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Apostila Ciencia Dos Materiais 2012
Apostila Ciencia Dos Materiais 2012
Sum
ario
1 Sistemas critalinos
2
1
1.1
Sistema c
ubico
1.1.1 Sistema
1.1.2 Sistema
1.1.3 Sistema
. . . . . . . . . . . . . . .
c
ubico simples . . . . . . .
C
ubico de Corpo Centrado
C
ubico de Face Centrada .
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3
3
4
5
2 Cristalografia
2.1 Posicoes cristalinas . . . . . . . .
2.2 Direcoes cristalinas . . . . . . . .
2.3 Planos cristalinos . . . . . . . . .
2.4 Exerccios . . . . . . . . . . . . .
2.5 Densidade atomica planar . . . .
2.5.1 C
ubico simples . . . . . .
2.5.2 C
ubico de corpo centrado
2.5.3 C
ubico de face centrada .
2.6 Densidade atomica linear . . . . .
2.7 Planos e direcoes compactos . . .
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6
6
6
8
11
15
15
15
16
17
18
3 Caracterizac
ao da estrutura
3.1 Lei de Bragg . . . . . . . . . . .
3.2 Metodos de difracao de raios-X
3.3 Espectro de difracao . . . . . .
3.4 Exemplo de aplicacao . . . . . .
3.5 Exerccios . . . . . . . . . . . .
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19
19
20
20
20
24
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27
27
27
28
28
28
29
5 Composic
ao
5.1 Exemplo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2 Exerccios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
30
30
30
6 Diagramas de Fases
6.1 Importancia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.2 Limite de solubilidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.3 Fases . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.4 Diagramas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.5 Fases de equilbrio e fases metaestaveis . . . . . . . . . .
6.6 Diagrama de equilbrio para sistemas binarios e isomorfos
6.6.1 Interpretacao dos diagramas de fase . . . . . . . .
6.7 Desenvolvimento da microestrutura . . . . . . . . . . . .
6.8 Diagrama Eutetico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.8.1 Desenvolvimento da estrutura para ligas euteticas
6.8.2 Diagrama Cu-Ag . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.9 Exerccios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
31
31
31
31
31
32
32
33
34
35
37
37
38
4 Defeitos
4.1 Vacancia . . . . . . . . . . .
4.1.1 Exemplo de aplicacao
4.1.2 Exerccios . . . . . .
4.2 Solucoes Solidas . . . . . . .
4.2.1 Condicoes . . . . . .
4.2.2 Exerccio . . . . . . .
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7 Propriedades Mec
anicas dos Materiais
7.1 Ensaio de Tracao . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7.1.1 Exerccios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
40
41
Sistemas critalinos
simples
simples
corpo centrado
simples
face centrada
Sistema
c
ubico,
tres eixos com
angulos retos; todos iguais: a = b =
c; = = = 90o
Cobre
(Cu),
Prata
(Ag),
Cloreto de sodio
(NaCl)
Sistema tetragonal,
tres eixos com
Estanho (Sn),
angulos retos; dois
Rutilo (TiO2 )
iguais: a = b =
c; = = = 90o
Sistema ortorrom(Ga),
bico, tres eixos com Galio
Perovskita
angulos retos: a =
b = c; = = = (CaTiO3 )
90o
Sistema
monoclnico,
dois
Gesso
eixos com angulos
(CaSO4 2H2 O)
retos: a = b =
c; = = 90o =
Sistema
trigonal
(romboedrico),
a = b = c; = =
= 90o
Calcita
(CaCO3 ),
Arsenic
(As),
Bismuto (Bi)
simples
Sistema Trigonal
Zinco
(Zn),
(hexagonal), a1 =
Cadmio
(Cd),
a2 = a3 = c; =
Quartzo (SiO2 )
= 90o , = 120o
simples
1.1
Sistema c
ubico
Sistema c
ubico simples
No sistema c
ubico simples o empilhamento atomico ocorre com 1 atomo alocado em cada
vertice da celula unitaria.
