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MATERIAIS SEMICONDUTORES
INTRODUÇÃO
R=ρ . l / A
onde, R- resistência elétrica, medida em ohms [Ω]
l - comprimento do material em metros [m]
A - área do material em metros ao quadrado [m2]
ρ - resistividade do material [Ω . m2] / [m].
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O potencial necessário para tornar livre qualquer um dos elétrons de valência é menor
que o necessário para remover qualquer outro da estrutura. Em um cristal de silício ou
germânio, puros (intrínsecos), estes quarto elétrons de valência participam da ligação atômica
com quatro elétrons dos átomos vizinhos, formando ligações covalentes. Embora a ligação
covalente implique numa ligação mais forte entre os elétrons de valência, ainda assim é
possível que possam assumir o estado livre.
A figura abaixo mostra a estrutura planificada das ligações covalentes dos átomos de
silício ou germânio.
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NIVEIS DE ENERGIA
Os elétrons que ocupam a camada de valência, tem um nível energético mais elevado
do que qualquer outro elétron do átomo, contudo podem possuir um nível mais elevado ainda
quando torna se livre.
Quando os átomos de silício ou germânio formam o cristal, cada átomo da estrutura
sofrendo a influencia de seus vizinhos fazem com que seus elétrons ocupem posições
diferentes, dentro de uma mesma órbita, de um átomo vizinho.
O resultado final é uma expansão dos níveis discretos de energia possíveis. A figura
abaixo ilustra essa situação.
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MATERIAIS EXTRINSECOS
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O DIODO IDEAL
Resistência inversa: Vr = ∝
Ir
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O DIODO DE JUNÇÃO
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A região próxima a junção fica sem portadores associados, sendo chamada de região
de depleção ou região de carga espacial (RCE).
Com a movimentação dos portadores majoritários de ambos os lados da junção, no
processo de recombinação a região de depleção cria uma barreira de potencial, favorecendo
o processo de deriva que irá se opor ao processo de difusão.
CONSTRUÇÃO E CARACTERÍSTICAS
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ld = Ir ( q . V - 1)
e.η.k.T
onde: q - carga do elétron
V - tensão aplicada ao diodo
K - constante de BOLTZMAN
T - temperatura em KELVIN
η - constante empírica
Ir - corrente de saturação reversa
ld - corrente total no diodo
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FENÔMENOS DE RUPTURA
No diodo sem polarização, já existe uma região de depleção que cria uma barreira de
potencial, representada na figura abaixo:
A partir de um certo valor de tensão aplicada ao diodo, haverá choques dos elétrons
livres com elétrons das ligações covalentes, com possível retirada desses elétrons. Ocorrerá
um efeito multiplicativo, aumentando consideravelmente o número de elétrons disponíveis
para a condução de corrente. Esse efeito, chamado avalanche, faz com que a corrente
aumente rapidamente para qualquer novo acréscimo de tensão reversa aplicada ao diodo.
Se ambos os lados da junção forem muito dopados, a região de depleção será
estreita. Isso faz com que os elétrons não tenham condições de ganhar energia cinética
suficiente para retirada de outros elétrons das ligações covalentes.
Porém o próprio campo elétrico pode retirar os elétrons, fazendo com que haja um
aumento considerável da corrente para qualquer novo acréscimo de tensão.
Esse mecanismo chama efeito ZENER. Existem diodos especiais que sustentam a
condução no sentido reverso sem se danificarem. Os diodos zener e de avalanche são
exemplos desses dispositivos,
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CAPACITÂNCIA EM DIODOS
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DIODOS ESPECIAIS
Diodo PIN
A região I tem alta resistência que pode tornar-se com
elevada condutividade sob polarização direta. Em polarização
reversa praticamente não conduz, oferecendo uma alta tensão de
ruptura, da ordem de centenas de volts atuando como um capacitor.
Em polarização direta comporta-se como uma resistência variável de
baixo valor. Como resistor controlado pela corrente, atua como
limitador em circuitos ou como atenuador em microondas.
