). Os Ensaios descritos no presente relatrio visaram medio da resistncia de isolamento das bancadas do laboratrio de Materiais Eltricos. O nmero de bancadas ligadas varia de um a quatro e o objetivo visado na experincia verificar se as isolaes respeitam a norma NBR 5410:2004.

3. Aterramentos
Denomina se aterramento a ligao com a massa condutora da terra, os aterramentos devem assegurar de modo eficaz a fuga de corrente para a terra, propiciando as necessidades de segurana e de funcionamento de uma instalao eltrica. O valor da resistncia de aterramento deve satisfazer s condies de proteo e funcionamento da instalao eltrica, de acordo com os esquemas de aterramento.

3.1 Esquemas de Aterramento


A NB-3 fixa os seguintes esquemas de aterramento: Obs.: Para classificar os esquemas de aterramento utilizada a seguinte simbologia : A primeira letra representa a situao da alimentao em relao a terra . T = um ponto diretamente aterrado. I = isolao de todas as partes vivas em relao terra ou aterramento de um ponto atravs de uma impedncia. A segunda letra representa a situao das massas da instalao eltrica em relao terra T = massas diretamente aterradas, independente do aterramento eventual de um ponto da alimentao. N = massas ligadas diretamente ao ponto da alimentao aterrado ( em CA o ponto aterrada normalmente o neutro ); Outras letras indicam a disposio do condutor neutro e do condutor de proteo S = funes de neutro e de proteo asseguradas por condutores distintos. C = funes de neutro e de proteo combinadas em um unico condutor. (condutor PEN )

3.2 Esquema TN
Este esquema possui um ponto de alimentao diretamente aterrado, sendo as massas ligadas a esse ponto atravs de condutor de proteo, so considerados 3 tipos de esquemas TN :
o o

TN-S, o condutor neutro e o de proteo so distintos TN-C-S, o condutor neutro e o de proteo so combinados em um nico condutor em uma parte da instalao. TN-C, o condutor neutro e o de proteo so combinados em um nico condutor ao longo de toda a instalao.

3.3 Esquema TT
Este esquema possui um ponto de alimentao diretamente aterrado, estando as massas da instalao ligado aos eletrodos de aterramento eletricamente distintos do eletrodo de aterramento da alimentao.

3.4 Esquema IT
Este esquema no possui nenhum ponto de alimentao diretamente aterrado, somente as massas da instalao so aterradas. A figura 3.4 mostra um esquema simplificado do aterramento IT.

Figura 3.4- Aterramento IT. Fonte:

PETRY, C.A. Resistncia de Isolamento

4. Ensaios de Laboratrio
Nas sees seguintes, ser descrito o procedimento usado em Laboratrio para se obter as resistncias de isolamento das bancadas do laboratrio de Materiais Eltricos, de acordo com a NBR 5410:2004 para baixas tenses, item 7.3.3.

4.1 Materiais Utilizados


1 Megohmetro digital. MINIPA Modelo MI-2650. Fundos de escala: 4000/1000V 4 Bancadas com alimentao trifsica.

4.2 Ensaio da Resistncia de Isolamento


O Ensaio para a medio da Resistncia de Isolamento prev que a rede no deve estar energizada para a realizao das seguintes medidas: resistncias entre os condutores vivos (fase e neutro) tomados dois a dois e entre cada condutor vivo e terra. Os valores obtidos devem satisfazer os critrios mnimos estabelecidos na tabela 1, em particular a linha 1 (SELV) visto ser esta a condio correspondente de ensaio.

Tabela 1- Valores Mnimos de Resistncia de Isolamento

Em sntese o ensaio consiste em medir as resistncias entre fase e neutro, entre neutro e terra e entre fase e terra para uma duas, trs e quatro bancadas ligadas. As medidas so feitas com o megohmetro. Os resultados dessas medies so mostrados na tabela 2.

Referncia para Medida Fase - Neutro Fase-Terra Neutro -Terra

Resistncia de Isolamento () Nmero de Bancadas Ligadas 1 2 3 3,1G > 4G > 4G 4 2,1G > 4G > 4G > 4G 4,2G > 4G > 4G > 4G > 4G

Tabela 2- Valores Obtidos nas Medies em Laboratrio

Conforme observado na Tabela 2, em qualquer dos casos considerados na Tabela 1, em especial para valores em SELV, os valores de resistncia medidos esto muito acima dos previstos pela norma, o que comprova que o isolamento das bancadas do laboratrio est adequado e o risco associado segurana dos usurios est nos limites de tolerncia. O motivo pelo qual a resistncia de isolamento diminui medida que o nmero de bancadas cresce deve-se modelagem dessa resistncia. Como os fios guardam um valor de tenso de ruptura, medida que o circuito cresce, a resistncia equivalente provm das resistncias em paralelo pr-existentes. Portanto o valor resultante de resistncia sempre menor do que qualquer um dos componentes de resistncia na linha.

5. Concluses
O Ensaio desenvolvido em laboratrio permitiu avaliar diversos itens a respeito da confiabilidade que um sistema eltrico pode oferecer com base tosomente no valor da resistncia de isolamento associada. As medidas obtidas com o megohmetro mostraram claramente que o laboratrio apresenta valores muito acima do estabelecido pela norma, o que garante a segurana dos seus usurios. medida que se prolonga o comprimento da linha, a resistncia equivalente modelada por resistncias em paralelo. Ento a resistncia equivalente sempre ser menor do que qualquer uma das resistncias acopladas na linha. Os esquemas de aterramento existentes permitem que o engenheiro compreenda como os possveis componentes podem ser conectados e com isso avaliar a melhor maneira de projetar sistemas de segurana para o usurio. Resta lembrar que as medidas provenientes do megohmetro contm algum tipo de erro, mesmo que se trate de um instrumento digital de alta preciso. Contudo, para as exigncias da norma NBR 5410:2004 as medidas apresentadas no relatrio satisfazem as especificaes de formulao de projeto.

6. Referncias Bibliogrficas
[1] PETRY, C.A. Resistncia de Isolamento. Disponvel em

.<www.inep.ufsc.br/~petry/>. Acesso em 03 jul. 3006 [2] jul. 2006. [3] MATERIAIS DIELTRICOS: Propriedades Eletromagnticas dos Materiais. Disponvel https://dspace.ist.utl.pt/bitstream/2295/57230/1/Trab_V_Dielectricos.pdf>. Acesso em 03 jul. 2006. [4] ATERRAMENTOS: Esquemas de Aterramento. Disponvel em em< ANACOM: Ensaios. Disponvel

em.<http://www.anacom.pt/template12.jsp?categoryId=48045>. Acesso em 03

.<http://dalcantara.vilabol.uol.com.br/index9.html>. Acesso em 03 jul. 2006.

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