y
x
y
x
FE = 3
= = 0, 52
3
(2 R)
6
1.1.2
Sistema C
ubico de Corpo Centrado
No sistema c
ubico de corpo centrada o empilhamento atomico ocorre com 1 atomo alocado
em cada vertice da celula unitaria alem de um atomo posicionada exatamente no centro.
z
x
4R
3
z
y
x
4R
O parametro cristalino e igual a e o n
umero de coordenacao e 8. O fator de empa3
cotamento e igual:
4
2 R3
3
= 0, 68
F E = ( 3 )3 =
8
4R
3
1.1.3
Sistema C
ubico de Face Centrada
No sistema c
ubico de face centrada o empilhamento atomico ocorre com 1 atomo alocado
em cada vertice da celula unitaria alem de um atomo no centro de cada face.
z
2R
y
x
2 e o n
umero de coordenacao e 12. O fator de
4
4 R3
F E = ( 3 )3 = = 0, 74
3 2
2R 2
Cristalografia
A descricao da estrutura cristalina dos materiais e feita considerando-se uma notacao para:
posicoes, direcoes e planos.
2.1
Posi
c
oes cristalinas
P3
P2
P1
P4
y
2.2
Direc
oes cristalinas
y
x
y
x
y
x
A determinacao dos ndices da direcao pode ser feita considerando os acrescimos entre a
posicao inicial e nal. Exemplicando:
z
Pi = 0; 0; 0
Pf = 1/2; 1; 0
= Pf Pi = 1/2; 1; 0 (o tamanho da
projecao)
multiplicando por dois (menores inteiros)
obtem-se os ndices da direcao
[120]
x
Essa abordagem permite a determinacao dos ndices da direcao cristalina representada
em qualquer posicao da celula unitaria.
z
Pi = 0; 1; 1
Pf = 1; 0; 1/2
= Pf Pi = 1; 1; 1/2
multiplicando por dois (menores inteiros)
obtem-se os ndices da direcao
[221]
x
Para o desenho da direcao a partir dos ndices podemos usar o inverso do mesmo procedimento:
z
Dada a direcao [120]:
Considerando a origem como ponto inicial: Pi = 0; 0; 0
= 1/2; 1; 0 (ndices divididos por dois)
Pf = Pi + = 1/2; 1; 0
y
x
10
Quando a direcao tiver algum ndice negativo basta alterar o ponto inicial para o desenho
se manter dentro da celula unitaria.
z
Dada a direcao [122]:
Considerando a origem como ponto inicial: Pi = 1; 0; 1
= 1/2; 1; 1
Pf = Pi + = 1/2; 1; 0
y
x
2.3
Planos cristalinos
A notacao para os planos utiliza os Indices de Miller, que sao obtidos da seguinte maneira:
Obtem-se as interseccoes do plano com os eixos;
Obtem-se os inverso das interseccoes;
Multiplica-se para obter os menores n
umeros inteiros.
1
; Iz = 1. Sendo ainda que o plano e
2
paralelo ao eixo y, portanto nao existe intercepto, ou o intercepto ocorre no innito (Iy = ).
z
1
Para o plano da gura os interceptos sao: Ix =
y
1/2
1
1
= 1 =2
Ix
2
k=
1
1
=
=0
Iy
l=
11
1
1
= =1
Iz
1
y
x
y
x
(100)
y
x
(010)
Figura 2: Planos frontais
(001)
y
x
( 1 0 0 )
x
( 0 1 0 )
Figura 3: Planos frontais negativos
( 0 0 1 )
Note que foi feito um deslocamento da origem para a visualizacao dos planos negativos.
Os planos diagonais da celula unitaria c
ubica sao:
z
y
x
y
x
(1 1 1 )
y
x
( 1 1 1 )
( 1 1 1 )
y
x
12
z
y
x
( 0 0 1 )
( 1 1 1 )
( 1 1 1 )
y
x
x
( 1 0 1 )
( 1 1 1 )
Figura 4: Planos diagonais da celula unitaria c
ubica
x
Figura 5: Todos os planos diagonais da celula unitaria c
ubica
Quando as intersecoes do plano com os eixos nao sao obvias, deve-se deslocar o plano ate
obter as interseccoes corretas.