Dispositivo GUNN
Consiste de um cristal homogêneo de arsenieto de gálio sem a junção PN, não sendo
polarizado como os demais diodos devido a ausência da junção.
Basicamente é formado por uma região N, sobre
uma base cristalina. O efeito GUNN foi apresentado em
1964 e refere-se a circulação de zonas de campo elétrico
de valor elevado, chamados de domínios, que se
movimentam através do cristal, quando o dispositivo é
convenientemente polarizado.
Os domínios são agrupamentos de elétrons entre
ânodo e cátodo, resultando num ciclo de pulsos de corrente
de transição, determinado pela Iargura da camada N. O
valor da tensão aplicada, também tem influência no ciclo de
domínios. O dispositivo é utilizado na geração de oscilações
em torno de 40GHz.
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tensão a corrente, diminui até Iv (corrente de vale). A partir desse ponto, a corrente volta a
crescer com o aumento da tensão aplicada. A figura a seguir, mostra a curva característica de
um diodo tunnel e seu símbolo. Os valores de Ip e Iv variam conforme a construção e a
largura da barreira.
DIODO SCHOTTKY
Também é chamado de diodo HCT (Hot carrier Diode.). Teve seu efeito explicado por
SCHOTTKY em 1939, porém foi descoberto por BRAUN em 1874.
Baseia-se na união de um metal e um semicondutor. Devido as pequenas, dimensões
em que pode ser construído, é muito utilizado na fabricação de circuitos integrados. São
usados na fabricação do diodo SCHOTTKY, o silício ou arsenieto de gálio com forte dopagem
como cátodos e ouro, prata ou alumínio como ânodos.
O funcionamento do dispositivo baseia-se no fato de que os níveis de energia são
diferentes entre o semicondutor e o metal.
Quando em polarização direta, essa diferença provoca, o aparecimento de uma
corrente no sentido do semicondutor para o metal. Em polarização reversa o aumento da
barreira de potencial impede a condução de corrente. Devido aos elétrons, únicos portadores
de carga, é chamado de HCD. Devido a
ausência de portadores minoritários, a
resposta do SCHOTTKY é muito rápida
podendo trabalhar em freqüências da
ordem de 70GHz. A tensão de início de
condução depende dos materiais
escolhidos na fabricação do diodo, podendo
variar de 0,25 a 0,75volts. A figura a seguir,
mostra a estrutura e o símbolo do diodo
SCHOTTKY.
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FOTODIODO
A incidência de energia luminosa numa junção PN libera elétrons da camada de
valência para a camada de condução. A corrente reversa de um diodo é devido a
movimentação de portadores minoritários que surgem em ambos os lados
da junção. Num fotodiodo, a corrente reversa é controlada através da
incidência da luz na junção, através de encapsulamentos especiais. A figura
a seguir mostra o símbolo utilizado para um fotodiodo.
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freqüência elevada, porém com baixos níveis de potência. A figura a seguir, mostra um diodo
de contato de ponto.
CONVENSÕES
Basic symbol chart
Whether the letters of the symbols are to be written in upper case or lower case letters can be
taken from the following chart.
Symbols
i, v, p I, V, P
a
b
c
Instantaneous value of the variable RMS, average, and peak value of the variable
f
r component component
Subscripts
m
av
E
B
C
Instantaneous total value (as referred to DC value, average, rms, and peak value (as
F
R zero) referred to zero)
M
AV
GRANDEZAS ELÉTRICAS
IC DC value, no signal
ICAV Average value of the total current (referred to zero)
ICM Ic Peak value of the total current (referred to zero)
ICRMS RMS value of the total current (referred to zero)
Icav (Arithmetic) mean of the variable component superimposed on the closed circuit direct current Ic
(referred to the DC no-signal value Ic)
Ic Ierms RMS value of the variable component (referred to the average value Icav)
Icm Ic Peak value of the variable component (referred to the arithmetic mean Icva)
IC Instantaneous total value (refer to zero)
Ic Instantaneous value of the variable component (referred to the arithmetic mean Icva)
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