13
z
Ix = 1
Iy = 1
Iz =
h = 1; k = 1; l = 0
( 1 1 0 )
x
Ou melhor, alterar a origem de posicao, nao necessitando aumentar o desenho.
z
y
x
x
2.4
Exerccios
(a) [110];
(b) [121];
z
y
x
y
x
(d) [133];
(c) [012];
y
x
(e) [111];
(f ) [122];
14
y
x
y
x
(g) [123];
(h) [103];
y
x
(i) [010].
z
y
x
y
x
y
x
y
x
y
x
y
x
y
x
y
x
15
y
x
y
x
y
x
z
1
3
2
3
1
2
y
1
2
1
2
y
1
2
y
x
y
x
y
x
y
x
y
x
y
x
(d) (131);
y
x
(e) (111);
(f ) (122);
y
x
y
x
(g) (123);
y
x
(h) (013);
(i) (030).
y
x
16
y
x
y
x
2.5
17
Densidade at
omica planar
Para cada sistema cristalino existem planos especiais onde as densidades atomicas sao
maximas.
2.5.1
C
ubico simples
Para o sistema c
ubico simples temos as faces como planos principais (famlia 100):
R2
4 = = 0, 79
DAP =
(2 R)2
4
4
2R
2.5.2
C
ubico de corpo centrado
Para o sistema c
ubico simples temos os planos das faces (famlia {100}) e os planos diagonais
(famlia {110}):
Famlia {100}
R2
4
3
DAP = ( 4 )2 =
= 0, 59
16
4R
3
4R
18
Famlia {110}
4R
R2
R2 + 4
4 = 3 = 0, 83
DAP =
4 2R 4R
8 2
3
3
4
2R
Dessa forma, o plano com a maxima densidade planar e o plano diagonal, da famlia 110.
2.5.3
C
ubico de face centrada
Para o sistema c
ubico simples temos os planos das faces (famlia {100}), os planos diagonais
(famlia {110}) e os planos diagonais do cubo (famlia {111}):
Famlia {100}
R2
R2 + 4
4
DAP = (
)2 = 4 = 0, 79
2R 2
Famlia {110}
2R
2R
R2
R2
+4
2
4 =
DAP =
= 0, 55
4 2
2 R 24 R
2
4R
4R
Famlia {111}
4R
2R
19
R2
R2
3
+3
2
6 =
DAP =
= 0, 91
2 R 34 R
2 3
2
4R
Dessa forma, o plano com a maxima densidade planar e o plano diagonal do cubo, famlia
{111}.
2.6
Densidade at
omica linear
Vamos apresentar a DAL para as direcoes nos planos de maxima densidade de cada
estrutura cristalina c
ubica.
C
ubica simples: famlia <100>
DAL =
2R
= 1, 0
2R
2R
4R
C
ubica corpo centrado: famlia <111>
DAL = 1, 0
2R
20
4R
2R
4R
C
ubica corpo centrado: famlia <110>
DAL = 1, 0
4R
2.7
Planos e direc
oes compactos
A estrutura cristalina CFC e a mais densa do ponto de vista volumetrico. Por outro lado, em
cada rede, existem planos com valores diferentes de DAP. Os planos compactos sao aqueles
com o valor maior de DAP para cada estrutura cristalina.
As direcoes compactas estao contidas nos planos compactos de cada estrutura cristalina.
Para a estrutura cristalina CS e a famlia de planos {100}, para a estrutura cristalina
CCS e a famlia de planos {110} e para a estrutura cristalina CFC e a famlia de planos
{111}.
Os planos compctos e as direcoes compactas sao fundamentais na deformacao mecanica
dos materiais. Normalmente a deformacao mecanica ocorre atraves do deslizamento de
planos. Como os atomos estao mais ligados nos planos compactos, o deslizamento ocorre
entre esses planos, ou seja, num plano paralelo a esse plano compacto e no sentido da direcao
compacta.
Desse modo, os materiais que possuem a estrutura CFC, que tem a famlia de planos {111}
com DAP=0,91, tem muita facilidade de deformacao, relativamente as demais estruturas.
Alem do DAP diferenciado, a famlia {111} e composta por 8 planos, facilitando a deformacao
em diversas direcoes (famlia <110>) nesses planos.
21
Caracterizac
ao da estrutura
3.1
Lei de Bragg
Raios-X
incidentes
Raios-X
difratados
Planos
atomicos
distancia
interplanar
C
B
2 d sen = n
22
(Lei de Bragg)
Onde n e um n
umero inteiro.
Por outro lado, a distancia entre dois planos atomicos paralelos adjacentes pode ser
calculado considerando os ndices de Miller (h, k, l) e o parametro cristalino (a):
a
dhkl =
h2 + k 2 + l 2
3.2
M
etodos de difrac
ao de raios-X
3.3
Espectro de difrac
ao
Intensidade relativa
(110)
(211)
(200)
30
40
50
60
70
80
90
100
Angulo
de difracao 2
Figura 6: Padrao de difracao para o ferro- (ferro CCC) policristalino.
3.4
Exemplo de aplicac
ao
1) Para o ferro CCC, calcular: (a) o espacamento interplanar, e (b) o angulo de difracao
para o conjunto de planos (220). O parametro cristalino do Fe e 0,2866 nm e a radiacao
23
Intensidade relativa
2) Dado o padrao de difracao para o Alumnio (graco e tabela completa), determinar os coecientes dos planos atomicos identicados. Considerar radiacao Cu K =
0, 154056 nm
30
40
50
60
70
Angulo
de difracao 2
80
90
100
24
Solucao:
O calculo do parametro cristalino poderia ser feito considerando-se qualquer pico resultante, evidentemente a resposta seria igual, independente do pico considerado. Pensando dessa maneira, podemos trabalhar com a Lei de Bragg e o calculo da distancia
entre planos quaisquer:
2 d sen = n (Lei de Bragg) e dhkl =
h2
a
+ k 2 + l2
a
2
sen = n
h2 + k 2 + l 2
n
sen
=
2
2a
h + k 2 + l2
O segundo lado da igualdade varia conforme o pico considerado no difratograma. Elevando ao quadrado:
(
)2 (
)2
n
sen
=
2a
h2 + k 2 + l 2
(
)2
n
sen2
= 2
2a
h + k 2 + l2
Considerando o primeiro membro igual a uma constante A:
(
)2
n
A=
2a
sen2
h2 + k 2 + l 2
Com o calculo do parametro cristalino sendo feito:
A=
a=
2 A
(1)
25
Coecientes h2 + k 2 + l2
100
1
110
2
111
3
200
4
210
5
211
6
220
8
221
9
300
9
310
10
311
11
222
12
...
...
sen2
1
2
3
4
5
6
...
...
...
sen2
2
sen2
3
sen2
4
sen2
5
sen2
6
sen2
8
sen2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
38,5192
44,7651
65,1402
78,2641
82,4726
99,1140
112,0367
116,5898
137,4595
0,1088
0,1450
0,2898
0,3983
0,4345
0,5792
0,6876
0,7238
0,8684
sen2
sen2
sen2
2
3
4
0,0544 0,0363 0,0272
0,0725 0,0483 0,0363
0,1449 0,0966 0,0725
0,1992 0,1328 0,0996
0,2173 0,1448 0,1086
0,2896 0,1931 0,1448
0,3438 0,2292 0,1719
0,3619 0,2413 0,1810
0,4342 0,2895 0,2171
sen2
5
0,0218
0,0290
0,0580
0,0797
0,0869
0,1158
0,1375
0,1448
0,1737
sen2
sen2
6
8
0,0181 0,0136
0,0242 0,0181
0,0483 0,0362
0,0664 0,0498
0,0724 0,0543
0,0965 0,0724
0,1146 0,0860
0,1206 0,0905
0,1447 0,1086
A constante A deve se repetir na tabela em todas as linhas, ou seja para todos os picos,
mas nao necessariamente em todas as colunas.
Dessa maneira, observamos A = 0, 0363 (em negrito).
26
0, 154056
= 0, 4049 nm
2 0, 0363
sen2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
38,5192
44,7651
65,1402
78,2641
82,4726
99,1140
112,0367
116,5898
137,4595
0,1088
0,1450
0,2898
0,3983
0,4345
0,5792
0,6876
0,7238
0,8684
sen2
h2 + k 2 + l 2
A
2,9972
3
3,9945
4
7,9835
8
10,9725
11
11,9697
12
15,9559
16
18,9421
19
19,9394
20
23,9229
24
(hkl)
plano
plano
plano
plano
plano
plano
plano
plano
plano
(111)
(200)
(220)
(311)
(222)
(400)
(331)
(420)
(422)
Representando no graco:
Intensidade relativa
(111)
(200)
(221)
(331)
(222)
(400)
30
40
50
60
70
80
90
100
Angulo
de difracao 2
3.5
Exerccios
1) Dado o padrao de difracao para o Nquel (graco e tabela completa), determinar os coecientes dos planos atomicos identicados. Considerar radiacao Cu K = 0, 154056 nm
27
Intensidade relativa
30
40
50
60
70
80
90
100
Angulo
de difracao 2
Intensidade relativa
2) Dado o padrao de difracao para o Cobre (graco e tabela completa), determinar os coecientes dos planos atomicos identicados. Considerar radiacao Cu K = 0, 154056 nm
30
40
50
60
70
Angulo
de difracao 2
80
90
100
28
4
4.1
29
Defeitos
Vac
ancia
O n
umero vacancias de equilbrio (Nv )para uma dada quantidade de material depende do
aumento da temperatura de acordo com:
Qv
Nv = N e kT
Onde:
N = n
umero total de posicoes atomicas;
Qv = energia requerida para formacao das vacancias;
T = temperatura absoluta (K);
k = constante de Boltzmann;
k = 1, 38 1023 J/atom-K;
k= 8, 62 105 eV/atom-K.
Assim, o n
umero de vacancias varia exponencialmente com a temperatura.
Para a maioria dos metais a fracao Nv /N na temperatura de fusao (justamente abaixo) e
da ordem de 104 , o que indica que existe uma posicao na malha cristalina vazia em 10.000.
4.1.1
Exemplo de aplicac
ao
Calcular o n
umero de vacancias de equilbrio por metro c
ubico de cobre a 1.000o C. A energia
da formacao de vacancia e 0,9 eV/atom; o peso atomico e a densidade do cobre (a 1.000o C)
sao 63,5 g/mol e 8,4 g/cm3 , respectivamente.
Solucao:
Sendo:
T = 1000 + 273 = 1.273 K
a constante de Boltzmann por mol de atomos torna-se a constante dos gazes R;
R = 8, 31 J/mol-K
R = 1, 987 cal/mol-K
Inicialmente, contudo, calcula-se o valor de N, o n
umero de posicoes atomicas por metro
c
ubico para o cobre:
N=
NA
ACu
Onde:
NA = n
umero de Avogrado = 6, 023 1023 atomos/mol;
= densidade = 8, 4 g/cm3 ;
ACu = massa atomica = 63, 5 g/mol;
N=
30
Assim, o n
umero de vacancias a 1.000o C (1.273 K) e igual a:
Qv
Nv = N e kT
[
]
0, 9 eV
28
3
Nv = (8, 0 10 atomos/m ) exp
(8, 62 105 eV /K)(1273 K)
25
3
Nv = 2, 2 10 vacancias/m
4.1.2
Exerccios
1) Calcular a fracao de posicoes atomicas que sao vacancias para o Chumbo na sua temperatura de fusao de 327 o C. Assumindo a energia de formacao de vacancia igual a 0,55
eV/atomo.
2) Calcular o n
umero de vacancias por metro c
ubico do ferro a 850 o C. A energia para a
formacao de vacancias e 1,08 eV/atomo. Alem disso, a densidade e a massa atomica
para o ferro sao 7,65 g/cm3 e 55,85 g/mol, respectivamente.
3) Calcular a energia para formacao de vacancias na prata, dado que o n
umero de vacancias
o
23
3
de equlibro a 800 C e 3, 6 10 m . A massa atomica e a densidade (a 800 o C)
sao, respectivamente, 107,9 g/mol e 9,5 g/cm 3 .
4.2
Soluc
oes S
olidas
As solucoes solidas sao formadas quando atomos de um elemento (soluto) sao adicionados
no material hospedeiro (solvente) e a estrutura cristalina original e mantida.
4.2.1
Condic
oes
Existem diversas condicoes para formacao de uma solucao solida (substitucional ou intersticial):
1) Fator do tamanho atomico: quando a diferenca entre tamanho for inferior a 15%;
2) Estrutura cristalina: quando os dois metais apresentarem a mesma estrutura cristalina;
3) Eletronegatividade: quanto mais um elemento for eletropositivo e o outro form mais
eletronegativo, maior e a probabilidade da formacao de um composto intermetalico ao
inves da formacao de uma solucao solida;
4) Valencia: com os outros fatores sendo iguais, um metal tem maior tendencia a se
dissolver em outro metal de maior valencia que de outro de menor valencia.
4.2.2
31
Exerccio
Eletronegatividade Valencia
1,9
+2
1,9
1,5
1,8
1,6
1,8
1,8
2,2
2,2
1,6
+1
+3
+2
+3
+2
+2
+2
+2
+2
32
Composic
ao
1) Percentagem de massa
m1
C1 =
100 ; onde: mi = massa do elemento na liga.
m1 + m2
2) Percentagem de atomos
nm1
m
C1 =
100 ; onde: nm1 = 1 com m1 = massa do elemento em gramas e
nm1 + nm2
A1
A1 = massa atomica.
3) Conversao
C1 A2
C1 =
100
C1 A2 + C2 A1
C2 A1
C2 =
100
C1 A2 + C2 A1
C A1
C1 = 1
100
C1 A1 + C2 A2
C A2
C2 = 2
100
C1 A1 + C2 A2
Com: C1 + C2 = 100; C1 + C2 = 100
5.1
Exemplo
100
CAl
=
CAl ACu + CCu AAl
(97)(63, 55 g/mol)
CAl
=
100
(97)(63, 55 g/mol) + (3)(26, 98 g/mol
CAl
= 98, 7 % atomica.
CCu AAl
100
CCu AAl + CAl ACu
(3)(26, 98 g/mol)
CCu
100
=
(3)(26, 98 g/mol) + (97)(63, 55 g/mol
CCu
= 1, 3 % atomica.
CCu
=
5.2
Exerccios
33
Diagramas de Fases
Os diagramas de fase ou de equilbrio sao gracos bi ou tridimensionais que fornecem informacoes sobre as condicoes da formacao de ligas de acordo com a temperatura e proporcoes.
6.1
Import
ancia
6.2
Limite de solubilidade
6.3
Fases
Fase e a porcao homogenea de um sistema que tem caractersticas fsicas e qumicas denidas.
Consideracoes sobre as fases:
Todo metal puro e uma considerado uma fase;
Uma fase e identicada pela composicao qumica e microestrutura;
A interacao de 2 ou mais fases em um material permite a obtencao de propriedades
diferentes;
possvel alterar as propriedades do material alterando a forma e distribuicao das
E
fases.
6.4
Diagramas
Os diagramas de fases ou de equilbrios sao mapas para a determinacao das fases presentes
para qualquer temperatura e composicao, desde que a liga esteja em equilbrio. Termodinamicamente o equilbrio e descrito em termos de energia livre. Dessa maneira, um sistema
esta em equilbrio quando a energia livre e mnima.
O equilbrio de fases e o reexo da constancia das caractersticas das fases com o tempo.
6.5
34
Nas fases de equilbrio as propriedades ou caractersticas nao mudam com o tempo. Geralmente sao representadas nos diagramas por letras gregas.
Ao contrario, nas fases metaestaveis as propriedades ou caractersticas mudam lentamente
com o tempo, ou seja, o estado de equilbrio nao e nunca alcancado. No entanto, nao ha
mudancas muito perceptveis com o tempo na microestrutura das fases metaestaveis.
6.6
O diagrama e dito isomorfo quando a solubilidade e completa. Nos metais o exemplo clasico
e a liga Cobre-Nquel.
1500
1453 o C
Lquido
1400
Temperatura (o C)
Linha liquidus
1300
+L
Linha solidus
1200
1100
1085 o C
20
(Cu)
40
60
Composicao (% Ni em peso)
80
100
(Ni)
No diagrama de fases, a chamada linha liquidus divide a fase que e totalmente lquida das
fases que contenham algum componente solido. Da mesma maneira, a chamada linha solidus
divide a fase que e totalmente solida das fases que contenham componente lquido.
No diagrama Cu N i pode-se notar que entre a linha liquidus e linha solidus temos
uma fase somente, composta por + L (solido + lquido).
O solido e uma mistura atomica de Cobre e Nquel. Ele e uma solucao solida substitucional com estrutura cristalina CFC, estrutura original dos dois metais, cobre e zinco.
35
Por outro lado, o lquido L e uma solucao lquida homogenea composta por cobre e nquel.
O ponto de fusao do cobre e do nquel estao em destaque no diagrama, 1085o C e 1455o C
respectivamente. Os metais puros se fundem (ou solidicam) numa temperatura determinada
(num patamar de temperatura).
Ao contrario, as ligas metalicas, muito geralmente, se fundem (ou solidicam) num processo que envolve variacao de temperatura. Esse efeito causa o aparecimento das regioes
entre a linha solidus e a linha liquidus.
Dessa maneira, a quantidade relativa de cada fase, solido e lquido L, varia coma a temperatura, quanto mais proximo o ponto analisado estiver da linha solidus maior sera a proporcao de solido , da mesma maneira quando mais proximo o ponto estiver da linha liquidus
maior sera a proporcao de lquido L presente na mistura.
Para esses caso, a determinacao das quantidades relativas de cada fase e feita utilizandose a regra da alavanca. Para expressao os calculos envolvidos vamos utilizar uma porcao do
diagrama Cu N i.
1350
Lquido
1300
Temperatura (o C)
Linha da alavanca
+L
B
1250
1200
+L
D
1150
20
30
40
50
CL CO
C
Composicao (% Ni em peso)
6.6.1
Interpretac
ao dos diagramas de fase
36
e E = C CO
6.7
Desenvolvimento da microestrutura
37
1350
Lquido
L(35 Ni)
(46 Ni)
L
(35 Ni)
1300
Temperatura (o C)
a
+L
L(32 Ni)
b
1250
(46 Ni)
L(24 Ni)
(43 Ni)
L(32 Ni)
d
1200
+L
(35 Ni)
1150
20
30
(43 Ni)
L(24 Ni)
(35 Ni)
40
50
Composicao (% Ni em peso)
Figura 9: Desenvolvimento da estrutura
No ponto a da gura 9 a liga com 35% Ni esta totalmente na fase lquida, ou seja, temos
uma fase somente, 100% L.
Diminuindo a temperatura comeca o processo de solidicacao (ponto b). No seio do
lquido aparecem sementes que sao os pontos iniciais para a solidicacao do material.
No ponto c temos uma quantidade relevante de material solido , relativamente rico em
Ni (43% Ni) com o lquido L de composicao 32% Ni. Pode-se utilizar a regra da alavanca
para obter as quantidades relativas de cada fase, L e :
C CO
43 35
=
= 0, 73 (73%)
C CL
43 32
CO CL
35 32
P =
=
= 0, 27 (27%)
C CL
43 32
O nal da solidicacao acontece na linha solidus, ponto d. E em temperaturas abaixo
temos o material solidicado (ponto e), uma fase somente, 100% com 35% Ni.
importante salientar que a composicao sempre foi fornecida em quantidade de Nquel,
E
observando-se que o restante e Cobre.
PL =
6.8
Diagrama Eut
etico
A mistura de materiais diferentes formando ligas altera as propriedades atomicas, isso modica o ponto de fusao, principalmente em ligas onde nao existe solubilidade ou a solubilidade
38
na fase solida e parcial. Nos diagramas euteticos para uma determinada proporcao, chamada de ponto eutetico, ou liga eutetica, a temperatura de fusao e inferior a temperatura
dos materiais puros.
Alem disso, a fusao e a solidicacao da liga eutetica ocorre num patamar de temperatura,
igual aos materiais puros. Nesse caso, duas fases solidas se transformam em uma fase lquida
na fusao:
+ L
Temperatura (o C)
300
Cd + L
200
Bi + L
144 o C
Linha solidus
100
Cd + (Cd + Bi)
20
(Cd)
Cd + Bi
40
60
Composicao (% Bi em peso)
Bi + (Cd + Bi)
80
100
(Bi)
6.8.1
39
Temperatura (o C)
O desenvolvimento da estrutura para ligas euteticas e peculiar. Pois por um lado, temos
o solido eutetico, que e uma mistura homogenea de dois constituintes, por outro lado, nas
ligas hipo e hipereuteticas temos a formacao do solido (solido proeutetico) antes da reacao
eutetica.
400
321 o C
Lquido
300
L
271 o C
L
Cd + Bi
200
Cd)
E
Bi
E
144 o C
100
Cd)
20
(Cd)
E(Cd + Bi)
40
60
Composicao (% Bi em peso)
Bi
80
100
(Bi)
Diagrama Cu-Ag
40
1200
1085 o C
liquidus
Lquido
1000
liquidus
Temperatura (o C)
solidus
800
962 o C
+L
+L
779 o C
8,0%
71,9%
600
91,2%
+
solvus
400
20
(Cu)
40
60
Composicao (% Ag em peso)
80
100
(Ag)
P =
6.9
Exerccios
1) Para o diagrama Sn-Pb, analisar a liga eutetica para temperatura imediatamente acima
e imediatamente abaixo da temperatura eutetica.
Temperatura (o C)
350
41
327 o C
300
250
232 o C
Lquido
+L
200
19,2%
150
+L
183 o C
97,5%
61,9%
+
100
50
20
(Pb)
40
60
Composicao (% Sn em peso)
80
100
(Sn)
7
7.1
42
Propriedades Mec
anicas dos Materiais
Ensaio de Tra
c
ao
Uma barra metalica submetida a um esforco crescente de tracao sofre uma deformacao progressiva de extensao (gura 14) . A relacao entre a tensao aplicada ( = F/area) e a
deformacao linear especca ( = l /l ) de alguns acos estruturais pode ser vista no diagramas tensao-deformacao da gura 15.
43
cado. A proporcionalidade pode ser observada (gura 16) no trecho retilneo do diagrama
tensao-deformacao e a constante de proporcionalidade e denominada modulo de deformacao
longitudinal ou modulo de elasticidade. Ultrapassado o limite de proporcionalidade (fp),
tem lugar a fase plastica, na qual ocorrem deformacoes crescentes sem variacao de tensao
(patamar de escoamento). O valor constante dessa tensao e a mais importante caracterstica
dos acos estruturais e e denominada resistencia ao escoamento.
Apos o escoamento, a estrutura interna do aco se rearranja e o material passa pelo
encruamento, em que se verica novamente a variacao de tensao com a deformacao especca,
porem de forma nao-linear.
O valor maximo da tensao antes da ruptura e denominada resistencia `a ruptura do
material. A resistencia `a ruptura do material e calculado dividindo-se a carga maxima
que ele suporta, antes da ruptura, pela area da secao transversal inicial do corpo de prova.
Observa-se que fu e calculado em relacao `a area inicial, apesar de o material sofrer uma
reducao de area quando solicitada `a tracao. Embora a tensao verdadeira deva ser calculada
considerando-se a area real, a tensao tal como foi denida anteriormente e mais importante
para o engenheiro, pois os projetos sao feitos com base nas dimensoes iniciais.
Em um ensaio de compressao, sem a ocorrencia de ambagem, obtem-se um diagrama
tensao-deformacao similar ao do ensaio de tracao.
Exerccios
1) Uma peca de Cobre originalmente com 305 mm de comprimento e tracionada com uma
tensao de 276 MPa. Se a deformacao e inteiramente elastica, qual sera o alongamento
resultante? (ECu =110 GPa)
l
Dado a lei de Hooke: = E, substituindo a deformacao especca: =
lo
l
resulta: =
E
lo
lo
(276 M P a)(305 mm)
isolando: l =
e calculando: l =
= 0, 77 mm
E
110 103 M P a
44
45
46